JPH07268187A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPH07268187A JPH07268187A JP6065970A JP6597094A JPH07268187A JP H07268187 A JPH07268187 A JP H07268187A JP 6065970 A JP6065970 A JP 6065970A JP 6597094 A JP6597094 A JP 6597094A JP H07268187 A JPH07268187 A JP H07268187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- titanate
- epoxy resin
- isopropyl
- coupling agent
- bis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シリカ
粉末及びチタネート系カップリング剤を必須成分とする
組成物において、全組成物中に該シリカ粉末を８０〜９
５重量％、該チタネート系カップリング剤を０．０２〜
０．５０重量％含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【効果】 信頼性を低下させることなく、１．４ｍｍ厚
の薄型パッケージにおいても良好な成形性を有し、次期
超薄型のパッケージにも適用できる。
粉末及びチタネート系カップリング剤を必須成分とする
組成物において、全組成物中に該シリカ粉末を８０〜９
５重量％、該チタネート系カップリング剤を０．０２〜
０．５０重量％含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【効果】 信頼性を低下させることなく、１．４ｍｍ厚
の薄型パッケージにおいても良好な成形性を有し、次期
超薄型のパッケージにも適用できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は流動性、成形性に優れ、
かつ高い信頼性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成
物に関するものである。
かつ高い信頼性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成
物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】急速に進展する半導体技術の中で、半導
体を直接封止保護するエポキシ樹脂組成物に対する要求
も益々厳しいものになってきている。その主なものとし
ては、半導体の小型薄型と信頼性要求レベルの向上、と
りわけ電子機器のアセンブリー工程に関わる耐半田特性
の向上は、技術の進展と材料開発の両方が相まって達成
し得るものである。従来、これらの要求に対して汎用の
エポキシ樹脂、硬化剤等の樹脂原料として、比較的溶融
時の粘度が低いタイプを選択組合せ、さらにシリカを主
体とするフィラーを高充填することで、ある程度は対応
してきた。しかし、前述の様に半導体封止用樹脂組成物
に対する要求レベルの高度化は信頼性に止まらず、更に
これを維持し乍ら、高度の成形作業性を同時に保持する
ことが必須である。即ち、従来の汎用のオルソクレゾー
ル型ノボラック樹脂に換えて、ビフェニル系エポキシ樹
脂の使用、分子量分布を制御したフェノールノボラック
系硬化剤の採用、破砕シリカに換えて球状のシリカを組
合わせる等の改良が加えられ、現状では７５〜８０重量
％のシリカを含むものが主流をなってきている。
体を直接封止保護するエポキシ樹脂組成物に対する要求
も益々厳しいものになってきている。その主なものとし
ては、半導体の小型薄型と信頼性要求レベルの向上、と
りわけ電子機器のアセンブリー工程に関わる耐半田特性
の向上は、技術の進展と材料開発の両方が相まって達成
し得るものである。従来、これらの要求に対して汎用の
エポキシ樹脂、硬化剤等の樹脂原料として、比較的溶融
時の粘度が低いタイプを選択組合せ、さらにシリカを主
体とするフィラーを高充填することで、ある程度は対応
してきた。しかし、前述の様に半導体封止用樹脂組成物
に対する要求レベルの高度化は信頼性に止まらず、更に
これを維持し乍ら、高度の成形作業性を同時に保持する
ことが必須である。即ち、従来の汎用のオルソクレゾー
ル型ノボラック樹脂に換えて、ビフェニル系エポキシ樹
脂の使用、分子量分布を制御したフェノールノボラック
系硬化剤の採用、破砕シリカに換えて球状のシリカを組
合わせる等の改良が加えられ、現状では７５〜８０重量
％のシリカを含むものが主流をなってきている。
【０００３】しかし、半導体パッケージの設計は更に進
展を続け、厚さが従来の３．４〜２．７ｍｍのものから
２．４〜２．０ｍｍ、更には１．４〜１．０ｍｍへと薄
型化が進展し０．８ｍｍ以下０．６ｍｍのものも出現し
ている。前記した従来の樹脂配合技術では、厚さ１．４
〜１．２ｍｍの薄型パッケージ設計に対応可能であっ
て、高いレベルの信頼性が得られた場合でもシリカ含有
量が８０重量％を越えると成形が難しい。即ち、未充
填、内部ボイド、外部ボイド、ワイヤー変形といった問
題が発生し易い。即ち成形条件幅が極めて狭いという問
題があった、これを解決する方法として樹脂配合技術、
即ち製造工程における工夫によってある程度の対応は可
能である。例えばフィラーのカップリング剤前処理、樹
脂の加熱溶融前処理等も既に一部実施されているが、工
程の変更、工程管理の困難を伴い、多種化するパッケー
ジ設計からくる要求に十分に応えているとは言えないの
が現状である。
展を続け、厚さが従来の３．４〜２．７ｍｍのものから
２．４〜２．０ｍｍ、更には１．４〜１．０ｍｍへと薄
型化が進展し０．８ｍｍ以下０．６ｍｍのものも出現し
ている。前記した従来の樹脂配合技術では、厚さ１．４
〜１．２ｍｍの薄型パッケージ設計に対応可能であっ
て、高いレベルの信頼性が得られた場合でもシリカ含有
量が８０重量％を越えると成形が難しい。即ち、未充
填、内部ボイド、外部ボイド、ワイヤー変形といった問
題が発生し易い。即ち成形条件幅が極めて狭いという問
題があった、これを解決する方法として樹脂配合技術、
即ち製造工程における工夫によってある程度の対応は可
能である。例えばフィラーのカップリング剤前処理、樹
脂の加熱溶融前処理等も既に一部実施されているが、工
程の変更、工程管理の困難を伴い、多種化するパッケー
ジ設計からくる要求に十分に応えているとは言えないの
が現状である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、急速に進展
するパッケージ設計技術に対応して、高信頼性を保持す
るが成形性が悪い、即ち１．４〜１．０ｍｍ以下の薄い
パッケージに対応が難しいという問題点を解決するため
に種々の検討の結果なされたもので、その目的とすると
ころは信頼性及び他の諸特性を劣化させることなく、
１．４〜１．０ｍｍ以下の薄型のパッケージについても
著しく優れた成形性を与えるエポキシ樹脂組成物を提供
することにある。
するパッケージ設計技術に対応して、高信頼性を保持す
るが成形性が悪い、即ち１．４〜１．０ｍｍ以下の薄い
パッケージに対応が難しいという問題点を解決するため
に種々の検討の結果なされたもので、その目的とすると
ころは信頼性及び他の諸特性を劣化させることなく、
１．４〜１．０ｍｍ以下の薄型のパッケージについても
著しく優れた成形性を与えるエポキシ樹脂組成物を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、エポキシ樹
脂、硬化剤、硬化促進剤、シリカ粉末及びチタネート系
カップリング剤を必須成分とする組成物において、全組
成物中に該シリカ粉末を８０〜９５重量％、該チタネー
ト系カップリング剤を０．０２〜０．５０重量％含むこ
とを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物であ
る。
脂、硬化剤、硬化促進剤、シリカ粉末及びチタネート系
カップリング剤を必須成分とする組成物において、全組
成物中に該シリカ粉末を８０〜９５重量％、該チタネー
ト系カップリング剤を０．０２〜０．５０重量％含むこ
とを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物であ
る。
【０００６】本発明に用いるチタネート系カップリング
剤は、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、
テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタ
ネート、テトラ（２，２，ジアリルオキシメチル−１−
ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネー
ト、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチ
ル）チタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェー
ト）オキシアセテートチタネート、イソプロピルトリオ
クタノイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチ
ルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルジメ
タクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルト
リドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピ
ルイソステアロイルジアクリルチタネート、テトライソ
プロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、
イソプロピルトリクミルフェニルチタネート等が挙げら
れ、これらは単独でも混合して用いてもよい。
剤は、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、
テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタ
ネート、テトラ（２，２，ジアリルオキシメチル−１−
ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネー
ト、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチ
ル）チタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェー
ト）オキシアセテートチタネート、イソプロピルトリオ
クタノイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチ
ルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルジメ
タクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルト
リドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピ
ルイソステアロイルジアクリルチタネート、テトライソ
プロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、
イソプロピルトリクミルフェニルチタネート等が挙げら
れ、これらは単独でも混合して用いてもよい。
【０００７】全組成物中に含まれるチタネート系カップ
リング剤は、０．０２〜０．５０重量％であり、この範
囲内で添加量は配合組成によって適宜調整すればよい。
添加量が０．０２重量％未満だと、半導体封止用樹脂組
成物としたときに流動性向上、即ち成形性向上の効果は
みられない。又、０．５０重量％を越えると流動性が著
しく大きくなり、そのメカニズムは定かではないが、樹
脂硬化物の特性、特に硬度の立上り、強度の発現が極め
て遅く実用に供することができない。
リング剤は、０．０２〜０．５０重量％であり、この範
囲内で添加量は配合組成によって適宜調整すればよい。
添加量が０．０２重量％未満だと、半導体封止用樹脂組
成物としたときに流動性向上、即ち成形性向上の効果は
みられない。又、０．５０重量％を越えると流動性が著
しく大きくなり、そのメカニズムは定かではないが、樹
脂硬化物の特性、特に硬度の立上り、強度の発現が極め
て遅く実用に供することができない。
【０００８】本発明に用いられるエポキシ樹脂とは、エ
ポキシ基を有するポリマー全般という、例えばビスフェ
ノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェ
ニル型とエポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ
樹脂、トリアジン環含有エポキシ樹脂等が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。これらは単独で
も混合して用いてもよい。本発明に用られるシリカ粉末
は、粉末フィラーであれば特に限定するものではない
が、成形性の点から球状のフィラーが好ましい。全組成
物中の添加量は８０〜９５重量％であり、８０重量％未
満だと信頼性、特に耐半田クラック性のレベルが不充分
であり、９５重量％を越えると、耐半田特性は維持でき
るものの流動性が低下し好ましくない。本発明に用いら
れる硬化剤とは、主にフェノール性水酸基を有するポリ
マー全般をいう。例えばフェノールノボラック樹脂、ク
レゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フ
ェノール樹脂とフェノールノボラック樹脂及びクレゾー
ルノボラック樹脂との共縮合物、パラキシリレン変性フ
ェノール樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。これらは単独でも混合して用いてもよい。
ポキシ基を有するポリマー全般という、例えばビスフェ
ノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェ
ニル型とエポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ
樹脂、トリアジン環含有エポキシ樹脂等が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。これらは単独で
も混合して用いてもよい。本発明に用られるシリカ粉末
は、粉末フィラーであれば特に限定するものではない
が、成形性の点から球状のフィラーが好ましい。全組成
物中の添加量は８０〜９５重量％であり、８０重量％未
満だと信頼性、特に耐半田クラック性のレベルが不充分
であり、９５重量％を越えると、耐半田特性は維持でき
るものの流動性が低下し好ましくない。本発明に用いら
れる硬化剤とは、主にフェノール性水酸基を有するポリ
マー全般をいう。例えばフェノールノボラック樹脂、ク
レゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フ
ェノール樹脂とフェノールノボラック樹脂及びクレゾー
ルノボラック樹脂との共縮合物、パラキシリレン変性フ
ェノール樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。これらは単独でも混合して用いてもよい。
【０００９】更に本発明に用られる硬化促進剤は、エポ
キシ基と水酸基の反応を促進するものであればよく、一
般に封止材料に使用されているものを広く使用すること
ができる。例えばトリフェニルホスフィン、トリブチル
ホスフィン、トリ（４−メチルフェニル）ホスフィン等
の有機ホスフィン化合物、トリブチルアミン、トリエチ
ルアミン、ベンジルジメチルアミン、トリスジメチルア
ミノメチルフェノール、１，８−ジアザビシクロ〔５，
４，０〕−７−ウンデセン等の３級アミン、２−メチル
イミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−エチル
−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物が挙
げられる。これらは単独でも混合して用いてもよい。本
発明の必須成分以外に、必要に応じてカーボンブラック
等の着色剤、カルナバワックス、合成ワックス等の離型
剤、ブロム化エポキシ、三酸化アンチモン等の難燃剤、
シラン系カップリング剤、シリコーンゴム、ポリブタジ
エン等のゴム成分を添加することができる。本発明のエ
ポキシ樹脂組成物はエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進
剤、シリカ粉末及びチタン系カップリング剤、その他の
添加物をミキサー等で均一に混合した後、ロール、押し
出し機等の一般混練装置により熱溶融混練し、冷却粉砕
することにより成形材料とすることができる。
キシ基と水酸基の反応を促進するものであればよく、一
般に封止材料に使用されているものを広く使用すること
ができる。例えばトリフェニルホスフィン、トリブチル
ホスフィン、トリ（４−メチルフェニル）ホスフィン等
の有機ホスフィン化合物、トリブチルアミン、トリエチ
ルアミン、ベンジルジメチルアミン、トリスジメチルア
ミノメチルフェノール、１，８−ジアザビシクロ〔５，
４，０〕−７−ウンデセン等の３級アミン、２−メチル
イミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−エチル
−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物が挙
げられる。これらは単独でも混合して用いてもよい。本
発明の必須成分以外に、必要に応じてカーボンブラック
等の着色剤、カルナバワックス、合成ワックス等の離型
剤、ブロム化エポキシ、三酸化アンチモン等の難燃剤、
シラン系カップリング剤、シリコーンゴム、ポリブタジ
エン等のゴム成分を添加することができる。本発明のエ
ポキシ樹脂組成物はエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進
剤、シリカ粉末及びチタン系カップリング剤、その他の
添加物をミキサー等で均一に混合した後、ロール、押し
出し機等の一般混練装置により熱溶融混練し、冷却粉砕
することにより成形材料とすることができる。
【００１０】
【実施例】以下本発明を実施例によって具体的に説明す
る。 実施例１ オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂 ７．２７重量部 （エポキシ当量２００、軟化点６２℃） フェノールノボラック樹脂（硬化剤） ３．５８重量部 （水酸基当量１０４、軟化点１００℃） トリフェニルホスフィン ０．２５重量部 カルナバワックス ０．５０重量部 カーボンブラック ０．３０重量部 溶融球状シリカ粉末 ８８．００重量部 テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート ０．１０重量部 上記の各成分をミキサーで常温で混合し、７０〜１００
℃で２軸ロールにより混練し、冷却後粉砕して成形材料
とした。得られた成形材料をタブレット化し、低圧トラ
ンスファー成形機にて１７５℃、５７ｋｇ／ｃｍ2、８
分の成形条件で１４４ピンＴＱＦＰ（パッケージサイズ
２０×２０×１４ｍｍ）を成形し、成形性及び信頼性
（耐半田クラック性）の評価を行った。評価結果を表１
に示す。
る。 実施例１ オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂 ７．２７重量部 （エポキシ当量２００、軟化点６２℃） フェノールノボラック樹脂（硬化剤） ３．５８重量部 （水酸基当量１０４、軟化点１００℃） トリフェニルホスフィン ０．２５重量部 カルナバワックス ０．５０重量部 カーボンブラック ０．３０重量部 溶融球状シリカ粉末 ８８．００重量部 テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート ０．１０重量部 上記の各成分をミキサーで常温で混合し、７０〜１００
℃で２軸ロールにより混練し、冷却後粉砕して成形材料
とした。得られた成形材料をタブレット化し、低圧トラ
ンスファー成形機にて１７５℃、５７ｋｇ／ｃｍ2、８
分の成形条件で１４４ピンＴＱＦＰ（パッケージサイズ
２０×２０×１４ｍｍ）を成形し、成形性及び信頼性
（耐半田クラック性）の評価を行った。評価結果を表１
に示す。
【００１１】評価方法 スパイラルフロー；ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じたスパイ
ラルフロー測定用金型を用い試料を１５ｇ、成形温度１
７５℃、成形圧力７．０ＭＰａ，成形時間２分で成形し
たときの成形物の長さ。 ショアＤ（熱時硬度）；１４４ピンＴＱＦＰを成形した
時に硬化後、金型オープン１０秒後にパッケージ近傍の
ランナー部の硬度測定。 信頼性；成形品パッケージをポストキュア（１７５℃、
６時間）後、８５℃、６５％雰囲気下で１６８時間吸湿
処理後ＩＲリフロー炉（最高を到達温度２６０℃、２４
５℃以上１０秒）処理後、外部クラックを観察。 実施例２〜４ 表１の配合に従い、実施例１と全く同様にして成形材料
を作製し、実施例１と同様にして評価した。評価結果を
表１に示す。 比較例１〜３ 表１の配合に従い、実施例１と全く同様にして成形材料
を作製した。比較例１、２は未充填で、比較例３は離型
不良で信頼性の評価はできなかった。他の評価結果を表
１に示す。
ラルフロー測定用金型を用い試料を１５ｇ、成形温度１
７５℃、成形圧力７．０ＭＰａ，成形時間２分で成形し
たときの成形物の長さ。 ショアＤ（熱時硬度）；１４４ピンＴＱＦＰを成形した
時に硬化後、金型オープン１０秒後にパッケージ近傍の
ランナー部の硬度測定。 信頼性；成形品パッケージをポストキュア（１７５℃、
６時間）後、８５℃、６５％雰囲気下で１６８時間吸湿
処理後ＩＲリフロー炉（最高を到達温度２６０℃、２４
５℃以上１０秒）処理後、外部クラックを観察。 実施例２〜４ 表１の配合に従い、実施例１と全く同様にして成形材料
を作製し、実施例１と同様にして評価した。評価結果を
表１に示す。 比較例１〜３ 表１の配合に従い、実施例１と全く同様にして成形材料
を作製した。比較例１、２は未充填で、比較例３は離型
不良で信頼性の評価はできなかった。他の評価結果を表
１に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、信頼性
を低下させることなく、１．４ｍｍ厚の薄型パッケージ
においても良好な成形性を有し、次期超薄型のパッケー
ジにも適用できるバランスのとれた半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物である。
を低下させることなく、１．４ｍｍ厚の薄型パッケージ
においても良好な成形性を有し、次期超薄型のパッケー
ジにも適用できるバランスのとれた半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (2)
- 【請求項１】 エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シ
リカ粉末及びチタネート系カップリング剤を必須成分と
する組成物において、全組成物中に該シリカ粉末を８０
〜９５重量％、該チタネート系カップリング剤を０．０
２〜０．５０重量％含むことを特徴とする半導体封止用
エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】 チタネート系カップリング剤が、イソプ
ロピルトリイソステアロイルチタネート、テトラオクチ
ルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テト
ラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス
（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、イソプロピ
ルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネー
ト、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセ
テートチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタ
ネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフ
ェート）チタネート、イソプロピルジメタクリルイソス
テアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベン
ゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロ
イルジアクリルチタネート、テトライソプロピルビス
（ジオクチルホスファイト）チタネート、イソプロピル
トリクミルフェニルチタネートの内から選択される１種
以上である請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6065970A JPH07268187A (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6065970A JPH07268187A (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07268187A true JPH07268187A (ja) | 1995-10-17 |
Family
ID=13302372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6065970A Pending JPH07268187A (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07268187A (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61204220A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-10 | Fujitsu Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6323922A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-01 | Ibiden Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH01101363A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-19 | Hitachi Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JPH01259066A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-16 | Hitachi Ltd | 熱硬化性樹脂組成物 |
| JPH03181583A (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-07 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 難燃性接着剤組成物 |
| JPH0539409A (ja) * | 1991-08-02 | 1993-02-19 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JPH05320317A (ja) * | 1992-05-21 | 1993-12-03 | Fujitsu Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
-
1994
- 1994-04-04 JP JP6065970A patent/JPH07268187A/ja active Pending
Patent Citations (7)
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