JPH0728878A - レイアウトパターン発生装置 - Google Patents

レイアウトパターン発生装置

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Publication number
JPH0728878A
JPH0728878A JP17345893A JP17345893A JPH0728878A JP H0728878 A JPH0728878 A JP H0728878A JP 17345893 A JP17345893 A JP 17345893A JP 17345893 A JP17345893 A JP 17345893A JP H0728878 A JPH0728878 A JP H0728878A
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JP
Japan
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truth value
layout pattern
value data
data
rom
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Application number
JP17345893A
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English (en)
Inventor
Yoshihiro Ito
伊藤  嘉浩
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Renesas Design Corp
Mitsubishi Electric Corp
Mitsubishi Electric Semiconductor Systems Corp
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Renesas Design Corp
Mitsubishi Electric Corp
Mitsubishi Electric Semiconductor Systems Corp
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 レイアウトパターンのデータ量を少なくし
て、レイアウトパターン作成に必要なディスク容量を削
減するとともに、処理時間を短縮する。 【構成】 ROMデータ1をメモリセル・アレイに対応
するように並び換えた真理値データ4を作成する真理値
データ作成手段3と、該真理値データ「1」の割合が5
0%以下の場合には、真理値データ「1」に対して、5
0%以上の場合には真理値データ「0」に対して、それ
ぞれマスク上に作画すべきレイアウトパターン7を作成
するレイアウトパターン発生手段6とを設け、反転情報
追加手段8に、上記「1」または「0」のどちらで作成
したかを示すフラグ10をレイアウトパターン7に追加
させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、レイアウトパターン
を発生する真理値データの割合に応じたレイアウトパタ
ーンデータを作成するレイアウトパターン発生装置に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】図10は従来のレイアウトパターン発生
装置を示すブロック図であり、図において、1はレイア
ウトパターン発生装置の入力となる、マスクROM内蔵
LSI内に書き込むためのROMデータ、2はROMデ
ータ1の読み込みを行うROMデータ読み込み手段であ
る。
【0003】また、3はROMデータ1(16進数)を
「1」と「0」の2進数のデータに変換し、レイアウト
パターン上のメモリセル・アレイに対応するように並び
換えを行う真理値データ作成手段、4は真理値データ作
成手段3で作成した真理値データである。
【0004】さらに、42はマスク上に作画すべきレイ
アウトパターンを作成するレイアウトパターン発生手
段、7はレイアウトパターン発生手段42で作成したレ
イアウトパターンである。
【0005】次に動作について説明する。図11はレイ
アウトパターン発生手順を示すフローチャートであり、
図において、まず最初にマスクROM内蔵LSI内に書
き込むROMデータ1(16進数)の読み込みを、RO
Mデータ読み込み手段2により行い(ステップST4
3)、さらに、真理値データ作成手段3で読み込んだ上
記ROMデータ1から真理値データ4を作成する(ステ
ップST44)。
【0006】ここで、真理値データ4とは、マスクRO
M内蔵LSIに書き込むROMデータ1を「1」と
「0」の2進数のデータに変換し、レイアウトパターン
上のメモリセル・アレイに対応するように並び換えたも
のである。
【0007】次に、レイアウトパターン発生手段42に
おいて、上記真理値データ4を読み込み、真理値データ
「1」に対して、レイアウトパターン7を作成し(ステ
ップST45)、こうして作成したレイアウトパターン
7から、マスクを作成する(ステップST46)。
【0008】また、図12に示すように、マスクが作成
されたマスクROM内蔵LSIからデータを読み取る場
合には、アドレスを指定してROMデータ1を読み取
り、これをそのまま出力することとなる(ステップST
47)。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】従来のレイアウトパタ
ーン発生装置は以上のように構成されているので、全真
理値データ4における真理値データ「1」の割合が増え
るにつれて、レイアウトパターン7のデータ量も比例し
て増えるため、処理に多くのディスク容量を必要とする
ばかりか、処理時間も遅くなるなどの問題点があった。
【0010】請求項1の発明は上記のような問題点を解
消するためになされたもので、真理値データの割合を判
断し、真理値データの「1」と「0」の割合の少ない方
でレイアウトパターンを作成することにより、作成する
レイアウトパターンのデータ量を少なくでき、これによ
り、レイアウトパターン作成に必要なディスク容量を削
減でき、また、処理時間を短縮することのできるレイア
ウトパターン発生装置を得ることを目的とする。
【0011】請求項2の発明はROMの特定領域に設け
たフラグを用いてデータ量の少ないレイアウトパターン
を作成できるレイアウトパターン発生装置を得ることを
目的とする。
【0012】請求項3の発明はマスク作成時にフラグを
判断してデータ量の少ないレイアウトパターンを作成で
きるレイアウトパターン発生装置を得ることを目的とす
る。
【0013】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明に係るレ
イアウトパターン発生装置は、ROMデータをレイアウ
トパターン上のメモリセル・アレイに対応するように並
び換えた真理値データを作成する真理値データ作成手段
と、該真理値データ「1」の割合を判断する真理値デー
タ判断手段と、真理値データ「1」の割合が50%以下
の場合には、真理値データ「1」に対して、50%以上
の場合には真理値データ「0」に対して、それぞれマス
ク上に作画すべきレイアウトパターンを作成するレイア
ウトパターン発生手段とを設け、反転情報追加手段に、
上記真理値データの「1」または「0」のどちらで作成
したかを示すフラグをレイアウトパターンに追加させる
ようにしたものである。
【0014】請求項2の発明に係るレイアウトパターン
発生装置は、真理値データ「1」の割合を判断する真理
値データ判断手段と、真理値データ判断手段の結果をも
とに、真理値データ「1」の割合が50%以下の場合に
は、真理値データ「1」に対して、50%以上の場合に
は真理値データ「0」に対して、それぞれマスク上に作
画すべきレイアウトパターンを作成するレイアウトパタ
ーン発生手段とを設け、反転情報追加手段に、上記真理
値データの「1」または「0」のどちらで作成したかを
示すフラグをROMの特定領域に追加させるようにした
ものである。
【0015】請求項3の発明に係るレイアウトパターン
発生装置は、レイアウトパターンを真理値データの
「1」または「0」のどちらで作成したかを示すフラグ
を該レイアウトパターンに追加させ、作成したレイアウ
トパターンからのマスクの作成時に、該レイアウトパタ
ーンに追加したフラグを判断させてマスクを作成するよ
うにしたものである。
【0016】
【作用】請求項1の発明におけるレイアウトパターン発
生装置は、真理値データの割合から、レイアウトパター
ン発生手段によって、真理値データの「1」と「0」の
割合の少ない方でレイアウトパターンを発生させること
により、レイアウトパターンの発生処理に要するデータ
量の削減を図り、これによりディスク容量の削減および
処理時間の短縮を図れるようにする。
【0017】請求項2の発明におけるレイアウトパター
ン発生装置は、レイアウトパターンにおけるROMの特
定領域に設けたフラグを用いて、データ量の少ないレイ
アウトパターンを作成する。
【0018】請求項3の発明におけるレイアウトパター
ン発生装置は、マスク作成時にフラグを判断して、デー
タ量の少ないレイアウトパターンを作成する。
【0019】
【実施例】
実施例1.以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1において、1はレイアウトパターン発生装置
の入力となるマスクROM内蔵LSI内に書き込むため
のROMデータ、2はROMデータ1の読み込みを行う
ROMデータ読み込み手段である。
【0020】また、3はROMデータ1(16進数)を
「1」と「0」の2進数のデータに変換し、レイアウト
パターン上のメモリセル・アレイに対応するように並び
換えを行う真理値データ作成手段、4は真理値データ作
成手段3で作成した真理値データ、5は全真理値データ
4に対する真理値データ「1」の割合を判断する真理値
データ判断手段である。
【0021】さらに、6は真理値データ判断手段5によ
る結果をもとに、真理値データ「1」の割合が50%以
下の場合には、真理値データ「1」に対して、一方、5
0%以上の場合には、真理値データ「0」に対して、マ
スク上に作画すべきレイアウトパターンを作成するレイ
アウトパターン発生手段である。
【0022】7はレイアウトパターン発生手段6で作成
したレイアウトパターン、8はレイアウトパターン7を
真理値データの「1」または「0」のどちらで作成した
かを示すフラグをレイアウトパターン7に追加する反転
情報追加手段、9は反転情報追加手段8によりレイアウ
トパターンにフラグを追加した反転情報追加後のレイア
ウトパターンである。
【0023】また、図2はレイアウトパターン発生動作
を示すフローチャート、図3は発生したレイアウトパタ
ーンをもとに作成したマスクROM内蔵LSIからデー
タを読み取る動作を示すフローチャート、図4はマスク
ROMレイアウトパターンの構成図であり、9は反転情
報追加後のレイアウトパターン、10はフラグである。
【0024】次に動作について説明する。図2および図
3のフローチャートにおいて、まず最初にマスクROM
内蔵LSI内に書き込むROMデータ1(16進数)の
読み込みを、ROMデータ読み込み手段2により行い
(ステップST10)、さらに、真理値データ作成手段
3で読み込んだROMデータ1から真理値データ4を作
成する(ステップST11)。
【0025】次に、真理値データ判断手段5は全真理値
データ4に対する真理値データ「1」の割合を判断し、
続いて、レイアウトパターン発生手段6が真理値データ
「1」の割合が50%未満か否かを判定し(ステップS
T12)、50%未満の場合には、真理値データ「1」
に対してレイアウトパターン7を作成する(ステップS
T13)。
【0026】一方、真理値データ「1」の割合が50%
以上の場合には、真理値データ「0」に対してレイアウ
トパターン7を作成し(ステップST14)、反転情報
追加手段8にて真理値データ「0」でレイアウトパター
ン7を作成したことを示すフラグ10をレイアウトパタ
ーン7に追加し、図4に示すような反転情報追加後のレ
イアウトパターン9を作成する(ステップST15)。
【0027】このようにして、レイアウトパターン発生
手段6にて作成したレイアウトパターン7または、反転
情報追加後のレイアウトパターン9をもとにマスクを作
成する(ステップST16)。
【0028】これに対し、マスクROM内蔵LSIから
データを読み取る場合には、最初に、アドレスを指定し
てROMデータ1を読み取る(ステップST17)。そ
して、このとき、マスクROM内蔵LSIから真理値デ
ータ「0」で作成されたことを示すフラグ10を読み取
り、ROMデータ1が真理値データ「0」で作成された
かを判断する(ステップST18)。
【0029】これに対して、真理値データ「0」で作成
されたことを示すフラグ10がない場合、読み取ったデ
ータをそのまま出力し(ステップST19)、フラグ1
0がある場合、読み取ったデータを反転して出力する
(ステップST20)。
【0030】実施例2.なお、上記実施例1では、真理
値データ「0」でレイアウトパターン7を作成したこと
を示すフラグ10をレイアウトパターン7に追加する場
合について説明したが、真理値データ「0」でレイアウ
トパターン7を作成したことを示すフラグ10を、RO
M11の特定領域に追加してもよく、上記実施例1と同
様の効果を奏する。
【0031】図5はかかるレイアウトパターン発生装置
の動作を示すフローチャート、図6はレイアウトパター
ンの構成図、図7はレイアウトパターンをもとに作成し
たマスクROM内蔵LSIからデータを読み取る動作を
示すフローチャートである。
【0032】この実施例1では、最初にマスクROM内
蔵LSI内に書き込むためのROMデータ1の読み込み
を行い(ステップST21)、真理値データ作成手段3
で読み込んだROMデータ1から真理値データ4を作成
する(ステップST22)。
【0033】そして、真理値データ判断手段5で全真理
値データ4に対する真理値データ「1」の割合を判断
し、続いて、レイアウトパターン発生手段6によって、
真理値データ「1」の割合が50%未満か否かを判定し
(ステップST23)、50%未満の場合には、真理値
データ「1」に対してレイアウトパターン7を作成する
(ステップST24)。
【0034】また、50%以上の場合には、真理値デー
タ「0」に対してレイアウトパターン7を作成し(ステ
ップST25)、反転情報追加手段8にて真理値データ
「0」でレイアウトパターン7を作成したことを示すフ
ラグ10をROM11の特定領域に追加して、反転情報
追加後のレイアウトパターン9を作成する(ステップS
T26)。
【0035】そして、上記レイアウトパターン7また
は、反転情報追加後のレイアウトパターン9をもとにマ
スクを作成する(ステップST27)。
【0036】これに対し、マスクROM内蔵LSIから
データを読み取る場合には、最初にアドレスを指定して
ROMデータ1を読み取る(ステップST28)。そし
て、このとき、マスクROM内蔵LSIのROMの特定
領域から真理値データ「0」で作成されたことを示すフ
ラグ10を読み取り、ROMデータが真理値データ
「0」で作成されたかを判断する(ステップST2
9)。
【0037】さらに、真理値データ「0」で作成された
ことを示すフラグ10がない場合には、読み取ったデー
タをそのまま出力し(ステップST30)、フラグ10
がある場合、読み取ったデータを反転して出力する(ス
テップST31)。
【0038】実施例3.また、上記実施例1,2では、
レイアウトパターン7に真理値データ「0」で作成した
かを示すフラグ10を追加後、このフラグ10を追加し
たレイアウトパターン7をもとにマスクを作成する場合
について説明したが、真理値データ「0」で作成したか
を示すフラグ10を追加したレイアウトパターン7をも
とに、マスク作成時にフラグ10を判断し、フラグ10
があればレイアウトパターン7を反転してマスクを作成
してもよく、上記実施例1,2と同様の効果を奏する。
【0039】図8はレイアウトパターン発生動作を示す
フローチャート、図9はレイアウトパターンをもとに作
成したマスクROM内蔵LSIからデータを読み取る動
作を示すフローチャートである。
【0040】この実施例3では、まず、最初にマスクR
OM内蔵LSI内に書き込むROMデータ1の読み込み
を行い(ステップST32)、さらに、真理値データ作
成手段3で読み込んだROMデータ1から真理値データ
4を作成する(ステップST33)。
【0041】そして、真理値データ判断手段5で全真理
値データ4に対する真理値データ「1」の割合を判断
し、続いて、レイアウトパターン発生手段6によって真
理値データ「1」の割合が50%未満か否かを判定し
(ステップST34)、50%未満の場合には、真理値
データ「1」に対してレイアウトパターン7を作成する
(ステップST35)。
【0042】また、真理値データ「1」の割合が50%
以上の場合には、真理値データ「0」に対してレイアウ
トパターン7を作成し(ステップST36)、反転情報
追加手段8にて真理値データ「0」でレイアウトパター
ン7を作成したことを示すフラグ10をレイアウトパタ
ーンファイルに追加し、反転情報追加後のレイアウトパ
ターン9を作成する(ステップST37)。
【0043】そして、マスク作成時に発生したレイアウ
トパターン7、または反転情報追加後のレイアウトパタ
ーン9からフラグ10を読み取り、レイアウトパターン
7が真理値データ「0」で作成されたか判断する(ステ
ップST38)。
【0044】真理値データ「0」で作成されたことを示
すフラグ10がない場合、レイアウトパターン7からそ
のままマスクを作成し(ステップST39)、真理値デ
ータ「0」で作成されたことを示すフラグ10がある場
合、レイアウトパターン7を反転してマスクを作成する
(ステップST40)。
【0045】一方、マスクROM内蔵LSIからデータ
を読み取る場合には、最初にアドレスを指定してROM
データ1を読み取り、そのまま出力することになる(ス
テップST41)。
【0046】
【発明の効果】以上にように、請求項1の発明によれ
ば、ROMデータをレイアウトパターン上のメモリセル
・アレイに対応するように並び換えた真理値データを作
成する真理値データ作成手段と、該真理値データ「1」
の割合を判断する真理値データ判断手段と、真理値デー
タ「1」の割合が50%以下の場合には、真理値データ
「1」に対して、50%以上の場合には真理値データ
「0」に対して、それぞれマスク上に作画すべきレイア
ウトパターンを作成するレイアウトパターン発生手段と
を設け、反転情報追加手段に、上記真理値データの
「1」または「0」のどちらで作成したかを示すフラグ
をレイアウトパターンに追加させるように構成したの
で、真理値データの割合を判断し、真理データの「1」
または「0」の割合の少ない方でレイアウトパターンを
作成することで、扱うレイアウトパターン量を少なくす
ることができ、従って、レイアウトパターン作成に必要
なディスク容量を大幅に削減することができるほか、処
理時間を短縮できるものが得られる効果がある。
【0047】請求項2の発明によれば、真理値データ
「1」の割合を判断する真理値データ判断手段と、真理
値データ判断手段の結果をもとに、真理値データ「1」
の割合が50%以下の場合には、真理値データ「1」に
対して、50%以上の場合には真理値データ「0」に対
して、それぞれマスク上に作画すべきレイアウトパター
ンを作成するレイアウトパターン発生手段とを設け、反
転情報追加手段に、上記真理値データの「1」または
「0」のどちらで作成したかを示すフラグをROMの特
定領域に追加させるように構成したので、ROMの特定
領域に設けたフラグを用いてデータ量の少ないレイアウ
トパターンを作成できるものが得られる効果がある。
【0048】請求項3の発明によれば、レイアウトパタ
ーンを真理値データの「1」または「0」のどちらで作
成したかを示すフラグを該レイアウトパターンに追加さ
せ、作成したレイアウトパターンからのマスクの作成時
に、該レイアウトパターンに追加したフラグを判断させ
てマスクを作成するように構成したので、マスク作成時
にフラグを判断してデータ量の少ないレイアウトパター
ンを作成できるものが得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例によるレイアウトパターン発
生装置を示すブロック図である。
【図2】請求項1の発明におけるレイアウトパターン発
生装置の動作を示すフローチャートである。
【図3】請求項1の発明におけるレイアウトパターンを
もとに作成したマスクROM内蔵LSIからデータを読
み取る動作を示すフローチャートである。
【図4】請求項1の発明におけるレイアウトパターンの
構成を示す構成図である。
【図5】請求項2の発明におけるレイアウトパターン発
生装置の動作を示すフローチャートである。
【図6】請求項2の発明におけるレイアウトパターンの
構成を示す構成図である。
【図7】請求項2の発明におけるレイアウトパターンを
もとに作成したマスクROM内蔵LSIからデータを読
み取る動作を示すフローチャートである。
【図8】請求項3の発明におけるレイアウトパターン発
生装置の動作を示すフローチャートである。
【図9】請求項3の発明におけるレイアウトパターンを
もとに作成したマスクROM内蔵LSIからデータを読
み取る動作を示すフローチャートである。
【図10】従来のレイアウトパターン発生装置を示すブ
ロック図である。
【図11】従来のレイアウトパターン発生装置の動作を
示すフローチャートである。
【図12】従来のレイアウトパターンをもとに作成した
マスクROM内蔵LSIからデータを読み取る動作を示
すフローチャートである。
【符号の説明】
1 ROMデータ 2 ROMデータ読み込み手段 3 真理値データ作成手段 4 真理値データ 5 真理値データ判断手段 6 レイアウトパターン発生手段 7 レイアウトパターン 8 反転情報追加手段 10 フラグ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ROMデータの読み込みを行うROMデ
    ータ読み込み手段と、上記ROMデータをレイアウトパ
    ターン上のメモリセル・アレイに対応するように並び換
    えた真理値データを作成する真理値データ作成手段と、
    該真理値データに対する真理値データ「1」の割合を判
    断する真理値データ判断手段と、該真理値データ判断手
    段の結果をもとに、真理値データ「1」の割合が50%
    以下の場合には、真理値データ「1」に対して、50%
    以上の場合には真理値データ「0」に対して、それぞれ
    マスク上に作画すべきレイアウトパターンを作成するレ
    イアウトパターン発生手段と、該レイアウトパターンを
    上記真理値データの「1」または「0」のどちらで作成
    したかを示すフラグを該レイアウトパターンに追加する
    反転情報追加手段とを備えたレイアウトパターン発生装
    置。
  2. 【請求項2】 ROMデータの読み込みを行うROMデ
    ータ読み込み手段と、上記ROMデータをレイアウトパ
    ターン上のメモリセル・アレイに対応するように並び換
    えた真理値データを作成する真理値データ作成手段と、
    該真理値データに対する真理値データ「1」の割合を判
    断する真理値データ判断手段と、該真理値データ判断手
    段の結果をもとに、真理値データ「1」の割合が50%
    以下の場合には、真理値データ「1」に対して、50%
    以上の場合には真理値データ「0」に対して、それぞれ
    マスク上に作画すべきレイアウトパターンを作成するレ
    イアウトパターン発生手段と、該レイアウトパターンを
    上記真理値データの「1」または「0」のどちらで作成
    したかを示すフラグをROMの特定領域に追加する反転
    情報追加手段とを備えたレイアウトパターン発生装置。
  3. 【請求項3】 ROMデータの読み込みを行うROMデ
    ータ読み込み手段と、上記ROMデータをレイアウトパ
    ターン上のメモリセル・アレイに対応するように並び換
    えた真理値データを作成する真理値データ作成手段と、
    該真理値データに対する真理値データ「1」の割合を判
    断する真理値データ判断手段と、該真理値データ判断手
    段の結果をもとに、真理値データ「1」の割合が50%
    以下の場合には、真理値データ「1」に対して、50%
    以上の場合には真理値データ「0」に対して、それぞれ
    マスク上に作画すべきレイアウトパターンを作成するレ
    イアウトパターン発生手段と、該レイアウトパターンを
    上記真理値データの「1」または「0」のどちらで作成
    したかを示すフラグを該レイアウトパターンに追加し、
    作成したレイアウトパターンからのマスクの作成時に、
    該レイアウトパターンに追加されたフラグを判断してマ
    スクを作成可能にする反転情報追加手段とを備えたレイ
    アウトパターン発生装置。
JP17345893A 1993-07-13 1993-07-13 レイアウトパターン発生装置 Pending JPH0728878A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8402624B2 (en) 2007-09-14 2013-03-26 Ivoclar Vivadent Ag Blank arrangement

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8402624B2 (en) 2007-09-14 2013-03-26 Ivoclar Vivadent Ag Blank arrangement

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