JPH07253583A - パターン薄膜形成方法及び装置 - Google Patents
パターン薄膜形成方法及び装置Info
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- JPH07253583A JPH07253583A JP5256215A JP25621593A JPH07253583A JP H07253583 A JPH07253583 A JP H07253583A JP 5256215 A JP5256215 A JP 5256215A JP 25621593 A JP25621593 A JP 25621593A JP H07253583 A JPH07253583 A JP H07253583A
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
- G02F1/1309—Repairing; Testing
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
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Abstract
(57)【要約】
【目的】液晶基板の断線欠陥の配線修正に必要なパター
ン薄膜形成にレーザを用い、かつチェンバー等を不要と
する簡易な構成を実現する。 【構成】Ｘ−Ｙステージ１３上に配置した基板１２に近
接もしくは接触したテフロンフィルム１８に配設した転
写用媒体としてのパラジウムアセテートに顕微光学系１
７によりレーザ光を照射して、分解してできたパラジウ
ムを基板１２に転写して所望のパターン薄膜形成を基板
１２の断線欠陥部に施す。パラジウムは、テフロンフィ
ルム１８には被着しないため、反対側の基板１２にパラ
ジウムが転写される。 【効果】従来のレーザＣＶＤによるパターン薄膜形成に
比べ、ガス供給系、チェンバー等が不要となり、また基
板上にパラジウムアセテートを塗布してレーザ光でパラ
ジウムを析出させる方法に比し、レーザ照射後の不用な
パラジウムアセテートの洗浄工程が不要とする。
ン薄膜形成にレーザを用い、かつチェンバー等を不要と
する簡易な構成を実現する。 【構成】Ｘ−Ｙステージ１３上に配置した基板１２に近
接もしくは接触したテフロンフィルム１８に配設した転
写用媒体としてのパラジウムアセテートに顕微光学系１
７によりレーザ光を照射して、分解してできたパラジウ
ムを基板１２に転写して所望のパターン薄膜形成を基板
１２の断線欠陥部に施す。パラジウムは、テフロンフィ
ルム１８には被着しないため、反対側の基板１２にパラ
ジウムが転写される。 【効果】従来のレーザＣＶＤによるパターン薄膜形成に
比べ、ガス供給系、チェンバー等が不要となり、また基
板上にパラジウムアセテートを塗布してレーザ光でパラ
ジウムを析出させる方法に比し、レーザ照射後の不用な
パラジウムアセテートの洗浄工程が不要とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパターン薄膜形成方法及
び装置に関し、特に液晶配線基板の断線配線欠陥に対し
てパターン薄膜を形成して修正するパターン薄膜形成方
法及び装置に関する。
び装置に関し、特に液晶配線基板の断線配線欠陥に対し
てパターン薄膜を形成して修正するパターン薄膜形成方
法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶配線基板の配線修正に適用可
能なパターン薄膜形成方法として、熱分解により金属を
析出する媒体を基板に塗布し、その後所望の修正パター
ンに従ってレーザ光を照射して媒体を分解して金属を析
出させ、配線を修正する方法が知られている。例えば、
米国特許５１６４５６５号のＧｉｎｅｔｔｏ Ａｄｄｉ
ｅｇｏらによる発明によれば、原料として有機溶媒に溶
かしたパラジウムアセテート溶液を細いノズルを持つデ
ィスペンサから吐出して基板上にパラジウムアセテート
膜を部分的に形成し、基板を加熱して溶媒を膜から除去
した後、所望の修正パターンに従ってレーザ光を走査し
て、パラジウムを析出させるパターン薄膜形成方法が報
告されている。
能なパターン薄膜形成方法として、熱分解により金属を
析出する媒体を基板に塗布し、その後所望の修正パター
ンに従ってレーザ光を照射して媒体を分解して金属を析
出させ、配線を修正する方法が知られている。例えば、
米国特許５１６４５６５号のＧｉｎｅｔｔｏ Ａｄｄｉ
ｅｇｏらによる発明によれば、原料として有機溶媒に溶
かしたパラジウムアセテート溶液を細いノズルを持つデ
ィスペンサから吐出して基板上にパラジウムアセテート
膜を部分的に形成し、基板を加熱して溶媒を膜から除去
した後、所望の修正パターンに従ってレーザ光を走査し
て、パラジウムを析出させるパターン薄膜形成方法が報
告されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のパター
ン薄膜形成方法では、基板に形成できるパラジウムアセ
テート膜の最小幅が２００μｍ程度と大きいために、配
線を形成した後に配線形成部周辺の不用なパラジウムア
セテートを洗浄除去する工程や、パラジウムアセテート
膜から溶媒を除去するために基板を昇温する工程等が必
要であり、修正時間が長くかかりかつ工程が複雑となる
ため、液晶配線基板などの大量生産品の配線修正を行な
うには、スループットの点で実用性に乏しいという問題
点があった。さらに、溶媒除去のための基板ヒーティン
グのために基板とパラジウムアセテートが強く結合し、
配線修正後の洗浄工程で不用なパラジウムアセテートを
十分除去できない場合が発生し易く、修正歩留まりの低
下を招いているという問題点があった。
ン薄膜形成方法では、基板に形成できるパラジウムアセ
テート膜の最小幅が２００μｍ程度と大きいために、配
線を形成した後に配線形成部周辺の不用なパラジウムア
セテートを洗浄除去する工程や、パラジウムアセテート
膜から溶媒を除去するために基板を昇温する工程等が必
要であり、修正時間が長くかかりかつ工程が複雑となる
ため、液晶配線基板などの大量生産品の配線修正を行な
うには、スループットの点で実用性に乏しいという問題
点があった。さらに、溶媒除去のための基板ヒーティン
グのために基板とパラジウムアセテートが強く結合し、
配線修正後の洗浄工程で不用なパラジウムアセテートを
十分除去できない場合が発生し易く、修正歩留まりの低
下を招いているという問題点があった。
【０００４】本発明の目的は上述した問題点を解決し、
パターン薄膜形成材料の洗浄除去工程およびパターン薄
膜形成後の溶媒除去工程を不要として著しく作業時間を
短縮し、修正歩留まりを大幅に改善しうる高精度かつ簡
素な構成のパターン薄膜形成方法及び装置を提供するこ
とにある。
パターン薄膜形成材料の洗浄除去工程およびパターン薄
膜形成後の溶媒除去工程を不要として著しく作業時間を
短縮し、修正歩留まりを大幅に改善しうる高精度かつ簡
素な構成のパターン薄膜形成方法及び装置を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のパターン薄膜形
成方法は、液晶配線基板の断線配線欠陥を修正するパタ
ーン薄膜形成方法であって、レーザ光に対して透明な支
持部材に所定の配置パターンで配設した複数の転写用媒
体から選択した転写用媒体を前記液晶配線基板の配線面
の断線部に近接もしくは接触させた状態で前記透明な支
持部材を介して前記転写用媒体にレーザ光を照射しその
熱分解によって生じた材料を前記断線部に付着させてパ
ターン薄膜を転写により形成し前記液晶配線基板の断線
配線欠陥を修正する工程を有する。
成方法は、液晶配線基板の断線配線欠陥を修正するパタ
ーン薄膜形成方法であって、レーザ光に対して透明な支
持部材に所定の配置パターンで配設した複数の転写用媒
体から選択した転写用媒体を前記液晶配線基板の配線面
の断線部に近接もしくは接触させた状態で前記透明な支
持部材を介して前記転写用媒体にレーザ光を照射しその
熱分解によって生じた材料を前記断線部に付着させてパ
ターン薄膜を転写により形成し前記液晶配線基板の断線
配線欠陥を修正する工程を有する。
【０００６】本発明のパターン薄膜形成装置は、Ｘ−Ｙ
ステージ上に配置した液晶配線基板のパターンを光学的
に観測するとともにレーザ光を照射する顕微光学系と、
複数のパターン化した転写用媒体を配設しかつ少なくと
も転写用媒体に接する部分は前記レーザ光に対して透明
な材料で構成したフィルム状の支持部材と、前記支持部
材を固定する支持体と、前記支持体を液晶配線基板の配
線面上の水平面内で微動させる微動機構と、前記支持体
に固定した前記支持部材に上方から力を印加して前記パ
ターン化した転写用媒体の少なくとも一つを前記液晶配
線基板の配線面に圧着する圧着機構とを備え、前記レー
ザ光を前記支持部材を介して前記転写用媒体に照射し前
記液晶配線基板の断線部にパターン薄膜を形成する構成
を有する。
ステージ上に配置した液晶配線基板のパターンを光学的
に観測するとともにレーザ光を照射する顕微光学系と、
複数のパターン化した転写用媒体を配設しかつ少なくと
も転写用媒体に接する部分は前記レーザ光に対して透明
な材料で構成したフィルム状の支持部材と、前記支持部
材を固定する支持体と、前記支持体を液晶配線基板の配
線面上の水平面内で微動させる微動機構と、前記支持体
に固定した前記支持部材に上方から力を印加して前記パ
ターン化した転写用媒体の少なくとも一つを前記液晶配
線基板の配線面に圧着する圧着機構とを備え、前記レー
ザ光を前記支持部材を介して前記転写用媒体に照射し前
記液晶配線基板の断線部にパターン薄膜を形成する構成
を有する。
【０００７】
【実施例】次に、図面を参照して本発明を説明する。図
１は本発明の一実施例の構成図である。本実施例は、液
晶配線基板のパターンを観測するとともにレーザ光を照
射する顕微光学系１７と、図示しない転写用媒体を配設
したレーザ光に対して透明な支持部材としてのテフロン
フィルム１８と、テフロンフィルム１８を固定する支持
体１４をＸ−Ｙ面上で前後左右に微動させる微動機構３
と、リフト機構９、支点１０及び抑え板１１を有しテフ
ロンフィルム１８を基板１２に圧着する圧着機構と、顕
微光学系１７による観測視野を撮像しモニタするモニタ
テレビ１およびテレビカメラ２と、基板１２と、基板１
２を配置するステージ１３とを備える。
１は本発明の一実施例の構成図である。本実施例は、液
晶配線基板のパターンを観測するとともにレーザ光を照
射する顕微光学系１７と、図示しない転写用媒体を配設
したレーザ光に対して透明な支持部材としてのテフロン
フィルム１８と、テフロンフィルム１８を固定する支持
体１４をＸ−Ｙ面上で前後左右に微動させる微動機構３
と、リフト機構９、支点１０及び抑え板１１を有しテフ
ロンフィルム１８を基板１２に圧着する圧着機構と、顕
微光学系１７による観測視野を撮像しモニタするモニタ
テレビ１およびテレビカメラ２と、基板１２と、基板１
２を配置するステージ１３とを備える。
【０００８】また顕微光学系１７は、観測用のレーザ光
を発生するレーザ光源８と、レーザ光を走査するスキャ
ナー７と、照明光を発生する照明用光源１９と、照明光
とレーザ光とを合成するミラー６と、ハーフミラー５お
よび出力光学系を表現するレンズ４とを含む。
を発生するレーザ光源８と、レーザ光を走査するスキャ
ナー７と、照明光を発生する照明用光源１９と、照明光
とレーザ光とを合成するミラー６と、ハーフミラー５お
よび出力光学系を表現するレンズ４とを含む。
【０００９】液晶配設に断線欠陥を含む基板１２はＸ−
Ｙステージ１３の上に配置され、基板１２は上面側から
顕微光学系１７により断線部近傍を観察できる。
Ｙステージ１３の上に配置され、基板１２は上面側から
顕微光学系１７により断線部近傍を観察できる。
【００１０】顕微光学系１７は、照明用光源１９からの
照明光をミラー６、ハーフミラー５及びレンズ４を通し
て基板１２を照明する光路と、基板１２からの二重矢印
および点線で示す反射光をハーフミラー５で分離してＴ
Ｖカメラ２に受光させその撮像をモニタＴＶ１に表示す
る光学系とが含まれる。また顕微光学系１７には、アル
ゴンレーザを発生するレーザ光源８と、その出射光を基
板１２面内のＸ−Ｙ方向に走査するスキャナー７があ
り、レーザ光源８からの出射光は照明光と光路とを合成
させるミラー６で反射され、基板１２の方向に導かれる
構成となっている。
照明光をミラー６、ハーフミラー５及びレンズ４を通し
て基板１２を照明する光路と、基板１２からの二重矢印
および点線で示す反射光をハーフミラー５で分離してＴ
Ｖカメラ２に受光させその撮像をモニタＴＶ１に表示す
る光学系とが含まれる。また顕微光学系１７には、アル
ゴンレーザを発生するレーザ光源８と、その出射光を基
板１２面内のＸ−Ｙ方向に走査するスキャナー７があ
り、レーザ光源８からの出射光は照明光と光路とを合成
させるミラー６で反射され、基板１２の方向に導かれる
構成となっている。
【００１１】レンズ４と基板１２との間には、転写用媒
体を配設したテフロンフィルム１８が支持体１４によっ
て保持されている。支持体１４は、微動機構３によりＸ
−Ｙ面内で、テフロンフィルム１８に配設した所望の形
状の転写用媒体を顕微光学系１７の光路上に選択できる
構成である。レーザ光の透過面上に突き出した先端を持
つ抑え板１１は、根元側の支点１０とリフト機構９とに
より支持体１４を上下方向に微動させることができる。
抑え板１１は、先端が厚さ２０μｍの石英板である。支
持体１４付近のより詳細な構成を図２に示す。支持体１
４は、長方形にパターン化されたパラジウムアセテート
からなる複数の転写用媒体１５を付着させたテフロンフ
ィルム１８を固定する。また、複数の転写用媒体１５
は、幅２０μｍ、長さが１０〜１００μｍの長方形で、
Ｘ方向及びＹ方向それぞれに細長い方向が向いたものを
テフロンフィルム１８下に２００個配置している。なお
テフロンフィルム１８の下にパターン化したパラジウム
アセテートを形成する方法には、フィルム全面にパラジ
ウムアセテートを塗布／乾燥した後、パルスレーザ光を
走査しながらフィルム１８の裏側から照射して不用な部
分を蒸散させる方法を用いた。また、テフロンフィルム
１８自体は、付着力の弱いテフロンを被覆した石英等の
透明なサセプターとして形成される。なおテフロンフィ
ルム１８上に配設した転写用媒体１５を全部消費したあ
とは、微動機構３と支持体１４の接続部のピンから支持
体１４を取り外して新しい支持体に容易に交換できる。
また配設修正部の周りに転写用媒体１５の破片が付着し
て基板１３を汚染することを抑えるために、転写用媒体
１５の幅は液晶配線基板の配線幅と同じにしてある。
体を配設したテフロンフィルム１８が支持体１４によっ
て保持されている。支持体１４は、微動機構３によりＸ
−Ｙ面内で、テフロンフィルム１８に配設した所望の形
状の転写用媒体を顕微光学系１７の光路上に選択できる
構成である。レーザ光の透過面上に突き出した先端を持
つ抑え板１１は、根元側の支点１０とリフト機構９とに
より支持体１４を上下方向に微動させることができる。
抑え板１１は、先端が厚さ２０μｍの石英板である。支
持体１４付近のより詳細な構成を図２に示す。支持体１
４は、長方形にパターン化されたパラジウムアセテート
からなる複数の転写用媒体１５を付着させたテフロンフ
ィルム１８を固定する。また、複数の転写用媒体１５
は、幅２０μｍ、長さが１０〜１００μｍの長方形で、
Ｘ方向及びＹ方向それぞれに細長い方向が向いたものを
テフロンフィルム１８下に２００個配置している。なお
テフロンフィルム１８の下にパターン化したパラジウム
アセテートを形成する方法には、フィルム全面にパラジ
ウムアセテートを塗布／乾燥した後、パルスレーザ光を
走査しながらフィルム１８の裏側から照射して不用な部
分を蒸散させる方法を用いた。また、テフロンフィルム
１８自体は、付着力の弱いテフロンを被覆した石英等の
透明なサセプターとして形成される。なおテフロンフィ
ルム１８上に配設した転写用媒体１５を全部消費したあ
とは、微動機構３と支持体１４の接続部のピンから支持
体１４を取り外して新しい支持体に容易に交換できる。
また配設修正部の周りに転写用媒体１５の破片が付着し
て基板１３を汚染することを抑えるために、転写用媒体
１５の幅は液晶配線基板の配線幅と同じにしてある。
【００１２】図４に示す本実施例の動作手順に従って動
作内容を説明する。最初に基板１２をＸ−Ｙステージ１
３上にセットする（ステップ１０１）。次に、検査装置
からの断線箇所の位置データに基づきＸ−Ｙステージ１
２を動かし、断線部が顕微光学系１７の視野の中心に位
置するよう基板を移動させる（ステップ１０２）。次
に、断線部の形状に近い転写用媒体１５を選択して選択
した転写用媒体１５が断線部の上になるように微調機構
３を動かす（ステップ１０３）。この時点では、転写用
媒体１５と基板１２との間がおよそ３０μｍ離れてい
る。次にリフト機構９により転写用媒体１５と基板１２
とが接するまで、抑え板１１で支持体１４のテフロンフ
ィルムをたわませる（ステップ１０４）。転写用媒体１
５が断線部に接した状態でレーザ光源８からレーザ光を
出射しスキャナー７で転写用媒体１５の上をレーザ光で
なぞる（ステップ１０５）ことにより、転写用媒体１５
のパラジウムアセテートが熱分解して基板１２側にパラ
ジウムが付着する。なお、このときテフロンフィルム１
８は付着力が低いためテフロンフィルム１８側にはパラ
ジウムが付着しない。本実施例では、レーザビーム径５
μｍ、レーザ光走査速度２００μｍ／ｓ、パラジウムア
セテート膜厚１．５μｍの場合、レーザ光強度５ｍＷか
ら３０ｍＷの範囲できれいなパラジウム膜の堆積を基板
１２上に起こすことができた。堆積したパラジウム膜の
厚みは１５００オングストローム、比抵抗は２０μΩｃ
ｍと十分に低く、断線長１００μｍの修正後の結線抵抗
は５Ω程度であり実用上十分な特性が得られた。パラジ
ウム堆積後、リフト機構９を動かして支持体１４を持ち
上げた後（ステップ１０６）、基板１２を取り出して修
正作業を終える（ステップ１０７）。
作内容を説明する。最初に基板１２をＸ−Ｙステージ１
３上にセットする（ステップ１０１）。次に、検査装置
からの断線箇所の位置データに基づきＸ−Ｙステージ１
２を動かし、断線部が顕微光学系１７の視野の中心に位
置するよう基板を移動させる（ステップ１０２）。次
に、断線部の形状に近い転写用媒体１５を選択して選択
した転写用媒体１５が断線部の上になるように微調機構
３を動かす（ステップ１０３）。この時点では、転写用
媒体１５と基板１２との間がおよそ３０μｍ離れてい
る。次にリフト機構９により転写用媒体１５と基板１２
とが接するまで、抑え板１１で支持体１４のテフロンフ
ィルムをたわませる（ステップ１０４）。転写用媒体１
５が断線部に接した状態でレーザ光源８からレーザ光を
出射しスキャナー７で転写用媒体１５の上をレーザ光で
なぞる（ステップ１０５）ことにより、転写用媒体１５
のパラジウムアセテートが熱分解して基板１２側にパラ
ジウムが付着する。なお、このときテフロンフィルム１
８は付着力が低いためテフロンフィルム１８側にはパラ
ジウムが付着しない。本実施例では、レーザビーム径５
μｍ、レーザ光走査速度２００μｍ／ｓ、パラジウムア
セテート膜厚１．５μｍの場合、レーザ光強度５ｍＷか
ら３０ｍＷの範囲できれいなパラジウム膜の堆積を基板
１２上に起こすことができた。堆積したパラジウム膜の
厚みは１５００オングストローム、比抵抗は２０μΩｃ
ｍと十分に低く、断線長１００μｍの修正後の結線抵抗
は５Ω程度であり実用上十分な特性が得られた。パラジ
ウム堆積後、リフト機構９を動かして支持体１４を持ち
上げた後（ステップ１０６）、基板１２を取り出して修
正作業を終える（ステップ１０７）。
【００１３】以上の修正に要する時間は、従来法で必要
であったパラジウムアセテート塗布工程や基板加熱工程
や、配線形成後の基板洗浄工程等が不用なため、１点当
り３０秒程度と短くできる。なお、本実施例では、約２
μｍの高い空間分解能を確保している。
であったパラジウムアセテート塗布工程や基板加熱工程
や、配線形成後の基板洗浄工程等が不用なため、１点当
り３０秒程度と短くできる。なお、本実施例では、約２
μｍの高い空間分解能を確保している。
【００１４】図３に転写用媒体１５を保持する支持体１
４の別の構成例を示す。支持体１４は、薄い石英板に細
いスリット１６を多数配設した構造を有し、スリット１
６で分離した支持体１４の先端部分に対応するテフロン
フィルム１８に形状の異なる転写用媒体１５が付着して
いる。この構造によれば、抑え板１１によりスリットを
設けた支持体１４の部分が上下するので隣接する転写用
媒体１５へ歪が伝わることがなく、転写用媒体１５のは
がれ等が起きにくい利点がある。なお、本実施例では、
転写用媒体１５に圧接するフィルムにテフロンフィルム
を用いた場合を説明したが、温度上昇により分解してガ
スを発生するような有機フィルムを用いることもでき
る。この場合、レーザ光照射により、パラジウムアセテ
ートが分解するときに、フィルム側も昇温によりガス化
するのでパラジウムがフィルムに付着することなく、ガ
ス圧により基板１２にパラジウムを圧着する効果を増加
させることができる。また転写用媒体のパラジウムアセ
テートへの付着性のよいアステート系のフィルムを、支
持体１４の転写用媒体に接する材料として用いることも
可能となり、パターン化したパラジウムアセテートのは
がれの発生を起きにくくすることができる。
４の別の構成例を示す。支持体１４は、薄い石英板に細
いスリット１６を多数配設した構造を有し、スリット１
６で分離した支持体１４の先端部分に対応するテフロン
フィルム１８に形状の異なる転写用媒体１５が付着して
いる。この構造によれば、抑え板１１によりスリットを
設けた支持体１４の部分が上下するので隣接する転写用
媒体１５へ歪が伝わることがなく、転写用媒体１５のは
がれ等が起きにくい利点がある。なお、本実施例では、
転写用媒体１５に圧接するフィルムにテフロンフィルム
を用いた場合を説明したが、温度上昇により分解してガ
スを発生するような有機フィルムを用いることもでき
る。この場合、レーザ光照射により、パラジウムアセテ
ートが分解するときに、フィルム側も昇温によりガス化
するのでパラジウムがフィルムに付着することなく、ガ
ス圧により基板１２にパラジウムを圧着する効果を増加
させることができる。また転写用媒体のパラジウムアセ
テートへの付着性のよいアステート系のフィルムを、支
持体１４の転写用媒体に接する材料として用いることも
可能となり、パターン化したパラジウムアセテートのは
がれの発生を起きにくくすることができる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、あらかじ
め用意した転写用媒体を基板に押しつけた状態でレーザ
光を照射して分解により生じた材料を基板に転写する方
法を用いることにより、従来のパターン薄膜形成方法及
び装置で必要としたパターン薄膜形成原料の基板への塗
布工程、乾燥工程及び配線形成後の洗浄工程が不用とな
り、その結果、パターン薄膜形成時間を１点当り３０秒
程度に短くでき、かつパターン薄膜形成原料を洗浄不要
なものとしてパターン薄膜形成の歩留りを従来法に比べ
大幅に高めることが可能となり、また装置構成が単純な
ためメンテナンスが容易で装置価格を低減できる効果が
ある。
め用意した転写用媒体を基板に押しつけた状態でレーザ
光を照射して分解により生じた材料を基板に転写する方
法を用いることにより、従来のパターン薄膜形成方法及
び装置で必要としたパターン薄膜形成原料の基板への塗
布工程、乾燥工程及び配線形成後の洗浄工程が不用とな
り、その結果、パターン薄膜形成時間を１点当り３０秒
程度に短くでき、かつパターン薄膜形成原料を洗浄不要
なものとしてパターン薄膜形成の歩留りを従来法に比べ
大幅に高めることが可能となり、また装置構成が単純な
ためメンテナンスが容易で装置価格を低減できる効果が
ある。
【図１】本発明の一実施例の構成図である。
【図２】図１の支持体１４の近傍を詳細に示す部分斜視
図である。
図である。
【図３】図２の支持体１４の別の構造例を示す斜視図で
ある。
ある。
【図４】本発明におけるパターン薄膜形成手順を示す
図。
図。
１ モニタＴＶ ２ ＴＶカメラ ３ 微動機構 ４ レンズ ５ ハーフミラー ６ ミラー ７ スキャナー ８ レーザ光源 ９ リフト機構 １０ 支点 １１ 抑え板 １２ 基板 １３ Ｘ−Ｙステージ １４ 支持体 １５ 転写用媒体 １６ スリット １７ 顕微光学系 １８ テフロンフィルム １９ 照明用光源
Claims (5)
- 【請求項１】 液晶配線基板の断線配線欠陥を修正する
パターン薄膜形成方法であって、レーザ光に対して透明
な支持部材に所定の配置パターンで配設した複数の転写
用媒体から選択した転写用媒体を前記液晶配線基板の配
線面の断線部に近接もしくは接触させた状態で前記透明
な支持部材を介して前記転写用媒体にレーザ光を照射し
その熱分解によって生じた材料を前記断線部に付着させ
てパターン薄膜を転写により形成し前記液晶配線基板の
断線配線欠陥を修正することを特徴とするパターン薄膜
形成方法。 - 【請求項２】 前記透明な支持部材がテフロンを被覆し
かつレーザに対して透明な部材によって形成したテフロ
ンフィルムであることを特徴とする請求項１記載のパタ
ーン薄膜形成方法。 - 【請求項３】 前記透明な支持部材が、温度上昇によっ
てガスを生ずる有機フィルムであることを特徴とする請
求項１記載のパターン薄膜形成方法。 - 【請求項４】 前記転写用媒体が、パラジウムアステー
トであることを特徴とする請求項１記載のパターン薄膜
形成方法。 - 【請求項５】 Ｘ−Ｙステージ上に配置した液晶配線基
板のパターンを光学的に観測するとともにレーザ光を照
射する顕微光学系と、複数のパターン化した転写用媒体
を配設しかつ少なくとも転写用媒体に接する部分は前記
レーザ光に対して透明な材料で構成したフィルム状の支
持部材と、前記支持部材を固定する支持体と、前記支持
体を液晶配線基板の配線面上の水平面内で微動させる微
動機構と、前記支持体に固定した前記支持部材に上方か
ら力を印加して前記パターン化した転写用媒体の少なく
とも一つを前記液晶配線基板の配線面に圧着する圧着機
構とを備え、前記レーザ光を前記支持部材を介して前記
転写用媒体に照射し前記液晶配線基板の断線部にパター
ン薄膜を形成することを特徴とするパターン薄膜形成装
置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5256215A JP2551357B2 (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | パターン薄膜形成方法及び装置 |
| EP94116026A EP0649045A3 (en) | 1993-10-14 | 1994-10-11 | Method for repairing electrode disconnection of a liquid crystal substrate. |
| KR1019940026415A KR950012695A (ko) | 1993-10-14 | 1994-10-14 | 액정배선기판의 배선단선부를 수정하기 위한 패턴화 박막층을 증착하는 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5256215A JP2551357B2 (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | パターン薄膜形成方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07253583A true JPH07253583A (ja) | 1995-10-03 |
| JP2551357B2 JP2551357B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=17289535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5256215A Expired - Lifetime JP2551357B2 (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | パターン薄膜形成方法及び装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0649045A3 (ja) |
| JP (1) | JP2551357B2 (ja) |
| KR (1) | KR950012695A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6436602B1 (en) | 1999-06-30 | 2002-08-20 | International Business Machines Corporation | Method of repairing a defective portion in an electronic device |
| JP2008015340A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Ntn Corp | パターン修正方法およびパターン修正装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002162644A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| KR100773466B1 (ko) * | 2006-07-25 | 2007-11-05 | 엘지전자 주식회사 | 요축 및 피치축 각도 조절이 가능한 박막증착장치 |
| DE102009044022A1 (de) * | 2009-09-16 | 2011-03-24 | Reis Gmbh & Co. Kg Maschinenfabrik | Verfahren zum Reparieren eines elektrischen Kontakts |
| EP2449602A2 (de) | 2009-06-29 | 2012-05-09 | Reis Group Holding GmbH & Co. KG | Verfahren zum freilegen eines elektrischen kontakts |
| CN105970210B (zh) * | 2016-05-26 | 2018-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板的断线修复装置及阵列基板的断线修复方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5164565A (en) * | 1991-04-18 | 1992-11-17 | Photon Dynamics, Inc. | Laser-based system for material deposition and removal |
-
1993
- 1993-10-14 JP JP5256215A patent/JP2551357B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-10-11 EP EP94116026A patent/EP0649045A3/en not_active Withdrawn
- 1994-10-14 KR KR1019940026415A patent/KR950012695A/ko active IP Right Grant
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6436602B1 (en) | 1999-06-30 | 2002-08-20 | International Business Machines Corporation | Method of repairing a defective portion in an electronic device |
| US6809332B2 (en) | 1999-06-30 | 2004-10-26 | International Business Machines Corporation | Electronic device and defect repair method thereof |
| US7126232B2 (en) | 1999-06-30 | 2006-10-24 | Au Optronics Corporation | Defect repair apparatus for an electronic device |
| JP2008015340A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Ntn Corp | パターン修正方法およびパターン修正装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2551357B2 (ja) | 1996-11-06 |
| EP0649045A2 (en) | 1995-04-19 |
| KR950012695A (ko) | 1995-05-16 |
| EP0649045A3 (en) | 1995-12-27 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960702 |