JPH0722124B2 - Ｃｖｄ炉用排ガス装置 - Google Patents
Ｃｖｄ炉用排ガス装置Info
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- JPH0722124B2 JPH0722124B2 JP59218095A JP21809584A JPH0722124B2 JP H0722124 B2 JPH0722124 B2 JP H0722124B2 JP 59218095 A JP59218095 A JP 59218095A JP 21809584 A JP21809584 A JP 21809584A JP H0722124 B2 JPH0722124 B2 JP H0722124B2
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- Japan
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- exhaust gas
- pipe
- cvd furnace
- cvd
- furnace
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02521—Materials
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は半導体の結晶気相成長（エピタキシャル成長）
等に用いられるCVD炉の排ガス装置に関する。より詳細
には、真空ポンプ等による高真空下で使用されるCVD炉
ではなく、ファン等の排気手段による若干の減圧下にて
使用されるCVD炉の排ガス装置に関する。
等に用いられるCVD炉の排ガス装置に関する。より詳細
には、真空ポンプ等による高真空下で使用されるCVD炉
ではなく、ファン等の排気手段による若干の減圧下にて
使用されるCVD炉の排ガス装置に関する。
［発明の技術的背景］ 半導体製造工程で、結晶のエピタキシャル成長処理等に
使用されているCVD炉には、真空ポンプ等で炉内を高真
空に保って処理を行う高真空CVD炉や、ファン等の排気
手段によって炉内を若干の減圧下に保持するCVD炉が使
用されている。
使用されているCVD炉には、真空ポンプ等で炉内を高真
空に保って処理を行う高真空CVD炉や、ファン等の排気
手段によって炉内を若干の減圧下に保持するCVD炉が使
用されている。
後者の若干の減圧下で処理を行うCVD炉においては、例
えば、減圧下で純化されたH2をキャリアガスとしてシラ
ンまたはシランの塩素置換体等の原料ガスを加熱された
シリコンウェハ上に導き、原料ガスを水素還元すること
によりシリコンウェハ表面に例えば単結晶シリコンを気
相成長させることが行われている。
えば、減圧下で純化されたH2をキャリアガスとしてシラ
ンまたはシランの塩素置換体等の原料ガスを加熱された
シリコンウェハ上に導き、原料ガスを水素還元すること
によりシリコンウェハ表面に例えば単結晶シリコンを気
相成長させることが行われている。
このようなCVD炉を第２図に示す。第２図において、CVD
炉11、12、13は例えば３基並列に設置されており、その
内部に鏡面研磨されたシリコンウェハが装入される。CV
D炉11、12、13は交互にあるいは同時に稼働される。SiC
l4等の原料ガスは、H2ガスとともに供給配管２から例え
ばCVD炉11内に導入される。CVD炉11内での反応により、
生成したHCl等の反応ガス及びH2ガスは各CVD炉11、12、
13から各排ガス用配管３、共通排ガス用配管９、および
それらを合流させた合流排ガス用配管４を通過し、更に
ファン５からスクラバー６に送られ、HClを中和して排
気されている。
炉11、12、13は例えば３基並列に設置されており、その
内部に鏡面研磨されたシリコンウェハが装入される。CV
D炉11、12、13は交互にあるいは同時に稼働される。SiC
l4等の原料ガスは、H2ガスとともに供給配管２から例え
ばCVD炉11内に導入される。CVD炉11内での反応により、
生成したHCl等の反応ガス及びH2ガスは各CVD炉11、12、
13から各排ガス用配管３、共通排ガス用配管９、および
それらを合流させた合流排ガス用配管４を通過し、更に
ファン５からスクラバー６に送られ、HClを中和して排
気されている。
しかしながら、各CVD炉からの排ガスにはH2ガスが含ま
れているため爆発の危険があるので、排ガスをそのまま
スクラバー６から排出することはできず、このH2ガスの
爆発限界以下の濃度に排ガスを希釈して排出する必要が
あった。そのため、従来の排ガス装置においては、希釈
用の空気を供給する排ガス希釈用配管７は各CVD炉から
の共通排ガス配管９の最も上流側に接続されていた。
れているため爆発の危険があるので、排ガスをそのまま
スクラバー６から排出することはできず、このH2ガスの
爆発限界以下の濃度に排ガスを希釈して排出する必要が
あった。そのため、従来の排ガス装置においては、希釈
用の空気を供給する排ガス希釈用配管７は各CVD炉から
の共通排ガス配管９の最も上流側に接続されていた。
［背景技術の問題点］ CVD炉内は所定の圧力に設定すべく、ファンの排気量、
希釈用空気の供給量等を制御して気相成長膜の成長速度
を一定とし、膜厚のバラツキや転位の発生を防止する必
要がある。この条件はCVD炉の切り換え時、すなわち被
処理物を取り出すための炉開放時や、処理開始時に炉を
封鎖する際にも満たされてなければならず、このために
排ガス希釈用配管７からの希釈用空気の供給量を変化さ
せなければならない。ところが、第２図図示の従来の排
ガス装置でこのような制御を行おうとすると、CVD炉の
切り換えに伴う圧力変動の影響を極力避けるために、排
ガス希釈配管７および共通排ガス用配管９を大きな（例
えば2m角の）ものとせざるを得ない。これは排ガスの量
に比して希釈用空気の供給量が多量であり、希釈用配管
の下流側でCVD炉の切り換えによってCVD炉からのガス流
入量が変化する場合には、圧力損失の面から前記排ガス
希釈用配管および共通排ガス用配管９を大きくせざるを
得ないのである。このような大きな配管をCVD炉が設置
されている空間内に設置することは多くの費用を要し、
また、多大な空間を必要とする欠点がある。また、この
ような大きな配管７および９を使用しても管内の圧力変
動を調整することは困難である。
希釈用空気の供給量等を制御して気相成長膜の成長速度
を一定とし、膜厚のバラツキや転位の発生を防止する必
要がある。この条件はCVD炉の切り換え時、すなわち被
処理物を取り出すための炉開放時や、処理開始時に炉を
封鎖する際にも満たされてなければならず、このために
排ガス希釈用配管７からの希釈用空気の供給量を変化さ
せなければならない。ところが、第２図図示の従来の排
ガス装置でこのような制御を行おうとすると、CVD炉の
切り換えに伴う圧力変動の影響を極力避けるために、排
ガス希釈配管７および共通排ガス用配管９を大きな（例
えば2m角の）ものとせざるを得ない。これは排ガスの量
に比して希釈用空気の供給量が多量であり、希釈用配管
の下流側でCVD炉の切り換えによってCVD炉からのガス流
入量が変化する場合には、圧力損失の面から前記排ガス
希釈用配管および共通排ガス用配管９を大きくせざるを
得ないのである。このような大きな配管をCVD炉が設置
されている空間内に設置することは多くの費用を要し、
また、多大な空間を必要とする欠点がある。また、この
ような大きな配管７および９を使用しても管内の圧力変
動を調整することは困難である。
［発明の目的］ 本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、大規模
な配管を必要とせず、しかも管内の圧力の調整が容易な
CVD炉用排ガス装置を提供しようとするものである。
な配管を必要とせず、しかも管内の圧力の調整が容易な
CVD炉用排ガス装置を提供しようとするものである。
［発明の概要］ 本発明のCVD炉用排ガス装置は、並列に設けられた複数
のCVD炉に接続された排ガス用配管と、前記配管に接続
され、配管内に希釈用の気体を導入する排ガス希釈用配
管と、前記排ガス用配管の他端部に接続されCVD炉から
の排出ガスを直接吸引するためのファンと、ファンの下
流に設けられたスクラバーを有するCVD炉の排ガスを排
気する装置において、前記排ガス用配管は少なくとも前
記ファンにいたる前に合流されて前記排ガス用配管より
も断面積の大きい合流排ガス用配管とされるとともに、
合流排ガス用配管に排ガス希釈用配管を接続することに
より、排ガス用の配管をコンパクトなものにするととも
に、排ガス配管内の圧力変動の調整を容易とするもので
ある。
のCVD炉に接続された排ガス用配管と、前記配管に接続
され、配管内に希釈用の気体を導入する排ガス希釈用配
管と、前記排ガス用配管の他端部に接続されCVD炉から
の排出ガスを直接吸引するためのファンと、ファンの下
流に設けられたスクラバーを有するCVD炉の排ガスを排
気する装置において、前記排ガス用配管は少なくとも前
記ファンにいたる前に合流されて前記排ガス用配管より
も断面積の大きい合流排ガス用配管とされるとともに、
合流排ガス用配管に排ガス希釈用配管を接続することに
より、排ガス用の配管をコンパクトなものにするととも
に、排ガス配管内の圧力変動の調整を容易とするもので
ある。
本発明において、各CVD炉からの排ガス用配管は一度に
合流され合流排ガス用配管とされてもよいし、各排ガス
用配管が順次接続された共通排ガス用配管を経て最終的
に合流排ガス用配管とされてもよい。
合流され合流排ガス用配管とされてもよいし、各排ガス
用配管が順次接続された共通排ガス用配管を経て最終的
に合流排ガス用配管とされてもよい。
［発明の実施例］ 以下、本発明の実施例を第１図に参照して説明する。
第１図において、CVD炉11、12、13は例えば３基並列に
設置されており、その内部に鏡面研磨されたシリコンウ
ェハが装入される。CVD炉11、12、13は交互にあるいは
同時に稼働される。SiCl4等の原料ガスは、H2ガスとと
もに供給配管２から例えばCVD炉11内に導入される。CVD
炉11内での反応により生成したHCl等の反応ガス及びH2
ガスは排ガス用配管３および共通排ガス用配管９を通
り、合流排ガス用配管４を通過し、更にファン５からス
クラバー６に送られ、HClを中和して排気されている。
ファン５は直接CVD炉からの排ガスを吸引し、CVD炉内を
若干の減圧状態に維持している。また、CVD炉からの排
ガス中に含まれているH2ガスを爆発限界以下の濃度に希
釈するために空気を供給する排ガス希釈用配管８は、フ
ァン５に至る前の合流排ガス用配管４に接続されてい
る。
設置されており、その内部に鏡面研磨されたシリコンウ
ェハが装入される。CVD炉11、12、13は交互にあるいは
同時に稼働される。SiCl4等の原料ガスは、H2ガスとと
もに供給配管２から例えばCVD炉11内に導入される。CVD
炉11内での反応により生成したHCl等の反応ガス及びH2
ガスは排ガス用配管３および共通排ガス用配管９を通
り、合流排ガス用配管４を通過し、更にファン５からス
クラバー６に送られ、HClを中和して排気されている。
ファン５は直接CVD炉からの排ガスを吸引し、CVD炉内を
若干の減圧状態に維持している。また、CVD炉からの排
ガス中に含まれているH2ガスを爆発限界以下の濃度に希
釈するために空気を供給する排ガス希釈用配管８は、フ
ァン５に至る前の合流排ガス用配管４に接続されてい
る。
CVD炉12、13からの排ガスは各CVD炉に接続された排ガス
用配管３を通り、共通排ガス用配管９を介して最終的に
前述の各排ガス用配管より断面積の大きい合流排ガス用
配管４に接続されている。
用配管３を通り、共通排ガス用配管９を介して最終的に
前述の各排ガス用配管より断面積の大きい合流排ガス用
配管４に接続されている。
このようなCVD炉用排ガス装置によれば排ガス希釈用配
管８を合流排ガス用配管４に接続しているので以下のよ
うな効果を奏する。
管８を合流排ガス用配管４に接続しているので以下のよ
うな効果を奏する。
すなわち、多量の空気を導入している排ガス希釈用配管
８がファン５の手前で各CVD炉に接続された排ガス用配
管３より断面積の大きい合流排ガス用配管４に接続され
ているため、切り換え時にCVD炉11を解放した場合にお
いても、最も下流側にある合流排ガス用配管４で圧力損
失が最も大きくなる。このため、複数のCVD炉が接続さ
れた系全体の圧力変動の総和を調整することができる。
このように、複数接続されたCVD炉のうちひとつの炉を
解放した場合でも、他のCVD炉内の圧力に影響を及ぼす
ことがなくなる。
８がファン５の手前で各CVD炉に接続された排ガス用配
管３より断面積の大きい合流排ガス用配管４に接続され
ているため、切り換え時にCVD炉11を解放した場合にお
いても、最も下流側にある合流排ガス用配管４で圧力損
失が最も大きくなる。このため、複数のCVD炉が接続さ
れた系全体の圧力変動の総和を調整することができる。
このように、複数接続されたCVD炉のうちひとつの炉を
解放した場合でも、他のCVD炉内の圧力に影響を及ぼす
ことがなくなる。
また、このような効果を得るためには合流排ガス用配管
４のみ断面積の大きい配管を用いればよいため、装置全
体がコンパクトになるとともに圧力変動の調整も容易と
なる。なお、共通排ガス用配管９を特に断面積の大きい
ものとする必要はないが、これを大きくしてもなんら支
障はない。
４のみ断面積の大きい配管を用いればよいため、装置全
体がコンパクトになるとともに圧力変動の調整も容易と
なる。なお、共通排ガス用配管９を特に断面積の大きい
ものとする必要はないが、これを大きくしてもなんら支
障はない。
［発明の効果］ 以上詳述した如く本発明のCVD炉用排ガス装置によれ
ば、装置全体をコンパクトにできるとともに排ガス配管
系内の圧力調整が容易となり、圧力変動を抑えることが
できるなど顕著な効果を奏するものである。
ば、装置全体をコンパクトにできるとともに排ガス配管
系内の圧力調整が容易となり、圧力変動を抑えることが
できるなど顕著な効果を奏するものである。
第１図は本発明の実施例におけるCVD炉用排ガス装置の
系統図、第２図は従来のCVD炉用排ガス装置の系統図で
ある。 11、12、13……CVD炉、２……供給配管、３……排ガス
用配管、４……合流排ガス用配管、５……ファン、６…
…スクラバー、７、８……排ガス希釈用配管、９……共
通排ガス用配管。
系統図、第２図は従来のCVD炉用排ガス装置の系統図で
ある。 11、12、13……CVD炉、２……供給配管、３……排ガス
用配管、４……合流排ガス用配管、５……ファン、６…
…スクラバー、７、８……排ガス希釈用配管、９……共
通排ガス用配管。
Claims (1)
- 【請求項１】並列に設けられた複数のCVD炉に接続され
た排ガス用配管と、前記配管に接続され、配管内に希釈
用の気体を導入する排ガス希釈用配管と、前記排ガス用
配管の他端部に接続されCVD炉からの排出ガスを直接吸
引するためのファンと、ファンの下流に設けられたスク
ラバーを有するCVD炉の排ガスを排気する装置におい
て、前記排ガス用配管は少なくとも前記ファンにいたる
前に合流されて前記排ガス用配管よりも断面積の大きい
合流排ガス用配管とされるとともに、合流排ガス用配管
に排ガス希釈用配管を接続したことを特徴とするCVD炉
用排ガス装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59218095A JPH0722124B2 (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | Ｃｖｄ炉用排ガス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59218095A JPH0722124B2 (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | Ｃｖｄ炉用排ガス装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6196727A JPS6196727A (ja) | 1986-05-15 |
| JPH0722124B2 true JPH0722124B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=16714549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59218095A Expired - Lifetime JPH0722124B2 (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | Ｃｖｄ炉用排ガス装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722124B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5911834A (en) * | 1996-11-18 | 1999-06-15 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery system |
| US6277199B1 (en) * | 1999-01-19 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Chamber design for modular manufacturing and flexible onsite servicing |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5534158A (en) * | 1978-09-01 | 1980-03-10 | Sony Corp | Vacuum reaction apparatus |
| JPS5586112A (en) * | 1978-12-25 | 1980-06-28 | Toshiba Corp | Vapor phase growth method for 3-5 group compound semiconductor |
| JPS5745337A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-15 | Fujitsu Ltd | Vapor phase growth method |
| JPS59126626A (ja) * | 1983-01-07 | 1984-07-21 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55145045U (ja) * | 1979-04-04 | 1980-10-17 |
-
1984
- 1984-10-17 JP JP59218095A patent/JPH0722124B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5534158A (en) * | 1978-09-01 | 1980-03-10 | Sony Corp | Vacuum reaction apparatus |
| JPS5586112A (en) * | 1978-12-25 | 1980-06-28 | Toshiba Corp | Vapor phase growth method for 3-5 group compound semiconductor |
| JPS5745337A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-15 | Fujitsu Ltd | Vapor phase growth method |
| JPS59126626A (ja) * | 1983-01-07 | 1984-07-21 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6196727A (ja) | 1986-05-15 |
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