JP2001237082A - 有機薄膜発光ディスプレイおよびその修復方法 - Google Patents
有機薄膜発光ディスプレイおよびその修復方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
Abstract
(57)【要約】
【課題】 短絡欠陥の発生による表示画質の低下を防止
し、短絡電流の抑制を可能とした有機薄膜発光ディスプ
レイおよびその修復方法を提供する。 【解決手段】 透明性基板上に、短冊状に配置された複
数列の第一の電極と、該第一の電極に直交する方向に短
冊状に配置された複数列の第二の電極とを有し、該第一
の電極と第二の電極との間に少なくとも有機発光層を挟
持してなり、かつ、該両電極の交点は夫々画素を構成
し、所望の画素を構成する該両電極間に電圧を印加して
エレクトロルミネッセンスを取り出すことにより情報の
表示を行う有機薄膜発光ディスプレイにおいて、前記複
数列の第一の電極が夫々、対応する前記画素に電流を供
給する給電機能と、該画素においてエレクトロルミネッ
センスを取り出す透明電極機能と、外部から電気的に断
線せしめることが可能な接続機能とを少なくとも備え
る。
し、短絡電流の抑制を可能とした有機薄膜発光ディスプ
レイおよびその修復方法を提供する。 【解決手段】 透明性基板上に、短冊状に配置された複
数列の第一の電極と、該第一の電極に直交する方向に短
冊状に配置された複数列の第二の電極とを有し、該第一
の電極と第二の電極との間に少なくとも有機発光層を挟
持してなり、かつ、該両電極の交点は夫々画素を構成
し、所望の画素を構成する該両電極間に電圧を印加して
エレクトロルミネッセンスを取り出すことにより情報の
表示を行う有機薄膜発光ディスプレイにおいて、前記複
数列の第一の電極が夫々、対応する前記画素に電流を供
給する給電機能と、該画素においてエレクトロルミネッ
センスを取り出す透明電極機能と、外部から電気的に断
線せしめることが可能な接続機能とを少なくとも備え
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイとし
て用いられる有機発光素子に関し、詳しくは、長期にわ
たって駆動可能であり、かつ、高い信頼性を有するパッ
シブマトリクス型有機発光ディスプレイおよびその修復
方法に関する。
て用いられる有機発光素子に関し、詳しくは、長期にわ
たって駆動可能であり、かつ、高い信頼性を有するパッ
シブマトリクス型有機発光ディスプレイおよびその修復
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機発光素子は、自己発光型素子である
ために視認性が高く、低電圧で駆動できるという特徴を
持つことから、実用化に関する研究が積極的になされて
いる（Appl.Phys.Lett.,51,913,1987）。かかる有機発
光素子としては、透明基板上に、陽極としての透明導電
性膜と、有機物からなる正孔輸送層および発光層と、陰
極としての金属膜とを形成した２層の有機層を有する構
造や、有機層が正孔輸送層、発光層および電子輸送層の
３層からなる構造のものが知られている。
ために視認性が高く、低電圧で駆動できるという特徴を
持つことから、実用化に関する研究が積極的になされて
いる（Appl.Phys.Lett.,51,913,1987）。かかる有機発
光素子としては、透明基板上に、陽極としての透明導電
性膜と、有機物からなる正孔輸送層および発光層と、陰
極としての金属膜とを形成した２層の有機層を有する構
造や、有機層が正孔輸送層、発光層および電子輸送層の
３層からなる構造のものが知られている。
【０００３】有機発光素子の発光機構は次のように考え
られている。陰極から注入された電子と、陽極から注入
された正孔とが、正孔輸送層と発光層との界面近傍で再
結合することにより励起子が生じて、この励起子が放射
失活する過程で光を放つ。この光が陽極である透明導電
性膜および透明基板を通して外部に放出され、発光が生
ずるのである。
られている。陰極から注入された電子と、陽極から注入
された正孔とが、正孔輸送層と発光層との界面近傍で再
結合することにより励起子が生じて、この励起子が放射
失活する過程で光を放つ。この光が陽極である透明導電
性膜および透明基板を通して外部に放出され、発光が生
ずるのである。
【０００４】有機発光素子を用いたディスプレイの一つ
に、図１に示すような、パッシブマトリクス型（単純マ
トリクス型）ディスプレイがある。かかるパッシブマト
リクス型有機発光ディスプレイは、透明基板１上の複数
列の陽極７（第一の電極、データライン）と、陽極と交
差する複数列の陰極８（第二の電極、アドレスライン）
と、これらに挟持された、有機発光層を含む有機層５と
から構成される。陽極７と陰極８との交差領域が一の画
素１０を形成し、この画素１０が複数個配列することに
より表示部分が形成されており、陽極および陰極を表示
部から基板周囲へ延長して形成した接続部分を介して、
外部駆動回路と表示部とを接続することにより、ディス
プレイ装置が構成される。
に、図１に示すような、パッシブマトリクス型（単純マ
トリクス型）ディスプレイがある。かかるパッシブマト
リクス型有機発光ディスプレイは、透明基板１上の複数
列の陽極７（第一の電極、データライン）と、陽極と交
差する複数列の陰極８（第二の電極、アドレスライン）
と、これらに挟持された、有機発光層を含む有機層５と
から構成される。陽極７と陰極８との交差領域が一の画
素１０を形成し、この画素１０が複数個配列することに
より表示部分が形成されており、陽極および陰極を表示
部から基板周囲へ延長して形成した接続部分を介して、
外部駆動回路と表示部とを接続することにより、ディス
プレイ装置が構成される。
【０００５】最近では、有機発光素子の発光応答速度の
速さを活かした高精細なパッシブマトリクス型カラーデ
ィスプレイの研究が進んでおり、フルカラー表示や動画
表示といった情報機器用途での低コストの高品位ディス
プレイ実現への期待が高まってきている。
速さを活かした高精細なパッシブマトリクス型カラーデ
ィスプレイの研究が進んでおり、フルカラー表示や動画
表示といった情報機器用途での低コストの高品位ディス
プレイ実現への期待が高まってきている。
【０００６】前述したように、有機発光素子は電流注入
によりエレクトロルミネッセンス（以下、「ＥＬ」とも
称する）を得るデバイスであり、液晶ディスプレイ等の
電界デバイスに比して大きな電流を制御しうる駆動回路
と、大きな電流を流し得る陽極および陰極を必要とす
る。
によりエレクトロルミネッセンス（以下、「ＥＬ」とも
称する）を得るデバイスであり、液晶ディスプレイ等の
電界デバイスに比して大きな電流を制御しうる駆動回路
と、大きな電流を流し得る陽極および陰極を必要とす
る。
【０００７】パッシブマトリクス型有機発光ディスプレ
イに用いられる電極としては、陽極にはインジウム錫酸
化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物、酸化錫等の透
明導電性金属酸化物が挙げられ、また、陰極にはＡｌや
Ａｌ合金、Ｍｇ合金等の低仕事関数金属が挙げられる。
透明性金属酸化物の抵抗率は、金属配線材料として用い
られるＡｌ等に比較して大きく、また、透明導電性膜と
してある程度の可視光透過性を保つ必要があるため、膜
厚が制限される。このため、陽極の配線抵抗が大きくな
る傾向がある。
イに用いられる電極としては、陽極にはインジウム錫酸
化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物、酸化錫等の透
明導電性金属酸化物が挙げられ、また、陰極にはＡｌや
Ａｌ合金、Ｍｇ合金等の低仕事関数金属が挙げられる。
透明性金属酸化物の抵抗率は、金属配線材料として用い
られるＡｌ等に比較して大きく、また、透明導電性膜と
してある程度の可視光透過性を保つ必要があるため、膜
厚が制限される。このため、陽極の配線抵抗が大きくな
る傾向がある。
【０００８】陽極の配線抵抗の大きさに起因する問題と
しては、配線抵抗に由来する電圧降下のためにパネル駆
動時に高い駆動電圧が必要となり、消費電力が大きくな
ることや、配線で発生するジュール熱が有機層を加熱す
る結果、パネルの特性を劣化させるなどといった点が挙
げられる。
しては、配線抵抗に由来する電圧降下のためにパネル駆
動時に高い駆動電圧が必要となり、消費電力が大きくな
ることや、配線で発生するジュール熱が有機層を加熱す
る結果、パネルの特性を劣化させるなどといった点が挙
げられる。
【０００９】この陽極の抵抗を低減させる方法として、
特開平４−８２１９７号公報、特開平５−３０７９９７
号公報、特開平６−５３６９号公報中の実施例に示され
るように、透明導電性膜と金属膜とを積層する方法があ
る。即ち、かかる透明導電性膜と金属膜とを積層する方
法を用いた場合には、特開平５−３０７９９７号公報に
おいて「陽極及び正孔輸送層間の一部に積層された前記
陽極より仕事関数の小さい金属膜を有する」とあり、ま
た、特開平６−５３６９号公報において「前記陽極が透
明な第１陽極部と前記正孔輸送層に接する前記第１陽極
部より仕事関数の高い第２陽極部からなる」と記載され
ているように、金属膜を積層して配線抵抗を低減する効
果を得ることができる。
特開平４−８２１９７号公報、特開平５−３０７９９７
号公報、特開平６−５３６９号公報中の実施例に示され
るように、透明導電性膜と金属膜とを積層する方法があ
る。即ち、かかる透明導電性膜と金属膜とを積層する方
法を用いた場合には、特開平５−３０７９９７号公報に
おいて「陽極及び正孔輸送層間の一部に積層された前記
陽極より仕事関数の小さい金属膜を有する」とあり、ま
た、特開平６−５３６９号公報において「前記陽極が透
明な第１陽極部と前記正孔輸送層に接する前記第１陽極
部より仕事関数の高い第２陽極部からなる」と記載され
ているように、金属膜を積層して配線抵抗を低減する効
果を得ることができる。
【００１０】また、比較的低抵抗の金属膜を積層するこ
とで、発光電流は透明導電性膜よりも金属膜に集中して
流れるようになる。これにより、透明導電性膜について
は、導電性よりも透過率を優先して材料の選択および成
膜を行うことができ、発光素子としての発光効率を向上
させることが可能となる。
とで、発光電流は透明導電性膜よりも金属膜に集中して
流れるようになる。これにより、透明導電性膜について
は、導電性よりも透過率を優先して材料の選択および成
膜を行うことができ、発光素子としての発光効率を向上
させることが可能となる。
【００１１】以上のように、パッシブマトリクス型有機
発光ディスプレイの陽極、陰極等の配線を設計する上で
は、配線抵抗を低減し、併せて開口率と透過率とを向上
せしめることが重要とされてきた。この設計指針により
動作電圧および消費電力を低減することが可能であり、
また、ジュール熱による劣化などを抑制して駆動安定性
を向上せしめることも併せて実現されるからである。
発光ディスプレイの陽極、陰極等の配線を設計する上で
は、配線抵抗を低減し、併せて開口率と透過率とを向上
せしめることが重要とされてきた。この設計指針により
動作電圧および消費電力を低減することが可能であり、
また、ジュール熱による劣化などを抑制して駆動安定性
を向上せしめることも併せて実現されるからである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際の
パッシブマトリクス型有機発光ディスプレイには、未だ
重要な課題が存在する。それは、画素中の両電極間に、
プロセス上の構造欠陥に起因する電気的短絡が発生する
ことがあるという点である。
パッシブマトリクス型有機発光ディスプレイには、未だ
重要な課題が存在する。それは、画素中の両電極間に、
プロセス上の構造欠陥に起因する電気的短絡が発生する
ことがあるという点である。
【００１３】例えば、画素ピッチ０．１１ｍｍ×０．３
３ｍｍ、開口率７０％、陽極をデータラインとしデータ
ライン数が２４０、陰極をアドレスラインとしアドレス
ライン数が６０、両電極の交点で形成される画素数が１
４４００である１．２５型パッシブマトリクス型有機発
光ディスプレイを考える。簡単のために、データライン
電位を選択時Ｈ（正電位）で非選択時ゼロ（グラン
ド）、アドレスライン電位を選択時ゼロ（グランド）で
非選択時Ｈ（正電位：データ電位Ｈに同じ）、走査線１
アドレスラインの１電源定電圧駆動とする。
３ｍｍ、開口率７０％、陽極をデータラインとしデータ
ライン数が２４０、陰極をアドレスラインとしアドレス
ライン数が６０、両電極の交点で形成される画素数が１
４４００である１．２５型パッシブマトリクス型有機発
光ディスプレイを考える。簡単のために、データライン
電位を選択時Ｈ（正電位）で非選択時ゼロ（グラン
ド）、アドレスライン電位を選択時ゼロ（グランド）で
非選択時Ｈ（正電位：データ電位Ｈに同じ）、走査線１
アドレスラインの１電源定電圧駆動とする。
【００１４】電気的短絡欠陥のない状態では、電極配線
抵抗あるいは駆動回路内部インピーダンスは、有機発光
素子部を有する画素の抵抗に比して十分小さい。例示の
場合においては、選択時（発光状態、順バイアス）での
画素抵抗が数１００ｋΩ、非選択時（消灯状態、順バイ
アス）あるいは逆バイアス時の画素抵抗が数１０ＭΩ以
上であるのに対して、電極配線抵抗あるいは駆動回路内
部インピーダンスは高々数ｋΩである。パネルに印加さ
れる電圧の殆どは画素すなわち有機発光層への電荷注入
に必要な電界強度を得るために画素内の両電極間で電圧
降下しているため、配線構造設計の設計指針としては前
述したように配線抵抗と駆動回路の内部インピーダンス
を低減させることにより、低消費電力で画質の均質性に
優れたパネルを実現することが可能となる。
抵抗あるいは駆動回路内部インピーダンスは、有機発光
素子部を有する画素の抵抗に比して十分小さい。例示の
場合においては、選択時（発光状態、順バイアス）での
画素抵抗が数１００ｋΩ、非選択時（消灯状態、順バイ
アス）あるいは逆バイアス時の画素抵抗が数１０ＭΩ以
上であるのに対して、電極配線抵抗あるいは駆動回路内
部インピーダンスは高々数ｋΩである。パネルに印加さ
れる電圧の殆どは画素すなわち有機発光層への電荷注入
に必要な電界強度を得るために画素内の両電極間で電圧
降下しているため、配線構造設計の設計指針としては前
述したように配線抵抗と駆動回路の内部インピーダンス
を低減させることにより、低消費電力で画質の均質性に
優れたパネルを実現することが可能となる。
【００１５】しかし、画素中に電気的な短絡が存在する
場合には、上述の画素抵抗が殆ど失われて高々数１００
Ω程度となる。このため、欠陥画素を経由する電気経路
には、配線抵抗と駆動回路内部インピーダンスで決定さ
れる大電流（以下、「リーク電流」と称する）が流れる
という欠点がある。例示の場合では、正常動作時の画素
電流が高々１００μＡであるのに対して、リーク電流は
数ｍＡから数１０ｍＡにも達する。
場合には、上述の画素抵抗が殆ど失われて高々数１００
Ω程度となる。このため、欠陥画素を経由する電気経路
には、配線抵抗と駆動回路内部インピーダンスで決定さ
れる大電流（以下、「リーク電流」と称する）が流れる
という欠点がある。例示の場合では、正常動作時の画素
電流が高々１００μＡであるのに対して、リーク電流は
数ｍＡから数１０ｍＡにも達する。
【００１６】このリーク電流は、消費電力を増大させる
ばかりでなく、熱的に比較的弱い有機薄膜層を変質せし
め、短絡画素内での電極短絡面積を増大させ、さらには
近隣画素へも伝播して、新たな電気的短絡画素を誘起す
ることになる。
ばかりでなく、熱的に比較的弱い有機薄膜層を変質せし
め、短絡画素内での電極短絡面積を増大させ、さらには
近隣画素へも伝播して、新たな電気的短絡画素を誘起す
ることになる。
【００１７】また、電気的短絡の存在する画素は、発光
に必要な電極間電位を得られなくなるために非点灯とな
り、表示中で黒点の表示欠陥となるばかりでなく、画像
を表示する場合に様々な画質欠陥を引き起こす。例え
ば、短絡画素を含むデータラインが明るい線状に点灯し
つづける、または、短絡画素を含むアドレスライン全体
が暗くなる、などの画質不良がよく知られている。
に必要な電極間電位を得られなくなるために非点灯とな
り、表示中で黒点の表示欠陥となるばかりでなく、画像
を表示する場合に様々な画質欠陥を引き起こす。例え
ば、短絡画素を含むデータラインが明るい線状に点灯し
つづける、または、短絡画素を含むアドレスライン全体
が暗くなる、などの画質不良がよく知られている。
【００１８】作製直後のパッシブマトリクス型有機発光
ディスプレイの短絡画素を修復する方法としては、例え
ば、レーザーを用いて短絡電極を部分破壊して修復する
方法、発光電圧を超える高電圧を与えて短絡部の修復を
行う方法などがある。
ディスプレイの短絡画素を修復する方法としては、例え
ば、レーザーを用いて短絡電極を部分破壊して修復する
方法、発光電圧を超える高電圧を与えて短絡部の修復を
行う方法などがある。
【００１９】しかしながら、パッシブマトリクス型有機
発光ディスプレイに用いられる有機層は膜厚が数１００
ｎｍ程度以下と非常に薄いため、ダストの付着や成膜む
ら等による短絡欠陥を皆無とすることは工業的には困難
であり、上記方法等により修復が可能であるとはいえ、
安定した画質を得るためには、発生した短絡欠陥画素に
おける短絡電流の抑制と、短絡に起因する表示欠陥の解
消が必要となる。
発光ディスプレイに用いられる有機層は膜厚が数１００
ｎｍ程度以下と非常に薄いため、ダストの付着や成膜む
ら等による短絡欠陥を皆無とすることは工業的には困難
であり、上記方法等により修復が可能であるとはいえ、
安定した画質を得るためには、発生した短絡欠陥画素に
おける短絡電流の抑制と、短絡に起因する表示欠陥の解
消が必要となる。
【００２０】そこで本発明の目的は、短絡欠陥の発生に
よる表示画質の低下を防止し、短絡電流の抑制を可能と
した有機薄膜発光ディスプレイおよびその修復方法を提
供することにある。
よる表示画質の低下を防止し、短絡電流の抑制を可能と
した有機薄膜発光ディスプレイおよびその修復方法を提
供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の有機薄膜発光ディスプレイは、透明性基板
上に、短冊状に配置された複数列の第一の電極と、該第
一の電極に直交する方向に短冊状に配置された複数列の
第二の電極とを有し、かつ、該第一の電極と第二の電極
との間に少なくとも有機発光層が挟持されてなり、該両
電極の交点が夫々画素を構成し、所望の画素を構成する
該両電極間に電圧を印加してエレクトロルミネッセンス
を取り出すことにより情報の表示を行う有機薄膜発光デ
ィスプレイにおいて、前記複数列の第一の電極が夫々、
対応する前記画素に電流を供給する給電機能と、該画素
においてエレクトロルミネッセンスを取り出す透明電極
機能と、外部から電気的に断線せしめることが可能な接
続機能と、を少なくとも備えることを特徴とするもので
ある。
に、本発明の有機薄膜発光ディスプレイは、透明性基板
上に、短冊状に配置された複数列の第一の電極と、該第
一の電極に直交する方向に短冊状に配置された複数列の
第二の電極とを有し、かつ、該第一の電極と第二の電極
との間に少なくとも有機発光層が挟持されてなり、該両
電極の交点が夫々画素を構成し、所望の画素を構成する
該両電極間に電圧を印加してエレクトロルミネッセンス
を取り出すことにより情報の表示を行う有機薄膜発光デ
ィスプレイにおいて、前記複数列の第一の電極が夫々、
対応する前記画素に電流を供給する給電機能と、該画素
においてエレクトロルミネッセンスを取り出す透明電極
機能と、外部から電気的に断線せしめることが可能な接
続機能と、を少なくとも備えることを特徴とするもので
ある。
【００２２】本発明においては、特には、前記複数列の
第一の電極が、該電極に延在する電気的に連続した誘電
体からなる給電部と、該給電部と電気的に接触すること
なく該電極内の前記画素部分に配列された透明導電体か
らなる透明電極部と、該給電部と該透明電極部との間を
電気的に接続するよう配設された接続部と、からなる構
造を取ることが好ましい。これにより、パネル組み立て
後のエイジング駆動時に発生した短絡欠陥を含む画素に
おいて透明電極部と給電部との接続を担う接続部を断線
せしめることで、ディスプレイパネルの表示画質の低下
の防止と、短絡電流の抑制とを共に達成することが可能
となる。
第一の電極が、該電極に延在する電気的に連続した誘電
体からなる給電部と、該給電部と電気的に接触すること
なく該電極内の前記画素部分に配列された透明導電体か
らなる透明電極部と、該給電部と該透明電極部との間を
電気的に接続するよう配設された接続部と、からなる構
造を取ることが好ましい。これにより、パネル組み立て
後のエイジング駆動時に発生した短絡欠陥を含む画素に
おいて透明電極部と給電部との接続を担う接続部を断線
せしめることで、ディスプレイパネルの表示画質の低下
の防止と、短絡電流の抑制とを共に達成することが可能
となる。
【００２３】本発明においては、前記接続部が、インジ
ウム、錫、または、これらのうちいずれか一方を主成分
としてなる合金または酸化物からなることが好ましく、
また、好適には、前記接続部が、前記透明性基板を透過
して該接続部に集光されるレーザー光により電気的に断
線されるものである。
ウム、錫、または、これらのうちいずれか一方を主成分
としてなる合金または酸化物からなることが好ましく、
また、好適には、前記接続部が、前記透明性基板を透過
して該接続部に集光されるレーザー光により電気的に断
線されるものである。
【００２４】また、本発明の有機薄膜発光ディスプレイ
の修復方法は、点燈状態の前記有機薄膜発光ディスプレ
イを検査して短絡欠陥を検出する操作工程と、前記透明
性基板を透過してレーザー光を前記接続部に集光する操
作工程と、を少なくとも含むことを特徴とするものであ
る。
の修復方法は、点燈状態の前記有機薄膜発光ディスプレ
イを検査して短絡欠陥を検出する操作工程と、前記透明
性基板を透過してレーザー光を前記接続部に集光する操
作工程と、を少なくとも含むことを特徴とするものであ
る。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の有機薄膜発光ディ
スプレイを、具体的な実施の形態に関して説明する。本
発明の有機薄膜発光ディスプレイは、図１に示すよう
に、透明性基板１上に、短冊状に配置された複数列の第
一の電極７と、かかる第一の電極７と直交する方向に同
じく短冊状に配置された複数列の第二の電極８とを有
し、２つの電極７および８の間に少なくとも有機発光層
を含む有機層５が挟持されてなるものであり、両電極の
交点が夫々画素１０を構成しており、所望の画素１０を
構成する両電極７および８の間に電圧を印加して電流を
注入することでエレクトロルミネッセンスを取り出すこ
とにより情報の表示を行う。
スプレイを、具体的な実施の形態に関して説明する。本
発明の有機薄膜発光ディスプレイは、図１に示すよう
に、透明性基板１上に、短冊状に配置された複数列の第
一の電極７と、かかる第一の電極７と直交する方向に同
じく短冊状に配置された複数列の第二の電極８とを有
し、２つの電極７および８の間に少なくとも有機発光層
を含む有機層５が挟持されてなるものであり、両電極の
交点が夫々画素１０を構成しており、所望の画素１０を
構成する両電極７および８の間に電圧を印加して電流を
注入することでエレクトロルミネッセンスを取り出すこ
とにより情報の表示を行う。
【００２６】本発明においては、上記複数列の第一の電
極７の夫々が、対応する画素１０に電流を供給する給電
機能と、この画素１０においてエレクトロルミネッセン
スを取り出す透明電極機能と、外部から電気的に断線せ
しめることが可能な接続機能との３機能を少なくとも備
えていることが必要である。
極７の夫々が、対応する画素１０に電流を供給する給電
機能と、この画素１０においてエレクトロルミネッセン
スを取り出す透明電極機能と、外部から電気的に断線せ
しめることが可能な接続機能との３機能を少なくとも備
えていることが必要である。
【００２７】図２は、本発明の有機薄膜発光ディスプレ
イの好適例の部分拡大図であり、単位発光画素ごとに独
立した、透明導電性膜からなる透明電極部４と、金属膜
等の電気的に連続した導電体からなる給電部２と、かか
る画素中の透明電極部４と給電部２とを電気的に接続す
る接続部３とからなる第一の電極７を示す概略平面図で
ある。この場合において、透明電極部４は給電部２と電
気的に接触することなく各画素１０中に形成されてい
る。
イの好適例の部分拡大図であり、単位発光画素ごとに独
立した、透明導電性膜からなる透明電極部４と、金属膜
等の電気的に連続した導電体からなる給電部２と、かか
る画素中の透明電極部４と給電部２とを電気的に接続す
る接続部３とからなる第一の電極７を示す概略平面図で
ある。この場合において、透明電極部４は給電部２と電
気的に接触することなく各画素１０中に形成されてい
る。
【００２８】上述の構造とすることにより、長期の駆動
において画素１０内での電極間短絡が発生した場合に
は、接続部３を電気的に断線させることにより、短絡画
素が電源から切断され、短絡画素を経由して流れる大き
な短絡電流を防止することができ、さらには短絡画素を
含む電極列の電位変動に起因する明るい線状欠陥などの
画質不良の発生を防止することが可能となる。
において画素１０内での電極間短絡が発生した場合に
は、接続部３を電気的に断線させることにより、短絡画
素が電源から切断され、短絡画素を経由して流れる大き
な短絡電流を防止することができ、さらには短絡画素を
含む電極列の電位変動に起因する明るい線状欠陥などの
画質不良の発生を防止することが可能となる。
【００２９】また、接続部３の機能によって、大きな短
絡電流により駆動回路に負荷をかける可能性を極めて低
くすることができることから、低コストの駆動ＩＣを使
用することが可能である。
絡電流により駆動回路に負荷をかける可能性を極めて低
くすることができることから、低コストの駆動ＩＣを使
用することが可能である。
【００３０】接続部３の電気的断線手段としては、対応
する電極を選択して高電圧を印加することによりジュー
ル熱で焼き切る方法、透明性基板を経由して集光レーザ
ーを照射することで切断する方法等が挙げられるが、電
気的短絡を含むパッシブマトリクスパネルに高電圧を印
加することは所望の短絡画素以外の正常な画素に不要な
負荷を与える可能性があるため、実用的見地からは、透
明性基板を透過してレーザー光を照射、集光する方法が
好ましい。
する電極を選択して高電圧を印加することによりジュー
ル熱で焼き切る方法、透明性基板を経由して集光レーザ
ーを照射することで切断する方法等が挙げられるが、電
気的短絡を含むパッシブマトリクスパネルに高電圧を印
加することは所望の短絡画素以外の正常な画素に不要な
負荷を与える可能性があるため、実用的見地からは、透
明性基板を透過してレーザー光を照射、集光する方法が
好ましい。
【００３１】特には、かかる電気的断線手段を用いて有
機薄膜発光ディスプレイを修復するには、点燈状態のパ
ッシブマトリクス有機薄膜発光ディスプレイを検査して
短絡欠陥を検出する操作工程と、透明性基板を透過して
レーザー光を本発明に係る接続部３に集光する操作工程
と、を含む方法を採ることが好ましい。
機薄膜発光ディスプレイを修復するには、点燈状態のパ
ッシブマトリクス有機薄膜発光ディスプレイを検査して
短絡欠陥を検出する操作工程と、透明性基板を透過して
レーザー光を本発明に係る接続部３に集光する操作工程
と、を含む方法を採ることが好ましい。
【００３２】かかる接続部３に用いる材料としては、基
本的に電気的導電性を有するものであればよく、レーザ
ー光加工等による切断時の周辺構造への影響を極力抑え
るためには、好ましくは低融点金属である。また、生産
性の見地からは、スパッタ法や蒸着法などの生産性の高
い方式で成膜が可能で、一般的なフォトリソグラフィー
法によりパターニングが可能である、金属、合金あるい
は金属酸化物が好ましい。
本的に電気的導電性を有するものであればよく、レーザ
ー光加工等による切断時の周辺構造への影響を極力抑え
るためには、好ましくは低融点金属である。また、生産
性の見地からは、スパッタ法や蒸着法などの生産性の高
い方式で成膜が可能で、一般的なフォトリソグラフィー
法によりパターニングが可能である、金属、合金あるい
は金属酸化物が好ましい。
【００３３】具体的な金属としては、例えば、Ｉｎ（融
点：４２９Ｋ）、または、Ｓｎ（融点：５０５Ｋ）を挙
げることができ、上述の生産性を確保する目的で、これ
らを主成分として含む合金あるいは酸化物を使用しても
よい。
点：４２９Ｋ）、または、Ｓｎ（融点：５０５Ｋ）を挙
げることができ、上述の生産性を確保する目的で、これ
らを主成分として含む合金あるいは酸化物を使用しても
よい。
【００３４】尚、図３（イ）〜（ハ）は、本発明に係る
単位発光画素部分の拡大図であり、接続部３の配設位置
および形状の異なる構成例を示している。接続部３は、
透明電極部４および給電部２と電気的に接触しており、
かつ、透明電極部４と給電部２とが直接に接触しないよ
う形成されていればよく、配設位置および形状はこれら
の例に制限されない。
単位発光画素部分の拡大図であり、接続部３の配設位置
および形状の異なる構成例を示している。接続部３は、
透明電極部４および給電部２と電気的に接触しており、
かつ、透明電極部４と給電部２とが直接に接触しないよ
う形成されていればよく、配設位置および形状はこれら
の例に制限されない。
【００３５】本発明の有機薄膜発光ディスプレイにおい
ては、第一の電極７を上記構成とするものであればよ
く、他の構成要素の材料、作製手順等は慣用に従い形成
することができる。また、本発明の製造方法において
は、前記接続機能を、外部から電気的に断線させること
ができるよう形成することが重要であり、それ以外の条
件等は適宜設定して実施することが可能である。
ては、第一の電極７を上記構成とするものであればよ
く、他の構成要素の材料、作製手順等は慣用に従い形成
することができる。また、本発明の製造方法において
は、前記接続機能を、外部から電気的に断線させること
ができるよう形成することが重要であり、それ以外の条
件等は適宜設定して実施することが可能である。
【００３６】
【実施例】以下、実施例に基づき、本発明をより詳細に
説明する。画素数（８０×ＲＧＢ）×６０ドット、画素
ピッチ１１０×３３０μｍ、サブドット数１４４００と
して、以下に示すように実施例および比較例の有機ＥＬ
ディスプレイパネルを作製した。
説明する。画素数（８０×ＲＧＢ）×６０ドット、画素
ピッチ１１０×３３０μｍ、サブドット数１４４００と
して、以下に示すように実施例および比較例の有機ＥＬ
ディスプレイパネルを作製した。
【００３７】実施例１ 最初に、図３（ロ）に示す電極構造を有する第一の電極
列を基板上に下記の手順で作製した。ガラス基板上に、
給電部２としての抵抗率１．５×１０-5［Ω・ｃｍ］の
Ｍｏ膜を、膜厚３００ｎｍ、幅２０μｍにて形成した。
給電部２の成膜にはＤＣマグネトロンスパッタ法を用
い、パターニングには通常のフォトリソグラフィー法を
用いた。
列を基板上に下記の手順で作製した。ガラス基板上に、
給電部２としての抵抗率１．５×１０-5［Ω・ｃｍ］の
Ｍｏ膜を、膜厚３００ｎｍ、幅２０μｍにて形成した。
給電部２の成膜にはＤＣマグネトロンスパッタ法を用
い、パターニングには通常のフォトリソグラフィー法を
用いた。
【００３８】次に、透明電極部４としての抵抗率４．１
×１０-4［Ω・ｃｍ］のインジウム−錫−酸化物（ＩＴ
Ｏ）を膜厚１００ｎｍ、幅８０μｍ、長さ２８０μｍに
て形成した。透明電極部４の成膜にはＤＣマグネトロン
スパッタ法を用い、パターニングには通常のフォトリソ
グラフィー法を用いた。
×１０-4［Ω・ｃｍ］のインジウム−錫−酸化物（ＩＴ
Ｏ）を膜厚１００ｎｍ、幅８０μｍ、長さ２８０μｍに
て形成した。透明電極部４の成膜にはＤＣマグネトロン
スパッタ法を用い、パターニングには通常のフォトリソ
グラフィー法を用いた。
【００３９】更に、接続部３としての抵抗率６×１０-3
［Ω・ｃｍ］のインジウム−亜鉛−酸化物を膜厚１００
ｎｍ、幅１０μｍ、長さ１５μｍで形成した。接続部の
成膜にはＤＣマグネトロンスパッタ法を用い、パターニ
ングには通常のフォトリソグラフィー法を用いた。
［Ω・ｃｍ］のインジウム−亜鉛−酸化物を膜厚１００
ｎｍ、幅１０μｍ、長さ１５μｍで形成した。接続部の
成膜にはＤＣマグネトロンスパッタ法を用い、パターニ
ングには通常のフォトリソグラフィー法を用いた。
【００４０】続いて、以下の手順で、上記基板上に有機
層５および第二の電極である陰極８を形成し、封止、接
続を行った。上記基板を、酸素／窒素混合ガス（２０％
酸素、水分量２０ｐｐｍ以下）パージ環境にてＵＶ照射
洗浄を行った後、速やかに蒸着装置に導入した。
層５および第二の電極である陰極８を形成し、封止、接
続を行った。上記基板を、酸素／窒素混合ガス（２０％
酸素、水分量２０ｐｐｍ以下）パージ環境にてＵＶ照射
洗浄を行った後、速やかに蒸着装置に導入した。
【００４１】次に、有機正孔注入層、有機発光層、有機
電子注入層およびＡｌ陰極を、１．０×１０-5Ｐａ台の
真空を破ることなく、連続して成膜した。すべての成膜
は抵抗加熱式蒸着法を用いて行い、膜厚の検出には水晶
振動子式膜厚計を使用した。第二の電極である陰極の形
成には、厚さ２０μｍの電鋳（エレクトロフォーミン
グ）法により形成したＮｉマスクを用いた。
電子注入層およびＡｌ陰極を、１．０×１０-5Ｐａ台の
真空を破ることなく、連続して成膜した。すべての成膜
は抵抗加熱式蒸着法を用いて行い、膜厚の検出には水晶
振動子式膜厚計を使用した。第二の電極である陰極の形
成には、厚さ２０μｍの電鋳（エレクトロフォーミン
グ）法により形成したＮｉマスクを用いた。
【００４２】成膜を終了した基板を、大気に曝すことな
く、窒素ガス雰囲気下のグローブボックスに移送し、Ｕ
Ｖ硬化／熱硬化併用型シール剤とガラス封止板とを用い
て封止した。封止内にはグローブボックス内環境ガスで
ある窒素ガス（水分量５ｐｐｍ以下、酸素分量５ｐｐｍ
以下）を充填した。封止を完了した基板を大気中に取り
出し、異方導電性接着剤（ＡＣＦ）を用いて、第一の電
極がデータライン、第二の電極がアドレスラインとなる
ように駆動回路端子に接続した。
く、窒素ガス雰囲気下のグローブボックスに移送し、Ｕ
Ｖ硬化／熱硬化併用型シール剤とガラス封止板とを用い
て封止した。封止内にはグローブボックス内環境ガスで
ある窒素ガス（水分量５ｐｐｍ以下、酸素分量５ｐｐｍ
以下）を充填した。封止を完了した基板を大気中に取り
出し、異方導電性接着剤（ＡＣＦ）を用いて、第一の電
極がデータライン、第二の電極がアドレスラインとなる
ように駆動回路端子に接続した。
【００４３】上記実施例１の有機発光ディスプレイにつ
いて、全点燈状態でのエリアル輝度が３００ｃｄ／ｍ2
となるパッシブマトリクス駆動（駆動周波数６０Ｈｚ、
デューティ１／６０、階調数３２、階調方式はフレーム
・シニング・アウト）によるエージングを８時間行った
ところ、合計４画素に短絡欠陥が発生した。
いて、全点燈状態でのエリアル輝度が３００ｃｄ／ｍ2
となるパッシブマトリクス駆動（駆動周波数６０Ｈｚ、
デューティ１／６０、階調数３２、階調方式はフレーム
・シニング・アウト）によるエージングを８時間行った
ところ、合計４画素に短絡欠陥が発生した。
【００４４】この状態で黒表示（全消灯）による画質評
価を実施したところ、上述の４個の短絡欠陥画素を含む
各データライン（第一の電極）において、高輝度状態の
線状画素不良が観られた。また、白表示（全点燈）によ
る画質評価では、上述の４画素が黒点欠陥となり、さら
に、上述の４画素の短絡欠陥を含む各アドレスライン
（第二の電極）において、低輝度状態の線状画質不良が
観られた。
価を実施したところ、上述の４個の短絡欠陥画素を含む
各データライン（第一の電極）において、高輝度状態の
線状画素不良が観られた。また、白表示（全点燈）によ
る画質評価では、上述の４画素が黒点欠陥となり、さら
に、上述の４画素の短絡欠陥を含む各アドレスライン
（第二の電極）において、低輝度状態の線状画質不良が
観られた。
【００４５】次に、接続部の切断を以下の手順で行っ
た。まず、点燈状態のパネルをＸＹステージに固定し
て、ＣＣＤ画像処理機能を備えた光学顕微鏡にて短絡欠
陥を含む画素の一つを自動検出し、この画素の接続部に
焦点を合わせて、光学顕微鏡の同軸からＹＡＧの第二高
調波レーザーをパルス照射して、目的の接続部を切断し
た。この操作を計４回反復して行い、４個全ての短絡欠
陥を含む画素の接続部を切断した。
た。まず、点燈状態のパネルをＸＹステージに固定し
て、ＣＣＤ画像処理機能を備えた光学顕微鏡にて短絡欠
陥を含む画素の一つを自動検出し、この画素の接続部に
焦点を合わせて、光学顕微鏡の同軸からＹＡＧの第二高
調波レーザーをパルス照射して、目的の接続部を切断し
た。この操作を計４回反復して行い、４個全ての短絡欠
陥を含む画素の接続部を切断した。
【００４６】この状態で黒表示（全消灯）による画質評
価を実施したところ、画質不良は観られなかった。ま
た、白表示（全点燈）による画質評価では、上述の４画
素が黒点欠陥となっていること以外の画質不良は観られ
なかった。
価を実施したところ、画質不良は観られなかった。ま
た、白表示（全点燈）による画質評価では、上述の４画
素が黒点欠陥となっていること以外の画質不良は観られ
なかった。
【００４７】これにより、短絡欠陥を含む画素の接続部
を切断することで、黒表示（全消灯）に観られた各デー
タライン（第一の電極）における高輝度状態の線状画質
不良や、白表示（全点燈）に観られた各アドレスライン
（第二の電極）における低輝度状態の線状画質不良を解
消できることが確かめられた。
を切断することで、黒表示（全消灯）に観られた各デー
タライン（第一の電極）における高輝度状態の線状画質
不良や、白表示（全点燈）に観られた各アドレスライン
（第二の電極）における低輝度状態の線状画質不良を解
消できることが確かめられた。
【００４８】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、短絡欠陥の発生による表示画質の低下を防止し、短
絡電流の抑制を可能とした良好な有機薄膜発光ディスプ
レイおよびその修復方法を提供することができる。
ば、短絡欠陥の発生による表示画質の低下を防止し、短
絡電流の抑制を可能とした良好な有機薄膜発光ディスプ
レイおよびその修復方法を提供することができる。
【図１】本発明の一例のパッシブマトリクス型有機発光
ディスプレイを示す平面図である。
ディスプレイを示す平面図である。
【図２】図１の有機発光ディスプレイの楕円で囲んだ部
分を示す部分拡大図である。
分を示す部分拡大図である。
【図３】本発明に係る単位発光画素部分の電極構造を示
す部分拡大図である。
す部分拡大図である。
１ 基板 ２ 給電部 ３ 接続部 ４ 透明電極部 ５ 有機層 ７ 第一の電極（データライン） ８ 第二の電極（アドレスライン） １０ 画素
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB08 BA06 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA02 FA03 5G435 AA16 AA19 BB05 KK05 KK10 LL08
Claims (5)
- 【請求項１】 透明性基板上に、短冊状に配置された複
数列の第一の電極と、該第一の電極に直交する方向に短
冊状に配置された複数列の第二の電極とを有し、かつ、
該第一の電極と第二の電極との間に少なくとも有機発光
層が挟持されてなり、該両電極の交点が夫々画素を構成
し、所望の画素を構成する該両電極間に電圧を印加して
エレクトロルミネッセンスを取り出すことにより情報の
表示を行う有機薄膜発光ディスプレイにおいて、 前記複数列の第一の電極が夫々、対応する前記画素に電
流を供給する給電機能と、該画素においてエレクトロル
ミネッセンスを取り出す透明電極機能と、外部から電気
的に断線せしめることが可能な接続機能と、を少なくと
も備えることを特徴とする有機薄膜発光ディスプレイ。 - 【請求項２】 前記複数列の第一の電極が、該電極に延
在する電気的に連続した導電体からなる給電部と、該給
電部と電気的に接触することなく該電極内の前記画素部
分に配列された透明導電体からなる透明電極部と、該給
電部と該透明電極部との間を電気的に接続するよう配設
された接続部と、からなる請求項１記載の有機薄膜発光
ディスプレイ。 - 【請求項３】 前記接続部が、インジウム、錫、また
は、これらのうちいずれか一方を主成分としてなる合金
または酸化物からなる請求項２記載の有機薄膜発光ディ
スプレイ。 - 【請求項４】 前記接続部が、前記透明性基板を透過し
て該接続部に集光されるレーザー光により電気的に断線
される請求項２または３記載の有機薄膜発光ディスプレ
イ。 - 【請求項５】 請求項１〜４のうちいずれか一項記載の
有機薄膜発光ディスプレイの修復方法において、 点燈状態の前記有機薄膜発光ディスプレイを検査して短
絡欠陥を検出する操作工程と、前記透明性基板を透過し
てレーザー光を前記接続部に集光する操作工程と、を少
なくとも含むことを特徴とする有機薄膜発光ディスプレ
イの修復方法。
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002207440A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Sony Corp | 平面表示装置 |
| JP2006073370A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置および光源 |
| JPWO2004068446A1 (ja) * | 2003-01-27 | 2006-05-25 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| JP2007066904A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
| WO2008068925A1 (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | 単一色ｅｌ表示素子、単一色ｅｌバックライト、表示装置及び単一色ｅｌ表示素子の製造方法 |
| JP2009064607A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Sony Corp | 有機発光表示装置のリペア方法 |
| US7554260B2 (en) | 2004-07-09 | 2009-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device provided with a conductive film connection between a wiring component and a metal electrode film |
| US7646019B2 (en) | 2005-01-31 | 2010-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
-
2000
- 2000-02-21 JP JP2000043375A patent/JP3633841B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002207440A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Sony Corp | 平面表示装置 |
| JPWO2004068446A1 (ja) * | 2003-01-27 | 2006-05-25 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| US7554260B2 (en) | 2004-07-09 | 2009-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device provided with a conductive film connection between a wiring component and a metal electrode film |
| JP2006073370A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置および光源 |
| JP4550529B2 (ja) * | 2004-09-02 | 2010-09-22 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
| US9613988B2 (en) | 2005-01-31 | 2017-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having narrower wiring regions |
| US11362165B2 (en) | 2005-01-31 | 2022-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US7646019B2 (en) | 2005-01-31 | 2010-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US8629440B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with defective pixels correction structure |
| US9257453B2 (en) | 2005-01-31 | 2016-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including first to sixth transistors and light-emitting element |
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| US10573705B2 (en) | 2005-01-31 | 2020-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with defective pixel correction |
| JP2007066904A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
| US7839077B2 (en) | 2005-08-30 | 2010-11-23 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
| WO2008068925A1 (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | 単一色ｅｌ表示素子、単一色ｅｌバックライト、表示装置及び単一色ｅｌ表示素子の製造方法 |
| US8432096B2 (en) | 2006-12-05 | 2013-04-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Single-color EL element, single-color EL backlight, display device, and method for manufacturing single-color EL element |
| CN101558685B (zh) * | 2006-12-05 | 2011-08-10 | 夏普株式会社 | 单色el显示元件、单色el背光源、显示装置和单色el显示元件的制造方法 |
| JP2009064607A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Sony Corp | 有機発光表示装置のリペア方法 |
| US7955151B2 (en) | 2007-09-05 | 2011-06-07 | Sony Corporation | Method of repairing bright spot defect of organic light-emitting display |
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