JPH0722471A

JPH0722471A - キャリアテープ、キャリアテープの製造方法、キャリアテープを用いた半導体装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0722471A
Application number: JP5163653A
Authority: JP
Inventors: Teruya Hashii; 光弥橋井; Yasuhiro Murasawa; 靖博村沢; Haruo Shimamoto; 晴夫島本
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1993-07-01
Filing date: 1993-07-01
Publication date: 1995-01-24

Abstract

(57)【要約】【目的】この発明は、モールド等にリードの変形及び
剥離等を防止すると共に樹脂ばりの発生を防止すること
を目的とする。【構成】可撓性を有すると共に半導体チップを収容す
るためのセンタデバイス孔が形成されたテープ基材１０
１の表面上に複数のリード１０２が形成され、これらテ
ープ基材１０１及び複数のリード１０２の表面を覆うよ
うに第１のレジスト層１０３ａと第１のレジスト層１０
３ａより軟質の第２のレジスト層１０３ｂとからなる二
層構造のレジスト１０３が設けられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、ＴＣＰ（テープ・キ
ャリア・パッケージ）と呼ばれる半導体装置に用いられ
るキャリアテープ及びその製造方法に関する。また、こ
の発明は、キャリアテープを用いた半導体装置及びその
製造方法にも関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、集積回路素子の電極接合技術とし
て従来から最も広く使用されているワイヤボンディング
法に代わって、キャリアテープを用いたいわゆるＴＡＢ
（テープ・オートメイテド・ボンディング）法が採用さ
れている。このＴＡＢ法では、図１３に示されるような
キャリアテープ１が使用される。可撓性を有する例えば
ポリイミド樹脂等のプラスチックからなる絶縁フィルム
１ａの両側縁に沿って複数のパーフォレーション孔２が
形成されている。フィルム１ａの幅方向中央部にはセン
タデバイス孔４が形成され、このセンタデバイス孔４を
囲むように複数のアウターリード孔６が形成されてい
る。互いに隣接するアウターリード孔６は、架橋部５を
介して配置されており、各アウターリード孔６とセンタ
デバイス孔４との間には複数のリード７を支持するため
のリードサポート部９が設けられている。リード７は、
センタデバイス孔４を臨むインナーリード部７ａ、イン
ナーリード部７ａに連結され且つアウターリード孔６を
臨むアウターリード部７ｂ、及びアウターリード部７ｂ
に連結されたテストパッド部７ｃからなっている。

【０００３】このキャリアテープ１に半導体チップ３を
実装する際には、図１４に示されるように、センタデバ
イス孔４内に半導体チップ３が位置決めされ、半導体チ
ップ３の表面上に形成されたバンプ電極８とリード７の
インナーリード部７ａとが熱圧着法により接続される。

【０００４】キャリアテープ１に実装された半導体チッ
プ３は、例えば低圧トランスファ成形方法により樹脂封
止される。すなわち、半導体チップ３がキャビティ１２
内に収容されるようにキャリアテープ１を上金型１０と
下金型１１との間に挟持し、ゲート１６からキャビティ
１２内に熔融樹脂を注入した後、樹脂を硬化させる。こ
のようにして、図１５に示されるように、半導体チップ
３がモールド樹脂１４により封止された半導体装置が製
造される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、厚さ０．５
ｍｍ等の薄型パッケージを製造する場合には、リードも
薄くする必要があり、例えばＣｕ箔パターンから形成さ
れる。従って、モールド時にインナーリード部等に加わ
る樹脂の注入圧力を低減してリードの変形、破損等を防
ぐために、低粘度のモールド樹脂が用いられる。このた
め、樹脂注入時に金型とキャリアテープとの間のわずか
な隙間からもモールド樹脂が外部にはみ出て、樹脂のば
りを生じてしまう。特に、リードが設けられている箇所
では、リードの周縁部で金型とキャリアテープとの間に
隙間が形成され、樹脂ばりが発生する。

【０００６】そこで、図１６に示されるように、金型と
当接する箇所の絶縁フィルム１ａ上にクッション材とな
るレジスト１７を塗布し、金型で挟持されたときにレジ
スト１７により金型とキャリアテープとの間の隙間を埋
める方法がある。

【０００７】ただし、塗布されたレジスト１７の表面
は、リード７が存在する部分と存在しない部分とで少な
からず段差を有し、リード７の周縁部における段差を完
全には吸収仕切れない。このレジスト１７表面の段差
は、金型を締めたときの挟み込み荷重でレジスト１７が
変形することにより平坦化される。

【０００８】しかしながら、レジスト１７が硬いと、隙
間を吸収する程にはレジスト１７が変形しないため、隙
間が残り、樹脂ばりを生じてしまう。一方、レジスト１
７が軟らかいと、金型の挟み込み荷重により絶縁フィル
ム１ａ上のＣｕ箔パターン等からなるリード７が変形し
たり、絶縁フィルム１ａから剥離してしまう。このよう
に従来は、樹脂ばりの発生及びリードの変形や剥離を回
避して薄型パッケージの半導体装置を製造することが困
難であった。

【０００９】この発明はこのような問題点を解消するた
めになされたもので、樹脂ばりの発生及びリードの変
形、剥離等を防ぎつつ薄型パッケージの半導体装置を製
造することができるキャリアテープ及びその製造方法を
提供することを目的とする。また、この発明はこのよう
なキャリアテープを用いた半導体装置及びその製造方法
を提供することも目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載のキャリ
アテープは、可撓性を有すると共に半導体チップを収容
するためのセンタデバイス孔が形成されたテープ基材
と、それぞれ一端部が前記テープ基材のセンタデバイス
孔を臨むように前記テープ基材の表面上に設けられた複
数のリードと、前記テープ基材及び前記複数のリードの
表面を覆うように形成された第１のレジスト層と、前記
第１のレジスト層の上に形成されると共に第１のレジス
ト層より軟質の第２のレジスト層とを備えたものであ
る。請求項２に記載のキャリアテープは、請求項１のキ
ャリアテープにおいて、第１のレジスト層をテープ基材
のリードサポート部の周縁部に沿って線状に形成したも
のである。請求項３に記載のキャリアテープは、複数の
リードがテープ基材の表面にめり込んで設けられ、これ
によりリードの表面がテープ基材の表面と同一平面を形
成するものである。請求項４に記載のキャリアテープ
は、請求項３のキャリアテープにおいて、テープ基材及
び複数のリードの表面を覆うようにレジスト層が形成さ
れたものである。請求項５に記載のキャリアテープは、
複数のリードが、テープ基材の厚さ方向中央部に埋設さ
れたものである。請求項６に記載のキャリアテープは、
テープ基材と複数のリードとが同一の厚さを有すると共
に互いにその側面同士を突き合わせて密着されたもので
ある。

【００１１】請求項７に記載のキャリアテープの製造方
法は、未硬化状態の樹脂からなるテープ基材上に導電性
箔からなるリードを位置決めし、リードの上から圧力を
加えてリードの表面がテープ基材の表面と同一平面にな
るようにリードをテープ基材にめり込ませ、テープ基材
を形成する樹脂を硬化させる方法である。請求項８に記
載のキャリアテープの製造方法は、導電性箔からなるリ
ードのパターンフレームを作成し、パターンフレームの
両面上にそれぞれ所定のパターンで未硬化状態の樹脂を
コーティングし、コーティングされた樹脂を硬化させる
方法である。請求項９に記載のキャリアテープの製造方
法は、導電性箔からなるリードのパターンフレームを作
成し、それぞれ所定のパターンに形成された硬化済みの
二枚の樹脂材を作成し、パターンフレームの両面上にそ
れぞれ接着剤を介して樹脂材を貼り合わせ、接着剤がパ
ターンフレームの隙間を埋め尽くすように両側の樹脂材
に圧力を加える方法である。請求項１０に記載のキャリ
アテープの製造方法は、導電性箔からなるリードのパタ
ーンフレームを支持台の上に載置し、パターンフレーム
の中空部及び周辺部にパターンフレームと同じ厚さに未
硬化の樹脂を塗布し、塗布された樹脂を硬化させる方法
である。

【００１２】請求項１１に記載の半導体装置は、可撓性
を有すると共に半導体チップを収容するためのセンタデ
バイス孔が形成されたテープ基材と、それぞれ一端部が
前記テープ基材のセンタデバイス孔を臨むように前記テ
ープ基材の表面上に設けられた複数のリードと、前記テ
ープ基材及び前記複数のリードの表面を覆うように形成
された第１のレジスト層と、前記第１のレジスト層の上
に形成されると共に第１のレジスト層より軟質の第２の
レジスト層と、前記テープ基材のセンタデバイス孔に収
容されると共に複数の電極がそれぞれ対応するリードの
一端部に電気的に接続された半導体チップと、前記複数
のリードの他端部が露出するように前記テープ基材、前
記複数のリードの一端部及び前記半導体チップを封止す
るパッケージ本体とを備えたものである。請求項１２に
記載の半導体装置は、請求項１１の半導体装置におい
て、第１のレジスト層をテープ基材のリードサポート部
の周縁部に沿って線状に形成したものである。請求項１
３に記載の半導体装置は、複数のリードがテープ基材の
表面にめり込んで設けられ、これによりリードの表面が
テープ基材の表面と同一平面を形成するものである。請
求項１４に記載の半導体装置は、請求項１３の半導体装
置において、テープ基材及び複数のリードの表面を覆う
ようにレジスト層が形成されたものである。請求項１５
に記載の半導体装置は、複数のリードが、テープ基材の
厚さ方向中央部に埋設されたものである。請求項１６に
記載の半導体装置は、テープ基材と複数のリードとが同
一の厚さを有すると共に互いにその側面同士を突き合わ
せて密着されたものである。

【００１３】請求項１７に記載の半導体装置の製造方法
は、モールド金型の型締め部にモールド樹脂の硬化を促
進させる硬化剤を塗布し、キャリアテープに実装された
半導体チップがモールド金型のキャビティ内に位置する
ようにキャリアテープをモールド金型に挟み込み、モー
ルド金型のキャビティ内にモールド樹脂を注入し、モー
ルド金型の型締め部付近のモールド樹脂が硬化した後に
残りのモールド樹脂を硬化させる方法である。請求項１
８に記載の半導体装置の製造方法は、キャリアテープに
実装された半導体チップがモールド金型のキャビティ内
に位置するようにキャリアテープをモールド金型に挟み
込み、モールド金型の型締め部がモールド樹脂の硬化温
度程度になると共にモールド金型の他の部分が硬化温度
から離れるようにモールド金型の温度を制御し、モール
ド金型のキャビティ内にモールド樹脂を注入し、モール
ド金型の型締め部付近のモールド樹脂が硬化した後に残
りのモールド樹脂を硬化させる方法である。

【００１４】

【作用】請求項１のキャリアテープにおいては、テープ
基材及び複数のリードの表面を覆うように形成された第
１のレジスト層が金型の挟み込み荷重からリードを保護
し、第１のレジスト層より軟質の第２のレジスト層が型
締め時に変形して金型とキャリアテープとの間に隙間が
生じるのを防止する。請求項２のキャリアテープでは、
第１及び第２のレジスト層がテープ基材のリードサポー
ト部の周縁部にのみ設けられているので、レジストの硬
化収縮によるリードサポートの位置ずれが生じない。請
求項３のキャリアテープでは、同一平面に形成されたテ
ープ基材及びリードが金型との間に隙間が生じるのを防
止する。請求項４のキャリアテープでは、テープ基材及
びリードの表面上に形成されたレジストが型締め時に変
形して金型とキャリアテープとの間に隙間を生じさせな
い。請求項５のキャリアテープでは、テープ基材の表面
にリードが露出せず、金型とキャリアテープとの間に隙
間が生じない。請求項６のキャリアテープでは、同一平
面に形成されたテープ基材及びリードが金型との間に隙
間が生じるのを防止する。

【００１５】請求項７のキャリアテープの製造方法で
は、未硬化状態の樹脂からなるテープ基材にリードがめ
り込み、この状態で樹脂が硬化される。請求項８のキャ
リアテープの製造方法では、導電性箔からなるリードの
パターンフレームの両面上にそれぞれ所定のパターンで
未硬化状態の樹脂がコーティングされ、硬化される。請
求項９のキャリアテープの製造方法では、導電性箔から
なるリードのパターンフレームの両面上にそれぞれ所定
のパターンに形成された硬化済みの樹脂材が接着剤を介
して貼り合わせられる。請求項１０のキャリアテープの
製造方法では、導電性箔からなるリードのパターンフレ
ームの中空部及び周辺部にパターンフレームと同じ厚さ
に未硬化の樹脂が塗布され、硬化される。

【００１６】請求項１１の半導体装置においては、テー
プ基材及び複数のリードの表面を覆うように形成された
第１のレジスト層が金型の挟み込み荷重からリードを保
護し、第１のレジスト層より軟質の第２のレジスト層が
型締め時に変形して樹脂ばりの発生を防止する。請求項
１２の半導体装置では、第１及び第２のレジスト層がテ
ープ基材のリードサポート部の周縁部にのみ設けられて
いるので、レジストの硬化収縮によるリードサポートの
位置ずれが生じない。請求項１３の半導体装置では、同
一平面に形成されたテープ基材及びリードが樹脂ばりの
発生を防止する。請求項１４の半導体装置では、テープ
基材及びリードの表面上に形成されたレジストが型締め
時に変形して樹脂ばりの発生を防止する。請求項１５の
半導体装置では、テープ基材の表面にリードが露出せ
ず、モールド時に樹脂ばりが発生しない。請求項１６の
半導体装置では、同一平面に形成されたテープ基材及び
リードが樹脂ばりの発生を防止する。

【００１７】請求項１７の半導体装置の製造方法では、
モールド金型の型締め部に塗布された硬化剤がモールド
樹脂の硬化を促進させてこの部分のモールド樹脂が先に
硬化する。請求項１８の半導体装置の製造方法では、モ
ールド金型の温度を制御することにより、型締め部付近
のモールド樹脂が先に硬化する。

【００１８】

【実施例】以下、この発明の実施例を添付図面に基づい
て説明する。実施例１．図１にこの発明の実施例１に係るキャリアテ
ープの断面を示す。ポリイミド樹脂からなるテープ基材
１０１の上にＣｕ箔パターンによるリード１０２が貼付
されている。テープ基材１０１及びリード１０２の上に
レジスト１０３が形成されている。レジスト１０３は、
二層構造を有しており、下層として常温で高い硬度を有
する第１のレジスト層１０３ａが、上層として硬度の低
い第２のレジスト層１０３ｂがそれぞれ設けられてい
る。なお、図示しないが、このキャリアテープは図１３
に示した従来のキャリアテープと同様の平面構造を有し
ている。

【００１９】下層に硬い第１のレジスト層１０３ａが設
けられて、このレジスト層１０３ａによりテープ基材１
０１の表面及びリード１０２が覆われているので、モー
ルド時にキャリアテープが図示しない金型に挟み込まれ
て型締めされても、Ｃｕ箔パターンからなるリード１０
２は硬いレジスト層１０３ａに保護され、挟み込み荷重
によって変形したりテープ基材１０１から剥離すること
が防止される。

【００２０】また、第１のレジスト層１０３ａの上に上
層として軟らかい第２のレジスト層１０３ｂが設けられ
ているので、モールド時にキャリアテープを金型で挟み
込んだとき、第２のレジスト層１０３ｂが挟み込み荷重
によって容易に変形し、これによりリード１０２の存在
する部分と存在しない部分との間の段差が吸収され、金
型とキャリアテープとの間に隙間が形成されるのが防止
される。従って、金型内にモールド樹脂を注入した際に
モールド樹脂が金型とキャリアテープとの間からはみ出
て、樹脂ばりを生ずることがなくなる。

【００２１】すなわち、この実施例１では、テープ基材
１０１及びリード１０２の上に硬いレジスト層１０３ａ
と軟らかいレジスト層１０３ｂからなる二層構造のレジ
スト１０３を設けたので、樹脂ばりの発生を防止すると
共にリード１０２の変形及び剥離を防止しつつ、図２に
示されるような薄型の半導体装置を製造することができ
る。図２において、３は半導体チップ、２０はモールド
樹脂を示す。

【００２２】実施例２．図３に実施例２に係るキャリア
テープを示す。キャリアテープは、図１３に示した従来
のキャリアテープと同様に、幅方向中央部に半導体チッ
プ３を収容するためのセンタデバイス孔４を有し、セン
タデバイス孔４を囲むように複数のアウターリード孔６
が形成されている。互いに隣接するアウターリード孔６
は、架橋部５を介して配置されており、各アウターリー
ド孔６とセンタデバイス孔４との間には複数のリード１
０２を支持するためのリードサポート部９が設けられて
いる。

【００２３】リードサポート部９の周縁部に沿って線状
にレジスト１０３が設けられている。レジスト１０３
は、図４に示されるように、実施例１と同様に、硬い第
１のレジスト層１０３ａと軟らかい第２のレジスト層１
０３ｂとからなる二層構造を有している。レジスト１０
３が設けられた箇所は、モールド時に上金型と下金型と
の間に挟み込まれる部分であり、この箇所のみにレジス
ト１０３が設けられている。図３において、一つの架橋
部５の上に位置するレジスト１０３が途切れているが、
ここに金型のゲートが位置し、この架橋部５を通路とし
てモールド樹脂が注入される。

【００２４】レジスト１０３を設けたことにより、実施
例１と同様に、樹脂ばりの発生及びリード１０２の変
形、剥離を防止しつつ、図５に示されるような薄型の半
導体装置を製造することができる。さらに、この実施例
２では、レジスト１０３がリードサポート部９の周縁部
にのみ設けられているので、リード１０２のインナーリ
ード部１０２ａと半導体チップ３のバンプ電極８とのボ
ンディングがレジスト１０３に影響を受けることなく、
確実に行うことができるという効果がある。すなわち、
キャリアテープ全面上にレジストが塗布されていると、
レジストの硬化収縮によりインナーリード部の位置がず
れて、インナーリード部のボンディングを確実に行うこ
とが困難になる場合がある。

【００２５】実施例３．図６に実施例３に係るキャリア
テープの要部断面を示す。このキャリアテープでは、ポ
リイミド樹脂からなるテープ基材１０１にＣｕ箔からな
るリード１０２が埋設されており、テープ基材１０１の
表面とリード１０２の表面とが同一平面に形成されてい
る。すなわち、リード１０２が存在する部分と存在しな
い部分との間に段差がない。

【００２６】このため、この実施例３に係るキャリアテ
ープを上金型と下金型との間に挟み込んだときに、隙間
が発生せず、樹脂注入時にモールド樹脂がはみ出して樹
脂ばりを生じることが防止される。

【００２７】このようなキャリアテープは、例えば次の
ようにして製造することができる。まず、テープ基材１
０１として熱硬化性の樹脂を用い、このテープ基材１０
１が硬化する前にＣｕ箔からなるリード１０２をテープ
基材１０１の上に位置決めする。リード１０２の上から
圧力を加えてリード１０２をテープ基材１０１にめり込
ませた状態で加熱してテープ基材１０１を硬化させる。
同様にして、テープ基材１０１として光硬化性の樹脂を
用い、リード１０２をテープ基材１０１にめり込ませた
状態で光を照射してテープ基材１０１を硬化させること
もできる。

【００２８】実施例４．図７に実施例４に係るキャリア
テープの要部断面を示す。このキャリアテープは、図６
に示した実施例３のキャリアテープの上にレジスト１０
４を塗布したものである。金型でこのキャリアテープを
挟み込んだときに、挟み込み荷重によりレジスト１０４
が変形するため、キャリアテープと金型との間の隙間の
発生をより確実に防止することができる。

【００２９】レジスト１０４は、リード１０２のテスト
パッド部を除くキャリアテープの全面上に塗布してもよ
く、また、実施例２と同様に金型で挟み込む部分のみに
限定して塗布してもよい。さらに、レジスト１０４とし
ては、金型の挟み込み荷重により変形し得る軟らかいレ
ジストを用いることが望ましい。硬いレジストと軟らか
いレジストの二層構造にしてもよい。

【００３０】実施例５．図８に実施例５に係るキャリア
テープの断面を示す。このキャリアテープでは、Ｃｕ箔
パターンからなるリード１１２がポリイミド樹脂からな
るテープ基材１１１の厚さ方向中央部に位置するように
完全にテープ基材１１１中に埋設されている。テープ基
材１１１には、センタデバイス孔１１１ａ及びセンタデ
バイス孔１１１ａの周辺部に位置する複数のアウターリ
ード孔１１１ｂが形成されており、リード１１２のイン
ナーリード部１１２ａがセンタデバイス孔１１１ａを臨
み、アウターリード部１１２ｂがアウターリード孔１１
１ｂを臨んでいる。また、各リード１１２のテストパッ
ド部１１２ｃは、それぞれテープ基材１１１に形成され
た小孔１１１ｃを介して外部を臨んでいる。

【００３１】この実施例５に係るキャリアテープでは、
リード１１２が完全にテープ基材１１１中に埋設されて
いるので、テープ基材１１１の表面にリード１１２が露
出しておらず、このため段差もない。従って、このキャ
リアテープを金型で挟み込んだときに、隙間が発生せ
ず、樹脂注入時にモールド樹脂がはみ出して樹脂ばりを
生じることが防止される。

【００３２】このようなキャリアテープは、例えば次の
ようにして製造することができる。まず、Ｃｕ箔等の導
電性箔からなるリードのパターンフレームを作成し、こ
のパターンフレームの両面上にそれぞれ未硬化のポリイ
ミド樹脂をコーティングした後、ポリイミド樹脂を硬化
させればよい。なお、未硬化のポリイミド樹脂は、セン
タデバイス孔、アウターリード孔等がパターニングされ
たマスクをかけてコーティングしてもよく、また印刷技
術を用いてコーティングすることもできる。

【００３３】あるいは、Ｃｕ箔からなるリードのパター
ンフレームの両面上にそれぞれパターニングされ且つ硬
化済みのポリイミド樹脂材を貼り合わせることにとって
も、キャリアテープを製造することができる。ポリイミ
ド樹脂材の貼り合わせには、接着剤を用い、貼り合わせ
時に圧力を加えて接着剤がＣｕ箔パターンフレームの隙
間を埋め尽くすようにする。

【００３４】実施例６．図９に実施例６に係るキャリア
テープの要部断面を示す。このキャリアテープでは、ポ
リイミド樹脂からなるテープ基材１２１とＣｕ箔からな
るリード１２２とが同一の厚さを有しており、テープ基
材１２１とリード１２２とは互いにその側面で密着して
いる。リード１２２のアウターリード部１２２ｂは７０
〜１００μｍ程度の厚さを有しているが、センタデバイ
ス孔１２１ａを臨むインナーリード部１２２ａの先端部
は５０μｍ以下の厚さに形成されている。このようにイ
ンナーリード部１２２ａの先端部を薄く形成することに
より、このインナーリード部１２２ａの半導体チップへ
のボンディングを確実に行うことができる。

【００３５】この実施例６に係るキャリアテープでは、
テープ基材１２１の表面とリード１２２の表面とが同一
面上に位置するので、段差がなく、樹脂注入時にモール
ド樹脂がはみ出して樹脂ばりを生じることが防止され
る。

【００３６】このようなキャリアテープは、例えば次の
ようにして製造することができる。まず、Ｃｕ箔からな
るリードのパターンフレームを作成し、このパターンフ
レームを支持台上に載置する。そして、パターンフレー
ムの中空部及び周辺部にパターンフレームと同じ厚さに
未硬化のポリイミド樹脂を塗布し、硬化させればよい。

【００３７】実施例７．図１０に実施例７に係る半導体
装置の製造方法を示す。図１０は、図１３に示した従来
のキャリアテープに半導体チップ３を実装した後、モー
ルド金型２０２の上金型２０２ａ及び下金型２０２ｂの
間に挟み込んだ状態を示している。キャリアテープのテ
ープ基材１ａを挟み込むための金型２０２の型締め部２
０５に、モールド樹脂の硬化を促進させるための硬化剤
を予め塗布しておく。金型２０２を型締めした後、モー
ルド樹脂をキャビティ２０３内に注入する。

【００３８】キャビティ２０３内に注入されたモールド
樹脂は、型締め部２０５に塗布された硬化剤によりこの
型締め部２０５付近で先に硬化し、その後キャビティ２
０３内部のモールド樹脂が硬化する。このため、キャリ
アテープと金型２０２との間から外部にモールド樹脂が
はみ出すのが防止され、樹脂ばりを発生させることな
く、半導体装置を製造することができる。

【００３９】また、硬化剤を用いる代わりに、硬化速度
の異なる２種類のモールド樹脂を用い、まず硬化速度の
速い樹脂を注入して型締め部２０５付近で硬化させ、次
いで硬化速度の遅い樹脂を注入してもよい。このように
しても、樹脂ばりを防止することができる。

【００４０】実施例８．図１０に示されるように、キャ
ビティ２０３に面した部分にパルスヒートブロック２０
１を備えた金型２０２を用いると、硬化剤あるいは硬化
速度の異なる２種類のモールド樹脂を用いなくても、型
締め部２０５付近の樹脂を先に硬化させることができ
る。パルスヒートブロック２０１は、パルスヒータによ
りその温度を容易に変化させることができるので、予め
型締め部２０５付近の温度をモールド樹脂の硬化温度程
度にすると共にパルスヒートブロック２０１の温度をモ
ールド樹脂の硬化温度から離しておく。この状態で、モ
ールド樹脂をキャビティ２０３内に注入すると、型締め
部２０５付近のモールド樹脂がまず硬化する。その後、
パルスヒートブロック２０１の温度をモールド樹脂の硬
化温度にして残りのモールド樹脂を硬化させる。

【００４１】この実施例８においても、樹脂ばりを発生
させることなく、半導体装置を製造することができる。

【００４２】実施例９．図１１に実施例９に係る半導体
装置の製造方法を示す。モールド金型３０２は、型締め
部３０５付近に埋設されたパイプ３０４を備えている。
このパイプ３０４は、図１２に示されるように、キャビ
ティ３０３の周辺部に沿って配置されている。このパイ
プ３０４に冷水あるいは温水を供給することにより、型
締め部３０５付近のみを使用するモールド樹脂の硬化温
度とすることができる。従って、実施例８と同様にして
型締め部３０５付近のモールド樹脂を先に硬化させ、樹
脂ばりの発生を防止することが可能となる。なお、図１
０において、３０６はキャビティ３０３内にモールド樹
脂を注入するためのゲートを示している。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１に記載の
キャリアテープは、可撓性を有すると共に半導体チップ
を収容するためのセンタデバイス孔が形成されたテープ
基材と、それぞれ一端部が前記テープ基材のセンタデバ
イス孔を臨むように前記テープ基材の表面上に設けられ
た複数のリードと、前記テープ基材及び前記複数のリー
ドの表面を覆うように形成された第１のレジスト層と、
前記第１のレジスト層の上に形成されると共に第１のレ
ジスト層より軟質の第２のレジスト層とを備えているの
で、樹脂ばりの発生及びリードの変形、剥離等を防ぎつ
つ薄型パッケージの半導体装置を製造することができ
る。

【００４４】請求項２に記載のキャリアテープは、請求
項１のキャリアテープにおいて、第１のレジスト層をテ
ープ基材のリードサポート部の周縁部に沿って線状に形
成したので、レジストの硬化収縮に起因してインナーリ
ード部がずれることが防止される。請求項３に記載のキ
ャリアテープは、複数のリードがテープ基材の表面にめ
り込んで設けられ、これによりリードの表面がテープ基
材の表面と同一平面を形成するので、樹脂注入時のモー
ルド樹脂のはみ出しを防止し、樹脂ばりの発生を防止す
ることができる。請求項４に記載のキャリアテープは、
請求項３のキャリアテープにおいて、テープ基材及び複
数のリードの表面を覆うようにレジスト層が形成されて
いるので、さらに樹脂ばりの発生を確実に防止すること
ができる。請求項５に記載のキャリアテープは、複数の
リードが、テープ基材の厚さ方向中央部に埋設されてい
るので、リードの厚さに影響を受けることなく樹脂ばり
の発生を防止しつつ半導体装置を製造することができ
る。請求項６に記載のキャリアテープは、テープ基材と
複数のリードとが同一の厚さを有すると共に互いにその
側面同士を突き合わせて密着されているので、樹脂ばり
の半導体装置を防止すると共に薄いキャリアテープが提
供される。

【００４５】請求項７に記載のキャリアテープの製造方
法は、未硬化状態の樹脂からなるテープ基材上に導電性
箔からなるリードを位置決めし、リードの上から圧力を
加えてリードの表面がテープ基材の表面と同一平面にな
るようにリードをテープ基材にめり込ませ、テープ基材
を形成する樹脂を硬化させるので、リードの厚さに起因
してモールド時に樹脂ばりを発生させることのないキャ
リアテープが得られる。請求項８に記載のキャリアテー
プの製造方法は、導電性箔からなるリードのパターンフ
レームを作成し、パターンフレームの両面上にそれぞれ
所定のパターンで未硬化状態の樹脂をコーティングし、
コーティングされた樹脂を硬化させるので、リードがテ
ープ基材の表面に露出しないキャリアテープが得られ
る。

【００４６】請求項９に記載のキャリアテープの製造方
法は、導電性箔からなるリードのパターンフレームを作
成し、それぞれ所定のパターンに形成された硬化済みの
二枚の樹脂材を作成し、パターンフレームの両面上にそ
れぞれ接着剤を介して樹脂材を貼り合わせ、接着剤がパ
ターンフレームの隙間を埋め尽くすように両側の樹脂材
に圧力を加えるので、リードがテープ基材の表面に露出
せず、樹脂ばりの発生を防止できるキャリアテープが得
られる。請求項１０に記載のキャリアテープの製造方法
は、導電性箔からなるリードのパターンフレームを支持
台の上に載置し、パターンフレームの中空部及び周辺部
にパターンフレームと同じ厚さに未硬化の樹脂を塗布
し、塗布された樹脂を硬化させるので、樹脂ばりの発生
を防止できると共にキャリアテープの薄型化を図ること
ができる。

【００４７】請求項１１に記載の半導体装置は、可撓性
を有すると共に半導体チップを収容するためのセンタデ
バイス孔が形成されたテープ基材と、それぞれ一端部が
前記テープ基材のセンタデバイス孔を臨むように前記テ
ープ基材の表面上に設けられた複数のリードと、前記テ
ープ基材及び前記複数のリードの表面を覆うように形成
された第１のレジスト層と、前記第１のレジスト層の上
に形成されると共に第１のレジスト層より軟質の第２の
レジスト層と、前記テープ基材のセンタデバイス孔に収
容されると共に複数の電極がそれぞれ対応するリードの
一端部に電気的に接続された半導体チップと、前記複数
のリードの他端部が露出するように前記テープ基材、前
記複数のリードの一端部及び前記半導体チップを封止す
るパッケージ本体とを備えているので、樹脂ばりの発生
が防止され、樹脂ばりを除去する必要がなくなる。

【００４８】請求項１２に記載の半導体装置は、請求項
１１の半導体装置において、第１のレジスト層をテープ
基材のリードサポート部の周縁部に沿って線状に形成し
たので、レジストの硬化収縮に起因してインナーリード
部がずれることが防止される。請求項１３に記載の半導
体装置は、複数のリードがテープ基材の表面にめり込ん
で設けられ、これによりリードの表面がテープ基材の表
面と同一平面を形成するので、モールド時の樹脂ばりの
発生が防止される。請求項１４に記載の半導体装置は、
請求項１３の半導体装置において、テープ基材及び複数
のリードの表面を覆うようにレジスト層が形成されてい
るので、さらに確実に樹脂ばりの発生が防止される。請
求項１５に記載の半導体装置は、複数のリードが、テー
プ基材の厚さ方向中央部に埋設されているので、リード
の厚さに影響を受けることなく樹脂ばりの発生を防止す
ることができる。請求項１６に記載の半導体装置は、テ
ープ基材と複数のリードとが同一の厚さを有すると共に
互いにその側面同士を突き合わせて密着されているの
で、樹脂ばりの発生を防止し得ると共に半導体装置の薄
型化を図ることができる。

【００４９】請求項１７に記載の半導体装置の製造方法
は、モールド金型の型締め部にモールド樹脂の硬化を促
進させる硬化剤を塗布し、キャリアテープに実装された
半導体チップがモールド金型のキャビティ内に位置する
ようにキャリアテープをモールド金型に挟み込み、モー
ルド金型のキャビティ内にモールド樹脂を注入し、モー
ルド金型の型締め部付近のモールド樹脂が硬化した後に
残りのモールド樹脂を硬化させるので、従来のキャリア
テープを用いながらも樹脂ばりの発生を防止しつつ半導
体装置を製造することができる。請求項１８に記載の半
導体装置の製造方法は、キャリアテープに実装された半
導体チップがモールド金型のキャビティ内に位置するよ
うにキャリアテープをモールド金型に挟み込み、モール
ド金型の型締め部がモールド樹脂の硬化温度程度になる
と共にモールド金型の他の部分が硬化温度から離れるよ
うにモールド金型の温度を制御し、モールド金型のキャ
ビティ内にモールド樹脂を注入し、モールド金型の型締
め部付近のモールド樹脂が硬化した後に残りのモールド
樹脂を硬化させるので、硬化剤を用いなくても樹脂ばり
の発生を防止しつつ半導体装置を製造することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例１に係るキャリアテープを示
す断面図である。

【図２】実施例１のキャリアテープを用いて製造した半
導体装置を示す断面図である。

【図３】実施例２に係るキャリアテープを示す平面図で
ある。

【図４】図３のＡ−Ａ線断面図である。

【図５】実施例２のキャリアテープを用いて製造した半
導体装置を示す断面図である。

【図６】実施例３に係るキャリアテープを示す断面図で
ある。

【図７】実施例４に係るキャリアテープを示す断面図で
ある。

【図８】実施例５に係るキャリアテープを示す断面図で
ある。

【図９】実施例６に係るキャリアテープを示す断面図で
ある。

【図１０】実施例７及び実施例８に係る半導体装置の製
造方法で用いられる金型を示す断面図である。

【図１１】実施例９に係る半導体装置の製造方法で用い
られる金型を示す断面図である。

【図１２】図１１の金型の平面図である。

【図１３】従来のキャリアテープを示す平面図である。

【図１４】従来の半導体装置をモールドするときの状態
を示す断面図である。

【図１５】樹脂モールドされた従来の半導体装置を示す
断面図である。

【図１６】従来のキャリアテープを示す断面図である。

【符号の説明】

３半導体チップ１０１、１１１、１２１テープ基材１０２、１１２、１２２リード１０３、１０４レジスト１０３ａ第１のレジスト層１０３ｂ第２のレジスト層２０２、３０２モールド金型２０３、３０３キャビティ２０５、３０５型締め部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】可撓性を有すると共に半導体チップを収
容するためのセンタデバイス孔が形成されたテープ基材
と、それぞれ一端部が前記テープ基材のセンタデバイス孔を
臨むように前記テープ基材の表面上に設けられた複数の
リードと、前記テープ基材及び前記複数のリードの表面を覆うよう
に形成された第１のレジスト層と、前記第１のレジスト層の上に形成されると共に第１のレ
ジスト層より軟質の第２のレジスト層とを備えたことを
特徴とするキャリアテープ。
【請求項２】可撓性を有すると共に半導体チップを収
容するためのセンタデバイス孔とこのセンタデバイス孔
の周辺部に位置するリードサポート部とが形成されたテ
ープ基材と、それぞれ一端部が前記テープ基材のセンタデバイス孔を
臨むように前記テープ基材のリードサポート部上に支持
された複数のリードと、前記テープ基材及び前記複数のリードの表面上で且つ前
記テープ基材のリードサポート部の周縁部に沿って線状
に形成された第１のレジスト層と、前記第１のレジスト層の上に形成されると共に第１のレ
ジスト層より軟質の第２のレジスト層とを備えたことを
特徴とするキャリアテープ。
【請求項３】可撓性を有すると共に半導体チップを収
容するためのセンタデバイス孔が形成されたテープ基材
と、それぞれ一端部が前記テープ基材のセンタデバイス孔を
臨むように設けられると共に前記テープ基材の表面にめ
り込むことによりその表面が前記テープ基材の表面と同
一平面を形成する複数のリードとを備えたことを特徴と
するキャリアテープ。
【請求項４】可撓性を有すると共に半導体チップを収
容するためのセンタデバイス孔が形成されたテープ基材
と、それぞれ一端部が前記テープ基材のセンタデバイス孔を
臨むように設けられると共に前記テープ基材の表面にめ
り込むことによりその表面が前記テープ基材の表面と同
一平面を形成する複数のリードと、前記テープ基材及び前記複数のリードの表面を覆うよう
に形成されたレジスト層とを備えたことを特徴とするキ
ャリアテープ。
【請求項５】可撓性を有すると共に半導体チップを収
容するためのセンタデバイス孔が形成されたテープ基材
と、それぞれ一端部が前記テープ基材のセンタデバイス孔を
臨むように前記テープ基材の厚さ方向中央部に埋設され
た複数のリードとを備えたことを特徴とするキャリアテ
ープ。
【請求項６】可撓性を有すると共に半導体チップを収
容するためのセンタデバイス孔が形成されたテープ基材
と、前記テープ基材と同一の厚さを有すると共にそれぞれ一
端部が前記テープ基材のセンタデバイス孔を臨むように
前記テープ基材と互いにその側面同士を突き合わせて密
着された複数のリードとを備えたことを特徴とするキャ
リアテープ。
【請求項７】未硬化状態の樹脂からなるテープ基材上
に導電性箔からなるリードを位置決めし、リードの上から圧力を加えてリードの表面がテープ基材
の表面と同一平面になるようにリードをテープ基材にめ
り込ませ、テープ基材を形成する樹脂を硬化させることを特徴とす
るキャリアテープの製造方法。
【請求項８】導電性箔からなるリードのパターンフレ
ームを作成し、パターンフレームの両面上にそれぞれ所定のパターンで
未硬化状態の樹脂をコーティングし、コーティングされた樹脂を硬化させることを特徴とする
キャリアテープの製造方法。
【請求項９】導電性箔からなるリードのパターンフレ
ームを作成し、それぞれ所定のパターンに形成された硬化済みの二枚の
樹脂材を作成し、パターンフレームの両面上にそれぞれ接着剤を介して樹
脂材を貼り合わせ、接着剤がパターンフレームの隙間を埋め尽くすように両
側の樹脂材に圧力を加えることを特徴とするキャリアテ
ープの製造方法。
【請求項１０】導電性箔からなるリードのパターンフ
レームを支持台の上に載置し、パターンフレームの中空部及び周辺部にパターンフレー
ムと同じ厚さに未硬化の樹脂を塗布し、塗布された樹脂を硬化させることを特徴とするキャリア
テープの製造方法。
【請求項１１】可撓性を有すると共に半導体チップを
収容するためのセンタデバイス孔が形成されたテープ基
材と、それぞれ一端部が前記テープ基材のセンタデバイス孔を
臨むように前記テープ基材の表面上に設けられた複数の
リードと、前記テープ基材及び前記複数のリードの表面を覆うよう
に形成された第１のレジスト層と、前記第１のレジスト層の上に形成されると共に第１のレ
ジスト層より軟質の第２のレジスト層と、前記テープ基材のセンタデバイス孔に収容されると共に
複数の電極がそれぞれ対応するリードの一端部に電気的
に接続された半導体チップと、前記複数のリードの他端部が露出するように前記テープ
基材、前記複数のリードの一端部及び前記半導体チップ
を封止するパッケージ本体とを備えたことを特徴とする
半導体装置。
【請求項１２】可撓性を有すると共に半導体チップを
収容するためのセンタデバイス孔とこのセンタデバイス
孔の周辺部に位置するリードサポート部とが形成された
テープ基材と、それぞれ一端部が前記テープ基材のセンタデバイス孔を
臨むように前記テープ基材のリードサポート部上に支持
された複数のリードと、前記テープ基材及び前記複数のリードの表面上で且つ前
記テープ基材のリードサポート部の周縁部に沿って線状
に形成された第１のレジスト層と、前記第１のレジスト層の上に形成されると共に第１のレ
ジスト層より軟質の第２のレジスト層と、前記テープ基材のセンタデバイス孔に収容されると共に
複数の電極がそれぞれ対応するリードの一端部に電気的
に接続された半導体チップと、前記複数のリードの他端部が露出するように前記テープ
基材、前記複数のリードの一端部及び前記半導体チップ
を封止するパッケージ本体とを備えたことを特徴とする
半導体装置。
【請求項１３】可撓性を有すると共に半導体チップを
収容するためのセンタデバイス孔が形成されたテープ基
材と、それぞれ一端部が前記テープ基材のセンタデバイス孔を
臨むように設けられると共に前記テープ基材の表面にめ
り込むことによりその表面が前記テープ基材の表面と同
一平面を形成する複数のリードと、前記テープ基材のセンタデバイス孔に収容されると共に
複数の電極がそれぞれ対応するリードの一端部に電気的
に接続された半導体チップと、前記複数のリードの他端部が露出するように前記テープ
基材、前記複数のリードの一端部及び前記半導体チップ
を封止するパッケージ本体とを備えたことを特徴とする
半導体装置。
【請求項１４】可撓性を有すると共に半導体チップを
収容するためのセンタデバイス孔が形成されたテープ基
材と、それぞれ一端部が前記テープ基材のセンタデバイス孔を
臨むように設けられると共に前記テープ基材の表面にめ
り込むことによりその表面が前記テープ基材の表面と同
一平面を形成する複数のリードと、前記テープ基材及び前記複数のリードの表面を覆うよう
に形成されたレジスト層と、前記テープ基材のセンタデバイス孔に収容されると共に
複数の電極がそれぞれ対応するリードの一端部に電気的
に接続された半導体チップと、前記複数のリードの他端部が露出するように前記テープ
基材、前記複数のリードの一端部及び前記半導体チップ
を封止するパッケージ本体とを備えたことを特徴とする
半導体装置。
【請求項１５】可撓性を有すると共に半導体チップを
収容するためのセンタデバイス孔が形成されたテープ基
材と、それぞれ一端部が前記テープ基材のセンタデバイス孔を
臨むように前記テープ基材の厚さ方向中央部に埋設され
た複数のリードと、前記テープ基材のセンタデバイス孔に収容されると共に
複数の電極がそれぞれ対応するリードの一端部に電気的
に接続された半導体チップと、前記複数のリードの他端部が露出するように前記テープ
基材、前記複数のリードの一端部及び前記半導体チップ
を封止するパッケージ本体とを備えたことを特徴とする
半導体装置。
【請求項１６】可撓性を有すると共に半導体チップを
収容するためのセンタデバイス孔が形成されたテープ基
材と、前記テープ基材と同一の厚さを有すると共にそれぞれ一
端部が前記テープ基材のセンタデバイス孔を臨むように
前記テープ基材と互いにその側面同士を突き合わせて密
着された複数のリードと、前記テープ基材のセンタデバイス孔に収容されると共に
複数の電極がそれぞれ対応するリードの一端部に電気的
に接続された半導体チップと、前記複数のリードの他端部が露出するように前記テープ
基材、前記複数のリードの一端部及び前記半導体チップ
を封止するパッケージ本体とを備えたことを特徴とする
半導体装置。
【請求項１７】モールド金型の型締め部にモールド樹
脂の硬化を促進させる硬化剤を塗布し、キャリアテープに実装された半導体チップがモールド金
型のキャビティ内に位置するようにキャリアテープをモ
ールド金型に挟み込み、モールド金型のキャビティ内にモールド樹脂を注入し、モールド金型の型締め部付近のモールド樹脂が硬化した
後に残りのモールド樹脂を硬化させることを特徴とする
半導体装置の製造方法。
【請求項１８】キャリアテープに実装された半導体チ
ップがモールド金型のキャビティ内に位置するようにキ
ャリアテープをモールド金型に挟み込み、モールド金型の型締め部がモールド樹脂の硬化温度程度
になると共にモールド金型の他の部分が硬化温度から離
れるようにモールド金型の温度を制御し、モールド金型のキャビティ内にモールド樹脂を注入し、モールド金型の型締め部付近のモールド樹脂が硬化した
後に残りのモールド樹脂を硬化させることを特徴とする
半導体装置の製造方法。