JPH08250395A - レジストパターン形成方法 - Google Patents

レジストパターン形成方法

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JPH08250395A
JPH08250395A JP5294995A JP5294995A JPH08250395A JP H08250395 A JPH08250395 A JP H08250395A JP 5294995 A JP5294995 A JP 5294995A JP 5294995 A JP5294995 A JP 5294995A JP H08250395 A JPH08250395 A JP H08250395A
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Shoji Sanhongi
省次 三本木
Soichi Inoue
壮一 井上
Hirosuke Nakazawa
啓輔 中澤
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 位相シフトマスクを用いることなしに、マス
ク上の周期パターンの空間周波数より高い空間周波数を
持つ微細レジストパターンを形成することのできるレジ
ストパターン形成方法を提供すること。 【構成】 レジストパターンの形成方法において、被露
光基板11上にポジ型レジスト12を塗布した後、ポジ
型レジスト12にライン&スペースパターンを露光し、
次いでポジ型レジスト12を現像してレジスト12の露
光部を除去し、次いでポジ型レジスト12からなるパタ
ーンのスペース部分にネガ型レジスト15を塗布し、次
いでポジ型レジスト12とネガ型レジスト15の境界部
分を含む領域を露光し、次いでレジスト12,15を現
像して、ポジ型レジスト12の露光部及びネガ型レジス
ト15の未露光部を除去することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、微細なレジストパター
ンの形成方法に係わり、特にライン&スペースパターン
の作成に適したレジストパターン形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスでは、例えばダイナミッ
クRAMのように微細化が進み、256Mダイナミック
RAM以降では0.25μm以下の最小加工線幅が必要
になると言われている。この領域になると、光学式の露
光装置では限界に近づき露光装置の光源の短波長化やレ
ジスト材料の改良だけでは十分ではなく、マスクや投影
光学系にも工夫を施すことで解像度の焦点深度の向上を
図る研究開発が活発に行われている。
【0003】マスクに対する工夫の代表的な例は、マス
クを透過する光の一部に位相差を与える位相シフト法で
ある。これは、図9に示すように、マスク上の隣接する
2箇所の透明部分を透過する光の位相を変えるというも
のである。図中の91はフォトマスク基板、92は遮光
膜、93,94は照射光の位相を反転させる層(以下、
位相シフタと称す)、95は被露光基板、96は感光材
料(以下、レジスト)と称す)を示している。
【0004】マスク上の隣接する2箇所の透明部分を通
過する光の位相を変化させるマスクパターンについて
は、(IEEE trans on Electron Devices,Vol.ED-29,No.
12,p1828(1982))における(Marc D.Levenson )等によ
る(Improving Resolution inPhotolithography with a
Phase-Shift Mask)と題する文献において論じられて
いる。
【0005】この文献で提案しているマスクでは、マス
ク基板上にパターンの原画となる遮光部を設け、隣接す
る透過部上の一方に位相シフタを設けている。この位相
シフタの条件としては、膜厚をd、屈折率をn、露光波
長をλとすると、 d=λ/{2(n−1)} の関係が必要である。このような位相シフタを通過した
光は他の透過光と逆位相であるため、パターン境界部で
光強度が零となり、パターンが分離し解像度が向上す
る。
【0006】しかしながら、実際に製作されたマスクの
遮光部やシフタ部には有限の厚みを持っており、図9
(a)に示すようにシフタを上から張り付けるタイプで
は、シフタ内での多重反射が問題となる。さらに、図9
(b)に示すようにシフタをマスク基板に掘込むタイプ
では、掘込んだ部分を通過する光に対しての導波路効果
によって、シフタを通過してウェハ面に到達する光量と
シフタの付いていない開口部を通過してウェハ面に到達
する光量とが1:1にはならず、図9(c)に示すよう
に非対称になる。このため、図9(d)に示すように、
現像後パターンは1:1の周期パターンにはならない。
【0007】また、露光装置に対する工夫では、照明光
学系内に遮光板などを挿入して変形された2次光源を形
成したり、瞳位置に位相フィルタを挿入するなどして焦
点深度の向上効果が得られる。しかしながら、限界解像
度は位相シフトマスクには及ばない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、光学
式の露光方法によって細い線幅を持つ周期パターンを形
成するために、位相シフトマスクを用いた場合には、
1:1の周期パターンを得るのは困難であった。また、
変形照明や瞳位置でのフィルタリング法を用いた場合に
は、その限界解像力は位相シフトマスクには及ばなかっ
た。
【0009】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、位相シフトマスクを用
いることなしに、マスク上の周期パターンの空間周波数
より高い空間周波数を持つ微細レジストパターンを形成
することのできるレジストパターン形成方法を提供する
ことにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、次のような構成を採用している。即ち、本
発明(請求項1)は、レジストパターンの形成方法にお
いて、被露光基板上にポジ型又はネガ型の第1のレジス
トを形成した後、第1のレジストを所望パターンに露光
し、次いで第1のレジストを現像して、第1のレジスト
の露光部又は未露光部を除去し、次いで第1のレジスト
からなるパターンの少なくともスペース部分に第1のレ
ジストとは逆極性の第2のレジストを形成し、次いで第
1のレジストと第2のレジストの境界部分を含む領域を
露光し、次いで第1及び第2のレジストを現像して、第
1のレジストの露光部及び第2のレジストの未露光部、
又は第1のレジストの未露光部及び第2のレジストの露
光部を除去するようにした方法である。
【0011】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は、次のものがあげられる。 (1) 第1のレジストに露光するパターンは、1:1のラ
イン&スペースであること。 (2) 第1のレジストがポジ型で第2のレジストがネガ型
の場合、現像により除去する部分は、第1のレジストの
露光部及び第2のレジストの未露光部である。 (3) 第1のレジストがネガ型で第2のレジストがポジ型
の場合、現像により除去する部分は、第1のレジストの
未露光部及び第2のレジストの露光部である。
【0012】また、本発明(請求項2)は、レジストパ
ターンの形成方法において、被露光基板上にポジ型又は
ネガ型の第1のレジストを形成した後、第1のレジスト
を所望パターンに露光し、次いで第1のレジストを現像
して、第1のレジストの露光部又は未露光部を除去し、
次いで第1のレジストからなるパターンの少なくともス
ペース部分に第1のレジストとは逆極性の第2のレジス
トを形成し、次いで第1のレジストと第2のレジストの
境界部分を含む領域を露光し、次いで被露光基板を所定
のガス雰囲気に晒し、第1のレジストの露光部及び第2
のレジストの未露光部、又は第1のレジストの未露光部
及び第2のレジストの露光部に変質層を形成し、次いで
変質層をマスクに第1及び第2のレジストを選択エッチ
ングするようにした方法である。
【0013】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は、次のものがあげられる。 (1) 第1のレジストに露光するパターンは、1:1のラ
イン&スペースであること。 (2) 第1のレジストがポジ型で第2のレジストがネガ型
の場合、現像により除去する部分は、第1のレジストの
露光部及び第2のレジストの未露光部である。 (3) 第1のレジストがネガ型で第2のレジストがポジ型
の場合、現像により除去する部分は、第1のレジストの
未露光部及び第2のレジストの露光部である。 (4) 変質層を形成するためのガス雰囲気はシリル化剤雰
囲気であり、変質層はシリル化層であること。 (5) 変質層をマスクに第1及び第2のレジストを選択エ
ッチングする手段として、酸素プラズマエッチングを行
うこと。
【0014】また、本発明(請求項3)は、レジストパ
ターンの形成方法において、被露光基板上に露光量の増
加に伴いポジ型からネガ型に反転するレジストを形成し
たのち、このレジストを所望パターンに露光し、次いで
レジストを現像して、該層の低露光量領域と高露光量領
域に対応する部分を残し、中間露光量領域に対応する部
分を除去するようにした方法である。
【0015】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は、次のものがあげられる。 (1) レジストに露光するパターンは、1:1のライン&
スペースであること。 (2) レジストの低露光領域に対し、少なくとも不要部分
に露光光を照射し、その後の現像により不要パターンを
取り除くこと。
【0016】また、本発明(請求項4)は、レジストパ
ターンの形成方法において、被露光基板上に露光量の増
加に伴いネガ型からポジ型に反転するレジストを形成し
たのち、このレジストを所望パターンに露光し、次いで
レジストを現像して、該層の低露光量領域と高露光量領
域に対応する部分を除去し、中間露光量領域に対応する
部分を残すようにした方法である。
【0017】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は、次のものがあげられる。 (1) レジストに露光するパターンは、1:1のライン&
スペースであること。 (2) レジストの中間露光領域に対し、少なくとも不要部
分に露光光を照射し、その後の現像により不要パターン
を取り除くこと。
【0018】
【作用】本発明(請求項1)によれば、ポジ型及びネガ
型の2種類のレジストと2回露光を行うことにより、マ
スク上の周期パターンの空間周波数の2倍の空間周波数
を持つ微細周期レジストパターンを形成することができ
る。そしてこの場合、製造,検査,修正,洗浄が難しい
位相シフト付きマスクを使用せずに、位相シフト露光以
上の解像度及び焦点深度を持つ露光が可能になる。さら
に、本発明(請求項2)では、これに加え、2回目の露
光後に耐エッチング性を持つ層を選択的にレジスト上層
に形成し、エッチングすることによって寸法制御性の良
い周期レジストパターニングを可能にする。
【0019】また、本発明(請求項3)によれば、露光
照明量を増していくとポジ型からネガ型に反転するレジ
ストを用いているので、通常の露光,現像のプロセスと
同様に行うだけで1/2周期のレジストパターニングが
可能となる。また、特定の部分に露光光を再度照射する
ことにより、照射された部分では低露光量領域が中間露
光量領域となるため、マスクの開口寸法の半分の1倍周
期レジストパターンを形成することもできる。さらに、
周期パターンと孤立パターンとが同一層にある場合に、
孤立部に露光光を再度照射することにより、周期部には
1/2周期のレジストパターン、孤立部にはマスクの開
口寸法の半分の孤立レジストパターンを形成することが
可能となる。
【0020】また、本発明(請求項4)によれば、露光
照明量を増していくとネガ型からポジ型に反転するレジ
ストを用いているので、通常の露光,現像のプロセスと
同様に行うだけで1/2周期のレジストパターニングが
可能となる。
【0021】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。 (実施例1)図1は、本発明の第1の実施例に係わるレ
ジストパターン形成工程を示す断面図である。
【0022】まず、図1(a)に示すように、被露光基
板11上に第1のレジストとして、例えばポリヒドロキ
シスチレンをベースとした化学増幅型ポジ型レジスト1
2(商品名 APEX-E(IBM))を塗布し、1:1のライン&
スペースパターンを有するフォトマスク13を用い、露
光光14を照射して1回目の露光を行う。そして、アル
カリ現像液での現像を行い、ポジ型レジスト12にライ
ン&スペースパターンを形成する。
【0023】次いで、図1(b)に示すように、ポジ型
レジスト12のスペース部分に第2のレジストとして、
例えばポリヒドロキシスチレンをベースとした化学増幅
型ネガ型レジスト15(商品名 CGR(IBM))を塗布し、ネ
ガ型レジスト15をポジ型レジスト12とほぼ同じ高さ
になるようにアルカリ現像液でエッチングする。
【0024】次いで、図1(c)に示すように、1回目
の露光と同じフォトマスク13を用い、レジスト12,
15の境界部を露光するように、1回目の露光とは1/
4ピッチずらして2回目の露光を行う。その後、レジス
ト12,15をアルカリ現像液で現像することにより、
図1(d)に示すように、マスクの持つ空間周波数の2
倍の空間周波数を持つレジストパターンが被露光基板1
1上に形成された。
【0025】このように本実施例によれば、ポジ型及び
ネガ型の2種類のレジスト12,15を用い、周期パタ
ーンを1/4ピッチずらして2回の露光を行うことによ
り、マスク13上の周期パターンの空間周波数の2倍の
空間周波数を持つ微細周期レジストパターンを形成する
ことができる。そしてこの場合、位相シフト付きマスク
を用いた場合のように、多重反射やシフタの有無による
光量の差が問題となることはなく、位相シフト露光以上
の解像度及び焦点深度を持つ周期パターンを形成するこ
とができる。 (実施例2)図2は、本発明の第2の実施例に係わるレ
ジストパターン形成工程を示す断面図である。なお、図
中の21〜25は、図1の11〜15に相当している。
【0026】まず、第1の実施例と同様に、被露光基板
21上に第1のレジストとしてポジ型レジスト22を塗
布し、1回目の露光及びアルカリ現像液での現像を行い
ライン&スペースパターンを形成する。その後、図2
(a)に示すように、ポジ型レジスト22のスペース部
分に第2のレジストとしてネガ型レジスト25を塗布
し、ネガ型レジスト25をポジ型レジスト22とほぼ同
じ高さになるようにアルカリ現像液でエッチングする。
【0027】次いで、図2(b)に示すように、1回目
の露光とは1/4ピッチずらして2回目の露光を行う。
次いで、図2(c)に示すように、シリル化剤雰囲気2
7に晒すことにより、ポジ型レジスト22の露光部とネ
ガ型レジスト25の未露光部をシリル化しシリル化層
(変質層)26を形成する。
【0028】次いで、酸素プラズマエッチングを行う
と、シリル化層26がマスクとなりレジスト22,25
が選択エッチングされるため、図2(d)に示すよう
に、マスクの持つ空間周波数の2倍の空間周波数を持つ
レジストパターンが被露光基板21上に形成された。
【0029】このように本実施例によれば、先の第1の
実施例と同様に、2種類のレジスト12,15を用いて
2回の露光を行うことにより、微細周期レジストパター
ンを形成することができ、さらに位相シフト露光以上の
解像度及び焦点深度を持つ周期パターンを形成すること
ができる。これに加えて本実施例では、2回目の露光後
に耐エッチング性を持つシリル化層26を選択的にレジ
スト上層に形成し、エッチングすることによって、寸法
制御性の向上をはかることも可能となる。 (実施例3)図3は、本発明の第3の実施例に係わるレ
ジストパターン形成工程を示す断面図である。
【0030】まず、図3(a)に示すように、被露光基
板31上に、例えば化学増幅型ポジ型レジストAPEX
−Eに、3,3′−ジアジドジフェニルスルホンを、レ
ジスト溶液100gに対して1g添加したレジスト32
を塗布する。このレジスト32は、図4に示すように露
光量の増加に伴い、その極性がポジ型からネガ型に変換
するものである。
【0031】次いで、周期パターンを設けたフォトマス
ク33を用い、露光光34の照射により露光を行う。こ
こで、最も強い光が照射される領域(高露光量領域)3
2aと最も弱い光が照射される領域(低露光量領域)3
2cは現像液に対して不溶化しており、パターンエッジ
に位置する中間露光量領域32bは現像液に対して可溶
化している。
【0032】従って現像を行うことにより、図3(b)
に示すように、マスク33の持つ空間周波数の2倍の空
間周波数を持つレジストパターンが被露光基板31上に
形成された。
【0033】このように本実施例では、露光量の増加に
伴いポジ型からネガ型に反転するレジスト32を用いる
ことにより、1回の露光と現像で、マスク33上の周期
パターンの空間周波数の2倍の空間周波数を持つ微細周
期レジストパターンを形成することができる。従って、
第1の実施例と同様の効果が得られるのは勿論のこと、
製造プロセスが簡易になる利点を有する。 (実施例4)図5は、本発明の第4の実施例に係わるレ
ジストパターン形成工程を示す断面図である。
【0034】まず、図5(a)に示すように、被露光基
板51上に、例えば光分解型ポリマーであるイソプロペ
ニルフェノールとブテンスルホンとの共重合体20gを
シクロヘキサン100gに溶解させ、架橋剤として3,
3′−ジアジドジフェニルスルホンを1g添加したレジ
スト52を塗布する。このレジスト52は、図6に示す
ように露光量の増加に伴い、その極性がネガ型からポジ
型に変換するものである。
【0035】次いで、周期パターンを設けたフォトマス
ク53を用い、露光光54の照射により露光を行う。こ
こで、最も強い光が照射される領域(高露光量領域)5
2aと最も弱い光が照射される領域(低露光量領域)5
2cは現像液に対して可溶化しており、パターンエッジ
に位置する中間露光量領域52bは現像液に対して不溶
化している。
【0036】従って現像を行うことにより、図5(b)
に示すように、マスク53の持つ空間周波数の2倍の空
間周波数を持つレジストパターンが被露光基板51上に
形成された。
【0037】このように本実施例によれば、露光量の増
加に伴いネガ型からポジ型に反転するレジスト52を用
いることにより、1回の露光と現像で、マスク53上の
周期パターンの空間周波数の2倍の空間周波数を持つ微
細周期レジストパターンを形成することができる。従っ
て、第3の実施例と同様の効果が得られる。 (実施例5)図7は、本発明の第5の実施例に係わるレ
ジストパターン形成工程を示す断面図である。
【0038】まず、図7(a)に示すように、被露光基
板71上に、前記図4に示すような露光量に応じてポジ
型からネガ型に変換するレジスト72を塗布し、フォト
マスク73を用いて露光光74の照射により露光を行
う。ここで、最も強い光が照射される領域(高露光量領
域)72aと最も弱い光が照射される領域(低露光量領
域)72cは現像液に対して不溶化しており、パターン
エッジに位置する中間露光量領域72bは現像液に対し
て可溶化している。
【0039】従って現像を行うと、図7(b)に示すよ
うに、マスク73の持つ空間周波数の2倍の空間周波数
を持つレジストパターンが被露光基板71上に形成され
た。この後、露光光75により全面露光を行うことによ
り、低露光量領域72cを中間露光量領域に変換する。
【0040】その後、現像を行うことによって、図7
(c)に示すように、不要なパターン72cを取り去る
ことができた。 (実施例6)図8は、本発明の第6の実施例に係わるレ
ジストパターン形成工程を示す断面図である。
【0041】まず、図8(a)に示すように、被露光基
板81上に、前記図4に示すような露光量に応じてポジ
型からネガ型に変換するレジスト82を塗布し、周期パ
ターンと孤立パターンとが混在するマスク83を用いて
露光光84の照射により露光を行う。ここで、最も強い
光が照射される領域(高露光量領域)82aと最も弱い
光が照射される領域(低露光量領域)82cは現像液に
対して不溶化しており、パターンエッジに位置する中間
露光量領域82bは可溶化している。
【0042】従って現像を行うと、図8(b)に示すよ
うに、マスク83の持つ空間周波数の2倍の空間周波数
を持つレジストパターンが被露光基板上に形成された。
この後、周期パターン部が遮光部、孤立パターン部が開
口部であるフォトマスク85を用いて、露光光86によ
り不要パターン82dを露光する。
【0043】この後、現像することによって、図8
(c)に示すように、不要パターン82dを取り除き、
同一層内に孤立パターンと周期パターンとをマスク83
の2倍の空間周波数で形成することができた。
【0044】なお、本発明は上述した各実施例に限定さ
れるものではない。用いたマスクの限界解像度付近では
コントラストが低下するために、第1のレジストの本来
なら未露光部である部分も僅かに露光される。この僅か
な露光量は仕上がり寸法に影響を与えるために、第1の
レジストとして感光剤が可逆性を持つものを用いてもよ
い。また、輪帯照明,4点斜入射照明,2点斜入射照明
などの変形照明や瞳フィルタリング法、さらにはレベン
ソン型位相シフトマスク,ハーフトーン位相シフトマス
ク,エッジ強調型位相シフトマスク,シフタオンリー型
位相シフトマスクなどの位相シフト法との組み合わせも
可能である。マスクの移動について、1次元シフトであ
る必要はなく2次元シフトでもよい。また、シフト量も
1/4ピッチでなくてもよい。
【0045】また、露光量の増加に伴いポジ型からネガ
型へと変換するレジストとしては、ポジ型レジスト材料
に光により架橋反応を生じせしめる添加剤を加えたレジ
ストが使用でき、望ましくはポジ型レジストとして高感
度な材料、特に化学増幅型ポジ型レジストが使用でき
る。また、架橋剤としては、アジド化合物,N−オキシ
ド化合物が用いられる。さらに、露光量の増加に伴いネ
ガ型からポジ型へと変換するレジストとしては、光分解
性ポリマーに光により架橋を生じる化合物を添加したレ
ジストが使用できる。光分解性ポリマーとしてはポリメ
チルメタクリレート,ポリイソプロペニルフェノール,
ポリブテンスルホン,或いはそれらの共重合体が使用で
きる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々
変形して実施することができる。
【0046】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、マ
スク上の周期パターンの空間周波数の2倍の空間周波数
を持つ微細周期レジストパターンを形成することがで
き、製造,検査,修正,洗浄が難しい位相シフト付きマ
スクを使用せずに、位相シフト露光以上の解像度及び焦
点深度を持つ露光が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施例に係わるレジストパターン形成工
程を示す断面図。
【図2】第2の実施例に係わるレジストパターン形成工
程を示す断面図。
【図3】第3の実施例に係わるレジストパターン形成工
程を示す断面図。
【図4】第3の実施例に用いたレジストの露光量に対す
る極性変化を示す特性図。
【図5】第4の実施例に係わるレジストパターン形成工
程を示す断面図。
【図6】第4の実施例に用いたレジストの露光量に対す
る極性変化を示す特性図。
【図7】第5の実施例に係わるレジストパターン形成工
程を示す断面図。
【図8】第6の実施例に係わるレジストパターン形成工
程を示す断面図。
【図9】従来の位相シフトマスクを用いたレジストパタ
ーン形成方法と問題点を説明するための図。
【符号の説明】
11,21,31,51,71,81…被露光基板 12,22…ポジ型レジスト(第1のレジスト) 13,23,33,53,73,83,85…フォトマ
スク 14,24,34,54,74,84,86…露光光 15,25…ネガ型レジスト(第2のレジスト) 26…シリル化層(変質層) 27…シリル化雰囲気 32,52,72,82…露光量により極性の変わるレ
ジスト 32a,52a,72a,82a,…高露光量領域 32b,52b,72b,82b…中間露光量領域 32c,52c,72c,82c…低露光量領域 82d…不要パターン

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】被露光基板上にポジ型又はネガ型の第1の
    レジストを形成する工程と、 第1のレジストを所望パターンに露光する工程と、 第1のレジストを現像して、第1のレジストの露光部又
    は未露光部を除去する工程と、 第1のレジストからなるパターンの少なくともスペース
    部分に第1のレジストとは逆極性の第2のレジストを形
    成する工程と、 第1のレジストと第2のレジストの境界部分を含む領域
    を露光する工程と、第1及び第2のレジストを現像し
    て、第1のレジストの露光部及び第2のレジストの未露
    光部、又は第1のレジストの未露光部及び第2のレジス
    トの露光部を除去する工程と、を含むことを特徴とする
    レジストパターン形成方法。
  2. 【請求項2】被露光基板上にポジ型又はネガ型の第1の
    レジストを形成する工程と、 第1のレジストを所望パターンに露光する工程と、 第1のレジストを現像して、第1のレジストの露光部又
    は未露光部を除去する工程と、 第1のレジストからなるパターンの少なくともスペース
    部分に第1のレジストとは逆極性の第2のレジストを形
    成する工程と、 第1のレジストと第2のレジストの境界部分を含む領域
    を露光する工程と、 前記被露光基板を所定のガス雰囲気に晒し、第1のレジ
    ストの露光部及び第2のレジストの未露光部、又は第1
    のレジストの未露光部及び第2のレジストの露光部に変
    質層を形成する工程と、 前記変質層をマスクに第1及び第2のレジストを選択エ
    ッチングする工程と、を含むことを特徴とするレジスト
    パターン形成方法。
  3. 【請求項3】被露光基板上に露光量の増加に伴いポジ型
    からネガ型に反転するレジストを形成する工程と、 前記レジストを所望パターンに露光する工程と、 前記レジストを現像して、該層の低露光量領域と高露光
    量領域に対応する部分を残し、中間露光量領域に対応す
    る部分を除去する工程と、を含むことを特徴とするレジ
    ストパターン形成方法。
  4. 【請求項4】被露光基板上に露光量の増加に伴いネガ型
    からポジ型に反転するレジストを形成する工程と、 前記レジストを所望パターンに露光する工程と、 前記レジストを現像して、該層の低露光量領域と高露光
    量領域に対応する部分を除去し、中間露光量領域に対応
    する部分を残す工程と、を含むことを特徴とするレジス
    トパターン形成方法。
  5. 【請求項5】請求項3に記載されたレジストの低露光領
    域又は請求項4に記載されたレジストの中間露光領域に
    対し、少なくとも不要部分に露光光を照射し、その後の
    現像により不要パターンを取り除くことを特徴とするレ
    ジストパターン形成方法。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303504A (ja) * 2005-03-23 2006-11-02 Asml Netherlands Bv 縮小ピッチ多重露光方法
JP2006310376A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
KR100815942B1 (ko) * 2006-12-12 2008-03-21 동부일렉트로닉스 주식회사 패턴의 해상도를 향상시키기 위한 반도체 소자의 제조 방법
JP2008066700A (ja) * 2006-09-08 2008-03-21 Hynix Semiconductor Inc 半導体素子の製造方法
JP2008153637A (ja) * 2006-11-21 2008-07-03 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および方法
JP2008192774A (ja) * 2007-02-02 2008-08-21 Jsr Corp ポジ型感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法
JP2009016653A (ja) * 2007-07-06 2009-01-22 Tokyo Electron Ltd 基板の処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2009534870A (ja) * 2006-05-18 2009-09-24 インテル コーポレイション パターン内の最小ピッチを短縮させる方法
US7781149B2 (en) 2005-03-23 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Reduced pitch multiple exposure process
US7906270B2 (en) 2005-03-23 2011-03-15 Asml Netherlands B.V. Reduced pitch multiple exposure process
US7907268B2 (en) 2007-09-26 2011-03-15 Nikon Corporation Surface inspection method and surface inspection device
WO2015016194A1 (ja) * 2013-08-02 2015-02-05 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス
JP2016510515A (ja) * 2013-02-08 2016-04-07 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 金属コンタクト開口を形成する方法
JP2019517026A (ja) * 2016-05-13 2019-06-20 東京エレクトロン株式会社 光増感化学又は感光性化学増幅レジストを用いた限界寸法制御

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7981595B2 (en) 2005-03-23 2011-07-19 Asml Netherlands B.V. Reduced pitch multiple exposure process
US7781149B2 (en) 2005-03-23 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Reduced pitch multiple exposure process
JP4630839B2 (ja) * 2005-03-23 2011-02-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 縮小ピッチ多重露光方法
JP2006303504A (ja) * 2005-03-23 2006-11-02 Asml Netherlands Bv 縮小ピッチ多重露光方法
US7906270B2 (en) 2005-03-23 2011-03-15 Asml Netherlands B.V. Reduced pitch multiple exposure process
JP2006310376A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP2009534870A (ja) * 2006-05-18 2009-09-24 インテル コーポレイション パターン内の最小ピッチを短縮させる方法
JP2008066700A (ja) * 2006-09-08 2008-03-21 Hynix Semiconductor Inc 半導体素子の製造方法
JP2008153637A (ja) * 2006-11-21 2008-07-03 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および方法
KR100815942B1 (ko) * 2006-12-12 2008-03-21 동부일렉트로닉스 주식회사 패턴의 해상도를 향상시키기 위한 반도체 소자의 제조 방법
JP2008192774A (ja) * 2007-02-02 2008-08-21 Jsr Corp ポジ型感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法
JP2009016653A (ja) * 2007-07-06 2009-01-22 Tokyo Electron Ltd 基板の処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US7907268B2 (en) 2007-09-26 2011-03-15 Nikon Corporation Surface inspection method and surface inspection device
JP2016510515A (ja) * 2013-02-08 2016-04-07 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 金属コンタクト開口を形成する方法
WO2015016194A1 (ja) * 2013-08-02 2015-02-05 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス
JP2015031836A (ja) * 2013-08-02 2015-02-16 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス
JP2019517026A (ja) * 2016-05-13 2019-06-20 東京エレクトロン株式会社 光増感化学又は感光性化学増幅レジストを用いた限界寸法制御

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