JPH07267620A - 酸素不含または酸素含量の少ない炭化珪素成形体の製造方法 - Google Patents
酸素不含または酸素含量の少ない炭化珪素成形体の製造方法Info
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- JPH07267620A JPH07267620A JP7032566A JP3256695A JPH07267620A JP H07267620 A JPH07267620 A JP H07267620A JP 7032566 A JP7032566 A JP 7032566A JP 3256695 A JP3256695 A JP 3256695A JP H07267620 A JPH07267620 A JP H07267620A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
- C04B35/571—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained from Si-containing polymer precursors or organosilicon monomers
Abstract
(57)【要約】
【目的】 酸素不含または酸素含量の少ない炭化珪素成
形体の製造方法を提供する。 【構成】 化学的反応中心を有するポリマーの珪素有機
化合物、たとえばポリシランおよびポリカルボシランを
不活性条件下で、反応ガスの存在下で紡糸することによ
り、または熱処理により寸法安定化し、その後嫌気性条
件下で不活性雰囲気内で１０００℃より高い温度で熱分
解する。
形体の製造方法を提供する。 【構成】 化学的反応中心を有するポリマーの珪素有機
化合物、たとえばポリシランおよびポリカルボシランを
不活性条件下で、反応ガスの存在下で紡糸することによ
り、または熱処理により寸法安定化し、その後嫌気性条
件下で不活性雰囲気内で１０００℃より高い温度で熱分
解する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、前駆物質として化学的
に反応性のポリシランまたはポリカルボシランを利用し
て酸素不含または酸素含量の少ない炭化珪素成形体、特
にＳｉＣ繊維を製造する方法に関する。
に反応性のポリシランまたはポリカルボシランを利用し
て酸素不含または酸素含量の少ない炭化珪素成形体、特
にＳｉＣ繊維を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリカルボシランを使用したＳｉＣ繊維
の製造は周知である。
の製造は周知である。
【０００３】従って、たとえばポリ（ジメチルシラン）
から出発して熱分解工程によりまずメチル含有ポリカル
ボシランを製造し、これを繊維に紡糸し、かつ酸化によ
りＳｉ−Ｏ含有保護層を形成して安定化する。酸素を用
いた処理は生じる熱分解したＳｉＣ繊維中で２０％のＳ
ｉＯ2成分を生じる。しかしながら、この高いＳｉ−Ｏ
結合成分は熱を負荷すると機械的特性の劣化を生じ、同
時に繊維の分解を生じる。
から出発して熱分解工程によりまずメチル含有ポリカル
ボシランを製造し、これを繊維に紡糸し、かつ酸化によ
りＳｉ−Ｏ含有保護層を形成して安定化する。酸素を用
いた処理は生じる熱分解したＳｉＣ繊維中で２０％のＳ
ｉＯ2成分を生じる。しかしながら、この高いＳｉ−Ｏ
結合成分は熱を負荷すると機械的特性の劣化を生じ、同
時に繊維の分解を生じる。
【０００４】一般に酸素含量の上昇とともにＳｉＣ繊維
の安定性が１０００℃より高い温度で急激に低下する。
の安定性が１０００℃より高い温度で急激に低下する。
【０００５】米国特許第４０５２４３０号明細書および
米国特許第４１００２３３号明細書により、ポリシラン
をポリカルボシランに熱的に転化し、更にこれを未加工
の繊維に紡糸し、かつ３５０〜４００℃の温度で２〜４
８時間真空下で熱分解する。繊維形状の安定化は同様に
５０〜４００℃での酸化により実施する。
米国特許第４１００２３３号明細書により、ポリシラン
をポリカルボシランに熱的に転化し、更にこれを未加工
の繊維に紡糸し、かつ３５０〜４００℃の温度で２〜４
８時間真空下で熱分解する。繊維形状の安定化は同様に
５０〜４００℃での酸化により実施する。
【０００６】米国特許第４２２０６００号明細書および
米国特許第４２８３３７６号明細書には、原料として分
子骨格にＳｉ−Ｏ成分を有するポリカルボシランを使用
したＳｉＣ繊維の製造方法が記載されている。そのよう
なポリカルボシランはポリ（ボロシロキサン）０．０１
〜１５重量％を添加したポリシランの熱分解により得ら
れる。紡糸した繊維の安定化は同様に酸化雰囲気内でＳ
ｉ−Ｏ結合成分を形成して５０〜４００℃の温度で加熱
することにより実施する。
米国特許第４２８３３７６号明細書には、原料として分
子骨格にＳｉ−Ｏ成分を有するポリカルボシランを使用
したＳｉＣ繊維の製造方法が記載されている。そのよう
なポリカルボシランはポリ（ボロシロキサン）０．０１
〜１５重量％を添加したポリシランの熱分解により得ら
れる。紡糸した繊維の安定化は同様に酸化雰囲気内でＳ
ｉ−Ｏ結合成分を形成して５０〜４００℃の温度で加熱
することにより実施する。
【０００７】酸化または非酸化雰囲気でのγ線または電
子線による安定化も同様に記載されている。
子線による安定化も同様に記載されている。
【０００８】米国特許第４７３７５５２号明細書によ
り、ポリカルボシラン、ヒドロシル化触媒および不飽和
化合物からなる混合物を紡糸し、未加工の繊維を不活性
雰囲気内でまたは真空中で１５０〜４００℃の温度で熱
処理により溶融不可能にし、引き続き熱分解する。
り、ポリカルボシラン、ヒドロシル化触媒および不飽和
化合物からなる混合物を紡糸し、未加工の繊維を不活性
雰囲気内でまたは真空中で１５０〜４００℃の温度で熱
処理により溶融不可能にし、引き続き熱分解する。
【０００９】米国特許第５１７１７２２号明細書はポリ
カルボシラン、ポリビニルシラザン、および有利なＨ2
またはＣＨ3基を生じる触媒の溶液から出発する。溶液
から紡糸した未加工の繊維を２５〜２００℃の温度範囲
内で０．５〜２４時間にわたって加熱し、かつ安定化す
る。引き続く熱分解は不活性雰囲気下でまたは真空中で
６００℃〜１０００℃で実施する。
カルボシラン、ポリビニルシラザン、および有利なＨ2
またはＣＨ3基を生じる触媒の溶液から出発する。溶液
から紡糸した未加工の繊維を２５〜２００℃の温度範囲
内で０．５〜２４時間にわたって加熱し、かつ安定化す
る。引き続く熱分解は不活性雰囲気下でまたは真空中で
６００℃〜１０００℃で実施する。
【００１０】欧州特許第０４９６５７４号明細書には酸
素含量の少ないＳｉＣ繊維の製造が記載されている。こ
の場合に繊維骨格の安定化はポリカルボシラン未加工繊
維の熱処理中に炭化水素、ハロゲン化炭化水素または不
飽和の炭化水素の雰囲気内で行われる。
素含量の少ないＳｉＣ繊維の製造が記載されている。こ
の場合に繊維骨格の安定化はポリカルボシラン未加工繊
維の熱処理中に炭化水素、ハロゲン化炭化水素または不
飽和の炭化水素の雰囲気内で行われる。
【００１１】これらすべての記載された方法は、紡糸し
た未加工の繊維の形状を安定化する、すなわち溶融不可
能にする必要性を共有する。大規模工業的に使用される
方法は未加工繊維の酸化保護である。しかしながら作用
する酸素によりＳｉＣ繊維の熱負荷能力が低下し、従っ
て高い温度範囲の繊維の利用が付与されない。
た未加工の繊維の形状を安定化する、すなわち溶融不可
能にする必要性を共有する。大規模工業的に使用される
方法は未加工繊維の酸化保護である。しかしながら作用
する酸素によりＳｉＣ繊維の熱負荷能力が低下し、従っ
て高い温度範囲の繊維の利用が付与されない。
【００１２】照射により繊維を安定化する可能性はきわ
めて経費がかかり、従って限られた工業的使用分野での
みまたは実験室規模でのみ使用される。
めて経費がかかり、従って限られた工業的使用分野での
みまたは実験室規模でのみ使用される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、高い
温度範囲において優れた機械的特性を有する酸素不含ま
たは酸素含量の少ないＳｉＣ成形体を製造することであ
った。
温度範囲において優れた機械的特性を有する酸素不含ま
たは酸素含量の少ないＳｉＣ成形体を製造することであ
った。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記課題は、化学的反応
中心を有するポリマーの珪素有機化合物、たとえばポリ
シランおよびポリカルボシランを不活性条件下で紡糸
し、その後有利には反応ガスの存在下で、たとえばアル
ゴンとのガス混合物の形または純粋な形のアンモニアま
たはメチルアミンの存在下で安定化するかまたは温和な
条件下で熱処理により安定化し、引き続き嫌気性条件下
で不活性雰囲気内で１０００℃より高い温度で熱分解す
ることにより解決される。
中心を有するポリマーの珪素有機化合物、たとえばポリ
シランおよびポリカルボシランを不活性条件下で紡糸
し、その後有利には反応ガスの存在下で、たとえばアル
ゴンとのガス混合物の形または純粋な形のアンモニアま
たはメチルアミンの存在下で安定化するかまたは温和な
条件下で熱処理により安定化し、引き続き嫌気性条件下
で不活性雰囲気内で１０００℃より高い温度で熱分解す
ることにより解決される。
【００１５】本発明によりＳｉＣ成形体、特にＳｉＣ繊
維を製造するために使用されるポリマーの珪素有機化合
物は以下の群に分けることができる。
維を製造するために使用されるポリマーの珪素有機化合
物は以下の群に分けることができる。
【００１６】ａ）一般式Ｉ：
【００１７】
【化４】
【００１８】［式中、Ｒ1はハロゲン原子、有利には塩
素原子、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基またはアリールアルキル基を表し、その際、同
一のポリカルボシランの種々の単位中のＲ1は異なるも
のを表してもよく、Ｒ2はハロゲン原子、有利には塩素
原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基また
はアリールアルキル基を表し、その際、同一のポリカル
ボシランの種々の単位中のＲ2は異なるものを表しても
よく、かつＡは直鎖または分枝鎖状のアルキレン基また
はアリーレン基または置換されたアリーレン基またはシ
クロアルキレン基を表し、その際、同一のポリカルボシ
ランの種々の単位中のＡは異なるものを表してもよい］
で示される構造単位をベースとするポリカルボシラン。
素原子、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基またはアリールアルキル基を表し、その際、同
一のポリカルボシランの種々の単位中のＲ1は異なるも
のを表してもよく、Ｒ2はハロゲン原子、有利には塩素
原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基また
はアリールアルキル基を表し、その際、同一のポリカル
ボシランの種々の単位中のＲ2は異なるものを表しても
よく、かつＡは直鎖または分枝鎖状のアルキレン基また
はアリーレン基または置換されたアリーレン基またはシ
クロアルキレン基を表し、その際、同一のポリカルボシ
ランの種々の単位中のＡは異なるものを表してもよい］
で示される構造単位をベースとするポリカルボシラン。
【００１９】これらのポリカルボシランの製造はドイツ
特許第３８４１３４８号明細書、ドイツ特許第４０１８
３７４号明細書、ドイツ特許第３９１７８３８号明細書
に記載の方法により実施する。
特許第３８４１３４８号明細書、ドイツ特許第４０１８
３７４号明細書、ドイツ特許第３９１７８３８号明細書
に記載の方法により実施する。
【００２０】ｂ）一般式ＩＩ：
【００２１】
【化５】
【００２２】［式中、Ｒ3はハロゲン原子、有利には塩
素原子、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基、アリールアルキル基、シリル基、シリレン基
を表し、その際、同一のポリシランの種々の単位または
同一のポリカルボシランの種々の単位中のＲ3は異なる
ものを表してもよく、Ｒ4はハロゲン原子、有利には塩
素原子、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基、アリールアルキル基、シリル基、シリレン基
を表し、その際、同一のポリシランの種々の単位または
同一のポリカルボシランの種々の単位中のＲ4は異なる
ものを表してもよく、かつＡはシリレン基、直鎖または
分枝鎖状のアルキレン基、シクロアルキレン基、アリー
レン基または置換されたアリーレン基またはたとえばペ
ンタメチルシクロペンタジエニル（ｃｐ＊）基またはシ
クロペンタジエニル（ｃｐ）基で錯安定化した金属、有
利にはチタン、ジルコニウム、タングステンを表し、そ
の際、同一のポリシランの種々の単位または同一のポリ
カルボシランの種々の単位中のＡは異なるものを表して
もよい］で示される構造単位をベースとするポリシラン
またはポリカルボシラン。
素原子、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基、アリールアルキル基、シリル基、シリレン基
を表し、その際、同一のポリシランの種々の単位または
同一のポリカルボシランの種々の単位中のＲ3は異なる
ものを表してもよく、Ｒ4はハロゲン原子、有利には塩
素原子、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基、アリールアルキル基、シリル基、シリレン基
を表し、その際、同一のポリシランの種々の単位または
同一のポリカルボシランの種々の単位中のＲ4は異なる
ものを表してもよく、かつＡはシリレン基、直鎖または
分枝鎖状のアルキレン基、シクロアルキレン基、アリー
レン基または置換されたアリーレン基またはたとえばペ
ンタメチルシクロペンタジエニル（ｃｐ＊）基またはシ
クロペンタジエニル（ｃｐ）基で錯安定化した金属、有
利にはチタン、ジルコニウム、タングステンを表し、そ
の際、同一のポリシランの種々の単位または同一のポリ
カルボシランの種々の単位中のＡは異なるものを表して
もよい］で示される構造単位をベースとするポリシラン
またはポリカルボシラン。
【００２３】これらのポリシランまたはポリカルボシラ
ンはジシランの触媒作用させた不均化により、たとえば
ドイツ特許第４２０７２９９号明細書に記載の方法によ
り不均一系触媒を使用して、またはメトラメチレンジア
ミン（ＴＭＥＤＡ）の存在下で均一系反応により製造す
る。
ンはジシランの触媒作用させた不均化により、たとえば
ドイツ特許第４２０７２９９号明細書に記載の方法によ
り不均一系触媒を使用して、またはメトラメチレンジア
ミン（ＴＭＥＤＡ）の存在下で均一系反応により製造す
る。
【００２４】オレフィンの存在下で有利には塩素含有の
ジシランの触媒作用させた不均化により、紡糸可能性が
著しく改良されたポリマーが製造される。
ジシランの触媒作用させた不均化により、紡糸可能性が
著しく改良されたポリマーが製造される。
【００２５】同様にポリシラン−／ポリカルボシラン骨
格への第２の炭化物を形成する元素、有利には元素周期
表の第４〜６亜族の遷移元素の組み込みが達成される。
このためにメチルクロルジシランおよびたとえばチタ
ン、ジルコニウム、タングステンのシクロペンタジエニ
ル化合物からなる混合物を不均化反応に使用する。オレ
フィンも同様にこの混合物に含まれていてもよい。
格への第２の炭化物を形成する元素、有利には元素周期
表の第４〜６亜族の遷移元素の組み込みが達成される。
このためにメチルクロルジシランおよびたとえばチタ
ン、ジルコニウム、タングステンのシクロペンタジエニ
ル化合物からなる混合物を不均化反応に使用する。オレ
フィンも同様にこの混合物に含まれていてもよい。
【００２６】ｃ）一般式ＩＩＩ：
【００２７】
【化６】
【００２８】［式中、Ｒ5はハロゲン原子、有利には塩
素原子、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基、アリールアルキル基、アルケニル基、有利に
はビニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、有利
にはエチニル基、プロパルギル基またはシクロアルキニ
ル基を表し、その際、同一のポリカルボシランの種々の
単位中のＲ5は異なるものを表してもよく、Ｒ6はハロゲ
ン原子、有利には塩素原子、アルキル基、シクロアルキ
ル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル
基、有利にはビニル基、シクロアルケニル基、アルキニ
ル基、有利にはエチニル基、プロパルギル基またはシク
ロアルキニル基を表し、その際、同一のポリカルボシラ
ンの種々の単位中のＲ6は異なるものを表してもよく、
かつＡは直鎖または分枝鎖状のアルキレン基、シクロア
ルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリー
レン基または置換されたアリーレン基を表し、その際、
同一のポリカルボシランの種々の単位中のＡは異なるも
のを表してもよい］で示される構造単位をベースとする
ポリカルボシラン。
素原子、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基、アリールアルキル基、アルケニル基、有利に
はビニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、有利
にはエチニル基、プロパルギル基またはシクロアルキニ
ル基を表し、その際、同一のポリカルボシランの種々の
単位中のＲ5は異なるものを表してもよく、Ｒ6はハロゲ
ン原子、有利には塩素原子、アルキル基、シクロアルキ
ル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル
基、有利にはビニル基、シクロアルケニル基、アルキニ
ル基、有利にはエチニル基、プロパルギル基またはシク
ロアルキニル基を表し、その際、同一のポリカルボシラ
ンの種々の単位中のＲ6は異なるものを表してもよく、
かつＡは直鎖または分枝鎖状のアルキレン基、シクロア
ルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリー
レン基または置換されたアリーレン基を表し、その際、
同一のポリカルボシランの種々の単位中のＡは異なるも
のを表してもよい］で示される構造単位をベースとする
ポリカルボシラン。
【００２９】これらのポリカルボシランは、一部または
完全にハロゲン化した、有利には塩素化した一般式Ｉの
ポリカルボシランのグリニャール反応により、相当する
一部または完全にアルケニル化したまたはアルキニル化
した化合物に転化する。特に完全にハロゲン化したＳｉ
（Ｈａｌ）2−Ａのタイプのエダクトを一部アルケニル
化またはアルキニル化する。
完全にハロゲン化した、有利には塩素化した一般式Ｉの
ポリカルボシランのグリニャール反応により、相当する
一部または完全にアルケニル化したまたはアルキニル化
した化合物に転化する。特に完全にハロゲン化したＳｉ
（Ｈａｌ）2−Ａのタイプのエダクトを一部アルケニル
化またはアルキニル化する。
【００３０】有利な変更例においては、Ｓｉ（Ｈａｌ）
2-X（Ｒ）X−Ａで示され、式中のＨａｌが塩素または臭
素であり、かつＲがアルケニル、アルキニル、シクロア
ルケニルまたはシクロアルキニルであるタイプの生成物
を製造する。
2-X（Ｒ）X−Ａで示され、式中のＨａｌが塩素または臭
素であり、かつＲがアルケニル、アルキニル、シクロア
ルケニルまたはシクロアルキニルであるタイプの生成物
を製造する。
【００３１】アルケニルおよびアルキニル化した基は珪
素に接触したハロゲン原子といっしょに反応性ポリマー
の反応中心を表し、これはたとえばそれぞれのポリカル
ボシランの融点より低い温度で温和な熱処理により、ま
たは電磁波の照射により寸法安定化し、かつ高度に架橋
した状態に移行する。公知のラジカル形成触媒、たとえ
ばジクミルペルオキシド、ベンゾイルペルオキシド、ジ
−ｔ−ブチルペルオキシドの存在はこの安定化を促進す
る。
素に接触したハロゲン原子といっしょに反応性ポリマー
の反応中心を表し、これはたとえばそれぞれのポリカル
ボシランの融点より低い温度で温和な熱処理により、ま
たは電磁波の照射により寸法安定化し、かつ高度に架橋
した状態に移行する。公知のラジカル形成触媒、たとえ
ばジクミルペルオキシド、ベンゾイルペルオキシド、ジ
−ｔ−ブチルペルオキシドの存在はこの安定化を促進す
る。
【００３２】有利な実施態様においては反応ガスの存在
下で安定化を実施する。
下で安定化を実施する。
【００３３】一般式ＩＩのポリシランを製造する有利な
実施態様においては、触媒作用した不均化のための出発
生成物としてメチルクロルジシラン、オレフィンおよび
塩基性の求核特性および特性化されたレドックス挙動を
有する触媒作用する化合物、たとえば担体に定着したヘ
キサメチル燐酸トリアミド（ＨＭＰＴ）の誘導体または
均一系反応のためにテトラメチレンジアミン（ＴＭＥＤ
Ａ）を使用する。
実施態様においては、触媒作用した不均化のための出発
生成物としてメチルクロルジシラン、オレフィンおよび
塩基性の求核特性および特性化されたレドックス挙動を
有する触媒作用する化合物、たとえば担体に定着したヘ
キサメチル燐酸トリアミド（ＨＭＰＴ）の誘導体または
均一系反応のためにテトラメチレンジアミン（ＴＭＥＤ
Ａ）を使用する。
【００３４】たとえばドイツ特許第４２０７２９９号明
細書に相当する触媒を用いた不均一系の触媒作用させた
変更例において、およびＴＭＥＤＡを用いた均一系反応
の変更例において、１．１．２．２．テトラクロルジメ
チルシランとスチレンとの反応を実施することができ
る。
細書に相当する触媒を用いた不均一系の触媒作用させた
変更例において、およびＴＭＥＤＡを用いた均一系反応
の変更例において、１．１．２．２．テトラクロルジメ
チルシランとスチレンとの反応を実施することができ
る。
【００３５】反応混合物中のスチレンの割合を介して、
単離したポリ（シラン−コ−スチレン）の珪素／炭素比
および塩素含量を調整することができる。
単離したポリ（シラン−コ−スチレン）の珪素／炭素比
および塩素含量を調整することができる。
【００３６】それとともに反応生成物の物理的特性、た
とえば流動特性、粘弾性、溶融範囲も調節可能である。
とえば流動特性、粘弾性、溶融範囲も調節可能である。
【００３７】これらの値は特に溶融紡糸法の紡糸の観点
から重要である。
から重要である。
【００３８】触媒作用する成分およびそれぞれの温度秩
序の選択は重合度、分子量、その分布および架橋を決定
する。
序の選択は重合度、分子量、その分布および架橋を決定
する。
【００３９】スチレンの代りにほかのオレフィン、たと
えばジメチルフルベン、アクリロニトリル、ジビニルベ
ンゼン、シクロペンタジエン、ビニル含有シラン、ブタ
ジエン、イソプレンを使用することができる。
えばジメチルフルベン、アクリロニトリル、ジビニルベ
ンゼン、シクロペンタジエン、ビニル含有シラン、ブタ
ジエン、イソプレンを使用することができる。
【００４０】前記の化学反応性ポリシランまたはポリカ
ルボシランから、ポリマー溶融物を圧縮により、有利に
は１００〜３００μｍの毛細管直径を有する紡糸ノズル
により押し出すことによりフィラメントを紡糸する。
ルボシランから、ポリマー溶融物を圧縮により、有利に
は１００〜３００μｍの毛細管直径を有する紡糸ノズル
により押し出すことによりフィラメントを紡糸する。
【００４１】このノズルのすぐ後方でフィラメントの延
伸を実施し、その際遅れた延伸も可能である。直径１０
〜２５μｍを有する延伸したフィラメントをスプールに
巻き取る。回転シリンダ上の繊維の延伸および繊維の巻
き取りは技術的単位を形成し、その際任意に調節できる
回転シリンダの回転はフィラメントの直径を決定する。
伸を実施し、その際遅れた延伸も可能である。直径１０
〜２５μｍを有する延伸したフィラメントをスプールに
巻き取る。回転シリンダ上の繊維の延伸および繊維の巻
き取りは技術的単位を形成し、その際任意に調節できる
回転シリンダの回転はフィラメントの直径を決定する。
【００４２】全部の紡糸および延伸工程は、空気湿度を
有するポリマーの反応による酸素不純物を減少するため
に不活性雰囲気下で実施すべきである。
有するポリマーの反応による酸素不純物を減少するため
に不活性雰囲気下で実施すべきである。
【００４３】紡糸したフィラメントを架橋し、それとと
もに安定化するために、フィラメントを本発明により嫌
気性条件下で、使用されるポリシランまたはポリカルボ
シランと反応し、架橋を生じる反応ガスで処理する。有
利には反応ガスとしてアンモニアまたはメチルアミンま
たは硫化水素をアルゴンとのガス混合物でまたは純粋な
形で使用する。この場合に温度の上昇はこの方法では加
速的に作用する。
もに安定化するために、フィラメントを本発明により嫌
気性条件下で、使用されるポリシランまたはポリカルボ
シランと反応し、架橋を生じる反応ガスで処理する。有
利には反応ガスとしてアンモニアまたはメチルアミンま
たは硫化水素をアルゴンとのガス混合物でまたは純粋な
形で使用する。この場合に温度の上昇はこの方法では加
速的に作用する。
【００４４】進行する架橋により、ポリマーの溶融範囲
より高い温度を使用することができる。
より高い温度を使用することができる。
【００４５】たとえば以下の架橋反応はフィラメントの
寸法安定性を生じる。
寸法安定性を生じる。
【００４６】
【化７】
【００４７】架橋したフィラメントは嫌気性条件下で、
アルゴンの存在下でまたはほかの不活性雰囲気で、加熱
速度１〜２０Ｋ／分、有利には１０Ｋ／分で１０００℃
より高い温度で熱分解する。有利には１０００〜１２０
０℃の温度を使用する。熱分解の結果得られる炭化珪素
繊維は無定形の不完全なまたは完全な結晶の炭化珪素か
らなる。
アルゴンの存在下でまたはほかの不活性雰囲気で、加熱
速度１〜２０Ｋ／分、有利には１０Ｋ／分で１０００℃
より高い温度で熱分解する。有利には１０００〜１２０
０℃の温度を使用する。熱分解の結果得られる炭化珪素
繊維は無定形の不完全なまたは完全な結晶の炭化珪素か
らなる。
【００４８】本発明により製造される炭化珪素繊維は、
１ＧＰａより高い引張り強さおよび１５０ＧＰａより高
いＥ−モジュールを有する。酸素含量は２％未満であ
る。一般に０．２〜０．０５％の値が達成されるべきで
ある。
１ＧＰａより高い引張り強さおよび１５０ＧＰａより高
いＥ−モジュールを有する。酸素含量は２％未満であ
る。一般に０．２〜０．０５％の値が達成されるべきで
ある。
【００４９】繊維の主成分は炭化珪素であり、その際少
量でたとえば２％未満の遊離炭素および４％未満の窒素
が存在してもよい。
量でたとえば２％未満の遊離炭素および４％未満の窒素
が存在してもよい。
【００５０】本発明によるＳｉＣ繊維は、１５００℃ま
での最低温度で繊維の強度に対する不利な作用を生じる
ことなく熱的負荷に耐える。１８００℃までの負荷にお
いてさえも繊維特性に不利に作用しない。酸化雰囲気に
おいても１４００℃までの温度の使用が実現される。こ
の場合に繊維上に二酸化珪素層が形成され、繊維特性の
劣化が阻止される。
での最低温度で繊維の強度に対する不利な作用を生じる
ことなく熱的負荷に耐える。１８００℃までの負荷にお
いてさえも繊維特性に不利に作用しない。酸化雰囲気に
おいても１４００℃までの温度の使用が実現される。こ
の場合に繊維上に二酸化珪素層が形成され、繊維特性の
劣化が阻止される。
【００５１】
例１ ＴＭＥＤＡを用いた不均化 ジシランおよびスチレンを磁気撹拌器、内部温度計、還
流冷却器および不活性ガス導入装置を有するスルホン化
フラスコ内で所望の比で、有利には使用されるメチルク
ロルジシランの量に対して５〜５０Ｍａ（質量）％で互
いに混合し、使用されるメチルクロルジシランの量に対
して１Ｍａ％のＴＭＥＤＡを加えた後で不均化した。同
時にコポリマー成分としてスチレンを導入した。反応混
合物を還流で１３８〜１４８℃で２時間維持した。冷却
後形成されたメチルクロルシランを蒸留し、その際１４
０℃より高い底部温度を回避することができた。その後
再び還流で１７０〜１８０℃で２時間沸騰させ、引き続
きモノシランおよび未反応のスチレンを蒸留した。底部
温度は２４０℃をこえないようにした。冷却後反応生成
物の短鎖部分を真空下（６６．６５〜１３３．３Ｐａ）
で１５０℃で蒸留した。ポリマー収率は出発混合物に比
較して４０〜８０Ｍａ％であった。
流冷却器および不活性ガス導入装置を有するスルホン化
フラスコ内で所望の比で、有利には使用されるメチルク
ロルジシランの量に対して５〜５０Ｍａ（質量）％で互
いに混合し、使用されるメチルクロルジシランの量に対
して１Ｍａ％のＴＭＥＤＡを加えた後で不均化した。同
時にコポリマー成分としてスチレンを導入した。反応混
合物を還流で１３８〜１４８℃で２時間維持した。冷却
後形成されたメチルクロルシランを蒸留し、その際１４
０℃より高い底部温度を回避することができた。その後
再び還流で１７０〜１８０℃で２時間沸騰させ、引き続
きモノシランおよび未反応のスチレンを蒸留した。底部
温度は２４０℃をこえないようにした。冷却後反応生成
物の短鎖部分を真空下（６６．６５〜１３３．３Ｐａ）
で１５０℃で蒸留した。ポリマー収率は出発混合物に比
較して４０〜８０Ｍａ％であった。
【００５２】例２ スチレンの存在下での不均一系触媒作用させた不均化 メチルクロルジシラン混合物２００ｇを撹拌器、熱電
対、不活性ガス導入装置、装着したケチルブリッジを有
する充填カラムおよび還流冷却器を有するスルホン化フ
ラスコ内で所望の比でスチレン（有利には使用されるメ
チルクロルジシランの量に対して５〜５０Ｍａ％）と混
合した。充填カラムはドイツ特許第４２０７２９９９号
明細書に記載の触媒３０ｇおよびラーシッヒリングを有
した。
対、不活性ガス導入装置、装着したケチルブリッジを有
する充填カラムおよび還流冷却器を有するスルホン化フ
ラスコ内で所望の比でスチレン（有利には使用されるメ
チルクロルジシランの量に対して５〜５０Ｍａ％）と混
合した。充填カラムはドイツ特許第４２０７２９９９号
明細書に記載の触媒３０ｇおよびラーシッヒリングを有
した。
【００５３】反応混合物を沸騰させた（１４５〜１５６
℃）。反応体を気相中で触媒と接触させた。触媒に接触
したメチルクロルジシランの反応の際に形成されるメチ
ルクロルシランはこの反応温度でガス状であった。反応
系を１時間完全に還流で維持した。その際底部温度が９
０〜１１０℃に低下した。今やメチルクロルシランを連
続的に取り出すことにより還流が減少した。必然的に底
部温度が上昇した。底部温度は緩慢に３００℃に上昇し
た。高度に架橋したポリ（シラン−コ−スチレン）が形
成された。反応を２００℃で終了すると、わずかに架橋
したポリシラン−スチレンを単離することができ、これ
は同時に室温で淡黄色の固形生成物として存在した。溶
融温度は反応の経過に依存し、一般に１００〜２５０℃
の範囲内であった。ポリ（シラン−コ−スチレン）は有
機溶剤、たとえばトルエン、テトラクロルエチレン、Ｃ
Ｃｌ4、テトラヒドロフラン、ＣＨＣｌ3、ジオキサン中
で溶解した。ポリマー収率は出発混合物に比較して約６
０〜７０Ｍａ％であった。
℃）。反応体を気相中で触媒と接触させた。触媒に接触
したメチルクロルジシランの反応の際に形成されるメチ
ルクロルシランはこの反応温度でガス状であった。反応
系を１時間完全に還流で維持した。その際底部温度が９
０〜１１０℃に低下した。今やメチルクロルシランを連
続的に取り出すことにより還流が減少した。必然的に底
部温度が上昇した。底部温度は緩慢に３００℃に上昇し
た。高度に架橋したポリ（シラン−コ−スチレン）が形
成された。反応を２００℃で終了すると、わずかに架橋
したポリシラン−スチレンを単離することができ、これ
は同時に室温で淡黄色の固形生成物として存在した。溶
融温度は反応の経過に依存し、一般に１００〜２５０℃
の範囲内であった。ポリ（シラン−コ−スチレン）は有
機溶剤、たとえばトルエン、テトラクロルエチレン、Ｃ
Ｃｌ4、テトラヒドロフラン、ＣＨＣｌ3、ジオキサン中
で溶解した。ポリマー収率は出発混合物に比較して約６
０〜７０Ｍａ％であった。
【００５４】例３ 遷移金属錯体の存在下での不均化 例１または例２と同様の実験の実施 スチレンの代りにジシランをジシクロペンタジエニルチ
タンジブロミド又はジシクロペンタジエニルジルコニウ
ムジブロミドと反応させた。反応において臭素置換基を
ほかのハロゲン原子、アルキル基、アリール基または水
素原子と交換することができた。
タンジブロミド又はジシクロペンタジエニルジルコニウ
ムジブロミドと反応させた。反応において臭素置換基を
ほかのハロゲン原子、アルキル基、アリール基または水
素原子と交換することができた。
【００５５】例４ アリル含有ポリカルボシランの製造 ２個の滴加漏斗、還流冷却器および撹拌器を有する１０
００ｍｌ三つ口フラスコからなる標準装置内に、無水ジ
エチルエーテル２０ｍｌ中のマグネシウムくず４．４５
ｇを保護ガス雰囲気下で装入した。滴加漏斗で無水ジエ
チルエーテル５０ｍｌ中の塩化アリル１５．４ｇの溶液
および無水ジエチルエーテル５０ｍｌ中の塩素含量５
６．４重量％を有するポリ（ジクロルシリレン−コ−メ
チレン）１０ｇの溶液を装入した。引き続き塩化アリル
溶液を緩慢に滴加した。反応が開始しない場合は入念に
加熱し、わずかのヨウ素を加えた。反応開始後ポリカル
ボシラン溶液を塩化アリル溶液といっしょに滴加した。
熱の発生が激しくなる場合は反応を中断せずに氷浴で冷
却した。添加終了後更に溶剤２００ｍｌを加えた。引き
続き反応溶液を室温で２〜３日撹拌した。引き続き反応
溶液を氷冷却した塩化アンモニウム水溶液７００ｍｌに
移行した。有機相を分離漏斗内で分離し、濾過した。濾
液を回転蒸発機で濃縮し、かつ残留する残留物を塩化メ
チレンに取った。溶液を再び濾過し、回転蒸発機で濃縮
し、かつ生成物を真空中で５０℃で乾燥した。淡黄色の
粘性の生成物が７５〜８０％の収率で得られた。
００ｍｌ三つ口フラスコからなる標準装置内に、無水ジ
エチルエーテル２０ｍｌ中のマグネシウムくず４．４５
ｇを保護ガス雰囲気下で装入した。滴加漏斗で無水ジエ
チルエーテル５０ｍｌ中の塩化アリル１５．４ｇの溶液
および無水ジエチルエーテル５０ｍｌ中の塩素含量５
６．４重量％を有するポリ（ジクロルシリレン−コ−メ
チレン）１０ｇの溶液を装入した。引き続き塩化アリル
溶液を緩慢に滴加した。反応が開始しない場合は入念に
加熱し、わずかのヨウ素を加えた。反応開始後ポリカル
ボシラン溶液を塩化アリル溶液といっしょに滴加した。
熱の発生が激しくなる場合は反応を中断せずに氷浴で冷
却した。添加終了後更に溶剤２００ｍｌを加えた。引き
続き反応溶液を室温で２〜３日撹拌した。引き続き反応
溶液を氷冷却した塩化アンモニウム水溶液７００ｍｌに
移行した。有機相を分離漏斗内で分離し、濾過した。濾
液を回転蒸発機で濃縮し、かつ残留する残留物を塩化メ
チレンに取った。溶液を再び濾過し、回転蒸発機で濃縮
し、かつ生成物を真空中で５０℃で乾燥した。淡黄色の
粘性の生成物が７５〜８０％の収率で得られた。
【００５６】例５ ビニル含有ポリカルボシランの製造 ２個の滴加漏斗、還流冷却器および撹拌器を有する１０
００ｍｌ三つ口フラスコからなる標準装置内に、保護ガ
ス雰囲気下で無水ジエチルエーテル５０ｍｌを装入し
た。滴加漏斗で１．０モルビニルマグネシウムブロミド
−ＴＨＦ溶液および無水ジエチルエーテル５０ｍｌ中の
塩素含量５６．４重量％を有するポリ（ジクロルシリレ
ン−コ−メチレン）１０ｇの溶液それぞれ１８０ｍｌを
装入した。引き続きポリカルボシラン溶液をグリニャー
ル溶液といっしょに氷浴で冷却して緩慢に滴加した。添
加終了後更に無水ジエチルエーテル２００ｍｌを加え
た。引き続き反応溶液を室温で２〜３日撹拌した。反応
溶液を氷冷却した塩化アンモニウム水溶液７００ｍｌに
移行した。未溶解部分を濾過し、有機相を分離漏斗内で
分離し、回転蒸発機で濃縮した。残留する残留物を塩化
メチレンに取り、再び濾過した。引き続き回転蒸発機で
溶液を濃縮し、生成物を真空中で５０℃で乾燥した。暗
黄色の、高粘性の生成物が７５〜８０％の収率で得られ
た。
００ｍｌ三つ口フラスコからなる標準装置内に、保護ガ
ス雰囲気下で無水ジエチルエーテル５０ｍｌを装入し
た。滴加漏斗で１．０モルビニルマグネシウムブロミド
−ＴＨＦ溶液および無水ジエチルエーテル５０ｍｌ中の
塩素含量５６．４重量％を有するポリ（ジクロルシリレ
ン−コ−メチレン）１０ｇの溶液それぞれ１８０ｍｌを
装入した。引き続きポリカルボシラン溶液をグリニャー
ル溶液といっしょに氷浴で冷却して緩慢に滴加した。添
加終了後更に無水ジエチルエーテル２００ｍｌを加え
た。引き続き反応溶液を室温で２〜３日撹拌した。反応
溶液を氷冷却した塩化アンモニウム水溶液７００ｍｌに
移行した。未溶解部分を濾過し、有機相を分離漏斗内で
分離し、回転蒸発機で濃縮した。残留する残留物を塩化
メチレンに取り、再び濾過した。引き続き回転蒸発機で
溶液を濃縮し、生成物を真空中で５０℃で乾燥した。暗
黄色の、高粘性の生成物が７５〜８０％の収率で得られ
た。
【００５７】例６ 紡糸 ポリ（メチルクロル）シラン−コ−スチレンを保護ガス
（アルゴン）下で１００℃で溶融し、嫌気性条件下で紡
糸装置の圧力ヘッドに充填した。１３０℃および押出し
圧力２５〜３０バールでポリシランを紡糸ノズルにより
押し出した。圧力媒体として高純度の不活性ガス（窒素
またはアルゴン）を使用した。
（アルゴン）下で１００℃で溶融し、嫌気性条件下で紡
糸装置の圧力ヘッドに充填した。１３０℃および押出し
圧力２５〜３０バールでポリシランを紡糸ノズルにより
押し出した。圧力媒体として高純度の不活性ガス（窒素
またはアルゴン）を使用した。
【００５８】紡糸ノズルは毛細管直径２００μｍを有し
た。毛細管長さ／直径比は２：１または３：１であっ
た。ノズル流入口は乱流を減少するために６０°の角度
であった。ノズル流出口に形成されたフィラメントを延
伸装置に巻き取った。延伸装置のスプールの回転数を介
して繊維フィラメントを直径１０〜２５μｍに延伸する
ことが実現できた。
た。毛細管長さ／直径比は２：１または３：１であっ
た。ノズル流入口は乱流を減少するために６０°の角度
であった。ノズル流出口に形成されたフィラメントを延
伸装置に巻き取った。延伸装置のスプールの回転数を介
して繊維フィラメントを直径１０〜２５μｍに延伸する
ことが実現できた。
【００５９】例７ 寸法安定化 例６で製造したガラス繊維をガス供給および排出導管を
有する気密容器に導入した。この容器を外から１Ｋ／分
で１５０℃に加熱した。その際寸法安定工程の開始時に
フィラメントの付着を避けるために溶融範囲より少なく
とも３０Ｋ低い温度をこえないようにした。安定化工程
を６０℃で開始した。
有する気密容器に導入した。この容器を外から１Ｋ／分
で１５０℃に加熱した。その際寸法安定工程の開始時に
フィラメントの付着を避けるために溶融範囲より少なく
とも３０Ｋ低い温度をこえないようにした。安定化工程
を６０℃で開始した。
【００６０】容器を反応ガス混合物で洗浄した（５ｌ／
ｈ）。
ｈ）。
【００６１】反応ガスとしてアルゴン９０容量％および
アンモニア１０容量％からなる混合物を使用した。１５
０℃の温度に１時間維持した。
アンモニア１０容量％からなる混合物を使用した。１５
０℃の温度に１時間維持した。
【００６２】例８ 熱分解 例６で製造した寸法安定化した繊維を閉鎖可能な鋼玉の
管に入れ、アルゴンで洗浄した炉に入れた。５Ｋ／分の
加熱工程により、繊維を１１００℃で１時間にわたって
熱分解した。
管に入れ、アルゴンで洗浄した炉に入れた。５Ｋ／分の
加熱工程により、繊維を１１００℃で１時間にわたって
熱分解した。
【００６３】Ｘ線相分析により、得られた繊維が１．６
ｎｍの平均結晶子大きさを有するナノ結晶のβ−炭化珪
素からなることが示された。
ｎｍの平均結晶子大きさを有するナノ結晶のβ−炭化珪
素からなることが示された。
【００６４】燃焼法による酸素分析により繊維中の酸素
０．２％を検出した。
０．２％を検出した。
【００６５】ＩＲスペクトル分析によりもっぱらＳｉ−
Ｃ骨格振動が示された。
Ｃ骨格振動が示された。
【００６６】同様に燃焼法により行った炭素含量の測定
によりごくわずかの量の遊離炭素が示された。炭素含量
１〜２％が測定された。
によりごくわずかの量の遊離炭素が示された。炭素含量
１〜２％が測定された。
【００６７】熱分析法による熱負荷能力の検査により不
活性雰囲気（窒素またはアルゴン）下で１６００℃まで
の温度で著しい質量損失が認められなかった。
活性雰囲気（窒素またはアルゴン）下で１６００℃まで
の温度で著しい質量損失が認められなかった。
【００６８】繊維の損傷、たとえば孔、亀裂、剥離はＲ
ＥＭ分析により認められなかった。
ＥＭ分析により認められなかった。
【００６９】
【表１】
【００７０】 第２表 ポリ（シラン−コ−スチレン）Ｎｏ１０から製造された繊維の熱分解温度と、 引張り強さおよびＥ−モジュールとの関係 繊維製造温度 引張り強さ Ｅ−モジュール ９００℃ １．１ＧＰａ １８０ＧＰａ １０００℃ １．７ＧＰａ ２０４ＧＰａ １１００℃ ２．２ＧＰａ ２６０ＧＰａ １２００℃ １．９ＧＰａ ２５３ＧＰａ 例３ １１００℃で製造されたＳｉＣ繊維のアルゴン雰囲気内の熱的負荷能力 温度 引張り強さ Ｅ−モジュール １４００℃ ２．０ＧＰａ ２６１ＧＰａ １６００℃ ２．０ＧＰａ ２５８ＧＰａ １７００℃ １．９ＧＰａ ２５７ＧＰａ １８００℃ １．７ＧＰａ ２５２ＧＰａ
【図１】１０００℃で熱分解したポリ（メチルクロルシ
ラン−コ−スチレン）のＩＲスペクトルを示す。９００
〜６５０ｃｍ~1の範囲のＳｉＣ伸縮振動が認められるこ
とが明らかである。図面においてＹ軸は透過率を表し、
Ｘ軸は波数（ｃｍ~1）を表す。
ラン−コ−スチレン）のＩＲスペクトルを示す。９００
〜６５０ｃｍ~1の範囲のＳｉＣ伸縮振動が認められるこ
とが明らかである。図面においてＹ軸は透過率を表し、
Ｘ軸は波数（ｃｍ~1）を表す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ゲルハルト レーヴァー ドイツ連邦共和国 フライベルク ヒェム ニッツァー シュトラーセ 47 (72)発明者 エバーハルト ミュラー ドイツ連邦共和国 イェーナ ヴェルナー −ゼーレンビンダー−シュトラーセ 18 (72)発明者 ハンス クレーマー ドイツ連邦共和国 ヒルベルスドルフ ハ ウプトシュトラーセ 36 (72)発明者 ペーター ザルトリー ドイツ連邦共和国 ラインベルク フォン ブリンゲンシュトラーセ 62 (72)発明者 アンドレアス エールシュレーガー ドイツ連邦共和国 ミュールハイム アン デア ルール フーシュタットヴェーク 21 (72)発明者 ヴォルフガング ハーベル ドイツ連邦共和国 ミュールハイム アン デア ルール デュスターヴェーク 21 アー (72)発明者 ベルンハルト ハルナック ドイツ連邦共和国 ドゥイスブルク アウ グスタシュトラーセ 14
Claims (6)
- 【請求項１】 酸素不含または酸素含量の少ない炭化珪
素成形体を製造する方法において、化学的反応中心を有
するポリマーの珪素有機化合物を不活性条件下で、反応
ガスの存在下で紡糸することにより、または熱処理によ
り寸法安定化し、その後嫌気性条件下で不活性雰囲気内
で１０００℃より高い温度で熱分解することを特徴とす
る酸素不含または酸素含量の少ない炭化珪素成形体の製
造方法。 - 【請求項２】 一般式Ｉ： 【化１】 ［式中、 Ｒ1は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロア
ルキル基、アリール基またはアリールアルキル基を表
し、その際、同一のポリカルボシランの種々の単位中の
Ｒ1は異なるものを表してもよく、 Ｒ2はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、
アリール基またはアリールアルキル基を表し、その際、
同一のポリカルボシランの種々の単位中のＲ2は異なる
ものを表してもよく、かつＡは直鎖または分枝鎖状のア
ルキレン基、アリーレン基、置換されたアリーレン基ま
たはシクロアルキレン基を表し、その際、同一のポリカ
ルボシランの種々の単位中のＡは異なるものを表しても
よい］で示される構造単位をベースとするポリカルボシ
ランを使用する請求項１記載の炭化珪素成形体の製造方
法。 - 【請求項３】 ジシランの触媒作用させた不均化により
製造された、一般式ＩＩ： 【化２】 ［式中、 Ｒ3はハロゲン原子、水素原子、アルキル基、シクロア
ルキル基、アリール基、アリールアルキル基、シリル
基、シリレン基を表し、その際、同一のポリシランの種
々の単位または同一のポリカルボシランの種々の単位中
のＲ3は異なるものを表してもよく、 Ｒ4はハロゲン原子、水素原子、アルキル基、シクロア
ルキル基、アリール基、アリールアルキル基、シリル
基、シリレン基を表し、その際、同一のポリシランの種
々の単位または同一のポリカルボシランの種々の単位中
のＲ4は異なるものを表してもよく、かつＡはシリレン
基、直鎖または分枝鎖状のアルキレン基、シクロアルキ
レン基、アリーレン基または置換されたアリーレン基ま
たは錯安定化した金属を表し、その際、同一のポリシラ
ンの種々の単位または同一のポリカルボシランの種々の
単位中のＡは異なるものを表してもよい］で示される構
造単位をベースとするポリシランまたはポリカルボシラ
ンを使用する請求項１記載の炭化珪素成形体の製造方
法。 - 【請求項４】 一般式ＩＩＩ： 【化３】 ［式中、 Ｒ5はハロゲン原子、水素原子、アルキル基、シクロア
ルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニ
ル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、プロパルギ
ル基、シクロアルキニル基を表し、その際、同一のポリ
カルボシランの種々の単位中のＲ5は異なるものを表し
てもよく、 Ｒ6はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、
アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、シク
ロアルケニル基、アルキニル基、プロパルギル基、シク
ロアルキニル基を表し、その際、同一のポリカルボシラ
ンの種々の単位中のＲ6は異なるものを表してもよく、
かつＡは直鎖または分枝鎖状のアルキレン基、シクロア
ルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリー
レン基または置換されたアリーレン基を表し、その際、
同一のポリカルボシランの種々の単位中のＡは異なるも
のを表してもよい］で示される構造単位をベースとする
ポリカルボシランを使用する請求項１記載の炭化珪素成
形体の製造方法。 - 【請求項５】 寸法安定化するために、反応ガスとして
アンモニアまたはメチルアミンまたは硫化水素を、アル
ゴンとのガス混合物でまたは純粋な形で使用する請求項
１記載の炭化珪素成形体の製造方法。 - 【請求項６】 寸法安定化を反応ガスの存在下で、嫌気
性条件下で、使用されるポリシランまたはポリカルボシ
ランの溶融範囲に近い温度に緩慢に温度を上昇して実施
する請求項１記載の炭化珪素成形体の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4405603.6 | 1994-02-22 | ||
| DE4405603A DE4405603A1 (de) | 1994-02-22 | 1994-02-22 | Verfahren zur Herstellung von sauerstofffreien bzw. sauerstoffarmen hochtemperaturbeständigen Siliciumcarbidformkörpern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07267620A true JPH07267620A (ja) | 1995-10-17 |
Family
ID=6510847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7032566A Abandoned JPH07267620A (ja) | 1994-02-22 | 1995-02-21 | 酸素不含または酸素含量の少ない炭化珪素成形体の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5616308A (ja) |
| EP (1) | EP0668254B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07267620A (ja) |
| DE (2) | DE4405603A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006151704A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Ngk Insulators Ltd | 炭化珪素質多孔体及びその製造方法 |
| JP2007278117A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Ebara Corp | ポンプ用摺動部材及びポンプ |
| JP2012501290A (ja) * | 2008-08-29 | 2012-01-19 | ダウ コーニング コーポレーション | ナノ粒子を含む繊維およびナノ粒子を製造する方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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