JPH07277882A - 結晶成長原料供給装置 - Google Patents
結晶成長原料供給装置Info
- Publication number
- JPH07277882A JPH07277882A JP7322694A JP7322694A JPH07277882A JP H07277882 A JPH07277882 A JP H07277882A JP 7322694 A JP7322694 A JP 7322694A JP 7322694 A JP7322694 A JP 7322694A JP H07277882 A JPH07277882 A JP H07277882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- gaas
- carrier gas
- crucible
- tungsten
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 水素ラジカル以外の高エネルギー粒子の発生
がなく、電磁気的雑音の発生がない結晶成長原料供給装
置を提供する。 【構成】 固体原料１０を装填するルツボ１１と、ルツ
ボを加熱するヒーター１３と、ステンレス製チューブ１
９からのキャリアガスをルツボに導入するノズル１５
と、ノズル内でキャリアガスをクラッキングするタング
ステンフィラメント１６を有している。クラッキングさ
れたキャリアガスは、ルツボ１１に導入され、原料と反
応し、チャンバー内に放出される。 【効果】 成長膜中の残留炭素及び残留酸素の濃度が減
少する。
がなく、電磁気的雑音の発生がない結晶成長原料供給装
置を提供する。 【構成】 固体原料１０を装填するルツボ１１と、ルツ
ボを加熱するヒーター１３と、ステンレス製チューブ１
９からのキャリアガスをルツボに導入するノズル１５
と、ノズル内でキャリアガスをクラッキングするタング
ステンフィラメント１６を有している。クラッキングさ
れたキャリアガスは、ルツボ１１に導入され、原料と反
応し、チャンバー内に放出される。 【効果】 成長膜中の残留炭素及び残留酸素の濃度が減
少する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体結晶成長装置に
用いられる結晶成長原料供給装置に係り、特に化合物半
導体製造用の結晶成長原料供給装置に関する。
用いられる結晶成長原料供給装置に係り、特に化合物半
導体製造用の結晶成長原料供給装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、有機金属原料を用いて化合物半
導体を結晶成長させると、成長させた結晶成長膜中に炭
素原子が残留することが知られている。例えば、Ｇａの
原料としてトリメチルガリウム［Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ：Ｔ
ＭＧａ］を用いてＧａＡｓ結晶を成長させると、そのＧ
ａＡｓ膜中に炭素原子が残留する。
導体を結晶成長させると、成長させた結晶成長膜中に炭
素原子が残留することが知られている。例えば、Ｇａの
原料としてトリメチルガリウム［Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ：Ｔ
ＭＧａ］を用いてＧａＡｓ結晶を成長させると、そのＧ
ａＡｓ膜中に炭素原子が残留する。
【０００３】従来、上記炭素原子残留問題を解決するた
めに、有機金属原料を用いて化合物半導体の結晶成長を
行っているチャンバー内に、水素プラズマを導入する方
法が提案されている。
めに、有機金属原料を用いて化合物半導体の結晶成長を
行っているチャンバー内に、水素プラズマを導入する方
法が提案されている。
【０００４】例えば、ＴＭＧａを用いてＧａＡｓ結晶の
成長を行っているチャンバー内に水素プラズマを導入す
る方法として、特開昭６４−５６３９７号公報には、砒
素分子とその砒素分子の輸送を担う水素分子との混合気
体を、分子線エピタキシー装置内で高周波励起によって
プラズマクラッキングする方法が開示されている。ま
た、ジャーナル オブ エレクトロニック マテリアル
ズ Vol.２１、No. ３、１９９２年、２７７〜２７９頁
には、Ｖ族原料として金属砒素を用い、マイクロ波プラ
ズマにより精製した水素ラジカルにより砒素分子の輸送
を行う方法が開示されている。この様に、水素ラジカル
をチャンバー内に導入すると、水素ラジカルとＴＭＧａ
のメチル基とが反応し、ＧａＡｓ膜中に取り込まれる炭
素量を低減化することができる。
成長を行っているチャンバー内に水素プラズマを導入す
る方法として、特開昭６４−５６３９７号公報には、砒
素分子とその砒素分子の輸送を担う水素分子との混合気
体を、分子線エピタキシー装置内で高周波励起によって
プラズマクラッキングする方法が開示されている。ま
た、ジャーナル オブ エレクトロニック マテリアル
ズ Vol.２１、No. ３、１９９２年、２７７〜２７９頁
には、Ｖ族原料として金属砒素を用い、マイクロ波プラ
ズマにより精製した水素ラジカルにより砒素分子の輸送
を行う方法が開示されている。この様に、水素ラジカル
をチャンバー内に導入すると、水素ラジカルとＴＭＧａ
のメチル基とが反応し、ＧａＡｓ膜中に取り込まれる炭
素量を低減化することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
様に、プラズマを用いてクラッキングを行う方法では、
水素ラジカル以外の高エネルギー粒子も発生し、これら
の高エネルギー粒子が、結晶基板の表面に損傷を与えて
しまうという問題点がある。
様に、プラズマを用いてクラッキングを行う方法では、
水素ラジカル以外の高エネルギー粒子も発生し、これら
の高エネルギー粒子が、結晶基板の表面に損傷を与えて
しまうという問題点がある。
【０００６】また、マイクロ波によって水素ラジカルを
発生させる方法では、電磁気的雑音が発生するので、結
晶表面の分析を行うための反射電子線回折（ＲＨＥＥ
Ｄ）の使用が困難になるという問題点がある。特に、走
査反射電子顕微鏡を用いて成長表面を実時間観察する場
合や、ＲＨＥＥＤ振動を用いて成長速度を測定する場合
には、上記雑音が致命的障害となっている。
発生させる方法では、電磁気的雑音が発生するので、結
晶表面の分析を行うための反射電子線回折（ＲＨＥＥ
Ｄ）の使用が困難になるという問題点がある。特に、走
査反射電子顕微鏡を用いて成長表面を実時間観察する場
合や、ＲＨＥＥＤ振動を用いて成長速度を測定する場合
には、上記雑音が致命的障害となっている。
【０００７】本願発明は、水素ラジカル以外の高エネル
ギー粒子の発生がなく、電磁気的雑音の発生がない結晶
成長原料供給装置を提供することを目的とする。
ギー粒子の発生がなく、電磁気的雑音の発生がない結晶
成長原料供給装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、固体原
料が装填されるルツボと、前記固体原料を加熱するヒー
ターと、前記固体原料を輸送するキャリアガスを導入す
るためのキャリアガス導入管とを有する結晶成長原料供
給装置において、前記キャリアガス導入管の内部で前記
キャリアガスに接触する触媒と、該触媒を加熱する加熱
手段とを設けたことを特徴とする結晶成長原料供給装置
が得られる。
料が装填されるルツボと、前記固体原料を加熱するヒー
ターと、前記固体原料を輸送するキャリアガスを導入す
るためのキャリアガス導入管とを有する結晶成長原料供
給装置において、前記キャリアガス導入管の内部で前記
キャリアガスに接触する触媒と、該触媒を加熱する加熱
手段とを設けたことを特徴とする結晶成長原料供給装置
が得られる。
【０００９】
【実施例】以下に図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１に本発明の第１の実施例を示す。本実施例の
結晶成長原料供給装置（分子線エピタキシー装置用分子
線源、以下、分子線源と略す）は、固体原料１０を装填
する窒化硼素製（或いは石英製）のルツボ１１、ルツボ
１１の底部に設けられ、原料の落下を防止するタングス
テン製、またはモリブデン製、或いは窒化硼素製の多孔
性治具１２、ルツボ１１を加熱するヒーター１３、モリ
ブデン製継手１４を介してルツボ１１に連通し、キャリ
アガスを導入するための窒化硼素製のノズル１５、及び
ノズル１５内に収容されたタングステンフィラメント１
６を有している。
する。図１に本発明の第１の実施例を示す。本実施例の
結晶成長原料供給装置（分子線エピタキシー装置用分子
線源、以下、分子線源と略す）は、固体原料１０を装填
する窒化硼素製（或いは石英製）のルツボ１１、ルツボ
１１の底部に設けられ、原料の落下を防止するタングス
テン製、またはモリブデン製、或いは窒化硼素製の多孔
性治具１２、ルツボ１１を加熱するヒーター１３、モリ
ブデン製継手１４を介してルツボ１１に連通し、キャリ
アガスを導入するための窒化硼素製のノズル１５、及び
ノズル１５内に収容されたタングステンフィラメント１
６を有している。
【００１０】この分子線源は、超高真空装置に装填する
ための超高真空用フランジ１７に取り付けられる。即
ち、超高真空用フランジ１７には、バルブ１８が取り付
けられたキャリアガス導入用のステンレス製チューブ１
９と、通電用端子２０が配設されており、ノズル１５
は、モリブデン製継手２１を用いてステンレス製チュー
ブ１９に接続され、タングステンフィラメント１６は、
通電用端子２０に接続される。
ための超高真空用フランジ１７に取り付けられる。即
ち、超高真空用フランジ１７には、バルブ１８が取り付
けられたキャリアガス導入用のステンレス製チューブ１
９と、通電用端子２０が配設されており、ノズル１５
は、モリブデン製継手２１を用いてステンレス製チュー
ブ１９に接続され、タングステンフィラメント１６は、
通電用端子２０に接続される。
【００１１】次に、この分子線源の動作を説明する。こ
こでは、固体原料１０として金属砒素を、キャリアガス
として水素分子を用いるものとする。まず、ルツボ１１
に装填された金属砒素は、ヒーター１３によって３００
℃に加熱され、昇華により砒素４量子分子（Ａｓ4 ）を
供給する状態になる。また、タングステンフィラメント
１６は、通電により１７００℃に加熱され、バルブ１８
が開かれたとき、ステンレス製チューブ１９からモリブ
デン製継手２１を介してノズル１５に導入された水素ガ
スをクラッキングして水素ラジカルを発生させる。この
水素ラジカルは、モリブデン製継手１４を介してルツボ
１１へと流入し、砒素と反応して水素化砒素（Ａｓ
Ｈx ）を生成する。なお、ルツボ１１の先端から放出さ
れる分子種は、水素化砒素のみならず、クラッキングさ
れなかった水素分子（Ｈ2 ）、及び水素ラジカル（Ｈ
・）と反応しなかった砒素４量子分子（Ａｓ4 ）を含ん
でいる。
こでは、固体原料１０として金属砒素を、キャリアガス
として水素分子を用いるものとする。まず、ルツボ１１
に装填された金属砒素は、ヒーター１３によって３００
℃に加熱され、昇華により砒素４量子分子（Ａｓ4 ）を
供給する状態になる。また、タングステンフィラメント
１６は、通電により１７００℃に加熱され、バルブ１８
が開かれたとき、ステンレス製チューブ１９からモリブ
デン製継手２１を介してノズル１５に導入された水素ガ
スをクラッキングして水素ラジカルを発生させる。この
水素ラジカルは、モリブデン製継手１４を介してルツボ
１１へと流入し、砒素と反応して水素化砒素（Ａｓ
Ｈx ）を生成する。なお、ルツボ１１の先端から放出さ
れる分子種は、水素化砒素のみならず、クラッキングさ
れなかった水素分子（Ｈ2 ）、及び水素ラジカル（Ｈ
・）と反応しなかった砒素４量子分子（Ａｓ4 ）を含ん
でいる。
【００１２】本実施例の分子線源では、タングステンフ
ィラメント１６を用いてクラッキングを行うので、イオ
ン等の高エネルギー粒子の発生がない。また、タングス
テンフィラメント１６は、直流通電加熱されるので、電
磁気的雑音の発生もない。さらに、ノズル１５をルツボ
１１の下部に設けるようにしたことで、水素化砒素及び
砒素４量子分子が高熱のタングステンにが接触して砒素
原子にまで分解され、成長に寄与しなくなるようなこと
がない。
ィラメント１６を用いてクラッキングを行うので、イオ
ン等の高エネルギー粒子の発生がない。また、タングス
テンフィラメント１６は、直流通電加熱されるので、電
磁気的雑音の発生もない。さらに、ノズル１５をルツボ
１１の下部に設けるようにしたことで、水素化砒素及び
砒素４量子分子が高熱のタングステンにが接触して砒素
原子にまで分解され、成長に寄与しなくなるようなこと
がない。
【００１３】次に、本実施例の分子線源を用いて、Ｇａ
Ａｓを成長させた例について説明する。まず、ＧａＡｓ
基板表面の酸化膜を除去するために、本実施例の分子線
源によって生成される分子線を、基板表面に照射しなが
ら、基板を加熱した。従来のＡｓ圧下で基板を加熱して
酸化膜を除去する方法では、基板温度を６００℃とする
必要があったが、本実施例の分子線源によって生成され
る分子線を照射した場合は、基板温度４００℃という低
温で酸化膜を除去することができた。また、ＲＨＥＥＤ
により基板表面を観察したところ、従来の方法で酸化膜
を除去した場合に比べ、表面の平坦性が良好であること
が判明した。
Ａｓを成長させた例について説明する。まず、ＧａＡｓ
基板表面の酸化膜を除去するために、本実施例の分子線
源によって生成される分子線を、基板表面に照射しなが
ら、基板を加熱した。従来のＡｓ圧下で基板を加熱して
酸化膜を除去する方法では、基板温度を６００℃とする
必要があったが、本実施例の分子線源によって生成され
る分子線を照射した場合は、基板温度４００℃という低
温で酸化膜を除去することができた。また、ＲＨＥＥＤ
により基板表面を観察したところ、従来の方法で酸化膜
を除去した場合に比べ、表面の平坦性が良好であること
が判明した。
【００１４】酸化膜を除去した後、基板温度を５００℃
とし、ＴＭＧａを毎分１cc、水素の流量を毎分１０ccと
してＧａＡｓ膜を成長させた。このＧａＡｓ膜中の残留
炭素濃度を２次イオン質量分析法で測定したところ、金
属砒素を加熱昇華させた砒素４量子分子のみを用いて成
長させたＧａＡｓ膜に比べて、炭素濃度は約１０分の１
に減少していた。
とし、ＴＭＧａを毎分１cc、水素の流量を毎分１０ccと
してＧａＡｓ膜を成長させた。このＧａＡｓ膜中の残留
炭素濃度を２次イオン質量分析法で測定したところ、金
属砒素を加熱昇華させた砒素４量子分子のみを用いて成
長させたＧａＡｓ膜に比べて、炭素濃度は約１０分の１
に減少していた。
【００１５】また、２酸化珪素を部分的に堆積させたＧ
ａＡｓ基板上に、Ｇａ原料として金属Ｇａを用い、基板
温度を６００℃として、ＧａＡｓを成長させた場合、２
酸化珪素上には成長が起こらず、ＧａＡｓ面上にのみ成
長が起こる、所謂選択成長が可能であることが判明し
た。
ａＡｓ基板上に、Ｇａ原料として金属Ｇａを用い、基板
温度を６００℃として、ＧａＡｓを成長させた場合、２
酸化珪素上には成長が起こらず、ＧａＡｓ面上にのみ成
長が起こる、所謂選択成長が可能であることが判明し
た。
【００１６】次に、本発明の第２の実施例を図２を参照
して説明する。ここで、第１の実施例と同一のものには
同一番号を付し、その説明を省略する。本実施例の分子
線源は、ルツボ１１の内部に、さらに窒化硼素性の内ル
ツボ２２を有している。この内ルツボ２２とルツボ１１
との間には、隙間が設けられており、ノズル１５から導
入された水素ラジカルは、この隙間を通ってそのまま放
出される。また、内ルツボ２２の底部には、ルツボ１１
と同様に穴が設けられており、この穴には、多孔性治具
２３が配設されている。
して説明する。ここで、第１の実施例と同一のものには
同一番号を付し、その説明を省略する。本実施例の分子
線源は、ルツボ１１の内部に、さらに窒化硼素性の内ル
ツボ２２を有している。この内ルツボ２２とルツボ１１
との間には、隙間が設けられており、ノズル１５から導
入された水素ラジカルは、この隙間を通ってそのまま放
出される。また、内ルツボ２２の底部には、ルツボ１１
と同様に穴が設けられており、この穴には、多孔性治具
２３が配設されている。
【００１７】この分子線源では、固体原料１０は、内ル
ツボ２２に装填される。従って、充填できる固体原料１
０の量は、第１の実施例に比べ少なくなる。一方、第１
の実施例と同様にして精製された水素ラジカルは、内ル
ツボ２２の内部を通り砒素と反応するものと、ルツボ１
１と内ルツボ２２との間を通ってそのまま放出されるも
のに別れる。ルツボ１１と内ルツボ２２との間を通る水
素ラジカルは、砒素とは反応しない。このため、本実施
例の分子線源から放出される分子種は、第１の実施例の
分子線源から放出される分子種に比べ、水素ラジカルの
濃度が高い。
ツボ２２に装填される。従って、充填できる固体原料１
０の量は、第１の実施例に比べ少なくなる。一方、第１
の実施例と同様にして精製された水素ラジカルは、内ル
ツボ２２の内部を通り砒素と反応するものと、ルツボ１
１と内ルツボ２２との間を通ってそのまま放出されるも
のに別れる。ルツボ１１と内ルツボ２２との間を通る水
素ラジカルは、砒素とは反応しない。このため、本実施
例の分子線源から放出される分子種は、第１の実施例の
分子線源から放出される分子種に比べ、水素ラジカルの
濃度が高い。
【００１８】本実施例の分子線源を用いて、第１の実施
例と同様にＧａＡｓを成長させたところ、自然酸化膜の
除去温度が、さらに、３０℃低下した。また、そのＧａ
Ａｓ膜における残留炭素濃度は、第１の実施例に比べ、
約１／２まで低下していた。
例と同様にＧａＡｓを成長させたところ、自然酸化膜の
除去温度が、さらに、３０℃低下した。また、そのＧａ
Ａｓ膜における残留炭素濃度は、第１の実施例に比べ、
約１／２まで低下していた。
【００１９】次に、図３を参照して本発明の第３の実施
例について説明する。本実施例の分子線源は第２の実施
例の分子線源とほぼ同じ構成となっている。従って、こ
こでは、第２の実施例と異なる点について説明する。
例について説明する。本実施例の分子線源は第２の実施
例の分子線源とほぼ同じ構成となっている。従って、こ
こでは、第２の実施例と異なる点について説明する。
【００２０】本実施例の分子線源は、窒化硼素製のノズ
ル１５に替えて、タングステン製のノズル３１を有し、
その内部には、直径２０μｍのタングステン細線３２が
充填されている。なお、タングステン細線３２に替えて
粒状のタングステン、またはこれらの混合物でも良い。
ル１５に替えて、タングステン製のノズル３１を有し、
その内部には、直径２０μｍのタングステン細線３２が
充填されている。なお、タングステン細線３２に替えて
粒状のタングステン、またはこれらの混合物でも良い。
【００２１】また、本実施例の分子線源は、モリブデン
製継手１４及び２１に替えて、窒化硼素製継手３３及び
３４を有している。さらに、この分子線源は、タングス
テンフィラメント１６に替えて、ノズル３１の周囲に配
設されたタングステン製ヒーター３５を有している。
製継手１４及び２１に替えて、窒化硼素製継手３３及び
３４を有している。さらに、この分子線源は、タングス
テンフィラメント１６に替えて、ノズル３１の周囲に配
設されたタングステン製ヒーター３５を有している。
【００２２】水素は、タングステンの触媒作用によって
クラッキングされる。すなわち、水素のクラッキング効
率は、タングステンの表面積に依存する。本実施例の分
子線源では、タングステン製のノズル３１とタングステ
ン細線３２とを有することにより、第１及び第２の実施
例のものに比べて、タングステンの表面積が大幅に増
え、クラッキング効率も１０倍程度向上する。ただし、
これらノズル３１とタングステン細線３２との加熱は、
タングステン製ヒーター３５によって外部から間接的に
行われるので、第１及び第２の実施例の分子線源よりも
消費電力は大きい。
クラッキングされる。すなわち、水素のクラッキング効
率は、タングステンの表面積に依存する。本実施例の分
子線源では、タングステン製のノズル３１とタングステ
ン細線３２とを有することにより、第１及び第２の実施
例のものに比べて、タングステンの表面積が大幅に増
え、クラッキング効率も１０倍程度向上する。ただし、
これらノズル３１とタングステン細線３２との加熱は、
タングステン製ヒーター３５によって外部から間接的に
行われるので、第１及び第２の実施例の分子線源よりも
消費電力は大きい。
【００２３】本実施例の分子線源を用いて、第１の実施
例と同様にＧａＡｓの成長を行うと、自然酸化膜の除去
温度は、第１の実施例の分子線源に比べ５０℃低下し
た。また、成長させたＧａＡｓ膜の残留炭素濃度は、第
２の実施例に比べ、１／１０に低下した。
例と同様にＧａＡｓの成長を行うと、自然酸化膜の除去
温度は、第１の実施例の分子線源に比べ５０℃低下し
た。また、成長させたＧａＡｓ膜の残留炭素濃度は、第
２の実施例に比べ、１／１０に低下した。
【００２４】また、水素ラジカルには、膜中の酸素濃度
を低下させるという効果があるが、本実施例の分子線源
を用いると、水素ラジカルの濃度が増加し、この効果が
顕著となる。特に、ＡｌＧａＡｓを成長させた場合に
は、膜中の酸素濃度が水素ラジカルを用いない方法に比
べ１／１００程度にまで減少するという効果がある。
を低下させるという効果があるが、本実施例の分子線源
を用いると、水素ラジカルの濃度が増加し、この効果が
顕著となる。特に、ＡｌＧａＡｓを成長させた場合に
は、膜中の酸素濃度が水素ラジカルを用いない方法に比
べ１／１００程度にまで減少するという効果がある。
【００２５】なお、上記実施例では、III 元素材料とし
てＴＭＧａを用いた場合についてしか述べていないが、
他の有機金属原料に対しても、残留炭素及び残留酸素の
低減効果があることはいうまでもない。また、上記実施
例では、Ｖ族元素として砒素を用いる場合についてしか
述べていないが、他のＶ族元素を用いる場合にも同様効
果が得られる。
てＴＭＧａを用いた場合についてしか述べていないが、
他の有機金属原料に対しても、残留炭素及び残留酸素の
低減効果があることはいうまでもない。また、上記実施
例では、Ｖ族元素として砒素を用いる場合についてしか
述べていないが、他のＶ族元素を用いる場合にも同様効
果が得られる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、タングステンの触媒効
果を利用してクラッキングを行なって水素ラジカルを発
生させるようにしたことで、イオン等、他の高エネルギ
ー粒子の発生がなく、基板に損傷を与えることがない。
また、タングステンの加熱に直流通電のみを行い、マイ
クロ波を使用していないので、電磁気的雑音の発生がな
く、ＲＨＥＥＤの使用に影響を与えることがない。
果を利用してクラッキングを行なって水素ラジカルを発
生させるようにしたことで、イオン等、他の高エネルギ
ー粒子の発生がなく、基板に損傷を与えることがない。
また、タングステンの加熱に直流通電のみを行い、マイ
クロ波を使用していないので、電磁気的雑音の発生がな
く、ＲＨＥＥＤの使用に影響を与えることがない。
【図１】本発明の第１の実施例の概略図である。
【図２】本発明の第２の実施例の概略図である。
【図３】本発明の第３の実施例の概略図である。
１０ 固体原料 １１ ルツボ １２ 多孔性治具 １３ ヒーター １４ モリブデン製継手 １５ ノズル １６ タングステンフィラメント １７ 超高真空用フランジ １８ バルブ １９ ステンレス製チューブ ２０ 通電用端子 ２１ モリブデン製継手 ２２ 内ルツボ ２３ 多孔性治具 ３１ ノズル ３２ タングステン細線 ３３、３４ 窒化硼素製継手 ３５ タングステン製ヒーター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 正理 茨城県つくば市西郷25−１ 東成ハイツ 206
Claims (7)
- 【請求項１】 固体原料が装填されるルツボと、前記固
体原料を加熱するヒーターと、前記固体原料を輸送する
キャリアガスを導入するためのキャリアガス導入管とを
有する結晶成長原料供給装置において、前記キャリアガ
ス導入管の内部で前記キャリアガスに接触する触媒と、
該触媒を加熱する加熱手段とを設けたことを特徴とする
結晶成長原料供給装置。 - 【請求項２】 前記キャリアガス導入管がタングステン
製キャリアガス導入管であって、該タングステン製キャ
リアガス導入管が前記触媒として作用することを特徴と
する請求項１の結晶成長原料供給装置。 - 【請求項３】 前記触媒が、前記キャリアガス導入管の
内部に装填された粒状タングステン及び細線状タングス
テンのうち少なくとも一方であることを特徴とする請求
項１の結晶成長原料供給装置。 - 【請求項４】 前記加熱手段が、前記キャリアガス導入
管の外部に設けられたタングステン製ヒーターであるこ
とを特徴とする請求項１、２、または３の結晶成長原料
供給装置。 - 【請求項５】 前記加熱手段が前記キャリアガス導入管
の内部に設けられたタングステンフィラメントであっ
て、該タングステンフィラメントが前記触媒として作用
することを特徴とする請求項１の結晶成長原料供給装
置。 - 【請求項６】 前記ルツボの底部に開口部が形成され、
該開口部に前記キャリアガス導入管が接続されているこ
とを特徴とする１、２、３、４、または５の結晶成長原
料供給装置。 - 【請求項７】 前記ルツボが、前記固体原料が装填され
る第１のルツボと、該第１のルツボを内部に収容する第
２のルツボとを有し、前記第１のルツボと前記第２のル
ツボとの間に隙間を設けることによって、前記キャリア
ガスが前記隙間及び前記第１のルツボの内側を通過する
ようにしたことを特徴とする請求項６の結晶成長原料供
給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7322694A JPH07277882A (ja) | 1994-04-12 | 1994-04-12 | 結晶成長原料供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7322694A JPH07277882A (ja) | 1994-04-12 | 1994-04-12 | 結晶成長原料供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07277882A true JPH07277882A (ja) | 1995-10-24 |
Family
ID=13512063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7322694A Withdrawn JPH07277882A (ja) | 1994-04-12 | 1994-04-12 | 結晶成長原料供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07277882A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007086560A1 (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Rohm Co., Ltd. | パージ機能を有する分子線セル |
-
1994
- 1994-04-12 JP JP7322694A patent/JPH07277882A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007086560A1 (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Rohm Co., Ltd. | パージ機能を有する分子線セル |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2006054419A (ja) | 触媒分子線エピタキシ装置及びそれを用いてｉｉｉ族窒化物材料を成長させる方法 | |
| US5358754A (en) | Method for forming diamond films by vapor phase synthesis | |
| JPH07277882A (ja) | 結晶成長原料供給装置 | |
| US5916822A (en) | Method of etching a substrate by means of chemical beams | |
| JPH04346218A (ja) | 窒化物系化合物半導体膜の成長装置 | |
| JP2660944B2 (ja) | 半導体表面の清浄化方法 | |
| JPS6132414A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2726149B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH05213695A (ja) | ダイヤモンド薄膜の堆積方法 | |
| EP0568177A2 (en) | Epitaxial growth method and apparatus for doping nitrogen | |
| JPS62214616A (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| US5396862A (en) | Method of manufacturing a compound semiconductor | |
| JP3574494B2 (ja) | 窒素化合物半導体結晶成長方法および成長装置 | |
| JPH05186295A (ja) | 結晶成長方法 | |
| JPH0252422A (ja) | 薄膜製造方法及び装置 | |
| JP2520617B2 (ja) | 半導体結晶成長方法及びそれを実施する装置 | |
| JP3063317B2 (ja) | 半導体薄膜の気相成長方法 | |
| JPH0574712A (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| JPH01103982A (ja) | ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH01123411A (ja) | 気相成長方法および装置 | |
| Yoshida et al. | New Damage-Less Patterning Method of A GaAs Oxide Mask and Its Application to Selective Growth by Mombe | |
| JPS62219917A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH01212296A (ja) | Ｓｉ基板上への３―５族化合物半導体結晶の成長方法 | |
| JPS6132413A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH01286991A (ja) | 分子線エピタキシャル成長方法及び分子線エピタキシー装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010703 |