JPH0725631A - ガラス薄膜の製造装置 - Google Patents
ガラス薄膜の製造装置Info
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- JPH0725631A JPH0725631A JP17164693A JP17164693A JPH0725631A JP H0725631 A JPH0725631 A JP H0725631A JP 17164693 A JP17164693 A JP 17164693A JP 17164693 A JP17164693 A JP 17164693A JP H0725631 A JPH0725631 A JP H0725631A
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- glass
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- exhaust
- glass thin
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1446—Means for after-treatment or catching of worked reactant gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 余剰のガラス微粒子を基板上に再付着させる
ことなく排気できるガラス薄膜の製造装置を提供する。 【構成】 ターンテーブル１２上に複数のシリコン基板
１１が載置されている。排気管１４には排気処理装置が
連結しており、外気取入口１７から排気口１４ａの間に
は一様な気流が生じている。この状態でターンテーブル
１２が回転され、トーチ１３が往復移動しつつ、トーチ
１３から供給されるガラス微粒子が基板１１の表面に堆
積される。ここで、余剰のガラス微粒子は気流に乗って
速やかに排気口１４ａまで搬送され、容器１６の外部へ
排出される。
ことなく排気できるガラス薄膜の製造装置を提供する。 【構成】 ターンテーブル１２上に複数のシリコン基板
１１が載置されている。排気管１４には排気処理装置が
連結しており、外気取入口１７から排気口１４ａの間に
は一様な気流が生じている。この状態でターンテーブル
１２が回転され、トーチ１３が往復移動しつつ、トーチ
１３から供給されるガラス微粒子が基板１１の表面に堆
積される。ここで、余剰のガラス微粒子は気流に乗って
速やかに排気口１４ａまで搬送され、容器１６の外部へ
排出される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に酸化物ガラス
薄膜を形成するためのガラス薄膜の製造装置に関するも
のである。
薄膜を形成するためのガラス薄膜の製造装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のガラス薄膜の製造装置と
して、図２の斜視図に示される装置がある。
して、図２の斜視図に示される装置がある。
【０００３】反応容器６内のターンテーブル２上には複
数のシリコン基板１が載置されている。これら各基板１
の表面にはトーチ３からの火炎流に伴って酸化物ガラス
微粒子が堆積される。基板１に堆積されなかった余剰の
ガラス微粒子は排気管４に吸引され、反応容器６の外部
にあり、反応容器６の内部を大気圧以下にする排気処理
装置によって処理される。また、基板上にガラス微粒子
を一様に堆積するため、基板１を載置したターンテーブ
ル２は反応容器６に対して一定の速度で回転する。さら
に、トーチ３も、ターンテーブル２の径方向に一定の移
動速度で往復移動する。また、各シリコン基板１は、タ
ーンテーブル２の下に設けられた下部ヒータ５によって
一様に加熱される。
数のシリコン基板１が載置されている。これら各基板１
の表面にはトーチ３からの火炎流に伴って酸化物ガラス
微粒子が堆積される。基板１に堆積されなかった余剰の
ガラス微粒子は排気管４に吸引され、反応容器６の外部
にあり、反応容器６の内部を大気圧以下にする排気処理
装置によって処理される。また、基板上にガラス微粒子
を一様に堆積するため、基板１を載置したターンテーブ
ル２は反応容器６に対して一定の速度で回転する。さら
に、トーチ３も、ターンテーブル２の径方向に一定の移
動速度で往復移動する。また、各シリコン基板１は、タ
ーンテーブル２の下に設けられた下部ヒータ５によって
一様に加熱される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のガラス薄膜の製造装置においては、余剰の酸化物ガ
ラス微粒子は排気管４によって完全には反応容器６の外
部へ排出されず、この余剰のガラス微粒子が反応容器内
の空間を飛翔するうちにガラス微粒子の粒子径が増大す
る。外径の大きくなったこの酸化物ガラス微粒子は、基
板１の表面で成長しつつある多孔質のガラス薄膜に再付
着する。このため、堆積したガラス微粒子の透明ガラス
化後に、再付着した粒径の大きいガラス微粒子が欠陥と
なり、石英導波路の伝送損失は増加した。
来のガラス薄膜の製造装置においては、余剰の酸化物ガ
ラス微粒子は排気管４によって完全には反応容器６の外
部へ排出されず、この余剰のガラス微粒子が反応容器内
の空間を飛翔するうちにガラス微粒子の粒子径が増大す
る。外径の大きくなったこの酸化物ガラス微粒子は、基
板１の表面で成長しつつある多孔質のガラス薄膜に再付
着する。このため、堆積したガラス微粒子の透明ガラス
化後に、再付着した粒径の大きいガラス微粒子が欠陥と
なり、石英導波路の伝送損失は増加した。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解消するためになされたもので、反応容器と、この反
応容器内に設けられた回転運動するターンテーブルと、
このターンテーブルに対して相対運動しつつターンテー
ブル上に載置された基板に向けてガラス微粒子を噴出す
るトーチとを備えたガラス薄膜の製造装置において、ト
ーチから噴出されターンテーブル表面を流れた余剰ガラ
ス微粒子ガスの流れる位置に排気口が設けられた排気管
と、この排気口と対向する位置の反応容器側壁の一個所
または複数箇所に設けられた外気取入口とを備えたこと
を特徴とするものである。
を解消するためになされたもので、反応容器と、この反
応容器内に設けられた回転運動するターンテーブルと、
このターンテーブルに対して相対運動しつつターンテー
ブル上に載置された基板に向けてガラス微粒子を噴出す
るトーチとを備えたガラス薄膜の製造装置において、ト
ーチから噴出されターンテーブル表面を流れた余剰ガラ
ス微粒子ガスの流れる位置に排気口が設けられた排気管
と、この排気口と対向する位置の反応容器側壁の一個所
または複数箇所に設けられた外気取入口とを備えたこと
を特徴とするものである。
【０００６】また、外気取入口にフィルタを備え、ま
た、外気取入口での外気の風速が０．２〜１．０ｍ／ｓ
に設定されていることを特徴とするものである。また、
この外気取入口の直前の反応容器外部に設けられた清浄
空気発生装置をさらに備えたことを特徴とするものであ
る。
た、外気取入口での外気の風速が０．２〜１．０ｍ／ｓ
に設定されていることを特徴とするものである。また、
この外気取入口の直前の反応容器外部に設けられた清浄
空気発生装置をさらに備えたことを特徴とするものであ
る。
【０００７】また、排気管が複数設けられていることを
特徴とするものである。また、排気管の排気口が反応容
器側壁に設けられ、また、反応容器の内部に設けられて
いることを特徴とするものである。
特徴とするものである。また、排気管の排気口が反応容
器側壁に設けられ、また、反応容器の内部に設けられて
いることを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】反応容器内において、外気取入口から排気口に
向かって気流の流れが生成され、基板表面を流れた余剰
のガラス微粒子はこの気流の流れに乗って速やかに排気
口まで搬送される。
向かって気流の流れが生成され、基板表面を流れた余剰
のガラス微粒子はこの気流の流れに乗って速やかに排気
口まで搬送される。
【０００９】また、フィルタや清浄空気発生装置によっ
て外気が清浄化されれば、基板上に堆積されるガラス微
粒子中に汚染物が混入しなくなる。
て外気が清浄化されれば、基板上に堆積されるガラス微
粒子中に汚染物が混入しなくなる。
【００１０】また、外気の風速が０．２〜１．０ｍ／ｓ
に設定されていると、反応生成ガスは外気取入口を通じ
て容器外部に漏れることなく排気口まで搬送され、か
つ、トーチから噴出されるガラス微粒子の流れは外気に
よって乱されることがない。
に設定されていると、反応生成ガスは外気取入口を通じ
て容器外部に漏れることなく排気口まで搬送され、か
つ、トーチから噴出されるガラス微粒子の流れは外気に
よって乱されることがない。
【００１１】また、排気管が複数設けられることによ
り、余剰のガラス微粒子はより効率よく排出される。ま
た、この排気管の排気口は反応容器側壁に設けてもよ
く、側壁に設けることによって余剰ガラス微粒子ガスの
流れに吹き溜まりが生じなくなる。
り、余剰のガラス微粒子はより効率よく排出される。ま
た、この排気管の排気口は反応容器側壁に設けてもよ
く、側壁に設けることによって余剰ガラス微粒子ガスの
流れに吹き溜まりが生じなくなる。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の一実施例によるガラス薄膜の
製造装置を示す斜視図である。
製造装置を示す斜視図である。
【００１３】ターンテーブル１２の上部は反応容器１６
内に封入されており、ターンテーブル１２上には複数の
シリコン基板１１が載置されている。これら各基板１１
の表面にはトーチ１３からの火炎流に伴ってガラス微粒
子が堆積される。各基板上にガラス微粒子を一様に堆積
するため、基板１１を載置したターンテーブル１２は５
ｒｐｍの速度で回転する。また、トーチ１３も、ターン
テーブル１２の径方向に２．５ｍｍ／ｓの移動速度で往
復移動する。その移動量は１５０ｍｍである。また、各
シリコン基板１１は、ターンテーブル１２の下に設けら
れた下部ヒータ１５によって一様に加熱される。本実施
例では、下部ヒータ１５によって基板１１が８００℃に
なるように設定されている。
内に封入されており、ターンテーブル１２上には複数の
シリコン基板１１が載置されている。これら各基板１１
の表面にはトーチ１３からの火炎流に伴ってガラス微粒
子が堆積される。各基板上にガラス微粒子を一様に堆積
するため、基板１１を載置したターンテーブル１２は５
ｒｐｍの速度で回転する。また、トーチ１３も、ターン
テーブル１２の径方向に２．５ｍｍ／ｓの移動速度で往
復移動する。その移動量は１５０ｍｍである。また、各
シリコン基板１１は、ターンテーブル１２の下に設けら
れた下部ヒータ１５によって一様に加熱される。本実施
例では、下部ヒータ１５によって基板１１が８００℃に
なるように設定されている。
【００１４】基板１１に堆積されなかった余剰のガラス
微粒子や排気ガスは、反応容器１６の側壁に設けられた
開口部を排気口１４ａとする排気管１４に吸引される。
この排気口１４ａは、トーチ１３から噴出され、ターン
テーブル１２の表面を流れた余剰ガラス微粒子ガスの流
れる位置に設けられている。排気管１４に吸引された排
気ガスは、反応容器１６の外部にあり、反応容器１６の
内部を大気圧以下にする排気処理装置によって処理され
る。また、この排気口１４ａと対向する位置の反応容器
１６の側壁１６ａには外気取入口１７が設けられてい
る。この外気取入口１７にはハニカム状に孔が開いたフ
ィルタが備えられている。
微粒子や排気ガスは、反応容器１６の側壁に設けられた
開口部を排気口１４ａとする排気管１４に吸引される。
この排気口１４ａは、トーチ１３から噴出され、ターン
テーブル１２の表面を流れた余剰ガラス微粒子ガスの流
れる位置に設けられている。排気管１４に吸引された排
気ガスは、反応容器１６の外部にあり、反応容器１６の
内部を大気圧以下にする排気処理装置によって処理され
る。また、この排気口１４ａと対向する位置の反応容器
１６の側壁１６ａには外気取入口１７が設けられてい
る。この外気取入口１７にはハニカム状に孔が開いたフ
ィルタが備えられている。
【００１５】このような装置構成において、排気管１４
に連結した排気処理装置を動作させることにより、反応
容器１６の内部は大気圧以下となる。この結果、対向す
る外気取入口１７と排気口１４ａとの間に一様な気流が
発生する。この気流は、外気取入口１７での風速が０．
２〜１．５ｍ／ｓになるよう、排気処理装置の排気動作
が調整される。このような気流が生じている状態で次の
ガラス原料がトーチ１３から噴出され、シリコン基板１
１上にまずバッファ用ガラス微粒子層が堆積される。
に連結した排気処理装置を動作させることにより、反応
容器１６の内部は大気圧以下となる。この結果、対向す
る外気取入口１７と排気口１４ａとの間に一様な気流が
発生する。この気流は、外気取入口１７での風速が０．
２〜１．５ｍ／ｓになるよう、排気処理装置の排気動作
が調整される。このような気流が生じている状態で次の
ガラス原料がトーチ１３から噴出され、シリコン基板１
１上にまずバッファ用ガラス微粒子層が堆積される。
【００１６】ＳｉＣｌ4 ：２５０ｃｃ／ｍｉｎ ＢＣｌ3 ： １０ｃｃ／ｍｉｎ ＰＯＣｌ3 ： ２．５ｃｃ／ｍｉｎ 引き続いて、トーチ１３から次の原料ガスが噴出され、
バッファ用ガラス微粒子層上にコア用ガラス微粒子層が
堆積される。
バッファ用ガラス微粒子層上にコア用ガラス微粒子層が
堆積される。
【００１７】ＳｉＣｌ4 ：２５０ｃｃ／ｍｉｎ ＧｅＣｌ4 ： ４０ｃｃ／ｍｉｎ ＰＯＣｌ3 ： ２．５ｃｃ／ｍｉｎ ここで、各ガラス微粒子層を堆積する際に、火炎加水分
解反応を生じさせるため、トーチ１３から基板表面にＯ
2 ガスおよびＨ2 ガスが同時に供給される。これら各ガ
スの供給量は、Ｏ2 ガスが５ｌ／ｍｉｎ，Ｈ2 ガスが
２．５ｌ／ｍｉｎである。
解反応を生じさせるため、トーチ１３から基板表面にＯ
2 ガスおよびＨ2 ガスが同時に供給される。これら各ガ
スの供給量は、Ｏ2 ガスが５ｌ／ｍｉｎ，Ｈ2 ガスが
２．５ｌ／ｍｉｎである。
【００１８】次に、各ガラス微粒子層の堆積後、シリコ
ン基板１１は１４００℃の電気炉内に入れられる。この
高温加熱処理により、基板表面に堆積された各酸化物ガ
ラス微粒子層は焼結し、透明ガラス化する。その後、透
明ガラス化したコア層は断面が８μｍ角のリッジ状導波
路にパターニングされ、パターニングされたこのコア層
上にオーバークラッドが形成されて石英導波路が製造さ
れる。
ン基板１１は１４００℃の電気炉内に入れられる。この
高温加熱処理により、基板表面に堆積された各酸化物ガ
ラス微粒子層は焼結し、透明ガラス化する。その後、透
明ガラス化したコア層は断面が８μｍ角のリッジ状導波
路にパターニングされ、パターニングされたこのコア層
上にオーバークラッドが形成されて石英導波路が製造さ
れる。
【００１９】このような本実施例によるガラス薄膜製造
装置によれば、上記のように反応容器１６内において、
外気取入口１７から排気管１４に向かって気流の流れが
生成される。従って、基板表面を流れた余剰のガラス微
粒子はこの気流の流れに乗って速やかに排気口１４ａま
で搬送され、排気管１４に連結された排気処理装置へ排
出される。このため、従来のように、基板表面に堆積し
つつある多孔質の酸化物ガラス薄膜に、径の大きくなっ
たガラス微粒子が再付着することがなくなり、ガラス微
粒子中に欠陥の原因が生成されなくなる。
装置によれば、上記のように反応容器１６内において、
外気取入口１７から排気管１４に向かって気流の流れが
生成される。従って、基板表面を流れた余剰のガラス微
粒子はこの気流の流れに乗って速やかに排気口１４ａま
で搬送され、排気管１４に連結された排気処理装置へ排
出される。このため、従来のように、基板表面に堆積し
つつある多孔質の酸化物ガラス薄膜に、径の大きくなっ
たガラス微粒子が再付着することがなくなり、ガラス微
粒子中に欠陥の原因が生成されなくなる。
【００２０】また、外気取り入れの条件は、反応容器１
６の内部に清浄な空気を導入するため、外気取入口１７
にフィルタを設置し、これに加えて外気取入口１７での
外気の風速を０．２〜１．０ｍ／ｓに設定している。こ
の設定値は、反応容器１６の内部に生じるＨＣｌ等の反
応生成ガスを外気取入口１７を通じて外部に漏洩させ
ず、かつ、トーチ１３から基板表面への酸化物ガラス微
粒子の流れを安定に保つ値である。ここで、酸化物ガラ
ス薄膜製造装置の置かれている部屋の空気の清浄度に応
じ、フィルタを具備する外気取入口１７の直前の容器外
部に清浄空気発生装置をさらに設置するようにしてもよ
い。このような本実施例によれば、トーチ１３からの原
料ガス供給に影響を与えることなく、清浄化した外気で
反応容器１６内の余剰ガスを容器外へ排出することがで
き、基板上に堆積されるガラス微粒子中には汚染物が混
入しない。
６の内部に清浄な空気を導入するため、外気取入口１７
にフィルタを設置し、これに加えて外気取入口１７での
外気の風速を０．２〜１．０ｍ／ｓに設定している。こ
の設定値は、反応容器１６の内部に生じるＨＣｌ等の反
応生成ガスを外気取入口１７を通じて外部に漏洩させ
ず、かつ、トーチ１３から基板表面への酸化物ガラス微
粒子の流れを安定に保つ値である。ここで、酸化物ガラ
ス薄膜製造装置の置かれている部屋の空気の清浄度に応
じ、フィルタを具備する外気取入口１７の直前の容器外
部に清浄空気発生装置をさらに設置するようにしてもよ
い。このような本実施例によれば、トーチ１３からの原
料ガス供給に影響を与えることなく、清浄化した外気で
反応容器１６内の余剰ガスを容器外へ排出することがで
き、基板上に堆積されるガラス微粒子中には汚染物が混
入しない。
【００２１】本実施例による製造装置で製造された上記
の石英導波路と、図２に示される従来の製造装置を用い
て本実施例と同じガラス原料および同じ製造条件で同一
形状に製造した石英導波路とについて、平均伝送損失を
測定した。この結果、本実施例による製造装置を用いて
製造された石英導波路の平均伝送損失は０．１ｄＢ／ｃ
ｍと極めて低損失であったが、従来の製造装置を用いて
製造された石英導波路の平均伝送損失は０．５ｄＢ／ｃ
ｍと大きな損失になった。すなわち、本実施例によるガ
ラス薄膜の製造装置の有効性が確認された。
の石英導波路と、図２に示される従来の製造装置を用い
て本実施例と同じガラス原料および同じ製造条件で同一
形状に製造した石英導波路とについて、平均伝送損失を
測定した。この結果、本実施例による製造装置を用いて
製造された石英導波路の平均伝送損失は０．１ｄＢ／ｃ
ｍと極めて低損失であったが、従来の製造装置を用いて
製造された石英導波路の平均伝送損失は０．５ｄＢ／ｃ
ｍと大きな損失になった。すなわち、本実施例によるガ
ラス薄膜の製造装置の有効性が確認された。
【００２２】なお、上記実施例の説明においては、外気
取入口１７と排気管４とが単数の場合の例を示したが、
これらが複数であってもよく、この場合においては余剰
のガラス微粒子はより効率よく排出され、上記実施例と
同様な効果が奏される。また、上記実施例では排気管１
４の排気口１４ａを反応容器１６の側壁に設けた場合に
ついて説明したが、排気管１４が容器を貫通してその先
端部の排気口１４ａが容器１６の内部に設置された構造
であっても構わない。ただし、排気口１４ａを容器１６
の側壁に設けた方が、余剰ガラス微粒子ガスの流れに吹
き溜まりが生じなくなる。
取入口１７と排気管４とが単数の場合の例を示したが、
これらが複数であってもよく、この場合においては余剰
のガラス微粒子はより効率よく排出され、上記実施例と
同様な効果が奏される。また、上記実施例では排気管１
４の排気口１４ａを反応容器１６の側壁に設けた場合に
ついて説明したが、排気管１４が容器を貫通してその先
端部の排気口１４ａが容器１６の内部に設置された構造
であっても構わない。ただし、排気口１４ａを容器１６
の側壁に設けた方が、余剰ガラス微粒子ガスの流れに吹
き溜まりが生じなくなる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、反
応容器内において、外気取入口から排気管に向かって気
流の流れが生成され、基板表面を流れた余剰のガラス微
粒子はこの気流の流れに乗って速やかに排気口まで搬送
される。従って、空間を飛翔して径が大きくなったガラ
ス微粒子が基板上に再付着しなくなる。また、フィルタ
や清浄空気発生装置によって外気が清浄化されれば、基
板上に堆積されるガラス微粒子中に汚染物が混入しなく
なる。よって、基板上の再付着物や汚染物が原因して光
導波路に欠陥が生じなくなる。このため、伝送損失の小
さな光導波路膜を製造することが可能になる。
応容器内において、外気取入口から排気管に向かって気
流の流れが生成され、基板表面を流れた余剰のガラス微
粒子はこの気流の流れに乗って速やかに排気口まで搬送
される。従って、空間を飛翔して径が大きくなったガラ
ス微粒子が基板上に再付着しなくなる。また、フィルタ
や清浄空気発生装置によって外気が清浄化されれば、基
板上に堆積されるガラス微粒子中に汚染物が混入しなく
なる。よって、基板上の再付着物や汚染物が原因して光
導波路に欠陥が生じなくなる。このため、伝送損失の小
さな光導波路膜を製造することが可能になる。
【００２４】また、外気の風速が０．２〜１．０ｍ／ｓ
に設定されていると、反応生成ガスは外気取入口を通じ
て容器外部に漏れることなく排気口まで搬送され、か
つ、トーチから噴出されるガラス微粒子の流れは外気に
よって乱されることがない。このため、トーチからの原
料供給ガスに影響を与えることなく、清浄化した外気で
反応容器内の余剰ガスを容器外へ排出することができ
る。
に設定されていると、反応生成ガスは外気取入口を通じ
て容器外部に漏れることなく排気口まで搬送され、か
つ、トーチから噴出されるガラス微粒子の流れは外気に
よって乱されることがない。このため、トーチからの原
料供給ガスに影響を与えることなく、清浄化した外気で
反応容器内の余剰ガスを容器外へ排出することができ
る。
【００２５】また、排気管が複数設けられることによ
り、余剰のガラス微粒子はより効率よく排出される。ま
た、この排気管の排気口は反応容器側壁に設けてもよ
く、側壁に設けることによって余剰ガラス微粒子ガスの
流れに吹き溜まりが生じなくなる。
り、余剰のガラス微粒子はより効率よく排出される。ま
た、この排気管の排気口は反応容器側壁に設けてもよ
く、側壁に設けることによって余剰ガラス微粒子ガスの
流れに吹き溜まりが生じなくなる。
【図１】本発明の一実施例によるガラス薄膜の製造装置
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図２】従来のガラス薄膜の製造装置を示す斜視図であ
る。
る。
１１…シリコン基板、１２…ターンテーブル、１３…ト
ーチ、１４…排気管、１４ａ…排気口、１５…下部ヒー
タ、１６…反応容器、１６ａ…排気口１４ａに対向する
反応容器の側壁、１７…外気取入口。
ーチ、１４…排気管、１４ａ…排気口、１５…下部ヒー
タ、１６…反応容器、１６ａ…排気口１４ａに対向する
反応容器の側壁、１７…外気取入口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 向後 隆司 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 広瀬 智財 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内
Claims (7)
- 【請求項１】 反応容器と、この反応容器内に設けられ
た回転運動するターンテーブルと、このターンテーブル
に対して相対運動しつつ前記ターンテーブル上に載置さ
れた基板に向けてガラス微粒子を噴出するトーチとを備
えたガラス薄膜の製造装置において、 前記トーチから噴出され前記ターンテーブル表面を流れ
た余剰ガラス微粒子ガスの流れる位置に排気口が設けら
れた排気管と、 この排気口と対向する位置の前記反応容器側壁の一個所
または複数箇所に設けられた外気取入口とを備えたこと
を特徴とするガラス薄膜の製造装置。 - 【請求項２】 前記外気取入口にフィルタを備えたこと
を特徴とする請求項１記載のガラス薄膜の製造装置。 - 【請求項３】 前記外気取入口での外気の風速が０．２
〜１．０ｍ／ｓに設定されていることを特徴とする請求
項２記載のガラス薄膜の製造装置。 - 【請求項４】 前記外気取入口の直前の反応容器外部に
清浄空気発生装置を備えたことを特徴とする請求項２記
載のガラス薄膜の製造装置。 - 【請求項５】 前記排気管が複数設けられていることを
特徴とする請求項１記載のガラス薄膜の製造装置。 - 【請求項６】 前記排気管の排気口が前記反応容器側壁
に設けられていることを特徴とする請求項１記載のガラ
ス薄膜の製造装置。 - 【請求項７】 前記排気管の排気口が前記反応容器の内
部に設けられていることを特徴とする請求項１記載のガ
ラス薄膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17164693A JPH0725631A (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | ガラス薄膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17164693A JPH0725631A (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | ガラス薄膜の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0725631A true JPH0725631A (ja) | 1995-01-27 |
Family
ID=15927077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17164693A Pending JPH0725631A (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | ガラス薄膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0725631A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1046617A2 (en) * | 1999-04-21 | 2000-10-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Synthetic quartz glass manufacturing process |
| JP2006089799A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Daihen Corp | 溶射装置 |
-
1993
- 1993-07-12 JP JP17164693A patent/JPH0725631A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1046617A2 (en) * | 1999-04-21 | 2000-10-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Synthetic quartz glass manufacturing process |
| EP1046617A3 (en) * | 1999-04-21 | 2001-03-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Synthetic quartz glass manufacturing process |
| JP2006089799A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Daihen Corp | 溶射装置 |
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