JPH0722725A - Circuit board with thin-film capacitor and its manufacture - Google Patents
Circuit board with thin-film capacitor and its manufactureInfo
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- JPH0722725A JPH0722725A JP5150329A JP15032993A JPH0722725A JP H0722725 A JPH0722725 A JP H0722725A JP 5150329 A JP5150329 A JP 5150329A JP 15032993 A JP15032993 A JP 15032993A JP H0722725 A JPH0722725 A JP H0722725A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は薄膜コンデンサ付回路基
板及びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit board with a thin film capacitor and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】セラミックパッケージはパッケージとし
ての信頼性が高く、マルチチップモジュールに対応で
き、コンデンサを内蔵すること等により高周波特性等に
も優れたパッケージとして使用されている。これに対
し、樹脂モールドパッケージはマルチチップモジュール
には不向きでありもっぱら低周波用として使用されてき
た。しかしながら、セラミックパッケージは高価である
ことから、より低コストで製造でき、かつ特性的にも優
れたパッケージが求められている。2. Description of the Related Art A ceramic package has high reliability as a package, can be applied to a multi-chip module, and is used as a package excellent in high frequency characteristics by incorporating a capacitor. On the other hand, the resin mold package is not suitable for the multi-chip module and has been used exclusively for low frequencies. However, since the ceramic package is expensive, there is a demand for a package which can be manufactured at a lower cost and has excellent characteristics.
【０００３】このようなパッケージとして半導体チップ
を搭載したセラミックあるいは樹脂等の電気的絶縁性を
有する基板をリードフレームに接合した基板付のリード
フレームが開発されている。この基板付リードフレーム
は基板に配線パターンを形成し、この配線パターンにリ
ードフレームのインナーリードを接続するようにしてい
る。これによってマルチチップモジュールとして使用す
ることもできる。As such a package, there has been developed a lead frame with a substrate in which a substrate having an electrically insulating property such as ceramic or resin on which a semiconductor chip is mounted is joined to a lead frame. In this lead frame with substrate, a wiring pattern is formed on the substrate, and the inner leads of the lead frame are connected to this wiring pattern. This allows it to be used as a multi-chip module.
【０００４】また、半導体パッケージでは高速の半導体
チップを搭載する場合にはスイッチングノイズの除去の
ため電源ラインと接地ラインとの間にデカップリングコ
ンデンサを設けることがよく行われるが、上記の基板付
リードフレームの場合には基板にコンデンサを作り込む
ことも容易にでき、パッケージの高速化にも有効に対応
することが可能である。Further, in the case of mounting a high-speed semiconductor chip in a semiconductor package, a decoupling capacitor is often provided between a power supply line and a ground line to remove switching noise. In the case of a frame, it is easy to build a capacitor in the substrate, and it is possible to effectively cope with the speeding up of the package.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】図９は上記のような基
板付リードフレームで基板にコンデンサを設ける方法を
示す。コンデンサは基板５に形成する配線パターンに適
宜接続させて形成するが、まず、基板５の表面に配線パ
ターンと共にコンデンサの一方の電極６を形成し、この
電極６上に高誘電率を有する誘電体薄膜７を形成し、さ
らに対向電極８を形成することによりコンデンサを得
る。ここで、誘電体薄膜７は大きな電気容量を得ようと
すると薄厚にせざるを得ず、通常は数μｍ程度の薄膜で
形成する。FIG. 9 shows a method of providing a capacitor on a substrate in the lead frame with a substrate as described above. The capacitor is formed by appropriately connecting it to a wiring pattern formed on the substrate 5. First, one electrode 6 of the capacitor is formed on the surface of the substrate 5 together with the wiring pattern, and a dielectric having a high dielectric constant is formed on this electrode 6. A thin film 7 is formed, and then a counter electrode 8 is formed to obtain a capacitor. Here, the dielectric thin film 7 is unavoidably thin in order to obtain a large electric capacity, and is usually formed of a thin film of about several μm.
【０００６】このように誘電体薄膜７を非常に薄厚で形
成する場合には誘電体薄膜７を挟む電極６、８がきわめ
て接近していることから電極６、８間で電気的短絡が生
じたり、誘電体薄膜７や電極が不連続になって断線する
ことが生じる。これは、基板５の表面に電極６を形成す
る場合に、セラミック基板では金属ペーストを塗布して
形成するし、樹脂基板などでは表面に被覆した銅箔等を
エッチングして形成するから、基板５の表面から電極６
が盛り上がるようになるためで、電極６のエッジ部等で
誘電体薄膜７がつながらず、不連続となったりするため
である。As described above, when the dielectric thin film 7 is formed to be very thin, the electrodes 6 and 8 sandwiching the dielectric thin film 7 are extremely close to each other, so that an electrical short circuit may occur between the electrodes 6 and 8. The dielectric thin film 7 and the electrodes may become discontinuous and broken. This is because when the electrode 6 is formed on the surface of the substrate 5, the ceramic substrate is formed by applying a metal paste, and the resin substrate is formed by etching a copper foil coated on the surface. From the surface of the electrode 6
This is because the dielectric thin film 7 is not connected at the edge portion of the electrode 6 or the like and becomes discontinuous.
【０００７】本発明はこれら問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、薄膜コンデンサを
有する回路基板において、電極間の電気的短絡や断線を
生じさせずに作り込むことができ、信頼性の高い製品と
して形成できる薄膜コンデンサ付回路基板及びその製造
方法を提供しようとするものである。The present invention has been made in view of these problems. An object of the present invention is to make a circuit board having a thin film capacitor without causing an electrical short circuit or disconnection between electrodes. It is intended to provide a circuit board with a thin film capacitor that can be formed as a reliable product and a manufacturing method thereof.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、セラミックある
いは樹脂等の電気的絶縁性を有する基板の表面に薄膜コ
ンデンサを形成した薄膜コンデンサ付回路基板におい
て、前記薄膜コンデンサの一方の電極が基板内に埋没さ
れて該電極の外面が該基板外面と平坦面に形成され、該
一方の電極上に誘電体薄膜が形成され、該誘電体薄膜の
上層に前記電極に対向する他方の電極が被着形成された
ことを特徴とする。また、転写フィルムに銅箔を接合
し、該銅箔をエッチングして所要の回路及び薄膜コンデ
ンサの一方の電極をパターン形成し、前記転写フィルム
のパターン形成した面にプリプレグを被せて加熱、加圧
し、該プリプレグを硬化させて基板とした後、前記転写
フィルムを該基板から剥離除去し、該基板の外面と平坦
面に形成された前記電極の外面上に誘電体薄膜を形成
し、該誘電体薄膜の上層に前記電極に対向する他方の電
極を形成することを特徴とする。また、セラミックのグ
リーンシート上にメタライズぺーストを用いて薄膜コン
デンサの一方の電極を形成して乾燥した後、前記グリー
ンシートを両面から挟圧して前記メタライズぺーストの
外面をグリーンシートの外面と平坦面に形成し、該グリ
ーンシートを焼成した後、前記電極の外面上に誘電体薄
膜を形成し、該誘電体薄膜の上層に前記電極に対向する
他方の電極を形成することを特徴とする。The present invention has the following constitution in order to achieve the above object. That is, in a circuit board with a thin film capacitor in which a thin film capacitor is formed on the surface of an electrically insulating substrate such as ceramic or resin, one electrode of the thin film capacitor is embedded in the substrate and the outer surface of the electrode is the substrate. The dielectric thin film is formed on the outer surface and the flat surface, the dielectric thin film is formed on the one electrode, and the other electrode facing the electrode is adhered and formed on the upper layer of the dielectric thin film. Further, a copper foil is joined to the transfer film, the copper foil is etched to form a pattern of one electrode of a required circuit and a thin film capacitor, and a prepreg is put on the patterned surface of the transfer film to heat and pressurize. After curing the prepreg into a substrate, the transfer film is peeled off from the substrate, and a dielectric thin film is formed on the outer surface of the substrate and the outer surface of the electrode formed on a flat surface. It is characterized in that the other electrode facing the electrode is formed on the upper layer of the thin film. Further, one electrode of the thin film capacitor is formed on the ceramic green sheet by using a metallizing paste and dried, and then the green sheet is pressed from both sides so that the outer surface of the metallizing paste is flattened with the outer surface of the green sheet. After the green sheet is formed on the surface and the green sheet is fired, a dielectric thin film is formed on the outer surface of the electrode, and the other electrode facing the electrode is formed on the upper layer of the dielectric thin film.
【０００９】[0009]
【作用】セラミック基板あるいは樹脂基板等の基板表面
に薄膜コンデンサを形成する際に、コンデンサの一方の
電極の外面が基板の外面と同一の平坦面になるようにす
ることによって、電極の外面にコンデンサの誘電体部と
なる誘電体薄膜を薄厚で形成しても断線したりすること
がなく、確実に薄膜形成することが可能になる。また、
電極間においても電気的短絡が生じたり断線したりする
ことがなくなり、信頼性の高い回路基板を提供すること
が可能になる。When a thin film capacitor is formed on the surface of a substrate such as a ceramic substrate or a resin substrate, the outer surface of one of the electrodes of the capacitor is made to be the same flat surface as the outer surface of the substrate, so that the outer surface of the electrode becomes a capacitor. Even if the dielectric thin film to be the dielectric part is formed thin, it is possible to surely form the thin film without causing disconnection. Also,
It is possible to provide a highly reliable circuit board without causing an electrical short circuit or disconnection between the electrodes.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図１〜５は本発明に係る薄膜コ
ンデンサ付回路基板の製造方法の一実施例を示す。薄膜
コンデンサ付回路基板は薄膜コンデンサを回路部品とし
て回路内に組み込むものであるが、本実施例は転写法を
利用して薄膜コンデンサを形成することを特徴とする。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. 1 to 5 show an embodiment of a method of manufacturing a circuit board with a thin film capacitor according to the present invention. The circuit board with a thin film capacitor is one in which a thin film capacitor is incorporated into a circuit as a circuit component, but this embodiment is characterized in that the thin film capacitor is formed by using a transfer method.
【００１１】すなわち、まず、離型剤をコーティングし
た転写フィルム１０に銅箔１２を貼り合わせたものを用
意し（図１）、銅箔１２をエッチングして所定の回路パ
ターンを形成する。実施例では転写フィルム１０として
離型剤をコートした100 μm厚のポリエステルフィルム
を使用し、銅箔１２として35μm 厚のものを使用した。
銅箔１２をエッチングして回路パターンを形成する場合
は、銅箔１２上にレジストパターンを形成し銅箔１２を
エッチングすればよい。薄膜コンデンサの一方の電極は
この回路パターンを形成する際に同時にパターン形成す
る。図２は銅箔１２をエッチングして薄膜コンデンサの
一方の電極１４ａを形成した様子を示す。That is, first, a transfer film 10 coated with a release agent and having a copper foil 12 attached thereto is prepared (FIG. 1), and the copper foil 12 is etched to form a predetermined circuit pattern. In the examples, a 100 μm thick polyester film coated with a release agent was used as the transfer film 10, and a 35 μm thick copper film 12 was used.
When the copper foil 12 is etched to form a circuit pattern, a resist pattern may be formed on the copper foil 12 and the copper foil 12 may be etched. One electrode of the thin film capacitor is patterned at the same time when this circuit pattern is formed. FIG. 2 shows a state in which the copper foil 12 is etched to form one electrode 14a of the thin film capacitor.
【００１２】次いで、電極１４ａの表面に粗化処理を施
し、電極１４ａの露出面側に回路基板の基体となるプリ
プレグ１６を配置し、加熱および加圧してプリプレグ１
６内に電極１４ａを埋没させるとともにプリプレグ１６
を硬化させる。図３は電極１４ａを形成した転写フィル
ム１０にプリプレグ１６を重ね合わせて配置した状態で
ある。実施例ではプリプレグ１６としてガラス繊維とエ
ポキシ樹脂からなる製品を使用した。Next, the surface of the electrode 14a is subjected to a roughening treatment, the prepreg 16 serving as the base of the circuit board is disposed on the exposed surface side of the electrode 14a, and the prepreg 1 is heated and pressed.
6 and the electrode 14a is buried in the prepreg 16
Cure. FIG. 3 shows a state in which the prepreg 16 is placed on the transfer film 10 having the electrodes 14a formed thereon. In the examples, a product made of glass fiber and epoxy resin was used as the prepreg 16.
【００１３】プリプレグ１６を硬化させて基板１８とし
た後、プリプレグ１６から転写フィルム１０を剥離す
る。転写フィルム１０を剥離することによって電極１４
ａが基板１８（硬化したプリプレグ１６のこと）側に残
る。図４は転写フィルム１０を剥離した後の状態で、電
極１４ａと基板１８の上面が同一高さ面となって形成さ
れることを示す。前工程で電極１４ａに粗化処理を施し
たのはプリプレグ１６と電極１４ａとのくい付きを良好
にするためである。また、電極１４ａとともに形成した
回路パターンもすべて基板１８側に転写される。After the prepreg 16 is cured to form the substrate 18, the transfer film 10 is peeled off from the prepreg 16. By peeling the transfer film 10, the electrode 14
a remains on the substrate 18 (which means the cured prepreg 16) side. FIG. 4 shows that the upper surface of the electrode 14a and the upper surface of the substrate 18 are formed to be flush with each other after the transfer film 10 is peeled off. The reason why the electrode 14a is roughened in the previous step is to improve the adhesion between the prepreg 16 and the electrode 14a. Further, all the circuit patterns formed together with the electrodes 14a are also transferred to the substrate 18 side.
【００１４】電極１４ａは薄膜コンデンサの一方の電極
となるもので、この電極１４ａ上に誘電体薄膜２０を被
着形成し、さらにその上に電極１４ｂを形成する（図
５）。電極１４ａ、１４ｂおよび誘電体薄膜２０によっ
て薄膜コンデンサが形成される。実施例では誘電体薄膜
２０としてＳｉＯ2 （シリカ）膜を設け、電極１４ｂと
してアルミニウム膜を形成した。本実施例では図４に示
すように電極１４ａと基板１０の上面とが完全に平坦面
となるから電極１４ａ上に誘電体薄膜２０を形成する場
合に、薄膜部分に段差が生じたりすることがなく、平坦
膜が形成されるから、誘電体薄膜２０が不連続になった
りすることを効果的に防止することができる。The electrode 14a serves as one of the electrodes of the thin film capacitor. The dielectric thin film 20 is deposited on the electrode 14a, and the electrode 14b is further formed thereon (FIG. 5). The electrodes 14a and 14b and the dielectric thin film 20 form a thin film capacitor. In the example, a SiO 2 (silica) film was provided as the dielectric thin film 20, and an aluminum film was formed as the electrode 14b. In this embodiment, as shown in FIG. 4, the electrode 14a and the upper surface of the substrate 10 are completely flat surfaces, and therefore, when the dielectric thin film 20 is formed on the electrode 14a, a step may occur in the thin film portion. However, since the flat film is formed, it is possible to effectively prevent the dielectric thin film 20 from becoming discontinuous.
【００１５】また、誘電体薄膜２０を形成する際に電極
１４ａの面積よりも被着範囲を広くしておけば電極１４
ｂと電極１４ａとが電気的に短絡することが完全に防止
できることからも有効である。また、電極１４ａ、１４
ｂの電気的短絡を確実に防止できることから、薄膜コン
デンサを形成する際に誘電体薄膜の膜厚を薄く形成する
ことが可能になり、これによって大きな電気容量を有す
る薄膜コンデンサを得ることが可能になる。When the dielectric thin film 20 is formed, if the deposition area is made wider than the area of the electrode 14a, the electrode 14a
This is also effective because it is possible to completely prevent an electrical short circuit between b and the electrode 14a. Also, the electrodes 14a, 14
Since it is possible to reliably prevent the electrical short circuit of b, it becomes possible to form the thin film of the dielectric thin film when forming the thin film capacitor, which makes it possible to obtain the thin film capacitor having a large electric capacity. Become.
【００１６】図６〜８は薄膜コンデンサ付回路基板の製
造方法の他の実施例を示す。この実施例では回路基板と
してセラミック基板を使用し、セラミック基板にメタラ
イズを施して薄膜コンデンサの一方の電極を形成した。
図６はアルミナのグリーンシート３０を形成し、グリー
ンシート３０上に薄膜コンデンサの一方の電極とするメ
タライズペースト３２を形成した状態を示す。実施例で
はグリーンシート３０の厚さを0.8mm とし、メタライズ
ペースト３２を厚さ25μm で印刷して設けた。メタライ
ズペースト３２としてはタングステンぺーストを用い
た。6 to 8 show another embodiment of a method of manufacturing a circuit board with a thin film capacitor. In this example, a ceramic substrate was used as the circuit substrate, and the ceramic substrate was metallized to form one electrode of the thin film capacitor.
FIG. 6 shows a state in which a green sheet 30 of alumina is formed and a metallized paste 32 to be one electrode of a thin film capacitor is formed on the green sheet 30. In the embodiment, the green sheet 30 has a thickness of 0.8 mm, and the metallizing paste 32 is printed to have a thickness of 25 μm. Tungsten paste was used as the metallizing paste 32.
【００１７】グリーンシート３０およびメタライズぺー
スト３２が乾燥した後、６０℃に加温しながら鉄板でグ
リーンシート３０の両面を強く加圧して図７に示すよう
にグリーンシート３０内にメタライズペースト３２を押
し込み、メタライズぺースト３２とグリーンシート３０
の上面が平坦面になるようにした。その後、1500℃の電
気炉中で48時間焼成し、回路パターンを形成したセラミ
ック基板３４を得るとともに、メタライズペースト３２
の焼成による薄膜コンデンサの電極３６ａを得た。After the green sheet 30 and the metallized paste 32 are dried, both sides of the green sheet 30 are strongly pressed with an iron plate while being heated to 60 ° C. to form the metallized paste 32 in the green sheet 30 as shown in FIG. Push in, metallize paste 32 and green sheet 30
The upper surface of was made flat. Then, it is fired in an electric furnace at 1500 ° C. for 48 hours to obtain a ceramic substrate 34 having a circuit pattern formed thereon, and a metallizing paste 32.
The electrode 36a of the thin film capacitor was obtained by firing.
【００１８】電極３６ａ上にコンデンサ用の誘電体薄膜
３８を被着形成し、さらに電極３６ｂを形成して薄膜コ
ンデンサを形成した。誘電体薄膜３８と電極３６ｂはス
パッタリング法等の成膜法によって形成する。本実施例
の製造方法の場合も、セラミック基板３４の上面に形成
する薄膜コンデンサの電極３６ａをセラミック基板３４
に対して平坦面に形成することによって誘電体薄膜３８
やその上層の電極３６ｂを断線させたりすることなく確
実に形成することができ、信頼性の高い回路基板として
提供することができる。A dielectric thin film 38 for a capacitor was adhered and formed on the electrode 36a, and further an electrode 36b was formed to form a thin film capacitor. The dielectric thin film 38 and the electrode 36b are formed by a film forming method such as a sputtering method. Also in the case of the manufacturing method of this embodiment, the electrodes 36a of the thin film capacitors formed on the upper surface of the ceramic substrate 34 are connected to the ceramic substrate 34.
By forming a flat surface on the dielectric thin film 38
It is possible to reliably form the electrode 36b or the upper electrode 36b without breaking the wire, and it is possible to provide a highly reliable circuit board.
【００１９】なお、上記実施例において説明した回路基
板は基板付リードフレームの基板として使用できること
はもちろんのこと、各種の回路基板に適用できるもので
あり、薄膜コンデンサを作り込んだ回路基板の製造方法
として好適に利用することが可能である。The circuit board described in the above embodiments can be used not only as a board of a lead frame with a board but also as various circuit boards, and a method of manufacturing a circuit board having a thin film capacitor incorporated therein. Can be preferably used as.
【００２０】[0020]
【発明の効果】本発明に係る薄膜コンデンサ付回路基板
及びその製造方法によれば、上述したように、薄膜コン
デンサの電極間の電気的短絡や断線等のない信頼性の高
い回路基板として提供することができる等の著効を奏す
る。As described above, the circuit board with a thin film capacitor and the method of manufacturing the same according to the present invention provides a highly reliable circuit board free from electrical short circuit or disconnection between electrodes of the thin film capacitor. It has a remarkable effect such as being able to.
【図１】転写フィルムに銅箔を接着した状態の説明図で
ある。FIG. 1 is an explanatory diagram showing a state in which a copper foil is bonded to a transfer film.
【図２】回路パターンを形成した状態の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a state in which a circuit pattern is formed.
【図３】プリプレグを加熱、加圧する状態を示す説明図
である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a state in which a prepreg is heated and pressed.
【図４】転写フィルムを剥離した状態の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a state where a transfer film is peeled off.
【図５】基板上に薄膜コンデンサを形成した状態の説明
図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a state in which a thin film capacitor is formed on a substrate.
【図６】グリーンシートにメタライズぺーストを印刷し
た状態の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a state in which a metallized paste is printed on a green sheet.
【図７】グリーンシートに対しメタライスペーストを平
坦化した状態の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing a state in which the metallized paste is flattened on the green sheet.
【図８】セラミック基板上に薄膜コンデンサを形成した
状態の説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram showing a state in which a thin film capacitor is formed on a ceramic substrate.
【図９】基板上に薄膜コンデンサを形成した従来例の構
成を示す説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram showing a configuration of a conventional example in which a thin film capacitor is formed on a substrate.
１０ 転写フィルム １２ 銅箔 １４ａ、１４ｂ 電極 １６ プリプレグ １８ 基板 ２０ 誘電体薄膜 ３０ グリーンシート ３２ メタライズぺースト ３４ セラミック基板 ３６ａ、３６ｂ 電極 ３８ 誘電体薄膜 10 Transfer Film 12 Copper Foil 14a, 14b Electrode 16 Prepreg 18 Substrate 20 Dielectric Thin Film 30 Green Sheet 32 Metallized Paste 34 Ceramic Substrate 36a, 36b Electrode 38 Dielectric Thin Film
Claims (3)
性を有する基板の表面に薄膜コンデンサを形成した薄膜
コンデンサ付回路基板において、 前記薄膜コンデンサの一方の電極が基板内に埋没されて
該電極の外面が該基板外面と平坦面に形成され、 該一方の電極上に誘電体薄膜が形成され、該誘電体薄膜
の上層に前記電極に対向する他方の電極が被着形成され
たことを特徴とする薄膜コンデンサ付回路基板。1. A circuit board with a thin film capacitor in which a thin film capacitor is formed on the surface of an electrically insulating substrate such as ceramic or resin, wherein one electrode of the thin film capacitor is embedded in the substrate and an outer surface of the electrode is formed. Are formed on the outer surface of the substrate and a flat surface, a dielectric thin film is formed on the one electrode, and the other electrode facing the electrode is adhered and formed on the upper layer of the dielectric thin film. Circuit board with thin film capacitors.
エッチングして所要の回路及び薄膜コンデンサの一方の
電極をパターン形成し、 前記転写フィルムのパターン形成した面にプリプレグを
被せて加熱、加圧し、該プリプレグを硬化させて基板と
した後、 前記転写フィルムを該基板から剥離除去し、 該基板の外面と平坦面に形成された前記電極の外面上に
誘電体薄膜を形成し、該誘電体薄膜の上層に前記電極に
対向する他方の電極を形成することを特徴とする薄膜コ
ンデンサ付回路基板の製造方法。2. A copper foil is bonded to a transfer film, the copper foil is etched to pattern one electrode of a required circuit and a thin film capacitor, and the patterned surface of the transfer film is covered with prepreg and heated. After pressing to cure the prepreg into a substrate, the transfer film is peeled off from the substrate, and a dielectric thin film is formed on the outer surface of the substrate and the outer surface of the electrode formed on a flat surface. A method of manufacturing a circuit board with a thin film capacitor, characterized in that the other electrode facing the electrode is formed on an upper layer of the dielectric thin film.
イズぺーストを用いて薄膜コンデンサの一方の電極を形
成して乾燥した後、前記グリーンシートを両面から挟圧
して前記メタライズぺーストの外面をグリーンシートの
外面と平坦面に形成し、 該グリーンシートを焼成した後、 前記電極の外面上に誘電体薄膜を形成し、該誘電体薄膜
の上層に前記電極に対向する他方の電極を形成すること
を特徴とする薄膜コンデンサ付回路基板の製造方法。3. A metallized paste is used to form one electrode of a thin-film capacitor on a ceramic green sheet, and the ceramic sheet is dried, and then the green sheet is squeezed from both sides to form an outer surface of the metallized paste. It is characterized in that it is formed on an outer surface and a flat surface, and after firing the green sheet, a dielectric thin film is formed on the outer surface of the electrode, and the other electrode facing the electrode is formed on an upper layer of the dielectric thin film. A method for manufacturing a circuit board with a thin film capacitor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5150329A JPH0722725A (en) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | Circuit board with thin-film capacitor and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5150329A JPH0722725A (en) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | Circuit board with thin-film capacitor and its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722725A true JPH0722725A (en) | 1995-01-24 |
Family
ID=15494638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5150329A Pending JPH0722725A (en) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | Circuit board with thin-film capacitor and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722725A (en) |
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