JP2000223293A - 放電灯点灯回路装置、液晶モジュール及び情報機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】低い電源電圧で圧電トランスを使って冷陰極管
を点灯する場合、十分な二次電圧を得るためには一次側
に電磁トランスや昇圧コンバータが必要になり変換効率
の低下につながる。またインバータの小型化上の問題と
なる。 【解決手段】プッシュプル型の共振回路を一次側に接続
し、電磁トランスを用いずに二次側に高い電圧を発生さ
せる。 【効果】一次側に昇圧用電磁トランスや昇圧コンバータ
を使用しないため小型化高効率化の効果が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は放電灯点灯回路装
置、液晶モジュール及び情報機器に関し、特に小型化に
有利な放電灯点灯回路装置、液晶モジュール及び情報機
器に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の圧電トランスを使った液晶バック
ライトインバータは特開平８−２７５５５３号公報に記
載されているように、圧電トランスの前段に設けられた
オートトランスに交流電流を流してオートトランスの一
次側に交流電圧を発生させ、オートトランスの巻き数比
に応じて昇圧された二次側電圧を圧電トランスの一次側
に入力し、更に圧電トランスで昇圧された電圧が圧電ト
ランスの二次側に接続された冷陰極管に印加される構成
になっていた。この方式では圧電トランスの前段に電磁
式のオートトランスを用いているため小型化に制限があ
るという課題を有していた。またオートトランスは巻き
線が複数になるためコストが高くなるという課題もあ
る。一方、特開昭５０−８６６２０号公報に記載されて
いる従来例は、圧電トランスの前段で電磁トランスによ
る昇圧を用いずにチョークコイルとコンデンサとスイッ
チング素子を用いて交流電圧を発生させ、圧電トランス
の一次側に交流電圧を入力する構成となっている。この
方式では圧電トランスの前段に電磁トランスを用いてい
ないため小型化には有利であるが圧電トランスの前段で
昇圧されないため、電源電圧が低い場合圧電トランスに
入力される電圧も低くなってしまい、圧電トランスの二
次側に冷陰極管の点灯維持に必要な電圧が得られないと
いう課題があった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ノート型パーソナルコ
ンピュータ等の携帯型情報機器は形状が小型で持ち運び
が容易である点に特徴がある。したがってこのような機
器に内蔵される液晶バックライトインバータも小型化す
ることが非常に重要である。更に持ち運びされるため電
源は電池が使われる。電池の使用時間をより長くするた
め液晶バックライトインバータは高効率である点も重要
である。そこで小型で高効率という特徴をもつ圧電トラ
ンスを使った液晶バックライトインバータが携帯型情報
機器に使用される例が増えている。

【０００４】しかし上記従来技術では、電源電圧が５Ｖ
前後と低い場合に点灯時のランプの管電圧が５００Ｖ〜
７００Ｖ前後と高い冷陰極管の点灯維持に必要な電圧を
得るためには圧電トランスの前段に電磁トランスあるい
は昇圧型コンバータが必要なためインバータの小型化お
よび高効率化に対し大きな制限事項となっていた。

【０００５】電磁トランスの昇圧が必要ない程度まで圧
電トランスの昇圧比を上げることは圧電トランス自体の
大型化と効率の低下を招き、圧電トランスの小型で高効
率という特徴が損なわれ、やはりインバータの小型化が
困難になる。

【０００６】なお、本発明に関連する公知例として特開
平10-127058号公報がある。これの例えば、図４には本
発明の実施例に係る昇圧回路（インバータ点灯回路）に
類似した構成が開示されている。但し、これらの構成で
は、後述する、圧電トランスの第一および第二の一次側
端子間にコンデンサを接続する構成の開示がない点など
に相違点がある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明の実施例では以下の構成とした。

【０００８】直流電源の両極間に第一のチョークコイル
と第一の半導体スイッチとで構成される第一の直列回路
と、第二のチョークコイルと第二の半導体スイッチとで
構成される第二の直列回路とを並列に接続し、前記第一
のチョークコイルと前記第一の半導体スイッチの中点と
前記第二のチョークコイルと前記第二の半導体スイッチ
の中点とをそれぞれ圧電トランスの第一および第二の一
次側端子に接続し、前記圧電トランスの第一および第二
の一次側端子間にコンデンサを接続し、前記圧電トラン
スの出力に冷陰極管を接続する構成とした。

【０００９】この構成において、上記コンデンサが必要
な理由は以下の通りである。前記回路は前記第一および
第二のチョークコイルと前記圧電トランスの入力容量と
前記圧電トランスの第一および第二の一次側端子間のコ
ンデンサとの間で共振回路を形成しており、固有の共振
周波数を有している。また前記圧電トランス自身も自己
共振周波数を有している。前記共振回路の共振周波数と
前記圧電トランスの自己共振周波数がほぼ等しい時に最
も変換効率の高い放電灯点灯装置が得られる。一方放電
灯点灯装置が出力可能な電力は前記第一および第二のチ
ョークコイルのインダクタンス値に反比例するため、放
電灯に必要な電力を供給し得るインダクタンス値以下の
値に設定しなければならないため、インダクタンスの選
定できる範囲が制約される。圧電トランスの入力容量お
よび圧電トランスの自己共振周波数は圧電トランスの構
造に依存する。したがって、前記共振回路の共振周波数
と前記圧電トランスの自己共振周波数をほぼ等しくする
ためにはチョークコイルのインダクタンス以外の調整手
段が必要になる。そこで、前記圧電トランスの第一およ
び第二の一次側端子間にコンデンサを入れ、この容量値
を調整することによって前記共振回路の共振周波数と前
記圧電トランスの自己共振周波数がほぼ等しくなるよう
にすれば、圧電トランスの性能を最大限に引き出すこと
ができる。

【００１０】このような構成にすることにより一次側に
昇圧型コンバータや電磁トランス等の昇圧手段を用いず
に、圧電トランスの二つの一次側電極間に電源電圧の約
２倍の交流電圧を発生させることができる。圧電トラン
スの昇圧比は大きくなるほど変換効率が低下する傾向に
はあるが７０以下程度までであれば変換効率９０％以上
が得られる。一方一次側に昇圧補助手段として昇圧型コ
ンバータを設けると約１０％程度の効率低下が生じ、更
に回路が複雑化するためコストが上昇する。また一次側
に昇圧補助手段として電磁トランスを用いるとやはり数
％程度の効率低下が生じ、更にトランス巻き線が複雑化
するためコストが上昇する。したがって、本発明の実施
例の構成によれば電源電圧が５Ｖと低い電圧であって
も、圧電トランスの一次側に昇圧型コンバータや電磁ト
ランスを使用せずに管電圧が７００Ｖ程度までの冷陰極
管を点灯させることができるため、高効率で低コストの
液晶バックライトインバータを実現することができる。
冷陰極管は管電流が大きくなると管電圧が低下し、管電
流が小さくなると管電圧が上昇する傾向にある。通常、
液晶バックライトインバータは管電流を変化させてバッ
クライトの明るさを変化させることができる機能、すな
わち調光機能を有する。バックライトの明るさが最も暗
い状態の時、すなわち管電流が最も小さいときに７００
Ｖ程度の管電圧値を示す冷陰極管は、バックライトの明
るさが最も明るい状態の時、すなわち管電流が最も大き
いときには５００Ｖ程度に低下する。

【００１１】したがって管電流が最も小さいときに管電
圧が７００Ｖ以下になる用途に上記の構成を使用すれば
本発明の実施例の効果を最大限に発揮することができ
る。

【００１２】

【発明の実施の形態】次に本発明の１実施例を図面を用
いて説明する。図１は本発明の１実施例を説明するため
の回路図を示し、１が直流電源、２および３はチョーク
コイル、４および５はスイッチングトランジスタ、６は
コンデンサ、７は圧電トランス、８は冷陰極管、９は管
電流検出回路、１０は周波数制御回路、１１は反転回
路、１８は遅延回路である。また図２は周波数制御回路
１０の回路構成を示す回路図で２２はエラーアンプ、２
１は電圧制御発振器を示す。

【００１３】図３は図１の回路の各部の動作波形を示
す。（ａ）は周波数制御回路１０の出力電圧波形、
（ｂ）は反転回路１１の出力電圧波形でスイッチングト
ランジスタ４のゲートに入力される。（ｃ）は遅延回路
１８の出力電圧波形でスイッチングトランジスタ５のゲ
ートに入力される。（ｄ）はスイッチングトランジスタ
４のドレイン電圧波形で（ｅ）はスイッチングトランジ
スタ５のドレイン電圧波形である。（ｆ）は圧電トラン
ス７の２つの一次側電極間の電圧波形である。

【００１４】スイッチングトランジスタ４および５は
（ｂ）および（ｃ）に示すゲート駆動電圧により交互に
開閉動作する。スイッチングトランジスタ４および５が
交互に開閉動作すると、チョークコイル２および３に交
互に電流が流れ、チョークコイル２および３は電磁エネ
ルギーの蓄積、放出を交互に繰り返す。チョークコイル
２および３から電磁エネルギーが交互に放出されるため
コンデンサ６および圧電トランス７の入力容量に交番電
流が流れるため共振が生じる。このためスイッチングト
ランジスタ４および５のドレイン電圧波形は図３の
（ｄ）（ｅ）のようになり、圧電トランス７の２つの一
次側電極間の電圧波形は（ｆ）のようになる。

【００１５】このとき直流電源１の電圧の約２倍の電圧
が一次側電極間に入力され、更に一次側電極間電圧を圧
電トランス７の昇圧比倍した電圧が圧電トランス７の二
次側電極間に出力される。圧電トランス７の二次側に発
生する電圧によって駆動される冷陰極管８に流れる電流
は管電流検出回路９によって検出され、検出電流値が所
望の値になるよう周波数制御回路１０から出力される周
波数が制御される。エラーアンプ２２では管電流検出回
路９で検出された管電流に相当する電圧値と基準電圧源
２３の基準電圧との比較を行い、その差分に相当する電
圧を出力する。電圧制御発振器２１は入力された電圧が
高いときは高い周波数の信号を、入力された電圧が低い
ときは低い周波数の信号を出力する。また圧電トランス
７の出力電流Ｉoutはそのときの周波数をｆとすると図
５に示すような特性を示す。例えばある時点の電圧制御
発振器２１から出力される信号の周波数がｆｂとする。
このとき図５からわかるように圧電トランス７からは、
所望の管電流値Ｉａよりも低いＩｂの電流が出力され、
冷陰極管８にもほぼＩｂに等しい電流が流れる。基準電
圧源２３の電圧は所望の管電流値Ｉａが流れたときに管
電流検出回路９から出力される電圧に設定されている。
したがってＩｂの管電流が流れているときに管電流検出
回路９から出力される電圧は基準電圧源２３の電圧より
も低い電圧になる。そのため、エラーアンプ２２から出
力される電圧は、所望の管電流が流れているときにエラ
ーアンプ２２から出力される電圧よりも低い電圧が出力
される。その結果、電圧制御発振器２１の発振周波数が
低くなり、図５の特性からわかるように圧電トランスの
出力電流が増加し所望の出力電流Ｉａが得られる周波数
ｆａに周波数が制御され、最終的にはエラーアンプ２２
の二つの入力端子の電圧が一致して安定動作を継続す
る。

【００１６】周波数制御回路１０からは図３（ａ）に示
すような波形が出力され、この波形を反転回路１１が反
転した電圧波形（ｂ）がスイッチングトランジスタ４の
ゲートに入力される。（ｂ）の波形は（ａ）の波形を反
転し、更に反転回路１１の遅延時間分（Ｔｄ１，Ｔｄ
２）遅れた波形になる。（ａ）の波形は遅延回路１８に
も入力され、（ｃ）に示すように立ち上がり遅延時間
（Ｔｄ３）および立ち下がりの遅延時間（Ｔｄ４）分
（ａ）の波形から遅れた電圧波形（ｃ）が出力される。

【００１７】Ｔｄ３＜Ｔｄ１且つＴｄ２＜Ｔｄ４にする
ことにより（ｂ）と（ｃ）の波形のうち電圧の低い期間
が重なることはなくなる。図６に示す回路図は遅延回路
１８の遅延特性がＴｄ３＜Ｔｄ１且つＴｄ２＜Ｔｄ４と
なるようにするための回路例である。図６において２８
はスイッチングトランジスタ５の駆動回路、２９はコン
デンサ、３０および３１は抵抗、３２および３３はダイ
オードである。遅延回路１８の入力信号の立ち上がりの
ときはダイオード３２、抵抗３０、コンデンサ２９の経
路で電流が流れ抵抗３０およびコンデンサ２９の時定数
分遅れて駆動回路２８に遅延回路１８の入力信号が入力
される。一方遅延回路１８の入力信号の立ち下がりのと
きはコンデンサ２９、抵抗３１、ダイオード３３の経路
で電流が流れ抵抗３１およびコンデンサ２９の時定数分
遅れて駆動回路２８に遅延回路１８の入力信号が入力さ
れる。したがってコンデンサ２９と抵抗３０および３１
の値を調整することによりＴｄ３＜Ｔｄ１且つＴｄ２＜
Ｔｄ４の関係を満足することができる。

【００１８】（ｂ）と（ｃ）の波形のうち電圧の低い期
間が重なるとスイッチングトランジスタ４および５が同
時に開状態になる期間が生じてしまう。図４は図１の回
路図において遅延回路１８の遅延時間がゼロの場合の各
部の波形図を示す。この場合スイッチングトランジスタ
４および５が同時に開状態になる期間が生じる。そのた
め、この期間にチョークコイル２および３にサージ電圧
が発生し、サージ電圧が圧電トランスの一次側電極に印
加されて、圧電トランスには非常に大きな加速度の振動
が発生し、極端な場合圧電トランスが破壊する場合があ
る。上記のようにスイッチングトランジスタ４および５
の閉の状態がわずかに重なるように制御することにより
サージ電圧の発生を防止でき圧電トランスの信頼性を高
めることができる。但しスイッチングトランジスタ４お
よび５が同時に閉状態になる期間が、スイッチングトラ
ンジスタ４あるいは５が周期的に開閉を繰り返すうちの
１回あたりの閉時間の５％の時間を超えると、変換効率
が低下する。

【００１９】ところで、液晶バックライトインバータは
例えば冷陰極管が出力に接続されていない場合、１００
０Ｖ前後あるいはそれ以上の非常に高い電圧が出力され
続けるため圧電トランスが発熱して故障する恐れがあ
る。その対策として約１秒〜数十秒間の一定時間以上経
過しても冷陰極管が点灯しない場合、周波数制御回路の
動作を停止させ出力電圧が出ないようにする不点灯保護
回路を設けることが一般に行われる。図７では一定時間
以上経過しても冷陰極管が点灯しない場合、周波数制御
回路の出力電圧を低い電圧状態に固定し、出力を停止さ
せる一実施例の回路図を示す。

【００２０】図７において１２はダイオード１３、コン
デンサ１４、抵抗１５、基準電圧源１６、電圧比較器１
７から構成される制御信号検出回路、１９は不点灯検出
回路、２０は遅延回路、２７はスイッチ２４、コンデン
サ２５、抵抗２６で構成される駆動電圧制御回路であ
る。

【００２１】不点灯検出回路１９は冷陰極管７を流れる
電流が所定の電流値以下であることを検出する回路で、
インバータの動作開始後遅延回路２０で定められた時間
以上冷陰極管７を流れる電流が所定の電流値以下の状態
が続いた場合周波数制御回路１０の出力電圧を低い電圧
状態に固定するよう動作する。図８は不点灯検出回路１
９および遅延回路２０の実施例を示すものである。図８
において６５は不点灯検出回路１９の入力端子、６６は
管電流検出抵抗、６７および６８はダイオード、６９は
コンデンサ、７０および７１は抵抗、７２はトランジス
タ、７３は抵抗７４はコンデンサ、７５は基準電源、７
６および７７は抵抗、７８はトランジスタ、７９は遅延
回路２０の出力端子である。入力端子６５は冷陰極管８
に接続され冷陰極管８が点灯して管電流が流れると、管
電流の一部が抵抗６６に流れ電圧を発生する。ダイオー
ド６７および６８で抵抗６６に発生する電圧を整流し、
コンデンサ６９で平滑して直流電圧として取り出す。コ
ンデンサ６９の両端電圧を抵抗７０および７１で分圧し
た電圧がトランジスタ７２のベースに入力される。冷陰
極管８に所望の管電流値以上の電流が流れたときにトラ
ンジスタ７２のベースがＯＮ電圧に達するよう抵抗６
８、７０、７１の値を予め設定しておく。したがって冷
陰極管８に所望の管電流値以上の電流が流れたときにト
ランジスタ７２はＯＮするためコンデンサ７４の両端電
圧はほぼ０Ｖになり、トランジスタ７８はＯＦＦとな
る。したがって出力端子７９はハイインピーダンス状態
になるため周波数制御回路１０の出力信号にしたがって
スイッチングトランジスタ４および５が動作する。一方
冷陰極管８が故障していたり、冷陰極管８と圧電トラン
ス７との間の接続が外れていたりして冷陰極管８が点灯
しなかった場合、冷陰極管８には所望の管電流値以上の
電流が流れない。その場合、トランジスタ７８がＯＮす
るために必要な電圧が抵抗７１の両端に発生しないた
め、トランジスタ７２はＯＦＦ状態となる。トランジス
タ７２はＯＦＦ状態となると、基準電源７５から抵抗７
３を介してコンデンサ７４が徐々に充電され、ついには
コンデンサ７４の両端電圧を抵抗７６および７７で分圧
した電圧値がトランジスタ７８のＯＮ電圧に達する。ト
ランジスタがＯＮすると周波数制御回路１０の出力電圧
は低い電圧レベルになる。周波数制御回路１０の出力電
圧が低い電圧レベルになるとスイッチングトランジスタ
４および５は交互に動作しなくなるので圧電トランス７
には交流電圧が供給されなくなる。そのため冷陰極管８
は点灯することはなくなるため、トランジスタ７８はＯ
Ｎの状態、すなわち周波数制御回路１０の出力電圧は低
い電圧レベルに固定される。したがって遅延時間は抵抗
７３、７６、７７の抵抗値やコンデンサ７４の容量値、
基準電圧７５の電圧値などで調整することができる。

【００２２】更に周波数制御回路１０の出力電圧が低い
電圧状態で固定されると、スイッチングトランジスタ５
は開の状態で固定されるため電流は流れなくなる。一方
スイッチングトランジスタ４はそれを反転した極性すな
わち高い電圧の信号がゲートに入力されるため閉状態で
固定される。そのため直流電源１からチョークコイル２
を通して過電流が流れ、スイッチングトランジスタ４は
破壊する。この現象は上記のような不点灯検知回路１９
の作用でスイッチングトランジスタ４および５の動作を
停止させる場合に限らず、点灯装置の動作を停止させる
場合には常に発生する可能性がある。

【００２３】上記したスイッチングトランジスタ４の破
壊を防止するため信号検出回路１２は周波数制御回路１
０の出力電圧が低い電圧状態で固定された場合にスイッ
チングトランジスタ４も開状態に固定して過電流が流れ
ないよう動作する。図９は図７の回路の動作説明図であ
る。図９（ａ）の（Ｉ）の時点のように周波数制御回路
１０から制御信号が出力されているときは、ダイオード
１３を介してコンデンサ１４が充電される。

【００２４】図９（ｂ）はコンデンサ１４の両端電圧波
形で、（Ｉ）の時点のコンデンサ１４の両端電圧よりも
低い電圧値に基準電圧源１６の電圧Ｖ１６を設定してお
く。

【００２５】したがってこのとき電圧比較器１７の非反
転入力端子の電圧が反転入力端子の電圧よりも高くなる
ので、電圧比較器１７の出力はハイレベルを出力しスイ
ッチ２４が閉じて反転回路１１に電圧を供給し、図９
（ｃ）に示すように反転回路１１の出力電圧がスイッチ
ングトランジスタ４のゲートに入力され、正常に動作を
行う。図９（ｄ）はスイッチングトランジスタ４の電流
波形、図９（ｅ）はスイッチングトランジスタ４の電圧
波形を示す。

【００２６】次に周波数制御回路１０の出力電圧が低い
電圧状態で固定された場合、すなわち図９の（ＩＩ）の
時点になると、コンデンサ１４の両端電圧は抵抗１５を
介して放電し、基準電圧源１６の電圧値Ｖ１６よりも低
下する。このため電圧比較器１７の非反転入力端子の電
圧が反転入力端子の電圧よりも低くなるので、電圧比較
器１７の出力は低い電圧状態で固定され、スイッチ２４
が開く。スイッチ２４が開くと反転回路１１の電源端子
電圧はコンデンサ２５および抵抗２６の時定数で低下す
る。そのため図７（ｃ）に示すように反転回路１１の出
力電圧もコンデンサ２５および抵抗２６の時定数で低下
する。図９の（ＩＩ）の時点になるとスイッチングトラ
ンジスタ４は閉状態に固定されるのでスイッチングトラ
ンジスタ４に流れる電流はチョークコイル２のインダク
タンスと直流電源１の電圧によって決まる傾斜で増加し
ていくが、反転回路１１の出力電圧がコンデンサ２５お
よび抵抗２６の時定数で低下していくと徐々にスイッチ
ングトランジスタ４のＯＮ抵抗が増加し、ある時点から
電流は減少し始める。反転回路１１の出力電圧が低下す
るとついにはスイッチングトランジスタ４は電流を流す
能力を失い開状態に固定される。

【００２７】抵抗１５とコンデンサ１４の時定数は大き
すぎるとコンデンサ１４の電荷を放電するのに時間がか
かるため、図９（ＩＩ）時点でスイッチングトランジス
タ４が閉状態に固定されてから電流が減少し始めるまで
に過電流が流れる。したがってインバータの動作周期の
半周期から１周期程度の時定数にするのが望ましい。

【００２８】抵抗２６とコンデンサ２５の時定数も大き
すぎるとコンデンサ１４の電荷を放電するのに時間がか
かるため、図９（ＩＩ）時点でスイッチングトランジス
タ４が閉状態に固定されてから電流が減少し始めるまで
に過電流が流れる。反対に小さすぎると図９（ＩＩ）時
点でスイッチングトランジスタ４の電流が減少し始めて
からの電流の減少の傾斜が大きくなりすぎ、図９（ｅ）
に示すようにスイッチングトランジスタ４の両端に大き
な電圧を発生させてしまう。スイッチングトランジスタ
４の耐圧をＶ１、チョークコイル２のインダクタンスを
Ｌとすると、スイッチングトランジスタ４の電流の低下
する時間的割合がＶ１／Ｌの値以下となるよう抵抗２６
とコンデンサ２５の時定数を調整することにより、この
ときに発生する電圧がスイッチングトランジスタ４の耐
圧を超えないようにすることができ、上記過電圧の発生
によるスイッチングトランジスタ４の破壊を防止でき
る。ここでスイッチングトランジスタ４の耐圧Ｖ１と
は、例えば、電界効果型トランジスタにおいてはドレイ
ン−ソース間耐圧の規格値、バイポーラトランジスタに
おいてはコレクタ−エミッタ間耐圧の規格値をいう。

【００２９】図７の回路図では駆動電圧制御回路２７を
用いて過電圧の発生を防止する例を示した。図１０の回
路図は駆動電圧制御回路２７を用いずに過電圧の発生を
防止する回路の一実施例を示す。

【００３０】図１０において３４はスイッチングトラン
ジスタ４の駆動回路、３５は反転回路を示す。また駆動
回路３４の構成を図１１に示す。その他図７と等しい記
号の部分は同一もしくは同等の部分を示す。図１１にお
いてＧ１はスイッチングトランジスタ４のゲート、５Ｖ
は直流電源１の高電圧側、ＤＲＶ１は周波数制御回路１
０の出力に、各々接続されている。また、ＣＨＯＰには
電圧比較器１７の出力を反転させた信号が入力される。
３６〜４１はトランジスタ、４２〜４６はダイオード、
４７〜５６は抵抗を示す。通常の動作中は上記したよう
に電圧比較器１７の出力は低い電圧レベルなのでそれを
反転した高い電圧レベルの信号がＣＨＯＰに入力されト
タンジスタ４１がＯＮしトランジスタ３６がＯＮする。
このときＤＲＶ１が高い電圧レベルのときはトランジス
タ４０がＯＮするためＧ１は低い電圧レベルになり、Ｄ
ＲＶ１が低い電圧レベルのときはトランジスタ３６を介
してトランジスタ３７にベース電流が流れるのでトラン
ジスタ３７がＯＮしてＧ１は高い電圧レベルとなる。ダ
イオード４２はトランジスタ４０のＯＮ時にトランジス
タ３７がＯＮしないためのダイオードである。したがっ
てＧ１に高い電圧レベルが入力されている間はＧ１には
ＤＲＶ１に入力された信号の反転信号が入力され図７で
説明した回路動作と同様の動作を行う。一方図７で説明
したように回路動作を停止させる直前あるいは冷陰極管
８が点灯しなかった場合電圧比較器１７の出力は高い電
圧レベルに変化するためＣＨＯＰには低い電圧レベルの
信号が入力される。ＣＨＯＰに低い電圧レベルの信号が
入力されるとトランジスタ４１はＯＦＦするためトラン
ジスタ３６もＯＦＦに遷移する。またトランジスタ３９
はＯＦＦに遷移するためトランジスタ３８はＯＮに遷移
する。このためＧ１の電位はまずトランジスタ３８のコ
レクタに接続されたダイオード４３〜４６の順方向電圧
で表される電位に降下し，Ｇ１の電位がダイオード４３
〜４６の順方向電圧よりも低くなるとハイインピーダン
スとなる。そのため，抵抗４７を介して徐々にスイッチ
ングトランジスタ４のゲートに蓄積されていた電荷を放
出しながら電位をさげる。ダイオードは一般的に一個あ
たり０．７Ｖの順方向電圧をもつので本実施例では０．
７Ｖ×４＝２．８Ｖまで急峻にＧ１の電位が降下する。
Ｇ１の電位を２．８Ｖまで急峻に効果させる理由は次の
とおりである。まず抵抗４７のみでＧ１の電位すなわち
スイッチングトランジスタ４の駆動電圧を減少させる
と，ＣＨＯＰの信号が低い電圧レベルになってもＧ１の
電位が徐々にしか減少しない。そのため，しばらくスイ
ッチングトランジスタ４のＯＮ状態が続くことになり，
その分チョークコイル２に余分なエネルギが蓄積される
のでスイッチングトランジスタ４が実際にＯＦＦになる
時の過電圧の発生やチョークコイル２の飽和などの問題
が起こる可能性がある。一方，一般的なＭＯＳ ＦＥＴ
はゲート電圧が３Ｖ付近から徐々にＯＦＦ状態になる。
そこで，インバータの動作停止時に２．８Ｖ付近まで急
峻に下げればＯＮ期間が継続することなく速やか且つ徐
々にＯＦＦ状態になり，Ｇ１のスイッチ駆動信号が所定
の傾きで減少するのでスイッチの破壊などを防止するこ
とができる。

【００３１】また図１１のＣＨＯＰの端子にＰＷＭ信号
を入力することにより、過電圧の発生することのないＰ
ＷＭ調光を行うことができる。ＰＷＭ調光とは冷陰極管
８の駆動周波数に比べて十分低い周波数でインバータの
動作を断続させ、そのデューティを変化させることによ
って調光を行う方式である。インバータの動作を断続さ
せるため、インバータが動作状態から不動作状態に遷移
するときに上記図７で説明した内容と同様の理由でスイ
ッチングトランジスタに過電圧が発生する。ところがこ
のような構成にすることにより、ＰＷＭ信号の各サイク
ルでインバータが動作状態から不動作状態に遷移すると
きにスイッチングトランジスタのゲート電圧が徐々に低
下するようになるため過電圧が発生することはない。

【００３２】図12は、上記実施例に係る放電灯点灯回路
装置を組み込むか又はそれと組み合わせて使用する液晶
モジュールの一例の断面図である。同図においては、そ
れに組み込まれた冷陰極管からの放射光およびその放射
光の反射板からの反射光は導光板に導かれる。この光は
拡散板の側から導光体の外に導かれる。この図では液晶
板、液晶装置の駆動回路、枠体は図示を省略してある。
また、本発明の実施例に係る放電灯点灯回路装置は液晶
モジュールに組み込んでもよいし、それとは別体として
情報機器に組み込んでもよい。放電管（蛍光ランプ等）
は液晶モジュールに組み込んで使用する。

【００３３】図13は、本発明の実施例に係る液晶モジュ
ールおよび／または放電灯点灯回路装置を組み込んだ情
報機器（例えば、液晶表示装置を有するパーソナルコン
ピュータ）を示す図である。この機器は液晶表示画面
1、放電管2、放電灯点灯回路装置3、データ入力手段、
情報処理装置（例えば、CPU, MPUなど）、記憶装置（例
えば、メインメモリ、ハードディスクなど）を有する。

【００３４】なお、ここで情報機器とは、例えば、液晶
表示装置を有するか又は内蔵したコンピュータ、パーソ
ナルコンピュータ、ビデオカメラ、デジタルカメラ、液
晶テレビ等をいう。

【００３５】以上説明したように、本発明の実施例によ
れば圧電トランス以外の昇圧手段を用いずに高い昇圧比
が得られるため、高効率で低コストの液晶バックライト
インバータを実現することができる。またスイッチング
素子に大きな過電流や過電圧がかからないため信頼性の
高い装置を実現することができる。

【００３６】また，本発明の実施例ではランプを周期的
に点滅させて，その点灯期間の割合により調光を行う際
のランプ消灯時に適用することによっても同様の効果を
得ることができる。

【００３７】

【発明の効果】従来に比べて放電灯点灯回路装置、液晶
モジュール、情報機器等の小型化が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例の回路図。

【図２】本発明の１実施例の回路図。

【図３】本発明の１実施例の動作波形図。

【図４】本発明の１実施例の動作説明図。

【図５】圧電トランスの特性例。

【図６】本発明の１実施例の回路図。

【図７】本発明の他の１実施例の回路図。

【図８】本発明の他の１実施例の回路図。

【図９】本発明の他の１実施例の動作説明図。

【図１０】本発明の他の１実施例の回路図。

【図１１】本発明の他の１実施例のスイッチ駆動回路。

【図１２】本発明の実施例に係る液晶表示装置の構成を
示す図である。

【図１３】本発明の実施例に係る情報機器の構成を示す
図である。

【符号の説明】

４および５…スイッチッグトランジスタ、７…圧電トラ
ンス、８…放電灯、１２…制御信号検出回路、１８…遅
延回路、２７…駆動電圧制御回路。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 隆一 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立画像情報システム内 (72)発明者 杉野 元洋 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立画像情報システム内 (72)発明者 四本 直樹 東京都青梅市新町六丁目16番地の２ 株式 会社日立製作所熱器ライティング事業部内 Ｆターム(参考） 2H093 NC05 NC07 NC42 NC90 ND07 ND42 ND49 NE06 3K072 AA01 AA19 BC07 EA02 EB01 EB07 GA02 GB14 GC04 HA06 HA10 HB03

Claims (46)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】インダクタンス成分を有する第一の素子と
   第一の半導体スイッチとで構成される第一の直列回路
   と、インダクタンス成分を有する第二の素子と第二の半
   導体スイッチとで構成される第二の直列回路とが並列に
   接続され、前記第一の素子と前記第一の半導体スイッチ
   の中点と前記第二の素子と前記第二の半導体スイッチの
   中点とがそれぞれ圧電トランスの第一および第二の一次
   側端子に接続され、前記第一および第二の半導体スイッ
   チを交互に導通させて前記圧電トランスの第一および第
   二の一次側端子に交番電圧を印加するように構成された
   インバータ回路を有し、 前記インバータ回路の動作を停止するに際して前記第一
   の半導体スイッチの制御端子への過大な電圧印加により
   その素子の故障を阻止する手段を有することを特徴とす
   る放電灯点灯回路装置。
2. 【請求項２】第一、第二の半導体スイッチを交互に導通
   させて交番電流を発生するインバータ回路と、前記イン
   バータ回路の出力が供給される圧電トランスとを有し、 前記インバータ回路の動作を停止するに際して前記第一
   の半導体スイッチの制御端子への前記半導体スイッチの
   耐圧を越える電圧の印加を阻止する手段を有することを
   特徴とする放電灯点灯回路装置。
3. 【請求項３】圧電トランスの一次側電極間に、第一、第
   二の半導体スイッチと第一、第二のインダクタンス成分
   を有する素子とを有する駆動回路を用いて交番電圧を圧
   電トランスへ印加するように構成されたインバータ回路
   を有し、 前記インバータ回路の動作を停止するに際して、その停
   止直前に閉じられた前記第一の半導体スイッチの電流の
   低下する時間的割合がＶ１／Ｌ（ここで、Ｖ１は前記第
   一の半導体スイッチの耐圧値、Ｌは一の前記インダクタ
   ンス成分を有する素子のインダクタンス値。）の値以下
   となるように前記第一の半導体スイッチの駆動電圧を変
   化させることを特徴とする放電灯点灯回路装置。
4. 【請求項４】前記圧電トランスの負荷としての放電灯が
   前記インバータ回路の動作中に所定時間以上に渡って不
   点灯である場合若しくは正常に点灯していない場合に
   は、前記インバータ回路の動作を停止するように構成さ
   れていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一に
   記載の放電灯点灯回路装置。
5. 【請求項５】前記圧電トランスの第一および第二の一次
   側端子間にはコンデンサが接続される構成となっている
   ことを特徴とする請求項1記載の放電灯点灯回路装置。
6. 【請求項６】前記放電灯点灯回路の負荷として冷陰極蛍
   光ランプが接続された場合の前記ランプ点灯中の管電圧
   値が、前記放電灯点灯回路に接続されるべき直流電源の
   直流電圧値の１００倍〜１４０倍となるように構成され
   たことを特徴とする請求項１〜5のいずれか一に記載の
   放電灯点灯回路装置。
7. 【請求項７】前記第一、第二の半導体スイッチは時間的
   に交互に開閉駆動され、かつ、前記第一、第二の半導体
   スイッチの時間的に閉期間同士が重なる期間を設けたこ
   とを特徴とする請求項１〜6のいずれか一に記載の放電
   灯点灯回路装置。
8. 【請求項８】前記第一および第二の半導体スイッチの閉
   期間同士が重なる時間は１回の閉期間に付き0よりも大
   きく、１回の閉時間の５％以下の時間であることを特徴
   とする請求項１〜7のいずれか一に記載の放電灯点灯回
   路装置。
9. 【請求項９】前記制御端子は所定の抵抗値を有する抵抗
   を介して接地されており、 前記インバータ回路の前記動作停止時に前記第一および
   第二の半導体スイッチと、前記第一および第二の素子と
   を有する駆動回路をハイインピーダンス状態とし、前記
   第一および第二の半導体スイッチの駆動端子の容量と前
   記抵抗値との時定数に基づいて前記第一および第二の半
   導体スイッチの制御電圧を制御することを特徴とする請
   求項１〜8のいずれか一に記載の放電灯点灯回路装置。
10. 【請求項１０】前記制御端子は所定の抵抗値を有する抵
    抗を介して接地されており、 前記インバータ回路の前記動作停止時に前記第一および
    第二の半導体スイッチと、インダクタンス成分を有する
    前記第一および第二の素子とを有する駆動回路を、前記
    インバータ回路の動作停止時に前記第一および第二の半
    導体スイッチの制御電圧を予め定めた電圧に低下させた
    後ハインピーダンス状態とすることにより、前記第一お
    よび第二の半導体スイッチの制御端子の容量と前記抵抗
    値との時定数に基づいて前記第一および第二の半導体ス
    イッチの制御電圧を制御することを特徴とする請求項１
    〜8のいずれか一に記載の放電灯点灯回路装置。
11. 【請求項１１】前記第一および第二の半導体スイッチは
    開閉制御手段により交互に開閉駆動され、前記第二の半
    導体スイッチの開閉制御信号は前記第一の半導体スイッ
    チの開閉制御信号の極性を反転して作成され、 前記第一の半導体スイッチの開閉制御信号が前記第一の
    半導体スイッチを開にする状態を所定時間以上継続した
    場合には、前記第二の半導体スイッチを強制的に開状態
    にする手段を設けたことを特徴とする請求項１〜10のい
    ずれか一に記載の放電灯点灯回路装置。
12. 【請求項１２】前記第一および第二の半導体スイッチは
    開閉制御手段により交互に開閉駆動され、前記第二の半
    導体スイッチの開閉制御信号は前記第一の半導体スイッ
    チの開閉制御信号の極性を反転して作成され、 前記第一の半導体スイッチの開閉制御信号が前記第一の
    半導体スイッチを開にする状態を所定時間以上継続した
    場合には、前記第二の半導体スイッチの制御電圧を予め
    定められた傾斜で低下させる手段を設けたことを特徴と
    する請求項１〜10のいずれか一に記載の放電灯点灯回路
    装置。
13. 【請求項１３】前記所定時間を、通常動作時の前記イン
    バータ回路の動作周期の１／２倍から１．５倍の間とし
    たことを特徴とする請求項10または12のいずれかに記載
    の放電灯点灯回路装置。
14. 【請求項１４】前記インバータ回路の交番電圧のデュー
    ティを変化させる手段を有することを特徴とする請求項
    １〜13のいずれか一に記載の放電灯点灯回路装置。
15. 【請求項１５】第一のチョークコイルと第一の半導体ス
    イッチとで構成される第一の直列回路と、第二のチョー
    クコイルと第二の半導体スイッチとで構成される第二の
    直列回路とが並列に接続され、前記第一、第二の直列回
    路の一端側間に直流電圧が印加可能に構成され、前記第
    一のチョークコイルと前記第一の半導体スイッチの中点
    と前記第二のチョークコイルと前記第二の半導体スイッ
    チの中点とがそれぞれ圧電トランスの第一および第二の
    一次側端子に接続され、前記圧電トランスの第一および
    第二の一次側端子間にはコンデンサが接続される構成と
    なっていることを特徴とする放電灯点灯回路装置。
16. 【請求項１６】インダクタンス成分を有する第一の素子
    と第一の半導体スイッチとで構成される第一の直列回路
    と、インダクタンス成分を有する第二の素子と第二の半
    導体スイッチとで構成される第二の直列回路とが並列に
    接続され、前記第一の素子と前記第一の半導体スイッチ
    の中点と前記第二の素子と前記第二の半導体スイッチの
    中点とがそれぞれ圧電トランスの第一および第二の一次
    側端子に接続され、前記第一および第二の半導体スイッ
    チを交互に導通させて前記圧電トランスの第一および第
    二の一次側端子に交番電圧を印加するように構成された
    インバータ回路を有し、 前記インバータ回路の動作を停止するに際して前記第一
    の半導体スイッチの制御端子への過大な電圧印加により
    その素子の故障を阻止する手段を有する放電灯点灯回路
    基板と、 前記基板を液晶モジュールに内蔵しているか又は別体と
    し、かつ、液晶板、液晶素子の駆動回路とを有すること
    を特徴とする液晶モジュール。
17. 【請求項１７】第一、第二の半導体スイッチを交互に導
    通させて交番電流を発生するインバータ回路と、前記イ
    ンバータ回路の出力が供給される圧電トランスとを有
    し、 前記インバータ回路の動作を停止するに際して前記第一
    の半導体スイッチの制御端子への前記半導体スイッチの
    耐圧を越える電圧の印加を阻止する手段を有する放電灯
    点灯回路基板と、 前記基板を液晶モジュールに内蔵しているか又は別体と
    し、かつ、液晶板、液晶素子の駆動回路とを有すること
    を特徴とする液晶モジュール。
18. 【請求項１８】圧電トランスの一次側電極間に、第一、
    第二の半導体スイッチと第一、第二のインダクタンス成
    分を有する素子とを有する駆動回路を用いて交番電圧を
    圧電トランスへ印加するように構成されたインバータ回
    路を有し、 前記インバータ回路の動作を停止するに際して、その停
    止直前に閉じられた前記第一の半導体スイッチの電流の
    低下する時間的割合がＶ１／Ｌ（ここで、Ｖ１は前記第
    一の半導体スイッチの耐圧値、Ｌは一の前記インダクタ
    ンス成分を有する素子のインダクタンス値。）の値以下
    となるように前記第一の半導体スイッチの駆動電圧を変
    化させる機能を有する放電灯点灯回路基板と、 前記基板を液晶モジュールに内蔵しているか又は別体と
    し、かつ、液晶板、液晶素子の駆動回路とを有すること
    を特徴とする液晶モジュール。
19. 【請求項１９】前記圧電トランスの負荷としての放電灯
    が前記インバータ回路の動作中に所定時間以上に渡って
    不点灯である場合若しくは正常に点灯していない場合に
    は、前記インバータ回路の動作を停止するように構成さ
    れていることを特徴とする請求項16〜18のいずれか一に
    記載の液晶モジュール。
20. 【請求項２０】前記圧電トランスの第一および第二の一
    次側端子間にはコンデンサが接続される構成となってい
    ることを特徴とする請求項16記載の液晶モジュール。
21. 【請求項２１】前記放電灯点灯回路の負荷として冷陰極
    蛍光ランプが接続された場合の前記ランプ点灯中の管電
    圧値が、前記放電灯点灯回路に接続されるべき直流電源
    の直流電圧値の１００倍〜１４０倍となるように構成さ
    れたことを特徴とする請求項16〜20のいずれか一に記載
    の液晶モジュール。
22. 【請求項２２】前記第一、第二の半導体スイッチは時間
    的に交互に開閉駆動され、かつ、前記第一、第二の半導
    体スイッチの時間的に閉期間同士が重なる期間を設けた
    ことを特徴とする請求項16〜21のいずれか一に記載の液
    晶モジュール。
23. 【請求項２３】前記第一および第二の半導体スイッチの
    閉期間同士が重なる時間は１回の閉期間に付き0よりも
    大きく、１回の閉時間の５％以下の時間であることを特
    徴とする請求項16〜22のいずれか一に記載の液晶モジュ
    ール。
24. 【請求項２４】前記制御端子は所定の抵抗値を有する抵
    抗を介して接地されており、 前記インバータ回路の前記動作停止時に前記第一および
    第二の半導体スイッチと、前記第一および第二の素子と
    を有する駆動回路をハイインピーダンス状態とし、前記
    第一および第二の半導体スイッチの駆動端子の容量と前
    記抵抗値との時定数に基づいて前記第一および第二の半
    導体スイッチの制御電圧を制御することを特徴とする請
    求項16〜23のいずれか一に記載の液晶モジュール。
25. 【請求項２５】前記制御端子は所定の抵抗値を有する抵
    抗を介して接地されており、 前記インバータ回路の前記動作停止時に前記第一および
    第二の半導体スイッチと、インダクタンス成分を有する
    前記第一および第二の素子とを有する駆動回路を、前記
    インバータ回路の動作停止時に前記第一および第二の半
    導体スイッチの制御電圧を予め定めた電圧に低下させた
    後ハインピーダンス状態とすることにより、前記第一お
    よび第二の半導体スイッチの制御端子の容量と前記抵抗
    値との時定数に基づいて前記第一および第二の半導体ス
    イッチの制御電圧を制御することを特徴とする請求項16
    〜23のいずれか一に記載の液晶モジュール。
26. 【請求項２６】前記第一および第二の半導体スイッチは
    開閉制御手段により交互に開閉駆動され、前記第二の半
    導体スイッチの開閉制御信号は前記第一の半導体スイッ
    チの開閉制御信号の極性を反転して作成され、 前記第一の半導体スイッチの開閉制御信号が前記第一の
    半導体スイッチを開にする状態を所定時間以上継続した
    場合には、前記第二の半導体スイッチを強制的に開状態
    にする手段を設けたことを特徴とする請求項16〜25のい
    ずれか一に記載の液晶モジュール。
27. 【請求項２７】前記第一および第二の半導体スイッチは
    開閉制御手段により交互に開閉駆動され、前記第二の半
    導体スイッチの開閉制御信号は前記第一の半導体スイッ
    チの開閉制御信号の極性を反転して作成され、 前記第一の半導体スイッチの開閉制御信号が前記第一の
    半導体スイッチを開にする状態を所定時間以上継続した
    場合には、前記第二の半導体スイッチの制御電圧を予め
    定められた傾斜で低下させる手段を設けたことを特徴と
    する請求項16〜25のいずれか一に記載の液晶モジュー
    ル。
28. 【請求項２８】前記所定時間を、通常動作時の前記イン
    バータ回路の動作周期の１／２倍から１．５倍の間とし
    たことを特徴とする請求項25または27のいずれかに記載
    の液晶モジュール。
29. 【請求項２９】前記インバータ回路の交番電圧のデュー
    ティを変化させる手段を有することを特徴とする請求項
    16〜28のいずれか一に記載の放電灯点灯回路装置。
30. 【請求項３０】第一のチョークコイルと第一の半導体ス
    イッチとで構成される第一の直列回路と、第二のチョー
    クコイルと第二の半導体スイッチとで構成される第二の
    直列回路とが並列に接続され、前記第一、第二の直列回
    路の一端側間に直流電圧が印加可能に構成され、前記第
    一のチョークコイルと前記第一の半導体スイッチの中点
    と前記第二のチョークコイルと前記第二の半導体スイッ
    チの中点とがそれぞれ圧電トランスの第一および第二の
    一次側端子に接続され、前記圧電トランスの第一および
    第二の一次側端子間にはコンデンサが接続される構成と
    なっていることを特徴とする放電灯点灯回路基板と、 前記基板を液晶モジュールに内蔵しているか又は別体と
    し、かつ、液晶板、液晶素子の駆動回路とを有すること
    を特徴とする液晶モジュール。
31. 【請求項３１】前記点灯回路の負荷としての蛍光ランプ
    を有することを特徴とする請求項16〜30のいずれか一に
    記載の液晶モジュール。
32. 【請求項３２】インダクタンス成分を有する第一の素子
    と第一の半導体スイッチとで構成される第一の直列回路
    と、インダクタンス成分を有する第二の素子と第二の半
    導体スイッチとで構成される第二の直列回路とが並列に
    接続され、前記第一の素子と前記第一の半導体スイッチ
    の中点と前記第二の素子と前記第二の半導体スイッチの
    中点とがそれぞれ圧電トランスの第一および第二の一次
    側端子に接続され、前記第一および第二の半導体スイッ
    チを交互に導通させて前記圧電トランスの第一および第
    二の一次側端子に交番電圧を印加するように構成された
    インバータ回路を有し、 前記インバータ回路の動作を停止するに際して前記第一
    の半導体スイッチの制御端子への過大な電圧印加により
    その素子の故障を阻止する手段を有する放電灯点灯回路
    基板と、 前記基板を液晶モジュールに内蔵しているか又は別体と
    し、かつ、液晶板、液晶素子の駆動回路とを有する液晶
    モジュールと、 その内部に前記点灯回路の負荷としての蛍光ランプ、情
    報処理を行うための処理装置、記憶装置を有することを
    特徴とする情報機器。
33. 【請求項３３】第一、第二の半導体スイッチを交互に導
    通させて交番電流を発生するインバータ回路と、前記イ
    ンバータ回路の出力が供給される圧電トランスとを有
    し、 前記インバータ回路の動作を停止するに際して前記第一
    の半導体スイッチの制御端子への前記半導体スイッチの
    耐圧を越える電圧の印加を阻止する手段を有する放電灯
    点灯回路基板と、 前記基板を液晶モジュールに内蔵しているか又は別体と
    し、かつ、液晶板、液晶素子の駆動回路とを有する液晶
    モジュールと、 その内部に前記点灯回路の負荷としての蛍光ランプ、情
    報処理を行うための処理装置、記憶装置を有することを
    特徴とする情報機器。
34. 【請求項３４】圧電トランスの一次側電極間に、第一、
    第二の半導体スイッチと第一、第二のインダクタンス成
    分を有する素子とを有する駆動回路を用いて交番電圧を
    圧電トランスへ印加するように構成されたインバータ回
    路を有し、 前記インバータ回路の動作を停止するに際して、その停
    止直前に閉じられた前記第一の半導体スイッチの電流の
    低下する時間的割合がＶ１／Ｌ（ここで、Ｖ１は前記第
    一の半導体スイッチの耐圧値、Ｌは一の前記インダクタ
    ンス成分を有する素子のインダクタンス値。）の値以下
    となるように前記第一の半導体スイッチの駆動電圧を変
    化させる機能を有する放電灯点灯回路基板と、 前記基板を液晶モジュールに内蔵しているか又は別体と
    し、かつ、液晶板、液晶素子の駆動回路とを有する液晶
    モジュールと、 その内部に前記点灯回路の負荷としての蛍光ランプ、情
    報処理を行うための処理装置、記憶装置を有することを
    特徴とする情報機器。
35. 【請求項３５】前記圧電トランスの負荷としての放電灯
    が前記インバータ回路の動作中に所定時間以上に渡って
    不点灯である場合若しくは正常に点灯していない場合に
    は、前記インバータ回路の動作を停止するように構成さ
    れていることを特徴とする請求項32〜34のいずれか一に
    記載の情報機器。
36. 【請求項３６】前記圧電トランスの第一および第二の一
    次側端子間にはコンデンサが接続される構成となってい
    ることを特徴とする請求項32記載の情報機器。
37. 【請求項３７】前記放電灯点灯回路の負荷として冷陰極
    蛍光ランプが接続された場合の前記ランプ点灯中の管電
    圧値が、前記放電灯点灯回路に接続されるべき直流電源
    の直流電圧値の１００倍〜１４０倍となるように構成さ
    れたことを特徴とする請求項32〜36のいずれか一に記載
    の情報機器。
38. 【請求項３８】前記第一、第二の半導体スイッチは時間
    的に交互に開閉駆動され、かつ、前記第一、第二の半導
    体スイッチの時間的に閉期間同士が重なる期間を設けた
    ことを特徴とする請求項32〜37のいずれか一に記載の情
    報機器。
39. 【請求項３９】前記第一および第二の半導体スイッチの
    閉期間同士が重なる時間は１回の閉期間に付き0よりも
    大きく、１回の閉時間の５％以下の時間であることを特
    徴とする請求項32〜38のいずれか一に記載の情報機器。
40. 【請求項４０】前記制御端子は所定の抵抗値を有する抵
    抗を介して接地されており、 前記インバータ回路の前記動作停止時に前記第一および
    第二の半導体スイッチと、前記第一および第二の素子と
    を有する駆動回路をハイインピーダンス状態とし、前記
    第一および第二の半導体スイッチの駆動端子の容量と前
    記抵抗値との時定数に基づいて前記第一および第二の半
    導体スイッチの制御電圧を制御することを特徴とする請
    求項32〜39のいずれか一に記載の情報機器。
41. 【請求項４１】前記制御端子は所定の抵抗値を有する抵
    抗を介して接地されており、 前記インバータ回路の前記動作停止時に前記第一および
    第二の半導体スイッチと、インダクタンス成分を有する
    前記第一および第二の素子とを有する駆動回路を、前記
    インバータ回路の動作停止時に前記第一および第二の半
    導体スイッチの制御電圧を予め定めた電圧に低下させた
    後ハインピーダンス状態とすることにより、前記第一お
    よび第二の半導体スイッチの制御端子の容量と前記抵抗
    値との時定数に基づいて前記第一および第二の半導体ス
    イッチの制御電圧を制御することを特徴とする請求項32
    〜39のいずれか一に記載の情報機器。
42. 【請求項４２】前記第一および第二の半導体スイッチは
    開閉制御手段により交互に開閉駆動され、前記第二の半
    導体スイッチの開閉制御信号は前記第一の半導体スイッ
    チの開閉制御信号の極性を反転して作成され、 前記第一の半導体スイッチの開閉制御信号が前記第一の
    半導体スイッチを開にする状態を所定時間以上継続した
    場合には、前記第二の半導体スイッチを強制的に開状態
    にする手段を設けたことを特徴とする請求項32〜41のい
    ずれか一に記載の情報機器。
43. 【請求項４３】前記第一および第二の半導体スイッチは
    開閉制御手段により交互に開閉駆動され、前記第二の半
    導体スイッチの開閉制御信号は前記第一の半導体スイッ
    チの開閉制御信号の極性を反転して作成され、 前記第一の半導体スイッチの開閉制御信号が前記第一の
    半導体スイッチを開にする状態を所定時間以上継続した
    場合には、前記第二の半導体スイッチの制御電圧を予め
    定められた傾斜で低下させる手段を設けたことを特徴と
    する請求項32〜41のいずれか一に記載の情報機器。
44. 【請求項４４】前記所定時間を、通常動作時の前記イン
    バータ回路の動作周期の１／２倍から１．５倍の間とし
    たことを特徴とする請求項41または43のいずれかに記載
    の情報機器。
45. 【請求項４５】前記インバータ回路の交番電圧のデュー
    ティを変化させる手段を有することを特徴とする請求項
    32〜44のいずれか一に記載の情報機器。
46. 【請求項４６】第一のチョークコイルと第一の半導体ス
    イッチとで構成される第一の直列回路と、第二のチョー
    クコイルと第二の半導体スイッチとで構成される第二の
    直列回路とが並列に接続され、前記第一、第二の直列回
    路の一端側間に直流電圧が印加可能に構成され、前記第
    一のチョークコイルと前記第一の半導体スイッチの中点
    と前記第二のチョークコイルと前記第二の半導体スイッ
    チの中点とがそれぞれ圧電トランスの第一および第二の
    一次側端子に接続され、前記圧電トランスの第一および
    第二の一次側端子間にはコンデンサが接続される構成と
    なっていることを特徴とする放電灯点灯回路基板と、 前記基板を液晶モジュールに内蔵しているか又は別体と
    し、かつ、液晶板、液晶素子の駆動回路とを有する液晶
    モジュールと、 その内部に前記点灯回路の負荷としての蛍光ランプ、情
    報処理を行うための処理装置、記憶装置を有することを
    特徴とする情報機器。