JPH0727980B2 - 高抵抗層を有する半導体装置 - Google Patents
高抵抗層を有する半導体装置Info
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- JPH0727980B2 JPH0727980B2 JP63179887A JP17988788A JPH0727980B2 JP H0727980 B2 JPH0727980 B2 JP H0727980B2 JP 63179887 A JP63179887 A JP 63179887A JP 17988788 A JP17988788 A JP 17988788A JP H0727980 B2 JPH0727980 B2 JP H0727980B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
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- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
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- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
- H10B10/15—Static random access memory [SRAM] devices comprising a resistor load element
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- Y10S257/903—FET configuration adapted for use as static memory cell
- Y10S257/904—FET configuration adapted for use as static memory cell with passive components,, e.g. polysilicon resistors
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は高抵抗層を有する半導体装置に関し、特に高
抵抗負荷型のスタティック型半導体記憶装置に関するも
のである。
抵抗負荷型のスタティック型半導体記憶装置に関するも
のである。
［従来の技術］ この発明は高抵抗負荷型のスタティック型ランダム・ア
クセス・メモリに適用されたとき、最も好ましい効果が
得られるので、以下、スタティック型ランダム・アクセ
ス・メモリについて説明する。
クセス・メモリに適用されたとき、最も好ましい効果が
得られるので、以下、スタティック型ランダム・アクセ
ス・メモリについて説明する。
スタティック型ランダム・アクセス・メモリは既によく
知られている。第10A図はそのような従来のスタティッ
ク型ランダム・アクセス・メモリ（以下、SRAMと称す
る。）の全体構成を示すブロック図である。第10B図は
第10A図に示されたSRAMにおけるデータの流れを示す図
である。なお、第10A図は８キロワード×８ビット構成
のSRAMの一例を示している。
知られている。第10A図はそのような従来のスタティッ
ク型ランダム・アクセス・メモリ（以下、SRAMと称す
る。）の全体構成を示すブロック図である。第10B図は
第10A図に示されたSRAMにおけるデータの流れを示す図
である。なお、第10A図は８キロワード×８ビット構成
のSRAMの一例を示している。
第10A図を参照して、SRAMは、記憶部分である複数のメ
モリセル40を含むメモリセルアレイ41と、そのアドレス
を選択するアドレスバッファに接続されたＸデコーダ4
2,Yデコーダ43と、出力バッファに接続されたセンスア
ンプを含む入出力インターフェイス部とを備える。記憶
部分である複数のメモリセル40は、マトリクスとして構
成されている、Ｘデコーダ42に接続されたワード線と、
Ｙデコーダ43に接続されたビット線との各交点に接続さ
れ、それによってメモリセルアレイ41を構成している。
外部から与えられる行アドレス信号と列アドレス信号を
受けて、Ｘデコーダ42とＹデコーダ43により選択された
各１本のワード線とビット線の交点にあるメモリセル40
が選択される。
モリセル40を含むメモリセルアレイ41と、そのアドレス
を選択するアドレスバッファに接続されたＸデコーダ4
2,Yデコーダ43と、出力バッファに接続されたセンスア
ンプを含む入出力インターフェイス部とを備える。記憶
部分である複数のメモリセル40は、マトリクスとして構
成されている、Ｘデコーダ42に接続されたワード線と、
Ｙデコーダ43に接続されたビット線との各交点に接続さ
れ、それによってメモリセルアレイ41を構成している。
外部から与えられる行アドレス信号と列アドレス信号を
受けて、Ｘデコーダ42とＹデコーダ43により選択された
各１本のワード線とビット線の交点にあるメモリセル40
が選択される。
具体的には、入力アドレス信号に対して正転（Ｘ）と反
転（）の信号がアドレスバッファで発生する。Ｘデコ
ーダ42はX,信号を受けて、256行中の１行を選択し、
その行のワード線をHighに充電し、他のすべてのワード
線をLowに放電する。選択された行のメモリセル40はこ
れにより活性化し、そのデータを各ビット線、 に出力する。各チャネルの32対のビット線、 のうち１対だけがマルチプレクサを介して１対のI/O
線、▲▼線に接続される。ここでの選択を行なう
のがＹデコーダ43である。これで所望の８ビットのメモ
リセルのみがI/O線に接続される。
転（）の信号がアドレスバッファで発生する。Ｘデコ
ーダ42はX,信号を受けて、256行中の１行を選択し、
その行のワード線をHighに充電し、他のすべてのワード
線をLowに放電する。選択された行のメモリセル40はこ
れにより活性化し、そのデータを各ビット線、 に出力する。各チャネルの32対のビット線、 のうち１対だけがマルチプレクサを介して１対のI/O
線、▲▼線に接続される。ここでの選択を行なう
のがＹデコーダ43である。これで所望の８ビットのメモ
リセルのみがI/O線に接続される。
データを書込むときには、入力データが上記のように選
択されたメモリセル40に入力される。一方、データを読
出す際には、選択されたメモリセル40内に記憶されてい
るデータが検出され、センスアンプによって増幅される
ことによって、出力データとして外部に出力される。
択されたメモリセル40に入力される。一方、データを読
出す際には、選択されたメモリセル40内に記憶されてい
るデータが検出され、センスアンプによって増幅される
ことによって、出力データとして外部に出力される。
このデータの読出しおよび書込みの具体的な動作につい
ては第10B図を参照して説明する。第10A図に示すよう
に、I/O線にはセンスアンプと書込みドライバが接続さ
れており、読出し時には→の方向にデータが伝達してい
き、書込み時にはの方向に伝達される。データの流れ
を制御する弁の役割としてWE（Write Enable）信号とOE
（Output Enable）信号があり、それぞれ、書込みドラ
イバ出力をHighインピーダンスに、出力バッファ出力を
Highインピーダンスに制御する。
ては第10B図を参照して説明する。第10A図に示すよう
に、I/O線にはセンスアンプと書込みドライバが接続さ
れており、読出し時には→の方向にデータが伝達してい
き、書込み時にはの方向に伝達される。データの流れ
を制御する弁の役割としてWE（Write Enable）信号とOE
（Output Enable）信号があり、それぞれ、書込みドラ
イバ出力をHighインピーダンスに、出力バッファ出力を
Highインピーダンスに制御する。
第11図は第10A図に示されたSRAMの１つのメモリセル40
の等価回路図である。この図によれば、１つのメモリセ
ル40内においては、そのゲート電極とドレイン電極がク
ロスカップルされた２つのドライバトランジスタT1,T2
（ＮチャネルMOSFET）と、各ドレイン電極に接続された
２つの高抵抗負荷６により、フリップ・フロップ型のメ
モリセルが構成されている。この２つのドライバトラン
ジスタT1,T2の各ドレイン電極にはそれぞれ、２つのア
クセストランジスタT3,T4（ＮチャネルMOSFET）が接続
されている。このアクセストランジスタT3,T4のゲート
電極はワード線33に接続されている。このワード線33が
選択状態となったとき、ドライバトランジスタT1,T2に
保持された情報がアクセストランジスタT3,T4を介して
ビット線31, に転送される。
の等価回路図である。この図によれば、１つのメモリセ
ル40内においては、そのゲート電極とドレイン電極がク
ロスカップルされた２つのドライバトランジスタT1,T2
（ＮチャネルMOSFET）と、各ドレイン電極に接続された
２つの高抵抗負荷６により、フリップ・フロップ型のメ
モリセルが構成されている。この２つのドライバトラン
ジスタT1,T2の各ドレイン電極にはそれぞれ、２つのア
クセストランジスタT3,T4（ＮチャネルMOSFET）が接続
されている。このアクセストランジスタT3,T4のゲート
電極はワード線33に接続されている。このワード線33が
選択状態となったとき、ドライバトランジスタT1,T2に
保持された情報がアクセストランジスタT3,T4を介して
ビット線31, に転送される。
次に、動作について説明する。メモリセル40に保持され
た情報が続出されるときは、ワード線33に所定の電圧が
印加される。その結果、ビット線31, にそれぞれのドライバトランジスタT1,T2の状態に対応
した電圧がアクセストランジスタT3,T4を介して現われ
る。メモリセルに書込みを行なうときは、ワード線33に
所定の電圧が印加される。その状態でビット線31, の各々に所望の書込まれるべき状態に対応した電圧が印
加される。
た情報が続出されるときは、ワード線33に所定の電圧が
印加される。その結果、ビット線31, にそれぞれのドライバトランジスタT1,T2の状態に対応
した電圧がアクセストランジスタT3,T4を介して現われ
る。メモリセルに書込みを行なうときは、ワード線33に
所定の電圧が印加される。その状態でビット線31, の各々に所望の書込まれるべき状態に対応した電圧が印
加される。
具体的には、第11図において、アクセストランジスタT
3,T4がワード線33によってオン状態にされる。そうする
と、ビット線31, が有するデータ信号が、ドライバトランジスタT1,T2に
よって構成されるフリップ・フロップ回路によってラッ
チされる。このとき、ラッチを維持するために高抵抗負
荷６を介して電源Vccから電流を供給する必要がある。
この電流は待機時における消費電力を抑えるために微小
であることが望まれる。しかし、データを維持するため
には、この電流はトランジスタのオフ時のリーク電流よ
りも大きいことが必要である。
3,T4がワード線33によってオン状態にされる。そうする
と、ビット線31, が有するデータ信号が、ドライバトランジスタT1,T2に
よって構成されるフリップ・フロップ回路によってラッ
チされる。このとき、ラッチを維持するために高抵抗負
荷６を介して電源Vccから電流を供給する必要がある。
この電流は待機時における消費電力を抑えるために微小
であることが望まれる。しかし、データを維持するため
には、この電流はトランジスタのオフ時のリーク電流よ
りも大きいことが必要である。
次に、第11図に示された１つのメモリセルを製造する方
法について説明する。第12A図〜第12E図は従来のメモリ
セルのパターンレイアウトをその製造工程順に示した図
である。
法について説明する。第12A図〜第12E図は従来のメモリ
セルのパターンレイアウトをその製造工程順に示した図
である。
第12A図を参照して、Ｐ型シリコン基板１の主表面上
に、活性領域30となるべき領域を分離するために所定の
パターンに従った分離酸化膜２が選択的に形成される。
に、活性領域30となるべき領域を分離するために所定の
パターンに従った分離酸化膜２が選択的に形成される。
次に、第12B図を参照して、活性領域30となるべき領域
の上に所定の位置をもってゲート電極21,22およびワー
ド線33が形成される。その後、活性領域30にゲート電極
21,22およびワード線33をマスクとしてＮ型の不純物イ
オンが注入されることによってN+拡散領域３が形成され
る。
の上に所定の位置をもってゲート電極21,22およびワー
ド線33が形成される。その後、活性領域30にゲート電極
21,22およびワード線33をマスクとしてＮ型の不純物イ
オンが注入されることによってN+拡散領域３が形成され
る。
その後、第12C図に示すように、低抵抗多結晶シリコン
層５が形成される。この低抵抗多結晶シリコン層５は、
ゲート電極21とN+拡散領域３とのコンタクト9a、N+拡散
領域３とのコンタクト9b、およびゲート電極22とN+拡散
領域３とのコンタクト9cを有している。また、低抵抗多
結晶シリコン層５はゲート電極21,22のそれぞれ上方に
おいて高抵抗多結晶シリコン層61,62を有している。
層５が形成される。この低抵抗多結晶シリコン層５は、
ゲート電極21とN+拡散領域３とのコンタクト9a、N+拡散
領域３とのコンタクト9b、およびゲート電極22とN+拡散
領域３とのコンタクト9cを有している。また、低抵抗多
結晶シリコン層５はゲート電極21,22のそれぞれ上方に
おいて高抵抗多結晶シリコン層61,62を有している。
さらに、第12D図に示すように、低抵抗多結晶シリコン
層５の上にはコンタクト9dが形成されることによってVc
c線としてのアルミニウム配線８が形成される。
層５の上にはコンタクト9dが形成されることによってVc
c線としてのアルミニウム配線８が形成される。
そして最後に、第12E図に示すように、アクセストラン
ジスタT3,T4を構成するN+拡散領域のそれぞれにコンタ
クト9f,9eが設けられることによって、ビット線31, がコンタクト9f,9eで接続するようにアルミニウム配線
で形成される。このようにして、１つのメモリセルが形
成される。
ジスタT3,T4を構成するN+拡散領域のそれぞれにコンタ
クト9f,9eが設けられることによって、ビット線31, がコンタクト9f,9eで接続するようにアルミニウム配線
で形成される。このようにして、１つのメモリセルが形
成される。
第13図は第12D図におけるXIII−XIII線に沿った断面を
示す。第13図を参照して、ドライバトランジスタT1,T2
で構成されるフリップ・フロップ回路によるデータのラ
ッチを維持するために設けられる高抵抗負荷６の形成方
法について説明する。
示す。第13図を参照して、ドライバトランジスタT1,T2
で構成されるフリップ・フロップ回路によるデータのラ
ッチを維持するために設けられる高抵抗負荷６の形成方
法について説明する。
既に第12C図において説明したように高抵抗領域は高抵
抗多結晶シリコン層61,62によって形成される。通常、
１つの高抵抗領域の抵抗値は数ＴΩ程度である。まず、
Ｐ型シリコン基板１の上に分離酸化膜２が形成される。
次に、アクセストランジスタT3,T4およびドライバトラ
ンジスタT1,T2のゲート電極、第13図に示される場合で
はワード線33がゲート酸化膜４を介して形成される。そ
の後、リンイオンまたは砒素イオン等のＮ型不純物イオ
ンがＰ型シリコン基板１の上に注入されることによっ
て、N+拡散領域３が形成される。
抗多結晶シリコン層61,62によって形成される。通常、
１つの高抵抗領域の抵抗値は数ＴΩ程度である。まず、
Ｐ型シリコン基板１の上に分離酸化膜２が形成される。
次に、アクセストランジスタT3,T4およびドライバトラ
ンジスタT1,T2のゲート電極、第13図に示される場合で
はワード線33がゲート酸化膜４を介して形成される。そ
の後、リンイオンまたは砒素イオン等のＮ型不純物イオ
ンがＰ型シリコン基板１の上に注入されることによっ
て、N+拡散領域３が形成される。
次に、アンドープト・多結晶シリコンが堆積され、N+拡
散領域３と直接コンタクト法によって電気的接続が行な
われる。さらに、この堆積された多結晶シリコンには、
たとえば、注入量の異なる２回のリンイオン注入によっ
て、低抵抗多結晶シリコン層５と高抵抗多結晶シリコン
層61とが形成される。すなわち、高抵抗多結晶シリコン
層61に含まれるリンイオンの注入量は低抵抗多結晶シリ
コン層５に含まれる注入量に比べて少なくなっている。
このとき、低抵抗多結晶シリコン層５に多量に注入され
たリンイオンは、その後の熱処理により、Ｐ型シリコン
基板１内に拡散し、より高濃度のN+拡散領域３が形成さ
れることとなる。
散領域３と直接コンタクト法によって電気的接続が行な
われる。さらに、この堆積された多結晶シリコンには、
たとえば、注入量の異なる２回のリンイオン注入によっ
て、低抵抗多結晶シリコン層５と高抵抗多結晶シリコン
層61とが形成される。すなわち、高抵抗多結晶シリコン
層61に含まれるリンイオンの注入量は低抵抗多結晶シリ
コン層５に含まれる注入量に比べて少なくなっている。
このとき、低抵抗多結晶シリコン層５に多量に注入され
たリンイオンは、その後の熱処理により、Ｐ型シリコン
基板１内に拡散し、より高濃度のN+拡散領域３が形成さ
れることとなる。
そして最後に、層間絶縁膜７が形成された後、アルミニ
ウム配線８がコンタクト9dを介して低抵抗多結晶シリコ
ン層５の上に形成される。但し、低抵抗多結晶シリコン
層５をVcc線として用いる場合にはアルミニウム配線８
は不要である。このようにして、高抵抗領域が形成され
る。
ウム配線８がコンタクト9dを介して低抵抗多結晶シリコ
ン層５の上に形成される。但し、低抵抗多結晶シリコン
層５をVcc線として用いる場合にはアルミニウム配線８
は不要である。このようにして、高抵抗領域が形成され
る。
第13図において、Vcc線としてのアルミニウム配線８か
ら供給された電流は低抵抗多結晶シリコン層５および高
抵抗多結晶シリコン層61を経て直接コンタクトによって
N+拡散領域３に流れる。この電流は、オン状態のドライ
バトランジスタT1,T2のチャネル領域を介して接地へと
流れていく。
ら供給された電流は低抵抗多結晶シリコン層５および高
抵抗多結晶シリコン層61を経て直接コンタクトによって
N+拡散領域３に流れる。この電流は、オン状態のドライ
バトランジスタT1,T2のチャネル領域を介して接地へと
流れていく。
［発明が解決しようとする課題］ 従来の高抵抗負荷型のSRAMは以上のようにして形成され
た負荷抵抗体を有している。この抵抗体の抵抗値はリン
イオンの注入量に対して最大値を示し、通常、シート抵
抗値で数百ＭΩ／□程度である。そのため、十分な高抵
抗値を得るためには多結晶シリコン層の長さと幅の比を
大きくとらなければならなかった。このことはSRAMの高
集積化、すなわち、微細化を図る上で妨げとなってい
た。
た負荷抵抗体を有している。この抵抗体の抵抗値はリン
イオンの注入量に対して最大値を示し、通常、シート抵
抗値で数百ＭΩ／□程度である。そのため、十分な高抵
抗値を得るためには多結晶シリコン層の長さと幅の比を
大きくとらなければならなかった。このことはSRAMの高
集積化、すなわち、微細化を図る上で妨げとなってい
た。
また、この負荷抵抗体は多結晶シリコン層で構成され、
不純物拡散領域との直接コンタクト領域につながってい
る。そのため、シリコン基板から多結晶シリコン抵抗体
への不純物の拡散、あるいは製造工程中における水素原
子の侵入によって高抵抗多結晶シリコン層が低抵抗化す
るおそれがある等の問題点があった。
不純物拡散領域との直接コンタクト領域につながってい
る。そのため、シリコン基板から多結晶シリコン抵抗体
への不純物の拡散、あるいは製造工程中における水素原
子の侵入によって高抵抗多結晶シリコン層が低抵抗化す
るおそれがある等の問題点があった。
そこで、高抵抗負荷型のSRAMの微細化を図るために負荷
抵抗体として絶縁体を用いたものが特開昭62−195170号
公報に開示されている。第14図はそのような薄膜絶縁体
で形成した負荷抵抗体を有する半導体装置を示す部分断
面図である。
抵抗体として絶縁体を用いたものが特開昭62−195170号
公報に開示されている。第14図はそのような薄膜絶縁体
で形成した負荷抵抗体を有する半導体装置を示す部分断
面図である。
図において、Ｐ型シリコン基板１の主表面に対して垂直
方向に、不純物拡散領域としてのN+拡散領域３とアルミ
ニウム配線８とからなる電流経路が形成されている。そ
の電流経路中にFe2O3,NiO,CoO,TiO2等の遷移金属酸化膜
65からなる絶縁体としての負荷抵抗が介在している。な
お、遷移金属酸化膜65とＰ型シリコン基板１との間に
は、シリコン酸化膜71および層間絶縁膜７が形成されて
いる。
方向に、不純物拡散領域としてのN+拡散領域３とアルミ
ニウム配線８とからなる電流経路が形成されている。そ
の電流経路中にFe2O3,NiO,CoO,TiO2等の遷移金属酸化膜
65からなる絶縁体としての負荷抵抗が介在している。な
お、遷移金属酸化膜65とＰ型シリコン基板１との間に
は、シリコン酸化膜71および層間絶縁膜７が形成されて
いる。
このように、この先行技術においては高抵抗値を有する
負荷抵抗体として遷移金属酸化膜が用いられている。し
かしながら、この遷移金属酸化膜は半導体装置の製造工
程において半導体基板を汚染する汚染源となり得る。ま
た、負荷抵抗体として１層の酸化膜が形成されるので、
半導体基板との接合リーク電流が大きく、待機時の消費
電力が増加することになる。さらに、この負荷抵抗体は
１層の酸化膜のみによって構成されるので、低抵値を所
望の値に制御することが困難である。
負荷抵抗体として遷移金属酸化膜が用いられている。し
かしながら、この遷移金属酸化膜は半導体装置の製造工
程において半導体基板を汚染する汚染源となり得る。ま
た、負荷抵抗体として１層の酸化膜が形成されるので、
半導体基板との接合リーク電流が大きく、待機時の消費
電力が増加することになる。さらに、この負荷抵抗体は
１層の酸化膜のみによって構成されるので、低抵値を所
望の値に制御することが困難である。
そこで、この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、半導体基板を汚染することがないと
ともに、所望の高抵抗値に制御することが容易である高
抵抗層を有する半導体装置を提供することを目的とす
る。
になされたもので、半導体基板を汚染することがないと
ともに、所望の高抵抗値に制御することが容易である高
抵抗層を有する半導体装置を提供することを目的とす
る。
また、好ましくは、この発明は微小な面積で十分な高抵
抗値を得ることができ、微細化を図ることが可能な高抵
抗層を有する半導体装置を提供することを目的とする。
抗値を得ることができ、微細化を図ることが可能な高抵
抗層を有する半導体装置を提供することを目的とする。
さらに好ましくは、この発明は外部からの不純物等の拡
散、侵入によってその高抵抗値が低下することのない安
定した高抵抗層を有する半導体装置を提供することを目
的とする。
散、侵入によってその高抵抗値が低下することのない安
定した高抵抗層を有する半導体装置を提供することを目
的とする。
そして、好ましくは、この発明は高集積化が可能な高抵
抗負荷型のSRAMを提供することを目的とする。
抗負荷型のSRAMを提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ この発明に従った高抵抗層を有する半導体装置は、半導
体基板と半導体領域と導電体層と高抵抗層とを備えてい
る。半導体基板は主表面を有し、第１導電型である。半
導体領域は半導体基板の主表面上に形成され、第２導電
型である。導電体層は半導体領域の上方に形成されてい
る。高抵抗層はこの導電体層と半導体領域との間に位置
し、少なくとも互いに積層された酸化膜と窒化膜とを含
んでいる。
体基板と半導体領域と導電体層と高抵抗層とを備えてい
る。半導体基板は主表面を有し、第１導電型である。半
導体領域は半導体基板の主表面上に形成され、第２導電
型である。導電体層は半導体領域の上方に形成されてい
る。高抵抗層はこの導電体層と半導体領域との間に位置
し、少なくとも互いに積層された酸化膜と窒化膜とを含
んでいる。
この発明の半導体装置の好ましい実施例によれば、高抵
抗層は半導体基板側に形成された酸化膜と、導電体層側
に形成された窒化膜とからなる２層構造を有する。ま
た、好ましくは、この高抵抗層は半導体基板側に形成さ
れた窒化膜と、導電体層側に形成された酸化膜とからな
る２層構造を有する。さらに好ましくは、この高抵抗層
は一層の窒化膜と、その窒化膜を挾む２層の酸化膜とか
らなる３層構造を有するものである。酸化膜はシリコン
酸化膜を含むものであればよく、窒化膜はシリコン窒化
膜を含むものであればよい。導電体層は高抵抗層の上に
形成された多結晶シリコン層を含むものであればよい。
抗層は半導体基板側に形成された酸化膜と、導電体層側
に形成された窒化膜とからなる２層構造を有する。ま
た、好ましくは、この高抵抗層は半導体基板側に形成さ
れた窒化膜と、導電体層側に形成された酸化膜とからな
る２層構造を有する。さらに好ましくは、この高抵抗層
は一層の窒化膜と、その窒化膜を挾む２層の酸化膜とか
らなる３層構造を有するものである。酸化膜はシリコン
酸化膜を含むものであればよく、窒化膜はシリコン窒化
膜を含むものであればよい。導電体層は高抵抗層の上に
形成された多結晶シリコン層を含むものであればよい。
さらにこの発明に従った高抵抗層を有する半導体装置の
好ましい実施例によれば、当該半導体装置はスタティッ
ク型ランダム・アクセス・メモリを含む半導体装置であ
り、高抵抗層と上記半導体領域によってその一部が構成
される電界効果素子とがフリップ・フロップ型のメモリ
セルを構成する。
好ましい実施例によれば、当該半導体装置はスタティッ
ク型ランダム・アクセス・メモリを含む半導体装置であ
り、高抵抗層と上記半導体領域によってその一部が構成
される電界効果素子とがフリップ・フロップ型のメモリ
セルを構成する。
この発明に従った高抵抗層を有する半導体装置の製造方
法によれば、まず、主表面を有し、第１導電型の半導体
基板が準備される。この半導体基板の主表面上に第２導
電型の半導体領域が形成される。半導体領域の上には、
少なくとも互いに積層された酸化膜と窒化膜とを含む高
抵抗層が形成される。さらに、この高抵抗層の上に導電
体層が形成される。
法によれば、まず、主表面を有し、第１導電型の半導体
基板が準備される。この半導体基板の主表面上に第２導
電型の半導体領域が形成される。半導体領域の上には、
少なくとも互いに積層された酸化膜と窒化膜とを含む高
抵抗層が形成される。さらに、この高抵抗層の上に導電
体層が形成される。
［作用］ この発明においては、導電体層と半導体領域との間に位
置し、少なくとも互いに積層された酸化膜と窒化膜とを
含む高抵抗層に電流を流すと、微小電流としてのトンネ
ル電流が窒化膜と酸化膜とからなる２層構造膜中を流れ
る。この場合、酸化膜には電流が流れにくく、窒化膜に
は酸化膜に比べて比較的電流が流れやすい。そのため、
高抵抗層を構成する酸化膜と窒化膜との膜厚を制御する
ことによって容易に高抵抗層の抵抗値を制御することが
可能になる。また、この発明における高抵抗層を構成す
る酸化膜および窒化膜は半導体基板を構成するシリコン
の酸化物および窒化物によって形成することができるの
で、半導体基板が汚染されることがない。したがって、
半導体基板を汚染することがなく、抵抗値を容易に制御
することが可能な高抵抗層を有する半導体装置を提供す
ることが可能になる。
置し、少なくとも互いに積層された酸化膜と窒化膜とを
含む高抵抗層に電流を流すと、微小電流としてのトンネ
ル電流が窒化膜と酸化膜とからなる２層構造膜中を流れ
る。この場合、酸化膜には電流が流れにくく、窒化膜に
は酸化膜に比べて比較的電流が流れやすい。そのため、
高抵抗層を構成する酸化膜と窒化膜との膜厚を制御する
ことによって容易に高抵抗層の抵抗値を制御することが
可能になる。また、この発明における高抵抗層を構成す
る酸化膜および窒化膜は半導体基板を構成するシリコン
の酸化物および窒化物によって形成することができるの
で、半導体基板が汚染されることがない。したがって、
半導体基板を汚染することがなく、抵抗値を容易に制御
することが可能な高抵抗層を有する半導体装置を提供す
ることが可能になる。
［発明の実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1A図〜第1E図は、この発明に従った高抵抗層を有する
半導体装置の一例として、高抵抗負荷型SRAMにおける１
つのメモリセルのパターンレイアウトをその製造工程順
に示した部分平面図である。
半導体装置の一例として、高抵抗負荷型SRAMにおける１
つのメモリセルのパターンレイアウトをその製造工程順
に示した部分平面図である。
まず、第1A図を参照して、Ｐ型シリコン基板１の主表面
上に、活性領域30となるべき領域を分離するために所定
のパターンに従って、熱酸化法等によって分離酸化膜２
が選択的に形成される。
上に、活性領域30となるべき領域を分離するために所定
のパターンに従って、熱酸化法等によって分離酸化膜２
が選択的に形成される。
次に、第1B図を参照して、活性領域30となるべき領域の
上に所定の位置をもってゲート電極21,22およびワード
線33が多結晶シリコン等によって形成される。その後、
ゲート電極21,22およびワード線33をマスクとして、リ
ンイオンまたは砒素イオン等のＮ型不純物イオンがＰ型
シリコン基板１の上に注入されることによって、N+拡散
領域３が活性領域30内に形成される。
上に所定の位置をもってゲート電極21,22およびワード
線33が多結晶シリコン等によって形成される。その後、
ゲート電極21,22およびワード線33をマスクとして、リ
ンイオンまたは砒素イオン等のＮ型不純物イオンがＰ型
シリコン基板１の上に注入されることによって、N+拡散
領域３が活性領域30内に形成される。
さらに、第1C図を参照して、N+拡散領域３の上に直接コ
ンタクトが形成されるように所定のパターンに従った高
抵抗領域63,64が、本発明に従って、少なくとも酸化膜
と窒化膜とが互いに積層された構造を有するように形成
される。この高抵抗領域63,64の上には低抵抗多結晶シ
リコン層51,52が形成される。この低抵抗多結晶シリコ
ン層51,52は高抵抗領域63,64とそれぞれコンタクト部を
有する。また、低抵抗多結晶シリコン層51,52は、ゲー
ト電極21とN+拡散領域３とのコンタクト9a、N+拡散領域
３とのコンタクト9b、およびゲート電極22とN+拡散領域
３とのコンタクト9cを有する。
ンタクトが形成されるように所定のパターンに従った高
抵抗領域63,64が、本発明に従って、少なくとも酸化膜
と窒化膜とが互いに積層された構造を有するように形成
される。この高抵抗領域63,64の上には低抵抗多結晶シ
リコン層51,52が形成される。この低抵抗多結晶シリコ
ン層51,52は高抵抗領域63,64とそれぞれコンタクト部を
有する。また、低抵抗多結晶シリコン層51,52は、ゲー
ト電極21とN+拡散領域３とのコンタクト9a、N+拡散領域
３とのコンタクト9b、およびゲート電極22とN+拡散領域
３とのコンタクト9cを有する。
その後、第1D図に示すように、Vcc線として、低抵抗多
結晶シリコン層51,52に接続するようにアルミニウム配
線８が形成される。
結晶シリコン層51,52に接続するようにアルミニウム配
線８が形成される。
そして最後に、第1E図に示すように、アクセストランジ
スタT3,T4を構成するN+拡散領域３のそれぞれにコンタ
クト9f,9eを介して接続するように、ビット線31と とがアルミニウム配線で形成される。このようにして、
高抵抗負荷型のSRAMにおける１つのメモリセル40が形成
される。
スタT3,T4を構成するN+拡散領域３のそれぞれにコンタ
クト9f,9eを介して接続するように、ビット線31と とがアルミニウム配線で形成される。このようにして、
高抵抗負荷型のSRAMにおける１つのメモリセル40が形成
される。
第2A図〜第2G図は第1D図のII−II線における断面を工程
順に示す。これらの図を参照して、本発明に従った高抵
抗層を有する半導体装置の形成方法について説明する。
順に示す。これらの図を参照して、本発明に従った高抵
抗層を有する半導体装置の形成方法について説明する。
まず、第2A図を参照して、Ｐ型シリコン基板１の上に、
選択酸化法（LOCOS法）を用いて素子分離用の厚い分離
酸化膜２が形成される。その後、ゲート酸化膜４が熱酸
化により形成され、その上に多結晶シリコンが堆積され
た後、パターニングが施されることによりアクセストラ
ンジスタのゲートを構成するワード線33が形成される。
次に、第2B図を参照して、砒素イオンあるいはリンイオ
ン等のＮ型不純物イオンが矢印Ａで示される方向にＰ型
シリコン基板１上に注入されることによって、N+拡散領
域３が形成される。
選択酸化法（LOCOS法）を用いて素子分離用の厚い分離
酸化膜２が形成される。その後、ゲート酸化膜４が熱酸
化により形成され、その上に多結晶シリコンが堆積され
た後、パターニングが施されることによりアクセストラ
ンジスタのゲートを構成するワード線33が形成される。
次に、第2B図を参照して、砒素イオンあるいはリンイオ
ン等のＮ型不純物イオンが矢印Ａで示される方向にＰ型
シリコン基板１上に注入されることによって、N+拡散領
域３が形成される。
さらに、第2C図を参照して、全面上に減圧化学的気相薄
膜成長法（LPCVD法）により、シリコン窒化膜630aが堆
積された後、温度850〜950℃で熱酸化される。このよう
にしてシリコン窒化膜630aの上にシリコン酸化膜630bが
形成された後、第2D図に示すように、低抵抗多結晶シリ
コン層510が減圧化学的気相薄膜成長法等により全面上
に堆積される。
膜成長法（LPCVD法）により、シリコン窒化膜630aが堆
積された後、温度850〜950℃で熱酸化される。このよう
にしてシリコン窒化膜630aの上にシリコン酸化膜630bが
形成された後、第2D図に示すように、低抵抗多結晶シリ
コン層510が減圧化学的気相薄膜成長法等により全面上
に堆積される。
次に、第2E図に示すように、この低抵抗多結晶シリコン
層510がパターニングされた後、低抵抗多結晶シリコン
層51をマスクとしてシリコン窒化膜630aおよびシリコン
酸化膜630bがエッチングされ、所望のパターンを有する
高抵抗層としてのシリコン窒化膜63aおよびシリコン酸
化膜63bが得られる。第2F図を参照して、この上に層間
絶縁膜７が堆積された後、低抵抗多結晶シリコン層51の
上において開孔される。その後、第2G図を参照して、低
抵抗多結晶シリコン層51と接続するためのアルミニウム
配線８が形成される。このアルミニウム配線８がパター
ニングされた後は通常の保護膜がその上に形成される。
層510がパターニングされた後、低抵抗多結晶シリコン
層51をマスクとしてシリコン窒化膜630aおよびシリコン
酸化膜630bがエッチングされ、所望のパターンを有する
高抵抗層としてのシリコン窒化膜63aおよびシリコン酸
化膜63bが得られる。第2F図を参照して、この上に層間
絶縁膜７が堆積された後、低抵抗多結晶シリコン層51の
上において開孔される。その後、第2G図を参照して、低
抵抗多結晶シリコン層51と接続するためのアルミニウム
配線８が形成される。このアルミニウム配線８がパター
ニングされた後は通常の保護膜がその上に形成される。
次に、第2G図に示された高抵抗層を有する半導体装置に
おける負荷抵抗体の作用について説明する。電源ライン
Vcc線としてのアルミニウム配線８から流れる電流は、
低抵抗多結晶シリコン層51から、垂直方向に形成された
シリコン酸化膜63b/シリコン窒化膜63aの２層構造を有
する抵抗体を介してN+拡散領域３に導かれる。不純物拡
散領域としてのN+拡散領域３に導かれた電流が、たとえ
ば、ドライバトランジスタのチャネル領域を通じて接地
へと流れていく。この電流によって、高抵抗負荷型のSR
AMにおいては、ドライバトランジスタT1,T2で構成され
るフリップ・フロップ回路によるデータのラッチが維持
される。すなわち、この発明に従った２層構造を有する
高抵抗体は、酸化膜と窒化膜のトンネル電流あるいはホ
ッピング電流を利用して微小な電流を流させる働きをす
るものである。
おける負荷抵抗体の作用について説明する。電源ライン
Vcc線としてのアルミニウム配線８から流れる電流は、
低抵抗多結晶シリコン層51から、垂直方向に形成された
シリコン酸化膜63b/シリコン窒化膜63aの２層構造を有
する抵抗体を介してN+拡散領域３に導かれる。不純物拡
散領域としてのN+拡散領域３に導かれた電流が、たとえ
ば、ドライバトランジスタのチャネル領域を通じて接地
へと流れていく。この電流によって、高抵抗負荷型のSR
AMにおいては、ドライバトランジスタT1,T2で構成され
るフリップ・フロップ回路によるデータのラッチが維持
される。すなわち、この発明に従った２層構造を有する
高抵抗体は、酸化膜と窒化膜のトンネル電流あるいはホ
ッピング電流を利用して微小な電流を流させる働きをす
るものである。
第3A図〜第3E図はこの発明に従った高抵抗層を有する半
導体装置のもう１つの製造方法を工程順に示す部分断面
図である。まず、第3A図を参照して、第2A図を用いて説
明された方法と同様の方法によって分離酸化膜２とゲー
ト酸化膜４およびワード線33が形成される。その後、第
3B図を参照して、減圧化学的気相薄膜成長法等により、
シリコン窒化膜630aが堆積され、その膜がさらに熱酸化
されることによってシリコン酸化膜630bが形成される。
所定のパターンに従って、シリコン窒化膜630aおよびシ
リコン酸化膜630bがエッチングによって除去され、高抵
抗層となるべきシリコン窒化膜63aおよびシリコン酸化
膜63bとからなる２層構造が形成される。
導体装置のもう１つの製造方法を工程順に示す部分断面
図である。まず、第3A図を参照して、第2A図を用いて説
明された方法と同様の方法によって分離酸化膜２とゲー
ト酸化膜４およびワード線33が形成される。その後、第
3B図を参照して、減圧化学的気相薄膜成長法等により、
シリコン窒化膜630aが堆積され、その膜がさらに熱酸化
されることによってシリコン酸化膜630bが形成される。
所定のパターンに従って、シリコン窒化膜630aおよびシ
リコン酸化膜630bがエッチングによって除去され、高抵
抗層となるべきシリコン窒化膜63aおよびシリコン酸化
膜63bとからなる２層構造が形成される。
次に、第3C図を参照して、シリコン窒化膜63a/シリコン
酸化膜63bとワード線33とをマスクとして、砒素イオン
またはリンイオンがＰ型シリコン基板１の表面上に注入
されることによってN+拡散領域３が形成される。その
後、第3D図および第3E図に示すように、第2F図および第
2G図を用いて説明した工程と同様に、シリコン酸化膜63
bの上に層間絶縁膜７を介してアルミニウム配線８が接
続される。
酸化膜63bとワード線33とをマスクとして、砒素イオン
またはリンイオンがＰ型シリコン基板１の表面上に注入
されることによってN+拡散領域３が形成される。その
後、第3D図および第3E図に示すように、第2F図および第
2G図を用いて説明した工程と同様に、シリコン酸化膜63
bの上に層間絶縁膜７を介してアルミニウム配線８が接
続される。
このようにして形成された第3E図に示される高抵抗層は
N+拡散領域３の直上に接合されていないが、第2G図に示
された高抵抗層と同様の効果を奏する。
N+拡散領域３の直上に接合されていないが、第2G図に示
された高抵抗層と同様の効果を奏する。
また、第3E図に示される構造においては、シリコン酸化
膜63bの上に直接、アルミニウム配線８を設けている
が、第４図に示されるように低抵抗多結晶シリコン層51
を形成した後にアルミニウム配線８を接続しても同様の
効果を奏するのは言うまでもない。
膜63bの上に直接、アルミニウム配線８を設けている
が、第４図に示されるように低抵抗多結晶シリコン層51
を形成した後にアルミニウム配線８を接続しても同様の
効果を奏するのは言うまでもない。
さらに、第2G図および第3E図においてシリコン窒化膜63
aを形成した後、その上にシリコン酸化膜63bを形成した
構造を有する高抵抗層を示しているが、第５図に示すよ
うにシリコン窒化膜63aとシリコン酸化膜63bとが上下逆
の積層構造であっても同様の効果が得られる。
aを形成した後、その上にシリコン酸化膜63bを形成した
構造を有する高抵抗層を示しているが、第５図に示すよ
うにシリコン窒化膜63aとシリコン酸化膜63bとが上下逆
の積層構造であっても同様の効果が得られる。
なお、上記実施例ではシリコン窒化膜とシリコン酸化膜
とからなる２層構造の高抵抗層の例について示している
が、高抵抗層としてシリコン酸化膜63b/シリコン窒化膜
63a/シリコン酸化膜63bからなる３層の積層構造を形成
してもよい。すなわち、この発明における高抵抗層は少
なくとも酸化膜と窒化膜とを含む積層構造を有する構造
であればよく、酸化膜と窒化膜の組合わせ、あるいは積
層順序はどうであれ、本発明の目的とする効果は達せら
れる。
とからなる２層構造の高抵抗層の例について示している
が、高抵抗層としてシリコン酸化膜63b/シリコン窒化膜
63a/シリコン酸化膜63bからなる３層の積層構造を形成
してもよい。すなわち、この発明における高抵抗層は少
なくとも酸化膜と窒化膜とを含む積層構造を有する構造
であればよく、酸化膜と窒化膜の組合わせ、あるいは積
層順序はどうであれ、本発明の目的とする効果は達せら
れる。
第7A図はこの発明に従ったシリコン窒化膜とシリコン酸
化膜との２層構造からなる高抵抗体の電圧−電流特性の
一例を示す図である。この場合、高抵抗体の電流が流れ
るべき面積は10μｍ×10μｍであり、高抵抗体の２層構
造を構成する窒化膜の厚みは200Å、酸化膜の厚みは25
Åである。この図によれば、印加電圧が5V、すなわち、
電源電圧5Vにおける電流値は10-11Ａ程度のオーダとな
っている。この高抵抗体の抵抗値は窒化膜の上に形成さ
れる酸化膜の厚みによって制御され得る。
化膜との２層構造からなる高抵抗体の電圧−電流特性の
一例を示す図である。この場合、高抵抗体の電流が流れ
るべき面積は10μｍ×10μｍであり、高抵抗体の２層構
造を構成する窒化膜の厚みは200Å、酸化膜の厚みは25
Åである。この図によれば、印加電圧が5V、すなわち、
電源電圧5Vにおける電流値は10-11Ａ程度のオーダとな
っている。この高抵抗体の抵抗値は窒化膜の上に形成さ
れる酸化膜の厚みによって制御され得る。
第7B図はこの発明に従ったシリコン窒化膜とシリコン酸
化膜とからなる２層構造を有する高抵抗体において抵抗
値の酸化膜厚依存性の一例を示す図である。この場合、
高抵抗体の電流が流れるべき面積は１μｍ×１μｍであ
り、窒化膜の厚みは200Åである。なお、印加電圧VGは5
Vである。この図によれば、窒化膜の上に形成される酸
化膜の厚みを制御することによって、安定した高抵抗値
を得ることができることが理解される。たとえば、高抵
抗体の面積を１μm2とし、窒化膜厚を200Å、酸化膜厚
を10Åとする場合、電源電圧5Vにおいてその抵抗値が50
TΩ程度の高抵抗体が得られる。
化膜とからなる２層構造を有する高抵抗体において抵抗
値の酸化膜厚依存性の一例を示す図である。この場合、
高抵抗体の電流が流れるべき面積は１μｍ×１μｍであ
り、窒化膜の厚みは200Åである。なお、印加電圧VGは5
Vである。この図によれば、窒化膜の上に形成される酸
化膜の厚みを制御することによって、安定した高抵抗値
を得ることができることが理解される。たとえば、高抵
抗体の面積を１μm2とし、窒化膜厚を200Å、酸化膜厚
を10Åとする場合、電源電圧5Vにおいてその抵抗値が50
TΩ程度の高抵抗体が得られる。
本発明に従った高抵抗体が適用されるSRAMにおいては、
その高抵抗体にはドライバトランジスタのＰ−Ｎ間の接
合リーク電流よりも大きな電流が流れる必要がある。そ
のため、高抵抗体が有する抵抗値には最大値が存在す
る。たとえば、現在のトランジスタのレベルにおいて
は、そのリーク電流は、トランジスタを１万個並列させ
た場合、印加電圧を5Vとしたとき、10-9Ａ程度である。
したがって、１つのトランジスタのリーク電流レベルは
10-13Ａである。SRAMにおいて１つのメモリセル内に構
成される高抵抗負荷体には10-13以上の電流が流れる必
要がある。すなわち、１つの高抵抗負荷体が有する抵抗
値の最大値は、電源電圧が5Vのとき、５×1013Ω（＝50
TΩ）であると見積もられる。第7B図によれば、この抵
抗値を有する高抵抗体を本発明に従って構成するとすれ
ば、その面積を１μm2とし、窒化膜厚を200Å、酸化膜
厚を10Å以下とする２層構造の抵抗体を構成すればよ
い。
その高抵抗体にはドライバトランジスタのＰ−Ｎ間の接
合リーク電流よりも大きな電流が流れる必要がある。そ
のため、高抵抗体が有する抵抗値には最大値が存在す
る。たとえば、現在のトランジスタのレベルにおいて
は、そのリーク電流は、トランジスタを１万個並列させ
た場合、印加電圧を5Vとしたとき、10-9Ａ程度である。
したがって、１つのトランジスタのリーク電流レベルは
10-13Ａである。SRAMにおいて１つのメモリセル内に構
成される高抵抗負荷体には10-13以上の電流が流れる必
要がある。すなわち、１つの高抵抗負荷体が有する抵抗
値の最大値は、電源電圧が5Vのとき、５×1013Ω（＝50
TΩ）であると見積もられる。第7B図によれば、この抵
抗値を有する高抵抗体を本発明に従って構成するとすれ
ば、その面積を１μm2とし、窒化膜厚を200Å、酸化膜
厚を10Å以下とする２層構造の抵抗体を構成すればよ
い。
次に、比較のため、抵抗体をシリコン酸化膜のみで構成
した場合について説明する。たとえば、第8A図は膜厚80
Åの酸化膜の電流−電圧特性の一例を示す図である。こ
の場合、電流が流れるべき面積は10μｍ×10μｍであ
る。この図によれば、印加電圧VGが２〜3V程度ではほと
んど電流が流れないことが理解される。このとき流れる
電流はFowler−Nordheimトンネル電流である。
した場合について説明する。たとえば、第8A図は膜厚80
Åの酸化膜の電流−電圧特性の一例を示す図である。こ
の場合、電流が流れるべき面積は10μｍ×10μｍであ
る。この図によれば、印加電圧VGが２〜3V程度ではほと
んど電流が流れないことが理解される。このとき流れる
電流はFowler−Nordheimトンネル電流である。
また、第8B図は膜厚20〜40Åの酸化膜の電流−電圧特性
の一例を示す図である。この場合、電流が流れるべき面
積は0.05mm2である。この図によれば、印加電圧VGが２
〜3Vでは多量に電流が流れることが理解される。電流が
流れるべき表面積を10μｍ×10μｍに換算したとして
も、第8B図に示される電流値の500分の１であるので、
電流は多量に流れることが理解される。なお、第8B図に
示される電流は直接トンネル電流である。
の一例を示す図である。この場合、電流が流れるべき面
積は0.05mm2である。この図によれば、印加電圧VGが２
〜3Vでは多量に電流が流れることが理解される。電流が
流れるべき表面積を10μｍ×10μｍに換算したとして
も、第8B図に示される電流値の500分の１であるので、
電流は多量に流れることが理解される。なお、第8B図に
示される電流は直接トンネル電流である。
このように、シリコン酸化膜の単層からなる抵抗体を用
いると、その膜厚が50Åを越えれば、その抵抗値が高す
ぎ（第8A図）、また、その膜厚が50Å未満であれば、電
流が流れ過ぎ、高抵抗体としての役割を果たさなくなる
（第8B図）。
いると、その膜厚が50Åを越えれば、その抵抗値が高す
ぎ（第8A図）、また、その膜厚が50Å未満であれば、電
流が流れ過ぎ、高抵抗体としての役割を果たさなくなる
（第8B図）。
さらに、比較のため、シリコン窒化膜単層のみで抵抗体
を構成した場合について説明する。第９図は膜厚80Åの
窒化膜の電流−電圧特性の一例を示す図である。この場
合、電流が流れるべき面積は５μｍ×５μｍである。こ
の図によれば、印加電圧VGが5V程度のとき、電流は10
-10Ａ以上流れることが理解される。このことから、シ
リコン窒化膜のみで抵抗体を構成した場合、そのリーク
電流はトランジスタのリークレベルよりも高いことが理
解される。また、電流が流れるべき面積を10μｍ×10μ
ｍに換算したとしても、第９図に示される電流値の４倍
であるので、本発明に従った窒化膜と酸化膜との２層構
造からなる抵抗体の例を示す第7A図と比べると、窒化膜
のみからなる抵抗体の方が高い電流値を示すことが理解
される。このことは、窒化膜のみの抵抗体を用いた場
合、消費電力の増加をもたらすことになる。また、シリ
コン窒化膜のみで抵抗体を構成した場合、その界面準位
および膜中のトラップが多く、抵抗体としての信頼性の
低下等の問題が発生する。すなわち、その抵抗値が経時
変化するという問題がある。
を構成した場合について説明する。第９図は膜厚80Åの
窒化膜の電流−電圧特性の一例を示す図である。この場
合、電流が流れるべき面積は５μｍ×５μｍである。こ
の図によれば、印加電圧VGが5V程度のとき、電流は10
-10Ａ以上流れることが理解される。このことから、シ
リコン窒化膜のみで抵抗体を構成した場合、そのリーク
電流はトランジスタのリークレベルよりも高いことが理
解される。また、電流が流れるべき面積を10μｍ×10μ
ｍに換算したとしても、第９図に示される電流値の４倍
であるので、本発明に従った窒化膜と酸化膜との２層構
造からなる抵抗体の例を示す第7A図と比べると、窒化膜
のみからなる抵抗体の方が高い電流値を示すことが理解
される。このことは、窒化膜のみの抵抗体を用いた場
合、消費電力の増加をもたらすことになる。また、シリ
コン窒化膜のみで抵抗体を構成した場合、その界面準位
および膜中のトラップが多く、抵抗体としての信頼性の
低下等の問題が発生する。すなわち、その抵抗値が経時
変化するという問題がある。
以上、説明したようにシリコン酸化膜のみ、あるいはシ
リコン窒化膜のみで抵抗体を構成した場合、その抵抗値
を膜厚のみで制御することが困難であり、トランジスタ
のリークレベル以上で、かつ消費電力を最小にする微小
電流が流れるように構成することは困難である。
リコン窒化膜のみで抵抗体を構成した場合、その抵抗値
を膜厚のみで制御することが困難であり、トランジスタ
のリークレベル以上で、かつ消費電力を最小にする微小
電流が流れるように構成することは困難である。
［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば高抵抗体を酸化膜と窒
化膜とを含むように構成したので、その膜厚を制御する
ことによって抵抗値が所定の値に容易に制御され得る。
また、この発明の抵抗層は電流の流れる経路が平面的に
構成されず、基板に対して垂直方向に構成されるので、
半導体装置の微細化を図ることができる。さらに、この
発明の高抵抗体を構成する窒化膜および酸化膜はシリコ
ン系の化合物によって容易に構成され得るので、基板に
対しての汚染源となることもない。したがって、微小な
面積で十分な高抵抗値を得ることができるとともに、外
部からの不純物等の拡散および侵入によってその高抵抗
値が低下しない安定した高抵抗体を備えた半導体装置、
たとえば、高集積が可能な高抵抗負荷型のSRAMを提供す
ることができるという効果がある。
化膜とを含むように構成したので、その膜厚を制御する
ことによって抵抗値が所定の値に容易に制御され得る。
また、この発明の抵抗層は電流の流れる経路が平面的に
構成されず、基板に対して垂直方向に構成されるので、
半導体装置の微細化を図ることができる。さらに、この
発明の高抵抗体を構成する窒化膜および酸化膜はシリコ
ン系の化合物によって容易に構成され得るので、基板に
対しての汚染源となることもない。したがって、微小な
面積で十分な高抵抗値を得ることができるとともに、外
部からの不純物等の拡散および侵入によってその高抵抗
値が低下しない安定した高抵抗体を備えた半導体装置、
たとえば、高集積が可能な高抵抗負荷型のSRAMを提供す
ることができるという効果がある。
第1A図、第1B図、第1C図、第1D図、第1E図は、この発明
に従った高抵抗層を有する半導体層の一例として、SRAM
の１つのメモリセルのパターンレイアウトをその製造工
程順に示した部分平面図である。 第2A図、第2B図、第2C図、第2D図、第2E図、第2F図、第
2G図は第1D図のII−II線における断面を工程順に示す断
面図である。 第3A図、第3B図、第3C図、第3D図、第3E図は第1D図のII
−II線における断面をもう１つの製造方法の工程順に従
って示す断面図である。 第４図、第５図、第６図はこの発明に従った高抵抗層を
有する半導体装置の別の実施例を示す断面図である。 第7A図、第7B図はこの発明に従った高抵抗層の特性を示
す図である。 第8A図、第8B図は酸化膜のみで構成された抵抗体の特性
を比較のため示す図である。 第９図は窒化膜のみで構成された抵抗体の特性を比較の
ため示す図である。 第10A図は従来のSRAMの全体構成を示すブロック図であ
る。 第10B図は第10A図に示されたSRAMの動作を説明するため
のデータの流れを示す図である。 第11図は高抵抗負荷型のSRAMの１つのメモリセルに対応
する等価回路図である。 第12A図、第12B図、第12C図、第12D図、第12E図は従来
の高抵抗負荷型のSRAMにおける１つのメモリセルのパタ
ーンレイアウトをその製造工程順に示す部分平面図であ
る。 第13図は第12D図のXIII−XIII線における断面を示す断
面図である。 第14図は従来の高抵抗層を有する半導体装置を示す断面
図である。 図において、１はＰ型シリコン基板、３はN+拡散領域、
８はアルミニウム配線、51,52は低抵抗多結晶シリコン
層、63,64は高抵抗層、63aはシリコン窒化膜、63bはシ
リコン酸化膜である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
に従った高抵抗層を有する半導体層の一例として、SRAM
の１つのメモリセルのパターンレイアウトをその製造工
程順に示した部分平面図である。 第2A図、第2B図、第2C図、第2D図、第2E図、第2F図、第
2G図は第1D図のII−II線における断面を工程順に示す断
面図である。 第3A図、第3B図、第3C図、第3D図、第3E図は第1D図のII
−II線における断面をもう１つの製造方法の工程順に従
って示す断面図である。 第４図、第５図、第６図はこの発明に従った高抵抗層を
有する半導体装置の別の実施例を示す断面図である。 第7A図、第7B図はこの発明に従った高抵抗層の特性を示
す図である。 第8A図、第8B図は酸化膜のみで構成された抵抗体の特性
を比較のため示す図である。 第９図は窒化膜のみで構成された抵抗体の特性を比較の
ため示す図である。 第10A図は従来のSRAMの全体構成を示すブロック図であ
る。 第10B図は第10A図に示されたSRAMの動作を説明するため
のデータの流れを示す図である。 第11図は高抵抗負荷型のSRAMの１つのメモリセルに対応
する等価回路図である。 第12A図、第12B図、第12C図、第12D図、第12E図は従来
の高抵抗負荷型のSRAMにおける１つのメモリセルのパタ
ーンレイアウトをその製造工程順に示す部分平面図であ
る。 第13図は第12D図のXIII−XIII線における断面を示す断
面図である。 第14図は従来の高抵抗層を有する半導体装置を示す断面
図である。 図において、１はＰ型シリコン基板、３はN+拡散領域、
８はアルミニウム配線、51,52は低抵抗多結晶シリコン
層、63,64は高抵抗層、63aはシリコン窒化膜、63bはシ
リコン酸化膜である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/11
Claims (1)
- 【請求項１】主表面を有し、第１導電型の半導体基板
と、 前記半導体基板の主表面上に形成された第２導電型の半
導体領域と、 前記半導体領域の上方に形成された導電体層と、 前記導電体層と前記半導体領域との間に位置し、少なく
とも互いに積層された酸化膜と窒化膜とを含む高抵抗層
とを備えた、高抵抗層を有する半導体装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63179887A JPH0727980B2 (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 高抵抗層を有する半導体装置 |
| US07/377,998 US5093706A (en) | 1988-07-19 | 1989-07-11 | Semiconductor device having multiple layer resistance layer structure and manufacturing method therefor |
| DE3923619A DE3923619A1 (de) | 1988-07-19 | 1989-07-17 | Halbleitereinrichtung und verfahren zu deren herstellung |
| KR1019890010235A KR930006275B1 (ko) | 1988-07-19 | 1989-07-19 | 다층저항층 구조의 반도체장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63179887A JPH0727980B2 (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 高抵抗層を有する半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0228970A JPH0228970A (ja) | 1990-01-31 |
| JPH0727980B2 true JPH0727980B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=16073634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63179887A Expired - Lifetime JPH0727980B2 (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 高抵抗層を有する半導体装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5093706A (ja) |
| JP (1) | JPH0727980B2 (ja) |
| KR (1) | KR930006275B1 (ja) |
| DE (1) | DE3923619A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5461000A (en) * | 1994-07-05 | 1995-10-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method of manufacturing dielectric as load resistor in 4T SRAM |
| US5665629A (en) * | 1995-08-11 | 1997-09-09 | International Business Machines Corporation | Four transistor SRAM process |
| US5578854A (en) * | 1995-08-11 | 1996-11-26 | International Business Machines Corporation | Vertical load resistor SRAM cell |
| US5683930A (en) * | 1995-12-06 | 1997-11-04 | Micron Technology Inc. | SRAM cell employing substantially vertically elongated pull-up resistors and methods of making, and resistor constructions and methods of making |
| KR100204012B1 (ko) * | 1996-05-13 | 1999-06-15 | 김영환 | 고저항 부하형 스태틱램 셀 및 그 제조방법 |
| US5986922A (en) * | 1997-09-30 | 1999-11-16 | Alliance Semiconductor | Method of and apparatus for increasing load resistance within an SRAM array |
| US6303965B1 (en) * | 1999-08-20 | 2001-10-16 | Micron Technology, Inc. | Resistor constructions and methods of forming resistor constructions |
| EP3327756B1 (en) * | 2016-11-24 | 2019-11-06 | Melexis Technologies NV | Die edge integrity monitoring system and corresponding method |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4131902A (en) * | 1977-09-30 | 1978-12-26 | Westinghouse Electric Corp. | Novel bipolar transistor with a dual-dielectric tunnel emitter |
| JPS5640269A (en) * | 1979-09-11 | 1981-04-16 | Toshiba Corp | Preparation of semiconductor device |
| JPS6188548A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-06 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS61134055A (ja) * | 1984-12-04 | 1986-06-21 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US4711699A (en) * | 1985-04-25 | 1987-12-08 | Nec Corporation | Process of fabricating semiconductor device |
| US4641173A (en) * | 1985-11-20 | 1987-02-03 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit load device |
| GB2186116B (en) * | 1986-02-03 | 1989-11-22 | Intel Corp | Plasma enhanced chemical vapor deposited vertical resistor |
| US4786612A (en) * | 1986-02-03 | 1988-11-22 | Intel Corporation | Plasma enhanced chemical vapor deposited vertical silicon nitride resistor |
| US4755480A (en) * | 1986-02-03 | 1988-07-05 | Intel Corporation | Method of making a silicon nitride resistor using plasma enhanced chemical vapor deposition |
| JPS62195179A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果トランジスタ |
| US4823181A (en) * | 1986-05-09 | 1989-04-18 | Actel Corporation | Programmable low impedance anti-fuse element |
| US4888820A (en) * | 1988-12-06 | 1989-12-19 | Texas Instruments Incorporated | Stacked insulating film including yttrium oxide |
| US4931897A (en) * | 1989-08-07 | 1990-06-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor capacitive element |
-
1988
- 1988-07-19 JP JP63179887A patent/JPH0727980B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-07-11 US US07/377,998 patent/US5093706A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-07-17 DE DE3923619A patent/DE3923619A1/de active Granted
- 1989-07-19 KR KR1019890010235A patent/KR930006275B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5093706A (en) | 1992-03-03 |
| DE3923619C2 (ja) | 1993-04-08 |
| DE3923619A1 (de) | 1990-01-25 |
| JPH0228970A (ja) | 1990-01-31 |
| KR900002321A (ko) | 1990-02-28 |
| KR930006275B1 (ko) | 1993-07-09 |
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