JPH0728041A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
- Publication number
- JPH0728041A JPH0728041A JP5175398A JP17539893A JPH0728041A JP H0728041 A JPH0728041 A JP H0728041A JP 5175398 A JP5175398 A JP 5175398A JP 17539893 A JP17539893 A JP 17539893A JP H0728041 A JPH0728041 A JP H0728041A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- composite material
- polymer
- fluorine
- liq
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 末端にフルオロアルキル基等を有するポリビ
ニルアルコール１３と液晶１２との混合物からなる高分
子・液晶複合材料層と、当該複合材料層を挟むように対
向配置された電極基板１１ａ，１１ｂとからなることを
特徴とする。 【効果】 しきい値電圧が低く、低電圧駆動が可能な液
晶素子が提供される。
ニルアルコール１３と液晶１２との混合物からなる高分
子・液晶複合材料層と、当該複合材料層を挟むように対
向配置された電極基板１１ａ，１１ｂとからなることを
特徴とする。 【効果】 しきい値電圧が低く、低電圧駆動が可能な液
晶素子が提供される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、調光硝子、液晶ディス
プレィなどに用いられる液晶素子に関する。
プレィなどに用いられる液晶素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶素子は、高分子材料と液晶との混合
物からなる高分子・液晶複合材料が有する、光を散乱、
吸収または透過させる性質を応用するもので、当該複合
材料層への電場の印加の有無によって、表示等を行う。
高分子・液晶複合材料は、高分子材料のマトリックス中
に液晶材料が分散保持された膜構造を有している。電場
の印加されていない状態では、当該複合材料中の液晶が
ランダムな状態にあり、高分子マトリックスの屈折率と
液晶の屈折率とが異なるために、光が散乱され不透明と
なるが、電場が印加されると、液晶が電場の方向に配列
し、高分子マトリックスの屈折率と液晶の屈折率とが一
致するために、光が散乱されず透明となる。
物からなる高分子・液晶複合材料が有する、光を散乱、
吸収または透過させる性質を応用するもので、当該複合
材料層への電場の印加の有無によって、表示等を行う。
高分子・液晶複合材料は、高分子材料のマトリックス中
に液晶材料が分散保持された膜構造を有している。電場
の印加されていない状態では、当該複合材料中の液晶が
ランダムな状態にあり、高分子マトリックスの屈折率と
液晶の屈折率とが異なるために、光が散乱され不透明と
なるが、電場が印加されると、液晶が電場の方向に配列
し、高分子マトリックスの屈折率と液晶の屈折率とが一
致するために、光が散乱されず透明となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
高分子・液晶複合材料では、不透明状態から透明状態に
変化する、しきい値電圧が高く、２０〜６０ボルト程度
である。ＴＦＴやＭＩＭを用いたアクティブマトリック
ス型液晶素子に当該複合材料を用いようとする場合、し
きい値電圧がＴＦＴやＭＩＭの耐圧以下である必要があ
り、しきい値電圧が高いことは材料選択の制約条件とな
る。
高分子・液晶複合材料では、不透明状態から透明状態に
変化する、しきい値電圧が高く、２０〜６０ボルト程度
である。ＴＦＴやＭＩＭを用いたアクティブマトリック
ス型液晶素子に当該複合材料を用いようとする場合、し
きい値電圧がＴＦＴやＭＩＭの耐圧以下である必要があ
り、しきい値電圧が高いことは材料選択の制約条件とな
る。
【０００４】本発明は、このような課題を解決するため
になされたものであり、しきい値電圧が低く、低電圧駆
動が可能な液晶素子を提供することを目的とする。
になされたものであり、しきい値電圧が低く、低電圧駆
動が可能な液晶素子を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶素子は、含
フッ素基を有するポリビニルアルコールと液晶との混合
物からなる高分子・液晶複合材料層と、当該複合材料層
を挟むように対向配置された電極基板とからなることを
特徴とする。
フッ素基を有するポリビニルアルコールと液晶との混合
物からなる高分子・液晶複合材料層と、当該複合材料層
を挟むように対向配置された電極基板とからなることを
特徴とする。
【０００６】本発明における含フッ素基を有するポリビ
ニルアルコールとしては、下記の式
ニルアルコールとしては、下記の式
【化１】 等で示される含フッ素基を有する単量体単位を含有する
ポリビニルアルコール系重合体をけん化することによっ
て得られる（特開昭６１−１４８２０３号公報、特開昭
６１−１４８２０８号公報等を参照）。含フッ素基を有
する単量体単位のポリビニルアルコール中の含量は０．
０１〜１０モル％の範囲が好ましく、０．０２〜５モル
％の範囲であることがより好ましい。
ポリビニルアルコール系重合体をけん化することによっ
て得られる（特開昭６１−１４８２０３号公報、特開昭
６１−１４８２０８号公報等を参照）。含フッ素基を有
する単量体単位のポリビニルアルコール中の含量は０．
０１〜１０モル％の範囲が好ましく、０．０２〜５モル
％の範囲であることがより好ましい。
【０００７】
【作用】含フッ素基を有するポリビニルアルコールは高
い誘電率を有するため、含フッ素基を有するポリビニル
アルコールを含む高分子・液晶複合材料の誘電率が十分
に高く、しきい値電圧を低くすることができる。含フッ
素基を有するポリビニルアルコールに対する液晶の混合
割合は、高分子・液晶複合材料の３０〜９５重量％の範
囲であることが好ましく、４５〜８０重量％の範囲であ
ることがより好ましい。
い誘電率を有するため、含フッ素基を有するポリビニル
アルコールを含む高分子・液晶複合材料の誘電率が十分
に高く、しきい値電圧を低くすることができる。含フッ
素基を有するポリビニルアルコールに対する液晶の混合
割合は、高分子・液晶複合材料の３０〜９５重量％の範
囲であることが好ましく、４５〜８０重量％の範囲であ
ることがより好ましい。
【０００８】
【実施例】図１に、本発明の液晶素子の概略断面図を示
す。図１中１１ａおよび１１ｂは、電極基板であり、電
極基板１１ａおよび１１ｂに、ネマチック型などの液晶
１２および含フッ素基を有するポリビニルアルコール１
３からなる高分子・液晶複合材料層１４が挟持されてい
る。高分子・液晶複合材料は、含フッ素基を有するポリ
ビニルアルコール水溶液中に液晶を混合させ、ミキサー
で撹拌してエマルジョンを作製し、それを電極基板上に
塗布し、乾燥させることによって作製される。図２に、
末端にフルオロアルキル基を有するポリビニルアルコー
ル中にネマチック型液晶（メルク社 ＺＬＩ２０６１）
を混合して作製した本発明の液晶素子と、フッ素基を含
まないポリビニルアルコールを用いる点を除いて同一の
構造を有する比較例の液晶素子について、電気光学特性
を測定した結果を示す。図２においてＡは本発明による
液晶素子の電気光学特性を示し、Ｂは比較例の液晶素子
の電気光学特性を示す。図２より含フッ素基を有するポ
リビニルアルコールを用いることによって特性が向上す
ることが明らかである。
す。図１中１１ａおよび１１ｂは、電極基板であり、電
極基板１１ａおよび１１ｂに、ネマチック型などの液晶
１２および含フッ素基を有するポリビニルアルコール１
３からなる高分子・液晶複合材料層１４が挟持されてい
る。高分子・液晶複合材料は、含フッ素基を有するポリ
ビニルアルコール水溶液中に液晶を混合させ、ミキサー
で撹拌してエマルジョンを作製し、それを電極基板上に
塗布し、乾燥させることによって作製される。図２に、
末端にフルオロアルキル基を有するポリビニルアルコー
ル中にネマチック型液晶（メルク社 ＺＬＩ２０６１）
を混合して作製した本発明の液晶素子と、フッ素基を含
まないポリビニルアルコールを用いる点を除いて同一の
構造を有する比較例の液晶素子について、電気光学特性
を測定した結果を示す。図２においてＡは本発明による
液晶素子の電気光学特性を示し、Ｂは比較例の液晶素子
の電気光学特性を示す。図２より含フッ素基を有するポ
リビニルアルコールを用いることによって特性が向上す
ることが明らかである。
【０００９】
【発明の効果】本発明によれば、しきい値電圧が低く、
低電圧駆動が可能な液晶素子を提供することができる。
低電圧駆動が可能な液晶素子を提供することができる。
【図１】本発明の液晶素子の概略断面図である。
【図２】本発明の液晶素子の電気光学特性と比較例の液
晶素子の電気光学特性を比較した図である。
晶素子の電気光学特性を比較した図である。
１１ａ、１１ｂ…電極基板 １２…液晶 １３…含
フッ素基を有するポリビニルアルコール １４…高分
子・液晶複合材料層 Ａ…本発明 Ｂ…比較例
フッ素基を有するポリビニルアルコール １４…高分
子・液晶複合材料層 Ａ…本発明 Ｂ…比較例
Claims (1)
- 【請求項１】 含フッ素基を有するポリビニルアルコー
ルと液晶との混合物からなる高分子・液晶複合材料層
と、当該複合材料層を挟むように対向配置された電極基
板とからなることを特徴とする液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5175398A JPH0728041A (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5175398A JPH0728041A (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0728041A true JPH0728041A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15995402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5175398A Pending JPH0728041A (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0728041A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6144094A (en) * | 1997-05-07 | 2000-11-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device including an insulation film and electrode having nitrogen added thereto |
| US6215146B1 (en) | 1998-01-14 | 2001-04-10 | Mitsubishi Kenki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1993
- 1993-07-15 JP JP5175398A patent/JPH0728041A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6144094A (en) * | 1997-05-07 | 2000-11-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device including an insulation film and electrode having nitrogen added thereto |
| US6215146B1 (en) | 1998-01-14 | 2001-04-10 | Mitsubishi Kenki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040413 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |