JP2747516B2 - 半導体基板のバックサイドダメージ加工法 - Google Patents
半導体基板のバックサイドダメージ加工法Info
- Publication number
- JP2747516B2 JP2747516B2 JP62135433A JP13543387A JP2747516B2 JP 2747516 B2 JP2747516 B2 JP 2747516B2 JP 62135433 A JP62135433 A JP 62135433A JP 13543387 A JP13543387 A JP 13543387A JP 2747516 B2 JP2747516 B2 JP 2747516B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing method
- semiconductor substrate
- damage processing
- backside damage
- density
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体のバックサイドダメージ加工法（BS
D加工法）に関し、特にゲッタリング処理の改良に係る
ものである。 （従来の技術） 半導体素子の製造工程において、基板となるシリコン
ウェーハは数々の熱処理を受ける。この熱処理の際にシ
リコン基板が外部から汚染されていると素子の特性が著
しく劣化する。そこでシリコン基板への汚染を極力防止
する措置がとられ、加えて汚染物質、結晶欠陥、重金属
を基板の不要な部分に集めるゲッタリング法が行なわれ
ている。ゲッタリングは、デバイスプロセス時の酸化等
の熱処理により、素子形成領域に結晶欠陥が発生した
り、素子形成領域が不純物で汚染されると、素子歩留
り、素子特性が劣化するため、これを防止、低減するこ
とを目的として施される。 上記ゲッタリング法としては、イオン注入、レーザ照
射、ポリシリコン膜形成、サンドブラスト法等が知られ
ているが、安易でかつコストの安いサンドブラスト法に
て主にシリコン基板に歪層を形成する方法が用いられて
いる。 （発明が解決しようとする問題点） しかしサンドブラスト法によって歪付けされた基板
は、その後の熱処理やフッ酸処理時に歪付け部の圧痕か
ら発塵しやすく、素子歩留り、素子特性に影響を与える
という欠点を生じている。 （問題点を解決するための手段） 本発明は上記問題点を解決する半導体のバックサイド
ダメージ加工法を提案するもので、下記の知見に基いて
なされた。 すなわち、従来のBSD加工法においては、汚染につい
ての検討がなされていなかったので、上記問題点を解決
するため、まず、シリコン基板からの発塵の原因を調べ
た。その結果、サンドブラスト法で砥粒を基板に吹き付
けると、歪付けされた部分に圧痕が発生し、この圧痕の
密度と歪付け部から発生する発塵量とが比例しているこ
とが判明した（第１図参照）。 第１図は、圧痕密度を10000個／cm2以下（圧痕直径２
μｍ以下）にすれば、飛躍的に発塵の発生を阻止でき、
従って上記問題が解決されることを示している。 なお、発塵量の測定は、種々の圧痕密度のサンドブラ
スト処理を施こしたシリコン基板をフッ酸に浸漬させ、
歪付け面より発塵したパーティクルの素子面への汚染状
態を表面検査装置によりカウントし、その値を縦軸にと
っている。 そこで加工エアー圧、砥液粒径を変え、シリコン基板
にサンドブラスト加工を行い、圧痕密度を測定した。そ
の結果を第２図、第３図に示す。 それらの測定結果によると、加工圧力0.35kg/cm2以
下、砥液粒径10μｍ以下において圧痕密度104個／cm2以
下が得られることが判った。 このようにして、本発明は、サンドブラスト法により
半導体基板の裏面に歪層を形成するバックサイドダメー
ジ加工法における砥液として、粒径10μｍ以下の研磨粉
を少なくとも15％含有したものを用いて、圧痕密度を10
4個／cm2以下となるように吹き付ける構成の半導体基板
のバックサイドダメージ加工法である。 （実施例） CZ法で製造されたＮ型、ρ＝10Ωcmのシリコン基板
に、加工エアー圧を0.35kg/cm2、砥液粒径を10μｍ以下
とし、砥液濃度を5,10,15,20,25％と変え、サンドブラ
スト加工を施こした基板で発塵量の測定を行い、1000℃
×16Hrs in Wet O2酸化し、ジルトルエッチをしてOSFを
調べた。その測定結果を第４図として示す。 ここで、塗り潰しはパーティクル数を示し、白抜きは
歪付面のOSF密度を示している。また従来のサンドブラ
スト法を採用した結果を▲印で、サンドブラスト法を採
用しない場合（無歪）の状態を■印で示している。 上記第４図から明らかなように、素子面のパーティク
ル数は、無歪と、砥液密度が５％〜25％である場合、発
塵量が少なくて102個以下となり、従来の場合はこれの
２〜３倍の発塵量であった。また、OSF密度について
は、無歪（ゲッタリング処理をしていないもの）及び砥
粒濃度５％、10％歪付面OSF104個／cm2以下のものは素
子面に102個／cm2程度の欠陥が見られた。これはゲッタ
リング不足であることを意味する。従って、砥液濃度15
％以上であることが必要となる。 （発明の効果） 本発明は以上説明したように、シリコン基板にサンド
ブラスト法によってゲッタリング効果を持たせようとす
る場合、15％以上の砥液濃度を用いて、圧痕が発生しな
い条件でシリコン基板を製造する方法であり、従って本
発明によれば、ゲッタリング効果を持ちつつ、後工程で
の塵発生を抑制でき、この結果、素子特性が向上し、半
導体素子製造の歩留りが向上するという作用効果を奏す
るものである。
D加工法）に関し、特にゲッタリング処理の改良に係る
ものである。 （従来の技術） 半導体素子の製造工程において、基板となるシリコン
ウェーハは数々の熱処理を受ける。この熱処理の際にシ
リコン基板が外部から汚染されていると素子の特性が著
しく劣化する。そこでシリコン基板への汚染を極力防止
する措置がとられ、加えて汚染物質、結晶欠陥、重金属
を基板の不要な部分に集めるゲッタリング法が行なわれ
ている。ゲッタリングは、デバイスプロセス時の酸化等
の熱処理により、素子形成領域に結晶欠陥が発生した
り、素子形成領域が不純物で汚染されると、素子歩留
り、素子特性が劣化するため、これを防止、低減するこ
とを目的として施される。 上記ゲッタリング法としては、イオン注入、レーザ照
射、ポリシリコン膜形成、サンドブラスト法等が知られ
ているが、安易でかつコストの安いサンドブラスト法に
て主にシリコン基板に歪層を形成する方法が用いられて
いる。 （発明が解決しようとする問題点） しかしサンドブラスト法によって歪付けされた基板
は、その後の熱処理やフッ酸処理時に歪付け部の圧痕か
ら発塵しやすく、素子歩留り、素子特性に影響を与える
という欠点を生じている。 （問題点を解決するための手段） 本発明は上記問題点を解決する半導体のバックサイド
ダメージ加工法を提案するもので、下記の知見に基いて
なされた。 すなわち、従来のBSD加工法においては、汚染につい
ての検討がなされていなかったので、上記問題点を解決
するため、まず、シリコン基板からの発塵の原因を調べ
た。その結果、サンドブラスト法で砥粒を基板に吹き付
けると、歪付けされた部分に圧痕が発生し、この圧痕の
密度と歪付け部から発生する発塵量とが比例しているこ
とが判明した（第１図参照）。 第１図は、圧痕密度を10000個／cm2以下（圧痕直径２
μｍ以下）にすれば、飛躍的に発塵の発生を阻止でき、
従って上記問題が解決されることを示している。 なお、発塵量の測定は、種々の圧痕密度のサンドブラ
スト処理を施こしたシリコン基板をフッ酸に浸漬させ、
歪付け面より発塵したパーティクルの素子面への汚染状
態を表面検査装置によりカウントし、その値を縦軸にと
っている。 そこで加工エアー圧、砥液粒径を変え、シリコン基板
にサンドブラスト加工を行い、圧痕密度を測定した。そ
の結果を第２図、第３図に示す。 それらの測定結果によると、加工圧力0.35kg/cm2以
下、砥液粒径10μｍ以下において圧痕密度104個／cm2以
下が得られることが判った。 このようにして、本発明は、サンドブラスト法により
半導体基板の裏面に歪層を形成するバックサイドダメー
ジ加工法における砥液として、粒径10μｍ以下の研磨粉
を少なくとも15％含有したものを用いて、圧痕密度を10
4個／cm2以下となるように吹き付ける構成の半導体基板
のバックサイドダメージ加工法である。 （実施例） CZ法で製造されたＮ型、ρ＝10Ωcmのシリコン基板
に、加工エアー圧を0.35kg/cm2、砥液粒径を10μｍ以下
とし、砥液濃度を5,10,15,20,25％と変え、サンドブラ
スト加工を施こした基板で発塵量の測定を行い、1000℃
×16Hrs in Wet O2酸化し、ジルトルエッチをしてOSFを
調べた。その測定結果を第４図として示す。 ここで、塗り潰しはパーティクル数を示し、白抜きは
歪付面のOSF密度を示している。また従来のサンドブラ
スト法を採用した結果を▲印で、サンドブラスト法を採
用しない場合（無歪）の状態を■印で示している。 上記第４図から明らかなように、素子面のパーティク
ル数は、無歪と、砥液密度が５％〜25％である場合、発
塵量が少なくて102個以下となり、従来の場合はこれの
２〜３倍の発塵量であった。また、OSF密度について
は、無歪（ゲッタリング処理をしていないもの）及び砥
粒濃度５％、10％歪付面OSF104個／cm2以下のものは素
子面に102個／cm2程度の欠陥が見られた。これはゲッタ
リング不足であることを意味する。従って、砥液濃度15
％以上であることが必要となる。 （発明の効果） 本発明は以上説明したように、シリコン基板にサンド
ブラスト法によってゲッタリング効果を持たせようとす
る場合、15％以上の砥液濃度を用いて、圧痕が発生しな
い条件でシリコン基板を製造する方法であり、従って本
発明によれば、ゲッタリング効果を持ちつつ、後工程で
の塵発生を抑制でき、この結果、素子特性が向上し、半
導体素子製造の歩留りが向上するという作用効果を奏す
るものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は圧痕密度と発塵からのパーティクルとの関係を
示すグラフ、第２図は加工エアー圧と圧痕密度との関係
を示すグラフ、第３図は砥石粒径と圧痕密度との関係を
示すグラフ、第４図はBSD面のOSF並びにパーティクルと
砥液濃度との関係を示すグラフである。
示すグラフ、第２図は加工エアー圧と圧痕密度との関係
を示すグラフ、第３図は砥石粒径と圧痕密度との関係を
示すグラフ、第４図はBSD面のOSF並びにパーティクルと
砥液濃度との関係を示すグラフである。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．サンドブラスト法により半導体基板の裏面に歪層を
形成するバックサイドダメージ加工法における砥液とし
て、粒径10μｍ以下の研磨粉を少なくとも15％含有した
ものを用いて、圧痕密度を104個／cm2以下となるように
吹き付けることを特徴とする半導体基板のバックサイド
ダメージ加工法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62135433A JP2747516B2 (ja) | 1987-05-31 | 1987-05-31 | 半導体基板のバックサイドダメージ加工法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62135433A JP2747516B2 (ja) | 1987-05-31 | 1987-05-31 | 半導体基板のバックサイドダメージ加工法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63301529A JPS63301529A (ja) | 1988-12-08 |
| JP2747516B2 true JP2747516B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=15151608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62135433A Expired - Fee Related JP2747516B2 (ja) | 1987-05-31 | 1987-05-31 | 半導体基板のバックサイドダメージ加工法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2747516B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2853506B2 (ja) * | 1993-03-24 | 1999-02-03 | 信越半導体株式会社 | ウエーハの製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6091648A (ja) * | 1983-10-25 | 1985-05-23 | Sony Corp | 半導体ウエハの処理方法 |
| JPS6276713A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Mitsubishi Metal Corp | シリコンウエハおよびその製造方法 |
-
1987
- 1987-05-31 JP JP62135433A patent/JP2747516B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63301529A (ja) | 1988-12-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1121521A (en) | Semiconductor substrate and a manufacturing method thereof | |
| JPS583375B2 (ja) | シリコン単結晶ウエハ−の製造方法 | |
| TW229324B (en) | Low cost method of fabricating epitaxial semiconductor devices | |
| JP2000239654A (ja) | 研磨用酸化セリウムスラリー、その製造法及び研磨方法 | |
| JPH11502674A (ja) | 絶縁体上シリコンウエハの製造のための単一エッチングストップ方法 | |
| US5804494A (en) | Method of fabricating bonded wafer | |
| JP2747516B2 (ja) | 半導体基板のバックサイドダメージ加工法 | |
| JP3119924B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JP2776583B2 (ja) | 半導体基板の処理液及び処理方法 | |
| JP3264367B2 (ja) | サンドブラスト処理剤、それを用いて処理されたウェーハ及びその処理方法 | |
| TW202141611A (zh) | 半導體晶圓之清洗方法 | |
| US4954189A (en) | Silicon wafers for producing oxide layers of high breakdown strength and process for the production thereof | |
| JPH1070099A (ja) | サンドブラストを施した半導体ウエーハの洗浄方法およびこの方法で洗浄した半導体ウエーハ | |
| JP3177937B2 (ja) | 半導体シリコンウェーハの製造方法 | |
| JPH0529307B2 (ja) | ||
| JP2894154B2 (ja) | シリコンウエーハ表面の加工変質層深さの測定方法 | |
| JP3188810B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
| JPH0722427A (ja) | サブストレートの加工方法 | |
| JP2689007B2 (ja) | シリコンウエーハおよびその製造方法 | |
| JP3014152B2 (ja) | 半導体ウエハの製造方法 | |
| JPH07114207B2 (ja) | 半導体基板及びその製造方法 | |
| JPH0319688B2 (ja) | ||
| JPH08115918A (ja) | 単結晶シリコンウェーハの製造方法および単結晶シリコンウェーハ | |
| JPS6332938A (ja) | 化合物半導体ウエ−ハの製造方法 | |
| JPH05291215A (ja) | 半導体ウェーハ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |