JPS59126626A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPS59126626A JPS59126626A JP91483A JP91483A JPS59126626A JP S59126626 A JPS59126626 A JP S59126626A JP 91483 A JP91483 A JP 91483A JP 91483 A JP91483 A JP 91483A JP S59126626 A JPS59126626 A JP S59126626A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- duct
- susceptor
- bell jar
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の製造装置に関するものである。
一般に、半導体装置の生産プロセスに用いられる気相成
長装置の排ガスシステムには、閉管式と開管式との２つ
の方法があり、複数台の気相成長装置の排気系を上記閉
管又は開管式のいずれかの主ダクトに接続する方法が普
通である。
長装置の排ガスシステムには、閉管式と開管式との２つ
の方法があり、複数台の気相成長装置の排気系を上記閉
管又は開管式のいずれかの主ダクトに接続する方法が普
通である。
このような場合、主ダクトに流れる排ガスの量は、複数
台の気相成長装置の運転′；停止のタイミングによって
変動し、それと同時に主ダクトの静圧も変動してしまう
。このため、運転中に個々の気相成長装置の炉内圧に変
動をきだし、特に閉管式の場合、その圧力変動が顕著に
現われる。気相成長において、反応炉内圧の変動は成長
層のバラツキ（膜厚、抵抗率等）の原因となる。これは
成長炉内のフローパターンの変動が一因である。気相成
長における成長膜のロット内、ロット間のバ ′ラッ
キの管理は重要な課題であり、従来より個々の装置での
バラツキをなくすことが望まれている。
台の気相成長装置の運転′；停止のタイミングによって
変動し、それと同時に主ダクトの静圧も変動してしまう
。このため、運転中に個々の気相成長装置の炉内圧に変
動をきだし、特に閉管式の場合、その圧力変動が顕著に
現われる。気相成長において、反応炉内圧の変動は成長
層のバラツキ（膜厚、抵抗率等）の原因となる。これは
成長炉内のフローパターンの変動が一因である。気相成
長における成長膜のロット内、ロット間のバ ′ラッ
キの管理は重要な課題であり、従来より個々の装置での
バラツキをなくすことが望まれている。
本発明は前記問題点を解消するもので、気相成長用反応
炉内及び排気系ラインの圧力を検知し、主ダクトの圧力
が変動しても、その炉内圧力を一定にすべく、排気系ラ
インの圧力を自動的に変化させる機構を設置したことを
特徴、とするものである。
炉内及び排気系ラインの圧力を検知し、主ダクトの圧力
が変動しても、その炉内圧力を一定にすべく、排気系ラ
インの圧力を自動的に変化させる機構を設置したことを
特徴、とするものである。
次に本発明の実施例を図面により説明する。
図はペルジャ一式の気相成長装置の代表例を示す。図に
おいて、ペルジャー炉１内のサセプター２上には半導体
基板３が載置され、サセプター２の下方にはコイル５が
設置されている。高周波電源６によってコイル５に電流
を流すと、その誘導電流によシサセプタ−２が加熱され
、その上に置いである半導体基板３が加熱される。一方
、配管Ａを通して膜形成物質を含有するガス（例えば水
素１５０１／＋ 、モノシラン２００ ｃ７％ 、ホス
フィン１（１）ｃ７．ｆｉ ）を供給してノズル４よジ
ベルジャー炉１内に吹き出すと、そのガスにより加熱さ
れた半導体基板３上で化学反応が起こり、半導体基板３
上に膜が形成される。同時にこのガスはペルジャー炉１
の中に充満し、排気ダクト９を通って、主ダクト１０に
排気される。この場合、主ダクトの静圧は他の装置から
の影響を受けるので、変動することがあり、その圧力変
動によってペルジャー炉１内の静圧が変動する。そこで
、本発明は、ペルジャー炉１内の圧力を検知する圧力計
７を設置し、かつ該圧力計７の出力で制御されるダンパ
ー８を排気ダクト９に設置したもので、圧力計７でペル
ジャー炉１内の圧力変動を監視してその出力でダンパー
８を制御し、排気ダクト９の開口度をコントロールして
、ペルジャー炉１の内圧を一定に維持するようにしたも
のである。
おいて、ペルジャー炉１内のサセプター２上には半導体
基板３が載置され、サセプター２の下方にはコイル５が
設置されている。高周波電源６によってコイル５に電流
を流すと、その誘導電流によシサセプタ−２が加熱され
、その上に置いである半導体基板３が加熱される。一方
、配管Ａを通して膜形成物質を含有するガス（例えば水
素１５０１／＋ 、モノシラン２００ ｃ７％ 、ホス
フィン１（１）ｃ７．ｆｉ ）を供給してノズル４よジ
ベルジャー炉１内に吹き出すと、そのガスにより加熱さ
れた半導体基板３上で化学反応が起こり、半導体基板３
上に膜が形成される。同時にこのガスはペルジャー炉１
の中に充満し、排気ダクト９を通って、主ダクト１０に
排気される。この場合、主ダクトの静圧は他の装置から
の影響を受けるので、変動することがあり、その圧力変
動によってペルジャー炉１内の静圧が変動する。そこで
、本発明は、ペルジャー炉１内の圧力を検知する圧力計
７を設置し、かつ該圧力計７の出力で制御されるダンパ
ー８を排気ダクト９に設置したもので、圧力計７でペル
ジャー炉１内の圧力変動を監視してその出力でダンパー
８を制御し、排気ダクト９の開口度をコントロールして
、ペルジャー炉１の内圧を一定に維持するようにしたも
のである。
したがって、本発明による方式によれば、成長膜の膜厚
、抵抗率のロット内バラツキを±４％、ロット間バラツ
キは±５％に抑えることができる。
、抵抗率のロット内バラツキを±４％、ロット間バラツ
キは±５％に抑えることができる。
尚、従来方法の静圧変動が±５０ｍｍＨａＯ範囲で成長
させたものは、ロット内バラツキが±６チ、ロット間バ
ラツキは±８係である。
させたものは、ロット内バラツキが±６チ、ロット間バ
ラツキは±８係である。
以上のように、本発明は反応炉内の圧力を圧力調節機構
により自動的に一定に保つようにしたので、バラツキの
少ない膜を得ることができる効果を有するものである。
により自動的に一定に保つようにしたので、バラツキの
少ない膜を得ることができる効果を有するものである。
図はペルジャ一式の気相成長装置の概略図である。
１・・・ペルジャー炉、２・・・サセプター、３・・・
半導体基板、４・・・ノズル、５・・・高周波コイル、
６・・・高周波電源、７・・・圧力計、８・・・ダンパ
ー、９・・・排気ダクト、１０・・・主ダクト 特許出願人 日本電気株式会社
半導体基板、４・・・ノズル、５・・・高周波コイル、
６・・・高周波電源、７・・・圧力計、８・・・ダンパ
ー、９・・・排気ダクト、１０・・・主ダクト 特許出願人 日本電気株式会社
Claims (1)
- （１）排気系に閉管式を採用した気相成長装置において
、排気系の静圧が変動するのに伴なう圧力変動を検知し
て反応炉内の圧力を一定に調節する圧力調節機構を設置
したことを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP91483A JPS59126626A (ja) | 1983-01-07 | 1983-01-07 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP91483A JPS59126626A (ja) | 1983-01-07 | 1983-01-07 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59126626A true JPS59126626A (ja) | 1984-07-21 |
Family
ID=11486945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP91483A Pending JPS59126626A (ja) | 1983-01-07 | 1983-01-07 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59126626A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6196727A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Ｃｖｄ炉用排ガス装置 |
-
1983
- 1983-01-07 JP JP91483A patent/JPS59126626A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6196727A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Ｃｖｄ炉用排ガス装置 |
| JPH0722124B2 (ja) * | 1984-10-17 | 1995-03-08 | 東芝セラミツクス株式会社 | Ｃｖｄ炉用排ガス装置 |
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