JPH07273206A - 電気配線基板の修繕方法 - Google Patents
電気配線基板の修繕方法Info
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- JPH07273206A JPH07273206A JP6308494A JP6308494A JPH07273206A JP H07273206 A JPH07273206 A JP H07273206A JP 6308494 A JP6308494 A JP 6308494A JP 6308494 A JP6308494 A JP 6308494A JP H07273206 A JPH07273206 A JP H07273206A
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- wirings
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/225—Correcting or repairing of printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02W—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO WASTEWATER TREATMENT OR WASTE MANAGEMENT
- Y02W30/00—Technologies for solid waste management
- Y02W30/50—Reuse, recycling or recovery technologies
- Y02W30/82—Recycling of waste of electrical or electronic equipment [WEEE]
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気配線基板の配線間の短絡欠陥を修繕する
方法を提供する。 【構成】 列方向配線１と行方向配線２との間の短絡欠
陥部６の上部８を探針７で切り欠いて短絡欠陥部６の抵
抗値を高め（図１（ａ））、次いで両配線１，２に電流
を流して欠陥部６を溶断する。
方法を提供する。 【構成】 列方向配線１と行方向配線２との間の短絡欠
陥部６の上部８を探針７で切り欠いて短絡欠陥部６の抵
抗値を高め（図１（ａ））、次いで両配線１，２に電流
を流して欠陥部６を溶断する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電気配線の製造方法、特
に好ましくは平面型画像表示装置に用いられる電気配線
の製造方法に関する。
に好ましくは平面型画像表示装置に用いられる電気配線
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報機器や家庭用ＴＶ受像機の分
野において、薄型で、視認性の良い画像表示装置が求め
られている。従来、薄型の画像表示装置としては、例え
ば、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、あるいはプラズマデ
ィスプレイ等が開発されているが、これらには視野角、
カラー化、輝度等に問題があり、市場の要求する性能を
十分満足しているとは言えない状況である。
野において、薄型で、視認性の良い画像表示装置が求め
られている。従来、薄型の画像表示装置としては、例え
ば、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、あるいはプラズマデ
ィスプレイ等が開発されているが、これらには視野角、
カラー化、輝度等に問題があり、市場の要求する性能を
十分満足しているとは言えない状況である。
【０００３】そこで、平面型画像表示装置として、放出
電子により蛍光体を発光させ、画像を形成する蛍光体発
光型画像表示装置が期待されている。電子放出素子とし
ては電界放出型（以下ＦＥと略す）、金属／絶縁層／金
属型（以下ＭＩＭと略す）や表面伝導型等がある。
電子により蛍光体を発光させ、画像を形成する蛍光体発
光型画像表示装置が期待されている。電子放出素子とし
ては電界放出型（以下ＦＥと略す）、金属／絶縁層／金
属型（以下ＭＩＭと略す）や表面伝導型等がある。
【０００４】ＦＥ型の例としては、Ｗ．Ｐ．Ｄｙｋｅ＆
Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，“Ｆｉｅｌｄｅｍｉｓｓｉｏ
ｎ”，Ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）等に記載のものが知
られている。
Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，“Ｆｉｅｌｄｅｍｉｓｓｉｏ
ｎ”，Ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）等に記載のものが知
られている。
【０００５】ＭＩＭの例としては、Ｃ．Ａ．Ｍｅａｄ，
“Ｔｈｅ ｔｕｎｎｅｌ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ａｍｐｌ
ｉｆｉｅｒ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２，６４
６（１９６１）やＣ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，“Ｐｈｙｓｉ
ｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｉｎ−ｆｉ
ｌｍ ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｃａｔｈｏｄｅ
ｓ ｗｉｔｈ ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ ｃｏｎｅｓ”，
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，４７，５２４８（１９７
６）等に記載のものが知られている。
“Ｔｈｅ ｔｕｎｎｅｌ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ａｍｐｌ
ｉｆｉｅｒ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２，６４
６（１９６１）やＣ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，“Ｐｈｙｓｉ
ｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｉｎ−ｆｉ
ｌｍ ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｃａｔｈｏｄｅ
ｓ ｗｉｔｈ ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ ｃｏｎｅｓ”，
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，４７，５２４８（１９７
６）等に記載のものが知られている。
【０００６】表面伝導型電子放出素子型の例としては
Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，ＲａｄｉｏＥｎｇ．Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ Ｐｙｓ．，１０，（１９６５）等に記載のも
のが知られている。
Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，ＲａｄｉｏＥｎｇ．Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ Ｐｙｓ．，１０，（１９６５）等に記載のも
のが知られている。
【０００７】表面伝導型電子放出素子（ＳＣＥ）は、基
板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に並行に、電流
を流すことにより、電子放出が生じる現象を利用するも
のである。この表面伝導型電子放出素子としては、前記
エリンソン等によるＳｎＯ2薄膜を用いたもの、Ａｕ薄
膜によるもの［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：“Ｔｈｉｎ Ｓｏ
ｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ”，９，３１７（１９７２）］，Ｉ
ｎ2 Ｏ3 ／ＳｎＯ2 薄膜によるもの［Ｍ．Ｈａｒｔｗｅ
ｌｌ ａｎｄ Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：“ＩＥＥＥ
Ｔｒａｎｓ，ＥＤ Ｃｏｎｆ．”，５１９，（１９７
５）］，カーボン薄膜によるもの［荒木 久他：真空、
第２６巻，第１号，２２頁（１９８３）］等が報告され
ている。
板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に並行に、電流
を流すことにより、電子放出が生じる現象を利用するも
のである。この表面伝導型電子放出素子としては、前記
エリンソン等によるＳｎＯ2薄膜を用いたもの、Ａｕ薄
膜によるもの［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：“Ｔｈｉｎ Ｓｏ
ｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ”，９，３１７（１９７２）］，Ｉ
ｎ2 Ｏ3 ／ＳｎＯ2 薄膜によるもの［Ｍ．Ｈａｒｔｗｅ
ｌｌ ａｎｄ Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：“ＩＥＥＥ
Ｔｒａｎｓ，ＥＤ Ｃｏｎｆ．”，５１９，（１９７
５）］，カーボン薄膜によるもの［荒木 久他：真空、
第２６巻，第１号，２２頁（１９８３）］等が報告され
ている。
【０００８】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な製造方法は、２つの素子電極を隣接して配置し、その
２つの電極間隔に渡って薄膜を形成し、更にフォーミン
グと呼ばれる、薄膜に電界を印加し、薄膜を局所的に破
壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態に
する工程を通して電子放出部を形成している。このよう
にして製造した電子放出素子と蛍光体とを組み合わせて
描画する機能を付与することにより、画像表示装置が作
製される。これら蛍光体発光型画像表示装置は、具体的
には必要とする画面サイズに対応した大きさの２枚のガ
ラス基板間を用い、その一方をマトリックス状に配置し
た電子放出素子及び、各電子放出素子を駆動するための
行方向配線、列方向配線などの画像表示装置構成要素を
形成した素子基板とし、他方を蛍光体を形成しフェース
プレートとし、これらの基板を互いに対向させて、フリ
ットガラスで封止することにより形成されている。
な製造方法は、２つの素子電極を隣接して配置し、その
２つの電極間隔に渡って薄膜を形成し、更にフォーミン
グと呼ばれる、薄膜に電界を印加し、薄膜を局所的に破
壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態に
する工程を通して電子放出部を形成している。このよう
にして製造した電子放出素子と蛍光体とを組み合わせて
描画する機能を付与することにより、画像表示装置が作
製される。これら蛍光体発光型画像表示装置は、具体的
には必要とする画面サイズに対応した大きさの２枚のガ
ラス基板間を用い、その一方をマトリックス状に配置し
た電子放出素子及び、各電子放出素子を駆動するための
行方向配線、列方向配線などの画像表示装置構成要素を
形成した素子基板とし、他方を蛍光体を形成しフェース
プレートとし、これらの基板を互いに対向させて、フリ
ットガラスで封止することにより形成されている。
【０００９】尚、電子放出素子には比較的大きな電流を
流す必要があることから、これらの配線材料にはエレク
トロマイグレーションを生じにくいＡｕ，ＣｕまたはＡ
ｇが用いられている。
流す必要があることから、これらの配線材料にはエレク
トロマイグレーションを生じにくいＡｕ，ＣｕまたはＡ
ｇが用いられている。
【００１０】これら平面型画像表示装置等の製造方法は
液晶表示装置の製造方法とほぼ同じ方法で作製されるた
め、高精細化、大面積化が進むにつれ、電極数が増大し
基板あたりの配線間の欠陥が増加すると言う問題があ
る。
液晶表示装置の製造方法とほぼ同じ方法で作製されるた
め、高精細化、大面積化が進むにつれ、電極数が増大し
基板あたりの配線間の欠陥が増加すると言う問題があ
る。
【００１１】これら素子基板は製造単価が高いことか
ら、欠陥品を直ちに不良廃棄するよりも、少量の欠陥な
らば欠陥箇所の修正を行い良品とするほうが望ましい。
この欠陥の種類としては、断線による欠陥、及び短絡に
よる欠陥に大別できる。ここで断線による欠陥について
は、各配線の両端から駆動信号を供給することにより救
済できる可能性がある。これに対し水平方向、すなわち
同一面内に形成された隣り合う配線間の短絡欠陥（隣接
間ショート）及び垂直方向、すなわち絶縁層を介して積
層された２種類の配線間の交差部における短絡欠陥（層
間ショート）は線欠陥として画像上に現われるため、欠
陥の修正が必要である。
ら、欠陥品を直ちに不良廃棄するよりも、少量の欠陥な
らば欠陥箇所の修正を行い良品とするほうが望ましい。
この欠陥の種類としては、断線による欠陥、及び短絡に
よる欠陥に大別できる。ここで断線による欠陥について
は、各配線の両端から駆動信号を供給することにより救
済できる可能性がある。これに対し水平方向、すなわち
同一面内に形成された隣り合う配線間の短絡欠陥（隣接
間ショート）及び垂直方向、すなわち絶縁層を介して積
層された２種類の配線間の交差部における短絡欠陥（層
間ショート）は線欠陥として画像上に現われるため、欠
陥の修正が必要である。
【００１２】従来、液晶表示装置等の製造においては、
このような欠陥箇所の修正には、レーザ光（ＹＡＧ：波
長１．０６μｍ）を用い、図４に示すように、配線８２
ｂと配線８１ｂとの層間短絡箇所８６の配線の両端を切
断して（切断部８８ａ，８８ｂ）修正をしている。ま
た、短絡箇所に電流を流して加熱し、短絡箇所を溶断す
る方法（通電リベア）が知られている。
このような欠陥箇所の修正には、レーザ光（ＹＡＧ：波
長１．０６μｍ）を用い、図４に示すように、配線８２
ｂと配線８１ｂとの層間短絡箇所８６の配線の両端を切
断して（切断部８８ａ，８８ｂ）修正をしている。ま
た、短絡箇所に電流を流して加熱し、短絡箇所を溶断す
る方法（通電リベア）が知られている。
【００１３】従来のレーザ光を用いた配線の切断方法は
液晶表示装置等に用いられる配線材料であるＡｌ，Ｃ
ｒ，ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）等の
金属材料には有効である。しかし、比較的電流をたくさ
ん流す必要がある電子放出素子を用いた画像表示装置は
配線材料としてＡｕ，Ｃｕ又はＡｇを用ているが、これ
らの材料を用いた配線のレーザ光による切断は難しかっ
た。また、従来のように配線を切断し短絡部を修正する
方法では、同一ライン上に複数の欠陥が生じている場合
には、線欠陥となってしまう問題がある。
液晶表示装置等に用いられる配線材料であるＡｌ，Ｃ
ｒ，ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）等の
金属材料には有効である。しかし、比較的電流をたくさ
ん流す必要がある電子放出素子を用いた画像表示装置は
配線材料としてＡｕ，Ｃｕ又はＡｇを用ているが、これ
らの材料を用いた配線のレーザ光による切断は難しかっ
た。また、従来のように配線を切断し短絡部を修正する
方法では、同一ライン上に複数の欠陥が生じている場合
には、線欠陥となってしまう問題がある。
【００１４】更に、通電リペアの場合には短絡部の抵抗
が低いと大電流を流す必要があり、このため基板が割れ
たり、短絡部が溶断できないという問題がある。
が低いと大電流を流す必要があり、このため基板が割れ
たり、短絡部が溶断できないという問題がある。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みなされたもので、Ａｕ，Ｃｕ又はＡｇを用いた配線で
も短絡部の修正ができるようにしたものであり、更に配
線を切断することなく、短絡部付近のみを修正すること
により、画像表示装置等の製造歩留りを改善する電気配
線基板の修繕方法を提供することを目的とするものであ
る。
みなされたもので、Ａｕ，Ｃｕ又はＡｇを用いた配線で
も短絡部の修正ができるようにしたものであり、更に配
線を切断することなく、短絡部付近のみを修正すること
により、画像表示装置等の製造歩留りを改善する電気配
線基板の修繕方法を提供することを目的とするものであ
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、基板に電気伝導材料を用いて相互に絶縁さ
れた複数のパターンよりなる電気配線を形成してなる電
気配線基板であって前記電気配線間に短絡欠陥部を有す
る電気配線基板の修繕方法において、まず前記短絡欠陥
部を構成する電気伝導材料の断面積を減少させ、次いで
前記短絡欠陥部を共有する配線間に電圧を印加して前記
短絡欠陥部に電流を流すことにより前記短絡欠陥部を溶
断させることを特徴とする電気配線基板の修繕方法を提
案するもので、前記電気配線が平面型画像表示装置に用
いられる複数の列方向配線と絶縁層を介して積層された
複数の行方向配線からなるマトリックス状の配線である
こと、前記短絡欠陥部が同一面内に形成された複数の隣
接する配線間に存在するものであること、前記短絡欠陥
部が絶縁層を介して積層された複数の配線パターンの交
差部に存在するものであること、前記電気伝導材料が
金、銅又は銀もしくはこれらを含む材料であることを含
む。
に本発明は、基板に電気伝導材料を用いて相互に絶縁さ
れた複数のパターンよりなる電気配線を形成してなる電
気配線基板であって前記電気配線間に短絡欠陥部を有す
る電気配線基板の修繕方法において、まず前記短絡欠陥
部を構成する電気伝導材料の断面積を減少させ、次いで
前記短絡欠陥部を共有する配線間に電圧を印加して前記
短絡欠陥部に電流を流すことにより前記短絡欠陥部を溶
断させることを特徴とする電気配線基板の修繕方法を提
案するもので、前記電気配線が平面型画像表示装置に用
いられる複数の列方向配線と絶縁層を介して積層された
複数の行方向配線からなるマトリックス状の配線である
こと、前記短絡欠陥部が同一面内に形成された複数の隣
接する配線間に存在するものであること、前記短絡欠陥
部が絶縁層を介して積層された複数の配線パターンの交
差部に存在するものであること、前記電気伝導材料が
金、銅又は銀もしくはこれらを含む材料であることを含
む。
【００１７】
【作用】本発明の電気配線基板の修繕方法によれば、絶
縁層を介した積層配線の上下間または、配線の隣接間に
生じた短絡欠陥部の電気伝導材料を機械的方法により切
削または変形させることにより、短絡領域の断面積を小
さくして短絡欠陥部の抵抗を高抵抗化させた後、短絡欠
陥部に通電し短絡欠陥部を局部的に加熱することにより
短絡欠陥部を溶断するようにしたものである。
縁層を介した積層配線の上下間または、配線の隣接間に
生じた短絡欠陥部の電気伝導材料を機械的方法により切
削または変形させることにより、短絡領域の断面積を小
さくして短絡欠陥部の抵抗を高抵抗化させた後、短絡欠
陥部に通電し短絡欠陥部を局部的に加熱することにより
短絡欠陥部を溶断するようにしたものである。
【００１８】以下、図面を参照して本発明を詳細に説明
する。
する。
【００１９】まず、図５を用いて電気絶縁基板の一般的
な製造方法について説明する。
な製造方法について説明する。
【００２０】図５において、４は基板で、絶縁物又は半
導体が用いられる。これらの具体例としては、石英ガラ
ス、Ｎａ等の不純物含有量を減少したガラス、青板ガラ
ス、青板ガラスにスパッタ法により形成したＳｉＯ2 を
積層したガラス基板等及びアルミナ等のセラミックス、
及びシリコン、ガリウム砒素等がある。
導体が用いられる。これらの具体例としては、石英ガラ
ス、Ｎａ等の不純物含有量を減少したガラス、青板ガラ
ス、青板ガラスにスパッタ法により形成したＳｉＯ2 を
積層したガラス基板等及びアルミナ等のセラミックス、
及びシリコン、ガリウム砒素等がある。
【００２１】次に、基板４上に列方向配線１、層間絶縁
層５、行方向配線２を形成する。
層５、行方向配線２を形成する。
【００２２】行方向配線２及び列方向配線１は真空蒸着
法、スパッタ法、メッキ法、印刷法等で形成する。配線
は所望のパターンの電気伝導材料からなり、多数の素子
にできるだけほぼ均等な電圧が供給されるように膜厚、
配線幅等を決定する。また材料としては低抵抗でエレク
トロマイグレーションの生じにくいＡｕ，Ｃｕ及びＡｇ
が好ましい。なお基板４が半導体基板の場合には表面に
絶縁層を形成し、その上に配線を形成する。これら複数
本の行方向配線２と複数本の列方向配線１との間には層
間絶縁層５が設置され、マトリックス配線を構成する。
法、スパッタ法、メッキ法、印刷法等で形成する。配線
は所望のパターンの電気伝導材料からなり、多数の素子
にできるだけほぼ均等な電圧が供給されるように膜厚、
配線幅等を決定する。また材料としては低抵抗でエレク
トロマイグレーションの生じにくいＡｕ，Ｃｕ及びＡｇ
が好ましい。なお基板４が半導体基板の場合には表面に
絶縁層を形成し、その上に配線を形成する。これら複数
本の行方向配線２と複数本の列方向配線１との間には層
間絶縁層５が設置され、マトリックス配線を構成する。
【００２３】ここで、層間絶縁層としては、蒸着法、ス
パッタ法、印刷法等で形成したＳｉＯ2 等が好ましく、
列方向配線１を形成した基板４の全面あるいは一部に所
望の形状で形成され、列方向配線１と行方向配線２とを
絶縁している。
パッタ法、印刷法等で形成したＳｉＯ2 等が好ましく、
列方向配線１を形成した基板４の全面あるいは一部に所
望の形状で形成され、列方向配線１と行方向配線２とを
絶縁している。
【００２４】通常は図５に示すように、各配線間が絶縁
され、短絡欠陥部が存在しない電気配線基板が製造され
るものであるが、事故等の避け得ない原因で絶縁層の一
部が破損し、各配線間に短絡欠陥箇所が生じる場合があ
る。
され、短絡欠陥部が存在しない電気配線基板が製造され
るものであるが、事故等の避け得ない原因で絶縁層の一
部が破損し、各配線間に短絡欠陥箇所が生じる場合があ
る。
【００２５】図１（ａ）は上記短絡欠陥箇所が発生した
状態を示している。即ち、図１（ａ）中、６は短絡欠陥
部で、この欠陥部６はマトリックス配線を形成したとき
列方向配線１と行方向配線２との交差部に生じた短絡欠
陥であり、これにより列方向配線１と行方向配線２とが
導通している。
状態を示している。即ち、図１（ａ）中、６は短絡欠陥
部で、この欠陥部６はマトリックス配線を形成したとき
列方向配線１と行方向配線２との交差部に生じた短絡欠
陥であり、これにより列方向配線１と行方向配線２とが
導通している。
【００２６】次に図１を参照して、図１（ａ）に示す短
絡欠陥部６を本発明方法により修繕する場合について説
明する。
絡欠陥部６を本発明方法により修繕する場合について説
明する。
【００２７】まず図１（ｂ）に示すように、短絡欠陥部
６の上部８の行方向配線２を構成する電気伝導材料の除
去方法としては、先端の尖った工具、例えばタングステ
ン針からなる探針７等で短絡欠陥部６の電気伝導材料８
を引っかく等の操作を施すことにより、切削、変形等を
起こす方法がある。
６の上部８の行方向配線２を構成する電気伝導材料の除
去方法としては、先端の尖った工具、例えばタングステ
ン針からなる探針７等で短絡欠陥部６の電気伝導材料８
を引っかく等の操作を施すことにより、切削、変形等を
起こす方法がある。
【００２８】この操作により、短絡欠陥部６の短絡領域
を小さくし、即ち短絡欠陥部６を構成する電気伝導材料
の断面積を小さくし、列方向配線１と行方向配線２との
短絡欠陥部６における短絡抵抗を大きくするものであ
る。
を小さくし、即ち短絡欠陥部６を構成する電気伝導材料
の断面積を小さくし、列方向配線１と行方向配線２との
短絡欠陥部６における短絡抵抗を大きくするものであ
る。
【００２９】大きくした短絡抵抗値としては、配線材
料、配線の断面積によっても異なるが、一般的に配線抵
抗と同じくらいだと配線が溶断する場合があるので、配
線抵抗の数倍以上の抵抗値が好ましい。
料、配線の断面積によっても異なるが、一般的に配線抵
抗と同じくらいだと配線が溶断する場合があるので、配
線抵抗の数倍以上の抵抗値が好ましい。
【００３０】上記操作は、配線が微細な場合には顕微鏡
等を用いて短絡欠陥部６を観察しながら行うことが望ま
しい。
等を用いて短絡欠陥部６を観察しながら行うことが望ま
しい。
【００３１】次いで、短絡欠陥部６を共有する列方向配
線１と行方向配線２との間に電流を流す。例えば配線基
板の外部端子（不図示）に電圧を印加することにより、
両配線を通して短絡欠陥部６に電流が流れ、これにより
欠陥部６が局所的に加熱され、図１（ｃ）に示すように
欠陥部６が溶断され、行方向配線２と、溶断残り９とが
電気的に絶縁された状態になる。この結果、列方向配線
１と行方向配線２との間は電気的に絶縁される。
線１と行方向配線２との間に電流を流す。例えば配線基
板の外部端子（不図示）に電圧を印加することにより、
両配線を通して短絡欠陥部６に電流が流れ、これにより
欠陥部６が局所的に加熱され、図１（ｃ）に示すように
欠陥部６が溶断され、行方向配線２と、溶断残り９とが
電気的に絶縁された状態になる。この結果、列方向配線
１と行方向配線２との間は電気的に絶縁される。
【００３２】印加する電圧としては一般的には数Ｖが好
ましい。
ましい。
【００３３】尚、ここでは層間の配線のショートの修正
法について述べたが、隣接配線間ショートにもなんら変
更することなく適用することができる。
法について述べたが、隣接配線間ショートにもなんら変
更することなく適用することができる。
【００３４】
実施例１ 本発明の第１実施例を図１を参照しつつ説明する。
【００３５】まず、図１（ａ）に示すように清浄化した
青板ガラスからなる基板４上に、真空蒸着法により厚さ
１０ｎｍのＣｒ，厚さ６００ｎｍのＡｕを堆積後、フォ
トエッチング法により所望のパターンに加工し列方向配
線１を形成した。続いて厚さ１０００ｎｍのＳｉＯ2 か
らなる層間絶縁膜５をＲＦスパッタ法により堆積し、フ
ォトエッチング法により所望のパターンに加工した。続
いてリフトオフ法により厚さ５ｎｍのＴｉ、厚さ５００
ｎｍのＡｕを真空蒸着法で成膜し、不要な膜を除去する
ことにより行方向配線２を形成した。続いて、配線間の
短絡欠陥を調べ、短絡欠陥部６を検知した。
青板ガラスからなる基板４上に、真空蒸着法により厚さ
１０ｎｍのＣｒ，厚さ６００ｎｍのＡｕを堆積後、フォ
トエッチング法により所望のパターンに加工し列方向配
線１を形成した。続いて厚さ１０００ｎｍのＳｉＯ2 か
らなる層間絶縁膜５をＲＦスパッタ法により堆積し、フ
ォトエッチング法により所望のパターンに加工した。続
いてリフトオフ法により厚さ５ｎｍのＴｉ、厚さ５００
ｎｍのＡｕを真空蒸着法で成膜し、不要な膜を除去する
ことにより行方向配線２を形成した。続いて、配線間の
短絡欠陥を調べ、短絡欠陥部６を検知した。
【００３６】次に図１（ｂ）に示すように顕微鏡で観察
しながら短絡部６上の配線を探針７により擦り、部分的
に配線を薄くすることにより短絡領域を小さくした。こ
の操作により、抵抗値は３Ωから３０Ωに増加した。続
いて短絡部６を有する配線間に０．１Ａの電流を流すこ
とにより短絡部を溶断した。このとき、短絡部近傍が溶
断したが小領域であったので配線が断線することはなか
った。
しながら短絡部６上の配線を探針７により擦り、部分的
に配線を薄くすることにより短絡領域を小さくした。こ
の操作により、抵抗値は３Ωから３０Ωに増加した。続
いて短絡部６を有する配線間に０．１Ａの電流を流すこ
とにより短絡部を溶断した。このとき、短絡部近傍が溶
断したが小領域であったので配線が断線することはなか
った。
【００３７】以上のような製造方法により配線間の短絡
を修正することにより、欠陥のない電極配線が形成でき
た。
を修正することにより、欠陥のない電極配線が形成でき
た。
【００３８】実施例２ 本実施例では、実施例１と同様にして列方向配線１、層
間絶縁層５、行方向配線２を形成した。続いて、配線間
の短絡箇所を検査したところ、行方向配線２の隣接間
（隣接距離５０μｍ）で短絡箇所を検知した。そこで、
実施例１と同様に探針７を用いて配線間の短絡箇所を擦
り膜厚を薄くした後、短絡配線間に０．５Ａ程度の電流
を流すことにより短絡部の溶断を行い短絡箇所を修正し
た。
間絶縁層５、行方向配線２を形成した。続いて、配線間
の短絡箇所を検査したところ、行方向配線２の隣接間
（隣接距離５０μｍ）で短絡箇所を検知した。そこで、
実施例１と同様に探針７を用いて配線間の短絡箇所を擦
り膜厚を薄くした後、短絡配線間に０．５Ａ程度の電流
を流すことにより短絡部の溶断を行い短絡箇所を修正し
た。
【００３９】以上のような製造方法により、隣接配線間
の短絡を修正することにより、欠陥のない電極配線が形
成できた。
の短絡を修正することにより、欠陥のない電極配線が形
成できた。
【００４０】実施例３ るづいて、本発明の第３実施例を説明する。
【００４１】ここでは表面伝導型電子放出素子を用いた
平面型画像表示装置の素子基板の構成及びその製造方法
を図１及び図３を用いて説明する。
平面型画像表示装置の素子基板の構成及びその製造方法
を図１及び図３を用いて説明する。
【００４２】図２は平面型画像表示装置の一部等価回路
図である。
図である。
【００４３】複数本の列方向配線１及びこれらの列方向
配線１に直行する複数本の行方向配線２の各交点に電子
放出素子３が接続され形成されている。ここで図には示
されていない列方向配線１と行方向配線２の交差部には
層間絶縁層が形成されており、列方向配線１と行方向配
線２とが絶縁されている。ここで列方向配線１と行方向
配線２とを任意に選択し電界を印加することで電子放出
素子３から電子を放出させることができる。
配線１に直行する複数本の行方向配線２の各交点に電子
放出素子３が接続され形成されている。ここで図には示
されていない列方向配線１と行方向配線２の交差部には
層間絶縁層が形成されており、列方向配線１と行方向配
線２とが絶縁されている。ここで列方向配線１と行方向
配線２とを任意に選択し電界を印加することで電子放出
素子３から電子を放出させることができる。
【００４４】まず、図１（ａ）に示すように実施例１と
同様に清浄化した青板ガラス上に、厚さ１０ｎｍのＣ
ｒ、厚さ６００ｎｍのＣｕの積層体からなる列方向配線
１を形成した。続いて１０００ｎｍのＳｉＯ2 からなる
層間絶縁膜５をＲＦスパッタ法により堆積し、フォトエ
ッチング法により所望のパターンに加工した。続いてリ
フトオフ法により厚さ５ｎｍのＣｒ、厚さ５００ｎｍの
Ｃｕを真空蒸着法で成膜し、不要な膜を除去することに
より行方向配線２を形成した。続いて、配線間の短絡欠
陥を検出し、短絡欠陥部６を検知した。
同様に清浄化した青板ガラス上に、厚さ１０ｎｍのＣ
ｒ、厚さ６００ｎｍのＣｕの積層体からなる列方向配線
１を形成した。続いて１０００ｎｍのＳｉＯ2 からなる
層間絶縁膜５をＲＦスパッタ法により堆積し、フォトエ
ッチング法により所望のパターンに加工した。続いてリ
フトオフ法により厚さ５ｎｍのＣｒ、厚さ５００ｎｍの
Ｃｕを真空蒸着法で成膜し、不要な膜を除去することに
より行方向配線２を形成した。続いて、配線間の短絡欠
陥を検出し、短絡欠陥部６を検知した。
【００４５】次に図１（ｂ）に示すように短絡部６上を
探針７で擦り、Ｃｕの膜厚を１００ｎｍ程度に薄くし
た。
探針７で擦り、Ｃｕの膜厚を１００ｎｍ程度に薄くし
た。
【００４６】次に図１（ｂ）に示すように短絡部６を共
有する配線間に電圧を印加して電流を流すことにより短
絡欠陥部を溶断した。なお、短絡欠陥部近傍が溶断され
たが配線幅に対して小領域だったので配線が断線するこ
とはなかった。
有する配線間に電圧を印加して電流を流すことにより短
絡欠陥部を溶断した。なお、短絡欠陥部近傍が溶断され
たが配線幅に対して小領域だったので配線が断線するこ
とはなかった。
【００４７】更に、図３に示すように表面伝導型電子放
出素子３を行方向配線２と列方向配線１に接続するよう
に形成した。ここで行方向配線２と列方向配線１の交差
する配線間には層間絶縁層５が形成されている。なお、
表面伝導型電子放出素子３は、図示していないが対向し
た素子電極間に有機パラジウムを塗布した後、加熱処理
して、酸化パラジウム微粒子からなる微粒子膜を形成
し、更に微粒子膜に電圧を印加し（フォーミング処理）
電子放出部を作製してある。
出素子３を行方向配線２と列方向配線１に接続するよう
に形成した。ここで行方向配線２と列方向配線１の交差
する配線間には層間絶縁層５が形成されている。なお、
表面伝導型電子放出素子３は、図示していないが対向し
た素子電極間に有機パラジウムを塗布した後、加熱処理
して、酸化パラジウム微粒子からなる微粒子膜を形成
し、更に微粒子膜に電圧を印加し（フォーミング処理）
電子放出部を作製してある。
【００４８】以上のような製造方法により、配線間に生
じた短絡欠陥を配線を切断することなく修正することが
できた。このため、同一ライン上に欠陥が多数生じても
欠陥のない平面型画像表示装置の素子基板が形成でき
た。
じた短絡欠陥を配線を切断することなく修正することが
できた。このため、同一ライン上に欠陥が多数生じても
欠陥のない平面型画像表示装置の素子基板が形成でき
た。
【００４９】実施例４ 本実施例では列方向配線のＡｕをＡｇに変更した以外
は、実施例１と同様にして配線を形成した。尚Ａｇは真
空蒸着法で厚さ７０００Å成膜し、リフトオフ法により
パターン形成を行った。ＡｇもＡｕと同様にやわらかい
材料なので、実施例１と同様に探針で擦することによ
り、短絡断面積を減少させることができた。又電流を流
すことにより溶断できることを確認した。
は、実施例１と同様にして配線を形成した。尚Ａｇは真
空蒸着法で厚さ７０００Å成膜し、リフトオフ法により
パターン形成を行った。ＡｇもＡｕと同様にやわらかい
材料なので、実施例１と同様に探針で擦することによ
り、短絡断面積を減少させることができた。又電流を流
すことにより溶断できることを確認した。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電極配線
の製造方法によれば、Ａｕ，Ｃｕ又はＡｇを用いた配線
でも低抵抗短絡欠陥部の修正ができるようにしたもので
あり、配線を切断することなく、短絡部付近のみを除去
し修正することができる。
の製造方法によれば、Ａｕ，Ｃｕ又はＡｇを用いた配線
でも低抵抗短絡欠陥部の修正ができるようにしたもので
あり、配線を切断することなく、短絡部付近のみを除去
し修正することができる。
【００５１】更に欠陥部の断面積の減少操作は、欠陥部
を完全に除去するものではなく、一部を除去するに止ま
るものであるから操作が簡単である。また更に、本方法
で修繕すれば同一ライン上に短絡欠陥が生じても線欠陥
とならないため画像表示装置等に応用した場合、製造時
の歩留りを大幅に向上できるという効果がある。
を完全に除去するものではなく、一部を除去するに止ま
るものであるから操作が簡単である。また更に、本方法
で修繕すれば同一ライン上に短絡欠陥が生じても線欠陥
とならないため画像表示装置等に応用した場合、製造時
の歩留りを大幅に向上できるという効果がある。
【図１】本発明の修繕方法の各工程を示す説明図であ
る。
る。
【図２】表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置
素子基板の等価回路図である。
素子基板の等価回路図である。
【図３】表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置
の素子基板の部分平面図である。
の素子基板の部分平面図である。
【図４】従来例の配線の短絡欠陥部の修繕方法を示す説
明図である。
明図である。
【図５】短絡欠陥部のない基板の構造を示す説明図であ
る。
る。
１ 列方向配線 ２ 行方向配線 ３ 電子放出部 ４ 基板 ５ 層間絶縁層 ６ 短絡欠陥部 ７ 探針 ８ 上部 ９ 溶断残り
Claims (5)
- 【請求項１】 基板に電気伝導材料を用いて相互に絶縁
された複数のパターンよりなる電気配線を形成してなる
電気配線基板であって前記電気配線間に短絡欠陥部を有
する電気配線基板の修繕方法において、まず前記短絡欠
陥部を構成する電気伝導材料の断面積を減少させ、次い
で前記短絡欠陥部を共有する配線間に電圧を印加して前
記短絡欠陥部に電流を流すことにより前記短絡欠陥部を
溶断させることを特徴とする電気配線基板の修繕方法。 - 【請求項２】 前記電気配線が平面型画像表示装置に用
いられる複数の列方向配線と絶縁層を介して積層された
複数の行方向配線からなるマトリックス状の配線である
請求項１に記載の電気配線基板の修繕方法。 - 【請求項３】 前記短絡欠陥部が同一面内に形成された
複数の隣接する配線間に存在するものである請求項１に
記載の電気配線基板の修繕方法。 - 【請求項４】 前記短絡欠陥部が絶縁層を介して積層さ
れた複数の配線パターンの交差部に存在するものである
請求項１に記載の電気配線基板の修繕方法。 - 【請求項５】 前記電気伝導材料が金、銅又は銀もしく
はこれらを含む材料である請求項１に記載の電気配線基
板の修繕方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6308494A JPH07273206A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 電気配線基板の修繕方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6308494A JPH07273206A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 電気配線基板の修繕方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273206A true JPH07273206A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13219121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6308494A Pending JPH07273206A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 電気配線基板の修繕方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07273206A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004223694A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Takahiko Mukoda | パネル表面のリペア装置 |
| CN104143536A (zh) * | 2014-06-13 | 2014-11-12 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种显示基板的维修方法和维修装置 |
| CN113271719A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-08-17 | 昆山丘钛生物识别科技有限公司 | 柔性电路板处理方法、装置及设备 |
-
1994
- 1994-03-31 JP JP6308494A patent/JPH07273206A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004223694A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Takahiko Mukoda | パネル表面のリペア装置 |
| CN104143536A (zh) * | 2014-06-13 | 2014-11-12 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种显示基板的维修方法和维修装置 |
| CN113271719A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-08-17 | 昆山丘钛生物识别科技有限公司 | 柔性电路板处理方法、装置及设备 |
| CN113271719B (zh) * | 2021-06-23 | 2022-07-08 | 昆山丘钛生物识别科技有限公司 | 柔性电路板处理方法、装置及设备 |
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