JPH07297146A - コンタクト形成方法 - Google Patents
コンタクト形成方法Info
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- JPH07297146A JPH07297146A JP6084799A JP8479994A JPH07297146A JP H07297146 A JPH07297146 A JP H07297146A JP 6084799 A JP6084799 A JP 6084799A JP 8479994 A JP8479994 A JP 8479994A JP H07297146 A JPH07297146 A JP H07297146A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体集積回路の製造工程において、シリコ
ン基板と配線金属とを接続するコンタクト形成方法に関
し、コンタクト部に形成される重合膜を除去し、さらに
ｐ型シリコン基板と配線金属とのコンタクト抵抗の低減
を図る。 【構成】 反応性イオンエッチング法によりコンタクト
ホールを形成し、続いてマスクパターンとして用いた有
機高分子膜を除去し、続いて第１の金属，第２の金属の
窒化物，配線金属を順に堆積してコンタクトを形成する
コンタクト形成方法において、第１の金属を堆積する前
に、コンタクトホール底部のシリコン基板表面に電子サ
イクロトロン共鳴法による酸素プラズマ処理で酸化膜を
形成し、続いてこの酸化膜を除去する工程を有し、第１
の金属および第２の金属の窒化物を堆積した後に、シリ
コン基板を熱処理して第１の金属とシリコンとの合金を
形成する工程を有する。
ン基板と配線金属とを接続するコンタクト形成方法に関
し、コンタクト部に形成される重合膜を除去し、さらに
ｐ型シリコン基板と配線金属とのコンタクト抵抗の低減
を図る。 【構成】 反応性イオンエッチング法によりコンタクト
ホールを形成し、続いてマスクパターンとして用いた有
機高分子膜を除去し、続いて第１の金属，第２の金属の
窒化物，配線金属を順に堆積してコンタクトを形成する
コンタクト形成方法において、第１の金属を堆積する前
に、コンタクトホール底部のシリコン基板表面に電子サ
イクロトロン共鳴法による酸素プラズマ処理で酸化膜を
形成し、続いてこの酸化膜を除去する工程を有し、第１
の金属および第２の金属の窒化物を堆積した後に、シリ
コン基板を熱処理して第１の金属とシリコンとの合金を
形成する工程を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の製造
工程において、シリコン基板と配線金属とを接続するコ
ンタクト形成方法に関する。
工程において、シリコン基板と配線金属とを接続するコ
ンタクト形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来のコンタクト形成工程の概
要を説明する図である。図において、シリコン基板１の
表面に、高濃度不純物（ｎ型ではヒ素（Ａs)、ｐ型では
ホウ素（Ｂ））をイオン注入して拡散層２を形成する。
続いて、シリコン基板１の上面に層間絶縁膜であるシリ
コン酸化膜３を堆積し、さらにその上面にホトレジスト
４を形成する。
要を説明する図である。図において、シリコン基板１の
表面に、高濃度不純物（ｎ型ではヒ素（Ａs)、ｐ型では
ホウ素（Ｂ））をイオン注入して拡散層２を形成する。
続いて、シリコン基板１の上面に層間絶縁膜であるシリ
コン酸化膜３を堆積し、さらにその上面にホトレジスト
４を形成する。
【０００３】次に、シリコン酸化膜３のコンタクトホー
ルのマスクパターンをホトレジスト４で形成する。図５
(a) は、マスクパターン形成後の試料の断面構造であ
る。次に、ＣＦ4＋Ｏ2またはＣＨＦ3＋Ｏ2ガスを用いた
反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）により、ホトレジ
スト４をマスクとしてシリコン酸化膜３を拡散層２まで
エッチングする。続いて、ホトレジスト４をプラズマア
ッシャーにより除去する。図５(b) は、ホトレジスト除
去後の試料の断面構造である。
ルのマスクパターンをホトレジスト４で形成する。図５
(a) は、マスクパターン形成後の試料の断面構造であ
る。次に、ＣＦ4＋Ｏ2またはＣＨＦ3＋Ｏ2ガスを用いた
反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）により、ホトレジ
スト４をマスクとしてシリコン酸化膜３を拡散層２まで
エッチングする。続いて、ホトレジスト４をプラズマア
ッシャーにより除去する。図５(b) は、ホトレジスト除
去後の試料の断面構造である。
【０００４】次に、緩衝希フッ酸液によりコンタクト部
の酸化膜を除去する。さらに、チタン（Ｔi)５をスパッ
タ法により堆積し、続いて窒化チタン(ＴiＮ）６を反応
性スパッタ法により堆積する。その後に配線金属７を堆
積する。続いて、同様にホトレジストのマスクパターン
を用いて配線パターンを形成する。図５(c) は、配線パ
ターン形成後の試料の断面構造である。
の酸化膜を除去する。さらに、チタン（Ｔi)５をスパッ
タ法により堆積し、続いて窒化チタン(ＴiＮ）６を反応
性スパッタ法により堆積する。その後に配線金属７を堆
積する。続いて、同様にホトレジストのマスクパターン
を用いて配線パターンを形成する。図５(c) は、配線パ
ターン形成後の試料の断面構造である。
【０００５】このように、従来のコンタクト形成工程に
おけるコンタクトホールのエッチング後は、有機高分子
膜のホトレジスト４を除去するためのプラズマアッシャ
ー処理と、コンタクト部に形成された酸化膜を除去する
ための希フッ酸処理を行い、その後にチタン５，窒化チ
タン６，配線金属７の順に堆積する工程になっていた。
おけるコンタクトホールのエッチング後は、有機高分子
膜のホトレジスト４を除去するためのプラズマアッシャ
ー処理と、コンタクト部に形成された酸化膜を除去する
ための希フッ酸処理を行い、その後にチタン５，窒化チ
タン６，配線金属７の順に堆積する工程になっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、コンタクト
ホール形成のオーバーエッチング時に、拡散層２のコン
タクト部にフッ素（Ｆ）または炭素（Ｃ）等の重合膜８
が形成される。この重合膜８は、プラズマアッシャー処
理および希フッ酸処理では除去することができず、後に
堆積するチタン５と拡散層２のシリコンとの間の結合を
弱くする要因になっていた。さらに、拡散層２を形成す
る基板不純物タイプ（ｎ型，ｐ型）により重合物が異な
り、特にフッ素とｐ型コンタクトの不純物であるホウ素
は化学結合が強く、ｐ型シリコン基板で清浄表面が得に
くくなっていた。
ホール形成のオーバーエッチング時に、拡散層２のコン
タクト部にフッ素（Ｆ）または炭素（Ｃ）等の重合膜８
が形成される。この重合膜８は、プラズマアッシャー処
理および希フッ酸処理では除去することができず、後に
堆積するチタン５と拡散層２のシリコンとの間の結合を
弱くする要因になっていた。さらに、拡散層２を形成す
る基板不純物タイプ（ｎ型，ｐ型）により重合物が異な
り、特にフッ素とｐ型コンタクトの不純物であるホウ素
は化学結合が強く、ｐ型シリコン基板で清浄表面が得に
くくなっていた。
【０００７】このように、十分な清浄表面が得られない
状態でチタン５および窒化チタン６を含む配線金属７と
のコンタクト形成が行われていた。その結果、コンタク
ト部の電気的接続が不安定になり、特にｐ型シリコン基
板におけるコンタクト抵抗が高く、バラツキも大きくな
っていた。
状態でチタン５および窒化チタン６を含む配線金属７と
のコンタクト形成が行われていた。その結果、コンタク
ト部の電気的接続が不安定になり、特にｐ型シリコン基
板におけるコンタクト抵抗が高く、バラツキも大きくな
っていた。
【０００８】本発明は、コンタクト部に形成される重合
膜を除去し、さらにｐ型シリコン基板と配線金属とのコ
ンタクト抵抗の低減に有効なコンタクト形成方法を提供
することを目的とする。
膜を除去し、さらにｐ型シリコン基板と配線金属とのコ
ンタクト抵抗の低減に有効なコンタクト形成方法を提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応性イオン
エッチング法によりコンタクトホールを形成し、続いて
マスクパターンとして用いた有機高分子膜を除去し、続
いて第１の金属，第２の金属の窒化物，配線金属を順に
堆積してコンタクトを形成するコンタクト形成方法にお
いて、第１の金属を堆積する前に、コンタクトホール底
部のシリコン基板表面に電子サイクロトロン共鳴法によ
る酸素プラズマ処理（以下「ＥＣＲ酸素プラズマ処理」
という。）で酸化膜を形成し、続いてこの酸化膜を除去
する工程を有し、第１の金属および第２の金属の窒化物
を堆積した後に、シリコン基板を熱処理して第１の金属
とシリコンとの合金を形成する工程を有する。
エッチング法によりコンタクトホールを形成し、続いて
マスクパターンとして用いた有機高分子膜を除去し、続
いて第１の金属，第２の金属の窒化物，配線金属を順に
堆積してコンタクトを形成するコンタクト形成方法にお
いて、第１の金属を堆積する前に、コンタクトホール底
部のシリコン基板表面に電子サイクロトロン共鳴法によ
る酸素プラズマ処理（以下「ＥＣＲ酸素プラズマ処理」
という。）で酸化膜を形成し、続いてこの酸化膜を除去
する工程を有し、第１の金属および第２の金属の窒化物
を堆積した後に、シリコン基板を熱処理して第１の金属
とシリコンとの合金を形成する工程を有する。
【００１０】また、第１の金属および第２の金属の窒化
物を堆積した後のコンタクトホールにタングステンを埋
め込む工程を有してもよい。また、第１の金属はチタン
（Ｔi)，タングステン（Ｗ），コバルト（Ｃo)，白金
（Ｐt)，ニッケル（Ｎi)のうちの１つであり、第２の金
属はチタン（Ｔi)，タングステン（Ｗ），ジルコニウム
（Ｚr)のうちの１つである。
物を堆積した後のコンタクトホールにタングステンを埋
め込む工程を有してもよい。また、第１の金属はチタン
（Ｔi)，タングステン（Ｗ），コバルト（Ｃo)，白金
（Ｐt)，ニッケル（Ｎi)のうちの１つであり、第２の金
属はチタン（Ｔi)，タングステン（Ｗ），ジルコニウム
（Ｚr)のうちの１つである。
【００１１】
【作用】本発明は、反応性イオンエッチングによってシ
リコン基板のコンタクト部に形成された重合膜に対し
て、ＥＣＲ酸素プラズマ処理で酸化膜を形成することに
より重合膜をほぼ除去することができる。その後、ＥＣ
Ｒ酸素プラズマ処理によって形成された酸化膜をエッチ
ングして除去することにより、シリコン基板のコンタク
ト部の表面を清浄化することができる。すなわち、シリ
コン基板と配線金属との間で十分な結合を得ることがで
きる。
リコン基板のコンタクト部に形成された重合膜に対し
て、ＥＣＲ酸素プラズマ処理で酸化膜を形成することに
より重合膜をほぼ除去することができる。その後、ＥＣ
Ｒ酸素プラズマ処理によって形成された酸化膜をエッチ
ングして除去することにより、シリコン基板のコンタク
ト部の表面を清浄化することができる。すなわち、シリ
コン基板と配線金属との間で十分な結合を得ることがで
きる。
【００１２】また、第１の金属（例えばチタン）および
第２の金属の窒化物（例えば窒化チタン）を堆積した後
にシリコン基板を熱処理することにより、第１の金属と
シリコンとを反応させて合金（例えばチタンシリサイ
ド）を形成することができる。これにより、特にｐ型シ
リコン基板と配線金属とのコンタクト抵抗を低減させる
ことができる。
第２の金属の窒化物（例えば窒化チタン）を堆積した後
にシリコン基板を熱処理することにより、第１の金属と
シリコンとを反応させて合金（例えばチタンシリサイ
ド）を形成することができる。これにより、特にｐ型シ
リコン基板と配線金属とのコンタクト抵抗を低減させる
ことができる。
【００１３】また、第１の金属および第２の金属の窒化
物を堆積した後のコンタクトホールが小さい場合にはそ
こにタングステンを埋め込み、その上に配線金属を堆積
することにより、シリコン基板と配線金属との間の結合
を良好にすることができる。
物を堆積した後のコンタクトホールが小さい場合にはそ
こにタングステンを埋め込み、その上に配線金属を堆積
することにより、シリコン基板と配線金属との間の結合
を良好にすることができる。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明方法によるコンタクト形成工
程の実施例を説明する図である。図において、シリコン
基板１の表面に、高濃度不純物（ｎ型ではヒ素（Ａs)、
ｐ型ではホウ素（Ｂ））をイオン注入して拡散層２を形
成する。続いて、シリコン基板１の上面に層間絶縁膜で
あるシリコン酸化膜３を堆積し、さらにその上面にホト
レジストを形成し、シリコン酸化膜３のコンタクトホー
ルのマスクパターンを形成する。
程の実施例を説明する図である。図において、シリコン
基板１の表面に、高濃度不純物（ｎ型ではヒ素（Ａs)、
ｐ型ではホウ素（Ｂ））をイオン注入して拡散層２を形
成する。続いて、シリコン基板１の上面に層間絶縁膜で
あるシリコン酸化膜３を堆積し、さらにその上面にホト
レジストを形成し、シリコン酸化膜３のコンタクトホー
ルのマスクパターンを形成する。
【００１５】次に、ＣＦ4＋Ｏ2またはＣＨＦ3＋Ｏ2ガス
を用いた反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）により、
ホトレジストをマスクとしてシリコン酸化膜３を拡散層
２までエッチングする。続いて、ホトレジストをプラズ
マアッシャーにより除去する。図１(a) は、ホトレジス
ト除去後の試料の断面構造である。このとき、シリコン
基板１のコンタクト部には重合膜８が形成される。な
お、この状態は図５(b)と同じである。
を用いた反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）により、
ホトレジストをマスクとしてシリコン酸化膜３を拡散層
２までエッチングする。続いて、ホトレジストをプラズ
マアッシャーにより除去する。図１(a) は、ホトレジス
ト除去後の試料の断面構造である。このとき、シリコン
基板１のコンタクト部には重合膜８が形成される。な
お、この状態は図５(b)と同じである。
【００１６】次に、真空度 0.3ｍTorr、酸素雰囲気中無
加熱でＥＣＲ酸素プラズマ処理９を１分間行ってコンタ
クト部に酸化膜１０を４ｎｍ程度成長させ、同時にコン
タクト部の重合膜８を低温酸化により除去する。図１
(b) は、重合膜除去後の試料の断面構造である。
加熱でＥＣＲ酸素プラズマ処理９を１分間行ってコンタ
クト部に酸化膜１０を４ｎｍ程度成長させ、同時にコン
タクト部の重合膜８を低温酸化により除去する。図１
(b) は、重合膜除去後の試料の断面構造である。
【００１７】次に、緩衝希フッ酸液によりコンタクト部
の酸化膜１０を除去し、続いてチタン（Ｔi)５をスパッ
タ法により10〜20ｎｍ程度堆積し、続いて窒化チタン
（ＴiＮ）６を反応性スパッタ法により30〜 100ｎｍ程
度堆積する。なお、チタン５や窒化チタン６の堆積で
は、通常のスパッタ法の他にステップカバレッジの優れ
たコリメーションスパッタ法を用いてもよい。
の酸化膜１０を除去し、続いてチタン（Ｔi)５をスパッ
タ法により10〜20ｎｍ程度堆積し、続いて窒化チタン
（ＴiＮ）６を反応性スパッタ法により30〜 100ｎｍ程
度堆積する。なお、チタン５や窒化チタン６の堆積で
は、通常のスパッタ法の他にステップカバレッジの優れ
たコリメーションスパッタ法を用いてもよい。
【００１８】次に、窒素雰囲気中 500〜600 ℃の範囲
で、例えばＲＴＡ（ラピッドサーマル・アニーリング）
法による急速加熱処理１１を30〜60秒程度行う。その結
果、拡散層２のシリコンとチタン５が反応し、チタンシ
リサイド（ＴiXＳiy) 層１２が形成される。図１(c)
は、チタンシリサイド形成後の試料の断面構造である。
で、例えばＲＴＡ（ラピッドサーマル・アニーリング）
法による急速加熱処理１１を30〜60秒程度行う。その結
果、拡散層２のシリコンとチタン５が反応し、チタンシ
リサイド（ＴiXＳiy) 層１２が形成される。図１(c)
は、チタンシリサイド形成後の試料の断面構造である。
【００１９】次に、配線金属（例えばアルミニウム(Ａ
l) 合金やタングステン(Ｗ)）７を堆積する。続いて、
同様にホトレジストのマスクパターンを用いて配線パタ
ーンを形成する。図１(d) は、配線パターン形成後の試
料の断面構造である。
l) 合金やタングステン(Ｗ)）７を堆積する。続いて、
同様にホトレジストのマスクパターンを用いて配線パタ
ーンを形成する。図１(d) は、配線パターン形成後の試
料の断面構造である。
【００２０】また、コンタクトホールが小さい場合に
は、配線金属７を直接堆積する前にタングステン（Ｗ）
による埋め込みを行う。すなわち、図２に示すように、
窒化チタン６上にブランケットＣＶＤ法によりタングス
テン１３を堆積し、さらに同一装置内でエッチバックし
てコンタクト部分に埋め込み、続いて配線金属７を形成
する。
は、配線金属７を直接堆積する前にタングステン（Ｗ）
による埋め込みを行う。すなわち、図２に示すように、
窒化チタン６上にブランケットＣＶＤ法によりタングス
テン１３を堆積し、さらに同一装置内でエッチバックし
てコンタクト部分に埋め込み、続いて配線金属７を形成
する。
【００２１】なお、本実施例ではコンタクト部に堆積す
る第１の金属としてチタンを用いた例を示したが、他に
シリコンとの合金が形成できるものであればタングステ
ン，コバルト，白金，ニッケルその他を用いることがで
きる。また、第２の金属の窒化物として窒化チタンを用
いた例を示したが、他に窒化タングステン，窒化ジルコ
ニウムその他を用いることができる。また、本実施例で
は層間絶縁膜としてシリコン酸化膜３を用いているが、
シリコン窒化膜（ＳiＮ)その他の酸素を含まない絶縁膜
を用いることができる。
る第１の金属としてチタンを用いた例を示したが、他に
シリコンとの合金が形成できるものであればタングステ
ン，コバルト，白金，ニッケルその他を用いることがで
きる。また、第２の金属の窒化物として窒化チタンを用
いた例を示したが、他に窒化タングステン，窒化ジルコ
ニウムその他を用いることができる。また、本実施例で
は層間絶縁膜としてシリコン酸化膜３を用いているが、
シリコン窒化膜（ＳiＮ)その他の酸素を含まない絶縁膜
を用いることができる。
【００２２】図３は、酸素プラズマ処理(150℃）による
シリコン基板１の酸化特性と、ＥＣＲ酸素プラズマ処理
（無加熱）によるシリコン基板１の酸化特性を示す。図
において、横軸は処理時間、縦軸は酸化膜厚である。図
に示すように、ＥＣＲ酸素プラズマ処理は、低温でも酸
化速度が極めて大きいことがわかる。したがって、ホト
レジストを除去する酸素プラズマ処理後に、ＥＣＲ酸素
プラズマ処理を行うことにより、シリコン基板１のコン
タクト部に形成された重合膜８をほぼ除去することがで
きる。また、ＥＣＲ酸素プラズマ処理により成長した酸
化膜１０は、次の工程の希フッ酸処理により除去するこ
とにより、シリコン基板１のコンタクト部の表面を清浄
化することができる。
シリコン基板１の酸化特性と、ＥＣＲ酸素プラズマ処理
（無加熱）によるシリコン基板１の酸化特性を示す。図
において、横軸は処理時間、縦軸は酸化膜厚である。図
に示すように、ＥＣＲ酸素プラズマ処理は、低温でも酸
化速度が極めて大きいことがわかる。したがって、ホト
レジストを除去する酸素プラズマ処理後に、ＥＣＲ酸素
プラズマ処理を行うことにより、シリコン基板１のコン
タクト部に形成された重合膜８をほぼ除去することがで
きる。また、ＥＣＲ酸素プラズマ処理により成長した酸
化膜１０は、次の工程の希フッ酸処理により除去するこ
とにより、シリコン基板１のコンタクト部の表面を清浄
化することができる。
【００２３】図４は、急速加熱処理における加熱温度と
コンタクト抵抗率との関係を示す。図において、横軸は
加熱温度（℃）、縦軸はコンタクト抵抗率（Ω・ｃ
ｍ2 ）であり、○印はｐ型シリコン基板、△印はｎ型シ
リコン基板の場合である。図に示すように、特にｐ型シ
リコン基板において、ＥＣＲ処理を行わない場合のコン
タクト抵抗は高くかつバラツキが大きいのに対して、Ｅ
ＣＲ処理を行って 500℃以上の温度で急速加熱処理を行
うとコンタクト抵抗を約１／２に低減できることがわか
る。さらに、加熱温度が 500〜600 ℃の範囲ではコンタ
クト抵抗は低く、十分なマージンがあるといえる。な
お、ｎ型シリコン基板では急速加熱処理によるコンタク
ト抵抗率の変化はほとんどないので、ｐ型およびｎ型が
混在したものについても急速加熱処理による問題は生じ
ない。
コンタクト抵抗率との関係を示す。図において、横軸は
加熱温度（℃）、縦軸はコンタクト抵抗率（Ω・ｃ
ｍ2 ）であり、○印はｐ型シリコン基板、△印はｎ型シ
リコン基板の場合である。図に示すように、特にｐ型シ
リコン基板において、ＥＣＲ処理を行わない場合のコン
タクト抵抗は高くかつバラツキが大きいのに対して、Ｅ
ＣＲ処理を行って 500℃以上の温度で急速加熱処理を行
うとコンタクト抵抗を約１／２に低減できることがわか
る。さらに、加熱温度が 500〜600 ℃の範囲ではコンタ
クト抵抗は低く、十分なマージンがあるといえる。な
お、ｎ型シリコン基板では急速加熱処理によるコンタク
ト抵抗率の変化はほとんどないので、ｐ型およびｎ型が
混在したものについても急速加熱処理による問題は生じ
ない。
【００２４】このように、重合膜８を除去した後の清浄
なシリコン表面に堆積したチタン５とシリコンとを急速
加熱処理により反応させることにより、コンタクト部に
チタンシリサイド層１２を平坦かつ再現性よく形成する
ことができる。なお、急速加熱処理としては、ＲＴＡ法
の他に熱処理雰囲気に酸化性のガスが混入しない方法で
あれば、例えば真空中加熱法を用いてもよい。
なシリコン表面に堆積したチタン５とシリコンとを急速
加熱処理により反応させることにより、コンタクト部に
チタンシリサイド層１２を平坦かつ再現性よく形成する
ことができる。なお、急速加熱処理としては、ＲＴＡ法
の他に熱処理雰囲気に酸化性のガスが混入しない方法で
あれば、例えば真空中加熱法を用いてもよい。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、低温で酸
化力の強い電子サイクロトロン共鳴法（ＥＣＲ）を用い
た酸素プラズマ処理により、コンタクト部の重合膜およ
びダメージ層を効果的に除去して清浄基板表面を得るこ
とができる。
化力の強い電子サイクロトロン共鳴法（ＥＣＲ）を用い
た酸素プラズマ処理により、コンタクト部の重合膜およ
びダメージ層を効果的に除去して清浄基板表面を得るこ
とができる。
【００２６】さらに、重合膜およびダメージ層を除去し
た後の清浄なシリコン表面に所定の金属を堆積して急速
加熱処理することにより、シリコンと所定の金属との安
定な合金を再現性よく形成することができる。これによ
り、特にｐ型シリコン基板におけるコンタクト抵抗を再
現性よく低減することができる。このコンタクト抵抗の
低減とバラツキの低減により、大規模集積回路の高速化
と信頼性の向上および歩留りの向上を図ることができ
る。
た後の清浄なシリコン表面に所定の金属を堆積して急速
加熱処理することにより、シリコンと所定の金属との安
定な合金を再現性よく形成することができる。これによ
り、特にｐ型シリコン基板におけるコンタクト抵抗を再
現性よく低減することができる。このコンタクト抵抗の
低減とバラツキの低減により、大規模集積回路の高速化
と信頼性の向上および歩留りの向上を図ることができ
る。
【図１】本発明方法によるコンタクト形成工程の実施例
を説明する図。
を説明する図。
【図２】本発明方法によるコンタクト形成工程の他の実
施例を説明する図。
施例を説明する図。
【図３】酸素プラズマ処理およびＥＣＲ酸素プラズマ処
理におけるシリコン基板の酸化特性を示す図。
理におけるシリコン基板の酸化特性を示す図。
【図４】急速加熱処理における加熱温度とコンタクト抵
抗率との関係を示す図。
抗率との関係を示す図。
【図５】従来のコンタクト形成工程の概要を説明する
図。
図。
１ シリコン基板 ２ 拡散層 ３ シリコン酸化膜 ４ ホトレジスト ５ チタン（Ｔi) ６ 窒化チタン（ＴiＮ） ７ 配線金属 ８ 重合膜 ９ ＥＣＲ酸素プラズマ処理 １０ 酸化膜 １１ 急速加熱処理 １２ チタンシリサイド（ＴiXＳiy) 層 １３ タングステン（Ｗ）
フロントページの続き (72)発明者 町田 克之 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 フッ素，炭素および酸素を含むガスまた
はフッ素，炭素，水素および酸素を含むガスを用いた反
応性イオンエッチング法により、所定のマスクパターン
を有する有機高分子膜をマスクとしてシリコン基板上に
堆積した層間絶縁膜をシリコン基板までエッチングして
コンタクトホールを形成し、続いて有機高分子膜を酸素
プラズマ処理により除去し、続いて第１の金属，第２の
金属の窒化物，配線金属を順に堆積してコンタクトを形
成するコンタクト形成方法において、 前記第１の金属を堆積する前に、前記コンタクトホール
底部のシリコン基板表面に電子サイクロトロン共鳴法に
よる酸素プラズマ処理で酸化膜を形成し、続いてこの酸
化膜を除去する工程を有し、 前記第１の金属および前記第２の金属の窒化物を堆積し
た後に、シリコン基板を熱処理して前記第１の金属とシ
リコンとの合金を形成する工程を有することを特徴とす
るコンタクト形成方法。 - 【請求項２】 第１の金属および第２の金属の窒化物を
堆積した後のコンタクトホールにタングステンを埋め込
む工程を有し、その上に配線金属を堆積することを特徴
とする請求項１に記載のコンタクト形成方法。 - 【請求項３】 第１の金属はチタン，タングステン，コ
バルト，白金，ニッケルのうちの１つであり、第２の金
属はチタン，タングステン，ジルコニウムのうちの１つ
である請求項１または請求項２に記載のコンタクト形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6084799A JPH07297146A (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | コンタクト形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6084799A JPH07297146A (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | コンタクト形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297146A true JPH07297146A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=13840761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6084799A Pending JPH07297146A (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | コンタクト形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07297146A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980077122A (ko) * | 1997-04-16 | 1998-11-16 | 김영환 | 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 |
| JP2000315662A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US10079210B2 (en) | 2015-10-12 | 2018-09-18 | Samsung Electroics Co., Ltd. | Integrated circuit device and method of fabricating the same |
-
1994
- 1994-04-22 JP JP6084799A patent/JPH07297146A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980077122A (ko) * | 1997-04-16 | 1998-11-16 | 김영환 | 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 |
| JP2000315662A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US10079210B2 (en) | 2015-10-12 | 2018-09-18 | Samsung Electroics Co., Ltd. | Integrated circuit device and method of fabricating the same |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040408 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040511 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041109 |