JPH0722278A - 薄膜コンデンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 極薄の誘電体膜上の上部電極幅を微細加工す
ることにより、絶縁性に優れた薄膜コンデンサを得る。 【構成】 極薄の誘電体膜３上の上部電極幅４を微細に
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】 本発明は、小形電子回路に用い
る薄膜コンデンサの上部電極のパタン形状に関する。

【０００２】

【従来の技術】 集積回路技術の発達によって、電子回
路の小型化が進んでおり、この傾向は高周波部品で顕著
である。コンデンサ、抵抗、コイル等の受動部品の小型
化は必須であり、いずれも薄膜化が進んでいる。コンデ
ンサを薄膜化するに当たっての問題は絶縁耐圧の劣化で
ある。従来の薄膜コンデンサは図１に示すように下部電
極膜のエッジ部分で誘電体膜が極薄になり、この部分の
絶縁耐圧が弱くなる傾向にあった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】 従来作製されている
薄膜コンデンサは、下部電極膜エッジ部分の極薄の誘電
体膜上に幅広の上部電極膜を形成していたため、絶縁破
壊となる確立が高く、歩留まりが悪かった。

【０００４】

【課題を解決するための手段】 前記問題を解決するた
めの本発明は、極薄の誘電体膜上の上部電極幅を微細に
することにより、絶縁不良を減少させようとするもので
ある。

【０００５】

【実施例】 次に本発明ついて図面を参照して説明す
る。図２は本発明の実施例の構造を示す断面図および平
面図である。図２に示すように、基板１上に下部電極膜
２を作製し、パタンを形成する。次に誘電体膜３を作製
し、パタンを形成する。さらに上部電極膜４を作製し、
誘電体膜３の極薄部分上が微細となるようにパタンを形
成する。このように、誘電体膜の極薄部分上の上部電極
膜を微細加工することにより、絶縁不良を減少させるこ
とが可能である。この方法によって微細部分の幅を３５
μｍとした場合、図１に示す従来の薄膜コンデンサの歩
留まりが６０％〜７０％であるのに対し、９０％以上の
歩留まりを得ることができる。

【０００６】

【発明の効果】 従来作製されている薄膜コンデンサ
は、下部電極膜エッジ部分の極薄の誘電体膜上に幅広の
上部電極膜を形成していたため、絶縁不良となり易い傾
向にあった。本発明により作製した薄膜コンデンサは、
極薄の誘電体膜上の上部電極幅を微細加工することによ
り、絶縁性に優れた薄膜コンデンサを高い歩留まりで得
ることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は従来の薄膜コンデンサの構造を示す断
面図および平図である。

【図２】 図２は本発明を説明するための構造を示す断
面図および平面図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 下部電極膜 ３ 誘電体膜 ４ 上部電極膜

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電気的絶縁性基板上に下部電極膜、誘電
   体膜、上部電極膜を形成してなる薄膜コンデンサにおい
   て、下部電極膜のエッジ部分に形成される極薄の誘電体
   膜上の上部電極幅を微細化することによって、絶縁性に
   優れた薄膜コンデンサが得られることを特徴とした上部
   電極パタン形状。