JPH07285918A - ジフェノール酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルエステル誘導体及びその製造方法 - Google Patents
ジフェノール酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルエステル誘導体及びその製造方法Info
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- JPH07285918A JPH07285918A JP6102061A JP10206194A JPH07285918A JP H07285918 A JPH07285918 A JP H07285918A JP 6102061 A JP6102061 A JP 6102061A JP 10206194 A JP10206194 A JP 10206194A JP H07285918 A JPH07285918 A JP H07285918A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
- C07C69/612—Esters of carboxylic acids having a carboxyl group bound to an acyclic carbon atom and having a six-membered aromatic ring in the acid moiety
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光部−未露光部の溶解コントラストを十分
に得ることのできる、光レジスト用溶解阻害剤として優
れた、新規な化合物を提供すること。 【構成】 下記化１で表されることを特徴とするジフェ
ノール酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルエステ
ル誘導体； 【化１】 但し、化１中のＲ1 は水素原子、ｔｅｒｔ−ブチル基、
ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシ
カルボニルメチル基、１−メチル−１−メトキシエチル
基、２−テトラヒドロフラニル基、２−テトラヒドロピ
ラニル基、メトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチ
ルシリル基の中から選択されるいずれかの基を表す。
に得ることのできる、光レジスト用溶解阻害剤として優
れた、新規な化合物を提供すること。 【構成】 下記化１で表されることを特徴とするジフェ
ノール酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルエステ
ル誘導体； 【化１】 但し、化１中のＲ1 は水素原子、ｔｅｒｔ−ブチル基、
ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシ
カルボニルメチル基、１−メチル−１−メトキシエチル
基、２−テトラヒドロフラニル基、２−テトラヒドロピ
ラニル基、メトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチ
ルシリル基の中から選択されるいずれかの基を表す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規な溶解阻害剤及びそ
の製造方法に関し、特に、光レジストの溶解阻害剤とし
て用いた場合に優れた特性を示すジフェノール酸−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシカルボニルメチルエステル誘導体及びそ
の製造方法に関する。
の製造方法に関し、特に、光レジストの溶解阻害剤とし
て用いた場合に優れた特性を示すジフェノール酸−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシカルボニルメチルエステル誘導体及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、樹脂、溶解阻害剤及び酸発生剤から
なる３成分系の化学増幅型ポジ型レジスト材料において
は、レジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解速度を溶
解阻害剤によって制御すること〔（高エネルギー線を照
射した部分の溶解速度）／（非照射部分の溶解速度）
（以下溶解速度比という）を大きくすること〕が、レジ
スト材料としての性能に特に大きな影響を及ぼすことが
知られている。即ち、紫外線等の高エネルギー線を照射
した場合のレジスト膜の部分が、アルカリ現像液に対し
て速やかに溶解するような物質（溶解阻害剤）をレジス
ト材料に添加した場合には、レジストパターンの形成効
率が極めて良好となる。
なる３成分系の化学増幅型ポジ型レジスト材料において
は、レジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解速度を溶
解阻害剤によって制御すること〔（高エネルギー線を照
射した部分の溶解速度）／（非照射部分の溶解速度）
（以下溶解速度比という）を大きくすること〕が、レジ
スト材料としての性能に特に大きな影響を及ぼすことが
知られている。即ち、紫外線等の高エネルギー線を照射
した場合のレジスト膜の部分が、アルカリ現像液に対し
て速やかに溶解するような物質（溶解阻害剤）をレジス
ト材料に添加した場合には、レジストパターンの形成効
率が極めて良好となる。
【０００３】このような溶解阻害剤は光レジストの性能
に大きな影響を与えるものであり、従来から知られてい
るものとしては、下記化４で表されるジブトキシカルボ
ニルビスフェノールＡ、下記化５で表されるジブトキシ
カルボニルビスフェノールＦ、下記化６で表される４−
ｔ─ブトキシカルボニルビフェニル、下記化７で表され
るｔ─ブチルコレート、下記化８で表されるｔ─ブチル
デオキシコレート等が挙げられる。
に大きな影響を与えるものであり、従来から知られてい
るものとしては、下記化４で表されるジブトキシカルボ
ニルビスフェノールＡ、下記化５で表されるジブトキシ
カルボニルビスフェノールＦ、下記化６で表される４−
ｔ─ブトキシカルボニルビフェニル、下記化７で表され
るｔ─ブチルコレート、下記化８で表されるｔ─ブチル
デオキシコレート等が挙げられる。
【０００４】
【化４】
【化５】
【化６】
【化７】
【化８】
【０００５】但し、化４、化５及び化６中、ｔ−Ｂｕ又
はＢｕ−ｔはターシャリーブチル基である。しかしなが
ら、これらの何れの溶解阻害剤もレジストの露光部−未
露光部の溶解コントラストが十分に得られないために、
十分な解像性や感度を得ることができず、また経時変化
によってレジストパターンの形状が変化するという欠点
があった。
はＢｕ−ｔはターシャリーブチル基である。しかしなが
ら、これらの何れの溶解阻害剤もレジストの露光部−未
露光部の溶解コントラストが十分に得られないために、
十分な解像性や感度を得ることができず、また経時変化
によってレジストパターンの形状が変化するという欠点
があった。
【０００６】例えば、ジブトキシカルボニルビスフェノ
ールＡ及びジブトキシカルボニルビスフェノールＦの場
合には、樹脂に対し大きな溶解阻害効果を有し、紫外線
吸収率も小さい上安価であるという特徴を有しているも
のの、溶解速度比が小さい上樹脂に対する相溶性が低い
ので添加量が制限される。また、４─ｔ─ブトキシカル
ボニルビフェニルの場合には、溶解速度比は比較的大き
いものの、紫外線吸収率が大きいためにレジスト膜に対
する光透過性を制御することができない。
ールＡ及びジブトキシカルボニルビスフェノールＦの場
合には、樹脂に対し大きな溶解阻害効果を有し、紫外線
吸収率も小さい上安価であるという特徴を有しているも
のの、溶解速度比が小さい上樹脂に対する相溶性が低い
ので添加量が制限される。また、４─ｔ─ブトキシカル
ボニルビフェニルの場合には、溶解速度比は比較的大き
いものの、紫外線吸収率が大きいためにレジスト膜に対
する光透過性を制御することができない。
【０００７】更に、ｔ─ブチルコレート及びｔ─ブチル
デオキシコレートの場合には、紫外線吸収率が小さい
上、ノボラック樹脂に対して用いた場合には相溶性が良
好であって溶解阻害剤として優れているものの、ポリ
（ヒドロキシスチレン）に対して用いた場合には、溶解
阻害効果が不十分であるために、非照射部分のレジスト
膜がアルカリ現像液に対して溶解するという膜減り現象
が生じる上、原料が天然物であるために供給が不安定で
ある。
デオキシコレートの場合には、紫外線吸収率が小さい
上、ノボラック樹脂に対して用いた場合には相溶性が良
好であって溶解阻害剤として優れているものの、ポリ
（ヒドロキシスチレン）に対して用いた場合には、溶解
阻害効果が不十分であるために、非照射部分のレジスト
膜がアルカリ現像液に対して溶解するという膜減り現象
が生じる上、原料が天然物であるために供給が不安定で
ある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明者等
は、光レジスト用の溶解阻害剤について鋭意検討した結
果、光レジスト用溶解阻害剤として優れた新規化合物を
見出し本発明に到達した。従って、本発明の目的は、露
光部−未露光部の溶解コントラストを十分なものとする
ことができる、光レジスト用溶解阻害剤として優れた新
規な化合物を提供することにある。
は、光レジスト用の溶解阻害剤について鋭意検討した結
果、光レジスト用溶解阻害剤として優れた新規化合物を
見出し本発明に到達した。従って、本発明の目的は、露
光部−未露光部の溶解コントラストを十分なものとする
ことができる、光レジスト用溶解阻害剤として優れた新
規な化合物を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の上記の目的は、
下記化９で表されることを特徴とするジフェノール酸−
ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルエステル誘導体に
よって達成された。
下記化９で表されることを特徴とするジフェノール酸−
ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルエステル誘導体に
よって達成された。
【化９】 但し、化９中のＲ1 は、水素原子、ｔｅｒｔ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニルメチル基、１−メチル−１−メトキシエ
チル基、２−テトラヒドロフラニル基、２−テトラヒド
ロピラニル基、メトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブチルジ
メチルシリル基の中から選択される何れかの基を表す。
基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニルメチル基、１−メチル−１−メトキシエ
チル基、２−テトラヒドロフラニル基、２−テトラヒド
ロピラニル基、メトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブチルジ
メチルシリル基の中から選択される何れかの基を表す。
【００１０】上記化９のジフェノール酸−ｔｅｒｔ−ブ
トキシカルボニルメチルエステル誘導体は、下記化１０
で表されるジフェノール酸またはその誘導体と下記化１
１で表されるα−ハロゲン化酢酸を適当な塩基の存在下
で反応させることによって得ることができる。
トキシカルボニルメチルエステル誘導体は、下記化１０
で表されるジフェノール酸またはその誘導体と下記化１
１で表されるα−ハロゲン化酢酸を適当な塩基の存在下
で反応させることによって得ることができる。
【化１０】
【化１１】 化１１中のＸは塩素原子、臭素原子又は沃素原子を表す
が、特に塩素原子又は臭素原子であることが好ましい。
が、特に塩素原子又は臭素原子であることが好ましい。
【００１１】本発明の反応において用いられる塩基は、
特に限定されるものではないが、具体的には、炭酸水素
ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸
カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリ
ウムメチラート、ナトリウムエチラート、カリウム−ｔ
ｅｒｔ−ブチラート等のアルカリ金属塩類、又はトリエ
チルアミン、ジイソプロピルメチルアミン、ジメチルア
ニリン、ピリジン、４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジ
ン、４−（１−ピペリジノ）ピリジン等のアミン類等が
挙げられる。上記塩基の使用量は、原料であるジフェノ
ール酸またはその誘導体に対して１から１０モル当量用
いることができるが、特に１から３モル当量用いること
が好ましい。
特に限定されるものではないが、具体的には、炭酸水素
ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸
カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリ
ウムメチラート、ナトリウムエチラート、カリウム−ｔ
ｅｒｔ−ブチラート等のアルカリ金属塩類、又はトリエ
チルアミン、ジイソプロピルメチルアミン、ジメチルア
ニリン、ピリジン、４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジ
ン、４−（１−ピペリジノ）ピリジン等のアミン類等が
挙げられる。上記塩基の使用量は、原料であるジフェノ
ール酸またはその誘導体に対して１から１０モル当量用
いることができるが、特に１から３モル当量用いること
が好ましい。
【００１２】本発明の反応において用いられる溶媒は特
に限定されるものではないが、具体的には、メタノー
ル、エタノール、プロパノール、２−メチルエタノー
ル、ブタノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール等のアル
コール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン
類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
類、塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水
素類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン
性極性溶媒等が挙げられる。これらの中でも特にアセト
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、ジメチルスルホキシド等が好ましい。
に限定されるものではないが、具体的には、メタノー
ル、エタノール、プロパノール、２−メチルエタノー
ル、ブタノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール等のアル
コール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン
類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
類、塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水
素類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン
性極性溶媒等が挙げられる。これらの中でも特にアセト
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、ジメチルスルホキシド等が好ましい。
【００１３】本発明の反応は、室温から溶媒の沸点の範
囲で行うことができ、また、反応時間は反応条件によっ
て適宜設定すれば良いが、一般に、３０分〜２４時間程
度で終了する。本発明のジフェノール酸−ｔｅｒｔ−ブ
トキシカルボニルメチルエステル誘導体は、三成分型の
化学増幅型レジストの溶解阻害剤として、従来と同様に
使用することができ、これを用いることによって高解像
度のレジスト像を得ることができる。
囲で行うことができ、また、反応時間は反応条件によっ
て適宜設定すれば良いが、一般に、３０分〜２４時間程
度で終了する。本発明のジフェノール酸−ｔｅｒｔ−ブ
トキシカルボニルメチルエステル誘導体は、三成分型の
化学増幅型レジストの溶解阻害剤として、従来と同様に
使用することができ、これを用いることによって高解像
度のレジスト像を得ることができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明のジフェノール酸−ｔｅｒｔ−ブ
トキシカルボニルメチルエステル誘導体を化学増幅型レ
ジストの溶解阻害剤として使用した場合には、露光部−
未露光部間の溶解コントラストが十分であるので、解像
性のみならず感度も十分となる上、経時変化によってパ
ターンの形状が変化するということもない。
トキシカルボニルメチルエステル誘導体を化学増幅型レ
ジストの溶解阻害剤として使用した場合には、露光部−
未露光部間の溶解コントラストが十分であるので、解像
性のみならず感度も十分となる上、経時変化によってパ
ターンの形状が変化するということもない。
【実施例】以下、実施例に従って本発明を更に詳述する
が、本発明はこれによって限定されるものではない。
が、本発明はこれによって限定されるものではない。
【００１５】実施例１．ジフェノール酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチル
エステルの合成 ジフェノール酸２８．６ｇと水酸化ナトリウム４．２ｇ
を、エタノール１００ｍｌと水２０ｍｌの混合液に５０
℃で溶解した。これにブロモ酢酸−ｔｅｒｔ−ブチル２
１．８ｇを加え、５０℃で８時間攪拌した。反応終了
後、減圧下で溶媒を溜去した。残渣をクロロホルム２０
０ｇに溶解した後１００ｇの水で洗浄し、有機層を無水
硫酸マグネシウムで乾燥し、次いで減圧して溶媒を除去
し、油状の粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーで分離すると、クロロホ
ルム−メタノール＝９９：１溶出部として、ジフェノー
ル酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルエステル２
５．５ｇ（収率６４％）が得られた。
エステルの合成 ジフェノール酸２８．６ｇと水酸化ナトリウム４．２ｇ
を、エタノール１００ｍｌと水２０ｍｌの混合液に５０
℃で溶解した。これにブロモ酢酸−ｔｅｒｔ−ブチル２
１．８ｇを加え、５０℃で８時間攪拌した。反応終了
後、減圧下で溶媒を溜去した。残渣をクロロホルム２０
０ｇに溶解した後１００ｇの水で洗浄し、有機層を無水
硫酸マグネシウムで乾燥し、次いで減圧して溶媒を除去
し、油状の粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーで分離すると、クロロホ
ルム−メタノール＝９９：１溶出部として、ジフェノー
ル酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルエステル２
５．５ｇ（収率６４％）が得られた。
【００１６】この生成物の 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルは下
記に示す通りである。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、δ） １．４６（９Ｈ，ｓ） １．５５（３Ｈ，ｓ） ２．２ （２Ｈ，ｄｄ） ２．４２（２Ｈ，ｄｄ） ４．５５（２Ｈ，ｓ） ６．７２（４Ｈ，ｄ） ７．０４（４Ｈ，ｄ）
記に示す通りである。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、δ） １．４６（９Ｈ，ｓ） １．５５（３Ｈ，ｓ） ２．２ （２Ｈ，ｄｄ） ２．４２（２Ｈ，ｄｄ） ４．５５（２Ｈ，ｓ） ６．７２（４Ｈ，ｄ） ７．０４（４Ｈ，ｄ）
【００１７】実施例２．４，４’−ジ（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメト
キシフェニル）ペンタン酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボ
ニルメチルエステルの合成 ジフェノール酸２８．６ｇをジメチルスルホキシド２０
０ｇに溶解した後、無水炭酸カリウム５０ｇとクロロ酢
酸−ｔｅｒｔ−ブチル５０ｇを加え、６０℃で４時間攪
拌した。反応終了後、水５００ｇを加えて攪拌した後、
水層をデカンテーションにより除いた。
キシフェニル）ペンタン酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボ
ニルメチルエステルの合成 ジフェノール酸２８．６ｇをジメチルスルホキシド２０
０ｇに溶解した後、無水炭酸カリウム５０ｇとクロロ酢
酸−ｔｅｒｔ−ブチル５０ｇを加え、６０℃で４時間攪
拌した。反応終了後、水５００ｇを加えて攪拌した後、
水層をデカンテーションにより除いた。
【００１８】残渣の油状物をクロロホルム１５０ｍｌに
溶解した後、水１００ｇで洗浄し、クロロホルム相を無
水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を溜去した。得
られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
で分離すると、クロロホルム溶出部として、４，４’−
ジ（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニ
ル）ペンタン酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチル
エステル４９．６ｇ（収率７９％）が、純物質として得
られた。
溶解した後、水１００ｇで洗浄し、クロロホルム相を無
水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を溜去した。得
られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
で分離すると、クロロホルム溶出部として、４，４’−
ジ（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニ
ル）ペンタン酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチル
エステル４９．６ｇ（収率７９％）が、純物質として得
られた。
【００１９】この生成物の 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルは下
記に示す通りである。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、δ） １．４４（９Ｈ，ｓ） １．４６（１８Ｈ，ｓ） １．５６（３Ｈ，ｓ） ２．１８（２Ｈ，ｄｄ） ２．４ （２Ｈ，ｄｄ） ４．４３（２Ｈ，ｓ） ４．４７（４Ｈ，ｓ） ６．７８（４Ｈ，ｄ） ７．０５（４Ｈ，ｄ）
記に示す通りである。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、δ） １．４４（９Ｈ，ｓ） １．４６（１８Ｈ，ｓ） １．５６（３Ｈ，ｓ） ２．１８（２Ｈ，ｄｄ） ２．４ （２Ｈ，ｄｄ） ４．４３（２Ｈ，ｓ） ４．４７（４Ｈ，ｓ） ６．７８（４Ｈ，ｄ） ７．０５（４Ｈ，ｄ）
【００２０】実施例３．４，４’−ジ（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキ
シフェニル）ペンタン酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ルメチルエステルの合成 実施例１で合成したジフェノール酸−ｔｅｒｔ−ブトキ
シカルボニルメチルエステル１０ｇをピリジン５０ｇに
溶解し、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジカーボネート１３ｇを
加えた後４０℃で２時間攪拌した。反応終了後、水２０
０ｇを加えて攪拌した後、水層を除去した。
シフェニル）ペンタン酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ルメチルエステルの合成 実施例１で合成したジフェノール酸−ｔｅｒｔ−ブトキ
シカルボニルメチルエステル１０ｇをピリジン５０ｇに
溶解し、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジカーボネート１３ｇを
加えた後４０℃で２時間攪拌した。反応終了後、水２０
０ｇを加えて攪拌した後、水層を除去した。
【００２１】残渣の油状物をクロロホルム５０ｇに溶解
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を溜去し
た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで分離すると、クロロホルム溶出部として、４，
４’−ジ（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフ
ェニル）ペンタン酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメ
チルエステルが１０．５ｇ（収率７０％）得られた。
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を溜去し
た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで分離すると、クロロホルム溶出部として、４，
４’−ジ（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフ
ェニル）ペンタン酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメ
チルエステルが１０．５ｇ（収率７０％）得られた。
【００２２】この生成物の 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルは下
記に示す通りである。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、δ） １．４６（９Ｈ，ｓ） １．５６（１８Ｈ，ｓ） １．５７（３Ｈ，ｓ） ２．２ （２Ｈ，ｄｄ） ２．４ （２Ｈ，ｄｄ） ４．４６（２Ｈ，ｓ） ７．０７（４Ｈ，ｄ） ７．１８（４Ｈ，ｄ）
記に示す通りである。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、δ） １．４６（９Ｈ，ｓ） １．５６（１８Ｈ，ｓ） １．５７（３Ｈ，ｓ） ２．２ （２Ｈ，ｄｄ） ２．４ （２Ｈ，ｄｄ） ４．４６（２Ｈ，ｓ） ７．０７（４Ｈ，ｄ） ７．１８（４Ｈ，ｄ）
【００２３】実施例４．４，４’−ジ〔４−（１−メチル−１−メトキシエトキ
シ）フェニル〕ペンタン酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボ
ニルメチルエステルの合成 ４，４’−ジ〔４−（１−メチル−１−メトキシエトキ
シ）フェニル〕ペンタン酸２０ｇ（４６．５ｍｍｏｌ）
の２００ｍｌアセトン溶液に、無水炭酸カリウム１０ｇ
とブロモ酢酸−ｔｅｒｔ−ブチル２０ｇ（１０２．５ｍ
ｍｏｌ）を加え、８時間加熱還流した。放冷後アセトン
を減圧溜去し、残渣に各々２００ｍｌのクロロホルムと
水を加えた後、分液した。
シ）フェニル〕ペンタン酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボ
ニルメチルエステルの合成 ４，４’−ジ〔４−（１−メチル−１−メトキシエトキ
シ）フェニル〕ペンタン酸２０ｇ（４６．５ｍｍｏｌ）
の２００ｍｌアセトン溶液に、無水炭酸カリウム１０ｇ
とブロモ酢酸−ｔｅｒｔ−ブチル２０ｇ（１０２．５ｍ
ｍｏｌ）を加え、８時間加熱還流した。放冷後アセトン
を減圧溜去し、残渣に各々２００ｍｌのクロロホルムと
水を加えた後、分液した。
【００２４】有機層を更に水洗した後、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥し、減圧下で溶媒を溜去することにより、
粗生成物が得られた。得られた粗生成物をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーで分離すると、クロロホルムで
溶出する分画として、４，４’−ジ〔４−（１−メチル
−１−メトキシエトキシ）フェニル〕ペンタン酸−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシカルボニルメチルエステルが無色の油状
物として１９．３ｇ（収率７１％）得られた。
シウムで乾燥し、減圧下で溶媒を溜去することにより、
粗生成物が得られた。得られた粗生成物をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーで分離すると、クロロホルムで
溶出する分画として、４，４’−ジ〔４−（１−メチル
−１−メトキシエトキシ）フェニル〕ペンタン酸−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシカルボニルメチルエステルが無色の油状
物として１９．３ｇ（収率７１％）得られた。
【００２５】この生成物の 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルは下
記に示す通りである。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、δ） １．４ （９Ｈ，ｓ） １．５３（３Ｈ，ｓ） １．５７（１２Ｈ，ｓ） ２．１８（２Ｈ，ｄｄ） ２．３８（２Ｈ，ｄｄ） ３．３５（６Ｈ，ｓ） ４．４５（２Ｈ，ｓ） ６．７７（４Ｈ，ｄ） ７．０２（４Ｈ，ｄ）
記に示す通りである。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、δ） １．４ （９Ｈ，ｓ） １．５３（３Ｈ，ｓ） １．５７（１２Ｈ，ｓ） ２．１８（２Ｈ，ｄｄ） ２．３８（２Ｈ，ｄｄ） ３．３５（６Ｈ，ｓ） ４．４５（２Ｈ，ｓ） ６．７７（４Ｈ，ｄ） ７．０２（４Ｈ，ｄ）
【００２６】実施例５．４，４’−ジ（４−テトラヒドロフラン−２−イルオキ
シフェニル）ペンタン酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ルメチルエステルの合成 実施例１で合成したジフェノール酸−ｔｅｒｔ−ブトキ
シカルボニルメチルエステル１０ｇを塩化メチレン５０
ｇに溶解した後、２，３−ジヒドロフランを５．３ｇ及
びピリジニウム・パラ−トルエンスルホネート０．２ｇ
を加え、室温で６時間攪拌した。反応終了後、飽和炭酸
ナトリウム水溶液５０ｍｌを加えて攪拌し、次いで有機
層を分離した。
シフェニル）ペンタン酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ルメチルエステルの合成 実施例１で合成したジフェノール酸−ｔｅｒｔ−ブトキ
シカルボニルメチルエステル１０ｇを塩化メチレン５０
ｇに溶解した後、２，３−ジヒドロフランを５．３ｇ及
びピリジニウム・パラ−トルエンスルホネート０．２ｇ
を加え、室温で６時間攪拌した。反応終了後、飽和炭酸
ナトリウム水溶液５０ｍｌを加えて攪拌し、次いで有機
層を分離した。
【００２７】得られた有機層を水洗し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した後溶媒を減圧溜去して油状の残渣を
得、次いでこれをシリカゲルカラムクロマトグラフィー
で分離したところ、クロロホルム溶出物として、４，
４’−ジ（４−テトラヒドロフラン−２−イルオキシフ
ェニル）ペンタン酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメ
チルエステルを９．７ｇ（収率７２％）得た。
シウムで乾燥した後溶媒を減圧溜去して油状の残渣を
得、次いでこれをシリカゲルカラムクロマトグラフィー
で分離したところ、クロロホルム溶出物として、４，
４’−ジ（４−テトラヒドロフラン−２−イルオキシフ
ェニル）ペンタン酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメ
チルエステルを９．７ｇ（収率７２％）得た。
【００２８】この生成物の 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルは下
記に示す通りである。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、δ） １．４６（９Ｈ，ｓ） １．５５（３Ｈ，ｓ） １．８〜２．３（１０Ｈ，ｍ） ２．４２（２Ｈ，ｄｄ） ３．９〜４．１（４Ｈ，ｍ） ４．４５（２Ｈ，ｓ） ５．７９（２Ｈ，ｍ） ６．９３（４Ｈ，ｄ） ７．１３（４Ｈ，ｄ）
記に示す通りである。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、δ） １．４６（９Ｈ，ｓ） １．５５（３Ｈ，ｓ） １．８〜２．３（１０Ｈ，ｍ） ２．４２（２Ｈ，ｄｄ） ３．９〜４．１（４Ｈ，ｍ） ４．４５（２Ｈ，ｓ） ５．７９（２Ｈ，ｍ） ６．９３（４Ｈ，ｄ） ７．１３（４Ｈ，ｄ）
【００２９】実施例６．４，４’−ジ（４−テトラヒドロピラン−２−イルオキ
シフェニル）ペンタン酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ルメチルエステルの合成 実施例１で合成したジフェノール酸−ｔｅｒｔ−ブトキ
シカルボニルメチルエステル１０ｇを塩化メチレン５０
ｇに溶解した後、２，３−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン６．
３ｇ、ピリジニウム・パラ−トルエンスルホネート０．
２ｇを加え、室温で６時間攪拌した。反応終了後、飽和
炭酸ナトリウム水溶液５０ｍｌを加えて攪拌し、次いで
有機層を分離した。
シフェニル）ペンタン酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ルメチルエステルの合成 実施例１で合成したジフェノール酸−ｔｅｒｔ−ブトキ
シカルボニルメチルエステル１０ｇを塩化メチレン５０
ｇに溶解した後、２，３−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン６．
３ｇ、ピリジニウム・パラ−トルエンスルホネート０．
２ｇを加え、室温で６時間攪拌した。反応終了後、飽和
炭酸ナトリウム水溶液５０ｍｌを加えて攪拌し、次いで
有機層を分離した。
【００３０】得られた有機層を水洗し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した後、溶媒を減圧溜去したところ、油状
の残渣が得られた。得られた残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで分離したところ、クロロホルム溶出
物として、４，４’−ジ（４−テトラヒドロピラン−２
−イルオキシフェニル）ペンタン酸−ｔｅｒｔ−ブトキ
シカルボニルメチルエステル１０．５ｇ（収率７０％）
が得られた。
シウムで乾燥した後、溶媒を減圧溜去したところ、油状
の残渣が得られた。得られた残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで分離したところ、クロロホルム溶出
物として、４，４’−ジ（４−テトラヒドロピラン−２
−イルオキシフェニル）ペンタン酸−ｔｅｒｔ−ブトキ
シカルボニルメチルエステル１０．５ｇ（収率７０％）
が得られた。
【００３１】この生成物の 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルは下
記に示す通りである。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、δ） １．４６（９Ｈ，ｓ） １．４〜２．１（１２Ｈ，ｍ） １．５５（３Ｈ，ｓ） ２．２ （２Ｈ，ｄｄ） ２．４２（２Ｈ，ｄｄ） ３．４〜４．０（４Ｈ，ｍ） ５．４ （２Ｈ，ｍ） ６．９６（４Ｈ，ｄ） ７．１４（４Ｈ，ｍ）
記に示す通りである。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、δ） １．４６（９Ｈ，ｓ） １．４〜２．１（１２Ｈ，ｍ） １．５５（３Ｈ，ｓ） ２．２ （２Ｈ，ｄｄ） ２．４２（２Ｈ，ｄｄ） ３．４〜４．０（４Ｈ，ｍ） ５．４ （２Ｈ，ｍ） ６．９６（４Ｈ，ｄ） ７．１４（４Ｈ，ｍ）
【００３２】実施例７．４，４’−ジ（４−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキシ
フェニル）ペンタン酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル
メチルエステルの合成 実施例１で合成したジフェノール酸−ｔｅｒｔ−ブトキ
シカルボニルメチルエステル１０ｇをテトラヒドロフラ
ン５０ｍｌに溶解し、トリエチルアミン５．６ｇ及びイ
ミダゾール０．２ｇを加えた後、室温で攪拌しながら、
ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルクロリド８．３ｇを５
０ｍｌのテトラヒドロフランに溶解した溶液を、３０分
間かけて滴下した。２時間還流し、放冷した後、クロロ
ホルム及び水を各１００ｇ加えて分液した。有機層を、
もう一度水洗した後、再度分液した。
フェニル）ペンタン酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル
メチルエステルの合成 実施例１で合成したジフェノール酸−ｔｅｒｔ−ブトキ
シカルボニルメチルエステル１０ｇをテトラヒドロフラ
ン５０ｍｌに溶解し、トリエチルアミン５．６ｇ及びイ
ミダゾール０．２ｇを加えた後、室温で攪拌しながら、
ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルクロリド８．３ｇを５
０ｍｌのテトラヒドロフランに溶解した溶液を、３０分
間かけて滴下した。２時間還流し、放冷した後、クロロ
ホルム及び水を各１００ｇ加えて分液した。有機層を、
もう一度水洗した後、再度分液した。
【００３３】得られた有機層を、無水硫酸マグネシウム
で乾燥した後、溶媒を減圧溜去して油状の残渣を得た。
得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
分離したところ、クロロホルムで溶出する分画として
４，４’−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキシフェ
ニル）ジフェノール酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル
メチルエステル１０．７ｇ（収率６８％）が得られた。
で乾燥した後、溶媒を減圧溜去して油状の残渣を得た。
得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
分離したところ、クロロホルムで溶出する分画として
４，４’−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキシフェ
ニル）ジフェノール酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル
メチルエステル１０．７ｇ（収率６８％）が得られた。
【００３４】この生成物の 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルは下
記に示す通りである。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、δ） ０．２４（１２Ｈ，ｓ） ０．８８（１８Ｈ，ｓ） １．４４（９Ｈ，ｓ） １．５ （３Ｈ，ｓ） ２．２１（２Ｈ，ｄｄ） ２．４２（２Ｈ，ｄｄ） ４．４ （２Ｈ，ｓ） ６．８７（４Ｈ，ｄ） ７．１４（４Ｈ，ｄ）
記に示す通りである。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、δ） ０．２４（１２Ｈ，ｓ） ０．８８（１８Ｈ，ｓ） １．４４（９Ｈ，ｓ） １．５ （３Ｈ，ｓ） ２．２１（２Ｈ，ｄｄ） ２．４２（２Ｈ，ｄｄ） ４．４ （２Ｈ，ｓ） ６．８７（４Ｈ，ｄ） ７．１４（４Ｈ，ｄ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｄ 307/20 309/12 Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０１ Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｈ
Claims (2)
- 【請求項１】 下記化１で表されることを特徴とするジ
フェノール酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルエ
ステル誘導体； 【化１】 但し、化１中のＲ1 は、水素原子、ｔｅｒｔ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニルメチル基、１−メチル−１−メトキシエ
チル基、２−テトラヒドロフラニル基、２−テトラヒド
ロピラニル基、メトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブチルジ
メチルシリル基の中から選択されるいずれかの基を表
す。 - 【請求項２】 下記化２で表されるジフェノール酸また
はその誘導体と下記化３で表されるα−ハロゲン化酢酸
エステルを塩基の存在下で反応させることを特徴とす
る、ジフェノール酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメ
チルエステル誘導体の製造方法。 【化２】 【化３】 但し、化３中のＸは、塩素原子、臭素原子又は沃素原子
を表す。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6102061A JPH07285918A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | ジフェノール酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルエステル誘導体及びその製造方法 |
| KR1019950008826A KR950032069A (ko) | 1994-04-15 | 1995-04-14 | 디페놀릭애시드 t- 부톡시카르보닐메틸에스테르 유도체 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6102061A JPH07285918A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | ジフェノール酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルエステル誘導体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07285918A true JPH07285918A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=14317259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6102061A Pending JPH07285918A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | ジフェノール酸−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルエステル誘導体及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07285918A (ja) |
| KR (1) | KR950032069A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7192687B2 (en) | 2003-09-05 | 2007-03-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and method of forming resist pattern using same |
| US7629105B2 (en) | 2003-09-18 | 2009-12-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive photoresist composition and method of forming resist pattern |
| CN108084028A (zh) * | 2016-11-23 | 2018-05-29 | 中国科学院化学研究所 | 含双酚a骨架结构的分子玻璃光刻胶的制备方法 |
-
1994
- 1994-04-15 JP JP6102061A patent/JPH07285918A/ja active Pending
-
1995
- 1995-04-14 KR KR1019950008826A patent/KR950032069A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7192687B2 (en) | 2003-09-05 | 2007-03-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and method of forming resist pattern using same |
| US7629105B2 (en) | 2003-09-18 | 2009-12-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive photoresist composition and method of forming resist pattern |
| CN108084028A (zh) * | 2016-11-23 | 2018-05-29 | 中国科学院化学研究所 | 含双酚a骨架结构的分子玻璃光刻胶的制备方法 |
| CN108084028B (zh) * | 2016-11-23 | 2020-05-26 | 中国科学院化学研究所 | 含双酚a骨架结构的分子玻璃光刻胶的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950032069A (ko) | 1995-12-20 |
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