JPH07307325A - コンタクト孔の形成方法 - Google Patents
コンタクト孔の形成方法Info
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- JPH07307325A JPH07307325A JP12451794A JP12451794A JPH07307325A JP H07307325 A JPH07307325 A JP H07307325A JP 12451794 A JP12451794 A JP 12451794A JP 12451794 A JP12451794 A JP 12451794A JP H07307325 A JPH07307325 A JP H07307325A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 等方性エッチングでＢＰＳＧ膜にコンタクト
孔を形成するに際して、過大なサイドエッチング及びレ
ジストの剥離を防止する。 【構成】 ＢＰＳＧ膜である層間絶縁膜１１に脱水ベー
キングを行った後、レジスト１２を塗布する。コンタク
ト孔１４のパターン１３をレジスト１２に形成し、レジ
スト１２をマスクにして層間絶縁膜１１を等方性エッチ
ングする。レジスト１２を塗布する前に層間絶縁膜１１
の表面を乾燥させており、しかも等方性エッチングする
前にレジスト１２を硬化させておらずレジスト１２が柔
軟性を有しているので、層間絶縁膜１１とレジスト１２
とがよく密着している。
孔を形成するに際して、過大なサイドエッチング及びレ
ジストの剥離を防止する。 【構成】 ＢＰＳＧ膜である層間絶縁膜１１に脱水ベー
キングを行った後、レジスト１２を塗布する。コンタク
ト孔１４のパターン１３をレジスト１２に形成し、レジ
スト１２をマスクにして層間絶縁膜１１を等方性エッチ
ングする。レジスト１２を塗布する前に層間絶縁膜１１
の表面を乾燥させており、しかも等方性エッチングする
前にレジスト１２を硬化させておらずレジスト１２が柔
軟性を有しているので、層間絶縁膜１１とレジスト１２
とがよく密着している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願の発明は、ＢＰＳＧ膜に対す
るコンタクト孔の形成方法に関するものである。
るコンタクト孔の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】段差被覆性が元々よくないＡｌ電極等の
信頼性を高めるために、テーパ状のコンタクト孔が多く
用いられている。そして、テーパ状のコンタクト孔を形
成する一つの方法として、ウエットエッチング等の等方
性エッチングを層間絶縁膜に対してまず行い、ドライエ
ッチング等の異方性エッチングをその後に行う方法があ
る。
信頼性を高めるために、テーパ状のコンタクト孔が多く
用いられている。そして、テーパ状のコンタクト孔を形
成する一つの方法として、ウエットエッチング等の等方
性エッチングを層間絶縁膜に対してまず行い、ドライエ
ッチング等の異方性エッチングをその後に行う方法があ
る。
【０００３】図５は、この様なコンタクト孔の形成方法
の一従来例を示している。この従来例では、層間絶縁膜
１１を堆積させ、この状態の層間絶縁膜１１上にレジス
ト１２を塗布し、レジスト１２に対して露光及び現像を
行って、コンタクト孔のパターン１３をレジスト１２に
形成する。
の一従来例を示している。この従来例では、層間絶縁膜
１１を堆積させ、この状態の層間絶縁膜１１上にレジス
ト１２を塗布し、レジスト１２に対して露光及び現像を
行って、コンタクト孔のパターン１３をレジスト１２に
形成する。
【０００４】そして、レジスト１２の耐熱性を高めて、
ドライエッチング時に高エネルギのイオンが入射するこ
とによるレジスト１２の熱変形を防止するために、紫外
線の照射によってレジスト１２を硬化させるＵＶキュア
リング等を行う。その後、レジスト１２をマスクにし
て、層間絶縁膜１１にウエットエッチングを行ってコン
タクト孔１４の一部を形成し、更にドライエッチングを
行ってコンタクト孔１４を完成させていた。
ドライエッチング時に高エネルギのイオンが入射するこ
とによるレジスト１２の熱変形を防止するために、紫外
線の照射によってレジスト１２を硬化させるＵＶキュア
リング等を行う。その後、レジスト１２をマスクにし
て、層間絶縁膜１１にウエットエッチングを行ってコン
タクト孔１４の一部を形成し、更にドライエッチングを
行ってコンタクト孔１４を完成させていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、堆積させた
状態の層間絶縁膜１１上にレジスト１２を塗布する上述
の従来例でも、層間絶縁膜１１がＰＳＧ膜や不純物を含
まない純粋なＳｉＯ2 膜であれば、特に問題はない。し
かし、層間絶縁膜１１がＢＰＳＧ膜であると、ＢＰＳＧ
膜の表面は水分を吸収している。しかも、ＵＶキュアリ
ング等を行ってレジスト１２を硬化させると、ＢＰＳＧ
膜の表面になじむ柔軟性がレジスト１２からなくなる。
状態の層間絶縁膜１１上にレジスト１２を塗布する上述
の従来例でも、層間絶縁膜１１がＰＳＧ膜や不純物を含
まない純粋なＳｉＯ2 膜であれば、特に問題はない。し
かし、層間絶縁膜１１がＢＰＳＧ膜であると、ＢＰＳＧ
膜の表面は水分を吸収している。しかも、ＵＶキュアリ
ング等を行ってレジスト１２を硬化させると、ＢＰＳＧ
膜の表面になじむ柔軟性がレジスト１２からなくなる。
【０００６】このため、ＢＰＳＧ膜とレジスト１２との
密着性が悪く、特に、図５（ｂ）から明らかな様に、Ｂ
ＰＳＧ膜とレジスト１２との界面に隙間１５が発生し
て、この隙間１５にエッチング溶液がしみ込み易かっ
た。
密着性が悪く、特に、図５（ｂ）から明らかな様に、Ｂ
ＰＳＧ膜とレジスト１２との界面に隙間１５が発生し
て、この隙間１５にエッチング溶液がしみ込み易かっ
た。
【０００７】この結果、図５（ｂ）（ｃ）に示す様に、
ＢＰＳＧ膜である層間絶縁膜１１が過大にサイドエッチ
ングされたり、レジスト１２に形成したパターン１３の
径が０．７μｍと微細な場合に至っては、図５（ａ）に
示す様に、ウエットエッチング中にレジスト１２が剥離
したりしていた。従って、図５に示した一従来例では、
テーパ状のコンタクト孔を高い歩留りで形成することが
できなかった。
ＢＰＳＧ膜である層間絶縁膜１１が過大にサイドエッチ
ングされたり、レジスト１２に形成したパターン１３の
径が０．７μｍと微細な場合に至っては、図５（ａ）に
示す様に、ウエットエッチング中にレジスト１２が剥離
したりしていた。従って、図５に示した一従来例では、
テーパ状のコンタクト孔を高い歩留りで形成することが
できなかった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１のコンタクト孔
の形成方法は、ＢＰＳＧ膜１１をベーキングして、この
ＢＰＳＧ膜１１の表面を乾燥させる工程と、前記乾燥の
後に、前記ＢＰＳＧ膜１１上にレジスト１２を塗布する
工程と、前記レジスト１２にコンタクト孔１４のパター
ン１３を形成する工程と、前記パターン１３の形成に引
き続いて、前記レジスト１２をマスクにして前記ＢＰＳ
Ｇ膜１１を等方性エッチングする工程とを有することを
特徴としている。
の形成方法は、ＢＰＳＧ膜１１をベーキングして、この
ＢＰＳＧ膜１１の表面を乾燥させる工程と、前記乾燥の
後に、前記ＢＰＳＧ膜１１上にレジスト１２を塗布する
工程と、前記レジスト１２にコンタクト孔１４のパター
ン１３を形成する工程と、前記パターン１３の形成に引
き続いて、前記レジスト１２をマスクにして前記ＢＰＳ
Ｇ膜１１を等方性エッチングする工程とを有することを
特徴としている。
【０００９】請求項２のコンタクト孔の形成方法は、前
記等方性エッチングの後に、前記レジスト１２をマスク
にして前記ＢＰＳＧ膜１１を異方性エッチングする工程
を有することを特徴としている。
記等方性エッチングの後に、前記レジスト１２をマスク
にして前記ＢＰＳＧ膜１１を異方性エッチングする工程
を有することを特徴としている。
【００１０】請求項３のコンタクト孔の形成方法は、前
記等方性エッチングと前記異方性エッチングとの間に、
前記レジスト１２を硬化させる処理を行うことを特徴と
している。
記等方性エッチングと前記異方性エッチングとの間に、
前記レジスト１２を硬化させる処理を行うことを特徴と
している。
【００１１】
【作用】請求項１のコンタクト孔の形成方法では、レジ
スト１２を塗布する前にＢＰＳＧ膜１１をベーキングし
て表面を乾燥させており、しかもＢＰＳＧ膜１１を等方
性エッチングする前にレジスト１２を硬化させておらず
ＢＰＳＧ膜１１の表面になじむ柔軟性をレジスト１２が
有しているので、等方性エッチングに際してＢＰＳＧ膜
１１とレジスト１２とがよく密着している。このため、
ＢＰＳＧ膜１１とレジスト１２との界面が等方性エッチ
ングされにくく、ＢＰＳＧ膜１１が過大にサイドエッチ
ングされたりエッチング中にレジスト１２が剥離したり
することがない。
スト１２を塗布する前にＢＰＳＧ膜１１をベーキングし
て表面を乾燥させており、しかもＢＰＳＧ膜１１を等方
性エッチングする前にレジスト１２を硬化させておらず
ＢＰＳＧ膜１１の表面になじむ柔軟性をレジスト１２が
有しているので、等方性エッチングに際してＢＰＳＧ膜
１１とレジスト１２とがよく密着している。このため、
ＢＰＳＧ膜１１とレジスト１２との界面が等方性エッチ
ングされにくく、ＢＰＳＧ膜１１が過大にサイドエッチ
ングされたりエッチング中にレジスト１２が剥離したり
することがない。
【００１２】請求項２のコンタクト孔の形成方法では、
等方性エッチングを行った後に異方性エッチングを行う
ことによってテーパ状のコンタクト孔１４を形成するに
際して、ＢＰＳＧ膜１１が過大にサイドエッチングされ
たりエッチング中にレジスト１２が剥離したりすること
がない。
等方性エッチングを行った後に異方性エッチングを行う
ことによってテーパ状のコンタクト孔１４を形成するに
際して、ＢＰＳＧ膜１１が過大にサイドエッチングされ
たりエッチング中にレジスト１２が剥離したりすること
がない。
【００１３】請求項３のコンタクト孔の形成方法では、
等方性エッチングと異方性エッチングとの間にレジスト
１２を硬化させているので、異方性エッチングに際して
の耐熱性が高く、高エネルギのイオンの入射によるレジ
スト１２の熱変形を生じることなくＢＰＳＧ膜１１を異
方性エッチングすることができる。
等方性エッチングと異方性エッチングとの間にレジスト
１２を硬化させているので、異方性エッチングに際して
の耐熱性が高く、高エネルギのイオンの入射によるレジ
スト１２の熱変形を生じることなくＢＰＳＧ膜１１を異
方性エッチングすることができる。
【００１４】
【実施例】以下、本願の発明の一実施例と参考例とを、
図１〜４を参照しながら説明する。なお、図５に示した
一従来例と対応する構成部分には、同一の符号を付して
ある。
図１〜４を参照しながら説明する。なお、図５に示した
一従来例と対応する構成部分には、同一の符号を付して
ある。
【００１５】図１が、実施例を示している。本実施例で
は、ＢＰＳＧ膜である層間絶縁膜１１を堆積させ、ファ
ン付きの対流式オーブンで１４０℃、６０分間の脱水ベ
ーキングを行って、この層間絶縁膜１１の表面を乾燥さ
せる。その後、層間絶縁膜１１上にレジスト１２を塗布
し、レジスト１２に対して露光及び現像を行って、径が
０．７μｍであるコンタクト孔のパターン１３をレジス
ト１２に形成する。
は、ＢＰＳＧ膜である層間絶縁膜１１を堆積させ、ファ
ン付きの対流式オーブンで１４０℃、６０分間の脱水ベ
ーキングを行って、この層間絶縁膜１１の表面を乾燥さ
せる。その後、層間絶縁膜１１上にレジスト１２を塗布
し、レジスト１２に対して露光及び現像を行って、径が
０．７μｍであるコンタクト孔のパターン１３をレジス
ト１２に形成する。
【００１６】次に、レジスト１２に対してＵＶキュアリ
ングを行うことなく、ＮＨ4 Ｆ：ＨＦ＝１００：１２で
且つ常温のエッチング溶液で、レジスト１２をマスクに
して、層間絶縁膜１１に１２０秒間のウエットエッチン
グを行ってコンタクト孔１４の一部を形成する。そし
て、エッチング溶液を水洗し、乾燥させる。
ングを行うことなく、ＮＨ4 Ｆ：ＨＦ＝１００：１２で
且つ常温のエッチング溶液で、レジスト１２をマスクに
して、層間絶縁膜１１に１２０秒間のウエットエッチン
グを行ってコンタクト孔１４の一部を形成する。そし
て、エッチング溶液を水洗し、乾燥させる。
【００１７】その後、レジスト１２に対してＵＶキュア
リングを行う。そして、レジスト１２をマスクにして、
ドライエッチングの一つであるＲＩＥによる異方性エッ
チングを層間絶縁膜１１に行ってコンタクト孔１４を完
成させる。なお、以上の実施例では、ＢＰＳＧ膜である
層間絶縁膜１１に対する脱水ベーキングを１４０℃、６
０分間で行っているが、１４０〜２００℃、３０〜６０
分間の範囲であればよい。
リングを行う。そして、レジスト１２をマスクにして、
ドライエッチングの一つであるＲＩＥによる異方性エッ
チングを層間絶縁膜１１に行ってコンタクト孔１４を完
成させる。なお、以上の実施例では、ＢＰＳＧ膜である
層間絶縁膜１１に対する脱水ベーキングを１４０℃、６
０分間で行っているが、１４０〜２００℃、３０〜６０
分間の範囲であればよい。
【００１８】図２は、以上の実施例と同じ方法で、種々
のピッチのラインアンドスペースを形成した場合の結果
を示している。これに対して、図３は、ＵＶキュアリン
グをウエットエッチングの前に行う点のみが図１の実施
例と相違する参考例の方法で、コンタクト孔１４を形成
した場合の結果を示している。また、図４は、図３の参
考例と同じ方法で、種々のピッチのラインアンドスペー
スを形成した場合の結果を示している。
のピッチのラインアンドスペースを形成した場合の結果
を示している。これに対して、図３は、ＵＶキュアリン
グをウエットエッチングの前に行う点のみが図１の実施
例と相違する参考例の方法で、コンタクト孔１４を形成
した場合の結果を示している。また、図４は、図３の参
考例と同じ方法で、種々のピッチのラインアンドスペー
スを形成した場合の結果を示している。
【００１９】図３と図５（ａ）とを比較すると、レジス
ト１２に形成したパターン１３の径が共に０．７μｍと
同じであるが、図５（ａ）の従来例ではウエットエッチ
ング中にレジスト１２が剥離していたのに対して、図３
の参考例ではレジスト１２が剥離していない。これは、
ＢＰＳＧ膜である層間絶縁膜１１に対する脱水ベーキン
グによって、層間絶縁膜１１とレジスト１２との密着性
が向上したためであると考えられる。
ト１２に形成したパターン１３の径が共に０．７μｍと
同じであるが、図５（ａ）の従来例ではウエットエッチ
ング中にレジスト１２が剥離していたのに対して、図３
の参考例ではレジスト１２が剥離していない。これは、
ＢＰＳＧ膜である層間絶縁膜１１に対する脱水ベーキン
グによって、層間絶縁膜１１とレジスト１２との密着性
が向上したためであると考えられる。
【００２０】しかし、図１と図３とを比較すると、図１
の実施例に比べて、図３の参考例では、コンタクト孔１
４のサイドエッチングが大きくて理想的な等方性エッチ
ングとは言い難い。これは、図３の参考例では、ＵＶキ
ュアリングをウエットエッチングの前に行っており、層
間絶縁膜１１の表面になじむ柔軟性がレジスト１２から
なくなって、ウエットエッチングの際の層間絶縁膜１１
とレジスト１２との密着性が実施例に比べて低いためで
あると考えられる。
の実施例に比べて、図３の参考例では、コンタクト孔１
４のサイドエッチングが大きくて理想的な等方性エッチ
ングとは言い難い。これは、図３の参考例では、ＵＶキ
ュアリングをウエットエッチングの前に行っており、層
間絶縁膜１１の表面になじむ柔軟性がレジスト１２から
なくなって、ウエットエッチングの際の層間絶縁膜１１
とレジスト１２との密着性が実施例に比べて低いためで
あると考えられる。
【００２１】また、図２と図４とを比較すると、図２で
は、ピッチが０．６５μｍのラインアンドスペースでも
正常にウエットエッチングされているのに対して、図４
では、ピッチが０．９０μｍの場合でもレジスト１２が
剥離し始めており、ピッチが０．６５μｍの場合はレジ
スト１２が完全に剥離している。これも、層間絶縁膜１
１とレジスト１２との密着性が低いためであると考えら
れる。
は、ピッチが０．６５μｍのラインアンドスペースでも
正常にウエットエッチングされているのに対して、図４
では、ピッチが０．９０μｍの場合でもレジスト１２が
剥離し始めており、ピッチが０．６５μｍの場合はレジ
スト１２が完全に剥離している。これも、層間絶縁膜１
１とレジスト１２との密着性が低いためであると考えら
れる。
【００２２】
【発明の効果】請求項１のコンタクト孔の形成方法で
は、ＢＰＳＧ膜が過大にサイドエッチングされたりエッ
チング中にレジストが剥離したりすることがないので、
コンタクト孔を高い歩留りで形成することができる。
は、ＢＰＳＧ膜が過大にサイドエッチングされたりエッ
チング中にレジストが剥離したりすることがないので、
コンタクト孔を高い歩留りで形成することができる。
【００２３】請求項２のコンタクト孔の形成方法では、
ＢＰＳＧ膜が過大にサイドエッチングされたりエッチン
グ中にレジストが剥離したりすることなく、テーパ状の
コンタクト孔を形成することができるので、テーパ状の
コンタクト孔を高い歩留りで形成することができる。
ＢＰＳＧ膜が過大にサイドエッチングされたりエッチン
グ中にレジストが剥離したりすることなく、テーパ状の
コンタクト孔を形成することができるので、テーパ状の
コンタクト孔を高い歩留りで形成することができる。
【００２４】請求項３のコンタクト孔の形成方法では、
高エネルギのイオンの入射によるレジストの熱変形を生
じることなくＢＰＳＧ膜を異方性エッチングすることが
できるので、テーパ状のコンタクト孔を更に高い歩留り
で形成することができる。
高エネルギのイオンの入射によるレジストの熱変形を生
じることなくＢＰＳＧ膜を異方性エッチングすることが
できるので、テーパ状のコンタクト孔を更に高い歩留り
で形成することができる。
【図１】本願の発明の一実施例に対する走査型電子顕微
鏡による写真を模式的に示す側断面図である。
鏡による写真を模式的に示す側断面図である。
【図２】一実施例と同じ方法で形成したラインアンドス
ペースに対する走査型電子顕微鏡による写真を模式的に
示す斜視図である。
ペースに対する走査型電子顕微鏡による写真を模式的に
示す斜視図である。
【図３】本願の発明の参考例に対する走査型電子顕微鏡
による写真を模式的に示す側断面図である。
による写真を模式的に示す側断面図である。
【図４】参考例と同じ方法で形成したラインアンドスペ
ースに対する走査型電子顕微鏡による写真を模式的に示
す斜視図である。
ースに対する走査型電子顕微鏡による写真を模式的に示
す斜視図である。
【図５】本願の発明の一従来例に対する走査型電子顕微
鏡による写真を模式的に示す側断面図である。
鏡による写真を模式的に示す側断面図である。
１１ 層間絶縁膜 １２ レジスト １３ パターン １４ コンタクト孔
Claims (3)
- 【請求項１】 ＢＰＳＧ膜をベーキングして、このＢＰ
ＳＧ膜の表面を乾燥させる工程と、 前記乾燥の後に、前記ＢＰＳＧ膜上にレジストを塗布す
る工程と、 前記レジストにコンタクト孔のパターンを形成する工程
と、 前記パターンの形成に引き続いて、前記レジストをマス
クにして前記ＢＰＳＧ膜を等方性エッチングする工程と
を有することを特徴とするコンタクト孔の形成方法。 - 【請求項２】 前記等方性エッチングの後に、前記レジ
ストをマスクにして前記ＢＰＳＧ膜を異方性エッチング
する工程を有することを特徴とする請求項１記載のコン
タクト孔の形成方法。 - 【請求項３】 前記等方性エッチングと前記異方性エッ
チングとの間に、前記レジストを硬化させる処理を行う
ことを特徴とする請求項２記載のコンタクト孔の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12451794A JP3456548B2 (ja) | 1994-05-13 | 1994-05-13 | コンタクト孔の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12451794A JP3456548B2 (ja) | 1994-05-13 | 1994-05-13 | コンタクト孔の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07307325A true JPH07307325A (ja) | 1995-11-21 |
| JP3456548B2 JP3456548B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=14887443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12451794A Expired - Fee Related JP3456548B2 (ja) | 1994-05-13 | 1994-05-13 | コンタクト孔の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3456548B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6303466B1 (en) | 1999-03-19 | 2001-10-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device |
| WO2016194644A1 (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 株式会社ダイセル | ナノインプリント用光硬化性組成物 |
-
1994
- 1994-05-13 JP JP12451794A patent/JP3456548B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6303466B1 (en) | 1999-03-19 | 2001-10-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device |
| WO2016194644A1 (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 株式会社ダイセル | ナノインプリント用光硬化性組成物 |
| JPWO2016194644A1 (ja) * | 2015-05-29 | 2018-03-15 | 株式会社ダイセル | ナノインプリント用光硬化性組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3456548B2 (ja) | 2003-10-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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