JPH0722427A - サブストレートの加工方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】サブストレートのゲッタリング能力を面内で均
一にする。 【構成】サブストレートのゲッタリングは、内部欠陥が
支配的であるため、結晶欠陥の少ない箇所の裏面に、強
いサンドブラスト処理を行なうことにより、ウェハー面
内のゲッタリング能力を均一にする。その際、ＸＲＴ、
結晶欠陥密度測定などのデータを利用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】サブストレートの製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来の方法は、図３に示すようにサブス
トレート１の裏面全体に均一にサンドブラスト処理３を
行なう。サブストレートに熱処理を加える事により、内
部の酸素、あるいは格子間シリコンが結晶欠陥２を形成
し、この結晶欠陥２に金属などの不純物がとりこまれ
る。（以後、ゲッタリングという）これにより、サブス
トレート表面の半導体デバイス形成部の重金属等による
汚染を防いでいる。また、それだけでは不十分であるこ
とから、ウェハーの裏面にサンドブラスト処理を行ない
ゲッタリング効果を増大させている。ただし、サンドブ
ラスト処理は裏面にＳｉＯ₂ を打ちこみ、ダメージを与
えていることから、裏面からシリコンくずによる発塵が
あり、その為、適度な強度のサンドブラスト処理を行な
っている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来の方法では裏面全
体にサンドブラストを均一にうちこんでいるが結晶欠陥
の密度がサブストレートの面内でばらつくため、サンド
ブラスト処理を施しても、ゲッタリング能力が面内でば
らつき、それにより、サブストレートの表面に重金属等
の汚染物質が残留する。すなわち、半導体の品質が低下
するという問題があった。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本方法は、さらかじめウ
ェハーの酸素濃度分布、あるいは結晶欠陥分布を調べ、
そのデータをもとに、サンドブラスト処理の強度を変え
ている。

【０００５】

【実施例】次に本発明について説明する。サブストレー
トの製造工程において、ラッピング後のサブストレート
をインゴットで１枚以上抜きとり、熱処理を加えて面内
の酸素濃度分布をＸ線トポグラフ（以後、ＸＲＴとす
る）等で確認する。図１ａはそのようにして得られたＸ
ＲＴの例である。この図１ａにおいて、酸素濃度の低い
黒い部分４に対しては強くサンドブラスト処理３を行な
い酸素濃度の高い白い領域に対しては、弱くサンドブラ
スト処理を行なう。この断面を見ると図１ｂのような酸
素析出２、および選択的なサンドブラスト３の分布が見
られる。

【０００６】また、その際同一インゴットについては同
様の酸素濃度分布を示すことから、同一インゴットから
切り出されたサブストレートについては１枚のＸＲＴデ
ータで全サブストレートのサンドブラスト処理に適用で
きる。

【０００７】図２は本発明の実施例２の図であり、熱処
理を行なったサブストレートの結晶欠陥分布図である。
このデータをもとに、結晶欠陥密度の低い所は、サンド
ブラストが強くなるように、結晶欠陥密度に従い、サン
ドブラストの強度を変える。

【０００８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明はサンドブ
ラスト処理を行なう際に酸素濃度（結晶欠陥）の少ない
箇所に対し、サンドブラスト処理を強く行なうことによ
り、サブストレートのゲッタリング能力が面内で均一に
なり、品質が安定するという結果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１サブストレートのＸＲＴ写真
例ａとそのサンドブラスト処理ｂ。

【図２】本発明の実施例２サブストレートの結晶欠陥分
布ａとそのサンドブラスト処理ｂ。

【図３】従来図。

【符号の説明】

１ サブストレート ２ 酸素析出 ３ 結晶欠陥 ４ サンドブラスト ５ 酸素析出の少ない領域

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 サブストレートの裏面にサンドブラスト
   法により歪層を形成する加工方法において、サブストレ
   ート内の酸素濃度分布を面的に測定し、その分布を用い
   てサンドブラスト法のブラスト強度で調整することを特
   徴とするサブストレートの加工方法。
2. 【請求項２】 上記請求項１において酸素濃度分布のか
   わりに結晶欠陥分布を測定し、その分布を用いるサブス
   トレート加工方法。