JP2584633B2 - 超電導薄膜作成装置 - Google Patents
超電導薄膜作成装置Info
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- JP2584633B2 JP2584633B2 JP62181887A JP18188787A JP2584633B2 JP 2584633 B2 JP2584633 B2 JP 2584633B2 JP 62181887 A JP62181887 A JP 62181887A JP 18188787 A JP18188787 A JP 18188787A JP 2584633 B2 JP2584633 B2 JP 2584633B2
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- pressure
- vacuum chamber
- superconducting thin
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、真空槽内の圧力を制御して所望の組成比の
超電導薄膜を作成することのできる超電導薄膜作成装置
に関する。
超電導薄膜を作成することのできる超電導薄膜作成装置
に関する。
（発明が解決しようとする問題点） 超電導薄膜を真空蒸着法によって作成する場合、例え
ばBa、Ｙ、La、Cuなどのような、酸素などの反応性ガス
と反応しやすい物質であって、これらを３元ないし４元
あるいはそれ以上、10-4Torr〜10-6Torrの酸素雰囲気中
において同時に電子銃や抵抗加熱などで蒸発させ、これ
を基板上で酸素と化合させて合金の酸化物とする。上記
合金の組成比は、この組成比如何によって超電導現象の
起こる臨界温度が変わってくるなど非常に重要であるた
め、各々の物質の蒸発速度を所定の値に制御しながら蒸
発させる必要がある。
ばBa、Ｙ、La、Cuなどのような、酸素などの反応性ガス
と反応しやすい物質であって、これらを３元ないし４元
あるいはそれ以上、10-4Torr〜10-6Torrの酸素雰囲気中
において同時に電子銃や抵抗加熱などで蒸発させ、これ
を基板上で酸素と化合させて合金の酸化物とする。上記
合金の組成比は、この組成比如何によって超電導現象の
起こる臨界温度が変わってくるなど非常に重要であるた
め、各々の物質の蒸発速度を所定の値に制御しながら蒸
発させる必要がある。
これについては、超電導薄膜を真空蒸着によって形成
する例を示した第３図に基づいて説明する。
する例を示した第３図に基づいて説明する。
すなわち、真空槽11内に設置した基板12の近傍に蒸発
速度センサー５を設け、当該蒸発速度センサー５によっ
て、蒸発源10から蒸発して基板12方向に飛来する超電導
物質材料の蒸発速度が感知され、上記蒸発速度センサー
５に接続された蒸発速度調整器６に伝達される。そし
て、この蒸発速度調整器６においては、予め蒸発させる
原材料物質の蒸発速度を測定して所定の値に設定された
蒸発速度をインプットしている。そして、実際に測定さ
れた実測値と予め設定した設定蒸発速度とを比較して、
両者の間にズレがあれば、これを蒸発源10に接続した蒸
発源電力供給源７に信号を送り、フィードバックをかけ
ることによって蒸発速度を制御するようにする。
速度センサー５を設け、当該蒸発速度センサー５によっ
て、蒸発源10から蒸発して基板12方向に飛来する超電導
物質材料の蒸発速度が感知され、上記蒸発速度センサー
５に接続された蒸発速度調整器６に伝達される。そし
て、この蒸発速度調整器６においては、予め蒸発させる
原材料物質の蒸発速度を測定して所定の値に設定された
蒸発速度をインプットしている。そして、実際に測定さ
れた実測値と予め設定した設定蒸発速度とを比較して、
両者の間にズレがあれば、これを蒸発源10に接続した蒸
発源電力供給源７に信号を送り、フィードバックをかけ
ることによって蒸発速度を制御するようにする。
一方、上記物質と反応する酸素などの反応性ガスは、
通常、酸化物生成に充分な量を供給する必要があり、通
常、真空ポンプ９の排気速度に対し、真空槽内の圧力が
10-4Torr〜10-6Torrの値になるように可変流量リークバ
ルブあるいは流量調整器４などのガス導入手段を介して
真空槽11内に導入するようにする。
通常、酸化物生成に充分な量を供給する必要があり、通
常、真空ポンプ９の排気速度に対し、真空槽内の圧力が
10-4Torr〜10-6Torrの値になるように可変流量リークバ
ルブあるいは流量調整器４などのガス導入手段を介して
真空槽11内に導入するようにする。
そして、このように酸素を真空槽11内へ流入させる際
には、可変流量リークバルブの開度を一定にするか、又
は、流量調整器の流量の設定を一定にして導入する反応
性ガスの流量が一定になるように制御する。
には、可変流量リークバルブの開度を一定にするか、又
は、流量調整器の流量の設定を一定にして導入する反応
性ガスの流量が一定になるように制御する。
なお、当該真空槽11には導入された酸素などの反応性
ガスの真空内における圧力を検出するために、真空測定
子１及び真空計２を取り付けている。
ガスの真空内における圧力を検出するために、真空測定
子１及び真空計２を取り付けている。
しかしながら、前述のような蒸発速度のみを感知して
制御する方法では、正確に蒸発速度を制御することは困
難であり所望の組成比の超電導薄膜を作成することがで
きない。
制御する方法では、正確に蒸発速度を制御することは困
難であり所望の組成比の超電導薄膜を作成することがで
きない。
即ち、一般に超電導材料、特にBa、Ｙ、LaCuなどはゲ
ッター作用が大きく、新たに蒸着されたこれら物質の薄
膜は、大量の酸素と結合して酸素を消費する傾向があ
る。従ってこれらの物質の蒸発速度が速くなればなるほ
ど酸素の消費速度も速くなる。このため、酸素の消費速
度が増加する一方で真空槽内への酸素の流入速度が一定
であるならば、真空槽内の酸素圧力は減少する。
ッター作用が大きく、新たに蒸着されたこれら物質の薄
膜は、大量の酸素と結合して酸素を消費する傾向があ
る。従ってこれらの物質の蒸発速度が速くなればなるほ
ど酸素の消費速度も速くなる。このため、酸素の消費速
度が増加する一方で真空槽内への酸素の流入速度が一定
であるならば、真空槽内の酸素圧力は減少する。
一方、蒸発速度も真空槽内の酸素圧力に依存し、当該
圧力が減少するほど蒸発速度は速くなる傾向にある。
圧力が減少するほど蒸発速度は速くなる傾向にある。
このように蒸発速度と酸素の消費速度と真空槽内の酸
素圧力との間には相関関係があるため、酸素の流入速度
を一定とした場合、例えば、ある時点で蒸発速度が微少
に増えたとしても、それによって酸素の消費速度が増加
し、これによって真空槽内の酸素圧力はさらに減少する
ことになる。このように真空槽内の酸素圧力が減少する
ならば、さらに蒸発速度は増大するというように微少な
蒸発速度の増加が増巾されていくことになる。
素圧力との間には相関関係があるため、酸素の流入速度
を一定とした場合、例えば、ある時点で蒸発速度が微少
に増えたとしても、それによって酸素の消費速度が増加
し、これによって真空槽内の酸素圧力はさらに減少する
ことになる。このように真空槽内の酸素圧力が減少する
ならば、さらに蒸発速度は増大するというように微少な
蒸発速度の増加が増巾されていくことになる。
また、逆に蒸発速度が微少に減少した場合には、酸素
の消費速度も減少し、これにより真空槽内の酸素圧力が
増加し、この結果蒸発速度は、さらに減少するというよ
うに微少な蒸発速度の減少が次第に増巾されていく。こ
のため、たとえ蒸発速度のフィードバックコントロール
を行っていても、通常上記のような微少な変動は避けら
れないため蒸発速度を正確に制御することが困難であ
る。
の消費速度も減少し、これにより真空槽内の酸素圧力が
増加し、この結果蒸発速度は、さらに減少するというよ
うに微少な蒸発速度の減少が次第に増巾されていく。こ
のため、たとえ蒸発速度のフィードバックコントロール
を行っていても、通常上記のような微少な変動は避けら
れないため蒸発速度を正確に制御することが困難であ
る。
（本発明の目的） 本発明は、上記の問題点を解決するためになされたも
のであり、その目的は、蒸発速度の微少な変動に伴って
変動する真空槽内の酸素圧力を一定に制御することによ
って超電導薄膜を構成する超電導材料物質の蒸発速度を
正確に制御し所望の組成比の超電導薄膜を作成できるよ
うにした超電導薄膜作成装置を提供することにある。
のであり、その目的は、蒸発速度の微少な変動に伴って
変動する真空槽内の酸素圧力を一定に制御することによ
って超電導薄膜を構成する超電導材料物質の蒸発速度を
正確に制御し所望の組成比の超電導薄膜を作成できるよ
うにした超電導薄膜作成装置を提供することにある。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、上記目的を達成するために次のように構成
されている。すなわち、ガス導入手段により真空層内に
反応性ガスを導入し、蒸発させたBa、Ｙ、La又はCuを含
む多元の超電導薄膜材料を当該反応性ガスに反応させて
基板上に超電導薄膜を作成する超電導薄膜作成装置であ
って、当該多元の超電導薄膜材料を上記反応性ガスとの
反応が行われる真空槽と同じ真空槽内で蒸発させる蒸発
源と、当該真空槽内を排気する排気系に設けた排気速度
調整器と、上記超電導薄膜の成膜中に当該真空槽内のガ
ス圧力をモニタする圧力検出手段と、当該圧力検出手段
からの成膜中の圧力信号を受けて真空槽内の圧力の実測
値と予め設定された真空槽内の圧力の設定値とを比較す
る圧力調整手段とを備え、当該圧力調整手段は、その圧
力調整手段からの比較信号が前記ガス導入手段もしくは
排気速度調整器又はその両方に送られ、真空槽内へのガ
ス流入量あるいは真空槽からのガス排気速度が調整され
ることにより、蒸発速度の微妙な変動に伴って生じ得る
真空槽内のガス圧力の変動を補償して前記多元の超電導
薄膜材料が所望の組成比で薄膜を形成するようにする制
御を上記超電導薄膜の成膜中に行うものであるという構
成にしている。
されている。すなわち、ガス導入手段により真空層内に
反応性ガスを導入し、蒸発させたBa、Ｙ、La又はCuを含
む多元の超電導薄膜材料を当該反応性ガスに反応させて
基板上に超電導薄膜を作成する超電導薄膜作成装置であ
って、当該多元の超電導薄膜材料を上記反応性ガスとの
反応が行われる真空槽と同じ真空槽内で蒸発させる蒸発
源と、当該真空槽内を排気する排気系に設けた排気速度
調整器と、上記超電導薄膜の成膜中に当該真空槽内のガ
ス圧力をモニタする圧力検出手段と、当該圧力検出手段
からの成膜中の圧力信号を受けて真空槽内の圧力の実測
値と予め設定された真空槽内の圧力の設定値とを比較す
る圧力調整手段とを備え、当該圧力調整手段は、その圧
力調整手段からの比較信号が前記ガス導入手段もしくは
排気速度調整器又はその両方に送られ、真空槽内へのガ
ス流入量あるいは真空槽からのガス排気速度が調整され
ることにより、蒸発速度の微妙な変動に伴って生じ得る
真空槽内のガス圧力の変動を補償して前記多元の超電導
薄膜材料が所望の組成比で薄膜を形成するようにする制
御を上記超電導薄膜の成膜中に行うものであるという構
成にしている。
（作用） 上記のように構成することによって、蒸発速度の微妙
な変動に伴って生じ得る真空槽内のガス圧力の変動を補
償する調整が行われるので、超電導材料物質の蒸発速度
の微少な変動に左右されず、所望の組成比の超電導薄膜
が作成される。
な変動に伴って生じ得る真空槽内のガス圧力の変動を補
償する調整が行われるので、超電導材料物質の蒸発速度
の微少な変動に左右されず、所望の組成比の超電導薄膜
が作成される。
（実施例） 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。な
お、前述した例と同一又は類似の構成部材については同
一符号をもって説明し、その詳細な説明は省略する。
お、前述した例と同一又は類似の構成部材については同
一符号をもって説明し、その詳細な説明は省略する。
第１図は、本発明の第１実施例を示したものである。
真空槽11内に設置した基板12の近傍に蒸発速度センサー
５が設けられている。蒸発源10は、Ba、Ｙ、La又はCuを
含む多元の超電導薄膜材料を蒸発させるよう構成されて
いる。蒸発源10から蒸発する例えば、Ba、Ｙ、La,Cuな
どのような酸素などの反応性ガスと反応しやすい超電導
材料物質の蒸発速度の制御を蒸発速度調整器６を介して
行うことに関しては前述した例と同様である。
真空槽11内に設置した基板12の近傍に蒸発速度センサー
５が設けられている。蒸発源10は、Ba、Ｙ、La又はCuを
含む多元の超電導薄膜材料を蒸発させるよう構成されて
いる。蒸発源10から蒸発する例えば、Ba、Ｙ、La,Cuな
どのような酸素などの反応性ガスと反応しやすい超電導
材料物質の蒸発速度の制御を蒸発速度調整器６を介して
行うことに関しては前述した例と同様である。
しかしながら本実施例においては、さらに真空槽11に
取り付けた圧力検出手段としての真空測定子及び真空計
２によって真空槽11内の圧力をモニタし、当該真空計２
に接続した圧力調整器３に圧力信号を送る。
取り付けた圧力検出手段としての真空測定子及び真空計
２によって真空槽11内の圧力をモニタし、当該真空計２
に接続した圧力調整器３に圧力信号を送る。
この圧力調整器３においては、予め超電導薄膜を作成
するのに最適な圧力、すなわち使用する物質やその組合
わせなどの諸条件に応じて決められるが、たとえば10-4
Torr〜10-6Torrに設定しておき、この設定値を当該圧力
調整器３にインプットしておく。そして、真空槽11内に
おいて超電導薄膜の作成が始まったとき、真空測定子１
及び真空計２を介して実際に測定された実測値と予め設
定した設定値とを比較する。この際、仮に実測値が設定
値よりも低ければ、当該圧力調整器３からガス導入手段
としての流量調整器に酸素等の反応性ガス流入量を増や
すよう信号を送り、反対に実測値が設定値よりも高けれ
ば、流入量を減らすよう信号を送るようにしている。こ
のように、常に真空槽11内の圧力の状態をモニタしなが
ら導入手段に対してフィードバックをかけるようにして
いる。このため酸素などの反応性ガスの流入量を調節し
て真空槽11内のガス圧力を常に最適な数値になるように
制御できる。
するのに最適な圧力、すなわち使用する物質やその組合
わせなどの諸条件に応じて決められるが、たとえば10-4
Torr〜10-6Torrに設定しておき、この設定値を当該圧力
調整器３にインプットしておく。そして、真空槽11内に
おいて超電導薄膜の作成が始まったとき、真空測定子１
及び真空計２を介して実際に測定された実測値と予め設
定した設定値とを比較する。この際、仮に実測値が設定
値よりも低ければ、当該圧力調整器３からガス導入手段
としての流量調整器に酸素等の反応性ガス流入量を増や
すよう信号を送り、反対に実測値が設定値よりも高けれ
ば、流入量を減らすよう信号を送るようにしている。こ
のように、常に真空槽11内の圧力の状態をモニタしなが
ら導入手段に対してフィードバックをかけるようにして
いる。このため酸素などの反応性ガスの流入量を調節し
て真空槽11内のガス圧力を常に最適な数値になるように
制御できる。
また、第２図は、本発明の第２実施例を示したもので
ある。本実施例において、超電導材料物質の蒸発速度を
制御する点については第１実施例と同じであるが、ガス
導入手段としての流量調整器４からのガス流入量は一定
にしておき、圧力調整器３は真空槽11と真空ポンプ９と
の間に設けた排気速度可変器８に接続している。そし
て、圧力調整器３からの制御信号は、当該排気速度可変
器８に送られ、真空槽11内の圧力の実測値が設定値より
も高くなったときは、真空ポンプ９の排気速度を増大さ
せるように調整する。反対に実測値よりも測定値の方が
低くなったときは排気速度を低下させることによって真
空ポンプ９の排気速度を調整し、これによって真空槽11
内の圧力を調整できるようにしている。
ある。本実施例において、超電導材料物質の蒸発速度を
制御する点については第１実施例と同じであるが、ガス
導入手段としての流量調整器４からのガス流入量は一定
にしておき、圧力調整器３は真空槽11と真空ポンプ９と
の間に設けた排気速度可変器８に接続している。そし
て、圧力調整器３からの制御信号は、当該排気速度可変
器８に送られ、真空槽11内の圧力の実測値が設定値より
も高くなったときは、真空ポンプ９の排気速度を増大さ
せるように調整する。反対に実測値よりも測定値の方が
低くなったときは排気速度を低下させることによって真
空ポンプ９の排気速度を調整し、これによって真空槽11
内の圧力を調整できるようにしている。
なお、上記圧力調整器３からの比較信号をガス導入手
段としての流量調整器４及び排気速度可変手段８の両方
に送るようにすれば、真空槽11内の圧力制御をより効果
的に行うことができる。
段としての流量調整器４及び排気速度可変手段８の両方
に送るようにすれば、真空槽11内の圧力制御をより効果
的に行うことができる。
（発明の効果） 本発明の超電導薄膜作成装置によれば、超電導材料物
質の蒸発速度の微少な変動に左右されずに所望の組成比
の超電導薄膜の作成を行うことができる。
質の蒸発速度の微少な変動に左右されずに所望の組成比
の超電導薄膜の作成を行うことができる。
第１図は本発明の第１実施例を示した装置の概略図、第
２図は本発明の第２実施例を示した装置の概略図、第３
図は超電導薄膜を真空蒸着によって形成する例を示した
装置の概略図である。 １……真空測定子、２……真空計、３……圧力調整器、
４……流量調整器、８……排気速度可変器、９……真空
ポンプ、11……真空槽。
２図は本発明の第２実施例を示した装置の概略図、第３
図は超電導薄膜を真空蒸着によって形成する例を示した
装置の概略図である。 １……真空測定子、２……真空計、３……圧力調整器、
４……流量調整器、８……排気速度可変器、９……真空
ポンプ、11……真空槽。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 39/12 ＺＡＡ Ｈ０１Ｌ 39/12 ＺＡＡＣ
Claims (1)
- 【請求項１】ガス導入手段により真空層内に反応性ガス
を導入し、蒸発させたBa、Ｙ、La又はCuを含む多元の超
電導薄膜材料を当該反応性ガスに反応させて基板上に超
電導薄膜を作成する超電導薄膜作成装置であって、当該
多元の超電導薄膜材料を上記反応性ガスとの反応が行わ
れる真空槽と同じ真空槽内で蒸発させる蒸発源と、当該
真空槽内を排気する排気系に設けた排気速度調整器と、
上記超電導薄膜の成膜中に当該真空槽内のガス圧力をモ
ニタする圧力検出手段と、当該圧力検出手段からの成膜
中の圧力信号を受けて真空槽内の圧力の実測値と予め設
定された真空槽内の圧力の設定値とを比較する圧力調整
手段とを備え、当該圧力調整手段は、その圧力調整手段
からの比較信号が前記ガス導入手段もしくは排気速度調
整器又はその両方に送られ、真空槽内へのガス流入量あ
るいは真空槽からのガス排気速度が調整されることによ
り、蒸発速度の微妙な変動に伴って生じ得る真空槽内の
ガス圧力の変動を補償して前記多元の超電導薄膜材料が
所望の組成比で薄膜を形成するようにする制御を上記超
電導薄膜の成膜中に行うものであることを特徴とする超
電導薄膜作成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62181887A JP2584633B2 (ja) | 1987-07-20 | 1987-07-20 | 超電導薄膜作成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62181887A JP2584633B2 (ja) | 1987-07-20 | 1987-07-20 | 超電導薄膜作成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6424320A JPS6424320A (en) | 1989-01-26 |
| JP2584633B2 true JP2584633B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=16108614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62181887A Expired - Lifetime JP2584633B2 (ja) | 1987-07-20 | 1987-07-20 | 超電導薄膜作成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2584633B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8657584B2 (en) * | 2010-02-16 | 2014-02-25 | Edwards Limited | Apparatus and method for tuning pump speed |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5358487A (en) * | 1976-11-08 | 1978-05-26 | Hitachi Ltd | Decompressive gas phase reaction apparatus |
| DE3175862D1 (en) * | 1980-05-20 | 1987-02-26 | Schumacher Co J C | Chemical vapor delivery system and method for controlling the flow of vapor in a chemical vapor delivery system |
-
1987
- 1987-07-20 JP JP62181887A patent/JP2584633B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6424320A (en) | 1989-01-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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