JPH10199680A - 電界発光素子 - Google Patents
電界発光素子Info
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- JPH10199680A JPH10199680A JP8358435A JP35843596A JPH10199680A JP H10199680 A JPH10199680 A JP H10199680A JP 8358435 A JP8358435 A JP 8358435A JP 35843596 A JP35843596 A JP 35843596A JP H10199680 A JPH10199680 A JP H10199680A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 均一な面発光を行うことができる電界発光素
子を提供する。 【解決手段】 ガラス基板１２上に、１枚のＩＴＯ膜で
なる透明電極１３を形成し、その上にＡｌでなる網目状
の低抵抗導電層１４が積層されている。透明電極１３お
よび低抵抗導電層１４の上に有機発光層１５、ＡｌＬｉ
でなる不透明電極１６が積層されている。このように、
比較的抵抗の高いＩＴＯの上に、低抵抗導電層１４が積
層されているため、透明電極１３の取り出し部から遠く
の部分での電位降下を抑制して、有機発光層１５へ均一
に電流を供給することが可能となり、均一な面発光を行
う電界発光素子を実現することができる。
子を提供する。 【解決手段】 ガラス基板１２上に、１枚のＩＴＯ膜で
なる透明電極１３を形成し、その上にＡｌでなる網目状
の低抵抗導電層１４が積層されている。透明電極１３お
よび低抵抗導電層１４の上に有機発光層１５、ＡｌＬｉ
でなる不透明電極１６が積層されている。このように、
比較的抵抗の高いＩＴＯの上に、低抵抗導電層１４が積
層されているため、透明電極１３の取り出し部から遠く
の部分での電位降下を抑制して、有機発光層１５へ均一
に電流を供給することが可能となり、均一な面発光を行
う電界発光素子を実現することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電界発光素子に
関し、さらに詳しくは、平面発光パネルに用いることが
できる電界発光素子に関する。
関し、さらに詳しくは、平面発光パネルに用いることが
できる電界発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、平面発光パネルとしては、図７お
よび図８（図７のＢ−Ｂ断面図）に示すような電界発光
素子を用いたものが知られている。この電界発光素子
は、透明なガラス基板１上に所定の面積を有する透明電
極２が略長方形状に形成され、この透明電極２の上に有
機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料でなる発光層
３が形成され、さらに発光層３の上に透明電極２と略同
程度の面積を有する長方形状の不透明電極４が形成され
てなる。透明電極２は、例えばＩＴＯ（indium tinoxid
e）でなり、アノード電極として機能する。また、不透
明電極４は、例えばＭｇＩｎでなり、カソード電極とし
て機能する。これら透明電極２と不透明電極４との間に
電界が印加されることにより、発光層３の略全面で所謂
面発光が起こるようになっている。なお、図７中、２
Ａ、４Ａはそれぞれ透明電極２、不透明電極４の取り出
し部を示している。
よび図８（図７のＢ−Ｂ断面図）に示すような電界発光
素子を用いたものが知られている。この電界発光素子
は、透明なガラス基板１上に所定の面積を有する透明電
極２が略長方形状に形成され、この透明電極２の上に有
機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料でなる発光層
３が形成され、さらに発光層３の上に透明電極２と略同
程度の面積を有する長方形状の不透明電極４が形成され
てなる。透明電極２は、例えばＩＴＯ（indium tinoxid
e）でなり、アノード電極として機能する。また、不透
明電極４は、例えばＭｇＩｎでなり、カソード電極とし
て機能する。これら透明電極２と不透明電極４との間に
電界が印加されることにより、発光層３の略全面で所謂
面発光が起こるようになっている。なお、図７中、２
Ａ、４Ａはそれぞれ透明電極２、不透明電極４の取り出
し部を示している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような電界発光素子においては、アノード電極として
の透明電極がＩＴＯでなるため、シート抵抗値が大き
く、このため、電界発光素子の発光面積が大面積化する
と、発光層３に流れる電流による電位降下のため、透明
電極２は、取り出し部２Ａから遠くになるほど電流が供
給されにくくなり、輝度むらが生じるという問題点があ
った。ここで、ＩＴＯ膜の低抵抗化を図るため、ＩＴＯ
膜厚を２００ｎｍ以上に厚くすることは、ＩＴＯ膜自身
による光の吸収を生じてしまい、このためＩＴＯ膜面に
対する角度に応じて発光層３の発光色度が異なり、視認
性が悪いという問題があった。
たような電界発光素子においては、アノード電極として
の透明電極がＩＴＯでなるため、シート抵抗値が大き
く、このため、電界発光素子の発光面積が大面積化する
と、発光層３に流れる電流による電位降下のため、透明
電極２は、取り出し部２Ａから遠くになるほど電流が供
給されにくくなり、輝度むらが生じるという問題点があ
った。ここで、ＩＴＯ膜の低抵抗化を図るため、ＩＴＯ
膜厚を２００ｎｍ以上に厚くすることは、ＩＴＯ膜自身
による光の吸収を生じてしまい、このためＩＴＯ膜面に
対する角度に応じて発光層３の発光色度が異なり、視認
性が悪いという問題があった。
【０００４】ところで、ガラス基板１に代えて可撓性を
有する合成樹脂基板にこの電界発光素子を形成しようと
すると、ＩＴＯの低抵抗化のための高温処理が行えない
ため、ＩＴＯのシート抵抗がガラス基板上に形成するも
のに比べて高くなり、輝度むらの影響が大きくなるとい
う問題点がある。また、合成樹脂基板上のＩＴＯ膜は、
撓みに伴って割れやすく、このため電界発光素子の発光
不良（面内均一性の悪化など）が発生するという問題点
がある。
有する合成樹脂基板にこの電界発光素子を形成しようと
すると、ＩＴＯの低抵抗化のための高温処理が行えない
ため、ＩＴＯのシート抵抗がガラス基板上に形成するも
のに比べて高くなり、輝度むらの影響が大きくなるとい
う問題点がある。また、合成樹脂基板上のＩＴＯ膜は、
撓みに伴って割れやすく、このため電界発光素子の発光
不良（面内均一性の悪化など）が発生するという問題点
がある。
【０００５】この発明が解決しようとする課題は、均一
な面発光を行うことができる電界発光素子を得るにはど
のような手段を講じればよいかという点にある。
な面発光を行うことができる電界発光素子を得るにはど
のような手段を講じればよいかという点にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
透明電極と対向電極との間に設けられた電界発光層と、
前記透明電極の材料より低い抵抗値の材料からなり、前
記透明電極と接続され、前記透明電極に接する部分に開
口部を有する低抵抗導電層と、を具備することを特徴と
している。
透明電極と対向電極との間に設けられた電界発光層と、
前記透明電極の材料より低い抵抗値の材料からなり、前
記透明電極と接続され、前記透明電極に接する部分に開
口部を有する低抵抗導電層と、を具備することを特徴と
している。
【０００７】請求項１記載の発明においては、透明電極
が比較的高抵抗であっても、この透明電極に均一な連続
パターンを有する低抵抗導電層が積層されているため、
透明電極の取り出し部から遠くの部分での電位降下を抑
制することができる。このため、電界発光層への電流供
給を均一に行うことができ、均一な面発光を行わせるこ
とができる。
が比較的高抵抗であっても、この透明電極に均一な連続
パターンを有する低抵抗導電層が積層されているため、
透明電極の取り出し部から遠くの部分での電位降下を抑
制することができる。このため、電界発光層への電流供
給を均一に行うことができ、均一な面発光を行わせるこ
とができる。
【０００８】請求項２記載の発明は、前記透明電極およ
び前記対向電極が、互いに電界発光層を介して対向する
面電極であることを特徴としている。
び前記対向電極が、互いに電界発光層を介して対向する
面電極であることを特徴としている。
【０００９】請求項３記載の発明は、前記透明電極がア
ノードであり、前記対向電極がカソードであることを特
徴としている。
ノードであり、前記対向電極がカソードであることを特
徴としている。
【００１０】請求項４記載の発明は、前記透明電極がＩ
ＴＯでなることを特徴としている。
ＴＯでなることを特徴としている。
【００１１】請求項５記載の発明は、前記低抵抗導電層
が、前記透明電極の材料より高い仕事関数値の材料でな
ることを特徴としている。
が、前記透明電極の材料より高い仕事関数値の材料でな
ることを特徴としている。
【００１２】請求項６記載の発明は、前記パターンが、
網目形状であることを特徴としている。
網目形状であることを特徴としている。
【００１３】請求項７記載の発明は、前記低抵抗導電層
が、前記透明電極と電界発光層との間に介在されている
ことを特徴としている。
が、前記透明電極と電界発光層との間に介在されている
ことを特徴としている。
【００１４】請求項８記載の発明は、前記低抵抗導電層
が、前記透明電極おける前記電界発光層と反対側の面に
積層されていることを特徴としている。
が、前記透明電極おける前記電界発光層と反対側の面に
積層されていることを特徴としている。
【００１５】請求項９記載の発明は、前記低抵抗導電層
が、複数の層からなることを特徴としている。
が、複数の層からなることを特徴としている。
【００１６】請求項１０記載の発明は、前記透明電極ま
たは前記対向電極が、基板上に形成されていることを特
徴としている。
たは前記対向電極が、基板上に形成されていることを特
徴としている。
【００１７】請求項１１記載の発明は、前記基板が、合
成樹脂でなり且つ可撓性を有することを特徴としてい
る。
成樹脂でなり且つ可撓性を有することを特徴としてい
る。
【００１８】請求項１２記載の発明は、前記電界発光層
が、有機エレクトロルミネッセンス材料でなることを特
徴としている。
が、有機エレクトロルミネッセンス材料でなることを特
徴としている。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係る電界発光素
子の詳細を図面に示す各実施形態に基づいて説明する。 （実施形態１）図１は本発明に係る電界発光素子の実施
形態１を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３
はガラス基板上に形成されたアノード電極の形状を示す
平面図である。なお、本実施形態の電界発光素子は、平
面発光パネルとして用いることができるものであり、例
えば液晶表示装置のバックライトとして用いることがで
きる。
子の詳細を図面に示す各実施形態に基づいて説明する。 （実施形態１）図１は本発明に係る電界発光素子の実施
形態１を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３
はガラス基板上に形成されたアノード電極の形状を示す
平面図である。なお、本実施形態の電界発光素子は、平
面発光パネルとして用いることができるものであり、例
えば液晶表示装置のバックライトとして用いることがで
きる。
【００２０】図中１１は、本実施形態の電界発光素子を
示している。この電界発光素子１１においては、ガラス
基板１２の上に、所定面積を有する長方形状の、ＩＴＯ
でなる透明電極１３が形成されている。この透明電極１
３の１つのコーナ部には、駆動電源に接続される取り出
し部１３Ａが一体的に形成されている。なお、この透明
電極１３の膜厚は、２００ｎｍ程度に設定されている。
そして、透明電極１３の上面には、アルミニウム（Ａ
ｌ）でなる格子状（網目状）の低抵抗導電層１４が５０
ｎｍ程度の膜厚で積層されている。この低抵抗導電層１
４は、図に示すように正方形状の多数の開口部１４Ｂが
形成された枠状のものであり、各部分の線幅が１０μｍ
程度に設定されている。なお、低抵抗導電層１４におけ
る正方形状の窓の一辺の寸法は、１００μｍ程度に設定
されている。このような形状の低抵抗導電層１４の開口
率は、８０％程度であるがＡｌによるちらつきはほとん
どない。低抵抗導電層１４は、透明電極１３全面にマト
リクス状に形成されているので仮に部分的に断線があっ
ても他の部分と導通しているので、ほぼ等電位である。
また、透明電極１３の取り出し部１３Ａの上面にも低抵
抗導電層１４の取り出し部１４Ａが形成されている。こ
のように、低抵抗導電層１４Ａを、連続性を有する均一
なパターンに形成したことにより、取り出し部１４Ａに
駆動電位を印加した場合に透明電極１３の各部に電位降
下の影響の少ない状態で電位を印加することが可能とな
る。これら透明電極１３と低抵抗導電層１４とで、アノ
ード電極を構成している。低抵抗導電層１４の材料は、
透明電極１３の材料に比して、低抵抗で仕事関数が高く
設定されている。
示している。この電界発光素子１１においては、ガラス
基板１２の上に、所定面積を有する長方形状の、ＩＴＯ
でなる透明電極１３が形成されている。この透明電極１
３の１つのコーナ部には、駆動電源に接続される取り出
し部１３Ａが一体的に形成されている。なお、この透明
電極１３の膜厚は、２００ｎｍ程度に設定されている。
そして、透明電極１３の上面には、アルミニウム（Ａ
ｌ）でなる格子状（網目状）の低抵抗導電層１４が５０
ｎｍ程度の膜厚で積層されている。この低抵抗導電層１
４は、図に示すように正方形状の多数の開口部１４Ｂが
形成された枠状のものであり、各部分の線幅が１０μｍ
程度に設定されている。なお、低抵抗導電層１４におけ
る正方形状の窓の一辺の寸法は、１００μｍ程度に設定
されている。このような形状の低抵抗導電層１４の開口
率は、８０％程度であるがＡｌによるちらつきはほとん
どない。低抵抗導電層１４は、透明電極１３全面にマト
リクス状に形成されているので仮に部分的に断線があっ
ても他の部分と導通しているので、ほぼ等電位である。
また、透明電極１３の取り出し部１３Ａの上面にも低抵
抗導電層１４の取り出し部１４Ａが形成されている。こ
のように、低抵抗導電層１４Ａを、連続性を有する均一
なパターンに形成したことにより、取り出し部１４Ａに
駆動電位を印加した場合に透明電極１３の各部に電位降
下の影響の少ない状態で電位を印加することが可能とな
る。これら透明電極１３と低抵抗導電層１４とで、アノ
ード電極を構成している。低抵抗導電層１４の材料は、
透明電極１３の材料に比して、低抵抗で仕事関数が高く
設定されている。
【００２１】低抵抗導電層１４が積層された透明電極１
３の上には、図２に示すように有機ＥＬ材料でなる有機
発光層１５が積層されている。なお、この有機発光層１
５としては、一層のものや複数層のものなど各種の構造
を採用することができる。さらに、有機発光層１５の上
には、透明電極１３と略同形状で略同面積の、カソード
電極としての不透明電極１６が積層されている。この不
透明電極１６には、図１に示すように、上記した透明電
極１３および低抵抗導電層１４の取り出し部１３Ａ、１
４Ａと重ならない位置（対角方向のコーナ部）に、取り
出し部１６Ａが形成されている。なお、取り出し部１６
Ａが形成された側辺部分では、図２に示すように、透明
電極１３および低抵抗導電層１４の側辺の側壁を覆うよ
うに有機発光層１５が形成されており、透明電極１３側
と不透明電極１６側とが短絡しないようになっている。
なお、本実施形態では、不透明電極１６がＡｌＬｉで形
成されている。
３の上には、図２に示すように有機ＥＬ材料でなる有機
発光層１５が積層されている。なお、この有機発光層１
５としては、一層のものや複数層のものなど各種の構造
を採用することができる。さらに、有機発光層１５の上
には、透明電極１３と略同形状で略同面積の、カソード
電極としての不透明電極１６が積層されている。この不
透明電極１６には、図１に示すように、上記した透明電
極１３および低抵抗導電層１４の取り出し部１３Ａ、１
４Ａと重ならない位置（対角方向のコーナ部）に、取り
出し部１６Ａが形成されている。なお、取り出し部１６
Ａが形成された側辺部分では、図２に示すように、透明
電極１３および低抵抗導電層１４の側辺の側壁を覆うよ
うに有機発光層１５が形成されており、透明電極１３側
と不透明電極１６側とが短絡しないようになっている。
なお、本実施形態では、不透明電極１６がＡｌＬｉで形
成されている。
【００２２】つぎに、本実施形態の作用・効果について
説明する。電界発光素子１１に不透明電極１６の取り出
し部１６Ａと、透明電極１３の取り出し部１３Ａ及び低
抵抗導電層１４の取り出し部１４Ａと、の間に直流或い
は交流電圧を印加する。ここで低抵抗導電層１４の材料
は、透明電極１３の材料に比して、低抵抗で仕事関数が
高く設定されているため、低抵抗導電層１４の全面がほ
ぼ等電位になる。そして、有機発光層１５への正孔の注
入は、低抵抗導電層１４より低い仕事関数の透明電極１
３から行われ、対向する不透明電極１６から電子が注入
され、有機発光層１５内で再結合に基づく発光が生じ
る。すなわち、発光領域は、透明電極１３の低抵抗導電
層１４と重ならない領域、に対応する有機発光層１５の
領域となり、透明電極１３より透過率の低い低抵抗導電
層１４が発光を遮光することは実質的にほとんどなく光
は効率よく出射される。本実施形態においては、透明電
極１３が比較的高抵抗なＩＴＯであるが、この透明電極
１３に均一な連続パターンを有する低抵抗導電層１４が
積層されているため、透明電極１３の取り出し部１３Ａ
から遠くの部分での電位降下を抑制することができる。
このため、有機発光層１５への電流供給を均一に行うこ
とができ、均一な面発光を行わせることができる。ま
た、本実施形態においては、上記したように低抵抗導電
層１４の各部分の線幅が１０μｍ程度に設定されると共
に、この低抵抗導電層１４における正方形状の窓の一辺
の寸法が１００μｍ程度に設定されている。このため、
低抵抗導電層１４の開口率は、８０％程度を達成してい
る。このように低抵抗導電層１４が高開口率であるた
め、目で見てパターンの認識されない平面発光パネルと
することができる。さらに、本実施形態では、低抵抗導
電層１４を曲げに強いＡｌで形成しているため、透明電
極１３の割れによる面内アノードの電圧分布に不均一が
発生するのを防止できるとともに、歩留まりを向上させ
ることができる。なお、曲げに強い金属（Ａｌ）で低抵
抗導電層１４を形成したことにより、特に可撓性を有す
る合成樹脂でなる基板を用いた場合に、高温処理するこ
となく低抵抗で発光性能の良い、フレキシブルな平面発
光パネルを実現することができる。また、本実施形態に
おいては、低抵抗導電層１４がアノード電極全面での低
抵抗化を図っているため、ＩＴＯの膜厚をより薄くでき
るのでアノード電圧分布の均一化を達成でき、ＩＴＯ膜
部分の光透過性をより向上させることができるとともに
ＩＴＯの膜厚に応じた光色度の視角依存性を低減でき広
い角度で均一な色の光を照射することができる。さら
に、ＩＴＯが割れて断線しても比較的柔軟な低抵抗導電
層１４がＩＴＯに全面に接続されているので、均一に発
光することができる。
説明する。電界発光素子１１に不透明電極１６の取り出
し部１６Ａと、透明電極１３の取り出し部１３Ａ及び低
抵抗導電層１４の取り出し部１４Ａと、の間に直流或い
は交流電圧を印加する。ここで低抵抗導電層１４の材料
は、透明電極１３の材料に比して、低抵抗で仕事関数が
高く設定されているため、低抵抗導電層１４の全面がほ
ぼ等電位になる。そして、有機発光層１５への正孔の注
入は、低抵抗導電層１４より低い仕事関数の透明電極１
３から行われ、対向する不透明電極１６から電子が注入
され、有機発光層１５内で再結合に基づく発光が生じ
る。すなわち、発光領域は、透明電極１３の低抵抗導電
層１４と重ならない領域、に対応する有機発光層１５の
領域となり、透明電極１３より透過率の低い低抵抗導電
層１４が発光を遮光することは実質的にほとんどなく光
は効率よく出射される。本実施形態においては、透明電
極１３が比較的高抵抗なＩＴＯであるが、この透明電極
１３に均一な連続パターンを有する低抵抗導電層１４が
積層されているため、透明電極１３の取り出し部１３Ａ
から遠くの部分での電位降下を抑制することができる。
このため、有機発光層１５への電流供給を均一に行うこ
とができ、均一な面発光を行わせることができる。ま
た、本実施形態においては、上記したように低抵抗導電
層１４の各部分の線幅が１０μｍ程度に設定されると共
に、この低抵抗導電層１４における正方形状の窓の一辺
の寸法が１００μｍ程度に設定されている。このため、
低抵抗導電層１４の開口率は、８０％程度を達成してい
る。このように低抵抗導電層１４が高開口率であるた
め、目で見てパターンの認識されない平面発光パネルと
することができる。さらに、本実施形態では、低抵抗導
電層１４を曲げに強いＡｌで形成しているため、透明電
極１３の割れによる面内アノードの電圧分布に不均一が
発生するのを防止できるとともに、歩留まりを向上させ
ることができる。なお、曲げに強い金属（Ａｌ）で低抵
抗導電層１４を形成したことにより、特に可撓性を有す
る合成樹脂でなる基板を用いた場合に、高温処理するこ
となく低抵抗で発光性能の良い、フレキシブルな平面発
光パネルを実現することができる。また、本実施形態に
おいては、低抵抗導電層１４がアノード電極全面での低
抵抗化を図っているため、ＩＴＯの膜厚をより薄くでき
るのでアノード電圧分布の均一化を達成でき、ＩＴＯ膜
部分の光透過性をより向上させることができるとともに
ＩＴＯの膜厚に応じた光色度の視角依存性を低減でき広
い角度で均一な色の光を照射することができる。さら
に、ＩＴＯが割れて断線しても比較的柔軟な低抵抗導電
層１４がＩＴＯに全面に接続されているので、均一に発
光することができる。
【００２３】（実施形態２）図４は、本発明に係る電界
発光素子の実施形態２を示す断面図である。本実施形態
においては、低抵抗導電層１４と透明電極１３との間に
クロム（Ｃｒ）でなるバッファ層１７を介在させた構成
となっている。このバッファ層１７は、低抵抗導電層１
４の直下のみに形成されている。このため、開口率は上
記実施形態１と同様に高開口率となっている。なお、本
実施形態における他の構成は、上記した実施形態１と同
様である。
発光素子の実施形態２を示す断面図である。本実施形態
においては、低抵抗導電層１４と透明電極１３との間に
クロム（Ｃｒ）でなるバッファ層１７を介在させた構成
となっている。このバッファ層１７は、低抵抗導電層１
４の直下のみに形成されている。このため、開口率は上
記実施形態１と同様に高開口率となっている。なお、本
実施形態における他の構成は、上記した実施形態１と同
様である。
【００２４】本実施形態においては、Ａｌでなる低抵抗
導電層１４と透明電極１３との間にバッファ層１７が介
在されているため、透明電極１３に積層したバッファ層
の材料膜（Ｃｒ膜）と低抵抗導電層１４の材料膜（Ａｌ
膜）とをフォトリソグラフィー技術およびエッチング技
術を用いてパターニングする場合に、低抵抗のＡｌとＡ
ｌより抵抗の高いＩＴＯとが、レジスト剥離液中で電池
反応を起こすのをバッファ層１７を介在させたことで防
止することができる。なお、本実施形態では、バッファ
層１７としてＣｒを用いたがＡｌより抵抗が高くＩＴＯ
より抵抗が低い材料であれば、バッファ層１７として用
いることができる。また、本実施形態においては、低抵
抗導電層１４としてＡｌを用いたが、バッファ層１７と
ともに低抵抗化を達成できるものであれば、これらの組
み合わせ以外の積層構造を用いることも可能である。
導電層１４と透明電極１３との間にバッファ層１７が介
在されているため、透明電極１３に積層したバッファ層
の材料膜（Ｃｒ膜）と低抵抗導電層１４の材料膜（Ａｌ
膜）とをフォトリソグラフィー技術およびエッチング技
術を用いてパターニングする場合に、低抵抗のＡｌとＡ
ｌより抵抗の高いＩＴＯとが、レジスト剥離液中で電池
反応を起こすのをバッファ層１７を介在させたことで防
止することができる。なお、本実施形態では、バッファ
層１７としてＣｒを用いたがＡｌより抵抗が高くＩＴＯ
より抵抗が低い材料であれば、バッファ層１７として用
いることができる。また、本実施形態においては、低抵
抗導電層１４としてＡｌを用いたが、バッファ層１７と
ともに低抵抗化を達成できるものであれば、これらの組
み合わせ以外の積層構造を用いることも可能である。
【００２５】（実施形態３）図５は、本発明に係る電界
発光素子の実施形態３を示す断面図である。本実施形態
においては、ガラス基板１２のすぐ上に低抵抗導電層１
４がパターン形成され、この低抵抗導電層１４を覆うよ
うに透明電極１３が形成されている。そして、この透明
電極１３の上に、順次有機発光層１５、不透明電極１６
が形成されている。本実施形態における他の構成は、上
記した実施形態１と同様である。
発光素子の実施形態３を示す断面図である。本実施形態
においては、ガラス基板１２のすぐ上に低抵抗導電層１
４がパターン形成され、この低抵抗導電層１４を覆うよ
うに透明電極１３が形成されている。そして、この透明
電極１３の上に、順次有機発光層１５、不透明電極１６
が形成されている。本実施形態における他の構成は、上
記した実施形態１と同様である。
【００２６】（実施形態４）図６は、本発明に係る電界
発光素子の実施形態４を示す断面図である。本実施形態
の構成は、ガラス基板１２上に、カソード電極としての
不透明電極１６が形成され、不透明電極１６の上に有機
発光層１５が積層されている。また、有機発光層１５の
上には、透明電極１３が２００ｎｍ程度の膜厚で形成さ
れている。そして、透明電極１３の上面には、Ａｌでな
る格子状（網目状）の低抵抗導電層１４が５０ｎｍ程度
の膜厚で積層されている。この低抵抗導電層１４は、上
記した実施形態１と同様に、正方形状の窓が形成された
枠状のものであり、各部分の線幅が１０μｍ程度に設定
されている。なお、低抵抗導電層１４における正方形状
の窓の一辺の寸法は、１００μｍ程度に設定されてい
る。このような形状の低抵抗導電層１４の開口率は、８
０％程度である。また、透明電極１３と不透明電極１６
との取り出し部は、互いに短絡しないように異なる位置
にそれぞれ形成されている。本実施形態においても、上
記した実施形態１と同様の作用を奏することができる。
発光素子の実施形態４を示す断面図である。本実施形態
の構成は、ガラス基板１２上に、カソード電極としての
不透明電極１６が形成され、不透明電極１６の上に有機
発光層１５が積層されている。また、有機発光層１５の
上には、透明電極１３が２００ｎｍ程度の膜厚で形成さ
れている。そして、透明電極１３の上面には、Ａｌでな
る格子状（網目状）の低抵抗導電層１４が５０ｎｍ程度
の膜厚で積層されている。この低抵抗導電層１４は、上
記した実施形態１と同様に、正方形状の窓が形成された
枠状のものであり、各部分の線幅が１０μｍ程度に設定
されている。なお、低抵抗導電層１４における正方形状
の窓の一辺の寸法は、１００μｍ程度に設定されてい
る。このような形状の低抵抗導電層１４の開口率は、８
０％程度である。また、透明電極１３と不透明電極１６
との取り出し部は、互いに短絡しないように異なる位置
にそれぞれ形成されている。本実施形態においても、上
記した実施形態１と同様の作用を奏することができる。
【００２７】以上、実施形態１〜４について説明した
が、本発明はこれらに限定されるものではなく、構成の
要旨に付随する各種の変更が可能である。例えば、上記
した各実施形態においては、低抵抗導電層１４が、Ａｌ
でなる構成としたが、他の低抵抗金属または合金を用い
ても勿論よい。また、有機発光層１５は、単層構造や複
数層構造など各種の構造のものを用いることができる。
さらに、上記した各実施形態では、不透明電極１６とし
てＡｌＬｉを用いたが、ＭｇＩｎ、ＭｇＩｎ／Ａｌなど
のカソード電極材料を用いることができる。また、低抵
抗導電層１４の形状は、上記した各実施形態のように格
子状のものの他、各種形状の網目状のものを用いること
ができる。上記各実施形態では、透明電極１３としてＩ
ＴＯを用いたが、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯを用いてもよい。さ
らに、上記した各実施形態では、電界発光層として有機
ＥＬ材料を用いたが、無機ＥＬ材料を用いても勿論よ
い。
が、本発明はこれらに限定されるものではなく、構成の
要旨に付随する各種の変更が可能である。例えば、上記
した各実施形態においては、低抵抗導電層１４が、Ａｌ
でなる構成としたが、他の低抵抗金属または合金を用い
ても勿論よい。また、有機発光層１５は、単層構造や複
数層構造など各種の構造のものを用いることができる。
さらに、上記した各実施形態では、不透明電極１６とし
てＡｌＬｉを用いたが、ＭｇＩｎ、ＭｇＩｎ／Ａｌなど
のカソード電極材料を用いることができる。また、低抵
抗導電層１４の形状は、上記した各実施形態のように格
子状のものの他、各種形状の網目状のものを用いること
ができる。上記各実施形態では、透明電極１３としてＩ
ＴＯを用いたが、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯを用いてもよい。さ
らに、上記した各実施形態では、電界発光層として有機
ＥＬ材料を用いたが、無機ＥＬ材料を用いても勿論よ
い。
【００２８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、均一な面発光を行うことができる電界発光
素子を実現する効果を有する。
明によれば、均一な面発光を行うことができる電界発光
素子を実現する効果を有する。
【図１】本発明に係る電界発光素子の実施形態１を示す
平面図。
平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図。
【図３】実施形態１におけるガラス基板１２上のアノー
ド電極部分の平面図。
ド電極部分の平面図。
【図４】本発明に係る電界発光素子の実施形態２を示す
断面図。
断面図。
【図５】本発明に係る電界発光素子の実施形態３を示す
断面図。
断面図。
【図６】本発明に係る電界発光素子の実施形態４を示す
断面図。
断面図。
【図７】従来の電界発光素子の平面図。
【図８】図７のＢ−Ｂ断面図。
１１ 電界発光素子 １２ ガラス基板 １３ 透明電極 １４ 低抵抗導電層 １５ 有機発光層 １６ 不透明電極 １７ バッファ層
Claims (12)
- 【請求項１】 透明電極と対向電極との間に設けられた
電界発光層と、前記透明電極の材料より低い抵抗値の材
料からなり、前記透明電極と接続され、前記透明電極に
接する部分に開口部を有する低抵抗導電層と、を具備す
ることを特徴とする電界発光素子。 - 【請求項２】 前記透明電極および前記対向電極は、互
いに電界発光層を介して対向する面電極であることを特
徴とする請求項１記載の電界発光素子。 - 【請求項３】 前記透明電極はアノードであり、前記対
向電極はカソードであることを特徴とする請求項１また
は請求項２に記載の電界発光素子。 - 【請求項４】 前記透明電極は、ＩＴＯでなることを特
徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の電界発
光素子。 - 【請求項５】 前記低抵抗導電層は、前記透明電極の材
料より高い仕事関数値の材料でなることを特徴とする請
求項１〜請求項４のいずれかに記載の電界発光素子。 - 【請求項６】 前記低抵抗導電層は網目形状であること
を特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の電
界発光素子。 - 【請求項７】 前記低抵抗導電層は、前記透明電極と電
界発光層との間に介在されていることを特徴とする請求
項１〜請求項６のいずれかに記載の電界発光素子。 - 【請求項８】 前記低抵抗導電層は、前記透明電極おけ
る前記電界発光層と反対側の面に積層されていることを
特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の電界
発光素子。 - 【請求項９】 前記低抵抗導電層は、複数の層からなる
ことを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載
の電界発光素子。 - 【請求項１０】 前記透明電極または前記対向電極は、
基板上に形成されていることを特徴とする請求項１〜請
求項９のいずれかに記載の電界発光素子。 - 【請求項１１】 前記基板は、合成樹脂でなり且つ可撓
性を有することを特徴とする請求項１０記載の電界発光
素子。 - 【請求項１２】 前記電界発光層は、有機エレクトロル
ミネッセンス材料でなることを特徴とする請求項１〜請
求項１１のいずれかに記載の電界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35843596A JP3767057B2 (ja) | 1996-12-28 | 1996-12-28 | 電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35843596A JP3767057B2 (ja) | 1996-12-28 | 1996-12-28 | 電界発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10199680A true JPH10199680A (ja) | 1998-07-31 |
| JP3767057B2 JP3767057B2 (ja) | 2006-04-19 |
Family
ID=18459292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35843596A Expired - Lifetime JP3767057B2 (ja) | 1996-12-28 | 1996-12-28 | 電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3767057B2 (ja) |
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-
1996
- 1996-12-28 JP JP35843596A patent/JP3767057B2/ja not_active Expired - Lifetime
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