JPH07226331A - 積層セラミックコンデンサー - Google Patents
積層セラミックコンデンサーInfo
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- JPH07226331A JPH07226331A JP1796394A JP1796394A JPH07226331A JP H07226331 A JPH07226331 A JP H07226331A JP 1796394 A JP1796394 A JP 1796394A JP 1796394 A JP1796394 A JP 1796394A JP H07226331 A JPH07226331 A JP H07226331A
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- external electrode
- capacitor
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- external
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 総合高周波特性のよい積層セラミックコンデ
ンサーを提供することを目的とする。 【構成】 複数のコンデンサー１，１′が並列接続され
て一体化された積層セラミックコンデンサーであって、
内部の１つのコンデンサー１′の内部電極３，４を形成
する金属部の厚みを厚くし、少なくとも２つのコンデン
サー１，１′の自己共振周波数を異ならせた構成とす
る。
ンサーを提供することを目的とする。 【構成】 複数のコンデンサー１，１′が並列接続され
て一体化された積層セラミックコンデンサーであって、
内部の１つのコンデンサー１′の内部電極３，４を形成
する金属部の厚みを厚くし、少なくとも２つのコンデン
サー１，１′の自己共振周波数を異ならせた構成とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ノイズ吸収性に優れ、
小型化された積層セラミックコンデンサーに関する。
小型化された積層セラミックコンデンサーに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、スイッチング電源の小型化、軽量
化、高効率化のためのスイッチング周波数の高周波化が
進み、さらにディジタル回路におけるクロック周波数の
高周波化も進み、この高周波化はますます加速される傾
向にある。
化、高効率化のためのスイッチング周波数の高周波化が
進み、さらにディジタル回路におけるクロック周波数の
高周波化も進み、この高周波化はますます加速される傾
向にある。
【０００３】積層セラミックコンデンサーは、小型、無
極性、高絶縁、低損失、高信頼であるという特徴を有す
ることから、この高周波化に伴ってスイッチング電源の
出力側の平滑コンデンサーとして、あるいはディジタル
回路の電源ラインのノイズ吸収用として注目され多用さ
れている。
極性、高絶縁、低損失、高信頼であるという特徴を有す
ることから、この高周波化に伴ってスイッチング電源の
出力側の平滑コンデンサーとして、あるいはディジタル
回路の電源ラインのノイズ吸収用として注目され多用さ
れている。
【０００４】しかし、上記積層セラミックコンデンサー
の一般構造は、図５および図６に示すように、表面に一
辺を外周辺まで延ばして内部電極４０を設けたセラミッ
クグリーンシート４１を用い、前記内部電極４０の外周
辺まで延びた一辺が交互に反対になるように前記セラミ
ックグリーンシート４１を複数枚積層して焼成し、前記
内部電極４０が露出した両面側に外部電極４２を形成し
たものからなっている。
の一般構造は、図５および図６に示すように、表面に一
辺を外周辺まで延ばして内部電極４０を設けたセラミッ
クグリーンシート４１を用い、前記内部電極４０の外周
辺まで延びた一辺が交互に反対になるように前記セラミ
ックグリーンシート４１を複数枚積層して焼成し、前記
内部電極４０が露出した両面側に外部電極４２を形成し
たものからなっている。
【０００５】しかしながら、このような積層セラミック
コンデンサーは、その形状に起因して自己共振周波数を
有しており、その周波数より高い成分を有するノイズに
対しては効果がなく、ノイズ除去ができないことにな
る。
コンデンサーは、その形状に起因して自己共振周波数を
有しており、その周波数より高い成分を有するノイズに
対しては効果がなく、ノイズ除去ができないことにな
る。
【０００６】すなわち、コンデンサーは一般に、Ｌ，
Ｃ，Ｒが直列に接続された等価回路で表現され、そのイ
ンピーダンス Ｚ の絶対値 ｜Ｚ｜は
Ｃ，Ｒが直列に接続された等価回路で表現され、そのイ
ンピーダンス Ｚ の絶対値 ｜Ｚ｜は
【０００７】
【数１】 となり、自己共振周波数より高い周波数に対しては ω
Ｌ、すなわちインダクタンス成分Ｌが無視できなくな
り、高周波ノイズに対するインピーダンスが増大する。
このＬの大きさを決定する要因はコンデンサーのリード
長さと電極端子間の長さである。
Ｌ、すなわちインダクタンス成分Ｌが無視できなくな
り、高周波ノイズに対するインピーダンスが増大する。
このＬの大きさを決定する要因はコンデンサーのリード
長さと電極端子間の長さである。
【０００８】この要因のリード線長さに対しては、コン
デンサーの端子部からリード線をそれぞれ２本ずつ引き
出し、リード線部に起因するインダクタンス成分をキャ
ンセルでき、また、リードレス化してチップ構造とする
ことによっても同様の効果を得ることができる。
デンサーの端子部からリード線をそれぞれ２本ずつ引き
出し、リード線部に起因するインダクタンス成分をキャ
ンセルでき、また、リードレス化してチップ構造とする
ことによっても同様の効果を得ることができる。
【０００９】しかし、このような電極端子間の長さに起
因するインダクタンス成分は、高周波化になるほど無視
できなくなり、前述のようなスイッチング電源の高周波
化傾向下の中で、上記構成の積層セラミックコンデンサ
ーは、自己共振周波数以上のノイズ吸収が難しくなるこ
とより、その回路に用いるコンデンサーとして問題をか
かえる結果となっていた。
因するインダクタンス成分は、高周波化になるほど無視
できなくなり、前述のようなスイッチング電源の高周波
化傾向下の中で、上記構成の積層セラミックコンデンサ
ーは、自己共振周波数以上のノイズ吸収が難しくなるこ
とより、その回路に用いるコンデンサーとして問題をか
かえる結果となっていた。
【００１０】そのため従来は、ＬＣフィルターを構成し
たり、コンデンサーを複数並列接続したりして、ノイズ
吸収性を高めていたが、回路基板に実装する部品点数が
多くなり、機器の小型化並びに軽量化指向に逆行し、か
つ低価格化を阻害することになり、改善が望まれてい
た。 さらに特開平３ー２０７０９号公報、特開平４−
５６２０７号公報に記載のコンデンサーでは４端子構造
で電極間の長さに起因するインダクタンス成分を打ち消
す構造となっているが、自己共振周波数以上になったと
きには、やはり電極構成に起因するインダクタンス成分
が無視できなくなり、高周波での減衰特性が確保できな
くなる。
たり、コンデンサーを複数並列接続したりして、ノイズ
吸収性を高めていたが、回路基板に実装する部品点数が
多くなり、機器の小型化並びに軽量化指向に逆行し、か
つ低価格化を阻害することになり、改善が望まれてい
た。 さらに特開平３ー２０７０９号公報、特開平４−
５６２０７号公報に記載のコンデンサーでは４端子構造
で電極間の長さに起因するインダクタンス成分を打ち消
す構造となっているが、自己共振周波数以上になったと
きには、やはり電極構成に起因するインダクタンス成分
が無視できなくなり、高周波での減衰特性が確保できな
くなる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来一
般化している積層セラミックコンデンサーは、自己共振
周波数以上のノイズ吸収性に劣るため、これらのコンデ
ンサーを用いるにはＬＣフィルターを構成したり、複数
のコンデンサーを並列接続化するなどの手段を講じなけ
ればならず、それだけ機器の大型化ならびに高価格化と
なり、昨今の機器の小型化ならびに軽量化の要請に応え
る上で解決すべき問題を有する結果となっていた。
般化している積層セラミックコンデンサーは、自己共振
周波数以上のノイズ吸収性に劣るため、これらのコンデ
ンサーを用いるにはＬＣフィルターを構成したり、複数
のコンデンサーを並列接続化するなどの手段を講じなけ
ればならず、それだけ機器の大型化ならびに高価格化と
なり、昨今の機器の小型化ならびに軽量化の要請に応え
る上で解決すべき問題を有する結果となっていた。
【００１２】本発明は、上記の点に鑑みてなされたもの
で、単一素子で、より広いノイズ吸収が可能な積層セラ
ミックコンデンサーを提供することを目的とするもので
ある。
で、単一素子で、より広いノイズ吸収が可能な積層セラ
ミックコンデンサーを提供することを目的とするもので
ある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の積層セラミックコンデンサーは、内部の一
層のコンデンサー層の上下の内部電極を形成する金属部
の厚みを厚くした構造を有している。
に、本発明の積層セラミックコンデンサーは、内部の一
層のコンデンサー層の上下の内部電極を形成する金属部
の厚みを厚くした構造を有している。
【００１４】つぎに、表面実装タイプ積層セラミックコ
ンデンサーにおいて、その表面実装タイプセラミックコ
ンデンサーの形状が直方体であり、その直方体の互いに
向かい合う一対の二つの面を、外部電極Ａ電極（Ａ
面）、外部電極Ｂ電極（Ｂ面）とし、さらに、直方体の
互いに向かい合う別の一対の二つの面をＣ面、Ｄ面とし
たとき、Ｃ面が上を向いており、さらに、直方体の別の
互いに向かい合うもう一対の面をＥ面、Ｆ面とし、コン
デンサーを形成する内部電極がＣ面、Ｄ面に平行に配置
されており、Ｄ面に一番近い内部一層のコンデンサー層
の上下の内部電極を形成する金属部の厚みを厚くし、上
下の内部電極は外部電極Ａ電極、外部電極Ｂ電極に各々
接続され、さらにＤ面に一番近い内部一層のコンデンサ
ー層を形成する上下内部電極においてＤ面に近い内部電
極を内部電極下（Ｃ面、Ｄ面と平行）としたとき、Ｅ
面、Ｆ面の方向に内部電極下の一部をを外周辺部まで延
長し、さらにＤ面とＥ面の接するところに外部電極Ｅ電
極、Ｄ面とＦ面の接するところに外部電極Ｆ電極を設
け、内部電極下と外部電極Ｅ、外部電極Ｆを接続しさせ
た構造を有している。
ンデンサーにおいて、その表面実装タイプセラミックコ
ンデンサーの形状が直方体であり、その直方体の互いに
向かい合う一対の二つの面を、外部電極Ａ電極（Ａ
面）、外部電極Ｂ電極（Ｂ面）とし、さらに、直方体の
互いに向かい合う別の一対の二つの面をＣ面、Ｄ面とし
たとき、Ｃ面が上を向いており、さらに、直方体の別の
互いに向かい合うもう一対の面をＥ面、Ｆ面とし、コン
デンサーを形成する内部電極がＣ面、Ｄ面に平行に配置
されており、Ｄ面に一番近い内部一層のコンデンサー層
の上下の内部電極を形成する金属部の厚みを厚くし、上
下の内部電極は外部電極Ａ電極、外部電極Ｂ電極に各々
接続され、さらにＤ面に一番近い内部一層のコンデンサ
ー層を形成する上下内部電極においてＤ面に近い内部電
極を内部電極下（Ｃ面、Ｄ面と平行）としたとき、Ｅ
面、Ｆ面の方向に内部電極下の一部をを外周辺部まで延
長し、さらにＤ面とＥ面の接するところに外部電極Ｅ電
極、Ｄ面とＦ面の接するところに外部電極Ｆ電極を設
け、内部電極下と外部電極Ｅ、外部電極Ｆを接続しさせ
た構造を有している。
【００１５】さらに、表面実装タイプ積層セラミックコ
ンデンサーにおいて、その表面実装タイプセラミックコ
ンデンサーの形状が直方体であり、その直方体の互いに
向かい合う一対の二つの面を、外部電極Ａ電極（Ａ
面）、外部電極Ｂ電極（Ｂ面）とし、さらに、直方体の
互いに向かい合う別の一対の二つの面をＣ面、Ｄ面とし
たとき、Ｃ面が上の方向を向いているとし、さらに、直
方体の別の互いに向かい合うもう一対の面をＥ面、Ｆ面
とし、コンデンサーを形成する内部電極がＣ面、Ｄ面に
平行に配置されており、Ｄ面に一番近い内部一層のコン
デンサー層の上下の内部電極を形成する金属部の厚みを
厚くし、上下の内部電極は外部電極Ａ電極、外部電極Ｂ
電極に各々接続され、さらにＤ面に一番近い内部一層の
コンデンサー層を形成する上下内部電極においてＤ面に
近い内部電極を内部電極下とし、さらに上側の内部電極
を内部電極上としたとき、Ｆ面の方向に外周辺部まで内
部電極下の一部を延長し、さらにＥ面の方向に外周辺部
まで内部電極上の一部を延長し、Ｄ面とＥ面の接すると
ころに外部電極Ｅ電極を設け内部電極上を接続し、Ｄ面
とＦ面の接するところに外部電極Ｆ電極を設け内部電極
下を接続した構造を有している（内部電極上、下と外部
電極Ｅ，Ｆは逆でも可能）。
ンデンサーにおいて、その表面実装タイプセラミックコ
ンデンサーの形状が直方体であり、その直方体の互いに
向かい合う一対の二つの面を、外部電極Ａ電極（Ａ
面）、外部電極Ｂ電極（Ｂ面）とし、さらに、直方体の
互いに向かい合う別の一対の二つの面をＣ面、Ｄ面とし
たとき、Ｃ面が上の方向を向いているとし、さらに、直
方体の別の互いに向かい合うもう一対の面をＥ面、Ｆ面
とし、コンデンサーを形成する内部電極がＣ面、Ｄ面に
平行に配置されており、Ｄ面に一番近い内部一層のコン
デンサー層の上下の内部電極を形成する金属部の厚みを
厚くし、上下の内部電極は外部電極Ａ電極、外部電極Ｂ
電極に各々接続され、さらにＤ面に一番近い内部一層の
コンデンサー層を形成する上下内部電極においてＤ面に
近い内部電極を内部電極下とし、さらに上側の内部電極
を内部電極上としたとき、Ｆ面の方向に外周辺部まで内
部電極下の一部を延長し、さらにＥ面の方向に外周辺部
まで内部電極上の一部を延長し、Ｄ面とＥ面の接すると
ころに外部電極Ｅ電極を設け内部電極上を接続し、Ｄ面
とＦ面の接するところに外部電極Ｆ電極を設け内部電極
下を接続した構造を有している（内部電極上、下と外部
電極Ｅ，Ｆは逆でも可能）。
【００１６】上記の積層セラミックコンデンサーにおい
て、外部電極Ａ、Ｂと外部電極Ｅ，Ｆにおいて外部電極
Ａ−外部電極Ｅ、外部電極Ｂ−外部電極Ｆの接続か、も
しくは、外部電極Ａ−外部電極Ｆ、外部電極Ｂ−外部電
極Ｅを接続したことを特徴とする構成を有している。
て、外部電極Ａ、Ｂと外部電極Ｅ，Ｆにおいて外部電極
Ａ−外部電極Ｅ、外部電極Ｂ−外部電極Ｆの接続か、も
しくは、外部電極Ａ−外部電極Ｆ、外部電極Ｂ−外部電
極Ｅを接続したことを特徴とする構成を有している。
【００１７】
【作用】上記の構成により、従来の積層セラミックコン
デンサーの内部に容量の異なるセラミックコンデンサー
を並列接続した構成となり、内部電極の厚さを内部の従
来のコンデンサーより厚くしたために、内部電極の抵抗
成分とインダクタンス成分が従来の内部コンデンサーよ
り小さくなっており、低周波成分は従来の内部コンデン
サーが受け持ち、従来の内部コンデンサーでは減衰でき
ない高周波成分は、内部電極の厚みを厚くした一層のコ
ンデンサーが受け持ち、全体として一個の積層セラミッ
クコンデンサーで広帯域のノイズ減衰効果が得られるこ
ととなる。
デンサーの内部に容量の異なるセラミックコンデンサー
を並列接続した構成となり、内部電極の厚さを内部の従
来のコンデンサーより厚くしたために、内部電極の抵抗
成分とインダクタンス成分が従来の内部コンデンサーよ
り小さくなっており、低周波成分は従来の内部コンデン
サーが受け持ち、従来の内部コンデンサーでは減衰でき
ない高周波成分は、内部電極の厚みを厚くした一層のコ
ンデンサーが受け持ち、全体として一個の積層セラミッ
クコンデンサーで広帯域のノイズ減衰効果が得られるこ
ととなる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。図１から図４は本発明の実施例に係わ
り、図１は従来の積層コンデンサーに、もう一つの内部
電極の厚みを増加させたコンデンサーを並列接続させた
ものの積層状態を示す図、図２（ａ）は内部電極の厚み
を増加させたコンデンサーの内部電極において一方の内
部電極を外部電極と接続させた斜視図、図２（ｂ）はそ
の構造図、図３（ａ）は内部電極の厚みを増加させたコ
ンデンサーの内部電極において両方の内部電極を副外部
電極と接続させた斜視図、図３（ｂ）はその内部構造
図、図４（ａ）は内部電極の厚みを増加させたコンデン
サーの内部電極において両方の内部電極を副外部電極と
接続させ、さらに主外部電極と接続させた斜視図、図４
（ｂ）はその内部構造図である。
ながら説明する。図１から図４は本発明の実施例に係わ
り、図１は従来の積層コンデンサーに、もう一つの内部
電極の厚みを増加させたコンデンサーを並列接続させた
ものの積層状態を示す図、図２（ａ）は内部電極の厚み
を増加させたコンデンサーの内部電極において一方の内
部電極を外部電極と接続させた斜視図、図２（ｂ）はそ
の構造図、図３（ａ）は内部電極の厚みを増加させたコ
ンデンサーの内部電極において両方の内部電極を副外部
電極と接続させた斜視図、図３（ｂ）はその内部構造
図、図４（ａ）は内部電極の厚みを増加させたコンデン
サーの内部電極において両方の内部電極を副外部電極と
接続させ、さらに主外部電極と接続させた斜視図、図４
（ｂ）はその内部構造図である。
【００１９】図１に示すように、従来の一般的な積層セ
ラミックコンデンサー１が内部金属ベース電極２（厚み
ｄ２）と誘電体５で構成されており、その積層セラミッ
クコンデンサー１に並列に内部金属ベース電極３および
４（厚みｄ1 ）と誘電体５で構成されるコンデンサー
１′を接続している。図中の６，７は外部電極である。
ここで電極厚みｄ1 ＞ｄ2 としたために、コンデンサー
１′の内部金属ベース電極３および４と積層セラミック
コンデンサー１の内部金属ベース電極２における電極の
インピーダンスの差が生じ、コンデンサー１′における
内部金属ベース電極３および４のほうが一般的なセラミ
ックコンデンサー１のの内部金属ベース電極２よりイン
ピーダンスが下がる（特に、抵抗成分とインダクタンス
成分）ので、高周波成分をよりよく通すこととなり、よ
って、内部金属ベース電極３および４と誘電体５で構成
されるコンデンサー１′は高周波特性の良好なコンデン
サーとなり、一般的な積層セラミックコンデンサー１と
並列接続されて、一体のコンデンサーを形成するので、
一般的な積層セラミックコンデンサー１の高周波特性を
改善したコンデンサーとなる。さらに、通常、積層コン
デンサーは何十層から何百層と積層されているために、
コンデンサー１′一個を追加しても、トータルの容量値
は殆ど変化しない。さらに、ここで二つのコンデンサー
１，１′において自己共振周波数が異なるために、図７
のように自己共振周波数の異なるコンデンサーＣ1 ，Ｃ
2 が並列接続されるので、総合周波数特性は図８の総合
特性３３（Ｃ1 ＋Ｃ2 ）のようになる。
ラミックコンデンサー１が内部金属ベース電極２（厚み
ｄ２）と誘電体５で構成されており、その積層セラミッ
クコンデンサー１に並列に内部金属ベース電極３および
４（厚みｄ1 ）と誘電体５で構成されるコンデンサー
１′を接続している。図中の６，７は外部電極である。
ここで電極厚みｄ1 ＞ｄ2 としたために、コンデンサー
１′の内部金属ベース電極３および４と積層セラミック
コンデンサー１の内部金属ベース電極２における電極の
インピーダンスの差が生じ、コンデンサー１′における
内部金属ベース電極３および４のほうが一般的なセラミ
ックコンデンサー１のの内部金属ベース電極２よりイン
ピーダンスが下がる（特に、抵抗成分とインダクタンス
成分）ので、高周波成分をよりよく通すこととなり、よ
って、内部金属ベース電極３および４と誘電体５で構成
されるコンデンサー１′は高周波特性の良好なコンデン
サーとなり、一般的な積層セラミックコンデンサー１と
並列接続されて、一体のコンデンサーを形成するので、
一般的な積層セラミックコンデンサー１の高周波特性を
改善したコンデンサーとなる。さらに、通常、積層コン
デンサーは何十層から何百層と積層されているために、
コンデンサー１′一個を追加しても、トータルの容量値
は殆ど変化しない。さらに、ここで二つのコンデンサー
１，１′において自己共振周波数が異なるために、図７
のように自己共振周波数の異なるコンデンサーＣ1 ，Ｃ
2 が並列接続されるので、総合周波数特性は図８の総合
特性３３（Ｃ1 ＋Ｃ2 ）のようになる。
【００２０】次に、図２（ａ）、図２（ｂ）において、
上記で説明した厚みｄ1 の内部金属ベース電極８および
９と誘電体１０で構成されるコンデンサー１３ａの前記
内部金属ベース電極９を図２（ｂ）で示すように外部に
引き出すように構成し、このコンデンサー１３ａと並列
接続された積層セラミックコンデンサー１３ｂと一体化
するにおいて、図２（ａ）で示す外部Ｅ電極１１と外部
Ｆ電極１２に内部金属ベース電極９は接続し、さらに図
２（ａ）で示す積層セラミックコンデンサー１３は実装
される基板上の銅箔パターンで外部電極Ａ１４と外部電
極Ｅ１１を接続することにより、外部電極Ａ１４と外部
電極Ｅ１１と外部電極Ｆ１２が同一電位となり、内部金
属ベース電極９を通る高周波成分は外部電極Ｅ１１と外
部電極Ｆ１２を通して基板の銅箔パターンにもどるため
に、基板のパターンのインピーダンスが低ければ、図１
で説明した積層セラミックコンデンサーよりも、さらに
高周波特性を改善したものとなる。
上記で説明した厚みｄ1 の内部金属ベース電極８および
９と誘電体１０で構成されるコンデンサー１３ａの前記
内部金属ベース電極９を図２（ｂ）で示すように外部に
引き出すように構成し、このコンデンサー１３ａと並列
接続された積層セラミックコンデンサー１３ｂと一体化
するにおいて、図２（ａ）で示す外部Ｅ電極１１と外部
Ｆ電極１２に内部金属ベース電極９は接続し、さらに図
２（ａ）で示す積層セラミックコンデンサー１３は実装
される基板上の銅箔パターンで外部電極Ａ１４と外部電
極Ｅ１１を接続することにより、外部電極Ａ１４と外部
電極Ｅ１１と外部電極Ｆ１２が同一電位となり、内部金
属ベース電極９を通る高周波成分は外部電極Ｅ１１と外
部電極Ｆ１２を通して基板の銅箔パターンにもどるため
に、基板のパターンのインピーダンスが低ければ、図１
で説明した積層セラミックコンデンサーよりも、さらに
高周波特性を改善したものとなる。
【００２１】次に、図３（ａ）と図３（ｂ）において、
図１で説明した厚みｄ1 の内部金属ベース電極を使用し
て、図３（ｂ）の内部金属ベース電極２０と内部金属ベ
ース電極２１と誘電体２２で構成されるコンデンサー１
５ａと、これに並列に接続された一般的積層コンデンサ
ー１５ｂを一体化するに当り、その内部金属ベース電極
２０を図３（ｂ）で示すように外部Ｅ面（図３（ａ））
側に引き出し、さらに、内部金属ベース電極２１を図３
（ｂ）で示すように外部Ｆ面（図３（ａ））側に引き出
し、内部金属ベース電極２０は外部電極Ｅ１１に接続
し、内部金属ベース電極２１は外部電極Ｆ１２に接続す
る構成となっており、内部金属ベース電極２０および２
１と誘電体２２で構成される高周波特性の良いコンデン
サー１５ａの外部電極は外部電極Ｅ１１、外部電極Ｆ１
２で基板パターンに接続されるために、一般的な積層セ
ラミックコンデンサー１５ｂの外部電極Ａ１６、外部電
極Ｂ１７に接続される内部コンデンサーに比較して高周
波特性が改善される。
図１で説明した厚みｄ1 の内部金属ベース電極を使用し
て、図３（ｂ）の内部金属ベース電極２０と内部金属ベ
ース電極２１と誘電体２２で構成されるコンデンサー１
５ａと、これに並列に接続された一般的積層コンデンサ
ー１５ｂを一体化するに当り、その内部金属ベース電極
２０を図３（ｂ）で示すように外部Ｅ面（図３（ａ））
側に引き出し、さらに、内部金属ベース電極２１を図３
（ｂ）で示すように外部Ｆ面（図３（ａ））側に引き出
し、内部金属ベース電極２０は外部電極Ｅ１１に接続
し、内部金属ベース電極２１は外部電極Ｆ１２に接続す
る構成となっており、内部金属ベース電極２０および２
１と誘電体２２で構成される高周波特性の良いコンデン
サー１５ａの外部電極は外部電極Ｅ１１、外部電極Ｆ１
２で基板パターンに接続されるために、一般的な積層セ
ラミックコンデンサー１５ｂの外部電極Ａ１６、外部電
極Ｂ１７に接続される内部コンデンサーに比較して高周
波特性が改善される。
【００２２】次に、図４（ａ）と図４（ｂ）において、
構造は図３（ａ）と図３（ｂ）と同等であるが、図４
（ａ）、図４（ｂ）に示すように一般的なセラミックコ
ンデンサー２６ｂと厚みｄ1 の内部金属ベース電極２７
および２８と誘電体２９で構成される高周波特性の良い
コデンサー２６ａの各々の電極を外部で接続した構造を
とることにより、図３（ａ）、図３（ｂ）では基板パタ
ーンが外部電極用に４つ必要であったが、図４（ａ）、
図４（ｂ）では外部電極用の基板パターンが２つでよ
い。
構造は図３（ａ）と図３（ｂ）と同等であるが、図４
（ａ）、図４（ｂ）に示すように一般的なセラミックコ
ンデンサー２６ｂと厚みｄ1 の内部金属ベース電極２７
および２８と誘電体２９で構成される高周波特性の良い
コデンサー２６ａの各々の電極を外部で接続した構造を
とることにより、図３（ａ）、図３（ｂ）では基板パタ
ーンが外部電極用に４つ必要であったが、図４（ａ）、
図４（ｂ）では外部電極用の基板パターンが２つでよ
い。
【００２３】さらに図４（ａ）、図４（ｂ）では、外部
電極Ａ２５と外部電極Ｅ２３を接続し、外部電極Ｂ２４
と外部電極Ｆ３０を接続した構成としているが、外部電
極Ａ２５と外部電極Ｆ３０を接続し、外部電極Ｂ２４と
外部電極Ｅ２３を接続した構成も同じである。さらに図
４（ａ）において、図４（ａ）は外部電極Ａ２５と外部
電極Ｅ２３が接続され、外部電極Ｂ２４と外部電極Ｆ３
０が接続された場合を示すために印３２と印３１が設け
てある。
電極Ａ２５と外部電極Ｅ２３を接続し、外部電極Ｂ２４
と外部電極Ｆ３０を接続した構成としているが、外部電
極Ａ２５と外部電極Ｆ３０を接続し、外部電極Ｂ２４と
外部電極Ｅ２３を接続した構成も同じである。さらに図
４（ａ）において、図４（ａ）は外部電極Ａ２５と外部
電極Ｅ２３が接続され、外部電極Ｂ２４と外部電極Ｆ３
０が接続された場合を示すために印３２と印３１が設け
てある。
【００２４】
【発明の効果】前記実施例の説明より明らかなように本
発明によれば、積層コンデンサーの内部の一つのコンデ
ンサーに注目し、その内部のコンデンサーを形成する構
成要素である内部電極と、その外部への引き出し構成に
おいてインダクタンス成分を小さくする工夫により、高
周波成分に対するノイズ吸収効果を高め、さらに従来の
一般的な積層コンデンサーの内部に上記コンデンサーを
並列接続することにより、従来では、容量の大きいコン
デンサーと容量の小さいコンデンサーを基板上に半田付
けし、低周波から高周波のノイズ低減を図っていたが、
本発明のコンデンサー一つで従来の特性が確保可能とな
り、実装コストの低減が可能となり、実装面積も小さく
でき基板コストも下げることができる。
発明によれば、積層コンデンサーの内部の一つのコンデ
ンサーに注目し、その内部のコンデンサーを形成する構
成要素である内部電極と、その外部への引き出し構成に
おいてインダクタンス成分を小さくする工夫により、高
周波成分に対するノイズ吸収効果を高め、さらに従来の
一般的な積層コンデンサーの内部に上記コンデンサーを
並列接続することにより、従来では、容量の大きいコン
デンサーと容量の小さいコンデンサーを基板上に半田付
けし、低周波から高周波のノイズ低減を図っていたが、
本発明のコンデンサー一つで従来の特性が確保可能とな
り、実装コストの低減が可能となり、実装面積も小さく
でき基板コストも下げることができる。
【図１】本発明の一実施例の積層セラミックコンデンサ
ーの内部構成を示す斜視図
ーの内部構成を示す斜視図
【図２】（ａ）は本発明の他の実施例の積層セラミック
コンデンサーの斜視図 （ｂ）はその内部構成を示す斜視図
コンデンサーの斜視図 （ｂ）はその内部構成を示す斜視図
【図３】（ａ）は本発明の他の実施例の積層セラミック
コンデンサーの斜視図 （ｂ）はその内部構成を示す斜視図
コンデンサーの斜視図 （ｂ）はその内部構成を示す斜視図
【図４】（ａ）は本発明の実施例の積層セラミックコン
デンサーの斜視図 （ｂ）はその内部構成を示す斜視図
デンサーの斜視図 （ｂ）はその内部構成を示す斜視図
【図５】従来の積層セラミックコンデンサーの内部構成
部材の斜視図
部材の斜視図
【図６】従来の積層セラミックコンデンサーの斜視図
【図７】自己共振周波数の異なるコンデンサーの並列接
続した回路図
続した回路図
【図８】同コンデンサーの周波数特性図
１ 従来の一般的な積層セラミックコンデンサ
ー １′ 並列接続して組み合わせるコンデンサ ２ 厚みｄ2 の金属ベース内部電極 ３、４ 厚みｄ1 の金属ベース内部電極 ５ 誘電体 ６，７ 外部電極
ー １′ 並列接続して組み合わせるコンデンサ ２ 厚みｄ2 の金属ベース内部電極 ３、４ 厚みｄ1 の金属ベース内部電極 ５ 誘電体 ６，７ 外部電極
Claims (5)
- 【請求項１】 複数のコンデンサが並列接続されて一体
化され、その内部の１つのコンデンサーの上下の内部電
極を形成する金属部の厚みを厚くして他のコンデンサと
自己共振周波数を異ならせたことを特徴とする積層セラ
ミックコンデンサー。 - 【請求項２】 表面実装タイプであって、その形状が直
方体であり、その直方体の互いに向かい合う一対の二つ
の面を、外部電極Ａ電極（Ａ面）、外部電極Ｂ電極（Ｂ
面）とし、さらに、直方体の互いに向かい合う別の一対
の二つの面をＣ面、Ｄ面としたとき、Ｃ面が上の方向を
向いているとし、さらに、直方体の別の互いに向かい合
うもう一対の面をＥ面、Ｆ面とし、コンデンサーを形成
する内部電極がＣ面、Ｄ面に平行に配置されており、Ｄ
面に一番近い内部一層のコンデンサー層の上下の内部電
極を形成する金属部の厚みを厚くし、上下の内部電極は
外部電極Ａ電極、外部電極Ｂ電極に各々接続され、さら
にＤ面に一番近い内部一層のコンデンサー層を形成する
上下内部電極においてＤ面に近い内部電極を内部電極下
（Ｃ面、Ｄ面と平行）としたとき、Ｅ面、Ｆ面の方向に
内部電極下の一部を外周辺部まで延長し、さらにＤ面と
Ｅ面の接するところに外部電極Ｅ電極、Ｄ面とＦ面の接
するところに外部電極Ｆ電極を設け、内部電極下と外部
電極Ｅ、外部電極Ｆを接続したことを特徴とする積層セ
ラミックコンデンサー。 - 【請求項３】 表面実装タイプであって、その形状が直
方体であり、その直方体の互いに向かい合う一対の二つ
の面を、外部電極Ａ電極（Ａ面）、外部電極Ｂ電極（Ｂ
面）とし、さらに、直方体の互いに向かい合う別の一対
の二つの面をＣ面、Ｄ面としたとき、Ｃ面が上の方向を
向いており、さらに、直方体の別の互いに向かい合うも
う一対の面をＥ面、Ｆ面とし、コンデンサーを形成する
内部電極がＣ面、Ｄ面に平行に配置されており、Ｄ面に
一番近い内部一層のコンデンサー層の上下の内部電極を
形成する金属部の厚みを厚くし、上下の内部電極は外部
電極Ａ電極、外部電極Ｂ電極に各々接続され、さらにＤ
面に一番近い内部一層のコンデンサー層を形成する上下
内部電極においてＤ面に近い内部電極を内部電極下（Ｃ
面、Ｄ面と平行）とし、さらに上側の内部電極を内部電
極上としたとき、Ｆ面の方向に外周辺部まで内部電極下
の一部を延長し、さらにＥ面の方向に外周辺部まで内部
電極上の一部を延長し、Ｄ面とＥ面の接するところに外
部電極Ｅ電極を設け内部電極上を接続し、Ｄ面とＦ面の
接するところに外部電極Ｆ電極を設け内部電極下を接続
したことを特徴とする積層セラミックコンデンサー。 - 【請求項４】 外部電極Ａ、Ｂと外部電極Ｅ，Ｆにおい
て外部電極Ａ−外部電極Ｅ、外部電極Ｂ−外部電極Ｆの
接続か、もしくは、外部電極Ａ−外部電極Ｆ、外部電極
Ｂ−外部電極Ｅを接続したことを特徴とする請求項３記
載の積層セラミックコンデンサー。 - 【請求項５】 外部電極Ａと外部電極Ｂと外部電極Ｅと
外部電極Ｆとの接続状態を示すために、Ｃ面上におい
て、外部電極Ａと外部電極Ｅが接続され、外部電極Ｂと
外部電極Ｆが接続されているときに、Ａ面とＥ面の接す
る辺とＣ面が接する点において、その点の近傍でＣ面上
に印を設けるか、さらに、追加してＢ面とＦ面の接する
辺とＣ面が接する点において、その点の近傍でＣ面上に
印を設けたことを特徴とする請求項４記載の積層セラミ
ックコンデンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06017963A JP3135443B2 (ja) | 1994-02-15 | 1994-02-15 | 積層セラミックコンデンサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06017963A JP3135443B2 (ja) | 1994-02-15 | 1994-02-15 | 積層セラミックコンデンサー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07226331A true JPH07226331A (ja) | 1995-08-22 |
| JP3135443B2 JP3135443B2 (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=11958405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06017963A Expired - Fee Related JP3135443B2 (ja) | 1994-02-15 | 1994-02-15 | 積層セラミックコンデンサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3135443B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000223348A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-08-11 | Tokin Corp | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2004087959A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Fujitsu Ltd | 複合キャパシタ |
| JP2008071811A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Tdk Corp | 積層コンデンサ及び電子機器 |
| JP2008245037A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | ノイズフィルタ |
| WO2015040665A1 (ja) * | 2013-09-17 | 2015-03-26 | 三菱電機株式会社 | ノイズフィルタ |
| US11521798B2 (en) | 2018-12-12 | 2022-12-06 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ceramic electronic device and wiring substrate |
-
1994
- 1994-02-15 JP JP06017963A patent/JP3135443B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000223348A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-08-11 | Tokin Corp | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2004087959A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Fujitsu Ltd | 複合キャパシタ |
| JP2008071811A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Tdk Corp | 積層コンデンサ及び電子機器 |
| US7667950B2 (en) | 2006-09-12 | 2010-02-23 | Tdk Corporation | Multilayer capacitor and electronic device |
| JP2008245037A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | ノイズフィルタ |
| WO2015040665A1 (ja) * | 2013-09-17 | 2015-03-26 | 三菱電機株式会社 | ノイズフィルタ |
| JPWO2015040665A1 (ja) * | 2013-09-17 | 2017-03-02 | 三菱電機株式会社 | ノイズフィルタ |
| US10263589B2 (en) | 2013-09-17 | 2019-04-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Noise filter |
| US11521798B2 (en) | 2018-12-12 | 2022-12-06 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ceramic electronic device and wiring substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3135443B2 (ja) | 2001-02-13 |
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