JPH07263846A - 半田ブリッジ防止方法 - Google Patents
半田ブリッジ防止方法Info
- Publication number
- JPH07263846A JPH07263846A JP7800094A JP7800094A JPH07263846A JP H07263846 A JPH07263846 A JP H07263846A JP 7800094 A JP7800094 A JP 7800094A JP 7800094 A JP7800094 A JP 7800094A JP H07263846 A JPH07263846 A JP H07263846A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductors
- resist
- solder
- tops
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 プリント回路板及びＴＡＢテープ製造工程に
おいて、永久レジストとしてポリイミド系樹脂よりなる
被膜を導体及び導体間に形成した後、該被膜を化学エッ
チングにより導体の頂部が露出するまで除去し、露出し
た導体上に半田めっきを施すことを特徴とする半田ブリ
ッジ防止方法。 【効果】 本発明によれば、導体を除いたスペースだけ
にレジストを印刷する必要がなく、所謂ベタ印刷でレジ
ストの印刷が可能となり、導体間への半田の流れ出量が
皆無となり、生産性が極めて高くなり、ファインパター
ンを有する各種電子回路、特に狹ピッチであるＴＡＢテ
ープアウターリードの半田付けにおける半田ブリッジを
防止するのに最適である。
おいて、永久レジストとしてポリイミド系樹脂よりなる
被膜を導体及び導体間に形成した後、該被膜を化学エッ
チングにより導体の頂部が露出するまで除去し、露出し
た導体上に半田めっきを施すことを特徴とする半田ブリ
ッジ防止方法。 【効果】 本発明によれば、導体を除いたスペースだけ
にレジストを印刷する必要がなく、所謂ベタ印刷でレジ
ストの印刷が可能となり、導体間への半田の流れ出量が
皆無となり、生産性が極めて高くなり、ファインパター
ンを有する各種電子回路、特に狹ピッチであるＴＡＢテ
ープアウターリードの半田付けにおける半田ブリッジを
防止するのに最適である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ半田接合におけ
る半田ブリッジを防止する方法に関し、より詳しくは３
００ミクロンメーターピッチ以下の狭ピッチ回路又は端
子の半田接合においても半田ブリッジによるショートの
危険性を回避し得る半田ブリッジの防止方法に係る。
る半田ブリッジを防止する方法に関し、より詳しくは３
００ミクロンメーターピッチ以下の狭ピッチ回路又は端
子の半田接合においても半田ブリッジによるショートの
危険性を回避し得る半田ブリッジの防止方法に係る。
【０００２】
【従来の技術およびその問題点】近年におけるプリント
回路板及びＴＡＢテープ等のＩＣリードにおける実装に
際し、高機能化に伴うリードの狭ピッチ化により半田接
合時に半田ブリッジによるショートが発生し易くなって
いる。図２は従来の方法により半田接合する場合を説明
するものであり、基材１上に狹ピッチで形成されたパタ
ーン２に半田接合する場合、半田５がパターン２上及び
側面にも付着するためパターン２の根元のギャップは極
めて僅かしかなくなってしまう。特にピッチ間距離が３
００ミクロンメーターを下回る場合、半田ブリッジによ
るショート危険性が極めて高くなる。特に導体の側面が
露出している回路においては、半田５がその側面にも付
着し、これが流れ出して半田ブリッジ６を形成する。
回路板及びＴＡＢテープ等のＩＣリードにおける実装に
際し、高機能化に伴うリードの狭ピッチ化により半田接
合時に半田ブリッジによるショートが発生し易くなって
いる。図２は従来の方法により半田接合する場合を説明
するものであり、基材１上に狹ピッチで形成されたパタ
ーン２に半田接合する場合、半田５がパターン２上及び
側面にも付着するためパターン２の根元のギャップは極
めて僅かしかなくなってしまう。特にピッチ間距離が３
００ミクロンメーターを下回る場合、半田ブリッジによ
るショート危険性が極めて高くなる。特に導体の側面が
露出している回路においては、半田５がその側面にも付
着し、これが流れ出して半田ブリッジ６を形成する。
【０００３】このため、これを防止するために導体回路
の表面と基材（サブストレート）の高さを同一レベルと
する方法が色々とと考えられてきた。例えば、回路を転
写する方法とか、高さを極小にできるアディティブ法、
特開平３−２０６６５５号公報に示されるような導体ス
ペース間に樹脂を印刷する方法等が挙げられるが、コス
トの面や特性面、量産化実施の面でそれぞれ欠点を有し
ている。すなわち、ピッチ間隔が３００ミクロンメータ
ー以下の場合、例えば特開平３−２０６６５５号公報に
示される方法であれば、従来の技術では導体の部所を除
いて導体を汚染せずレジストを印刷することは至難の技
であり、位置合わせ精度が極端に良くレジストの硬化時
の流動性も皆無でなければなれないので、材料面からも
技術面からも極めて困難であり、歩留りが極端に悪くな
るものである。
の表面と基材（サブストレート）の高さを同一レベルと
する方法が色々とと考えられてきた。例えば、回路を転
写する方法とか、高さを極小にできるアディティブ法、
特開平３−２０６６５５号公報に示されるような導体ス
ペース間に樹脂を印刷する方法等が挙げられるが、コス
トの面や特性面、量産化実施の面でそれぞれ欠点を有し
ている。すなわち、ピッチ間隔が３００ミクロンメータ
ー以下の場合、例えば特開平３−２０６６５５号公報に
示される方法であれば、従来の技術では導体の部所を除
いて導体を汚染せずレジストを印刷することは至難の技
であり、位置合わせ精度が極端に良くレジストの硬化時
の流動性も皆無でなければなれないので、材料面からも
技術面からも極めて困難であり、歩留りが極端に悪くな
るものである。
【０００４】本発明は上記問題点を解消し、プリント回
路板及びＴＡＢテープ等のＩＣリードにおける実装に際
し、近時の狹ピッチ化にも十分対応でき、ショート発生
の危険性を回避し得る半田ブリッジの防止方法を提供す
ることを目的とする。
路板及びＴＡＢテープ等のＩＣリードにおける実装に際
し、近時の狹ピッチ化にも十分対応でき、ショート発生
の危険性を回避し得る半田ブリッジの防止方法を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【問題点を解決するための手段】本発明方法は、プリン
ト回路板及びＴＡＢテープ製造工程において、永久レジ
ストとしてポリイミド系樹脂よりなる被膜を導体及び導
体間に形成した後、該被膜を化学エッチングにより導体
の頂部が露出するまで除去し、露出した導体上に半田め
っきを施すことを特徴とするものであり、これにより前
記問題点を解決したものである。
ト回路板及びＴＡＢテープ製造工程において、永久レジ
ストとしてポリイミド系樹脂よりなる被膜を導体及び導
体間に形成した後、該被膜を化学エッチングにより導体
の頂部が露出するまで除去し、露出した導体上に半田め
っきを施すことを特徴とするものであり、これにより前
記問題点を解決したものである。
【０００６】
【作用】本発明では導体及び導体間に一様に永久レジス
トを塗布し、この被膜を化学エッチングで導体の頂部が
露出するまで除去するため、この導体の頂部が露出した
時点で導体の高さと導体間に形成した永久レジストの高
さがほぼ等しくなり、しかも導体間には永久レジストが
存在するので、半田接合する場合に導体間には半田が付
着せず、露出した導体頂部にのみ半田が付着し、従って
導体間に半田が流れて生じる半田ブリッジが防止され
る。
トを塗布し、この被膜を化学エッチングで導体の頂部が
露出するまで除去するため、この導体の頂部が露出した
時点で導体の高さと導体間に形成した永久レジストの高
さがほぼ等しくなり、しかも導体間には永久レジストが
存在するので、半田接合する場合に導体間には半田が付
着せず、露出した導体頂部にのみ半田が付着し、従って
導体間に半田が流れて生じる半田ブリッジが防止され
る。
【０００７】本発明で永久レジストとしては、ポリイミ
ド系樹脂とし、化学エッチング液によって容易にエッチ
ングされ得るものとする。また、このポリイミド系レジ
ストのエッチング液としては、アルカリ−ヒドラジン
系、又はアルカリ−尿素系、アミン系のものがエッチン
グスピードが大きく、導体上のポリイミド層を完全に除
去することができることから好ましい。アミン系エッチ
ング液はスピードは遅いがアルカリ残留物を残す恐れが
ない。
ド系樹脂とし、化学エッチング液によって容易にエッチ
ングされ得るものとする。また、このポリイミド系レジ
ストのエッチング液としては、アルカリ−ヒドラジン
系、又はアルカリ−尿素系、アミン系のものがエッチン
グスピードが大きく、導体上のポリイミド層を完全に除
去することができることから好ましい。アミン系エッチ
ング液はスピードは遅いがアルカリ残留物を残す恐れが
ない。
【０００８】以下、図１を参照して本発明方法の工程を
説明する。図１（ａ）は基材１上に銅導体３からなるパ
ターンを形成した例えばＴＡＢテープ等の超ファインパ
ターンを示すものである。このパターン上にポリイミド
系レジスト（ワニスでもよい）４を導体３の高さよりも
若干高くなるように全面印刷する（図１（ｂ））。レジ
ストの印刷はスクリーン印刷法、タンポ印刷法その他の
印刷法が適用でき、所謂ベタ印刷が可能である。次い
で、前述したようなアルカリ−ヒドラジン系、又はアル
カリ−尿素系、アミン系等の化学エッチング液を用いて
ポリイミド系レジスト４を導体３の頂部が露出するまで
除去する（図１（ｃ））。これにより導体３の頂部が僅
かにエッチング除去される（これによりレジン油が除去
される）とともに導体３の間に充填されたポリイミド系
レジスト４の高さが導体３の高さと同一レベルになる。
次いで、半田を露出した導体３の頂部に０．５〜２０ミ
クロンメーター程度の厚さで付着させる（図１
（ｄ））。この際、半田は導体間にレジストが充填され
ているので導体間には流れ出ず、導体頂部のみに付着す
る。
説明する。図１（ａ）は基材１上に銅導体３からなるパ
ターンを形成した例えばＴＡＢテープ等の超ファインパ
ターンを示すものである。このパターン上にポリイミド
系レジスト（ワニスでもよい）４を導体３の高さよりも
若干高くなるように全面印刷する（図１（ｂ））。レジ
ストの印刷はスクリーン印刷法、タンポ印刷法その他の
印刷法が適用でき、所謂ベタ印刷が可能である。次い
で、前述したようなアルカリ−ヒドラジン系、又はアル
カリ−尿素系、アミン系等の化学エッチング液を用いて
ポリイミド系レジスト４を導体３の頂部が露出するまで
除去する（図１（ｃ））。これにより導体３の頂部が僅
かにエッチング除去される（これによりレジン油が除去
される）とともに導体３の間に充填されたポリイミド系
レジスト４の高さが導体３の高さと同一レベルになる。
次いで、半田を露出した導体３の頂部に０．５〜２０ミ
クロンメーター程度の厚さで付着させる（図１
（ｄ））。この際、半田は導体間にレジストが充填され
ているので導体間には流れ出ず、導体頂部のみに付着す
る。
【０００９】
【実施例】通常のファインピッチＴＡＢテープ（アウタ
ーリードピッチ１００ミクロン、４８０ピン）の製造工
程において、銅エッチングにより回路を形成した後、化
学エッチャントでエッチングされうるポリイミド系レジ
ストをＴＡＢのアウターリード部にスクリーン印刷機で
ベタ印刷した。その厚みは、乾燥硬化した後導体と導体
間のスペース部のレジストの厚みが導体の厚み（通常１
２ミクロンメーター〜３０ミクロンメーター、本実施例
では銅導体厚み１６ミクロンメーターに対し、焼き付け
後のポリイミド厚み１８ミクロンメーター）のレベルに
達するような膜厚にベタ印刷した。１８０℃〜２２０℃
で硬化させた後、導体上に残るポリイミド系レジストを
アルカリ−ヒドラジン系の化学エッチング液で軽くエッ
チングして、回路の頂部の銅表面を露出させ、この上に
電気めっきにより約１０ミクロンメーターの厚みの半田
めっき（８５Ｓｎ−１５Ｐｂ）をアルカーノールスルホ
ン酸系半田浴を用いて１デシ平方メーター当たりの陰極
電流密度が１０アンペアで約２分間のめっきを施した。
接続する相手側として、１００ミクロン厚のポリイミド
フィルム上にスパッタリングにより４ミクロンメーター
厚の銅を積層させ、この銅層を通常の写真法でエッチン
グしてＴＡＢのアウターリードと同ピッチの回路を作成
した。
ーリードピッチ１００ミクロン、４８０ピン）の製造工
程において、銅エッチングにより回路を形成した後、化
学エッチャントでエッチングされうるポリイミド系レジ
ストをＴＡＢのアウターリード部にスクリーン印刷機で
ベタ印刷した。その厚みは、乾燥硬化した後導体と導体
間のスペース部のレジストの厚みが導体の厚み（通常１
２ミクロンメーター〜３０ミクロンメーター、本実施例
では銅導体厚み１６ミクロンメーターに対し、焼き付け
後のポリイミド厚み１８ミクロンメーター）のレベルに
達するような膜厚にベタ印刷した。１８０℃〜２２０℃
で硬化させた後、導体上に残るポリイミド系レジストを
アルカリ−ヒドラジン系の化学エッチング液で軽くエッ
チングして、回路の頂部の銅表面を露出させ、この上に
電気めっきにより約１０ミクロンメーターの厚みの半田
めっき（８５Ｓｎ−１５Ｐｂ）をアルカーノールスルホ
ン酸系半田浴を用いて１デシ平方メーター当たりの陰極
電流密度が１０アンペアで約２分間のめっきを施した。
接続する相手側として、１００ミクロン厚のポリイミド
フィルム上にスパッタリングにより４ミクロンメーター
厚の銅を積層させ、この銅層を通常の写真法でエッチン
グしてＴＡＢのアウターリードと同ピッチの回路を作成
した。
【００１０】次に、パルスヒート型熱圧着機により、２
６０℃で１０秒、３０ｋｇ／平方センチメーターの圧力
でこの両者を半田付けした。半田付け時の半田ブリッジ
の発生数を裏面からの目視検査及びテスターによる導通
検査により調べ、本発明のような処理（ポリイミド樹脂
を印刷しエッチング処理）をしない従来のＴＡＢ半田め
っき品と比較した。その結果を表１に示す。表１より従
来のＴＡＢ半田めっき品では４８０ピン中数箇所の半田
ブリッジが観察されたのに対し、本方法によるＴＡＢで
は皆無であった。
６０℃で１０秒、３０ｋｇ／平方センチメーターの圧力
でこの両者を半田付けした。半田付け時の半田ブリッジ
の発生数を裏面からの目視検査及びテスターによる導通
検査により調べ、本発明のような処理（ポリイミド樹脂
を印刷しエッチング処理）をしない従来のＴＡＢ半田め
っき品と比較した。その結果を表１に示す。表１より従
来のＴＡＢ半田めっき品では４８０ピン中数箇所の半田
ブリッジが観察されたのに対し、本方法によるＴＡＢで
は皆無であった。
【００１１】
【表１】
【００１２】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、導体を
除いたスペースだけにレジストを印刷する必要がなく、
所謂ベタ印刷でレジストの印刷が可能となり、導体間へ
の半田の流れ出量が皆無となり、生産性が極めて高くな
り、ファインパターンを有する各種電子回路、特に狹ピ
ッチであるＴＡＢテープアウターリードの半田付けにお
ける半田ブリッジを防止するのに最適である。
除いたスペースだけにレジストを印刷する必要がなく、
所謂ベタ印刷でレジストの印刷が可能となり、導体間へ
の半田の流れ出量が皆無となり、生産性が極めて高くな
り、ファインパターンを有する各種電子回路、特に狹ピ
ッチであるＴＡＢテープアウターリードの半田付けにお
ける半田ブリッジを防止するのに最適である。
【図１】本発明方法を実施する場合の工程を示す断面説
明図である。
明図である。
【図２】従来方法により半田付けした場合の断面説明図
である。
である。
１ 基材 ２ パターン ３ 導体 ４ レジスト ５ 半田めっき被膜 ６ 半田ブリッジ
Claims (1)
- 【請求項１】 プリント回路板及びＴＡＢテープ製造工
程において、永久レジストとしてポリイミド系樹脂より
なる被膜を導体及び導体間に形成した後、該被膜を化学
エッチングにより導体の頂部が露出するまで除去し、露
出した導体上に半田めっきを施すことを特徴とする半田
ブリッジ防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7800094A JPH07263846A (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | 半田ブリッジ防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7800094A JPH07263846A (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | 半田ブリッジ防止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263846A true JPH07263846A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=13649543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7800094A Pending JPH07263846A (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | 半田ブリッジ防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07263846A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005109496A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Phoenix Precision Technology Corp | プリ半田構造を形成するための半導体パッケージ基板及びプリ半田構造が形成された半導体パッケージ基板、並びにこれらの製法 |
| JP2009239142A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Fujitsu Ltd | 突起電極を有する基板の製造方法 |
-
1994
- 1994-03-24 JP JP7800094A patent/JPH07263846A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005109496A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Phoenix Precision Technology Corp | プリ半田構造を形成するための半導体パッケージ基板及びプリ半田構造が形成された半導体パッケージ基板、並びにこれらの製法 |
| JP4660643B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2011-03-30 | 欣興電子股▲分▼有限公司 | プリ半田構造を形成するための半導体パッケージ基板及びプリ半田構造が形成された半導体パッケージ基板、並びにこれらの製法 |
| JP2009239142A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Fujitsu Ltd | 突起電極を有する基板の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040525 |