JPH07302690A

JPH07302690A - ストロボ装置

Info

Publication number: JPH07302690A
Application number: JP6093438A
Authority: JP
Inventors: Hisaaki Ishimaru; 寿明石丸; Hiroshi Yamada; 浩山田
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1994-05-02
Filing date: 1994-05-02
Publication date: 1995-11-14
Also published as: US5661372A

Abstract

(57)【要約】【目的】低電圧電源の消費電力を増加させずに、正確に
ストロボ発光を行う、小型のストロボ装置を提供するこ
とを目的とする。【構成】メインコンデンサ５及び放電発光管６と直列に
接続される放電ループを形成し、低電圧のゲート電圧で
作動するゲート制御型スイッチング素子７と、上記ゲー
ト電圧より低い電圧を生成する電池２と、この電池から
の電圧を定電圧化し、該電圧にほぼ等しく、かつ上記ゲ
ート電圧より低い定電圧を生成する第１の定電圧回路３
と、該第１の定電圧回路３からの出力電圧を電源に動作
するＣＰＵ１と、該ＣＰＵ１の制御で上記メインコンデ
ンサ５を充電するストロボ充電回路８と、上記ＣＰＵ１
からの出力電圧を昇圧し、上記ゲート電圧を生成する第
２の定電圧回路４とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ストロボ装置、詳しく
は、ゲート制御型スイッチング素子を有するストロボ装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、カメラのストロボ装置において、
該ストロボ発光を制御する素子として、たとえばＩＧＢ
Ｔ等のゲート制御型スイッチング素子を採用した技術手
段が知られている。例えば、特開昭６４−１７０３３号
公報には、トリガ信号による発光命令で上述したＩＧＢ
Ｔをオンし、発光停止指令で該ＩＧＢＴをオフする構成
のＩＧＢＴを用いたストロボ装置が開示されている。

【０００３】ところが、この特開昭６４−１７０３３号
公報に開示された技術手段では、スイッチング素子のゲ
ート制御用の電源を必要としているので、装置のコスト
上昇を招くと共に、スペースの上でも制約を受けるもの
であった。

【０００４】このような複雑な回路構成を解決するもの
として、たとえば、実開平４−９６７２１号において、
電源スイッチがオン状態のときのみ、予めメインコンデ
ンサからスイッチング素子の制御端子に電圧を供給する
電子閃光装置が提案されている。

【０００５】一方、近年、特願平５−８９９９２号にお
いて記載されているように、ゲートを電圧４Ｖ〜８Ｖで
確実にオンできる、低電圧ゲートドライブ型のスイッチ
ング素子が開発され、制御回路等に使用する比較的低電
圧の電源を使用しての該スイッチング素子の直接制御駆
動が可能となった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開昭６４−１７０３３号公報、実開平４−９６７２１号
において提案された技術手段では、ストロボ充電回路内
の高電圧を直接ゲート制御型スイッチング素子に導き、
該スイッチング素子を制御しており、すなわち、高電圧
電源から電圧を利用しているため上記ストロボ充電回路
自体の構成が複雑となり、これにより、装置も大型化し
ていた。また、スイッチング素子も高耐圧の素子が必要
となり、装置のコストの上昇を招くと共に、耐圧が高く
なることによる装置の大型化も避けられなかった。

【０００７】一方、上記特願平５−０８９９９２号に記
載された技術手段によると、上述した高耐圧のスイッチ
ング素子を使用することなく、また、比較的低電圧の電
源を使用してスイッチング素子の制御を行うことが可能
となる。ところが、電源として、たとえば６Ｖ程度の電
池を（又は３Ｖの電池を２ヶ）使用するストロボ装置で
は大変有効であるが、近年、より低電圧、たとえば３Ｖ
程度で駆動するカメラが増えており、このような極低電
圧駆動のカメラでは該技術手段は使用するには、困難が
伴った。

【０００８】すなわち、たとえばゲート制御電圧が４Ｖ
ないし８Ｖであるゲート制御型スイッチング素子を、た
とえば３Ｖ程度の極低電圧電源を登載したストロボ装置
で使用する場合、以下に示す不都合が生じる。

【０００９】すなわち、該３Ｖ程度の極低電圧電源では
上記低電圧駆動のスイッチング素子（ゲート制御電圧が
４Ｖないし８Ｖ）を直接駆動することはできない。ま
た、ストロボ装置内のストロボ充電回路の出力を該スイ
ッチング素子の制御電圧として使用すると、１）消費電力が多く、該低電圧電源の寿命が短かくな
る。

【００１０】２）ストロボの充電の際に、該低電圧電源
の供給電流の余裕がないと、出力電圧が大幅に低下す
る。

【００１１】という問題点が新たに生じてくる。

【００１２】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであり、低電圧電源の消費電力を増加させずに、正確
にストロボ発光を行う、小型のストロボ装置を提供する
ことを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明による第１のストロボ装置は、ストロボの放
電発光管を発光させる電荷を蓄積するメインコンデンサ
と、このメインコンデンサ及び上記放電発光管と直列に
接続される放電ループを形成していて、第１の電圧以下
のゲート電圧で作動するゲート制御型スイッチング素子
と、上記ゲート電圧より低い第２の電圧を生成する低電
圧電源と、この低電圧電源からの第２の電圧を定電圧化
し、該第２の電圧にほぼ等しく、かつ上記ゲート電圧よ
り低い定電圧を生成する第１の定電圧回路と、この第１
の定電圧回路からの出力電圧に基づいて動作するストロ
ボ制御手段と、このストロボ制御手段の制御により上記
メインコンデンサを充電する充電回路と、上記ストロボ
制御手段からの出力電圧を昇圧し、上記ゲート電圧を生
成する第２の定電圧回路とを具備する。

【００１４】上記の目的を達成するために本発明による
第２のストロボ装置は、ストロボの放電発光管を発光さ
せる電荷を蓄積するメインコンデンサと、このメインコ
ンデンサ及び上記放電発光管と直列に接続される放電ル
ープを形成していて、第１の電圧以下のゲート電圧で作
動するゲート制御型スイッチング素子と、上記ゲート電
圧より低い第２の電圧を生成する低電圧電源と、この低
電圧電源からの第２の電圧を定電圧化し、該第２の電圧
にほぼ等しく、かつ上記ゲート電圧より低い定電圧を生
成する第１の定電圧回路と、この第１の定電圧回路から
の出力電圧に基づいて動作するストロボ制御手段と、上
記第１の定電圧回路からの出力電圧を上記ゲート電圧に
昇圧する第２の定電圧回路とを具備する。

【００１５】

【作用】本発明による第１のストロボ装置は、メインコ
ンデンサでストロボの放電発光管を発光させる電荷を蓄
積し、ゲート制御型スイッチング素子は、第１の電圧以
下のゲート電圧で作動する。また、低電圧電源では、上
記ゲート電圧より低い第２の電圧を生成する。さらに、
第１の定電圧回路で上記低電圧電源からの第２の電圧を
定電圧化し、該第２の電圧にほぼ等しく、かつ上記ゲー
ト電圧より低い定電圧を生成する。また、ストロボ制御
手段は上記第１の定電圧回路からの出力電圧に基づいて
動作し、このストロボ制御手段の制御により充電回路で
上記メインコンデンサを充電する。そして、第２の定電
圧回路で上記ストロボ制御手段からの出力電圧を昇圧
し、上記ゲート電圧を生成する。

【００１６】本発明による第２のストロボ装置は、メイ
ンコンデンサでストロボの放電発光管を発光させる電荷
を蓄積し、ゲート制御型スイッチング素子は第１の電圧
以下のゲート電圧で作動する。また、低電圧電源で上記
ゲート電圧より低い第２の電圧を生成し、第１の定電圧
回路で上記低電圧電源からの第２の電圧を定電圧化し、
該第２の電圧にほぼ等しく、かつ上記ゲート電圧より低
い定電圧を生成する。さらに、ストロボ制御手段は、上
記第１の定電圧回路からの出力電圧に基づいて動作し、
第２の定電圧回路は、上記第１の定電圧回路からの出力
電圧を上記ゲート電圧に昇圧する。

【００１７】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。

【００１８】図１は、本発明の第１実施例であるストロ
ボ装置の基本的な構成を示すブロック図である。

【００１９】図に示すように該ストロボ装置は、該スト
ロボ装置に内蔵あるいは外部に設けられた電池２と、該
電池２の出力電圧より第１の定電圧を生成する第１の定
電圧回路３と、該第１の定電圧が供給され、少なくとも
該ストロボ装置の駆動を制御するＣＰＵ１と、該ＣＰＵ
１の制御の基、上記第１の定電圧回路３により生成され
た第１の定電圧より、該第１の定電圧の略整数倍の第２
の定電圧を生成する第２の定電圧回路４とを具備してい
る。なお、該第２の定電圧回路４は、ダイオード４ａお
よびコンデンサ４ｂを具備して構成されている。

【００２０】上記実施例のストロボ装置はさらに、スト
ロボの放電発光管（以下、キセノン管あるいはＸｅ管と
称する）６を発光させるための電荷を保持するメインコ
ンデンサ５と、このメインコンデンサ５の放電ループ内
にて上記キセノン管６と直列に接続されたゲート制御型
スイッチング素子７と、上記第１の定電圧回路３からの
第１の定電圧を供給され、上記ＣＰＵ１の制御の基、上
記メインコンデンサ５の充電を行うストロボ充電回路８
とを具備している。

【００２１】上記ゲート制御型スイッチング素子７は、
上記第２の定電圧回路４で生成された第２の定電圧によ
りそのゲートが制御され、さらに、上記ＣＰＵ１に制御
されてキセノン管６の発光を制御するようになってい
る。

【００２２】図２は、上記第１実施例のストロボ装置が
適用されるカメラの主要な構成を示したブロック図であ
る。

【００２３】このストロボ装置が適用されるカメラはオ
ートフォーカス方式のズームカメラであり、カメラ１０
０内の各部の制御を司るＣＰＵ２０には、パワースイッ
チ（パワーＳＷ）３１、レリーズスイッチ（レリーズＳ
Ｗ）３２、ズームアップスイッチ（ズームアップＳＷ）
３３、ズームダウンスイッチ（ズームダウンＳＷ）３４
および、図示しない後蓋の開閉動作に連動してオン・オ
フする後蓋スイッチ（後蓋ＳＷ）３５がそれぞれ接続さ
れ、これらのスイッチに応じて各種制御を行うようにな
っている。

【００２４】また、上記ＣＰＵ２０には、フィルム４１
の給送制御用の給送モータ駆動回路２１、被写体４５の
測光を行う測光部２２、レンズユニット４３の駆動制御
用のレンズ・モータ駆動回路２３，ズーム・モータ駆動
回路２５、シャッタユニット４２の駆動制御用のシャッ
タ制御回路２４、内蔵された上記電池２のバッテリ・チ
ェック回路２６、ストロボ４４におけるキセノン管６発
光用の充電回路２７，ストロボ発光制御回路２８、上記
被写体４５の測距を行う測距部２９、上記電池２のバッ
テリ状態や駒数表示用の液晶表示回路（ＬＣＤ表示回
路）３０が接続されている。

【００２５】次に、上記カメラ１００における各部動作
について説明する。

【００２６】上記ズームアップスイッチ３３またはズー
ムダウンスイッチ３４が操作されると、上記ズーム・モ
ニタ駆動回路２５によりレンズユニット４３内のズーム
が駆動され、上記充電回路２７によりストロボ４４の充
電が行われる。また、上記後蓋が閉じられるとフィルム
４１の空送りが行われるようになっている。

【００２７】また、上記レリーズスイッチ３２がオンす
ると上記測光部２２、測距部２９で被写体４５の輝度お
よび距離が検出され、レンズ・モータ駆動回路２３で上
記レンズユニット４３内の撮影用レンズを駆動する。そ
して、輝度に応じた秒時で、シャッタ制御回路２４によ
りシャッタユニット４２を制御する。

【００２８】さらに、ストロボ光が必要な時は、ストロ
ボ発光制御回路２８でストロボ４４の発光を行い、ま
た、上記パワースイッチ３１、レリーズスイッチ３２、
ズームアップスイッチ３３、ズームダウンスイッチ３
４、および後蓋スイッチ３５が操作されるか、または電
池２（図１参照）が装填されると、バッテリチェック回
路２６で該電池２のバッテリチェックを行う。そして、
該電池２の電源電圧が下がっているときにはカメラをロ
ックさせ、該電源電圧が十分にあるときはそれぞれのス
イッチに応じた動作を行う。

【００２９】図３は、上記図１に示した本実施例のスト
ロボ装置の構成をさらに詳しく示したブロック回路図で
ある。

【００３０】上記第１の定電圧回路３は、電池２の電源
電圧ＶDDを上記ＣＰＵ１等のＩＣ回路用の定電圧ＶIC
（第１の定電圧）に変換し、該ＣＰＵ１に供給するよう
になっている。なお、該第１の定電圧回路３には、ＣＰ
Ｕ１から信号ＤＣＯＮが入力され、上記定電圧ＶICの変
換動作のオン・オフが制御されるようになっている。該
ＣＰＵ１は端子ＣＨＧからの信号ＣＨＧによりストロボ
充電回路８を制御してメインコンデンサ５に高電圧ＶMC
を充電するようになっている。なお、このとき、該スト
ロボ充電回路８からの高電圧は抵抗Ｒ１を介してサイリ
スタＳＣＲ１とコンデンサＣ２にも充電されるようにな
っている。

【００３１】また、上記コンデンサＣ２の他方はトリガ
コイルＬ１に接続され、該トリガコイルＬ１はＧＮＤと
キセノン管６に接続されている。また、該サイリスタＳ
ＣＲ１のトリガ端子は、上記ＣＰＵ１の端子ＳＴＲＧに
接続され、これにより、該端子からの信号ＳＴＲＧがオ
ンすることによりキセノン管６が放電発光するようにな
っている。

【００３２】上記キセノン管６は、ゲート制御型スイッ
チング素子（ＩＧＢＴ）７に直列に接続されている。そ
して、該ＩＧＢＴ７のゲートは、チャージポンプ型昇圧
回路で構成された第２の定電圧回路４の端子ＳＣＯＮＴ
に接続されると共に、該ゲートをＧＮＤをショートする
為のトランジスタＱ１に接続される。また、該トランジ
スタＱ１のベースは、上記ＣＰＵ１の端子ＳＴＯＦＦに
接続されている。

【００３３】以下、信号（電圧）の流れに沿って、上記
ストロボ装置の動作を説明する。

【００３４】上記キセノン管６の発光に先だって、ＣＰ
Ｕ１は端子ＳＴＯＦＦからの信号ＳＴＯＦＦを“Ｌ”レ
ベルにし、該ＣＰＵ１の制御の基、第２の定電圧回路４
（チャージポンプ型昇圧回路）の出力端子ＳＣＯＮＴか
らは、４Ｖ〜８Ｖの電圧がＩＧＢＴ７のゲートに印加さ
れる。これにより該ＩＧＢＴ７はオン状態となる。

【００３５】次に、上記ＣＰＵ１の端子ＳＴＲＧからの
信号で上記サイリスタＳＣＲ１がオンし、コンデンサＣ
２を放電させ、トランスＬ１の２次側に高電圧を発生さ
せ、キセノン管６がオンし、発光を開始する。この後、
ＣＰＵ１は任意の期間経過後、上記信号ＳＴＯＦＦを
“Ｈ”レベルにしてトランジスタＱ１をオンし、ＩＧＢ
Ｔ７のゲートをＧＮＤとショートし、任意の時間で発光
を停止する。

【００３６】図４は、本実施例における上記第１の定電
圧回路３を詳しく示した電気回路図である。

【００３７】本実施例が適用されるカメラは、電源電圧
ＶDD＝３Ｖの内蔵電池２を備えているが、モータ駆動
時、または、ストロボ充電時には該電池の内部抵抗や電
力の消費により該電源電圧ＶDDは低下する。本第１の定
電圧回路３は、このように電池の電源電圧が低下した際
においても、該電圧を昇圧してＣＰＵ等ＩＣの動作を保
証するようになっている。以下、該動作を説明する。

【００３８】ＣＰＵ等のＩＣ１０に供給される電圧ＶIC
は、分割抵抗Ｒ６，Ｒ７で分割され、中点電圧ＶA とし
て、コンパレータＯＰ２において基準電圧Ｖref と比較
される。上記ＣＰＵ１（ＩＣ１０）によりＤＣ／ＤＣの
オン信号ＤＣＯＮが出力されると、上記コンパレータＯ
Ｐ２が動作を開始し、ＶA ＜Ｖref のときには、コンパレータＯＰ２の出力により発振回路
（ＯＳＣ）９が動作し、トランジスタＱ２，ダイオード
Ｄ４，コンデンサＣ３により、チョッパ方式の昇圧を行
う。さらにトランスＬ３，コンデンサＣ４でスパイクノ
イズを吸収する。

【００３９】本実施例では、上記基準電圧Ｖref および
分割抵抗Ｒ６，Ｒ７を適当に選ぶことでＩＣ１０に供給
する電圧ＶICを３．５Ｖにしている。

【００４０】図５は、本実施例における上記チャージポ
ンプ型昇圧回路（第２の定電圧回路４）およびその周辺
部を示した電気回路図である。また、図６は、上記第２
の定電圧回路４および周辺部における各部の信号波形を
示した線図である。

【００４１】上述したようにＣＰＵ１には上記第１の定
電圧回路３からの出力電圧ＶICが入力されている。ま
た、ＣＰＵ１の出力端子Ｐ１にはダイオードＤ５のアノ
ードが接続され、該ダイオードＤ５のカソードにはコン
デンサＣ５とダイオードＤ６のアノードが接続される。
さらに、上記コンデンサＣ５の他方にはＣＰＵ１の出力
端子Ｐ２が接続され、上記ダイオードＤ６のカソードは
抵抗Ｒ９を介して、ＩＧＢＴ７のゲートに接続されると
共に、トランジスタＱ３のコレクタに接続される。ま
た、トランジスタＱ３のベースは抵抗Ｒ８を介してＣＰ
Ｕ１のＳＴＯＦＦ端子に接続される。なお、該ＩＧＢＴ
７のゲート電圧をＶG 、また、ダイオード６のアノード
側の電圧をＶB 、さらに、上記ダイオード５，６の両端
電圧をＶD とする。

【００４２】いま、ＣＰＵ１の端子Ｐ１，Ｐ２，ＳＴＯ
ＦＦからの出力信号がそれぞれＰ１＝Ｌ，Ｐ２＝Ｌ，Ｓ
ＴＯＦＦ＝Ｈであると、ＩＧＢＴ７のゲートはＧＮＤと
ショートしている。そして、ＳＴＯＦＦ＝Ｌ，Ｐ１＝Ｈ
とし、Ｐ２を発振させることで（何が？）行われる。す
なわち、Ｐ２＝ＬとしたときにダイオードＤ５を介して
コンデンサＣ５に（ＶIC−ＶD）の電圧が蓄えられ、Ｐ
２＝Ｈとすると、ＶB ＝ＶIC＋（ＶIC−ＶD ）となり、この電圧ＶB がダイオードＤ６、抵抗９を介し
てＩＧＢＴ７のゲートの寄生容量Ｃ６に蓄えられる。発
振毎に充電されるので寄生容量Ｃ６に対して、コンデン
サは小さくても良い。

【００４３】ここで、ＶIC＝3.5，ＶD ＝0.5Ｖとする
と、ＶG ＝ＶB −ＶD ＝ＶIC＋（ＶIC−ＶD ）−ＶD ＝２×
（ＶIC−ＶD ）＝2×（3.5−0.5）＝6Ｖとなり、ＩＧＢＴ７のゲート電圧が6Ｖになる。

【００４４】なお、上記ＩＧＢＴ７のゲートをオフする
のは、ＣＰＵ１のＳＴＯＦＦ端子を“Ｈ”レベルにして
トランジスタＱ３をオンすることで行う。

【００４５】従来、ＩＧＢＴのゲートを一定に保つ為に
ツェナダイオードを使う場合があるが本実施例によると
定電圧ＶICの電圧が一定であればツェナダイオードは不
要である。

【００４６】図７は、本実施例に採用したＩＧＢＴの一
例の断面構造を示した断面図である。

【００４７】図７に示されるように、コレクタ電極１１
の上側に、Ｐ層１２，Ｎ層１３が順に形成されている。
そして、上記Ｎ層１３の表面には、Ｐ層１２より不純物
濃度の低いＰ層１４、及びＮ層１３より不純物濃度の高
いＮ層１５が形成される。上記Ｎ層１３とＮ層１５とに
挟まれたＰ層１４の表面が、チャネル領域となる。

【００４８】このチャネルの領域上には、ゲート酸化膜
１６を介してゲート電極１７が形成される。又、このゲ
ート電極１７の上には、絶縁膜１８を介してエミッタ電
極１９が形成される。

【００４９】このように構成されたＩＧＢＴに於いて、
ゲート電極１７に、エミッタに対して正の電圧を与える
と上述のチャネルが形成され、コレクタ−エミッタ間で
電流が流れる。このゲート電圧は、通常１０Ｖ〜４０Ｖ
程度の電圧が必要であるが、ゲート酸化膜１６の薄膜化
や微細化設計ルールを採用することで、ゲート電圧が４
Ｖでも十分なコレクタ−エミッタ間の電流を流すことが
できるＩＧＢＴを製作することが可能である。

【００５０】図８は、本第１実施例のストロボ装置の動
作を示したフローチャートであり、また、図９は、該ス
トロボ装置の動作を示したタイミングチャートである。

【００５１】なお、該フローチャートおよびタイミング
チャートは、１ｓｔレリーズＳＷがオン以降の動作を示
している。

【００５２】まず、ステップＳ１でＣＰＵ１（図３参
照）からの信号ＤＣＯＮを“Ｌ”レベルとし、上記コン
パレータＯＰ２の動作を開始してＣＰＵ１等のＩＣ１０
（図４参照）の昇圧を開始する。次に、ステップＳ２で
信号ＳＴＯＦＦ←０とし、ステップＳ３でＰ１←Ｈ，ス
テップＳ４でＰ２の発振開始することで、チャージポン
プ型昇圧回路（第２の定電圧回路４）の出力ＳＣＯＮＴ
を昇圧し、ＩＧＢＴ７のゲートをオンする。

【００５３】この後、ステップＳ５において電池２のバ
ッテリーチェックを行い、ステップＳ６でメインコンデ
ンサ５の充電電圧をチェックし、ステップＳ７で測距、
測光を行う。

【００５４】次に、ステップＳ８，ステップＳ９で２ｎ
ｄレリーズＳＷがオンするのを待つ。該２ｎｄレリーズ
ＳＷがオンすると、ステップＳ１０で赤目低減用の赤目
発光が必要か否かを判断し、必要であれば露出の前に１
０回のＧNo.1程度の発光（以下プリ発光）を行う。

【００５５】ステップＳ１１でＳＴＲＧ←Ｈとして発光
開始し、ステップＳ１２で１０μｓ待ち、ステップＳ１
３でＳＴＯＦＦ←Ｈとして１０μｓの発光を行う。本実
施例では１０μｓでＧNo.1程度の発光であるが、キセノ
ン管６やメインコンデンサ５の種類によっては該発光時
間を変える必要があることはいうまでもない。

【００５６】この後、上記キセノン管６内部の電離がお
さまるまでの時間、１ｍｓを待ってから、ステップＳ１
５でＳＴＲＧ←Ｌ，ＳＴＯＦＦ←Ｌとする。ステップＳ
１６で、２１回発光していないと判断すると、ステップ
Ｓ１７で、４１ｍｓ待って次の発光を行う。

【００５７】次に、ステップＳ１８でレンズの繰り出
し、ステップＳ１９でシャッタ駆動開始する。また、ス
テップＳ２０において発光タイミングになったら、ステ
ップＳ２１でＳＴＲＧ←Ｈとして発光を開始し、発光時
間を待ってから、ＳＴＯＦＦ←Ｈとして該発光動作を止
める。なお、ストロボの発光が不要なときには、発光タ
イミングは当然なく、発光は行わない。

【００５８】ステップＳ２４で秒時終了を判断すると、
ステップＳ２５でシャッタ閉制御を行う。そして、ステ
ップＳ２６で上記端子Ｐ２から出力される信号の発振を
止め、ステップＳ２７でＰ１←Ｌとし、ステップＳ２８
でレンズ絞り込み、ステップＳ２９で１コマ巻上げを行
い、一連の露出シーケンスを終了する。

【００５９】このように、上記第１実施例のストロボ装
置によると、複雑な回路や高耐圧のスイッチング素子を
使用することなく、低電圧ゲートドライブのＩＧＢＴを
使用して発光制御を行うことができるという効果を奏す
る。

【００６０】また、内蔵する電池の消費電流を少なくす
ることができ、さらに、メインコンデンサの充電時に該
電池の電圧低下を最小限に止めることができるという効
果を奏する。

【００６１】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。

【００６２】図１０は、本発明の第２実施例のストロボ
装置における昇圧回路およびその周辺部を示した電気回
路図であり、図１１は、該昇圧回路およびその周辺部の
各部の信号波形を示した線図である。なお、図中、上記
第１実施例と同一構成要素については同一の符号を付記
しており、重複を避けるためここでの詳細な説明は省略
する。

【００６３】この第２実施例は、上記第１実施例におけ
る第２の定電圧回路４に対して、ＣＰＵ１の端子Ｐ２が
発振回路と接続されていないことを特徴とする。なお、
その他の構成は上記第１実施例と同等であるのでここで
の説明は省略する。

【００６４】図１１に示すように、Ｐ１＝Ｌ，Ｐ２＝Ｌ
の状態から、Ｐ１＝“Ｈ”レベルとし、コンデンサＣ５
を充分充電した後、Ｐ２＝“Ｈ”レベルとすることで、
ＩＧＢＴ７のゲート電圧ＶG を、ＶG ＝２×（ＶIC−ＶD ）とする。

【００６５】この第２実施例によると、上記ダイオード
Ｄ５とＩＧＢＴ７のゲートとの間に、上記第１実施例に
おけるダイオードＤ６に相当するダイオードを配設する
必要がなく、より簡単な構成で上記第１実施例と同様な
効果を得ることができる。

【００６６】次に、本発明の第３実施例について説明す
る。

【００６７】図１２は、本発明の第３実施例のストロボ
装置における昇圧回路およびその周辺部を示した電気回
路図であり、図１３は、該昇圧回路およびその周辺部の
各部の信号波形を示した線図である。なお、図中、上記
第１実施例と同一構成要素については同一の符号を付記
しており、重複を避けるためここでの詳細な説明は省略
する。

【００６８】上記第１，第２実施例では、上記ＩＧＢＴ
７のゲート電圧ＶG は定電圧ＶICに対して約２倍の電圧
値であったが、この第３実施例では、該ゲート電圧ＶG
を、ＶG ＝３×ＶIC−２×ＶD と、約３倍の電圧を発生させることを特徴としている。
なお、その他の構成は上記第１実施例と同等であるので
ここでの説明は省略する。

【００６９】この第３実施例によると、上記第１，第２
実施例のストロボ装置に対して、より低電圧の電源電池
を用いることが可能であり、また、使用するＩＧＢＴ７
の仕様の選択の幅も広がり、より設計がし易くなると共
にコストの低減を図ることができる。

【００７０】なお、この第３実施例では、上記電圧比は
約３倍としたがこれに限ることなく、上記ゲート電圧Ｖ
G は、定電圧ＶICに対して任意の倍数、たとえば、４
倍，５倍等に設定することが可能である。そして、この
場合上述した効果はより一層顕著になることは言うまで
もない。

【００７１】次に、本発明の第４実施例について説明す
る。

【００７２】図１４は、本発明の第４実施例のストロボ
装置における昇圧回路およびその周辺部を示した電気回
路図であり、図１５は、該昇圧回路およびその周辺部の
各部の信号波形を示した線図である。なお、図中、上記
第１実施例と同一構成要素については同一の符号を付記
しており、重複を避けるためここでの詳細な説明は省略
する。

【００７３】この第４実施例は、ＣＰＵ自体が定電圧化
されていないシステムに使用することを特徴としてい
る。なお、その他の構成は上記第１実施例と同等である
のでここでの説明は省略する。

【００７４】図に示すように、ツェナダイオードＺＤ１
で定電圧化された定電圧ＶZ がＣ−ＭＯＳインバータ回
路５３，５４に供給されるようになっている。そして、
ＣＰＵ１の端子Ｐ１からの出力信号で該インバータ回路
５３，５４をオンし、端子Ｐ２からの出力信号を“Ｌ”
レベル→オープン（“Ｈ”レベル）にすることで、ＩＧ
ＢＴ７のゲート電圧ＶG が、ＶG ＝２×ＶZ −ＶD となるように、電圧を蓄えるようになっている。

【００７５】この第４実施例のストロボ装置は、ＣＰＵ
自体が定電圧化されていないシステムに特に有効であ
り、よりコストの低減を図ることができると共に、設計
の自由度が増すという効果を奏する。

【００７６】次に、本発明の第５実施例について説明す
る。

【００７７】図１６は、本発明の第５実施例のストロボ
装置における昇圧回路およびその周辺部を示した電気回
路図であり、図１７は、該昇圧回路およびその周辺部の
各部の信号波形を示した線図である。なお、図中、上記
第１実施例と同一構成要素については同一の符号を付記
しており、重複を避けるためここでの詳細な説明は省略
する。

【００７８】この第５実施例は、上記第１実施例におけ
る第１の定電圧回路３がＣＰＵ１の制御により動作する
ことを特徴とした実施例である。なお、その他の構成は
上記第１実施例と同等であるのでここでの説明は省略す
る。

【００７９】図に示すように、ＣＰＵ１の端子Ｐ２から
の出力信号を“Ｈ”レベルとしてトランジスタＱ３をオ
ンした後、端子Ｐ１からの出力信号によりの定電圧回路
３′ようになっている。定電圧回路をオンする。そし
て、コンデンサＣ５に充電後、端子Ｐ２からの出力信号
を“Ｌ”レベルして上記トランジスタＱ３をオフするこ
とで、ゲート電圧ＶG（＝２×（ＶZ −ＶD ））がＩＧ
ＢＴのゲートに蓄えることになる。

【００８０】次に、本発明の第６実施例について説明す
る。

【００８１】図１８は、本発明の第６実施例のストロボ
装置における昇圧回路およびその周辺部を示した電気回
路図である。なお、図中、上記第１実施例と同一構成要
素については同一の符号を付記しており、重複を避ける
ためここでの詳細な説明は省略する。

【００８２】この第６実施例では、チャージポンプ用の
ダイオードＤ１０のアノードが、上記第１の定電圧回路
３に接続され、また、該ダイオードＤ１０のカソードが
コンデンサを介して、ＣＰＵ１の端子Ｐ１に接続される
ことを特徴としている。

【００８３】そして、上記ＣＰＵ１の端子Ｐ１からの出
力信号を“Ｌ”レベルにし、コンデンサに充電後、該端
子Ｐ１からの出力信号を“Ｈ”レベルにすると、上記ダ
イオードＤ１０のカソード電圧Ｖ1は、Ｖ1 ＝ＶIC＋（ＶIC−ＶD ）となる。また、ＣＰＵ１の端子Ｐ２からの出力信号でＰ
ＮＰトランジスタＱ５をオンすると、急速にＩＧＢＴ７
のゲート電圧ＶG が、ＶG ＝Ｖ1 −ＶCE−ＶD ＝２×（ＶIC−ＶD ）−ＶCE となり、これにより該ＩＧＢＴ７はオンする。

【００８４】上記ＩＧＢＴ７のゲートは抵抗Ｒ１０を介
してＮＰＮトランジスタＱ３に接続されており、該ＩＧ
ＢＴ７のオフは上記ＣＰＵ１のＳＴＯＦＦ端子からの出
力信号により該トランジスタＱ３をオンすることで行う
ようになっている。

【００８５】以上、上記第１ないし第６実施例において
は、ゲート制御型スイッチング素子としてＩＧＢＴを採
用したが、該スイッチング素子はＩＧＢＴに限定される
ものではなく、その他のスイッチング素子を用いること
も可能であり、当該例を以下に示す。

【００８６】図１９ないし図２３は、上記各実施例にお
いて使用できるゲート制御型スイッチング素子をそれぞ
れ示した説明図である。

【００８７】図１９は、上記ゲート制御型スイッチング
素子の一例であるＭＣＴ（MOS Controlled Thyristor
）を示した（ａ）要部拡大断面図、（ｂ）内部等価回
路図である。

【００８８】図２０は、同様に、上記ゲート制御型スイ
ッチング素子の一例であるＤＭＴ（Depletion Mode Thy
ristor）を示した（ａ）要部拡大斜視断面図、（ｂ）内
部等価回路図である。

【００８９】図２１は、同様に、ゲート制御型スイッチ
ング素子の一例であるＥＳＴ（Emitter Switched Thyri
stor）を示した（ａ）要部拡大断面図、（ｂ）内部等価
回路図である。

【００９０】図２２は、同様に、ゲート制御型スイッチ
ング素子の一例であるＢＲＴ（BaseResistance Control
led Thyristor）を示した（ａ）要部拡大斜視断面図、
（ｂ）内部等価回路図である。

【００９１】図２３は、同様に、ゲート制御型スイッチ
ング素子の一例であるＤＧＭＯＳ（Double Gate MOS De
vice）を示した（ａ）要部拡大斜視断面図、（ｂ）内部
等価回路図である。

【００９２】上記各実施例により、複雑な回路や高耐圧
のスイッチング素子を使用することなく、低電圧ゲート
ドライブのＩＧＢＴを使用して発光制御を行うことがで
きる。

【００９３】[付記]以上詳述した如き本発明の実施態様
によれば、以下の如き構成を得ることができる。即ち、（１）ストロボの放電発光管を発光させる電荷を蓄積す
るメインコンデンサと、このメインコンデンサ及び上記
放電発光管と直列に接続される放電ループを形成してい
て、略１０Ｖ以下のゲート電圧で作動するゲート制御型
スイッチング素子と、２〜３．５Ｖ程度の低電圧電源を
略３Ｖ程度の定電圧に昇圧又は降圧する定電圧回路と、
この定電圧回路からの出力によって動作するストロボ制
御手段と、このストロボ制御手段からの出力によって、
上記メインコンデンサを充電する充電回路と、上記ゲー
ト制御型スイッチング素子を制御するゲート電圧に、上
記ストロボ制御手段からの出力を昇圧し供給するチャー
ジポンプ型昇圧回路と、を具備したストロボ装置。

【００９４】（２）ストロボの放電発光管を発光させる
電荷を蓄積するメインコンデンサと、このメインコンデ
ンサ及び上記放電発光管と直列に接続される放電ループ
を形成していて、略１０Ｖ以下のゲート電圧で作動する
ゲート制御型スイッチング素子と、２〜３．５Ｖ程度の
低電圧電源を略３Ｖ程度の定電圧に昇圧又は降圧する定
電圧回路と、この定電圧回路からの出力によって動作す
るストロボ制御手段と、上記定電圧回路からの出力を上
記ゲート制御型スイッチング素子を制御する上記ゲート
電圧に昇圧するチャージポンプ型昇圧回路と、を具備し
たストロボ装置。

【００９５】（３）上記ゲート制御型スイッチング素子
は、ＩＧＢＴ，ＭＣＴ又はＦＥＴであることを特徴とす
る、上記（１）または（２）に記載のストロボ装置。

【００９６】また、上記（１）項記載のストロボ装置
は、メインコンデンサでストロボの放電発光管を発光さ
せる電荷を蓄積する。また、ゲート制御型スイッチング
素子は、上記メインコンデンサ及び上記放電発光管と直
列に接続される放電ループを形成していて、略１０Ｖ以
下のゲート電圧で作動する。さらに、定電圧回路で、２
〜３．５Ｖ程度の低電圧電源を略３Ｖ程度の定電圧に昇
圧又は降圧する。また、ストロボ制御手段は、上記定電
圧回路からの出力によって動作する。さらに、充電回路
で、上記ストロボ制御手段からの出力により上記メイン
コンデンサを充電する。また、チャージポンプ型昇圧回
路は、上記ゲート制御型スイッチング素子を制御するゲ
ート電圧に、上記ストロボ制御手段からの出力を昇圧し
供給する。

【００９７】さらに、上記（２）項記載のストロボ装置
は、メインコンデンサでストロボの放電発光管を発光さ
せる電荷を蓄積する。また、ゲート制御型スイッチング
素子は、上記メインコンデンサ及び上記放電発光管と直
列に接続される放電ループを形成していて、略１０Ｖ以
下のゲート電圧で作動する。さらに、定電圧回路は、２
〜３．５Ｖ程度の低電圧電源を略３Ｖ程度の定電圧に昇
圧又は降圧する。また、ストロボ制御手段は、上記定電
圧回路からの出力により動作する。さらに、チャージポ
ンプ型昇圧回路で、上記定電圧回路からの出力を上記ゲ
ート制御型スイッチング素子を制御する上記ゲート電圧
に昇圧する。

【００９８】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、低
電圧電源の消費電力を増加させずに、正確にストロボ発
光を行う、小型のストロボ装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例であるストロボ装置の基本
的な構成を示すブロック図である。

【図２】上記第１実施例のストロボ装置が適用されるカ
メラの主要な構成を示したブロック図である。

【図３】上記図１に示した上記第１実施例のストロボ装
置の構成をさらに詳しく示したブロック回路図である。

【図４】上記第１実施例のストロボ装置における第１の
定電圧回路およびその周辺部を詳しく示した電気回路図
である。

【図５】上記第１実施例のストロボ装置におけるチャー
ジポンプ型昇圧回路（第２の定電圧回路）およびその周
辺部を示した電気回路図である。

【図６】上記第１実施例のストロボ装置における、第２
の定電圧回路および周辺部における各部の信号波形を示
した線図である。

【図７】上記第１実施例のストロボ装置に採用したＩＧ
ＢＴの一例の断面構造を示した断面図である。

【図８】上記第１実施例のストロボ装置の動作を示した
フローチャートである。

【図９】上記第１実施例のストロボ装置の動作を示した
タイミングチャートである。

【図１０】本発明の第２実施例のストロボ装置における
昇圧回路およびその周辺部を示した電気回路図である。

【図１１】上記第２実施例のストロボ装置における昇圧
回路およびその周辺部の各部の信号波形を示した線図で
ある。

【図１２】本発明の第３実施例のストロボ装置における
昇圧回路およびその周辺部を示した電気回路図である。

【図１３】上記第３実施例のストロボ装置における昇圧
回路およびその周辺部の各部の信号波形を示した線図で
ある。

【図１４】本発明の第４実施例のストロボ装置における
昇圧回路およびその周辺部を示した電気回路図である。

【図１５】上記第４実施例のストロボ装置における昇圧
回路およびその周辺部の各部の信号波形を示した線図で
ある。

【図１６】本発明の第５実施例のストロボ装置における
昇圧回路およびその周辺部を示した電気回路図である。

【図１７】上記第５実施例のストロボ装置における昇圧
回路およびその周辺部の各部の信号波形を示した線図で
ある。

【図１８】本発明の第６実施例のストロボ装置における
昇圧回路およびその周辺部を示した電気回路図である。

【図１９】上記各実施例のストロボ装置に適用される、
ゲート制御型スイッチング素子の一例であるＭＣＴ（MO
S Controlled Thyristor ）を示した（ａ）要部拡大断
面図、（ｂ）内部等価回路図である。

【図２０】上記各実施例のストロボ装置に適用される、
ゲート制御型スイッチング素子の一例であるＤＭＴ（De
pletion Mode Thyristor）を示した（ａ）要部拡大斜視
断面図、（ｂ）内部等価回路図である。

【図２１】上記各実施例のストロボ装置に適用される、
ゲート制御型スイッチング素子の一例であるＥＳＴ（Em
itter Switched Thyristor）を示した（ａ）要部拡大断
面図、（ｂ）内部等価回路図である。

【図２２】上記各実施例のストロボ装置に適用される、
ゲート制御型スイッチング素子の一例であるＢＲＴ（Ba
se Resistance Controlled Thyristor）を示した（ａ）
要部拡大斜視断面図、（ｂ）内部等価回路図である。

【図２３】上記各実施例のストロボ装置に適用される、
ゲート制御型スイッチング素子の一例であるＤＧＭＯＳ
（Double Gate MOS Device）を示した（ａ）要部拡大斜
視断面図、（ｂ）内部等価回路図である。

【符号の説明】１…ＣＰＵ２…電池３…第１の定電圧回路４…第２の定電圧回路（チャージポンプ型昇圧回路）５…メインコンデンサ６…放電発光管（キセノン管，Ｘｅ管）７…ゲート制御型スイッチング素子８…ストロボ充電回路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ストロボの放電発光管を発光させる電荷を
蓄積するメインコンデンサと、このメインコンデンサ及び上記放電発光管と直列に接続
される放電ループを形成していて、第１の電圧以下のゲ
ート電圧で作動するゲート制御型スイッチング素子と、上記ゲート電圧より低い第２の電圧を生成する低電圧電
源と、この低電圧電源からの第２の電圧を定電圧化し、該第２
の電圧にほぼ等しく、かつ上記ゲート電圧より低い定電
圧を生成する第１の定電圧回路と、この第１の定電圧回路からの出力電圧に基づいて動作す
るストロボ制御手段と、このストロボ制御手段の制御により上記メインコンデン
サを充電する充電回路と、上記ストロボ制御手段からの出力電圧を昇圧し、上記ゲ
ート電圧を生成する第２の定電圧回路と、を具備したことを特徴とするストロボ装置。
【請求項２】ストロボの放電発光管を発光させる電荷を
蓄積するメインコンデンサと、このメインコンデンサ及び上記放電発光管と直列に接続
される放電ループを形成していて、第１の電圧以下のゲ
ート電圧で作動するゲート制御型スイッチング素子と、上記ゲート電圧より低い第２の電圧を生成する低電圧電
源と、この低電圧電源からの第２の電圧を定電圧化し、該第２
の電圧にほぼ等しく、かつ上記ゲート電圧より低い定電
圧を生成する第１の定電圧回路と、この第１の定電圧回路からの出力電圧に基づいて動作す
るストロボ制御手段と、上記第１の定電圧回路からの出力電圧を上記ゲート電圧
に昇圧する第２の定電圧回路と、を具備したことを特徴とするストロボ装置。
【請求項３】上記ゲート制御型スイッチング素子は、Ｉ
ＧＢＴ，ＭＣＴ又はＦＥＴであることを特徴とする、請
求項１または請求項２に記載のストロボ装置。