JPH07301845A - 絞り装置及びそれを用いた投影露光装置 - Google Patents

絞り装置及びそれを用いた投影露光装置

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JPH07301845A
JPH07301845A JP6117684A JP11768494A JPH07301845A JP H07301845 A JPH07301845 A JP H07301845A JP 6117684 A JP6117684 A JP 6117684A JP 11768494 A JP11768494 A JP 11768494A JP H07301845 A JPH07301845 A JP H07301845A
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light
shielding plates
projection
protrusion
shielding plate
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JP6117684A
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Yoshinori Miwa
良則 三輪
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/7025—Size or form of projection system aperture, e.g. aperture stops, diaphragms or pupil obscuration; Control thereof

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Diaphragms For Cameras (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 露光光として強力な紫外光を用いて半導体デ
バイスを製造するのに好適な絞り装置及びそれを用いた
投影露光装置を得ること。 【構成】 複数の遮光板をそれらの一領域が互いに重複
するようにし、該複数の遮光板を互いに摺動させること
により所定の開口を得るようにした絞り装置において、
該複数の遮光板はその摺動面に突起部を有し、該突起部
により遮光板同士が互いに微小接触するようにしている
こと。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は絞り装置及びそれを用い
た投影露光装置に関し、例えば露光光として強力な紫外
光を用いた半導体デバイスの製造装置である、所謂ステ
ッパーにおいて、絞り装置により投影光学系の開口数
（ＮＡ）を種々と変えてレチクル面上のパターンをウエ
ハ面上に投影露光する際に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】最近の半導体素子の製造技術の進展は目
覚ましく、又それに伴う微細加工技術の進展も著しい。
特に光加工技術は１ＭＤＲＡＭの半導体素子の製造を境
にサブミクロンの解像力を有する微細加工の技術まで達
している。解像力を向上させる手段としてこれまで多く
の場合、露光波長を固定して、光学系のＮＡ（開口数）
を大きくしていく方法を用いていた。しかし最近では露
光波長をｇ線からｉ線に変えて、超高圧水銀灯を用いた
露光法により解像力を向上させる試みも種々と行なわれ
ている。
【０００３】露光波長としてｇ線やｉ線を用いる方法の
発展と共にレジストプロセスも同様に発展したきた。こ
の光学系とプロセスの両者が相まって、光リソブラフィ
が急激に進歩してきた。
【０００４】一般にステッパーの焦点深度はＮＡの２乗
に反比例することが知られている。この為サブミクロン
の解像力を得ようとすると、それと共に焦点深度が浅く
なってくる。
【０００５】実際の投影露光においては、回路パターン
の構造、ウエハ面の平面度、投影光学系の光学性能、フ
ォーカス精度等から必要とされる焦点深度の深さ（範
囲）が決まってくる。投影光学系のＮＡはこの時の焦点
深度の範囲に対して、各波長での最大解像力が得られる
ように設定している。又、半導体デバイスの製造に際し
ては、例えば回路パターンの線幅が比較的長い場合には
投影解像度よりも、焦点深度の方を優先させて投影露光
するような場合がある。この時には投影光学系のＮＡを
絞りの開口径を絞って小さくして、これにより必要解像
度と所定の焦点深度をバランス良く確保して投影露光を
行なっている。
【０００６】従来より半導体デバイスの製造用の投影露
光装置において、投影光学系のＮＡを変えるときは複数
の絞りを光学系中に内蔵しておき、このうちから１つの
絞りを選択して行なっている。
【０００７】この他最近では、回路パターンのパターン
形状に応じて、より最適なＮＡで投影露光することがで
きるように種々な絞り開口を設け、このうちから１つの
絞りを選択可能とした絞り装置が提案されている。又、
最近ではＮＡを連続的に変化させることのできる絞り装
置として虹彩絞りを用いた投影露光装置が種々と提案さ
れている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】一般に露光光を制御す
る為の絞り装置では、複数の遮光板を互いに重ね合わせ
て構成し、該複数の遮光板を互いに面接触させつつ回動
させて、これにより絞り開口径を変化させている。そし
て遮光板が摺動したときの摩耗及び発塵を軽減するため
に遮光板の表面に潤滑性塗装を施している。
【０００９】半導体デバイス製造用の投影露光装置で
は、露光光としてｉ線等の強力な紫外光を用いている。
この為、投影露光の際にｉ線等の紫外線が絞り装置の遮
光板に設けた潤滑性塗装面に入射すると、塗装が化学変
化を起こして変質し潤滑性が劣化してくる。又、遮光板
の摩擦係数が大きくなりすぎて摺動動作が困難になって
くるという問題点があった。
【００１０】この他、潤滑性塗料が絞り装置周辺の光学
素子に付着して光学特性が変化してしまうという問題点
があった。
【００１１】本発明は絞り装置を適切に構成することに
より、例えば強力な紫外光を露光光として用い、種々の
ＮＡで投影露光する際、遮光板に何ら影響を与えずに円
滑な絞り動作ができ、所定のＮＡで投影露光することが
でき、高解像度のパターン像が容易に得られる絞り装置
及びそれを用いた投影露光装置の提供を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
（１−１）本発明の絞り装置は、複数の遮光板をそれら
の一領域が互いに重複するようにし、該複数の遮光板を
互いに摺動させることにより所定の開口を得るようにし
た絞り装置において、該複数の遮光板はその摺動面に突
起部を有し、該突起部により遮光板同士が互いに微小接
触するようにしていることを特徴としている。
【００１３】特に（１−１−１）前記突起部は所定の周
波数で振動する振動及び静止が可能な振動素子より成っ
ていること、（１−１−２）前記突起部は前記遮光板の
一部を突出させた形状より成り、該突起部の表面には潤
滑性の表面処理が施されていること、（１−１−３）前
記突起部は低摩擦材料より成り、前記遮光板の摺動面に
固着して形成していることを特徴としている。
【００１４】（１−２）本発明の投影露光装置は、照明
系からの光束により被照射面上のパターンを照明し、該
パターンを瞳位置近傍に絞り装置を有した投影光学系に
より基板面上に投影し露光する際、該絞り装置は複数の
遮光板をそれらの一領域が互いに重複するようにし、該
複数の遮光板を互いに摺動させることにより所定の開口
を得ており、該複数の遮光板はその摺動面に突起部を有
し、該突起部により遮光板同士が互いに微小接触するよ
うにしていることを特徴としている。
【００１５】特に（１−２−１）前記突起部は所定の周
波数で振動する振動及び静止が可能な振動素子より成っ
ていること、（１−２−２）前記突起部は前記遮光板の
一部を突出させた形状より成り、該突起部の表面には潤
滑性の表面処理が施されていること、（１−２−３）前
記突起部は低摩擦材料より成り、前記遮光板の摺動面に
固着して形成していることを特徴としている。
【００１６】（１−３）本発明の半導体デバイスの製造
方法は、照明系からの光束によりレチクル面上のパター
ンを照明し、該パターンを瞳面近傍に絞り装置を有した
投影光学系によりウエハ面上に投影し露光した後に、該
ウエハを現像処理工程を介して半導体デバイスを製造す
る際、該絞り装置は複数の遮光板をそれらの一領域が互
いに重複するようにし、該複数の遮光板を互いに摺動さ
せることにより所定の開口を得ており、該複数の遮光板
はその摺動面に突起部を有し、該突起部により遮光板同
士が互いに微小接触するようにしていることを特徴とし
ている。
【００１７】特に（１−３−１）前記突起部は所定の周
波数で振動する振動及び静止が可能な振動素子より成っ
ていること、（１−３−２）前記突起部は前記遮光板の
一部を突出させた形状より成り、該突起部の表面には潤
滑性の表面処理が施されていること、（１−３−３）前
記突起部は低摩擦材料より成り、前記遮光板の摺動面に
固着して形成していることを特徴としている。
【００１８】（１−４）本発明の光学装置は、通過光量
を制限する絞り装置を有した光学装置において、該絞り
装置は複数の遮光板をそれらの一領域が互いに重複する
ようにし、該複数の遮光板を互いに摺動させることによ
り所定の開口を得ており、該複数の遮光板はその摺動面
に突起部を有し、該突起部により遮光板同士が互いに微
小接触するようにしていることを特徴としている。
【００１９】特に（１−４−１）前記突起部は所定の周
波数で振動する振動及び静止が可能な振動素子より成っ
ていること、（１−４−２）前記突起部は前記遮光板の
一部を突出させた形状より成り、該突起部の表面には潤
滑性の表面処理が施されていること、（１−４−３）前
記突起部は低摩擦材料より成り、前記遮光板の摺動面に
固着して形成していることを特徴としている。
【００２０】
【実施例】図１は本発明の絞り装置及びそれを用いた投
影露光装置の実施例１を示す概略構成図であり、ステッ
パーと呼称される縮小型の投影露光装置に適用した場合
を示している。図２は図１の絞り装置の概略図である。
【００２１】同図において、２２はレチクルであり、そ
の面上には電子回路パターンが形成されている。２２ａ
はレチクルチャックであり、レチクル２２を吸着保持し
ている。２１は照明系であり、光源手段として例えばエ
キシマレーザ又は超高圧水銀灯等を有し、レチクル２２
面上の電子回路パターンを露光光で均一な照度分布で照
明している。
【００２２】２３は投影光学系（投影レンズ）であり、
照明系２１からの露光光で照明されたレチクル２２面上
の電子回路パターンを所定倍率（例えば１／５又は１／
１０）でウエハ２４面上に投影している。２５は絞り装
置であり、投影光学系２３の瞳位置近傍に配置してい
る。
【００２３】ウエハ２４はその面上にレジスト等の感光
材料が塗布されている。２８はウエハチャックであり、
ウエハ２４を吸着保持している。２９はウエハステージ
であり、ウエハチャック２８を所定面内（ｘｙ平面内）
に駆動している。
【００２４】２６は照明系２１からの光束のうち絞り装
置２５の遮光板に入射する光束である。２７ａはウエハ
２４からの反射光のうち投影光学系２３に入射する光束
である。２７ｂはウエハ２４からの光束２７ａのうち絞
り装置２５の遮光板に入射する光束である。
【００２５】同図ではレチクル２２とウエハ２４を所定
の関係となるように位置決めした後、シャッター手段
（不図示）を開閉し、レチクル２２面上の電子回路パタ
ーンをウエハ２４面上に投影露光している。その後、ウ
エハ２４をウエハステージ２９により所定量ｘ・ｙ面内
に駆動させて、ウエハ２４の他の領域を順次同じように
投影露光するようにした所謂ステップアンドリピート方
式を採用している。
【００２６】そしてウエハ全面の投影露光が終了した
ら、該ウエハを所定の現像処理工程を介して、これより
半導体デバイスを製造している。尚、照明系２１には投
影光学系２３の瞳面上の光強度分布を均一にする通常の
円形開口の絞りや投影光学系２３の瞳面上の光強度分布
を、例えば光軸上に比べて光軸外で強くなるように変化
させる輪帯照明用絞りや４重極照明用絞り等を有し、ア
クチエーターで切り替えている。
【００２７】本実施例ではレチクル２２面上のパターン
のパターン線幅やパターン方向に応じて絞り開口を種々
と変えて、例えば斜入射法等を用いて高解像度のパター
ン像が得られるようにしている。
【００２８】次に、図１の絞り装置２５の構成の特徴に
ついて図２を用いて説明する。
【００２９】図２において、１は遮光板であり、本実施
例においては同形状の６つの遮光板を用いている。遮光
板１は支点軸２を中心に回転可能となっている。３はカ
ムフォロアーであり、各々の遮光板１に設けており、該
カムフォロアー３を他の遮光板１のカム溝４に従って移
動させて遮光板１を回転させている。５は歯車であり、
遮光板１に連結している。歯車５はパルスモータ７の軸
に連結した歯車６とかみ合っており、パルスモータ７を
所定量回転させることにより、この回転量に応じて遮光
板１を回転させている。
【００３０】また遮光板１はベース８に回転運動のみ可
能であるようにはめ込まれ、更にリング９によって図２
（Ｂ）の上方向に浮き上がらないように押えている。
尚、遮光板１はリング９に対して回転できるように連結
はされていない。
【００３１】図２（Ｃ）は遮光板１の内で遮光板１ａと
遮光板１ｂが接触した部分の拡大断面図である。遮光板
１ａの摺動面には例えばピエゾ素子等の突起部としての
振動素子１０が固着されており、遮光板１ｂに対して振
動素子１０の先端のみの微小領域が接触するように例え
ば点接触するようにしている。遮光板１ａと遮光板１ｂ
はこの部分以外は微小な隙間が設けられている。振動素
子１０は不図示の振動制御部の指令に従って、リード線
１１を介して所定の周波数で図２（Ｃ）において上下方
向に振動している。振動素子１０とリード線１１は図１
において戻り光束２７ｂが入射しない領域に位置させて
いる。
【００３２】次に絞り装置の動作について説明する。パ
ルスモータ７が不図示のモータ制御部の指令に従って所
定量の回転をしている間、振動素子１０は耐えず振動を
行なっている。振動の周波数については、遮光板１ｂと
振動素子１０がわずかに接触・非接触を繰り返し、かつ
遮光板１の振巾がなるべく小さくなる値に設定してい
る。
【００３３】遮光板同士はパルスモータ７が回転するこ
とで相対的に回動するが、振動素子１０の先端が接触と
非接触を繰り返しながら相対移動するようにし、動摩擦
係数が最小限に抑えている。これにより円滑な回動動作
で所定の開口径を得るのを可能としている。更にパルス
モータ７の動作が終了すると、振動素子１０は不図示の
振動制御部の指令に従って静止する。
【００３４】本実施例において振動素子１０の振動は必
ずしも静止させる必要はなく、遮光板１が運動する間に
振動していれば良く、それ以外のときは必要に応じて振
動か静止かを選択するようにしても良い。
【００３５】本実施例において遮光板の枚数は６枚で示
したが、この枚数に限定されるものではなく、いかなる
枚数の虹彩絞りを用いても良い。
【００３６】本実施例においては、１枚の遮光板につき
１箇所のみ振動素子を固着したが、振動素子の数につい
ては遮光板の大きさ、形状及び相対移動の条件等あらゆ
る点からみて遮光板が最も円滑に動作するような数を選
択するのが望ましい。また振動素子の位置に関しても同
様で、遮光板が最も円滑に動作するように決定するのが
望ましい。
【００３７】図３，図４は各々本発明の絞り装置の実施
例２，３の一部分の要部断面図である。図３，図４では
絞り装置のうち任意の２枚の遮光板の接触部領域を示し
ている。
【００３８】図３において、３１及び３２は各々遮光板
である。３１ａは遮光板３１の一部を突出させた突起部
であり、該突起部３１ａの表面に潤滑性表面処理を施し
ている。本実施例は実施例１で示した振動素子１０の代
わりに、突起部３１ａを用いている。これにより遮光板
３１と遮光板３２が常に微小接触、例えば点接触した状
態で相対移動するようにしている。
【００３９】本実施例では遮光板同士が広い面積で面接
触して相対移動する従来の絞り装置に比べ、動摩擦力を
軽減し円滑な動作を可能としている。本実施例では遮光
板同士を突出部により点接触させている場合を示した
が、突出部の形状は接触領域が微小となれば面接触であ
っても良い。
【００４０】図４の実施例３では図３の実施例２に比べ
て、更に動摩擦力を軽減した場合を示している。図４に
おいて、４１及び４２は各々遮光板である。４１ａは遮
光板４１に固着させた低摩擦材料であり、実施例２にお
ける遮光板３１の突起部３１ａの代わりに付けた突起物
である。突起部４１ａの低摩擦材料として、例えばプラ
スチック等が使用可能である。
【００４１】本実施例では図１に示すように照明系２１
からの照射光２６及びウエハ２４からの戻り光２７ｂの
いずれも受光しない位置に低摩擦材料を配置し、受光に
よる材料特性の劣化を防いでいる。
【００４２】本発明の絞り装置は種々の光学系に適用可
能である。特に半導体デバイスの製造装置として、例え
ばミラー系を用いたミラープロジェクション方式、マス
クとウエハとを微小間隔あけて転写するプロキシミティ
方式、走査機構を用いたステップアンドスキャン方式等
の強力な露光光を利用する照明系や露光装置等に特に適
用可能である。
【００４３】図５は本発明の絞り装置を前述した半導体
デバイスの製造用の露光装置のうち、ステップアンドス
キャン方式の露光装置に適用したときの実施例２の要部
斜視図である。
【００４４】図中、１０１は回路パターンの描かれてい
るレチクル、１０２は投影レンズ、１１１は絞り装置で
あり、図２〜図４に示すような構成より成っている。１
０３はウエハＷが載せられた可動のステージである。１
０６はアパーチャーであり、スリット開口１０５を有し
レチクル１０１に近接配置している。１０４は照明光束
である。
【００４５】照明光束１０４によって照明されたレチク
ル１０１上の回路パターンを投影レンズ１０２を介して
ステージ１０３上のウエハＷに転写する際、レチクル１
０１の直前に設けたスリット開口１０５を有するアパー
チャー１０６によりスリット上の照明光束でレチクル１
０１を照明している。これによりレチクル１０１のうち
スリット上の照明光束の当った部分の回路パターンのみ
がウエハ面Ｗ上に投影転写されるようにしている。
【００４６】そして図に示すようにレチクル１０１を矢
印１０７の方向に所定の速度でスキャンすると同時に、
投影レンズ１０２の結像倍率に応じた速度でステージ１
０３を矢印１０８の方向にスキャンすることによってレ
チクル１０１上の回路パターン全体をウエハＷ上に投影
転写している。
【００４７】図５に示す露光装置において、座標軸を１
０９に示す通りに定めたとき、投影レンズ１０２の光軸
１１０はｚ軸方向、スリット開口１０５の長手方向はｙ
軸方向、レチクル１０１及びステージ１０３のスキャン
方向はｘ軸方向にそれぞれとっている。レチクル１０１
面上の回路パターン全体の転写終了後にステージ１０３
を所定の量だけ移動、即ちステップしてウエハＷ上の異
なる位置に上記の方法で改めてレチクル１０１面上の回
路パターンの転写を繰り返している。これによりウエハ
Ｗ全面を投影露光している。
【００４８】次に上記説明した投影露光装置を利用した
半導体デバイスの製造方法の実施例を説明する。
【００４９】図６は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、或いは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローを示す。
【００５０】ステップ１（回路設計）では半導体デバイ
スの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
【００５１】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
【００５２】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
【００５３】ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００５４】図７は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。
【００５５】ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
【００５６】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００５７】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを容易に製造
することができる。
【００５８】
【発明の効果】本発明によれば以上のように、絞り装置
を適切に構成することにより、例えば強力な紫外光を露
光光として用い、種々のＮＡで投影露光する際、遮光板
に何ら影響を与えずに円滑な絞り動作ができ、所定のＮ
Ａで投影露光することができ、高解像度のパターン像が
容易に得られる絞り装置及びそれを用いた投影露光装置
を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例１の要部概略図
【図２】 図１の絞り装置の説明図
【図３】 本発明の絞り装置の実施例２の要部断面図
【図４】 本発明の絞り装置の実施例３の要部断面図
【図５】 本発明の実施例２の要部概略図
【図６】 本発明の半導体デバイスの製造方法のフロー
チャート
【図７】 本発明の半導体デバイスの製造方法のフロー
チャート
【符号の説明】
１，３１，４１ 遮光板 ２ 支点軸 ３ カムフォロアー １０，３１ａ，４１ａ 突起部 ２１ 照明系 ２２ レチクル ２３ 投影光学系 ２４ ウエハ ２５ 絞り装置
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｂ 27/32 Ｆ Ｈ０１Ｌ 21/027

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の遮光板をそれらの一領域が互いに
    重複するようにし、該複数の遮光板を互いに摺動させる
    ことにより所定の開口を得るようにした絞り装置におい
    て、該複数の遮光板はその摺動面に突起部を有し、該突
    起部により遮光板同士が互いに微小接触するようにして
    いることを特徴とする絞り装置。
  2. 【請求項２】 前記突起部は所定の周波数で振動する振
    動及び静止が可能な振動素子より成っていることを特徴
    とする請求項１の絞り装置。
  3. 【請求項３】 前記突起部は前記遮光板の一部を突出さ
    せた形状より成り、該突起部の表面には潤滑性の表面処
    理が施されていることを特徴とする請求項１の絞り装
    置。
  4. 【請求項４】 前記突起部は低摩擦材料より成り、前記
    遮光板の摺動面に固着して形成していることを特徴とす
    る請求項１の絞り装置。
  5. 【請求項５】 照明系からの光束により被照射面上のパ
    ターンを照明し、該パターンを瞳位置近傍に絞り装置を
    有した投影光学系により基板面上に投影し露光する際、
    該絞り装置は複数の遮光板をそれらの一領域が互いに重
    複するようにし、該複数の遮光板を互いに摺動させるこ
    とにより所定の開口を得ており、該複数の遮光板はその
    摺動面に突起部を有し、該突起部により遮光板同士が互
    いに微小接触するようにしていることを特徴とする投影
    露光装置。
  6. 【請求項６】 前記突起部は所定の周波数で振動する振
    動及び静止が可能な振動素子より成っていることを特徴
    とする請求項５の投影露光装置。
  7. 【請求項７】 前記突起部は前記遮光板の一部を突出さ
    せた形状より成り、該突起部の表面には潤滑性の表面処
    理が施されていることを特徴とする請求項５の投影露光
    装置。
  8. 【請求項８】 前記突起部は低摩擦材料より成り、前記
    遮光板の摺動面に固着して形成していることを特徴とす
    る請求項５の投影露光装置。
  9. 【請求項９】 照明系からの光束によりレチクル面上の
    パターンを照明し、該パターンを瞳面近傍に絞り装置を
    有した投影光学系によりウエハ面上に投影し露光した後
    に、該ウエハを現像処理工程を介して半導体デバイスを
    製造する際、該絞り装置は複数の遮光板をそれらの一領
    域が互いに重複するようにし、該複数の遮光板を互いに
    摺動させることにより所定の開口を得ており、該複数の
    遮光板はその摺動面に突起部を有し、該突起部により遮
    光板同士が互いに微小接触するようにしていることを特
    徴とする半導体デバイスの製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記突起部は所定の周波数で振動する
    振動及び静止が可能な振動素子より成っていることを特
    徴とする請求項９の半導体デバイスの製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記突起部は前記遮光板の一部を突出
    させた形状より成り、該突起部の表面には潤滑性の表面
    処理が施されていることを特徴とする請求項９の半導体
    デバイスの製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記突起部は低摩擦材料より成り、前
    記遮光板の摺動面に固着して形成していることを特徴と
    する請求項９の半導体デバイスの製造方法。
  13. 【請求項１３】 通過光量を制限する絞り装置を有した
    光学装置において、該絞り装置は複数の遮光板をそれら
    の一領域が互いに重複するようにし、該複数の遮光板を
    互いに摺動させることにより所定の開口を得ており、該
    複数の遮光板はその摺動面に突起部を有し、該突起部に
    より遮光板同士が互いに微小接触するようにしているこ
    とを特徴とする光学装置。
  14. 【請求項１４】 前記突起部は所定の周波数で振動する
    振動及び静止が可能な振動素子より成っていることを特
    徴とする請求項１３の光学装置。
  15. 【請求項１５】 前記突起部は前記遮光板の一部を突出
    させた形状より成り、該突起部の表面には潤滑性の表面
    処理が施されていることを特徴とする請求項１３の光学
    装置。
  16. 【請求項１６】 前記突起部は低摩擦材料より成り、前
    記遮光板の摺動面に固着して形成していることを特徴と
    する請求項１３の光学装置。
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