JPH07316831A - セラミック被膜形成剤およびその製造方法 - Google Patents
セラミック被膜形成剤およびその製造方法Info
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- JPH07316831A JPH07316831A JP6132642A JP13264294A JPH07316831A JP H07316831 A JPH07316831 A JP H07316831A JP 6132642 A JP6132642 A JP 6132642A JP 13264294 A JP13264294 A JP 13264294A JP H07316831 A JPH07316831 A JP H07316831A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭｇＯよりも反応性に優れ、より低い温度で
耐熱性、電気絶縁性、低熱膨張率性等に優れたセラミッ
ク被膜を金属系材料上に形成できるＭｇ−Ｍ3+−Ｏ系二
元酸化物からなるセラミック被膜形成剤を提供する。 【構成】 式（１） （Ｍｇ1-xＭ2+ x）1-yＭ3+ yＯ （１） ［式中、Ｍ2+は二価金属を示し、Ｍ3+は三価金属を示
し、ｘは０≦ｘ＜０．５、ｙは０＜ｙ＜０．５の範囲の
数を表す］で表されるＭｇ−Ｍ3+−Ｏ系二元酸化物の固
溶体を有効成分として含有する金属材料のセラミック被
膜形成剤、及び式（１）の固溶体が、式（２） （Ｍｇ1-xＭ2+ x）1-yＭ3+ yＯ・Ａｚ （２） ［式中、Ｍ2+、Ｍ3+、ｘ及びｙは式（１）と同義、少な
くとも一種を示し、Ａはアニオン性酸化物を示し、ｚは
０≦ｚ＜０．５の範囲の数を表す］で表されるアニオン
性酸化物をさらに含有する金属材料のセラミック被膜形
成剤、及びそれらの製造方法。
耐熱性、電気絶縁性、低熱膨張率性等に優れたセラミッ
ク被膜を金属系材料上に形成できるＭｇ−Ｍ3+−Ｏ系二
元酸化物からなるセラミック被膜形成剤を提供する。 【構成】 式（１） （Ｍｇ1-xＭ2+ x）1-yＭ3+ yＯ （１） ［式中、Ｍ2+は二価金属を示し、Ｍ3+は三価金属を示
し、ｘは０≦ｘ＜０．５、ｙは０＜ｙ＜０．５の範囲の
数を表す］で表されるＭｇ−Ｍ3+−Ｏ系二元酸化物の固
溶体を有効成分として含有する金属材料のセラミック被
膜形成剤、及び式（１）の固溶体が、式（２） （Ｍｇ1-xＭ2+ x）1-yＭ3+ yＯ・Ａｚ （２） ［式中、Ｍ2+、Ｍ3+、ｘ及びｙは式（１）と同義、少な
くとも一種を示し、Ａはアニオン性酸化物を示し、ｚは
０≦ｚ＜０．５の範囲の数を表す］で表されるアニオン
性酸化物をさらに含有する金属材料のセラミック被膜形
成剤、及びそれらの製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規なセラミック被膜形
成剤およびその製造方法に関する。更に詳しくは、Ｍｇ
Ｏよりも反応性に優れ、ＭｇＯよりも低い温度で耐熱
性、電気絶縁性、低熱膨張率性等に優れたセラミック被
膜を形成させることのできるＭｇ−Ｍ3+−Ｏ系二元酸化
物固溶体の新規なセラミック被膜形成剤に関する。
成剤およびその製造方法に関する。更に詳しくは、Ｍｇ
Ｏよりも反応性に優れ、ＭｇＯよりも低い温度で耐熱
性、電気絶縁性、低熱膨張率性等に優れたセラミック被
膜を形成させることのできるＭｇ−Ｍ3+−Ｏ系二元酸化
物固溶体の新規なセラミック被膜形成剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭｇＯは高融点（約２８００℃）のため
耐熱性に優れている共に、電気絶縁性が良く、無毒性で
あり、しかも比較的安価である等の特徴を有している。
この特徴を生かして、主として金属材料の表面に、例え
ば、必要に応じ他の成分と共に、水に分散させた後、ロ
ール等を用いて塗布し、乾燥後焼成し、金属材料構成成
分と反応させて耐熱性、電気絶縁性等に優れた２ＭｇＯ
・ＳｉＯ2（フォルステライト）、ＭｇＡｌ2Ｏ4（スピ
ネル）等のようなセラミック被膜を形成させることが行
われている。この場合セラミック被膜に要求される特性
としては、経済性および下地金属の焼成雰囲気ガスによ
る変質を極力防止するため可及的低温でセラミック被膜
が形成されること、しかも生成したセラミック被膜が緻
密でムラがなく、かつ下地金属との密着性が良いこと等
が挙げられる。
耐熱性に優れている共に、電気絶縁性が良く、無毒性で
あり、しかも比較的安価である等の特徴を有している。
この特徴を生かして、主として金属材料の表面に、例え
ば、必要に応じ他の成分と共に、水に分散させた後、ロ
ール等を用いて塗布し、乾燥後焼成し、金属材料構成成
分と反応させて耐熱性、電気絶縁性等に優れた２ＭｇＯ
・ＳｉＯ2（フォルステライト）、ＭｇＡｌ2Ｏ4（スピ
ネル）等のようなセラミック被膜を形成させることが行
われている。この場合セラミック被膜に要求される特性
としては、経済性および下地金属の焼成雰囲気ガスによ
る変質を極力防止するため可及的低温でセラミック被膜
が形成されること、しかも生成したセラミック被膜が緻
密でムラがなく、かつ下地金属との密着性が良いこと等
が挙げられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＭｇＯは融点が高いた
め、かなり高温にならないと反応性が十分でなく、セラ
ミック被膜を形成させるためには少なくとも約９００℃
以上の温度が必要である。このセラミック被膜生成温度
をできる限り低下させ、しかも緻密なセラミック被膜を
形成させるために、ＭｇＯの微粒子化、水への高分散化
等の努力が試みられてきたが、焼成温度約９００℃とい
う壁を破ることができないのが現状である。この温度を
さらに低下させることができれば、単に省エネルギーと
なるだけでなく、下地の金属材料の焼成雰囲気ガスによ
る金属材料の焼成途中における変質を最小限に抑えるこ
とができる。その結果、高品質の金属材料、例えば電磁
鋼板を生産することができる。またＭｇＯは、Ｍｇ（Ｏ
Ｈ）2の焼成温度に敏感であり、必要な温度よりも少し
低いと水和性が強くなり、下地金属の過酸化による品質
低下をもたらすことととなる。また焼成温度が必要な温
度よりも少し高いと、不活性となり、セラミック被膜の
形成性が著しく低下するという問題がある。
め、かなり高温にならないと反応性が十分でなく、セラ
ミック被膜を形成させるためには少なくとも約９００℃
以上の温度が必要である。このセラミック被膜生成温度
をできる限り低下させ、しかも緻密なセラミック被膜を
形成させるために、ＭｇＯの微粒子化、水への高分散化
等の努力が試みられてきたが、焼成温度約９００℃とい
う壁を破ることができないのが現状である。この温度を
さらに低下させることができれば、単に省エネルギーと
なるだけでなく、下地の金属材料の焼成雰囲気ガスによ
る金属材料の焼成途中における変質を最小限に抑えるこ
とができる。その結果、高品質の金属材料、例えば電磁
鋼板を生産することができる。またＭｇＯは、Ｍｇ（Ｏ
Ｈ）2の焼成温度に敏感であり、必要な温度よりも少し
低いと水和性が強くなり、下地金属の過酸化による品質
低下をもたらすことととなる。また焼成温度が必要な温
度よりも少し高いと、不活性となり、セラミック被膜の
形成性が著しく低下するという問題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、式（１） （Ｍｇ1-xＭ2+ x）1-yＭ3+ yＯ （１） ［式中、Ｍ2+はＣａ2+，Ｍｎ2+，Ｆｅ2+，Ｃｏ2+，Ｎｉ
2+，Ｃｕ2+およびＺｎ2+等の二価金属から選ばれた少な
くとも一種を示し、Ｍ3+はＡｌ3+，Ｍｎ3+，Ｆｅ3+，Ｃ
ｏ3+，Ｎｉ3+，Ｔｉ3+，Ｂｉ3＋およびＣｒ3+等の三価
金属から選ばれた少なくとも一種を示し、ｘは０≦ｘ＜
０．５、ｙは０＜ｙ＜０．５範囲の数を表す］で表され
るＭｇ−Ｍ3+−Ｏ系二元酸化物の固溶体を有効成分とし
て含有する金属材料のセラミック被膜形成剤を提供す
る。さらに本発明は、式（２） （Ｍｇ1-xＭ2+ x）1-yＭ3+ yＯ・Ａｚ （２） ［式中、Ｍ2+はＣａ2+，Ｍｎ2+，Ｆｅ2+，Ｃｏ2+，Ｎｉ
2+，Ｃｕ2+およびＺｎ2+等の二価金属から選ばれた少な
くとも一種を示し、Ｍ3+はＡｌ3+，Ｍｎ3+，Ｆｅ3+，Ｃ
ｏ3+，Ｎｉ3+，Ｔｉ3+，Ｂｉ3＋およびＣｒ3+等の三価
金属から選ばれた少なくとも一種を示し、Ａはアニオン
性酸化物を示し、ｘは０≦ｘ＜０．５、ｙは０＜ｙ＜
０．５の範囲の数を表す］で表されるアニオン性酸化物
をさらに含有する金属材料のセラミック被膜形成剤を提
供する。本発明はさらに、式（３） （Ｍｇ1-xＭ2+ x）1-yＭ3+ y（ＯＨ）2-ncＢn- c・ｍＨ2Ｏ （３） ［式中、Ｍ2+はＣａ2+，Ｍｎ2+，Ｆｅ2+，Ｃｏ2+，Ｎｉ
2+，Ｃｕ2+およびＺｎ2+等の二価金属から選ばれた少な
くとも一種を示し、Ｍ3+はＡｌ3+，Ｍｎ3+，Ｆｅ3+，Ｃ
ｏ3+，Ｎｉ3+，Ｔｉ3+，Ｂｉ3＋およびＣｒ3+等の三価
金属から選ばれた少なくとも一種を示し、Ｂn-はｎ価の
アニオンを示し、ｘは０≦ｘ＜０．５、ｙは０＜ｙ＜
０．５の範囲の数を表し、ｃは０≦ｃ＜０．５、ｍは０
≦ｍ＜３の範囲の数を表す］で表されるハイドロタルサ
イト類化合物を約７００〜１０５０℃で焼成することを
特徴とする上記のセラミック被膜形成剤の製造方法を提
供する。
2+，Ｃｕ2+およびＺｎ2+等の二価金属から選ばれた少な
くとも一種を示し、Ｍ3+はＡｌ3+，Ｍｎ3+，Ｆｅ3+，Ｃ
ｏ3+，Ｎｉ3+，Ｔｉ3+，Ｂｉ3＋およびＣｒ3+等の三価
金属から選ばれた少なくとも一種を示し、ｘは０≦ｘ＜
０．５、ｙは０＜ｙ＜０．５範囲の数を表す］で表され
るＭｇ−Ｍ3+−Ｏ系二元酸化物の固溶体を有効成分とし
て含有する金属材料のセラミック被膜形成剤を提供す
る。さらに本発明は、式（２） （Ｍｇ1-xＭ2+ x）1-yＭ3+ yＯ・Ａｚ （２） ［式中、Ｍ2+はＣａ2+，Ｍｎ2+，Ｆｅ2+，Ｃｏ2+，Ｎｉ
2+，Ｃｕ2+およびＺｎ2+等の二価金属から選ばれた少な
くとも一種を示し、Ｍ3+はＡｌ3+，Ｍｎ3+，Ｆｅ3+，Ｃ
ｏ3+，Ｎｉ3+，Ｔｉ3+，Ｂｉ3＋およびＣｒ3+等の三価
金属から選ばれた少なくとも一種を示し、Ａはアニオン
性酸化物を示し、ｘは０≦ｘ＜０．５、ｙは０＜ｙ＜
０．５の範囲の数を表す］で表されるアニオン性酸化物
をさらに含有する金属材料のセラミック被膜形成剤を提
供する。本発明はさらに、式（３） （Ｍｇ1-xＭ2+ x）1-yＭ3+ y（ＯＨ）2-ncＢn- c・ｍＨ2Ｏ （３） ［式中、Ｍ2+はＣａ2+，Ｍｎ2+，Ｆｅ2+，Ｃｏ2+，Ｎｉ
2+，Ｃｕ2+およびＺｎ2+等の二価金属から選ばれた少な
くとも一種を示し、Ｍ3+はＡｌ3+，Ｍｎ3+，Ｆｅ3+，Ｃ
ｏ3+，Ｎｉ3+，Ｔｉ3+，Ｂｉ3＋およびＣｒ3+等の三価
金属から選ばれた少なくとも一種を示し、Ｂn-はｎ価の
アニオンを示し、ｘは０≦ｘ＜０．５、ｙは０＜ｙ＜
０．５の範囲の数を表し、ｃは０≦ｃ＜０．５、ｍは０
≦ｍ＜３の範囲の数を表す］で表されるハイドロタルサ
イト類化合物を約７００〜１０５０℃で焼成することを
特徴とする上記のセラミック被膜形成剤の製造方法を提
供する。
【０００５】本発明の式（１）で表されるＭｇ−Ｍ3+−
Ｏ系二元酸化物を有効成分として含有する金属材料の被
膜形成剤は、ＭｇＯにＡｌ等の三価金属が固溶した固溶
体を主成分とする。該固溶体は、さらに式（２）で表さ
れるガラス化形成能に優れたアニオン性酸化物を分子オ
ーダーで均一に分散させた固溶体を含有することもでき
る。アニオン性酸化物としては、Ｓｉ，ＢおよびＰ系酸
化物等が例示され、より具体的にはＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3お
よびＰ2Ｏ5が例示される。式（１）の二元酸化物は、極
めて結晶が小さく、表面積が大きいため、反応性に極め
て優れている。このためＭｇＯよりもセラミック形成温
度が大幅に低くなると共に、生成したセラミック被膜が
緻密で厚く、かつ均一である。
Ｏ系二元酸化物を有効成分として含有する金属材料の被
膜形成剤は、ＭｇＯにＡｌ等の三価金属が固溶した固溶
体を主成分とする。該固溶体は、さらに式（２）で表さ
れるガラス化形成能に優れたアニオン性酸化物を分子オ
ーダーで均一に分散させた固溶体を含有することもでき
る。アニオン性酸化物としては、Ｓｉ，ＢおよびＰ系酸
化物等が例示され、より具体的にはＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3お
よびＰ2Ｏ5が例示される。式（１）の二元酸化物は、極
めて結晶が小さく、表面積が大きいため、反応性に極め
て優れている。このためＭｇＯよりもセラミック形成温
度が大幅に低くなると共に、生成したセラミック被膜が
緻密で厚く、かつ均一である。
【０００６】ＭｇＯにＭ3+が固溶することにより、該固
溶体の結晶はＭｇＯよりも微細かつ高比表面積になると
共に、格子欠陥濃度も増大している。これにより反応活
性が著しく増加したものと推定される。さらに固溶した
Ｍ3+の酸化物はいずれもＭｇＯよりも低融点であり、こ
れも反応活性の増加に寄与したものと推定される。さら
にＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ5およびＰ2Ｏ5のようなガラス形成に
効果的な成分を該固溶体に分子オーダーで均一に分散さ
せることにより、反応活性の増加に寄与しているものと
推定される。そして全く意外なことに、該固溶体がＭｇ
Ｏ結晶よりも微結晶、高比表面積であるにも拘わらずＣ
ＡＡがＭｇＯよりも何倍も長く、またＭｇＯよりも水和
性が高いにも拘わらず下地金属の酸化がＭｇＯよりも少
ないことである。これにより、水和を抑制するために分
散媒体である水の温度を低温に保つ、あるいは焼成時の
雰囲気の湿度を低く制御するといった特別の設備配慮が
不要となる。これにより、経済的であると共に、生産管
理が容易である、品質が安定するといった利点をも有し
ている。
溶体の結晶はＭｇＯよりも微細かつ高比表面積になると
共に、格子欠陥濃度も増大している。これにより反応活
性が著しく増加したものと推定される。さらに固溶した
Ｍ3+の酸化物はいずれもＭｇＯよりも低融点であり、こ
れも反応活性の増加に寄与したものと推定される。さら
にＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ5およびＰ2Ｏ5のようなガラス形成に
効果的な成分を該固溶体に分子オーダーで均一に分散さ
せることにより、反応活性の増加に寄与しているものと
推定される。そして全く意外なことに、該固溶体がＭｇ
Ｏ結晶よりも微結晶、高比表面積であるにも拘わらずＣ
ＡＡがＭｇＯよりも何倍も長く、またＭｇＯよりも水和
性が高いにも拘わらず下地金属の酸化がＭｇＯよりも少
ないことである。これにより、水和を抑制するために分
散媒体である水の温度を低温に保つ、あるいは焼成時の
雰囲気の湿度を低く制御するといった特別の設備配慮が
不要となる。これにより、経済的であると共に、生産管
理が容易である、品質が安定するといった利点をも有し
ている。
【０００７】本発明の式（１）で表されるセラミック被
膜形成剤は、ＭｇＯ、またはＭｇＯに二価の酸化物を固
溶したものに三価の酸化物であるＭ3+ 2Ｏ3が固溶したも
のである。この固溶体の結晶構造は、ＭｇＯと同じであ
る。少量のスピネル型ＭｇＭ3+ 2Ｏ4等のＭｇＯ以外の酸
化物が共存していてもよい。ただし、好ましくは共存し
ない方がよい。このスピネルの存在は、Ｍ3+の量が多く
なった場合、あるいは本発明のセラミック被膜形成剤の
製造時における焼成温度が約９００℃よりも高くなった
場合に認められる。ＭｇＯに固溶するＭ3+としてはＡｌ
3+，Ｍｎ3+，Ｆｅ3+，Ｃｏ3+，Ｎｉ3+，Ｔｉ3+，Ｂｉ3
＋およびＣｒ3+等の三価金属の中から選ばれた少なくと
も一種が使用される。最も好ましいのはＡｌ3+およびＦ
ｅ3+である。ＭｇＯに固溶するＭ2+としては、Ｃａ2+，
Ｍｎ2+，Ｆｅ2+，Ｃｏ2+，Ｎｉ2+，Ｃｕ2+およびＺｎ2+
等の二価金属から選ばれた少なくとも一種が使用され
る。ＭｇＯに対してＭ3+の固溶は必須の要件であり、こ
の固溶によりＭｇＯの結晶成長が抑制される。これによ
り、セラミック被膜形成剤製造時の焼成温度が約７００
〜１０５０℃という広い範囲にわたって微細な結晶粒子
が得られ、また約３０〜２００ｍ2／ｇという高い比表
面積を示すこととなる。Ｍ3+の上記効果は、固溶量が多
いほど増加する。
膜形成剤は、ＭｇＯ、またはＭｇＯに二価の酸化物を固
溶したものに三価の酸化物であるＭ3+ 2Ｏ3が固溶したも
のである。この固溶体の結晶構造は、ＭｇＯと同じであ
る。少量のスピネル型ＭｇＭ3+ 2Ｏ4等のＭｇＯ以外の酸
化物が共存していてもよい。ただし、好ましくは共存し
ない方がよい。このスピネルの存在は、Ｍ3+の量が多く
なった場合、あるいは本発明のセラミック被膜形成剤の
製造時における焼成温度が約９００℃よりも高くなった
場合に認められる。ＭｇＯに固溶するＭ3+としてはＡｌ
3+，Ｍｎ3+，Ｆｅ3+，Ｃｏ3+，Ｎｉ3+，Ｔｉ3+，Ｂｉ3
＋およびＣｒ3+等の三価金属の中から選ばれた少なくと
も一種が使用される。最も好ましいのはＡｌ3+およびＦ
ｅ3+である。ＭｇＯに固溶するＭ2+としては、Ｃａ2+，
Ｍｎ2+，Ｆｅ2+，Ｃｏ2+，Ｎｉ2+，Ｃｕ2+およびＺｎ2+
等の二価金属から選ばれた少なくとも一種が使用され
る。ＭｇＯに対してＭ3+の固溶は必須の要件であり、こ
の固溶によりＭｇＯの結晶成長が抑制される。これによ
り、セラミック被膜形成剤製造時の焼成温度が約７００
〜１０５０℃という広い範囲にわたって微細な結晶粒子
が得られ、また約３０〜２００ｍ2／ｇという高い比表
面積を示すこととなる。Ｍ3+の上記効果は、固溶量が多
いほど増加する。
【０００８】式（２）で表されるアニオン性酸化物を分
散状態で含有する化合物のＡとして表示されるアニオン
性酸化物は、Ｓｉ，ＢおよびＰ系酸化物が例示される。
具体的にはＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ5およびＰ2Ｏ5等の中から選
ばれた少なくとも一種が使用される。ＡはＭｇ−Ｍ3+−
Ｏ系固溶体に分子オーダーで分散しており、ケイ酸成
分、ホウ酸成分、リン酸成分とも換言することができ
る。これらの成分は、いずれもＭｇ−Ｍ3+−Ｏ系固溶体
の融点を下げる効果を有する。その結果、セラミック被
膜形成温度の低下、被膜の緻密化に寄与することとな
る。また同時にセラミック被膜の構成成分ともなる。こ
れらの成分は比較的少量でも効果があり、配合量を多く
してもさらなる効果の向上は少ない。Ｍ2+としては、Ｃ
ａ2+，Ｍｎ2+，Ｆｅ2+，Ｃｏ2+，Ｎｉ2+，Ｃｕ2+および
Ｚｎ2+等の二価金属から選ばれた少なくとも一種が使用
される。Ｍ2+のＭｇＯに対する固溶量は、式（１）にお
いて、０≦ｘ＜０．５であり、特に好ましくは０≦ｘ＜
０．２の範囲である。Ｍ3+のＭｇＯに対する固溶量は、
式（１）において、０＜ｙ＜０．５、好ましくは０．０
５≦ｙ＜０．４、特に好ましくは０．１≦ｙ＜０．３で
示される範囲である。式（２）において、Ａの配合量
は、０≦ｚ＜０．５、好ましくは０．０２≦ｚ≦０．２
で示される範囲である。本発明のセラミック被膜形成剤
は、凝集が少なく、水に対し良く分散することが好まし
い。このため平均二次粒子径が５μｍ以下、好ましくは
１μｍ以下であり、ＢＥＴ比表面積が約３０〜２００ｍ
2／ｇ、好ましくは約５０〜１５０ｍ2／ｇの範囲にある
ことが好ましい。ＣＡＡは約２〜１００分、好ましくは
１０〜６０分の範囲にあることが好ましい。
散状態で含有する化合物のＡとして表示されるアニオン
性酸化物は、Ｓｉ，ＢおよびＰ系酸化物が例示される。
具体的にはＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ5およびＰ2Ｏ5等の中から選
ばれた少なくとも一種が使用される。ＡはＭｇ−Ｍ3+−
Ｏ系固溶体に分子オーダーで分散しており、ケイ酸成
分、ホウ酸成分、リン酸成分とも換言することができ
る。これらの成分は、いずれもＭｇ−Ｍ3+−Ｏ系固溶体
の融点を下げる効果を有する。その結果、セラミック被
膜形成温度の低下、被膜の緻密化に寄与することとな
る。また同時にセラミック被膜の構成成分ともなる。こ
れらの成分は比較的少量でも効果があり、配合量を多く
してもさらなる効果の向上は少ない。Ｍ2+としては、Ｃ
ａ2+，Ｍｎ2+，Ｆｅ2+，Ｃｏ2+，Ｎｉ2+，Ｃｕ2+および
Ｚｎ2+等の二価金属から選ばれた少なくとも一種が使用
される。Ｍ2+のＭｇＯに対する固溶量は、式（１）にお
いて、０≦ｘ＜０．５であり、特に好ましくは０≦ｘ＜
０．２の範囲である。Ｍ3+のＭｇＯに対する固溶量は、
式（１）において、０＜ｙ＜０．５、好ましくは０．０
５≦ｙ＜０．４、特に好ましくは０．１≦ｙ＜０．３で
示される範囲である。式（２）において、Ａの配合量
は、０≦ｚ＜０．５、好ましくは０．０２≦ｚ≦０．２
で示される範囲である。本発明のセラミック被膜形成剤
は、凝集が少なく、水に対し良く分散することが好まし
い。このため平均二次粒子径が５μｍ以下、好ましくは
１μｍ以下であり、ＢＥＴ比表面積が約３０〜２００ｍ
2／ｇ、好ましくは約５０〜１５０ｍ2／ｇの範囲にある
ことが好ましい。ＣＡＡは約２〜１００分、好ましくは
１０〜６０分の範囲にあることが好ましい。
【０００９】本発明のセラミック被膜形成剤の製造方法
を次に説明する。式（３） （Ｍｇ1-xＭ2+ x）1-yＭ3+ y（ＯＨ）2-ncＢn- c・ｍＨ2Ｏ （３） ［式中、Ｍ2+はＣａ2+，Ｍｎ2+，Ｆｅ2+，Ｃｏ2+，Ｎｉ
2+，Ｃｕ2+およびＺｎ2+等の二価金属から選ばれた少な
くとも一種を示し、Ｍ3+はＡｌ3+，Ｍｎ3+，Ｆｅ 3+，Ｃ
ｏ3+，Ｎｉ3+，Ｔｉ3+，Ｂｉ3＋およびＣｒ3+等の三価
金属から選ばれた少なくとも一種を示し、Ｂn-はｎ価の
アニオン、例えばＣＯ3 2-，ＨＰＯ4 2-，ＳｉＯ3 2-，Ｂ4
Ｏ7 2-を示し、ｘは０≦ｘ＜０．２、ｙは０＜ｙ＜０．
５の範囲の数を表し、ｃは０≦ｃ＜０．５、ｍは０≦ｍ
＜３の範囲の数を表す］で表されるハイドロタルサイト
類化合物を約７００〜１０５０℃、好ましくは約８００
〜９００℃で、約０．１〜１０時間、好ましくは約０．
５〜２時間焼成することにより製造できる。焼成温度が
７００℃未満であると過酸化物となり下地金属が錆びる
欠点が発生し易い。また焼成温度が１０５０℃を超える
と結晶が粗大化すると共に副生するスピネルが成長して
不活性となり、セラミック皮膜形成性が悪くなる。ｎ価
のアニオンＢn-が揮発性の場合、例えばＣｌ-，Ｎ
Ｏ3 -，ＣＯ3 2-，Ｃ2Ｏ4 2-等の場合には、焼成物は式
（１）の化合物となる。アニオンＢn-が不揮発性の場
合、例えばＨＰＯ4 2-，Ｂ4Ｏ7 2-，ＳｉＯ3 2-の場合に
は、焼成物は式（２）の化合物となる。焼成雰囲気に特
別の条件はなく、大気中の雰囲気で焼成してもよい。焼
成は、例えば、ロータリーキルン、トンネル炉、流動培
焼炉、マッフル炉等の設備を用いて実施できる。ハイド
ロタルサイト類化合物の製造方法は公知であり（特公昭
４７−３２１９８号、特公昭４８−２９４７７号公
報）、例えば二価および三価金属の水溶性金属塩の混合
水溶液にＮａＯＨ、Ｃａ（ＯＨ）2等のアルカリをほぼ
当量加えて反応させることにより製造できる。この場
合、二価および三価金属が目的とするＢn-と異なる場合
には、ｎ価のアニオンＢn-の水溶液を共存させて反応さ
せることもできる。また上記反応物を、さらにオートク
レーブに入れ、約１００〜２５０℃で約１〜２０時間水
熱処理することにより、凝集が少ない微粒子を生成させ
ることもできる。
を次に説明する。式（３） （Ｍｇ1-xＭ2+ x）1-yＭ3+ y（ＯＨ）2-ncＢn- c・ｍＨ2Ｏ （３） ［式中、Ｍ2+はＣａ2+，Ｍｎ2+，Ｆｅ2+，Ｃｏ2+，Ｎｉ
2+，Ｃｕ2+およびＺｎ2+等の二価金属から選ばれた少な
くとも一種を示し、Ｍ3+はＡｌ3+，Ｍｎ3+，Ｆｅ 3+，Ｃ
ｏ3+，Ｎｉ3+，Ｔｉ3+，Ｂｉ3＋およびＣｒ3+等の三価
金属から選ばれた少なくとも一種を示し、Ｂn-はｎ価の
アニオン、例えばＣＯ3 2-，ＨＰＯ4 2-，ＳｉＯ3 2-，Ｂ4
Ｏ7 2-を示し、ｘは０≦ｘ＜０．２、ｙは０＜ｙ＜０．
５の範囲の数を表し、ｃは０≦ｃ＜０．５、ｍは０≦ｍ
＜３の範囲の数を表す］で表されるハイドロタルサイト
類化合物を約７００〜１０５０℃、好ましくは約８００
〜９００℃で、約０．１〜１０時間、好ましくは約０．
５〜２時間焼成することにより製造できる。焼成温度が
７００℃未満であると過酸化物となり下地金属が錆びる
欠点が発生し易い。また焼成温度が１０５０℃を超える
と結晶が粗大化すると共に副生するスピネルが成長して
不活性となり、セラミック皮膜形成性が悪くなる。ｎ価
のアニオンＢn-が揮発性の場合、例えばＣｌ-，Ｎ
Ｏ3 -，ＣＯ3 2-，Ｃ2Ｏ4 2-等の場合には、焼成物は式
（１）の化合物となる。アニオンＢn-が不揮発性の場
合、例えばＨＰＯ4 2-，Ｂ4Ｏ7 2-，ＳｉＯ3 2-の場合に
は、焼成物は式（２）の化合物となる。焼成雰囲気に特
別の条件はなく、大気中の雰囲気で焼成してもよい。焼
成は、例えば、ロータリーキルン、トンネル炉、流動培
焼炉、マッフル炉等の設備を用いて実施できる。ハイド
ロタルサイト類化合物の製造方法は公知であり（特公昭
４７−３２１９８号、特公昭４８−２９４７７号公
報）、例えば二価および三価金属の水溶性金属塩の混合
水溶液にＮａＯＨ、Ｃａ（ＯＨ）2等のアルカリをほぼ
当量加えて反応させることにより製造できる。この場
合、二価および三価金属が目的とするＢn-と異なる場合
には、ｎ価のアニオンＢn-の水溶液を共存させて反応さ
せることもできる。また上記反応物を、さらにオートク
レーブに入れ、約１００〜２５０℃で約１〜２０時間水
熱処理することにより、凝集が少ない微粒子を生成させ
ることもできる。
【００１０】次に本発明のセラミック被膜形成剤の使用
方法について説明する。セラミック被膜形成剤を分散手
段を用いて水に均一に分散させる。分散手段としては、
撹拌機、ホモミキサー、コロイドミル、好ましくはコロ
イドミル等の慣用の手段が採用され、特に制限されるも
のではない。分散液を目的とする金属系材料の板の片面
または両面に均一に塗布する。塗布手段としては、ロー
ル、ドクターブレード等の慣用の手段が採用され、特に
制限されるものではない。塗布、乾燥後、通常非酸化ま
たは還元雰囲気中で、約８００℃以上約１３００℃以下
で焼成することにより、目的とするセラミック被膜が形
成される。水に分散させる段階で、本発明のセラミック
被膜形成剤と共に、ＭｇＯ成分、ＳｉＯ2成分および／
またはＡｌ2Ｏ3成分を添加し、良く分散して用いること
もできる。ＳｉＯ2成分およびＡｌ2Ｏ3成分としては、
コロイダルシリカ、ケイ酸、メチルシリケート、エチル
シリケート、スメクタイト、アルミナゾル、アルミニウ
ムアルコラート等が例示される。
方法について説明する。セラミック被膜形成剤を分散手
段を用いて水に均一に分散させる。分散手段としては、
撹拌機、ホモミキサー、コロイドミル、好ましくはコロ
イドミル等の慣用の手段が採用され、特に制限されるも
のではない。分散液を目的とする金属系材料の板の片面
または両面に均一に塗布する。塗布手段としては、ロー
ル、ドクターブレード等の慣用の手段が採用され、特に
制限されるものではない。塗布、乾燥後、通常非酸化ま
たは還元雰囲気中で、約８００℃以上約１３００℃以下
で焼成することにより、目的とするセラミック被膜が形
成される。水に分散させる段階で、本発明のセラミック
被膜形成剤と共に、ＭｇＯ成分、ＳｉＯ2成分および／
またはＡｌ2Ｏ3成分を添加し、良く分散して用いること
もできる。ＳｉＯ2成分およびＡｌ2Ｏ3成分としては、
コロイダルシリカ、ケイ酸、メチルシリケート、エチル
シリケート、スメクタイト、アルミナゾル、アルミニウ
ムアルコラート等が例示される。
【００１１】本発明のセラミック被膜形成剤は、水に分
散させることなく、例えば、セラミック溶射法等により
金属系材料に直接溶射して目的とする被膜を形成させる
こともできる。本発明のセラミック皮膜形成剤は、電磁
鋼板用焼鈍分離剤としての使用にも適している。金属系
材料としては、Ｆｅ，Ａｌ，ＣｕおよびＺｎ等の金属
板、電磁鋼板（ケイ素鋼板）等が例示される。生成され
たセラミック被膜は、ＭｇＯ−ＳｉＯ2系および／また
はＭｇＯ−Ａｌ2Ｏ3系であり、具体的には次のものが例
示される。フォルステライト（Ｍｇ2ＳｉＯ4、Ｆｅ2Ｓ
ｉＯ4）、スピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）、コージェライト
（２ＭｇＯ・２Ａｌ2Ｏ3・５ＳｉＯ2）等。以下実施例
に基づき本発明をより詳細に説明する。各例において％
および部は特に断りの無い限り重量％、重量部を意味す
る。
散させることなく、例えば、セラミック溶射法等により
金属系材料に直接溶射して目的とする被膜を形成させる
こともできる。本発明のセラミック皮膜形成剤は、電磁
鋼板用焼鈍分離剤としての使用にも適している。金属系
材料としては、Ｆｅ，Ａｌ，ＣｕおよびＺｎ等の金属
板、電磁鋼板（ケイ素鋼板）等が例示される。生成され
たセラミック被膜は、ＭｇＯ−ＳｉＯ2系および／また
はＭｇＯ−Ａｌ2Ｏ3系であり、具体的には次のものが例
示される。フォルステライト（Ｍｇ2ＳｉＯ4、Ｆｅ2Ｓ
ｉＯ4）、スピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）、コージェライト
（２ＭｇＯ・２Ａｌ2Ｏ3・５ＳｉＯ2）等。以下実施例
に基づき本発明をより詳細に説明する。各例において％
および部は特に断りの無い限り重量％、重量部を意味す
る。
【００１２】実施例１ 組成式Ｍｇ0.95Ａｌ0.05（ＯＨ）2（ＣＯ3）0.025・
０．９Ｈ2Ｏで表されるハイドロタルサイト類化合物の
粉末を、電気炉を用い、８５０℃で１時間焼成した。焼
成物について、化学組成、ＢＥＴ比表面積（液体窒素吸
着法）、ＣＡＡおよび粉末Ｘ線回折を測定した。なおＣ
ＡＡとは、０．４Ｎクエン酸水溶液１００ｍｌを入れた
２００ｍｌ容積のビーカーに、試料粉末２．０ｇを加え
た後、マグネチックスターラーで撹拌し、３０℃でｐＨ
が８に到達するまでの時間を意味する。その結果、焼成
物はＭｇＯと同じ結晶構造を有する化学組成がＭｇ0.95
Ａｌ0.05ＯのＭｇ−Ａｌ−Ｏ系固溶体であり、ＢＥＴ比
表面積は５１ｍ2／ｇであった。ＭｇＯにＡｌが固溶し
ていることは、ＭｇＯよりもＸ線回折パターンが高角度
側にシフトしていることで明らかである。この焼成物と
コロイダルシリカをそれぞれ脱イオン水に１２０ｇ／
ｌ、４０ｇ／ｌの濃度となるように添加後、１５℃で４
０分間ホモミキサーで均一に分散した。得られたスラリ
ーを、セラミック（ガラス）被膜を除去した市販のケイ
素鋼板の両面にゴムローラーで塗布した後、３００℃の
乾燥機に入れ、６０秒間乾燥した。この鋼板を窒素雰囲
気中、電気炉を用いて５℃／分の昇温速度で加熱し、フ
ォルステライトが生成し始める温度をＸ線回折により調
べた。焼成物の評価結果を表１に示す。
０．９Ｈ2Ｏで表されるハイドロタルサイト類化合物の
粉末を、電気炉を用い、８５０℃で１時間焼成した。焼
成物について、化学組成、ＢＥＴ比表面積（液体窒素吸
着法）、ＣＡＡおよび粉末Ｘ線回折を測定した。なおＣ
ＡＡとは、０．４Ｎクエン酸水溶液１００ｍｌを入れた
２００ｍｌ容積のビーカーに、試料粉末２．０ｇを加え
た後、マグネチックスターラーで撹拌し、３０℃でｐＨ
が８に到達するまでの時間を意味する。その結果、焼成
物はＭｇＯと同じ結晶構造を有する化学組成がＭｇ0.95
Ａｌ0.05ＯのＭｇ−Ａｌ−Ｏ系固溶体であり、ＢＥＴ比
表面積は５１ｍ2／ｇであった。ＭｇＯにＡｌが固溶し
ていることは、ＭｇＯよりもＸ線回折パターンが高角度
側にシフトしていることで明らかである。この焼成物と
コロイダルシリカをそれぞれ脱イオン水に１２０ｇ／
ｌ、４０ｇ／ｌの濃度となるように添加後、１５℃で４
０分間ホモミキサーで均一に分散した。得られたスラリ
ーを、セラミック（ガラス）被膜を除去した市販のケイ
素鋼板の両面にゴムローラーで塗布した後、３００℃の
乾燥機に入れ、６０秒間乾燥した。この鋼板を窒素雰囲
気中、電気炉を用いて５℃／分の昇温速度で加熱し、フ
ォルステライトが生成し始める温度をＸ線回折により調
べた。焼成物の評価結果を表１に示す。
【００１３】Ｃ：０．０５３％、Ｓｉ：３．０５％、Ｍ
ｎ：０．０６５％、Ｓ：０．０２４％、残部：不可避不
純物とＦｅからなる方向性電磁鋼板用素材スラブを公知
の方法により、熱延と焼鈍をはさむ２回の冷延により最
終厚さ０．２９ｍｍの板を作成した。次いで窒素と水素
の混合雰囲気下で脱炭焼鈍して酸化層を形成した後、コ
ロイドミルを用いて水に分散させた本発明のセラミック
皮膜形成剤を塗布し、１２００℃×２０時間の最終焼鈍
を行った。この後、連続ラインにおいて絶縁被膜剤とし
て５０％リン酸Ｍｇ１００部と２０％コロイダルシリカ
２００部からなる液を塗布し、８５０℃で焼付と歪取り
を行った。被膜特性と磁気特性の評価結果を表２に示
す。表２は、本発明のセラミック被膜形成剤を用いた場
合には、被膜特性として均一性、密着性、被膜張力が極
めて優れ、磁気特性も比較材である従来のＭｇＯを用い
た場合に比して極めて優れていることを示している。
ｎ：０．０６５％、Ｓ：０．０２４％、残部：不可避不
純物とＦｅからなる方向性電磁鋼板用素材スラブを公知
の方法により、熱延と焼鈍をはさむ２回の冷延により最
終厚さ０．２９ｍｍの板を作成した。次いで窒素と水素
の混合雰囲気下で脱炭焼鈍して酸化層を形成した後、コ
ロイドミルを用いて水に分散させた本発明のセラミック
皮膜形成剤を塗布し、１２００℃×２０時間の最終焼鈍
を行った。この後、連続ラインにおいて絶縁被膜剤とし
て５０％リン酸Ｍｇ１００部と２０％コロイダルシリカ
２００部からなる液を塗布し、８５０℃で焼付と歪取り
を行った。被膜特性と磁気特性の評価結果を表２に示
す。表２は、本発明のセラミック被膜形成剤を用いた場
合には、被膜特性として均一性、密着性、被膜張力が極
めて優れ、磁気特性も比較材である従来のＭｇＯを用い
た場合に比して極めて優れていることを示している。
【００１４】実施例２ 組成式Ｍｇ0.8Ａｌ0.2（ＯＨ）2（ＮＯ3）0.2・０．７
Ｈ2Ｏで表されるハイドロタルサイト類化合物の粉末を
電気炉を用い、８７５℃で１時間焼成した。 化学組成：Ｍｇ0.8Ａｌ0.2Ｏ 焼成物の結晶構造、ＢＥＴ比表面積、水和量およびフォ
ルステライト生成開始温度を表１に示す。実施例１と同
様に操作して電磁鋼板に塗布したときの被膜特性、磁気
特性を表２に示す。
Ｈ2Ｏで表されるハイドロタルサイト類化合物の粉末を
電気炉を用い、８７５℃で１時間焼成した。 化学組成：Ｍｇ0.8Ａｌ0.2Ｏ 焼成物の結晶構造、ＢＥＴ比表面積、水和量およびフォ
ルステライト生成開始温度を表１に示す。実施例１と同
様に操作して電磁鋼板に塗布したときの被膜特性、磁気
特性を表２に示す。
【００１５】実施例３ 組成式Ｍｇ0.6Ｚｎ0.1Ａｌ0.3（ＯＨ）2（ＣＯ3）0.15
・０．５５Ｈ2Ｏで表されるハイドロタルサイト類化合
物の粉末を、電気炉を用い、８４０℃で１時間焼成し
た。 化学組成：Ｍｇ0.6Ｚｎ0.1Ａｌ0.3Ｏ 焼成物の評価結果を表１に示す。実施例１と同様に操作
して電磁鋼板に塗布したときの被膜特性、磁気特性を表
２に示す。
・０．５５Ｈ2Ｏで表されるハイドロタルサイト類化合
物の粉末を、電気炉を用い、８４０℃で１時間焼成し
た。 化学組成：Ｍｇ0.6Ｚｎ0.1Ａｌ0.3Ｏ 焼成物の評価結果を表１に示す。実施例１と同様に操作
して電磁鋼板に塗布したときの被膜特性、磁気特性を表
２に示す。
【００１６】実施例４ 組成式Ｍｇ0.85Ａｌ0.10Ｆｅ0.05（ＯＨ）2（ＣＯ3）
0.05・０．８５Ｈ2Ｏで表されるハイドロタルサイト類
化合物の粉末を、電気炉を用い、８４０℃で１時間焼成
した。 化学組成：Ｍｇ0.85Ａｌ0.10Ｆｅ0.05Ｏ 焼成物の評価結果を表１に示す。実施例１と同様に操作
して電磁鋼板に塗布したときの被膜特性、磁気特性を表
２に示す。
0.05・０．８５Ｈ2Ｏで表されるハイドロタルサイト類
化合物の粉末を、電気炉を用い、８４０℃で１時間焼成
した。 化学組成：Ｍｇ0.85Ａｌ0.10Ｆｅ0.05Ｏ 焼成物の評価結果を表１に示す。実施例１と同様に操作
して電磁鋼板に塗布したときの被膜特性、磁気特性を表
２に示す。
【００１７】実施例５ 組成式Ｍｇ0.8Ａｌ0.2（ＯＨ）2（ＣＯ3）0.05（ＨＰＯ
4）0.05・０．６５Ｈ2Ｏで表されるハイドロタルサイト
類化合物の粉末を電気炉を用い、９００℃で１時間焼成
した。 化学組成：Ｍｇ0.8Ａｌ0.20（Ｐ2Ｏ5）0．025 焼成物の評価結果を表１に示す。実施例１と同様に操作
して電磁鋼板に塗布したときの被膜特性、磁気特性を表
２に示す。
4）0.05・０．６５Ｈ2Ｏで表されるハイドロタルサイト
類化合物の粉末を電気炉を用い、９００℃で１時間焼成
した。 化学組成：Ｍｇ0.8Ａｌ0.20（Ｐ2Ｏ5）0．025 焼成物の評価結果を表１に示す。実施例１と同様に操作
して電磁鋼板に塗布したときの被膜特性、磁気特性を表
２に示す。
【００１８】比較例１ 水酸化マグネシウムの粉末を電気炉を用い、９００℃で
１時間焼成した。得られた酸化マグネシウムの評価結果
を表１に示す。実施例１と同様に操作して電磁鋼板に塗
布したときの被膜特性、磁気特性を表２に示す。
１時間焼成した。得られた酸化マグネシウムの評価結果
を表１に示す。実施例１と同様に操作して電磁鋼板に塗
布したときの被膜特性、磁気特性を表２に示す。
【００１９】比較例２、３ 実施例３で用いたハイドロタルサイト類化合物の粉末を
電気炉を用い、６００℃で１時間（比較例２）、１１０
０℃で１時間（比較例３）焼成した。 化学組成：Ｍｇ0.6Ｚｎ0.1Ａｌ0.3Ｏ 焼成物の評価結果を表１に示す。実施例１と同様に操作
して電磁鋼板に塗布したときの被膜特性、磁気特性を表
２に示す。
電気炉を用い、６００℃で１時間（比較例２）、１１０
０℃で１時間（比較例３）焼成した。 化学組成：Ｍｇ0.6Ｚｎ0.1Ａｌ0.3Ｏ 焼成物の評価結果を表１に示す。実施例１と同様に操作
して電磁鋼板に塗布したときの被膜特性、磁気特性を表
２に示す。
【００２０】 表１ Ｘ線回折 ＢＥＴ フォルステライト ＣＡＡ パターン （ｍ2／ｇ） 生成開始 （秒） 温度（℃） 実施例１ ＭｇＯ ５１ ７５０ ２２０ ２ ＭｇＯ ７３ ７５０ ９２５ ３ ＭｇＯ １０２ ７００ ２０７２ ４ ＭｇＯ ９１ ７００ ４８８ ５ ＭｇＯ※ １５０ ７００ ９９０ 比較例１ ＭｇＯ ２０ ９００ ６５ ２ ＭｇＯ ２２０ ３ ＭｇＯ，（ＭｇＺｎ）Ａｌ2Ｏ4 １２６０ ３８ ８５０ ４２００ 注：ＭｇＯ※；ＭｇＯと微少量のＭｇＡｌ2Ｏ4の回折Ｘ
線回折パターンを示した。
線回折パターンを示した。
【００２１】 表２ 被膜外観 密着性 被膜張力 磁気特性 （kg/mm2) Ｂ8（Ｔ） Ｗ17（w／kg) 実施例１ Ｂ Ｂ ０．３８ １．８５ １．１８ ２ Ａ Ａ ０．５０ １．８６ １．１４ ３ Ａ Ａ ０．６３ １．８７ １．１０ ４ Ａ Ａ ０．５５ １．８７ １．１５ ５ Ａ Ａ ０．５７ １．８７ １．１２ 比較例１ Ｃ Ａ ０．１８ １．８３ １．２４ ２ Ｃ Ｂ ０．２６ １．８３ １．２０ ３ Ｃ Ｃ ０．２０ １．８３ １．２２ 注：被膜外観（最終焼鈍後のガラス被膜の形成状態） Ａ：均一で厚く、光沢有り Ｂ：ほぼ均一で良好 Ｃ：やや薄く、僅かに金属光沢の露出部有り 密着性（２０ｍｍφ曲げ） Ａ：全く剥離なし Ｂ：僅かに剥離有り Ｃ：剥離部多く金属面露出している。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、ＭｇＯよりも反応性に
優れ、より低い温度で耐熱性、電気絶縁性、低熱膨張率
性等に優れたセラミック被膜を金属系材料上に形成でき
るＭｇ−Ｍ3+−Ｏ系二元酸化物からなるセラミック被膜
形成剤が提供される。本発明によれば、金属系材料上に
生成したセラミック被膜が、緻密かつ均一であり、かつ
金属系材料との密着性に優れたセラミック被膜を金属系
材料上に形成できるセラミック被膜形成剤が提供され
る。
優れ、より低い温度で耐熱性、電気絶縁性、低熱膨張率
性等に優れたセラミック被膜を金属系材料上に形成でき
るＭｇ−Ｍ3+−Ｏ系二元酸化物からなるセラミック被膜
形成剤が提供される。本発明によれば、金属系材料上に
生成したセラミック被膜が、緻密かつ均一であり、かつ
金属系材料との密着性に優れたセラミック被膜を金属系
材料上に形成できるセラミック被膜形成剤が提供され
る。
Claims (7)
- 【請求項１】 式（１） （Ｍｇ1-xＭ2+ x）1-yＭ3+ yＯ （１） ［式中、Ｍ2+はＣａ2+，Ｍｎ2+，Ｆｅ2+，Ｃｏ2+，Ｎｉ
2+，Ｃｕ2+およびＺｎ2+等の二価金属から選ばれた少な
くとも一種を示し、Ｍ3+はＡｌ3+，Ｍｎ3+，Ｆｅ3+，Ｃ
ｏ3+，Ｎｉ3+，Ｔｉ3+，Ｂｉ3＋およびＣｒ3+等の三価
金属から選ばれた少なくとも一種を示し、ｘは０≦ｘ＜
０．５、ｙは０＜ｙ＜０．５の範囲の数を表す］で表さ
れるＭｇ−Ｍ3+−Ｏ系二元酸化物の固溶体を有効成分と
して含有する金属材料のセラミック被膜形成剤。 - 【請求項２】 Ｍ3+がＡｌ3+および／またはＦｅ3+であ
る請求項１記載の金属材料のセラミック被膜形成剤。 - 【請求項３】 平均二次粒子径が５μｍ以下、ＢＥＴ比
表面積が約３０〜２００ｍ2／ｇである請求項１記載の
金属材料のセラミック被膜形成剤。 - 【請求項４】 金属材料が電磁鋼板であり、セラミック
被膜がフォルステライト系である請求項１記載の金属材
料のセラミック被膜形成剤。 - 【請求項５】 ＣＡＡが２〜１００分である請求項１記
載の金属材料のセラミック被膜形成剤。 - 【請求項６】 式（１）で表されるＭｇ−Ｍ3+−Ｏ系二
元酸化物の固溶体が、式（２） （Ｍｇ1-xＭ2+ x）1-yＭ3+ yＯ・Ａｚ （２） ［式中、Ｍ2+はＣａ2+，Ｍｎ2+，Ｆｅ2+，Ｃｏ2+，Ｎｉ
2+，Ｃｕ2+およびＺｎ2+等の二価金属から選ばれた少な
くとも一種を示し、Ｍ3+はＡｌ3+，Ｍｎ3+，Ｆｅ3+，Ｃ
ｏ3+，Ｎｉ3+，Ｔｉ3+，Ｂｉ3＋およびＣｒ3+等の三価
金属から選ばれた少なくとも一種を示し、Ａはアニオン
性酸化物を示し、ｘは０≦ｘ＜０．５、ｙは０＜ｙ＜
０．５、ｚは０≦ｚ＜０．５の範囲の数を表す］で表さ
れるアニオン性酸化物をさらに含有する金属材料のセラ
ミック被膜形成剤。 - 【請求項７】 式（３） （Ｍｇ1-xＭ2+ x）1-yＭ3+ y（ＯＨ）2-ncＢn- c・ｍＨ2Ｏ （３） ［式中、Ｍ2+はＣａ2+，Ｍｎ2+，Ｆｅ2+，Ｃｏ2+，Ｎｉ
2+，Ｃｕ2+およびＺｎ2+等の二価金属から選ばれた少な
くとも一種を示し、Ｍ3+はＡｌ3+，Ｍｎ3+，Ｆｅ3+，Ｃ
ｏ3+，Ｎｉ3+，Ｔｉ3+，Ｂｉ3＋およびＣｒ3+等の三価
金属から選ばれた少なくとも一種を示し、Ｂn-はｎ価の
アニオンを示し、ｘは０≦ｘ＜０．５、ｙは０＜ｙ＜
０．５の範囲の数を表し、ｃは０≦ｃ＜０．５、ｍは０
≦ｍ＜３の範囲の数を表す］で表されるハイドロタルサ
イト類化合物を約７００〜１０５０℃で焼成することを
特徴とする請求項１記載のセラミック被膜形成剤の製造
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13264294A JP3475258B2 (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | セラミック被膜形成剤およびその製造方法 |
| US08/447,931 US5629251A (en) | 1994-05-23 | 1995-05-23 | Ceramic coating-forming agent and process for the production thereof |
| EP95303441A EP0684322B1 (en) | 1994-05-23 | 1995-05-23 | Ceramic coating-forming agent and process for the production thereof |
| DE69514413T DE69514413T2 (de) | 1994-05-23 | 1995-05-23 | Keramische Beschichtigung und Verfahren zur Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13264294A JP3475258B2 (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | セラミック被膜形成剤およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07316831A true JPH07316831A (ja) | 1995-12-05 |
| JP3475258B2 JP3475258B2 (ja) | 2003-12-08 |
Family
ID=15086105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13264294A Expired - Fee Related JP3475258B2 (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | セラミック被膜形成剤およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5629251A (ja) |
| EP (1) | EP0684322B1 (ja) |
| JP (1) | JP3475258B2 (ja) |
| DE (1) | DE69514413T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH07180064A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-18 | Nippon Steel Corp | 被膜特性の優れる方向性電磁鋼板の製造方法及びその絶縁被膜処理剤 |
| JPH07310188A (ja) * | 1994-05-13 | 1995-11-28 | Nippon Steel Corp | 反応性の極めて優れる方向性電磁鋼板用焼鈍分離剤及びその使用方法 |
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| US3304153A (en) * | 1965-11-12 | 1967-02-14 | Aluminium Lab Ltd | Method of preparing magnesia spinel |
| JPS4829477B1 (ja) | 1970-12-29 | 1973-09-10 | ||
| GB1559733A (en) * | 1977-01-31 | 1980-01-23 | Nat Res Dev | Diffusing an element into a metal |
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-
1994
- 1994-05-23 JP JP13264294A patent/JP3475258B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
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- 1995-05-23 US US08/447,931 patent/US5629251A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69514413D1 (de) | 2000-02-17 |
| EP0684322A3 (en) | 1996-05-22 |
| DE69514413T2 (de) | 2000-05-25 |
| EP0684322A2 (en) | 1995-11-29 |
| JP3475258B2 (ja) | 2003-12-08 |
| EP0684322B1 (en) | 2000-01-12 |
| US5629251A (en) | 1997-05-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080926 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080926 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080926 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090926 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100926 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100926 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110926 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110926 Year of fee payment: 8 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |