JPH07325386A - 評価用マスク及びこれを用いたホトレジストの密着性の評価方法 - Google Patents
評価用マスク及びこれを用いたホトレジストの密着性の評価方法Info
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- JPH07325386A JPH07325386A JP11801494A JP11801494A JPH07325386A JP H07325386 A JPH07325386 A JP H07325386A JP 11801494 A JP11801494 A JP 11801494A JP 11801494 A JP11801494 A JP 11801494A JP H07325386 A JPH07325386 A JP H07325386A
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- evaluation
- pattern
- mask
- semiconductor wafer
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハなどの平板の表面に形成したホ
トレジストの密着性の度合いを効果的に評価すること。 【構成】 疎密と長さが異なるライン２のパターン３
と、疎密と大きさが異なるドット４のパターン５で１セ
クションを構成し、このセクションが複数セクション、
一枚のシートに形成された評価用マスク１であって、こ
れを用いて半導体ウエハＳの表面にホトレジストを被覆
し、露光、現像し、前記表面に形成された各パターンを
顕微鏡で黙視して、ホトレジストの密着、剥離状態を確
認するようにしている。
トレジストの密着性の度合いを効果的に評価すること。 【構成】 疎密と長さが異なるライン２のパターン３
と、疎密と大きさが異なるドット４のパターン５で１セ
クションを構成し、このセクションが複数セクション、
一枚のシートに形成された評価用マスク１であって、こ
れを用いて半導体ウエハＳの表面にホトレジストを被覆
し、露光、現像し、前記表面に形成された各パターンを
顕微鏡で黙視して、ホトレジストの密着、剥離状態を確
認するようにしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ウエハ、光磁気
ディスクなどの平板の表面にホトレジストが良好に密着
しているか否かを評価するための評価用マスク及びこれ
を用いたホトレジストの密着性の評価方法に関するもの
である。なお、以下の説明では、平板として半導体ウエ
ハを採り上げて説明する。
ディスクなどの平板の表面にホトレジストが良好に密着
しているか否かを評価するための評価用マスク及びこれ
を用いたホトレジストの密着性の評価方法に関するもの
である。なお、以下の説明では、平板として半導体ウエ
ハを採り上げて説明する。
【０００２】
【従来の技術】先ず、図３を用いて、従来技術の半導体
ウエハの表面に被覆したホトレジストの密着性の評価方
法を説明する。図３は従来技術の半導体ウエハの表面に
被覆したホトレジストの密着性の評価方法を説明するた
めの概念図であって、同図Ａは半導体ウエハの表面にホ
トレジストを被覆した一部断面図、同図Ｂは同図Ａに示
した状態の半導体ウエハにエッチングを施した状態を示
した断面図である。
ウエハの表面に被覆したホトレジストの密着性の評価方
法を説明する。図３は従来技術の半導体ウエハの表面に
被覆したホトレジストの密着性の評価方法を説明するた
めの概念図であって、同図Ａは半導体ウエハの表面にホ
トレジストを被覆した一部断面図、同図Ｂは同図Ａに示
した状態の半導体ウエハにエッチングを施した状態を示
した断面図である。
【０００３】先ず、図３Ａに示したように、評価しよう
とするホトレジストで所定のパターンのマスクＭを基板
となる半導体ウエハなどの下地Ｓの表面に形成し、その
後、この状態のマスクＭで被覆されていない部分の下地
Ｓに等方性エッチングを施し、マスクＭと下地Ｓとの界
面の密着性を横方向のエッチングの進行具合で評価して
いた。この進行具合は、所定の時間、エッチングを施し
た場合の横方向のエッチング量（幅）Ｗで表すことがで
きる。即ち、エッチング量Ｗが少ない（短い）場合には
下地Ｓ（下地）に対するマスク（ホトレジスト）Ｍの密
着性が良好と判定し、逆にエッチング量Ｗが多い（長
い）場合にはそれらの密着性が悪いと判定している。多
くのホトレジストのメーカーでこの評価方法が行われて
いる。
とするホトレジストで所定のパターンのマスクＭを基板
となる半導体ウエハなどの下地Ｓの表面に形成し、その
後、この状態のマスクＭで被覆されていない部分の下地
Ｓに等方性エッチングを施し、マスクＭと下地Ｓとの界
面の密着性を横方向のエッチングの進行具合で評価して
いた。この進行具合は、所定の時間、エッチングを施し
た場合の横方向のエッチング量（幅）Ｗで表すことがで
きる。即ち、エッチング量Ｗが少ない（短い）場合には
下地Ｓ（下地）に対するマスク（ホトレジスト）Ｍの密
着性が良好と判定し、逆にエッチング量Ｗが多い（長
い）場合にはそれらの密着性が悪いと判定している。多
くのホトレジストのメーカーでこの評価方法が行われて
いる。
【０００４】また、他の密着性の評価方法は、使用した
評価用ホトレジストで形成された評価用マスクパターン
の剥がれの有無のみで判断している。
評価用ホトレジストで形成された評価用マスクパターン
の剥がれの有無のみで判断している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、前者の評価方
法では、エッチング時間やエッチング方法によるエッチ
ング量のバラツキも含まれてしまうため、評価の精度が
低くなる。また、後者の評価方法では、剥がれ易さの度
合いを他のホトレジストや他の条件と明確に比較できる
方法が無く、例えば、半導体製造事業所でも剥がれ易さ
の度合いの評価は特に行っていない。
法では、エッチング時間やエッチング方法によるエッチ
ング量のバラツキも含まれてしまうため、評価の精度が
低くなる。また、後者の評価方法では、剥がれ易さの度
合いを他のホトレジストや他の条件と明確に比較できる
方法が無く、例えば、半導体製造事業所でも剥がれ易さ
の度合いの評価は特に行っていない。
【０００６】理論的には下地の表面やホトレジストの分
子構造及び性質から、密着性の善し悪しを判断すると良
いが、下地の材質や下地の表面状態或いはパターン形状
やその大きさによってホトレジストの密着性が異なるた
め、それぞれに応じて剥がれ易さの度合いを把握してお
く必要がある。しかし、その評価方法は確立されていな
いのが現状である。この発明の評価用マスク及びこれを
用いたホトレジストの密着性の評価方法はこのような課
題を解決しようとするものである。
子構造及び性質から、密着性の善し悪しを判断すると良
いが、下地の材質や下地の表面状態或いはパターン形状
やその大きさによってホトレジストの密着性が異なるた
め、それぞれに応じて剥がれ易さの度合いを把握してお
く必要がある。しかし、その評価方法は確立されていな
いのが現状である。この発明の評価用マスク及びこれを
用いたホトレジストの密着性の評価方法はこのような課
題を解決しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】それ故、この発明の評価
用マスクは、疎密と長さが異なるライン及びスペースか
らなる第１のパターンと、疎密と大きさが異なるドット
からなる第２のパターンなどを１セクションとして、こ
の複数のセクションを一枚のシートに形成して構成し
た。
用マスクは、疎密と長さが異なるライン及びスペースか
らなる第１のパターンと、疎密と大きさが異なるドット
からなる第２のパターンなどを１セクションとして、こ
の複数のセクションを一枚のシートに形成して構成し
た。
【０００８】また、ホトレジストの密着性を評価する方
法としては、半導体ウエハの表面に評価しようとするホ
トレジストを被覆し、このホトレジストの被覆表面全面
に前記評価用マスクを用いて露光、現像し、前記半導体
ウエハの表面に形成された前記各パターンのホトレジス
トの密着、剥離状態を顕微鏡で確認するようにして前記
ホトレジストの密着性を評価するような方法を採り、前
記課題を解決するようにした。
法としては、半導体ウエハの表面に評価しようとするホ
トレジストを被覆し、このホトレジストの被覆表面全面
に前記評価用マスクを用いて露光、現像し、前記半導体
ウエハの表面に形成された前記各パターンのホトレジス
トの密着、剥離状態を顕微鏡で確認するようにして前記
ホトレジストの密着性を評価するような方法を採り、前
記課題を解決するようにした。
【０００９】
【作用】従って、 １．同一の下地に対する各種ホトレジストの密着性比較 ２．同一の下地に対し、ベイクやアドヒージョン処理条
件を振った時の各ホトレジストの密着性評価 ３．異なる下地に対するそのホトレジストの密着性評価 ４．下地の表面状態に変化に対する各種ホトレジストの
密着性評価及び比較（密着性の経時変化確認） ５．半導体ウエハ内面でのホトレジストの密着性の分布
評価 などを行うことができる。
件を振った時の各ホトレジストの密着性評価 ３．異なる下地に対するそのホトレジストの密着性評価 ４．下地の表面状態に変化に対する各種ホトレジストの
密着性評価及び比較（密着性の経時変化確認） ５．半導体ウエハ内面でのホトレジストの密着性の分布
評価 などを行うことができる。
【００１０】
【実施例】次に、図１及び図２を用いて、この発明の評
価用マスク及びこれを用いたホトレジストの密着性の評
価方法を説明する。図１はこの発明の一実施例である評
価用マスクの一構成要素の平面図であり、そして図２は
図１に示した評価用マスクを用いて半導体ウエハの表面
に形成されたホトレジストの好ましくない状態を示した
一部パターンを示していて、同図Ａは疎密のラインパタ
ーンの平面図、同図Ｂは疎密のドットパターンの平面図
である。
価用マスク及びこれを用いたホトレジストの密着性の評
価方法を説明する。図１はこの発明の一実施例である評
価用マスクの一構成要素の平面図であり、そして図２は
図１に示した評価用マスクを用いて半導体ウエハの表面
に形成されたホトレジストの好ましくない状態を示した
一部パターンを示していて、同図Ａは疎密のラインパタ
ーンの平面図、同図Ｂは疎密のドットパターンの平面図
である。
【００１１】先ず、図１を用いて、この発明の評価用マ
スクを説明する。この図１には評価用マスク１の１セク
ションだけを示した。この１セクションには、複数本の
互いに平行なライン２が疎密の変化、例えば、０．１μ
ｍ幅、０．２μｍ幅・・・２．０μｍ幅などのグループ
毎の幅を矢印Ａの方向に変化させて、それぞれの幅内に
形成され、そして各幅内のライン２の長さを異ならせた
ラインとスペースからなる第１のパターン３と、疎密と
大きさが矢印Ｂの方向に異なるように複数のマトリック
ス状に配列されたドット４からなる第２のパターン５と
で構成されている。
スクを説明する。この図１には評価用マスク１の１セク
ションだけを示した。この１セクションには、複数本の
互いに平行なライン２が疎密の変化、例えば、０．１μ
ｍ幅、０．２μｍ幅・・・２．０μｍ幅などのグループ
毎の幅を矢印Ａの方向に変化させて、それぞれの幅内に
形成され、そして各幅内のライン２の長さを異ならせた
ラインとスペースからなる第１のパターン３と、疎密と
大きさが矢印Ｂの方向に異なるように複数のマトリック
ス状に配列されたドット４からなる第２のパターン５と
で構成されている。
【００１２】この実施例では第１のパターン３を上方
に、第２のパターン５を下方に形成した例を図示した
が、この逆でもよい。しかし、ライン２の疎密とドット
４の疎密の変化は順次増減する配列で形成するとよい。
ステップアンドリピート露光（繰り返し露光）用マスク
として構成する場合には、図１に示したようなパターン
を１セクションとして、この１セクションだけで評価用
マスク１を構成し、半導体ウエハＳの表面に被覆したホ
トレジストに繰り返し露光を施せばよい。また、密着露
光用マスクとして構成する場合には、評価用マスク１と
しては半導体ウエハの全面積をカバーできる面積を備え
たマスク材に図１に示したようなパターンを１セクショ
ンとして複数のセクションを形成するとよい。
に、第２のパターン５を下方に形成した例を図示した
が、この逆でもよい。しかし、ライン２の疎密とドット
４の疎密の変化は順次増減する配列で形成するとよい。
ステップアンドリピート露光（繰り返し露光）用マスク
として構成する場合には、図１に示したようなパターン
を１セクションとして、この１セクションだけで評価用
マスク１を構成し、半導体ウエハＳの表面に被覆したホ
トレジストに繰り返し露光を施せばよい。また、密着露
光用マスクとして構成する場合には、評価用マスク１と
しては半導体ウエハの全面積をカバーできる面積を備え
たマスク材に図１に示したようなパターンを１セクショ
ンとして複数のセクションを形成するとよい。
【００１３】次に、前記評価用マスク１を用いたホトレ
ジストの密着性の評価方法を図２を用いて説明する。先
ず、半導体ウエハＳの表面全面にホトレジストを被着
し、その上から前記評価用マスク１を用いて前記被覆し
たホトレジストを露光し、現像すると、前記評価用マス
ク１の第１のパターン３の疎密及び長短のライン２及び
第２のパターン５の疎密及び大小のドット４が半導体ウ
エハＳの全表面に形成される。半導体ウエハＳの全表面
にパターンを形成すると半導体ウエハＳの表面へのホト
レジストの密着性の面内分布を確認することができる。
各パターンの形成方法はポジ形式を用いてもよく、また
はネガ形式を用いてもよい。
ジストの密着性の評価方法を図２を用いて説明する。先
ず、半導体ウエハＳの表面全面にホトレジストを被着
し、その上から前記評価用マスク１を用いて前記被覆し
たホトレジストを露光し、現像すると、前記評価用マス
ク１の第１のパターン３の疎密及び長短のライン２及び
第２のパターン５の疎密及び大小のドット４が半導体ウ
エハＳの全表面に形成される。半導体ウエハＳの全表面
にパターンを形成すると半導体ウエハＳの表面へのホト
レジストの密着性の面内分布を確認することができる。
各パターンの形成方法はポジ形式を用いてもよく、また
はネガ形式を用いてもよい。
【００１４】次に、半導体ウエハＳの表面に対するホト
レジストの密着性の評価方法を説明する。先ず、半導体
ウエハＳの表面に形成されたホトレジストの第１、第２
のパターン３、５を光学的顕微鏡を用いて目視する。パ
ターン寸法が小さい、或いは細いほど（以下、簡潔に説
明するために「寸法が小さい」とだけ記す）半導体ウエ
ハＳの表面から剥がれ易いので、寸法の小さい方から目
視して行き、どの寸法までホトレジストのパターン３、
５が剥がれずに残っているかを確認する。
レジストの密着性の評価方法を説明する。先ず、半導体
ウエハＳの表面に形成されたホトレジストの第１、第２
のパターン３、５を光学的顕微鏡を用いて目視する。パ
ターン寸法が小さい、或いは細いほど（以下、簡潔に説
明するために「寸法が小さい」とだけ記す）半導体ウエ
ハＳの表面から剥がれ易いので、寸法の小さい方から目
視して行き、どの寸法までホトレジストのパターン３、
５が剥がれずに残っているかを確認する。
【００１５】そして、各ホトレジストの各パターン３、
５を比較した場合には、面内に或るポイントにおいて、
より小さいパターン３、５が残っている方が密着性が良
いと判断する。また、全面にパターニングしていると、
密着性の前記面内分布も同時に確認することができる。
５を比較した場合には、面内に或るポイントにおいて、
より小さいパターン３、５が残っている方が密着性が良
いと判断する。また、全面にパターニングしていると、
密着性の前記面内分布も同時に確認することができる。
【００１６】密着性が悪い例を図２に示した。図２Ａに
は第１のパターン３である疎密のライン２が剥がれた例
を示していて、点線で示したライン２Ａが無かったり、
或いは一部のライン２Ｂが剥がれて流れたり、移動した
りした例である。また、図２Ｂには第２のパターン５で
ある疎密のドット４が剥がれた例を示していて、点線で
示したドット４Ａが無かったり、或いは一部のドット４
Ｂが倒れている例である。
は第１のパターン３である疎密のライン２が剥がれた例
を示していて、点線で示したライン２Ａが無かったり、
或いは一部のライン２Ｂが剥がれて流れたり、移動した
りした例である。また、図２Ｂには第２のパターン５で
ある疎密のドット４が剥がれた例を示していて、点線で
示したドット４Ａが無かったり、或いは一部のドット４
Ｂが倒れている例である。
【００１７】前記の実施例では評価用マスク１のパター
ンにラインとドットを用いた。これはラインパターンと
ドットパターンとは一般的に剥がれ易いため、前記密着
性の評価に適しているからである。また、下地の表面状
態の経時変化による密着性の変化を確認したい場合に
は、下地を付けた後、或る放置時間毎にパターニングを
行い、パターニングまでの放置時間とパターニング後の
剥がれの度合いを確認すれば良い。なお、以上の説明で
は、平板として半導体ウエハを採り上げて説明したが、
この発明は半導体ウエハに限定されるものではなく、光
磁気ディスクなどの平板にも適用できることは言うまで
もない。
ンにラインとドットを用いた。これはラインパターンと
ドットパターンとは一般的に剥がれ易いため、前記密着
性の評価に適しているからである。また、下地の表面状
態の経時変化による密着性の変化を確認したい場合に
は、下地を付けた後、或る放置時間毎にパターニングを
行い、パターニングまでの放置時間とパターニング後の
剥がれの度合いを確認すれば良い。なお、以上の説明で
は、平板として半導体ウエハを採り上げて説明したが、
この発明は半導体ウエハに限定されるものではなく、光
磁気ディスクなどの平板にも適用できることは言うまで
もない。
【００１８】
【発明の効果】以上、説明したように、この発明の評価
用マスク及びこれを用いたホトレジストの密着性の評価
方法によれば、 １．同一の下地に対する各種ホトレジストの密着性比較 ２．同一の下地に対し、ベイクやアドヒージョン処理条
件を振った時の各ホトレジストの密着性評価 ３．異なる下地に対するそのホトレジストの密着性評価 ４．下地の表面状態の変化に対する各種ホトレジストの
密着性評価及び比較（密着性の経時変化確認） ５．半導体ウエハ内面でのホトレジストの密着性の分布
評価 などを行うことができる。更に密着性の評価結果からホ
トレジストの成分を変更させることもできる。
用マスク及びこれを用いたホトレジストの密着性の評価
方法によれば、 １．同一の下地に対する各種ホトレジストの密着性比較 ２．同一の下地に対し、ベイクやアドヒージョン処理条
件を振った時の各ホトレジストの密着性評価 ３．異なる下地に対するそのホトレジストの密着性評価 ４．下地の表面状態の変化に対する各種ホトレジストの
密着性評価及び比較（密着性の経時変化確認） ５．半導体ウエハ内面でのホトレジストの密着性の分布
評価 などを行うことができる。更に密着性の評価結果からホ
トレジストの成分を変更させることもできる。
【図１】 この発明の一実施例である評価用マスクの一
構成要素の平面図である。
構成要素の平面図である。
【図２】 図１に示した評価用マスクを用いて半導体ウ
エハの表面に形成されたホトレジストの好ましくない状
態を示した一部パターンを示していて、同図Ａは疎密の
ラインパターンの平面図、同図Ｂは疎密のドットパター
ンの平面図である。
エハの表面に形成されたホトレジストの好ましくない状
態を示した一部パターンを示していて、同図Ａは疎密の
ラインパターンの平面図、同図Ｂは疎密のドットパター
ンの平面図である。
【図３】 従来技術の半導体ウエハの表面に被覆したホ
トレジストの密着性の評価方法を説明するための概念図
であって、同図Ａは半導体ウエハの表面にホトレジスト
を被覆した一部断面図、同図Ｂは同図Ａに示した状態の
半導体ウエハにエッチングを施した状態を示した断面図
である。
トレジストの密着性の評価方法を説明するための概念図
であって、同図Ａは半導体ウエハの表面にホトレジスト
を被覆した一部断面図、同図Ｂは同図Ａに示した状態の
半導体ウエハにエッチングを施した状態を示した断面図
である。
Ｓ 下地（半導体ウエハ） １ 評価用マスク ２ ライン ３ 第１のパターン ４ ドット ５ 第２のパターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (2)
- 【請求項１】 疎密と長さが異なるライン及びスペース
からなる第１のパターンと、疎密と大きさが異なるドッ
トからなる第２のパターンなどで１セクションを構成
し、このセクションが複数セクション、一枚のシートに
形成されていることを特徴とする評価用マスク。 - 【請求項２】 半導体ウエハなどの平板の表面に評価し
ようとするホトレジストを被覆し、このホトレジストの
被覆表面全面に請求項１に記載の評価用マスクを用いて
露光、現像し、これら現像されたパターンのホトレジス
トの密着、剥離状態を顕微鏡で確認して、前記ホトレジ
ストの平板の表面への密着性を評価することを特徴とす
るホトレジストの密着性の評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11801494A JPH07325386A (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | 評価用マスク及びこれを用いたホトレジストの密着性の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11801494A JPH07325386A (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | 評価用マスク及びこれを用いたホトレジストの密着性の評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07325386A true JPH07325386A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=14725928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11801494A Pending JPH07325386A (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | 評価用マスク及びこれを用いたホトレジストの密着性の評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07325386A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016063155A (ja) * | 2014-09-19 | 2016-04-25 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用接合体の検査方法、その検査装置およびその製造方法 |
-
1994
- 1994-05-31 JP JP11801494A patent/JPH07325386A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016063155A (ja) * | 2014-09-19 | 2016-04-25 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用接合体の検査方法、その検査装置およびその製造方法 |
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