JPH0725945A - 珪素を有する新規重合性化合物、珪素含有線状重合体および珪素含有線状共重合体ならびにこれらの製造方法 - Google Patents
珪素を有する新規重合性化合物、珪素含有線状重合体および珪素含有線状共重合体ならびにこれらの製造方法Info
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- JPH0725945A JPH0725945A JP21673793A JP21673793A JPH0725945A JP H0725945 A JPH0725945 A JP H0725945A JP 21673793 A JP21673793 A JP 21673793A JP 21673793 A JP21673793 A JP 21673793A JP H0725945 A JPH0725945 A JP H0725945A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 メチル基に３ヶ以上の複数のシリル基が導入
されたメチルスチレン誘導体、４ヶのシリル基を有する
メチルスチレン誘導体、３ヶ以上の複数のシリル基を側
鎖に有する線状重合体および３ヶ以上の複数のシリル基
を側鎖に有する線状共重合体ならびにこれらの製造方法
の提供。 【構成】 下記構造式（Ｉ）、構造式（II）および構造
式（Ｘ）のうちから選択される一種以上の単量体と、下
記構造式（IV）で示される他の単量体とを重合させて得
られる珪素含有線状共重合体。 【化１】
されたメチルスチレン誘導体、４ヶのシリル基を有する
メチルスチレン誘導体、３ヶ以上の複数のシリル基を側
鎖に有する線状重合体および３ヶ以上の複数のシリル基
を側鎖に有する線状共重合体ならびにこれらの製造方法
の提供。 【構成】 下記構造式（Ｉ）、構造式（II）および構造
式（Ｘ）のうちから選択される一種以上の単量体と、下
記構造式（IV）で示される他の単量体とを重合させて得
られる珪素含有線状共重合体。 【化１】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は珪素を有する新規重合性
化合物、珪素含有線状重合体および珪素含有線状共重合
体ならびにこれらの製造方法に関するものであり、さら
に詳しくは３ヶ以上の複数のシリル基を有するメチルス
チレン誘導体、３ヶ以上の複数のシリル基を側鎖に有す
る線状重合体および３ヶ以上の複数のシリル基を側鎖に
有する線状共重合体ならびにこれらの製造方法に関す
る。
化合物、珪素含有線状重合体および珪素含有線状共重合
体ならびにこれらの製造方法に関するものであり、さら
に詳しくは３ヶ以上の複数のシリル基を有するメチルス
チレン誘導体、３ヶ以上の複数のシリル基を側鎖に有す
る線状重合体および３ヶ以上の複数のシリル基を側鎖に
有する線状共重合体ならびにこれらの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来からスチレン誘導体は、その重合性
を利用した機能性高分子の合成原料等として開発されて
きた。このようなスチレン誘導体のなかでもシリル基を
有するスチレン誘導体は、高い酸素溶解度を示す空気分
離膜材料やレジスト材として注目されている。シリル基
を有するスチレン誘導体としては、ｐートリメチルシリ
ルスチレン、ｐートリメチルシリルメチルスチレン、ジ
メチルフェニルシリルスチレン、ｐービストリメチルシ
リルメチルスチレン等が知られている。
を利用した機能性高分子の合成原料等として開発されて
きた。このようなスチレン誘導体のなかでもシリル基を
有するスチレン誘導体は、高い酸素溶解度を示す空気分
離膜材料やレジスト材として注目されている。シリル基
を有するスチレン誘導体としては、ｐートリメチルシリ
ルスチレン、ｐートリメチルシリルメチルスチレン、ジ
メチルフェニルシリルスチレン、ｐービストリメチルシ
リルメチルスチレン等が知られている。
【０００３】ところで、本発明者はシリル基の導入率が
高いものほど酸素の溶解度が高くなる傾向にあることを
見いだし、高選択透過性空気分離膜材料として、できる
だけ多くのシリル基が導入されたスチレン誘導体の合成
を試みた。例えば、ジイソプロピルアミンとアルキルリ
チウムの混合によって調整したリチウムジイソプロピル
アミド溶液と、ｐ−メチルスチレンとの溶液反応で、ｐ
−メチルスチレンのメチル基をリチオ化した後、この溶
液にクロロシラン化合物を加えて反応させることで、ｐ
ービストリメチルシリルメチルスチレン（ＢＳＭＳ）を
一段の反応で合成する方法を特公昭６３−５５５１５号
公報で提案している。しかしながら、このような従来の
合成方法によって、メチルスチレンのメチル基に導入で
きるシリル基は２ヶまでであり、メチル基に３ヶ以上の
複数のシリル基が導入されたメチルスチレン誘導体、４
ヶのシリル基を有するメチルスチレン誘導体およびこれ
らの製造方法は知られていなかった。また、３ヶ以上の
複数のシリル基を側鎖に有する線状重合体ならびに３ヶ
以上の複数のシリル基を側鎖に有する線状共重合体とこ
れらの製造方法も知られていなかった。
高いものほど酸素の溶解度が高くなる傾向にあることを
見いだし、高選択透過性空気分離膜材料として、できる
だけ多くのシリル基が導入されたスチレン誘導体の合成
を試みた。例えば、ジイソプロピルアミンとアルキルリ
チウムの混合によって調整したリチウムジイソプロピル
アミド溶液と、ｐ−メチルスチレンとの溶液反応で、ｐ
−メチルスチレンのメチル基をリチオ化した後、この溶
液にクロロシラン化合物を加えて反応させることで、ｐ
ービストリメチルシリルメチルスチレン（ＢＳＭＳ）を
一段の反応で合成する方法を特公昭６３−５５５１５号
公報で提案している。しかしながら、このような従来の
合成方法によって、メチルスチレンのメチル基に導入で
きるシリル基は２ヶまでであり、メチル基に３ヶ以上の
複数のシリル基が導入されたメチルスチレン誘導体、４
ヶのシリル基を有するメチルスチレン誘導体およびこれ
らの製造方法は知られていなかった。また、３ヶ以上の
複数のシリル基を側鎖に有する線状重合体ならびに３ヶ
以上の複数のシリル基を側鎖に有する線状共重合体とこ
れらの製造方法も知られていなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情に
鑑みてなされたもので、メチル基に３ヶ以上の複数のシ
リル基が導入されたメチルスチレン誘導体、４ヶのシリ
ル基を有するメチルスチレン誘導体、３ヶ以上の複数の
シリル基を側鎖に有する線状重合体および３ヶ以上の複
数のシリル基を側鎖に有する線状共重合体ならびにこれ
らの製造方法を提供することにある。
鑑みてなされたもので、メチル基に３ヶ以上の複数のシ
リル基が導入されたメチルスチレン誘導体、４ヶのシリ
ル基を有するメチルスチレン誘導体、３ヶ以上の複数の
シリル基を側鎖に有する線状重合体および３ヶ以上の複
数のシリル基を側鎖に有する線状共重合体ならびにこれ
らの製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記構造式
（III）
（III）
【０００６】
【化３３】
【０００７】（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示さ
れるトリス（トリメチルシリル）クロリドと、メチル基
をリチオ化したメチルスチレンを溶液中で反応させて、
下記構造式（Ｉ）または（II）
れるトリス（トリメチルシリル）クロリドと、メチル基
をリチオ化したメチルスチレンを溶液中で反応させて、
下記構造式（Ｉ）または（II）
【０００８】
【化３４】
【０００９】（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示さ
れる珪素を有する新規重合性化合物を製造することを特
徴とする。
れる珪素を有する新規重合性化合物を製造することを特
徴とする。
【００１０】また、下記構造式（Ｉ）または（II）
【００１１】
【化３５】
【００１２】（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示さ
れる単量体を重合させて、下記構造式（Ａ）または
（Ｂ）
れる単量体を重合させて、下記構造式（Ａ）または
（Ｂ）
【００１３】
【化３６】
【００１４】（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示さ
れる重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，００
０，０００である珪素含有線状重合体を製造することを
特徴とする。
れる重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，００
０，０００である珪素含有線状重合体を製造することを
特徴とする。
【００１５】また、下記構造式（Ｉ）および（II）
【００１６】
【化３７】
【００１７】（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示さ
れる単量体を重合させて、下記構造式（Ａ）および
（Ｂ）
れる単量体を重合させて、下記構造式（Ａ）および
（Ｂ）
【００１８】
【化３８】
【００１９】（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示さ
れる重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，００
０，０００であるである珪素含有線状共重合体を製造す
ることを特徴とする。
れる重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，００
０，０００であるである珪素含有線状共重合体を製造す
ることを特徴とする。
【００２０】また、下記構造式（Ｉ）および（IV）
【００２１】
【化３９】
【００２２】〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。Ｙおよ
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基で
あり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数または
異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で
示される単量体を重合させて、下記構造式（Ａ）および
（Ｃ）
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基で
あり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数または
異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で
示される単量体を重合させて、下記構造式（Ａ）および
（Ｃ）
【００２３】
【化４０】
【００２４】〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。Ｙおよ
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基で
あり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数または
異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で
示される重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，
０００，０００である珪素含有線状共重合体を製造する
ことを特徴とする。
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基で
あり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数または
異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で
示される重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，
０００，０００である珪素含有線状共重合体を製造する
ことを特徴とする。
【００２５】また、下記構造式（II）および（IV）
【００２６】
【化４１】
【００２７】〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。Ｙおよ
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ４は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ１、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基
であり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数また
は異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕
で示される単量体を重合させて、下記構造式（Ｂ）およ
び（Ｃ）
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ４は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ１、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基
であり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数また
は異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕
で示される単量体を重合させて、下記構造式（Ｂ）およ
び（Ｃ）
【００２８】
【化４２】
【００２９】〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。Ｙおよ
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ４はそれぞれ同じ基または異なる基
であり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数また
は異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕
で示される重合単位よりなり、分子量が２，０００〜
２，０００，０００である珪素含有線状共重合体を製造
することを特徴とする。
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ４はそれぞれ同じ基または異なる基
であり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数また
は異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕
で示される重合単位よりなり、分子量が２，０００〜
２，０００，０００である珪素含有線状共重合体を製造
することを特徴とする。
【００３０】また、下記構造式（Ｉ）、（ＩＩ）および
（IV）
（IV）
【００３１】
【化４３】
【００３２】〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。Ｙおよ
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基で
あり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数または
異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で
示される単量体を重合させて、下記構造式（Ａ）、
（Ｂ）および（Ｃ）
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基で
あり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数または
異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で
示される単量体を重合させて、下記構造式（Ａ）、
（Ｂ）および（Ｃ）
【００３３】
【化４４】
【００３４】〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。Ｙおよ
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基で
あり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数または
異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で
示される重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，
０００，０００である珪素含有線状共重合体を製造する
ことを特徴とする。
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基で
あり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数または
異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で
示される重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，
０００，０００である珪素含有線状共重合体を製造する
ことを特徴とする。
【００３５】また、下記構造式（III）
【００３６】
【化４５】
【００３７】（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示さ
れるトリス（トリメチルシリル）クロリドと、トリメチ
ルシリルメチル基をリチオ化したトリメチルシリルメチ
ルスチレンを溶液中で反応させて、下記構造式（Ｘ）
れるトリス（トリメチルシリル）クロリドと、トリメチ
ルシリルメチル基をリチオ化したトリメチルシリルメチ
ルスチレンを溶液中で反応させて、下記構造式（Ｘ）
【００３８】
【化４６】
【００３９】（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示さ
れる珪素を有する新規重合性化合物を製造することを特
徴とする。
れる珪素を有する新規重合性化合物を製造することを特
徴とする。
【００４０】また、下記構造式（Ｘ）
【００４１】
【化４７】
【００４２】（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示さ
れる単量体を重合させて、下記構造式（Ｄ）
れる単量体を重合させて、下記構造式（Ｄ）
【００４３】
【化４８】
【００４４】（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示さ
れる重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，００
０，０００である珪素含有線状重合体を製造することを
特徴とする。
れる重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，００
０，０００である珪素含有線状重合体を製造することを
特徴とする。
【００４５】また、下記構造式（Ｘ）および（Ｉ）
【００４６】
【化４９】
【００４７】（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示さ
れる単量体を重合させて、下記構造式（Ｄ）および
（Ａ）
れる単量体を重合させて、下記構造式（Ｄ）および
（Ａ）
【００４８】
【化５０】
【００４９】（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示さ
れる重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，００
０，０００である珪素含有線状共重合体を製造すること
を特徴とする。
れる重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，００
０，０００である珪素含有線状共重合体を製造すること
を特徴とする。
【００５０】また、下記構造式（Ｘ）および（II）
【００５１】
【化５１】
【００５２】（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示さ
れる単量体を重合させて、下記構造式（Ｄ）および
（Ｂ）
れる単量体を重合させて、下記構造式（Ｄ）および
（Ｂ）
【００５３】
【化５２】
【００５４】（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示さ
れる重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，００
０，０００である珪素含有線状共重合体を製造すること
を特徴とする。
れる重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，００
０，０００である珪素含有線状共重合体を製造すること
を特徴とする。
【００５５】また、下記構造式（Ｘ）および（IV）
【００５６】
【化５３】
【００５７】〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。Ｙおよ
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基で
あり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数または
異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で
示される単量体を重合させて、下記構造式（Ｄ）および
（Ｃ）
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基で
あり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数または
異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で
示される単量体を重合させて、下記構造式（Ｄ）および
（Ｃ）
【００５８】
【化５４】
【００５９】〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。Ｙおよ
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ４はそれぞれ同じ基または異なる基
であり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数また
は異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕
で示される重合単位よりなり、分子量が２，０００〜
２，０００，０００である珪素含有線状共重合体を製造
することを特徴とする。
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ４はそれぞれ同じ基または異なる基
であり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数また
は異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕
で示される重合単位よりなり、分子量が２，０００〜
２，０００，０００である珪素含有線状共重合体を製造
することを特徴とする。
【００６０】また、下記構造式（Ｘ）、（Ｉ）および
（ＩＩ）
（ＩＩ）
【００６１】
【化５５】
【００６２】（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示さ
れる単量体を重合させて、下記構造式（Ｄ）、（Ａ）お
よび（Ｂ）
れる単量体を重合させて、下記構造式（Ｄ）、（Ａ）お
よび（Ｂ）
【００６３】
【化５６】
【００６４】（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示さ
れる重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，００
０，０００である珪素含有線状共重合体を製造すること
を特徴とする。
れる重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，００
０，０００である珪素含有線状共重合体を製造すること
を特徴とする。
【００６５】また、下記構造式（Ｘ）、（Ｉ）および
（IV）
（IV）
【００６６】
【化５７】
【００６７】〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。Ｙおよ
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基で
あり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数または
異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で
示される単量体を重合させて、下記構造式（Ｄ）、
（Ａ）および（Ｃ）
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基で
あり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数または
異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で
示される単量体を重合させて、下記構造式（Ｄ）、
（Ａ）および（Ｃ）
【００６８】
【化５８】
【００６９】〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。Ｙおよ
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基で
あり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数または
異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で
示される重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，
０００，０００である珪素含有線状共重合体を製造する
ことを特徴とする。
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基で
あり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数または
異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で
示される重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，
０００，０００である珪素含有線状共重合体を製造する
ことを特徴とする。
【００７０】また、下記構造式（Ｘ）、（II）および
（IV）
（IV）
【００７１】
【化５９】
【００７２】〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。Ｙおよ
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基で
あり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数または
異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で
示される単量体を重合させて、下記構造式（Ｄ）、
（Ｂ）および（Ｃ）
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基で
あり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数または
異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で
示される単量体を重合させて、下記構造式（Ｄ）、
（Ｂ）および（Ｃ）
【００７３】
【化６０】
【００７４】〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。Ｙおよ
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基で
あり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数または
異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で
示される重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，
０００，０００である珪素含有線状共重合体を製造する
ことを特徴とする。
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基で
あり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数または
異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で
示される重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，
０００，０００である珪素含有線状共重合体を製造する
ことを特徴とする。
【００７５】また、下記構造式（Ｘ）、（Ｉ）、（II）
および（IV）
および（IV）
【００７６】
【化６１】
【００７７】〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。Ｙおよ
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基で
あり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数または
異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で
示される単量体を重合させて、下記構造式（Ｄ）、
（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基で
あり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数または
異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で
示される単量体を重合させて、下記構造式（Ｄ）、
（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）
【００７８】
【化６２】
【００７９】〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。Ｙおよ
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基で
あり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数または
異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で
示される重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，
０００，０００である珪素含有線状共重合体を製造する
ことを特徴とする。
びＺは独立してそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水
素基、炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲ
ン、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−Ｏ
ＣＯＲ3、−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣ
nＨ2nＮＣＯを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水
素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基で
あり、かつそれぞれの基における炭素数も同じ数または
異なる数である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で
示される重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，
０００，０００である珪素含有線状共重合体を製造する
ことを特徴とする。
【００８０】以下、本発明を例を挙げて詳しく説明す
る。始めに、上記構造式（Ｉ）または（II）で示される
珪素を有する新規重合性化合物を製造する方法を説明す
る。まず、ジイソプロピルアミン（ＤＰＡ）とアルキル
リチウムの混合によって調整した溶液として存在させる
リチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）と、トリメチ
ルクロロシランを溶液中で反応させて上記構造式（II
I）で示されるトリス（トリメチルシリル）クロリド
（ＴＳＣ）を合成する。
る。始めに、上記構造式（Ｉ）または（II）で示される
珪素を有する新規重合性化合物を製造する方法を説明す
る。まず、ジイソプロピルアミン（ＤＰＡ）とアルキル
リチウムの混合によって調整した溶液として存在させる
リチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）と、トリメチ
ルクロロシランを溶液中で反応させて上記構造式（II
I）で示されるトリス（トリメチルシリル）クロリド
（ＴＳＣ）を合成する。
【００８１】上記構造式（III）で示されるトリス（ト
リメチルシリル）クロリドは、トリメチルクロロシラン
とリチウムジイソプロピルアミドを溶媒中で逐次的に反
応させることによって容易に合成することができる。下
記にこの反応の一例の反応式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）を
示す。
リメチルシリル）クロリドは、トリメチルクロロシラン
とリチウムジイソプロピルアミドを溶媒中で逐次的に反
応させることによって容易に合成することができる。下
記にこの反応の一例の反応式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）を
示す。
【００８２】
【化６３】
【００８３】（式中、Ｍｅはメチル基を表わし、ｉ−Ｐ
ｒはイソプロピル基を表わす。）
ｒはイソプロピル基を表わす。）
【００８４】反応式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）におけるリ
チオ化およびシリル化を行うときの反応温度は−６０℃
〜＋４０℃、反応時間は６時間〜２日間、リチウムジイ
ソプロピルアミドのトリメチルクロロシランに対する添
加モル比は０．５〜２倍とされる。上記溶媒としては、
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジエチルエーテル、ジ
オキサン等のエーテル類、ヘキサン等の脂肪族炭化水
素、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素、ジメチル
スルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の非プ
ロトン性極性溶媒等、反応条件下でリチウムアミドと反
応しない液体を用いることができ、これら中でも特にテ
トラヒドロフランが好ましい。
チオ化およびシリル化を行うときの反応温度は−６０℃
〜＋４０℃、反応時間は６時間〜２日間、リチウムジイ
ソプロピルアミドのトリメチルクロロシランに対する添
加モル比は０．５〜２倍とされる。上記溶媒としては、
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジエチルエーテル、ジ
オキサン等のエーテル類、ヘキサン等の脂肪族炭化水
素、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素、ジメチル
スルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の非プ
ロトン性極性溶媒等、反応条件下でリチウムアミドと反
応しない液体を用いることができ、これら中でも特にテ
トラヒドロフランが好ましい。
【００８５】ついで、トリス（トリメチルシリル）クロ
リドを調製した反応溶液にリチウムジイソプロピルアミ
ドとメチルスチレンを加えると、溶液中でこのメチルス
チレンのメチル基がリチオ化され、このリチオ化された
メチルスチレン（以下、リチオ化メチルスチレンと略記
する。）と上記構造式（III）で示されるトリス（トリ
メチルシリル）クロリドが反応し、リチオ化されたメチ
ル基に３ヶ以上の複数のシリル基が導入され、３ヶ以上
の複数のシリル基で置換された上記構造式（Ｉ）または
（II）で示される珪素を有する新規重合性化合物が得ら
れる。ここでシリル基が導入されるメチルスチレンのメ
チル基は、ビニル基に対してオルト、メタ、パラ位のい
ずれの位置にあるものでもよいが、パラ位にあるものが
好ましい。
リドを調製した反応溶液にリチウムジイソプロピルアミ
ドとメチルスチレンを加えると、溶液中でこのメチルス
チレンのメチル基がリチオ化され、このリチオ化された
メチルスチレン（以下、リチオ化メチルスチレンと略記
する。）と上記構造式（III）で示されるトリス（トリ
メチルシリル）クロリドが反応し、リチオ化されたメチ
ル基に３ヶ以上の複数のシリル基が導入され、３ヶ以上
の複数のシリル基で置換された上記構造式（Ｉ）または
（II）で示される珪素を有する新規重合性化合物が得ら
れる。ここでシリル基が導入されるメチルスチレンのメ
チル基は、ビニル基に対してオルト、メタ、パラ位のい
ずれの位置にあるものでもよいが、パラ位にあるものが
好ましい。
【００８６】メチルスチレンのメチル基をリチオ化する
方法は、極めて限定されており、メチルスチレンと特定
の有機リチウム化合物との反応によってリチオ化メチル
スチレンを得ることができるのである。それ以外の有機
リチウム化合物では、メチルスチレンのビニル基がアニ
オン重合を起こしたり、リチオ化が起こりにくい。特定
の有機リチウム化合物の例としては、リチウムジイソプ
ロピルアミドに代表されるリチウムアミド、その他ジフ
ェニルメチルリチウム、αーフェネチルリチウム等があ
る。上記リチウムジイソプロピルアミドは、ジイソプロ
ピルアミンとｎ−ブチルリチウムなどのアルキルリチウ
ムから合成することができ、目的重合性化合物を合成す
る反応容器中に、予めジイソプロピルアミンとアルキル
リチウムを加えてリチウムジイソプロピルアミト゛を合
成し、この後メチルスチレンを加えることにより、リチ
オ化メチルスチレンを調製することができる。下記にこ
の反応の一例の反応式（VI）を示す。
方法は、極めて限定されており、メチルスチレンと特定
の有機リチウム化合物との反応によってリチオ化メチル
スチレンを得ることができるのである。それ以外の有機
リチウム化合物では、メチルスチレンのビニル基がアニ
オン重合を起こしたり、リチオ化が起こりにくい。特定
の有機リチウム化合物の例としては、リチウムジイソプ
ロピルアミドに代表されるリチウムアミド、その他ジフ
ェニルメチルリチウム、αーフェネチルリチウム等があ
る。上記リチウムジイソプロピルアミドは、ジイソプロ
ピルアミンとｎ−ブチルリチウムなどのアルキルリチウ
ムから合成することができ、目的重合性化合物を合成す
る反応容器中に、予めジイソプロピルアミンとアルキル
リチウムを加えてリチウムジイソプロピルアミト゛を合
成し、この後メチルスチレンを加えることにより、リチ
オ化メチルスチレンを調製することができる。下記にこ
の反応の一例の反応式（VI）を示す。
【００８７】
【化６４】
【００８８】（式中、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基を表わ
す。）
す。）
【００８９】上記反応式（VI）におけるメチルスチレン
に対するリチウムジイソプロピルアミドのモル比は、
０．１倍から１０倍モル程度、より好ましくは０．３倍
から３倍モル程度とされる。
に対するリチウムジイソプロピルアミドのモル比は、
０．１倍から１０倍モル程度、より好ましくは０．３倍
から３倍モル程度とされる。
【００９０】上記構造式（III）で示されるトリス（ト
リメチルシリル）クロリドの反応溶液にリチウムジイソ
プロピルアミドとメチルスチレンを加えると、上記構造
式（III）で示されるトリス（トリメチルシリル）クロ
リドはリチウムジイソプロピルアミドよりも、リチオ化
メチルスチレンと優先的に反応し、目的とする上記構造
式（Ｉ）または（II）で示される珪素を有する新規重合
性化合物が得られるのである。下記にこの反応の一例の
反応式（VII−１）〜（VII−２）を示す。
リメチルシリル）クロリドの反応溶液にリチウムジイソ
プロピルアミドとメチルスチレンを加えると、上記構造
式（III）で示されるトリス（トリメチルシリル）クロ
リドはリチウムジイソプロピルアミドよりも、リチオ化
メチルスチレンと優先的に反応し、目的とする上記構造
式（Ｉ）または（II）で示される珪素を有する新規重合
性化合物が得られるのである。下記にこの反応の一例の
反応式（VII−１）〜（VII−２）を示す。
【００９１】
【化６５】
【００９２】（式中、Ｍｅはメチル基を表わし、ｉ−Ｐ
ｒはイソプロピル基を表わす。）
ｒはイソプロピル基を表わす。）
【００９３】上記反応式（VII−１）〜（VII−２）にお
けるリチオ化およびシリル化を行うときの反応温度は低
すぎると反応が遅く、高すぎるとアニオン重合がおきて
メチルスチレンの高分子が生成されるため、−８０℃〜
＋１００℃程度、より好ましくは−５０℃〜＋３０℃程
度である。また、反応時間は６時間〜２日間程度、より
好ましくは１０時間〜１日間程度である。但し、ここで
の反応時間はガスクロマトグラフィーや液体クロマトグ
ラフィーなどで、反応経過を観測し、原料や生成物の定
量を行い、反応の終了時間を決定することが望まれる。
また、上記構造式（III）で示されるトリス（トリメチ
ルシリル）クロリドのリチオ化メチルスチレンに対する
添加比は、０．１〜５倍モル程度、より好ましくは０．
３〜３倍モル程度である。
けるリチオ化およびシリル化を行うときの反応温度は低
すぎると反応が遅く、高すぎるとアニオン重合がおきて
メチルスチレンの高分子が生成されるため、−８０℃〜
＋１００℃程度、より好ましくは−５０℃〜＋３０℃程
度である。また、反応時間は６時間〜２日間程度、より
好ましくは１０時間〜１日間程度である。但し、ここで
の反応時間はガスクロマトグラフィーや液体クロマトグ
ラフィーなどで、反応経過を観測し、原料や生成物の定
量を行い、反応の終了時間を決定することが望まれる。
また、上記構造式（III）で示されるトリス（トリメチ
ルシリル）クロリドのリチオ化メチルスチレンに対する
添加比は、０．１〜５倍モル程度、より好ましくは０．
３〜３倍モル程度である。
【００９４】ついで、得られた上記構造式（Ｉ）または
（II）で示される珪素を有する新規重合性化合物を減圧
蒸留またはカラムクロマトで分離精製する。
（II）で示される珪素を有する新規重合性化合物を減圧
蒸留またはカラムクロマトで分離精製する。
【００９５】次に、上記構造式（Ｘ）で示される珪素を
有する新規重合性化合物を製造する方法を説明する。ま
ず、上述の構造式（Ｉ）または（II）で示される珪素を
有する新規重合性化合物を製造する方法と同様にして上
記構造式（III）で示されるトリス（トリメチルシリ
ル）クロリド（ＴＳＣ）を合成する。ついで、トリス
（トリメチルシリル）クロリドを調製した反応溶液にリ
チウムジイソプロピルアミドとトリメチルシリルメチル
スチレンを加えると、溶液中でこのトリメチルシリルメ
チルスチレンのトリメチルシリルメチル基がリチオ化さ
れ、このリチオ化されたトリメチルシリルメチルスチレ
ン（以下、リチオ化トリメチルシリルメチルスチレンと
略記する。）と上記構造式（III）で示されるトリス
（トリメチルシリル）クロリドが反応し、リチオ化され
たトリメチルシリルメチル基に３ヶのシリル基が導入さ
れた上記構造式（Ｘ）で示される珪素を有する新規重合
性化合物が得られる。ここでシリル基が導入されるトリ
メチルシリルメチルスチレンのトリメチルシリルメチル
基は、ビニル基に対してオルト、メタ、パラ位のいずれ
の位置にあるものでもよいが、パラ位にあるものが好ま
しい。
有する新規重合性化合物を製造する方法を説明する。ま
ず、上述の構造式（Ｉ）または（II）で示される珪素を
有する新規重合性化合物を製造する方法と同様にして上
記構造式（III）で示されるトリス（トリメチルシリ
ル）クロリド（ＴＳＣ）を合成する。ついで、トリス
（トリメチルシリル）クロリドを調製した反応溶液にリ
チウムジイソプロピルアミドとトリメチルシリルメチル
スチレンを加えると、溶液中でこのトリメチルシリルメ
チルスチレンのトリメチルシリルメチル基がリチオ化さ
れ、このリチオ化されたトリメチルシリルメチルスチレ
ン（以下、リチオ化トリメチルシリルメチルスチレンと
略記する。）と上記構造式（III）で示されるトリス
（トリメチルシリル）クロリドが反応し、リチオ化され
たトリメチルシリルメチル基に３ヶのシリル基が導入さ
れた上記構造式（Ｘ）で示される珪素を有する新規重合
性化合物が得られる。ここでシリル基が導入されるトリ
メチルシリルメチルスチレンのトリメチルシリルメチル
基は、ビニル基に対してオルト、メタ、パラ位のいずれ
の位置にあるものでもよいが、パラ位にあるものが好ま
しい。
【００９６】トリメチルシリルメチルスチレンのトリメ
チルシリルメチル基をリチオ化する方法は、極めて限定
されており、トリメチルシリルメチルスチレンと特定の
有機リチウム化合物との反応によってリチオ化トリメチ
ルシリルメチルスチレンを得ることができるのである。
それ以外の有機リチウム化合物では、トリメチルシリル
メチルスチレンのビニル基がアニオン重合を起こした
り、リチオ化が起こりにくい。特定の有機リチウム化合
物の例としては、上述の構造式（Ｉ）または（II）で示
される珪素を有する新規重合性化合物を製造する方法で
用いるものと同様のものが用いられる。特定の有機リチ
ウム化合物としてリチウムジイソプロピルアミドを用い
る場合、目的重合性化合物を合成する反応容器中に、予
めジイソプロピルアミンとアルキルリチウムを加えてリ
チウムジイソプロピルアミト゛を合成し、この後トリメ
チルシリルメチルスチレンを加えることにより、リチオ
化トリメチルシリルメチルスチレンを調製することがで
きる。下記にこの反応の一例の反応式（XI）を示す。
チルシリルメチル基をリチオ化する方法は、極めて限定
されており、トリメチルシリルメチルスチレンと特定の
有機リチウム化合物との反応によってリチオ化トリメチ
ルシリルメチルスチレンを得ることができるのである。
それ以外の有機リチウム化合物では、トリメチルシリル
メチルスチレンのビニル基がアニオン重合を起こした
り、リチオ化が起こりにくい。特定の有機リチウム化合
物の例としては、上述の構造式（Ｉ）または（II）で示
される珪素を有する新規重合性化合物を製造する方法で
用いるものと同様のものが用いられる。特定の有機リチ
ウム化合物としてリチウムジイソプロピルアミドを用い
る場合、目的重合性化合物を合成する反応容器中に、予
めジイソプロピルアミンとアルキルリチウムを加えてリ
チウムジイソプロピルアミト゛を合成し、この後トリメ
チルシリルメチルスチレンを加えることにより、リチオ
化トリメチルシリルメチルスチレンを調製することがで
きる。下記にこの反応の一例の反応式（XI）を示す。
【００９７】
【化６６】
【００９８】（式中、Ｍｅはメチル基を表わし、ｉ−Ｐ
ｒはイソプロピル基を表わす。）
ｒはイソプロピル基を表わす。）
【００９９】上記反応式（XI）におけるトリメチルシリ
ルメチルスチレンに対するリチウムジイソプロピルアミ
ドのモル比は、上述の構造式（Ｉ）または（II）で示さ
れる珪素を有する新規重合性化合物を製造する方法と同
程度である。
ルメチルスチレンに対するリチウムジイソプロピルアミ
ドのモル比は、上述の構造式（Ｉ）または（II）で示さ
れる珪素を有する新規重合性化合物を製造する方法と同
程度である。
【０１００】上記構造式（III）で示されるトリス（ト
リメチルシリル）クロリドの反応溶液にリチウムジイソ
プロピルアミドとトリメチルシリルメチルスチレンを加
えると、上記構造式（III）で示されるトリス（トリメ
チルシリル）クロリドはリチウムジイソプロピルアミド
よりも、リチオ化トリメチルシリルメチルスチレンと優
先的に反応し、目的とするシリル基を４ヶ有する、上記
構造式（Ｘ）で示される珪素を有する新規重合性化合物
が得られるのである。下記にこの反応の一例の反応式
（XII）を示す。
リメチルシリル）クロリドの反応溶液にリチウムジイソ
プロピルアミドとトリメチルシリルメチルスチレンを加
えると、上記構造式（III）で示されるトリス（トリメ
チルシリル）クロリドはリチウムジイソプロピルアミド
よりも、リチオ化トリメチルシリルメチルスチレンと優
先的に反応し、目的とするシリル基を４ヶ有する、上記
構造式（Ｘ）で示される珪素を有する新規重合性化合物
が得られるのである。下記にこの反応の一例の反応式
（XII）を示す。
【０１０１】
【化６７】
【０１０２】（式中、Ｍｅはメチル基を表わし、ｉ−Ｐ
ｒはイソプロピル基を表わす。）
ｒはイソプロピル基を表わす。）
【０１０３】上記反応式（XII）におけるリチオ化およ
びシリル化を行うときの反応温度、反応時間は上述の構
造式（Ｉ）または（II）で示される珪素を有する新規重
合性化合物を製造する方法と同程度である。但し、ここ
での反応時間もガスクロマトグラフィーや液体クロマト
グラフィーなどで、反応経過を観測し、原料や生成物の
定量を行い、反応の終了時間を決定することが望まれ
る。また、上記構造式（III）で示されるトリス（トリ
メチルシリル）クロリドのリチオ化トリメチルシリルメ
チルスチレンに対する添加比は、上述の構造式（Ｉ）ま
たは（II）で示される珪素を有する新規重合性化合物を
製造する方法と同程度である。ついで、得られた上記構
造式（Ｘ）で示される珪素を有する新規重合性化合物を
減圧蒸留またはカラムクロマトで分離精製する。
びシリル化を行うときの反応温度、反応時間は上述の構
造式（Ｉ）または（II）で示される珪素を有する新規重
合性化合物を製造する方法と同程度である。但し、ここ
での反応時間もガスクロマトグラフィーや液体クロマト
グラフィーなどで、反応経過を観測し、原料や生成物の
定量を行い、反応の終了時間を決定することが望まれ
る。また、上記構造式（III）で示されるトリス（トリ
メチルシリル）クロリドのリチオ化トリメチルシリルメ
チルスチレンに対する添加比は、上述の構造式（Ｉ）ま
たは（II）で示される珪素を有する新規重合性化合物を
製造する方法と同程度である。ついで、得られた上記構
造式（Ｘ）で示される珪素を有する新規重合性化合物を
減圧蒸留またはカラムクロマトで分離精製する。
【０１０４】次に、本発明の珪素含有線状重合体または
珪素含有線状共重合体を製造する方法を説明する。ま
ず、分離精製後の上記構造式（Ｉ）または（II）で示さ
れる珪素を有する新規重合性化合物を単量体として用
い、この単量体をスチレンを重合させる方法と同様にし
てラジカル重合させると、容易に高分子化合物である上
記構造式（Ａ）または（Ｂ）で示される重合単位よりな
り、分子量が２，０００〜２，０００，０００である珪
素含有線状重合体が得られる。また、分離精製後の上記
構造式（Ｘ）で示される珪素を有する新規重合性化合物
を単量体として用い、この単量体をスチレンを重合させ
る方法と同様にしてラジカル重合させると、容易に高分
子化合物である上記構造式（Ｄ）で示される重合単位よ
りなり、分子量が２，０００〜２，０００，０００であ
る珪素含有線状重合体が得られる。
珪素含有線状共重合体を製造する方法を説明する。ま
ず、分離精製後の上記構造式（Ｉ）または（II）で示さ
れる珪素を有する新規重合性化合物を単量体として用
い、この単量体をスチレンを重合させる方法と同様にし
てラジカル重合させると、容易に高分子化合物である上
記構造式（Ａ）または（Ｂ）で示される重合単位よりな
り、分子量が２，０００〜２，０００，０００である珪
素含有線状重合体が得られる。また、分離精製後の上記
構造式（Ｘ）で示される珪素を有する新規重合性化合物
を単量体として用い、この単量体をスチレンを重合させ
る方法と同様にしてラジカル重合させると、容易に高分
子化合物である上記構造式（Ｄ）で示される重合単位よ
りなり、分子量が２，０００〜２，０００，０００であ
る珪素含有線状重合体が得られる。
【０１０５】ここでのラジカル重合は、上記単量体に
熱、光、電子線、放射線等を付与することによって開始
される。ラジカル開始剤としては、アゾビスイソブチロ
ニトリル、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルマレ
ロニトリル）等のアゾニトリル類、過酸化ベンゾイル、
過酸化ジターシャリブチル等の過酸化物が使用できる。
重合は上記開始剤に適した温度で酸素のない雰囲気で行
われ、開始剤に適した温度は２０℃から１５０℃程度、
好ましくは５０℃から１００℃程度、重合時間は１０分
から５００時間程度、好ましくは１時間から１００時間
程度である。また、ここでの重合は上記単量体のみの塊
状重合でも、トルエンなどの溶媒を使用した液状重合で
も可能である。
熱、光、電子線、放射線等を付与することによって開始
される。ラジカル開始剤としては、アゾビスイソブチロ
ニトリル、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルマレ
ロニトリル）等のアゾニトリル類、過酸化ベンゾイル、
過酸化ジターシャリブチル等の過酸化物が使用できる。
重合は上記開始剤に適した温度で酸素のない雰囲気で行
われ、開始剤に適した温度は２０℃から１５０℃程度、
好ましくは５０℃から１００℃程度、重合時間は１０分
から５００時間程度、好ましくは１時間から１００時間
程度である。また、ここでの重合は上記単量体のみの塊
状重合でも、トルエンなどの溶媒を使用した液状重合で
も可能である。
【０１０６】また、分離精製後の上記構造式（Ｉ）およ
び（II）で示される珪素を有する新規重合性化合物を単
量体として用い、これら単量体をラジカル重合させる
と、上記構造式（Ａ）および（Ｂ）で示される重合単位
よりなり、分子量が２，０００〜２，０００，０００で
ある珪素含有線状共重合体が得られる。
び（II）で示される珪素を有する新規重合性化合物を単
量体として用い、これら単量体をラジカル重合させる
と、上記構造式（Ａ）および（Ｂ）で示される重合単位
よりなり、分子量が２，０００〜２，０００，０００で
ある珪素含有線状共重合体が得られる。
【０１０７】また、分離精製後の上記構造式（Ｉ）およ
び／または（II）で示される珪素を有する新規重合性化
合物である単量体と、ラジカル重合可能な上記構造式
（IV）で示される他の単量体とをラジカル重合させる
と、上記構造式（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）で示される
重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，０００，
０００である珪素含有線状共重合体、上記構造式（Ａ）
および（Ｃ）で示される重合単位よりなり、分子量が
２，０００〜２，０００，０００である珪素含有線状共
重合体、ならびに上記構造式（Ｂ）および（Ｃ）で示さ
れる重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，００
０，０００である珪素含有線状共重合体のうちのいずれ
かが得られる。
び／または（II）で示される珪素を有する新規重合性化
合物である単量体と、ラジカル重合可能な上記構造式
（IV）で示される他の単量体とをラジカル重合させる
と、上記構造式（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）で示される
重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，０００，
０００である珪素含有線状共重合体、上記構造式（Ａ）
および（Ｃ）で示される重合単位よりなり、分子量が
２，０００〜２，０００，０００である珪素含有線状共
重合体、ならびに上記構造式（Ｂ）および（Ｃ）で示さ
れる重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，００
０，０００である珪素含有線状共重合体のうちのいずれ
かが得られる。
【０１０８】また、分離精製後の上記構造式（Ｘ）で示
される珪素を有する新規重合性化合物である単量体と、
上記構造式（Ｉ）および／または（II）で示される珪素
を有する新規重合性化合物である単量体をラジカル重合
させると、上記構造式（Ｄ）、（Ａ）および（Ｂ）で示
される重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，０
００，０００である珪素含有線状共重合体、上記構造式
（Ｄ）および（Ａ）で示される重合単位よりなり、分子
量が２，０００〜２，０００，０００である珪素含有線
状共重合体、ならびに上記構造式（Ｄ）および（Ｂ）で
示される重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，
０００，０００である珪素含有線状共重合体のうちのい
ずれかが得られる。
される珪素を有する新規重合性化合物である単量体と、
上記構造式（Ｉ）および／または（II）で示される珪素
を有する新規重合性化合物である単量体をラジカル重合
させると、上記構造式（Ｄ）、（Ａ）および（Ｂ）で示
される重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，０
００，０００である珪素含有線状共重合体、上記構造式
（Ｄ）および（Ａ）で示される重合単位よりなり、分子
量が２，０００〜２，０００，０００である珪素含有線
状共重合体、ならびに上記構造式（Ｄ）および（Ｂ）で
示される重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，
０００，０００である珪素含有線状共重合体のうちのい
ずれかが得られる。
【０１０９】また、分離精製後の上記構造式（Ｘ）で示
される珪素を有する新規重合性化合物である単量体と、
ラジカル重合可能な上記構造式（IV）で示される他の単
量体とをラジカル重合させると、上記構造式（Ｄ）およ
び（Ｃ）で示される重合単位よりなり、分子量が２，０
００〜２，０００，０００である珪素含有線状共重合体
が得られる。
される珪素を有する新規重合性化合物である単量体と、
ラジカル重合可能な上記構造式（IV）で示される他の単
量体とをラジカル重合させると、上記構造式（Ｄ）およ
び（Ｃ）で示される重合単位よりなり、分子量が２，０
００〜２，０００，０００である珪素含有線状共重合体
が得られる。
【０１１０】また、分離精製後の上記構造式（Ｘ）で示
される珪素を有する新規重合性化合物である単量体と、
上記構造式（Ｉ）および／または（II）で示される珪素
を有する新規重合性化合物である単量体と、ラジカル重
合可能な上記構造式（IV）で示される他の単量体とをラ
ジカル重合させると、上記構造式（Ｄ）、（Ａ）、
（Ｂ）および（Ｃ）で示される重合単位よりなり、分子
量が２，０００〜２，０００，０００である珪素含有線
状共重合体、上記構造式（Ｄ）、（Ａ）および（Ｃ）で
示される重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，
０００，０００である珪素含有線状共重合体、ならびに
上記構造式（Ｄ）、（Ｂ）および（Ｃ）で示される重合
単位よりなり、分子量が２，０００〜２，０００，００
０である珪素含有線状共重合体のうちのいずれかが得ら
れる。
される珪素を有する新規重合性化合物である単量体と、
上記構造式（Ｉ）および／または（II）で示される珪素
を有する新規重合性化合物である単量体と、ラジカル重
合可能な上記構造式（IV）で示される他の単量体とをラ
ジカル重合させると、上記構造式（Ｄ）、（Ａ）、
（Ｂ）および（Ｃ）で示される重合単位よりなり、分子
量が２，０００〜２，０００，０００である珪素含有線
状共重合体、上記構造式（Ｄ）、（Ａ）および（Ｃ）で
示される重合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，
０００，０００である珪素含有線状共重合体、ならびに
上記構造式（Ｄ）、（Ｂ）および（Ｃ）で示される重合
単位よりなり、分子量が２，０００〜２，０００，００
０である珪素含有線状共重合体のうちのいずれかが得ら
れる。
【０１１１】上記構造式（IV）で示される他の単量体と
しては、例えばスチレン、メチルスチレン、メトキシス
チレン、ブロムスチレン、フルオロスチレン、ビストリ
メチルシリルメチルスチレンなどのスチレン類、アクリ
ロニトリル、メタクリロニトリルなどのアクリロニトリ
ル類、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、
アクリル酸ラウリルなどのアクリル酸エステル類、メタ
クリル酸メチル、メタクリル酸ラウリルなどのメタクリ
ル酸エステル類、フマル酸ジメチル、フマル酸ジターシ
ャリーブチルなどのフマル酸エステル類、塩化ビニリデ
ン、臭化ビニリデンなどのビニリデン類、アクリルアミ
ド、メタクリロアミドなどのアクリルアミド誘導体、酢
酸ビニル、酪酸ビニルなどの脂肪酸ビニル誘導体などが
使用できる。
しては、例えばスチレン、メチルスチレン、メトキシス
チレン、ブロムスチレン、フルオロスチレン、ビストリ
メチルシリルメチルスチレンなどのスチレン類、アクリ
ロニトリル、メタクリロニトリルなどのアクリロニトリ
ル類、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、
アクリル酸ラウリルなどのアクリル酸エステル類、メタ
クリル酸メチル、メタクリル酸ラウリルなどのメタクリ
ル酸エステル類、フマル酸ジメチル、フマル酸ジターシ
ャリーブチルなどのフマル酸エステル類、塩化ビニリデ
ン、臭化ビニリデンなどのビニリデン類、アクリルアミ
ド、メタクリロアミドなどのアクリルアミド誘導体、酢
酸ビニル、酪酸ビニルなどの脂肪酸ビニル誘導体などが
使用できる。
【０１１２】次いで、得られた珪素含有線状重合体また
は珪素含有線状共重合体をメタノールなどの単量体は溶
解するが重合体は溶解しない溶媒で洗浄して精製する。
は珪素含有線状共重合体をメタノールなどの単量体は溶
解するが重合体は溶解しない溶媒で洗浄して精製する。
【０１１３】本発明によれば、ビニル基への反応が可能
な反応性に富み、メチル基に３ヶ以上の複数のシリル基
が導入された上記構造式（Ｉ）または（II）で示される
珪素を有する新規重合性化合物が得られる。また、シリ
ル基を４ヶ有する、上記構造式（Ｘ）で示される珪素を
有する新規重合性化合物が得られる。これら珪素を有す
る新規重合性化合物は、単量体として有用で、上記珪素
を有する新規重合性化合物を用いて得られる珪素含有線
状重合体または珪素含有線状共重合体は、側鎖に３ヶ以
上の複数のシリル基を有する機能性高分子化合物である
ため、フォトレジストとして有用であり、また、シリル
基の導入率が高いため空気分離膜の成分として有用であ
る。このような珪素含有線状重合体および／または珪素
含有線状共重合体を混入することでシリコーンオイル、
グラスファイバー等との密着性がよくなり、複合材料の
改質剤としても有用である。また、珪素による難燃効果
から難燃剤への利用も考えられる。
な反応性に富み、メチル基に３ヶ以上の複数のシリル基
が導入された上記構造式（Ｉ）または（II）で示される
珪素を有する新規重合性化合物が得られる。また、シリ
ル基を４ヶ有する、上記構造式（Ｘ）で示される珪素を
有する新規重合性化合物が得られる。これら珪素を有す
る新規重合性化合物は、単量体として有用で、上記珪素
を有する新規重合性化合物を用いて得られる珪素含有線
状重合体または珪素含有線状共重合体は、側鎖に３ヶ以
上の複数のシリル基を有する機能性高分子化合物である
ため、フォトレジストとして有用であり、また、シリル
基の導入率が高いため空気分離膜の成分として有用であ
る。このような珪素含有線状重合体および／または珪素
含有線状共重合体を混入することでシリコーンオイル、
グラスファイバー等との密着性がよくなり、複合材料の
改質剤としても有用である。また、珪素による難燃効果
から難燃剤への利用も考えられる。
【０１１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。 （実施例１）アルゴン下ナスフラスコ中、−４０℃、２
０ｍｌのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶媒として
［リチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）］0＝１０
ｍｍｏｌ、［トリメチルクロロシラン（ＴＭＣＳ）］0
＝５．５ｍｍｏｌでＴＭＣＳのメチル基のリチオ化を行
ったところ、ＬＤＡとＴＭＣＳのカップリング反応はほ
とんど起こらず７０％という高い反応率でトリメチルシ
リル基を３つ有する上記構造式（III）で示されるトリ
ス（トリメチルシリル）クロリド（ＴＳＣ）が生成し
た。さらにこの反応系に４−メチルスチレン（ＭＳＴ）
を１．７ｍｍｏｌを加え、反応を解析したところ図１の
ガスクロマトグラフィに示すようにいくつかの生成物が
得られた。
０ｍｌのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶媒として
［リチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）］0＝１０
ｍｍｏｌ、［トリメチルクロロシラン（ＴＭＣＳ）］0
＝５．５ｍｍｏｌでＴＭＣＳのメチル基のリチオ化を行
ったところ、ＬＤＡとＴＭＣＳのカップリング反応はほ
とんど起こらず７０％という高い反応率でトリメチルシ
リル基を３つ有する上記構造式（III）で示されるトリ
ス（トリメチルシリル）クロリド（ＴＳＣ）が生成し
た。さらにこの反応系に４−メチルスチレン（ＭＳＴ）
を１．７ｍｍｏｌを加え、反応を解析したところ図１の
ガスクロマトグラフィに示すようにいくつかの生成物が
得られた。
【０１１５】図１中の主生成物は、６０％の反応率で
得られ、減圧蒸留により単離後（ｂ．ｐ＝１０８℃／
０．０４ｍｍＨｇ）、質量分析、1Ｈ−ＮＭＲによる構
造解析の結果、上記構造式（Ｉ）で示されるトリス（ト
リメチルシリル）メチルスチレン（略称：ＴＳＭＳ、Ｉ
ＵＰＡＣ名称：４−［２，２，４，４−テトラメチル−
３−トリメチルシリル−２，４−ジシラペンチル］スチ
レン）であることを確認した。図２にＴＳＭＳのマスス
ペクトル、下記表１にＴＳＭＳのＮＭＲ（1Ｈ）の結果
を示す。
得られ、減圧蒸留により単離後（ｂ．ｐ＝１０８℃／
０．０４ｍｍＨｇ）、質量分析、1Ｈ−ＮＭＲによる構
造解析の結果、上記構造式（Ｉ）で示されるトリス（ト
リメチルシリル）メチルスチレン（略称：ＴＳＭＳ、Ｉ
ＵＰＡＣ名称：４−［２，２，４，４−テトラメチル−
３−トリメチルシリル−２，４−ジシラペンチル］スチ
レン）であることを確認した。図２にＴＳＭＳのマスス
ペクトル、下記表１にＴＳＭＳのＮＭＲ（1Ｈ）の結果
を示す。
【０１１６】また、図１中の生成物は質量分析、1Ｈ
−ＮＭＲによりトリメチルシリル基を６つ有する上記構
造式（II）で示されるビス［（トリス）トリメチルシリ
ル］メチルスチレン（略称：ＢＴＳＭＳ、ＩＵＰＡＣ名
称：２，２，４，４，６，６，８，８−オクタメチル−
３，７−ビス（トリメチルシリル）−５−（４−ビニル
フェニル）−２，４，６，８−テトラシラノナン）であ
ることを確認した。図３にＢＴＳＭＳのマススペクト
ル、下記表１にＢＴＳＭＳのＮＭＲ（1Ｈ）の結果を示
す。これらのことから下記反応式（VIII）に示すように
残存ＬＤＡによりＭＳＴのメチル基の選択的リチオ化が
起こりビニルベンジルリチウム（ＶＢＬ）が生成し、続
いてＴＳＣと反応を起しＴＭＣＳからワンボットでＴＳ
ＭＳが合成できることが分った。
−ＮＭＲによりトリメチルシリル基を６つ有する上記構
造式（II）で示されるビス［（トリス）トリメチルシリ
ル］メチルスチレン（略称：ＢＴＳＭＳ、ＩＵＰＡＣ名
称：２，２，４，４，６，６，８，８−オクタメチル−
３，７−ビス（トリメチルシリル）−５−（４−ビニル
フェニル）−２，４，６，８−テトラシラノナン）であ
ることを確認した。図３にＢＴＳＭＳのマススペクト
ル、下記表１にＢＴＳＭＳのＮＭＲ（1Ｈ）の結果を示
す。これらのことから下記反応式（VIII）に示すように
残存ＬＤＡによりＭＳＴのメチル基の選択的リチオ化が
起こりビニルベンジルリチウム（ＶＢＬ）が生成し、続
いてＴＳＣと反応を起しＴＭＣＳからワンボットでＴＳ
ＭＳが合成できることが分った。
【０１１７】
【表１】
【０１１８】
【化６８】
【０１１９】（式中、Ｍｅはメチル基を表わす。）
【０１２０】次に、ここで得られた構造式（Ｉ）で示さ
れるＴＳＭＳをアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢ
Ｎ）を開始剤として６０℃、２４時間かけて塊状重合を
行ったところ数平均分子量（Ｍn）＝４０万の重合体が
重合率８７％で得られた。ついで、トルエンを溶媒とし
てキャスト法で成膜を行い、厚さ１１４μｍの透明な分
離膜を作製した。これを実施例１の分離膜とした。そし
て真空法で実施例１の分離膜のガス透過測定を行った。
その結果を下記表２に示す。
れるＴＳＭＳをアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢ
Ｎ）を開始剤として６０℃、２４時間かけて塊状重合を
行ったところ数平均分子量（Ｍn）＝４０万の重合体が
重合率８７％で得られた。ついで、トルエンを溶媒とし
てキャスト法で成膜を行い、厚さ１１４μｍの透明な分
離膜を作製した。これを実施例１の分離膜とした。そし
て真空法で実施例１の分離膜のガス透過測定を行った。
その結果を下記表２に示す。
【０１２１】
【表２】
【０１２２】上記表２中、ＰＯ2は酸素の透過係数（×
１０-10cm3・cm/cm2・sec・cmHg）、ＰＮ2は窒素の透過
係数（×１０-10cm3・cm/cm2・sec・cmHg）、ＰＯ2／Ｐ
Ｎ2は酸窒素分離係数、Ｔg（℃）はガラス転移点、ｄは
密度(g/cm3)、Ｓｉ含有量（ｗｔ％）は単量体中の珪素
の重量含有量を表す。
１０-10cm3・cm/cm2・sec・cmHg）、ＰＮ2は窒素の透過
係数（×１０-10cm3・cm/cm2・sec・cmHg）、ＰＯ2／Ｐ
Ｎ2は酸窒素分離係数、Ｔg（℃）はガラス転移点、ｄは
密度(g/cm3)、Ｓｉ含有量（ｗｔ％）は単量体中の珪素
の重量含有量を表す。
【０１２３】上記表２から実施例１の分離膜は、他の分
離膜に比べて透過係数が減少しているにもかかわらず、
分離比が優れていることが分る。
離膜に比べて透過係数が減少しているにもかかわらず、
分離比が優れていることが分る。
【０１２４】（実施例２）−５０℃、１ｍｏｌ／ｌのＬ
ＤＡ／ＴＨＦ溶液にＴＭＣＳ０．５ｍｏｌ（５４．３
ｇ）を加え、終夜反応させたところ、上記構造式（II
I）で示されるＴＳＣが生成した。ついで、この溶液に
さらにＬＤＡ０．５ｍｏｌのＴＨＦ溶液２００ｍｌとＭ
ＳＴ０．５ｍｏｌ（５９ｇ）を加え、−２０℃で２０時
間反応させるといくつかの生成物が得られた。これらの
生成物を実施例１と同様にして構造解析の結果、上記構
造式（Ｉ）で示されるＴＳＭＳと、上記構造式（II）で
示されるＢＴＳＭＳが得られていることが分った。
ＤＡ／ＴＨＦ溶液にＴＭＣＳ０．５ｍｏｌ（５４．３
ｇ）を加え、終夜反応させたところ、上記構造式（II
I）で示されるＴＳＣが生成した。ついで、この溶液に
さらにＬＤＡ０．５ｍｏｌのＴＨＦ溶液２００ｍｌとＭ
ＳＴ０．５ｍｏｌ（５９ｇ）を加え、−２０℃で２０時
間反応させるといくつかの生成物が得られた。これらの
生成物を実施例１と同様にして構造解析の結果、上記構
造式（Ｉ）で示されるＴＳＭＳと、上記構造式（II）で
示されるＢＴＳＭＳが得られていることが分った。
【０１２５】（実施例３）上記実施例１と同様にして上
記構造式（III）で示されるトリス（トリメチルシリ
ル）クロリド（ＴＳＣ）を合成した。さらにこの反応系
にトリメチルシリルメチルスチレン（ＳＭＳ）を１．７
ｍｍｏｌを加え、室温で３時間攪拌し、反応を解析した
ところ、図４のガスクロマトグラフィに示すようにいく
つかの生成物が得られた。図４中の生成物は５３％の
反応率で得られ、カラムクロマトグラフィで単離後、質
量分析による構造解析の結果、上記構造式（Ｘ）で示さ
れるテトラキス（トリメチルシリル）メチルスチレン
（略称：ＴｅＳＭＳ、ＩＵＰＡＣ名称：４−［２，２，
４，４−テトラメチル−１，３−ビス（トリメチルシリ
ル）−２，４−デシラペンチル］スチレン）であること
を確認した。図５にＴｅＳＭＳのマススペクトルを示
す。これらのことから下記反応式（XIII）に示すように
残存ＬＤＡによりＳＭＳのトリメチルシリルメチル基の
選択的リチオ化が起こりビニルベンジルリチウム（ＶＢ
Ｌ）が生成し、続いてＴＳＣと反応を起しＴｅＳＭＳが
合成できることが分った。
記構造式（III）で示されるトリス（トリメチルシリ
ル）クロリド（ＴＳＣ）を合成した。さらにこの反応系
にトリメチルシリルメチルスチレン（ＳＭＳ）を１．７
ｍｍｏｌを加え、室温で３時間攪拌し、反応を解析した
ところ、図４のガスクロマトグラフィに示すようにいく
つかの生成物が得られた。図４中の生成物は５３％の
反応率で得られ、カラムクロマトグラフィで単離後、質
量分析による構造解析の結果、上記構造式（Ｘ）で示さ
れるテトラキス（トリメチルシリル）メチルスチレン
（略称：ＴｅＳＭＳ、ＩＵＰＡＣ名称：４−［２，２，
４，４−テトラメチル−１，３−ビス（トリメチルシリ
ル）−２，４−デシラペンチル］スチレン）であること
を確認した。図５にＴｅＳＭＳのマススペクトルを示
す。これらのことから下記反応式（XIII）に示すように
残存ＬＤＡによりＳＭＳのトリメチルシリルメチル基の
選択的リチオ化が起こりビニルベンジルリチウム（ＶＢ
Ｌ）が生成し、続いてＴＳＣと反応を起しＴｅＳＭＳが
合成できることが分った。
【０１２６】
【化６９】
【０１２７】（式中、Ｍｅはメチル基を表わす。）
【０１２８】次に、ここで得られた構造式（Ｘ）で示さ
れるＴｅＳＭＳをアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢ
Ｎ）を開始剤として６０℃、２４時間かけて塊状重合を
行ったところ数平均分子量（Ｍn）＝２６万の重合体が
重合率８７％で得られた。この重合体をＮＭＲスペクト
ルにより構造解析した結果、ポリ（ＴｅＳＭＳ）である
ことが分った。図６にポリ（ＴｅＳＭＳ）のＮＭＲスペ
クトルを示す。ついで、トルエンを溶媒としてキャスト
法で成膜を行い、厚さ１１４μｍの透明な分離膜を作製
した。これを実施例３の分離膜とした。そして真空法で
実施例３の分離膜のガス透過測定を行った。その結果を
下記表３に示す。
れるＴｅＳＭＳをアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢ
Ｎ）を開始剤として６０℃、２４時間かけて塊状重合を
行ったところ数平均分子量（Ｍn）＝２６万の重合体が
重合率８７％で得られた。この重合体をＮＭＲスペクト
ルにより構造解析した結果、ポリ（ＴｅＳＭＳ）である
ことが分った。図６にポリ（ＴｅＳＭＳ）のＮＭＲスペ
クトルを示す。ついで、トルエンを溶媒としてキャスト
法で成膜を行い、厚さ１１４μｍの透明な分離膜を作製
した。これを実施例３の分離膜とした。そして真空法で
実施例３の分離膜のガス透過測定を行った。その結果を
下記表３に示す。
【０１２９】
【表３】
【０１３０】上記表３中、ＰＯ2は酸素の透過係数（×
１０-10cm3・cm/cm2・sec・cmHg）、ＰＮ2は窒素の透過
係数（×１０-10cm3・cm/cm2・sec・cmHg）、ＰＯ2／Ｐ
Ｎ2は酸窒素分離係数、Ｔg（℃）はガラス転移点、ｄは
密度(g/cm3)、Ｓｉ含有量（ｗｔ％）は単量体中の珪素
の重量含有量を表す。
１０-10cm3・cm/cm2・sec・cmHg）、ＰＮ2は窒素の透過
係数（×１０-10cm3・cm/cm2・sec・cmHg）、ＰＯ2／Ｐ
Ｎ2は酸窒素分離係数、Ｔg（℃）はガラス転移点、ｄは
密度(g/cm3)、Ｓｉ含有量（ｗｔ％）は単量体中の珪素
の重量含有量を表す。
【０１３１】上記表３から実施例３の分離膜は、透過係
数が減少しているにもかかわらず、分離比が優れている
ことが分る。
数が減少しているにもかかわらず、分離比が優れている
ことが分る。
【０１３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、上
記構造式（III）で示されるトリス（トリメチルシリ
ル）クロリドと、メチル基をリチオ化したメチルスチレ
ンを溶液中で反応させることによって、ビニル基への反
応が可能な反応性に富み、メチル基に３ヶ以上の複数の
シリル基が導入された上記構造式（Ｉ）または（II）で
示される珪素を有する新規重合性化合物が得られる。ま
た、上記構造式（III）で示されるトリス（トリメチル
シリル）クロリドと、トリメルシリルメチル基をリチオ
化したトリメチルシリルメチルスチレンを溶液中で反応
させることによって、ビニル基への反応が可能な反応性
に富み、シリル基を４ヶ有する、上記構造式（Ｘ）で示
される珪素を有する新規重合性化合物が得られる。これ
ら珪素を有する新規重合性化合物は、単量体として有用
で、上記新規重合性化合物を用いて得られる珪素含有線
状重合体または珪素含有線状共重合体は、側鎖に３ヶ以
上の複数のシリル基を有する機能性高分子化合物である
ため、フォトレジストとして有用であり、また、シリル
基の導入率が高いため空気分離膜の成分として有用であ
る。このような珪素含有線状重合体および／または珪素
含有線状共重合体を混入することでシリコーンオイル、
グラスファイバー等との密着性がよくなり、複合材料の
改質剤としても有用である。また、珪素による難燃効果
から難燃剤への利用も考えられる。
記構造式（III）で示されるトリス（トリメチルシリ
ル）クロリドと、メチル基をリチオ化したメチルスチレ
ンを溶液中で反応させることによって、ビニル基への反
応が可能な反応性に富み、メチル基に３ヶ以上の複数の
シリル基が導入された上記構造式（Ｉ）または（II）で
示される珪素を有する新規重合性化合物が得られる。ま
た、上記構造式（III）で示されるトリス（トリメチル
シリル）クロリドと、トリメルシリルメチル基をリチオ
化したトリメチルシリルメチルスチレンを溶液中で反応
させることによって、ビニル基への反応が可能な反応性
に富み、シリル基を４ヶ有する、上記構造式（Ｘ）で示
される珪素を有する新規重合性化合物が得られる。これ
ら珪素を有する新規重合性化合物は、単量体として有用
で、上記新規重合性化合物を用いて得られる珪素含有線
状重合体または珪素含有線状共重合体は、側鎖に３ヶ以
上の複数のシリル基を有する機能性高分子化合物である
ため、フォトレジストとして有用であり、また、シリル
基の導入率が高いため空気分離膜の成分として有用であ
る。このような珪素含有線状重合体および／または珪素
含有線状共重合体を混入することでシリコーンオイル、
グラスファイバー等との密着性がよくなり、複合材料の
改質剤としても有用である。また、珪素による難燃効果
から難燃剤への利用も考えられる。
【図１】 実施例１で得られた生成物をガスクロマグラ
フィで解析した結果を示した図である。
フィで解析した結果を示した図である。
【図２】 実施例１で得られたＴＳＭＳのマススペクト
ルを示した図である。
ルを示した図である。
【図３】 実施例１で得られたＢＴＳＭＳのマススペク
トルを示した図である。
トルを示した図である。
【図４】 実施例３で得られた生成物をガスクロマトグ
ラフィで解析した結果を示した図である。
ラフィで解析した結果を示した図である。
【図５】 実施例３で得られたＴｅＳＭＳのマススペク
トルを示した図である。
トルを示した図である。
【図６】 実施例３で得られたポリ（ＴｅＳＭＳ）のＮ
ＭＲスペクトルを示した図である。
ＭＲスペクトルを示した図である。
Claims (32)
- 【請求項１】 下記構造式（Ｉ）または（II） 【化１】 （式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示される珪素を有
する新規重合性化合物。 - 【請求項２】 下記構造式（III） 【化２】 （式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示されるトリス
（トリメチルシリル）クロリドと、メチル基をリチオ化
したメチルスチレンを溶液中で反応させることを特徴と
する下記構造式（Ｉ）または（II） 【化３】 （式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示される珪素を有
する新規重合性化合物の製造方法。 - 【請求項３】 リチウムジイソプロピルアミドとトリメ
チルクロロシランを溶液中で反応させてトリス（トリメ
チルシリル）クロリドを生成させた後、リチウムジイソ
プロピルアミドの共存下で前記トリス（トリメチルシリ
ル）クロリドとメチルスチレンを反応させることを特徴
をする請求項２記載の珪素を有する新規重合性化合物の
製造方法。 - 【請求項４】 下記構造式（Ａ）または（Ｂ） 【化４】 （式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示される重合単位
よりなり、分子量が２，０００〜２，０００，０００で
あることを特徴とする珪素含有線状重合体。 - 【請求項５】 下記構造式（Ｉ）または（II） 【化５】 （式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示される単量体を
重合させることを特徴とする請求項４記載の珪素含有線
状重合体の製造方法。 - 【請求項６】 下記構造式（Ａ）および（Ｂ） 【化６】 （式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示される重合単位
よりなり、分子量が２，０００〜２，０００，０００で
あることを特徴とする珪素含有線状共重合体。 - 【請求項７】 下記構造式（Ｉ）および（II） 【化７】 （式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示される単量体を
重合させることを特徴とする請求項６記載の珪素含有線
状共重合体の製造方法。 - 【請求項８】 下記構造式（Ａ）および（Ｃ） 【化８】 〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。ＹおよびＺは独立し
てそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水素基、炭素数
１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲン、シアノ
基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−ＯＣＯＲ3、
−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣnＨ2nＮＣ
Ｏを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水素または炭
素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基であり、かつ
それぞれの基における炭素数も同じ数または異なる数で
ある。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で示される重
合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，０００，０
００であることを特徴とする珪素含有線状共重合体。 - 【請求項９】 下記構造式（Ｉ）および（IV） 【化９】 〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。ＹおよびＺは独立し
てそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水素基、炭素数
１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲン、シアノ
基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−ＯＣＯＲ3、
−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣnＨ2nＮＣ
Ｏを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水素または炭
素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基であり、かつ
それぞれの基における炭素数も同じ数または異なる数で
ある。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で示される単
量体を重合させることを特徴とする請求項８記載の珪素
含有線状共重合体の製造方法。 - 【請求項１０】 下記構造式（Ｂ）および（Ｃ） 【化１０】 〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。ＹおよびＺは独立し
てそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水素基、炭素数
１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲン、シアノ
基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−ＯＣＯＲ3、
−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣnＨ2nＮＣ
Ｏを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水素または炭
素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基であり、かつ
それぞれの基における炭素数も同じ数または異なる数で
ある。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で示される重
合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，０００，０
００であることを特徴とする珪素含有線状共重合体。 - 【請求項１１】 下記構造式（II）および（IV） 【化１１】 〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。ＹおよびＺは独立し
てそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水素基、炭素数
１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲン、シアノ
基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−ＯＣＯＲ3、
−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣnＨ2nＮＣ
Ｏを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水素または炭
素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、Ｒ４はそれぞれ同じ基または異なる基であり、か
つそれぞれの基における炭素数も同じ数または異なる数
である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で示される
単量体を重合させることを特徴とする請求項１０記載の
珪素含有線状共重合体の製造方法。 - 【請求項１２】 下記構造式（Ａ）、（Ｂ）および
（Ｃ） 【化１２】 〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。ＹおよびＺは独立し
てそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水素基、炭素数
１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲン、シアノ
基、水酸基、−ＣＯＯＲ１、−ＣＯＲ2、−ＯＣＯＲ3、
−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣnＨ2nＮＣ
Ｏを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水素または炭
素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基であり、かつ
それぞれの基における炭素数も同じ数または異なる数で
ある。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で示される重
合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，０００，０
００であることを特徴とする珪素含有線状共重合体。 - 【請求項１３】 下記構造式（Ｉ）、（II）および（I
V） 【化１３】 〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。ＹおよびＺは独立し
てそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水素基、炭素数
１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲン、シアノ
基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−ＯＣＯＲ3、
−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣnＨ2nＮＣ
Ｏを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水素または炭
素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基であり、かつ
それぞれの基における炭素数も同じ数または異なる数で
ある。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で示される単
量体を重合させることを特徴とする請求項１２記載の珪
素含有線状共重合体の製造方法。 - 【請求項１４】 下記構造式（Ｘ） 【化１４】 （式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示される珪素を有
する新規重合性化合物。 - 【請求項１５】 下記構造式（III） 【化１５】 （式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示されるトリス
（トリメチルシリル）クロリドと、トリメチルシリルメ
チル基をリチオ化したトリメチルシリルメチルスチレン
を溶液中で反応させることを特徴とする下記構造式
（Ｘ） 【化１６】 （式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示される珪素を有
する新規重合性化合物の製造方法。 - 【請求項１６】 リチウムジイソプロピルアミドとトリ
メチルクロロシランを溶液中で反応させてトリス（トリ
メチルシリル）クロリドを生成させた後、リチウムジイ
ソプロピルアミドの共存下で前記トリス（トリメチルシ
リル）クロリドとトリメチルシリルメチルスチレンを反
応させることを特徴をする請求項１５記載の珪素を有す
る新規重合性化合物の製造方法。 - 【請求項１７】 下記構造式（Ｄ） 【化１７】 （式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示される重合単位
よりなり、分子量が２，０００〜２，０００，０００で
あることを特徴とする珪素含有線状重合体。 - 【請求項１８】 下記構造式（Ｘ） 【化１８】 （式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示される単量体を
重合させることを特徴とする請求項１７記載の珪素含有
線状重合体の製造方法。 - 【請求項１９】 下記構造式（Ｄ）および（Ａ） 【化１９】 （式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示される重合単位
よりなり、分子量が２，０００〜２，０００，０００で
あることを特徴とする珪素含有線状共重合体。 - 【請求項２０】 下記構造式（Ｘ）および（Ｉ） 【化２０】 （式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示される単量体を
重合させることを特徴とする請求項１９記載の珪素含有
線状共重合体の製造方法。 - 【請求項２１】 下記構造式（Ｄ）および（Ｂ） 【化２１】 （式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示される重合単位
よりなり、分子量が２，０００〜２，０００，０００で
あることを特徴とする珪素含有線状共重合体。 - 【請求項２２】 下記構造式（Ｘ）および（II） 【化２２】 （式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示される単量体を
重合させることを特徴とする請求項２１記載の珪素含有
線状共重合体の製造方法。 - 【請求項２３】 下記構造式（Ｄ）および（Ｃ） 【化２３】 〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。ＹおよびＺは独立し
てそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水素基、炭素数
１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲン、シアノ
基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−ＯＣＯＲ3、
−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣnＨ2nＮＣ
Ｏを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水素または炭
素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基であり、かつ
それぞれの基における炭素数も同じ数または異なる数で
ある。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で示される重
合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，０００，０
００であることを特徴とする珪素含有線状共重合体。 - 【請求項２４】 下記構造式（Ｘ）および（IV） 【化２４】 〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。ＹおよびＺは独立し
てそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水素基、炭素数
１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲン、シアノ
基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−ＯＣＯＲ3、
−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣnＨ2nＮＣ
Ｏを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水素または炭
素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、Ｒ４はそれぞれ同じ基または異なる基であり、か
つそれぞれの基における炭素数も同じ数または異なる数
である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で示される
単量体を重合させることを特徴とする請求項２３記載の
珪素含有線状共重合体の製造方法。 - 【請求項２５】 下記構造式（Ｄ）、（Ａ）および
（Ｂ） 【化２５】 （式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示される重合単位
よりなり、分子量が２，０００〜２，０００，０００で
あることを特徴とする珪素含有線状共重合体。 - 【請求項２６】 下記構造式（Ｘ）、（Ｉ）および（Ｉ
Ｉ） 【化２６】 （式中、Ｍｅはメチル基を表す。）で示される単量体を
重合させることを特徴とする請求項２５記載の珪素含有
線状共重合体の製造方法。 - 【請求項２７】 下記構造式（Ｄ）、（Ａ）および
（Ｃ） 【化２７】 〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。ＹおよびＺは独立し
てそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水素基、炭素数
１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲン、シアノ
基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−ＯＣＯＲ3、
−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣnＨ2nＮＣ
Ｏを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水素または炭
素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基であり、かつ
それぞれの基における炭素数も同じ数または異なる数で
ある。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で示される重
合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，０００，０
００であることを特徴とする珪素含有線状共重合体。 - 【請求項２８】 下記構造式（Ｘ）、（Ｉ）および（I
V） 【化２８】 〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。ＹおよびＺは独立し
てそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水素基、炭素数
１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲン、シアノ
基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−ＯＣＯＲ3、
−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣnＨ2nＮＣ
Ｏを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水素または炭
素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、Ｒ４はそれぞれ同じ基または異なる基であり、か
つそれぞれの基における炭素数も同じ数または異なる数
である。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で示される
単量体を重合させることを特徴とする請求項２７記載の
珪素含有線状共重合体の製造方法。 - 【請求項２９】 下記構造式（Ｄ）、（Ｂ）および
（Ｃ） 【化２９】 〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。ＹおよびＺは独立し
てそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水素基、炭素数
１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲン、シアノ
基、水酸基、−ＣＯＯＲ１、−ＣＯＲ2、−ＯＣＯＲ3、
−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣnＨ2nＮＣ
Ｏを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水素または炭
素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基であり、かつ
それぞれの基における炭素数も同じ数または異なる数で
ある。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で示される重
合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，０００，０
００であることを特徴とする珪素含有線状共重合体。 - 【請求項３０】 下記構造式（Ｘ）、（II）および（I
V） 【化３０】 〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。ＹおよびＺは独立し
てそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水素基、炭素数
１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲン、シアノ
基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−ＯＣＯＲ3、
−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣnＨ2nＮＣ
Ｏを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水素または炭
素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基であり、かつ
それぞれの基における炭素数も同じ数または異なる数で
ある。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で示される単
量体を重合させることを特徴とする請求項２９記載の珪
素含有線状共重合体の製造方法。 - 【請求項３１】 下記構造式（Ｄ）、（Ａ）、（Ｂ）お
よび（Ｃ） 【化３１】 〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。ＹおよびＺは独立し
てそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水素基、炭素数
１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲン、シアノ
基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−ＯＣＯＲ3、
−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣnＨ2nＮＣ
Ｏを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水素または炭
素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基であり、かつ
それぞれの基における炭素数も同じ数または異なる数で
ある。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で示される重
合単位よりなり、分子量が２，０００〜２，０００，０
００であることを特徴とする珪素含有線状共重合体。 - 【請求項３２】 下記構造式（Ｘ）、（Ｉ）、（II）お
よび（IV） 【化３２】 〔式中、Ｍｅはメチル基を表わす。ＹおよびＺは独立し
てそれぞれ水素、炭素数１〜１０の炭化水素基、炭素数
１〜１０のハロゲン化炭化水素基、ハロゲン、シアノ
基、水酸基、−ＣＯＯＲ1、−ＣＯＲ2、−ＯＣＯＲ3、
−ＣＯＮＨＲ4、−ＣＯＣｌまたは−ＣＯＯＣnＨ2nＮＣ
Ｏを表す。ここでのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水素または炭
素数１〜１０の炭化水素基を表わし、この時Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同じ基または異なる基であり、かつ
それぞれの基における炭素数も同じ数または異なる数で
ある。また、ｎは１〜３の整数を表す。〕で示される単
量体を重合させることを特徴とする請求項３１記載の珪
素含有線状共重合体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21673793A JPH0725945A (ja) | 1993-05-11 | 1993-08-31 | 珪素を有する新規重合性化合物、珪素含有線状重合体および珪素含有線状共重合体ならびにこれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-109667 | 1993-05-11 | ||
| JP10966793 | 1993-05-11 | ||
| JP21673793A JPH0725945A (ja) | 1993-05-11 | 1993-08-31 | 珪素を有する新規重合性化合物、珪素含有線状重合体および珪素含有線状共重合体ならびにこれらの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0725945A true JPH0725945A (ja) | 1995-01-27 |
Family
ID=26449400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21673793A Withdrawn JPH0725945A (ja) | 1993-05-11 | 1993-08-31 | 珪素を有する新規重合性化合物、珪素含有線状重合体および珪素含有線状共重合体ならびにこれらの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0725945A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100741985B1 (ko) * | 2006-07-13 | 2007-07-23 | 삼성전자주식회사 | 기준 이미지 설정 방법 및 장치, 및 이를 이용한 패턴 검사방법 및 장치 |
-
1993
- 1993-08-31 JP JP21673793A patent/JPH0725945A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100741985B1 (ko) * | 2006-07-13 | 2007-07-23 | 삼성전자주식회사 | 기준 이미지 설정 방법 및 장치, 및 이를 이용한 패턴 검사방법 및 장치 |
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