JPH07329716A - キーインタロック装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 キーインタロック機構のロック動作用ソレノ
イドの小形化を図りながら駆動回路を簡単且つ安価に構
成する。 【構成】 キーインタロック回路２２のトランジスタ２
８は、端子Ｐ１に給電されるとパーキング位置検出スイ
ッチ２３のオンでソレノイド２１に通電し、キーインタ
ロック機構にロック動作を行なわせる。トランジスタ３
４は、端子Ｐ２に給電されるとオンしてトランジスタ２
８をオフさせ、ソレノイド２１への通電を停止する。Ｉ
Ｇキーをキーシリンダから抜き取るときには必ずＡＣＣ
位置を経由するので、このときシフトレバーがパーキン
グ位置にないとオフ位置への回動が阻止される。ＩＧス
イッチ２５がＡＣＣ位置のときのみソレノイド２１に通
電するので自己発熱を抑制でき、小形化を図れ、回路構
成も簡単になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、イグニッションキーが
キーシリンダに挿入された状態では、そのキーを抜き取
り可能なオフ位置への回動操作をシフトレバーがパーキ
ング位置にあることを条件として許容するキーインタロ
ック装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の装置としては、イグニッ
ションキーがキーシリンダに挿入された状態では、その
回動操作によりイグニッションスイッチがオフ位置から
アクセサリ回路を形成するＡＣＣ位置あるいはイグニッ
ション回路を形成するＩＧ位置に設定されると、シフト
レバーがパーキング位置から外れた位置に設定された状
態を検出して、キーインタロック機構のロック動作用ソ
レノイドに通電してキーシリンダのオフ位置への回動操
作を阻止するように構成されている。

【０００３】これにより、シフトレバーがパーキング位
置以外の位置にある場合には、イグニッションキーをキ
ーシリンダから抜き取ることができなくなり、したがっ
て、使用者はイグニッションキーを抜き取る場合には、
必ずシフトレバーをパーキング位置に設定してキーイン
タロック機構のロック動作を解除してからオフ位置に回
動操作することになる。これにより、駐車措置をとる場
合等では、シフトレバーがパーキング位置に設定された
状態となるので、例えば、駐車中にパーキングブレーキ
などが緩んだ場合でも自動車が動き出すのを防止するこ
とができるのである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような従来構成のものでは、走行中などのイグニッショ
ンスイッチがオフ位置以外に設定された状態では、キー
インタロック機構にロック動作を行なわせるために、常
にソレノイドを通電状態に保持しているので、これによ
ってソレノイドの抵抗成分による自己発熱が起こって温
度が上昇するようになる。したがって、ソレノイドにホ
ットスタートを行わせる場合に悪影響を及ぼすことにな
り、動作上で不利になるという不具合がる。

【０００５】そこで、ソレノイドに通電し続けた場合で
もホットスタートに悪影響を与えない程度の発熱量に抑
制するために、従来では、例えばソレノイドを大形化す
る構成としたり、あるいは、図３に示すように、ソレノ
イドへの通電を保持する状態では、駆動時の電圧よりも
低い電圧を印加するようにして自己発熱を抑制するよう
にしたものがある。

【０００６】図３において、インタロック機構（図示せ
ず）のロック動作用ソレノイド１は、キーインタロック
回路２の出力端子Ｒに接続されて通電制御されるように
なっている。キーインタロック回路２の入力端子Ｐは、
図示しないイグニッションスイッチのＡＣＣ接点を介し
て車載バッテリに接続されている。また、キーインタロ
ック回路２の信号入力端子Ｑ１，Ｑ２は、シフトレバー
（図示せず）のパーキング位置を検出するとオフ状態と
なる検出スイッチ３に接続されている。端子Ｑ２はアー
ス端子Ｅに接続されている。

【０００７】キーインタロック回路２において、入力端
子Ｐはダイオード４を介して電源ラインＬａに接続され
ている。この電源ラインＬａと端子Ｑ１との間に次の各
回路が接続されている。電圧検出回路５は、入力端子Ｐ
に与えられる電源電圧が所定電圧以下になるとトランジ
スタ６がオフするように設定されている。ソレノイド１
への通電経路は、電源ラインＬａからｐｎｐ形トランジ
スタ７，電流制限抵抗８，９を介して出力端子Ｒに接続
する構成とされている。トランジスタ７のベースは、抵
抗１０を介して電源ラインＬａに接続されると共に、抵
抗１１を介して端子Ｑ１に接続されている。

【０００８】抵抗９の両端子間にはトランジスタ１２が
接続されており、通電開始時点から一定時間が経過する
までの間、抵抗，コンデンサなどからなる時定数回路１
３によりオン状態に保持されるようになっている。ま
た、抵抗８の両端子間にはトランジスタ１４が接続され
ており、前述の電圧検出回路５のトランジスタ６がオフ
するとオン状態となって抵抗８の両端子間を短絡するよ
うになっている。なお、ソレノイド１には、フライホイ
ールダイオード１５が並列に接続されている。

【０００９】上記構成によれば、イグニッションキーが
挿入されてキーシリンダがオフ位置からＡＣＣ位置に回
動操作されると、イグニッションスイッチがオフのＡＣ
Ｃ接点がオンし、キーインタロック回路２の端子Ｐに車
載バッテリから給電されるようになる。そして、この状
態で、シフトレバーの位置がパーキング以外の位置に操
作されると、検出スイッチ３がオンして端子Ｑ１，Ｑ２
間を導通状態とするようになる。このとき、車載バッテ
リの端子電圧が所定電圧以上あるときには電圧検出回路
５のトランジスタ６はオンするので、トランジスタ１４
はオフ状態に保持される。

【００１０】したがって、トランジスタ７がオンする
と、トランジスタ７，抵抗８およびトランジスタ１２を
介してソレノイド１に通電されるようになる。そして、
所定時間が経過して時定数回路１３のはたらきによりト
ランジスタ１２がオフすると、ソレノイド１にはトラン
ジスタ７，抵抗８，９を介して通電されるようになっ
て、通電電流が低下されるようになる。

【００１１】この結果、継続的にソレノイド１に通電す
る場合には、ソレノイド１のオン状態を保持する保持電
流として抵抗８，９を介した状態で通電初期よりも少な
い電流を供給するようになり、ソレノイド１の自己発熱
による温度上昇を極力防止して、ソレノイド１を小形化
した構成とすることができるものである。

【００１２】しかしながら、ソレノイド１への通電を制
御するための電気的構成が上述のように複雑な構成とな
るので、部品点数が増加すると共に製作コストが増大す
るという不具合がある。

【００１３】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、ソレノイドを小形化した構成としなが
ら、電気的構成も簡単な構成とすることができるように
したキーインタロック装置を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、イグニッショ
ンキーがキーシリンダに挿入された状態では、そのキー
を抜き取り可能なオフ位置への回動操作をシフトレバー
がパーキング位置にあることを条件として許容するよう
に構成されたキーインタロック装置を対象とするもので
あり、前記キーシリンダのオフ位置以外でアクセサリ回
路を形成すると共に、ＩＧ位置でイグニッション回路を
形成するイグニッションスイッチと、前記シフトレバー
のパーキング位置を検出する検出手段と、前記キーシリ
ンダのオフ位置への回動操作を阻止するためのソレノイ
ドと、前記検出手段が非検出状態であると共に前記イグ
ニッションスイッチが前記アクセサリ回路を形成してい
る状態で、前記ソレノイドに通電して駆動するスイッチ
ング手段と、前記イグニッションスイッチがイグニッシ
ョン回路を形成する状態で、前記スイッチング手段によ
る前記ソレノイドの駆動を無効化する無効化手段とを設
けて構成したところに特徴を有する。

【００１５】また、上記構成において、前記スイッチン
グ手段を、半導体スイッチング素子により構成すること
が好ましい。

【００１６】

【作用】請求項１記載のキーインタロック装置によれ
ば、イグニッションキーがキーシリンダに挿入されてオ
フ位置以外に回動操作されると、イグニッションスイッ
チがアクセサリ回路を形成するようになり、この状態で
シフトレバーがパーキング位置から駆動位置に操作され
ると、検出手段が検出信号を出力するようになる。この
状態では、ソレノイドはスイッチング手段により通電さ
れてキーシリンダをオフ位置へ回動操作するのを阻止す
るロック動作を行うようになる。この後、イグニッショ
ン回路を形成する位置にキーシリンダを回動操作する
と、無効化手段によりスイッチング手段によるソレノイ
ドの駆動を無効化するようになる。これにより、運転中
等のイグニッション回路形成状態では、ソレノイドは駆
動のための電流が遮断されて自己発熱することがなくな
るので、ソレノイドを小形化することができる。

【００１７】そして、キーシリンダをイグニッション回
路形成位置からオフ位置に回動操作する場合には、必ず
アクセサリ回路のみの形成位置を経ることになるので、
上述同様にしてスイッチング手段によりソレノイドが駆
動されるようになり、シフトレバーのパーキング位置を
条件として回動操作が許容されるようになるので、シフ
トレバーがパーキング位置以外の位置にある状態で不用
意にイグニッションキーを抜き取ることができなくな
る。つまり、駐車時には必ずシフトレバーがパーキング
位置に設定された状態となって車輪をロックした状態と
することができるようになる。

【００１８】請求項２記載のキーインタロック装置によ
れば、スイッチング手段を半導体スイッチング素子を用
いて構成したので、電気的構成を簡単且つ小形化を図る
ことができると共に、無効化手段による半導体スイッチ
ング素子の無効化の動作を簡単に実現することができる
ようになる。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の第１の実施例について図１を
参照しながら説明する。図１は、電気的構成を示すもの
で、キーインタロック用のソレノイド２１はキーインタ
ロック回路２２から通電制御される。このソレノイド２
１は、通電されるとキーインタロック機構（図示せず）
を駆動して後述するロック動作を行うようになってい
る。キーインタロック回路２２には、ＡＣＣ入力端子Ｐ
１およびイグニッション入力端子Ｐ２が設けられてい
る。

【００２０】また、運転席部に配設されたシフトレバー
にはそのシフト位置のひとつとしてパーキング位置にあ
るときにオフする検出手段としてのパーキング位置検出
スイッチ２３が設けられており、その両端子はキーイン
タロック回路２２の入力端子Ｑ１，Ｑ２間に接続されて
いる。入力端子Ｐ１，Ｐ２はそれぞれヒューズ２４ａ，
２４ｂを介してイグニッションスイッチ２５のＡＣＣ接
点，ＩＧ接点を介して車載バッテリ２６の正極端子に接
続されている。

【００２１】この場合、イグニッションスイッチ２５
は、キーシリンダがアクセサリ位置（ＡＣＣ位置）に回
動操作された状態では、ＡＣＣ接点のみがオンする状態
となり、イグニッション位置（ＩＧ位置）に回動操作さ
れた状態では、ＡＣＣ接点およびＩＧ接点の両者がオン
する状態となるように構成されている。そして、図示は
しないが、ＡＣＣ接点がオンされると、自動車の各種負
荷を駆動するためのアクセサリ回路を形成し、ＩＧ接点
がオンされるとエンジンの始動を許容するイグニッショ
ン回路を形成するようになっている。また、キーシリン
ダはオフ位置のみでイグニッションキーの抜き差しが可
能となるように構成されており、挿入状態ではアクセサ
リ位置やイグニッション位置では抜き取りできないよう
になっている。

【００２２】次に、キーインタロック回路２２におい
て、入力端子Ｐ１は図示極性のダイオード２７およびス
イッチング手段としてのｐｎｐ形トランジスタ２８を介
して出力端子Ｒに接続されている。また、出力端子Ｒと
アース端子Ｅとの間には、ソレノイド２１に対応するフ
ライホイールダイオード２９が接続されている。トラン
ジスタ２８のエミッタは抵抗３０，３１，３２を介して
入力端子Ｑ１に接続され、また、トランジスタ２８のベ
ースは抵抗３０および３１の共通接続点に接続されてい
る。

【００２３】入力端子Ｐ２は、図示極性のダイオード３
３および無効化手段としてのｐｎｐ形トランジスタ３４
を介して抵抗３１と抵抗３２との共通接続点に接続され
ている。トランジスタ３４のエミッタは、逆流防止用の
図示極性のダイオード３５を介してトランジスタ２８の
エミッタに接続されると共に、抵抗３６および抵抗３７
を直列に介して入力端子Ｑ１に接続されている。また、
トランジスタ３４のベースは抵抗３６と３７との共通接
続点に接続されている。そして、入力端子Ｑ２はアース
端子Ｅに接続されている。

【００２４】次に、本実施例の作用について説明する。
まず、図示しないイグニッションキーがキーシリンダに
挿入されてＡＣＣ位置に回動されると、イグニッション
スイッチ２５はＡＣＣ接点がオンされるようになり、車
載バッテリ２６からキーインタロック回路２２の入力端
子Ｐ１に給電するようになる。この状態で、シフトレバ
ーがパーキング位置以外のドライブ位置等に操作設定さ
れると、パーキング位置検出スイッチ２３はオン状態と
なってキーインタロック回路２２の入力端子Ｑ１，Ｑ２
間を短絡するようになる。

【００２５】これにより、キーインタロック回路２２に
おいては、ダイオード２７から抵抗３０，３１，３２を
介して通電されることにより、抵抗３０に発生する端子
電圧でトランジスタ２８のエミッタベース間にバイアス
が与えられるようになるので、トランジスタ２８がオン
し、入力端子Ｐ１からダイオード２７，トランジスタ２
８，出力端子Ｒを介してソレノイド２１に車載バッテリ
２６から給電されるようになる。これにより、ソレノイ
ド２１はキーインタロック機構を駆動してキーシリンダ
のオフ位置への回動操作を阻止するロック動作を行うよ
うになる。

【００２６】そして、この状態では、パーキング位置検
出スイッチ２３がオフしないと、つまり、シフトレバー
がパーキング位置に戻されないと、ソレノイド２１が断
電されないのでキーインタロック機構が働いてキーシリ
ンダのオフ位置への回動操作を阻止するロック動作状態
が保持されるようになっている。

【００２７】さて、この後、イグニッションキーの回動
によりキーシリンダがイグニッション位置に操作される
と、イグニッションスイッチ２５はＩＧ接点がオンする
ようになり、キーインタロック回路２２の入力端子Ｐ１
およびＰ２の両者に給電するようになる。

【００２８】これにより、キーインタロック回路２２に
おいては、上述したＡＣＣ接点がオンしたときの動作状
態に加えて、入力端子Ｐ２からダイオード３３，抵抗３
６，３７を介して通電されるようになるので、抵抗３６
の端子電圧によりトランジスタ３４がオンするようにな
る。すると、トランジスタ３４のエミッタ・コレクタ間
の端子電圧が低くなるので、前述したトランジスタ２８
にベースバイアスを与えていた抵抗３０の端子電圧も低
くなってトランジスタ２８をオフさせるようになる。

【００２９】この結果、ソレノイド２１への通電経路は
断たれてキーインタロック機構のロック動作が解除され
るようになる。以後、イグニッションスイッチ２５のＩ
Ｇ接点がオンしている状態ではソレノイド２１は断電状
態に保持されるようになる。しかし、このイグニッショ
ン位置ではキーシリンダからイグニッションキーを抜き
取ることができず、イグニッションキーを抜き取るには
オフ位置に回動する必要があり、イグニッション位置か
らオフ位置に至る途中で、必ずアクセサリ位置を経由す
るので、そのアクセサリ位置では前述したように、ソレ
ノイド２１に通電されることによりキーインタロック機
構がロック動作を行うようになり、シフトレバーがパー
キング位置に戻った状態でない限りロック動作が解除さ
れないようになっている。

【００３０】なお、一般的には、キーシリンダはアクセ
サリ位置に長時間保持されることは少なく、通常はアク
セサリ位置からイグニッション位置に回動操作された状
態として、自動車を運転する状態となっているので、上
述したソレノイド２１への通電時間は少ない時間とな
る。したがって、ソレノイド２１が自己発熱することに
より温度が上昇することも少なくなり、ソレノイド２１
として小形のものを使用することができる。

【００３１】このような本実施例によれば、キーインタ
ロック回路２２により、イグニッションスイッチ２５が
ＡＣＣ接点のオン状態でトランジスタ２８をオンさせて
ソレノイド２１に通電することによりキーインタロック
機構にロック動作を行わせ、イグニッションスイッチ２
５がＩＧ接点のオン状態でトランジスタ３４をオンする
ことによりトランジスタ２８をオフさせてソレノイド２
１への通電を停止するようにしたので、キーシリンダが
アクセサリ位置に設定されたときにのみソレノイド２１
に通電する構成としながらキーインタロック機構により
確実にロック動作を行わせると共に、ソレノイド２１へ
の通電時間を短くして自己発熱を抑制することができ、
したがって、ソレノイド２１を小形化することができる
と共に、通電回路の構成も簡単且つ安価な構成とするこ
とができるようになる。

【００３２】図２は本発明の第２の実施例を示すもの
で、第１の実施例と異なるところは、キーインタロック
回路２２に代えてキーインタロック回路３８を設ける構
成としたところである。

【００３３】すなわち、キーインタロック回路３８にお
いて、ソレノイド２１の通電回路は、イグニッションス
イッチ２５のＡＣＣ接点からヒューズ２４ａ，ソレノイ
ド２１を介してキーインタロック回路３８の端子Ｒに接
続されており、その端子Ｒからスイッチング手段である
ｎｐｎ形トランジスタ３９およびダイオード４０を介し
て端子Ｑ１に接続されている。

【００３４】入力端子Ｐ１は、ダイオード４１，抵抗４
２および無効化手段としてのｎｐｎ形トランジスタ４３
および上述のダイオード４０を介して端子Ｑ１に接続さ
れている。トランジスタ４３のコレクタは抵抗４４およ
び４５を介してエミッタに接続され、抵抗４４と４５と
の共通接続点はトランジスタ３９のベースに接続されて
いる。入力端子Ｐ２は、ダイオード４６，抵抗４７，抵
抗４８および前述のダイオード４０を介して端子Ｑ１に
接続されている。また、抵抗４７と４８との共通接続点
はトランジスタ４３のベースに接続されている。そし
て、ソレノイド２１にはフライホイールダイオード２９
が接続されている。

【００３５】上記構成によれば、第１の実施例と同様に
してイグニッションスイッチ２５のＡＣＣ接点がオンす
ると、パーキング位置検出スイッチ２３がオンした状態
ではトランジスタ３９がオンしてソレノイド２１に通電
するようになり、キーインタロック機構がロック動作す
るようになる。また、イグニッションスイッチ２５のＩ
Ｇ接点もオンする状態になると、トランジスタ４３がオ
ンしてトランジスタ３９のベース・エミッタ間の端子電
圧を低くしてトランジスタ３９をオフさせるようにな
る。したがって、このような第２の実施例によっても第
１の実施例と略同様の作用効果を得ることができる。

【００３６】本発明は、上記実施例にのみ限定されるも
のではなく、次のように変形または拡張できる。スイッ
チング手段は、トランジスタの他に、半導体スイッチン
グ素子としてはＦＥＴやＩＧＢＴなどを用いても良い
し、あるいはリレーなどのスイッチング手段を用いても
良い。

【００３７】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のキーインタロック装置によれば、次のような効果が得
られる。すなわち、請求項１記載のキーインタロック装
置によれば、スイッチング手段により、シフトレバーが
駆動位置にあって検出手段が非検出状態であると共に前
記イグニッションスイッチが前記アクセサリ回路を形成
している状態でソレノイドに通電して駆動し、無効化手
段により、イグニッションスイッチがイグニッション回
路を形成する状態で、スイッチング手段による前記ソレ
ノイドの駆動を無効化するように構成したので、運転中
等のイグニッション回路形成状態では、ソレノイドは駆
動のための電流が遮断されて自己発熱することがなくな
るので、ソレノイドを小形化することができ、この場合
でも、キーシリンダをイグニッション回路形成位置から
オフ位置に回動操作する場合には、必ずアクセサリ回路
のみの形成位置を経ることになるので、上述同様にして
スイッチング手段によりソレノイドが駆動されるように
なり、シフトレバーのパーキング位置を条件として回動
操作が許容されるようになるので、シフトレバーがパー
キング位置以外の位置にある状態で不用意にイグニッシ
ョンキーを抜き取ることができなくなり、駐車時には必
ずシフトレバーがパーキング位置に設定された状態とな
って車輪をロックした状態とすることができるという優
れた効果を奏する。

【００３８】請求項２記載のキーインタロック装置によ
れば、スイッチング手段を半導体スイッチング素子を用
いて構成したので、電気的構成を簡単且つ小形化を図る
ことができると共に、無効化手段による半導体スイッチ
ング素子の無効化の動作を簡単に実現することができる
という優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示す電気的構成図

【図２】本発明の第２の実施例を示す図１相当図

【図３】従来例を示す図１相当図

【符号の説明】

２１はソレノイド、２２はキーインタロック回路、２３
はパーキング位置検出スイッチ（検出手段）、２５はイ
グニッションスイッチ、２６は車載バッテリ、２８はｐ
ｎｐ形トランジスタ（スイッチング手段）、２９はフラ
イホイールダイオード、３４はｐｎｐ形トランジスタ
（無効化手段）、３８はキーインタロック回路、３９は
ｎｐｎ形トランジスタ（スイッチング手段）、４３はｎ
ｐｎ形トランジスタ（無効化手段）である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 イグニッションキーがキーシリンダに挿
   入された状態では、そのキーを抜き取り可能なオフ位置
   への回動操作をシフトレバーがパーキング位置にあるこ
   とを条件として許容するキーインタロック装置におい
   て、 前記キーシリンダのオフ位置以外でアクセサリ回路を形
   成すると共に、ＩＧ位置でイグニッション回路を形成す
   るイグニッションスイッチと、 前記シフトレバーのパーキング位置を検出する検出手段
   と、 前記キーシリンダのオフ位置への回動操作を阻止するた
   めのソレノイドと、 前記検出手段が非検出状態であると共に前記イグニッシ
   ョンスイッチが前記アクセサリ回路を形成している状態
   で、前記ソレノイドに通電して駆動するスイッチング手
   段と、 前記イグニッションスイッチがイグニッション回路を形
   成する状態で、前記スイッチング手段による前記ソレノ
   イドの駆動を無効化する無効化手段とを具備したことを
   特徴とするキーインタロック装置。
2. 【請求項２】 前記スイッチング手段は、半導体スイッ
   チング素子であることを特徴とする請求項１記載のキー
   インタロック装置。