JPH07213862A - 塩素含有ガスの処理方法 - Google Patents
塩素含有ガスの処理方法Info
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- JPH07213862A JPH07213862A JP6037814A JP3781494A JPH07213862A JP H07213862 A JPH07213862 A JP H07213862A JP 6037814 A JP6037814 A JP 6037814A JP 3781494 A JP3781494 A JP 3781494A JP H07213862 A JPH07213862 A JP H07213862A
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Abstract
カリ金属イオンを含む化合物を用いることなく、コンパ
クトな装置により、塩素含有ガスから塩素を効率よく除
去し、無害化する方法を提供する。 【構成】 塩素含有ガスをガス処理槽に導き、含有する
塩素を除去する方法において、上記ガス処理槽に回転式
微細気泡発生装置を備え、水に難溶性の固形アルカリ化
合物を含有する吸収液と接触させることよりなる塩素含
有ガスの処理方法、及び、上記の処理方法により処理し
たガスを第2ガス処理槽に導き、アルカリ処理すること
よりなる塩素含有ガス処理方法。
Description
に関する。さらに詳しくは、半導体製造時のエッチング
工程等において、発生する排ガスに含まれる塩素を処理
する方法に関する。
有機塩素製品の製造原料等として広く用いられている有
用物質であるが、常温では気体で存在し、しかも毒性が
強いので、恕限度(有害限度)は1ppmと低く、取扱
いが難しい物質である。上記エッチング工程において発
生する排ガスの中には塩素が残存しており、そのまま大
気中に放出すると大気汚染防止や労働安全衛生の観点等
から問題となる。したがって、塩素を充分に除去してお
く必要がある。
して乾式法と湿式法の2つの方法がある。例えば、乾式
法では吸着剤で吸着処理させる方法等、湿式法ではラシ
ヒリング等の充填物を充填した洗浄塔で吸収液として水
又は強アルカリ性の水溶液を用いて気液接触させて処理
する方法等がそれぞれ知られている。
の欠点があった。例えば、乾式法では、吸着時の吸着熱
による発熱のため、火災が発生するおそれがあり、また
吸着剤が短時間でその能力を失うため、吸着剤の入れ替
え作業やそれに付随して起こる吸着剤の廃棄作業等の二
次的な付帯作業の煩雑さが問題であった。しかも、上記
吸着剤を再生させる場合には、脱気された塩素の処理が
新たな問題となっていた。
水を用いる場合に、吸収効率が充分ではなく大量の水を
必要とするため装置が大型化する、ガス中の塩素濃度の
変動に伴って処理後の排ガス中の塩素濃度が不安定にな
る等の問題があった。これを克服するため、吸収液とし
て強アルカリ性を示すアルカリ金属化合物の水溶液を用
いる方法もあるが、半導体製造時には、ナトリウムイオ
ンやカリウムイオン等のアルカリ金属イオンが極微量存
在していても製品の品質を低下させるおそれがあり、た
とえガス処理工程においてもアルカリ金属イオンを含有
する物質を使用するわけにはいかなかった。
に鑑み、ナトリウムイオンやカリウムイオン等のアルカ
リ金属イオンを含む化合物を用いることなく、コンパク
トな装置により、塩素含有ガスから塩素を効率よく除去
し、無害化する方法を提供することを目的とするもので
ある。
時のガスの気泡を充分小さくすることができる回転式微
細気泡発生装置を使用し、更に水に難溶性のアルカリ化
合物を含有する吸収液を用いれば、上記吸収液に固形の
アルカリ化合物が懸濁状態で存在していても、半導体製
造時のエッチング工程で発生する塩素含有ガスから効率
よく塩素を吸収、除去できることを見い出し、本発明に
到達した。
効率の高い回転式微細気泡発生装置を備えるガス処理槽
に導き、カルシウム化合物やマグネシウム化合物等の水
に難溶性の固形アルカリ化合物を含有する吸収液と接触
させることによって塩素を処理するところにある。この
場合、塩素含有ガスの接触は吸収液との気液接触、及び
固形アルカリ化合物との気固接触により行われる。以
下、本発明の方法について詳細に説明する。
置としては、例えば、特公昭36−24051号公報、
特公昭40−15090号公報、特公昭43−1312
1号公報等に開示されているものを用いることができ
る。上記回転式微細気泡発生装置は、液中でカップ状の
回転子を2000〜4000rpmもの高速で回転さ
せ、回転子の内側又は外側近傍にガスを連続的に送入
し、回転子の下端又は上端からガスを分散させる構造に
なっている。ここにガスを導くと、液体との比重差に基
づく遠心効果によって回転子表面にガス層が形成され
る。このガス層と回転子のまわりの液との間には相対速
度差があるため、この間の摩擦によってガス層が引きち
ぎられ、微細な気泡となって液中に分散させることがで
きる。
アトマイザーとも称され、回転子に多数の孔を穿ったも
の、回転子の上方に旋回防止用ガイド板を設けたもの、
回転子が有底の柱とう体であるもの、回転子の外面に突
起を設け又は網を巻付けたもの、回転子の下端に緩衝手
段を設け、気体の排出を均一ならしめたもの、回転子自
体が50μm以下の多孔壁よりなるもの等の種々の改良
が加えられたものが知られている。
ては、例えば、水酸化カルシウム、炭酸カルシウム等の
カルシウム化合物;炭酸マグネシウム、水酸化マグネシ
ウム、炭酸マグネシウムカルシウム等のマグネシウム化
合物等が挙げられる。粒径が大きすぎると取扱いが困難
になるため、0.01〜50mmのものが用いられ、
0.01〜15mmのものがより好ましい。
に溶解させて吸収液として用いる場合、水に対する溶解
度が低いため大量の水を必要とする。しかし、回転式微
細気泡発生装置を用いれば、吸収液中の固体状のアルカ
リ化合物が回転子とガス導入管の隙間を閉塞してガスの
排出を阻害することはない。したがって固体状のアルカ
リ化合物が含有されたままの形で吸収液として使用可能
となり、水溶液として使用する場合に比して少量の吸収
液量で塩素を吸収することが可能となる。水に難溶性の
アルカリ化合物の含有量は、吸収液に対して通常1〜1
0重量%である。
た回転子が高速回転することにより攪拌水流を発生し、
固体状のアルカリ化合物が液中に溶出し易くなる。この
ため吸収液のpHの安定した管理が可能となる。本発明
においては、上記吸収液のpHを7〜14、好ましくは
7〜10の範囲に保持して接触させる。
に限定されないが、通常1ppm〜5体積%の範囲で処
理することができるので、半導体製造時のエッチング工
程から排出される塩素濃度であれば、問題なく適用でき
る。
気泡発生装置に導くときの流量は、処理するガス中の塩
素濃度、吸収液量、吸収液中の水に難溶性の固形アルカ
リ化合物の種類及びその量等だけでなく、使用する回転
式微細気泡発生装置の回転子の大きさ、回転数、周速度
等により適宜選択できる。例えば、回転子の回転数は5
00〜6000rpm、回転子の周速度は4〜30m/
secとするのが適当であり、回転子付近での気泡の大
きさが10mm以下、好ましくは5mm以下となるよう
に設定した場合に好結果が得られることから、上記ガス
流量としては、10〜1000NL/minが適当であ
る。また、回転式微細気泡発生装置から発生する気泡と
吸収液とを接触させる際の処理温度としては、5〜70
℃が好適である。
あるが、塩素の除去をより完全にするためには、上記ガ
ス処理槽から排出されるガスを第2ガス処理槽に導き、
さらにガス中の塩素をアルカリ化合物と接触させること
により塩素を処理することができる。
リ化合物と接触させる方法としては、例えば、棚段式の
ガス処理槽によりガスを水に難溶性のアルカリ化合物の
水溶液又は懸濁液と気液接触させて処理する方法、ガス
を水に難溶性の固形アルカリ化合物を充填した層に導
き、気固接触させて処理する方法等がある。後者は装置
が簡単であり処理槽をコンパクトにすることができるた
め好適に用いられる。
に難溶性の固形アルカリ化合物としては、上記ガス処理
槽で用いた水に難溶性の固形アルカリ化合物と同様のも
のを挙げることができる。これらの水溶液又は懸濁液が
吸収液として用いられる。充填物として用いる場合に
は、使用するに伴いその粒径が小さくなり、第2ガス処
理槽内のガス通路を閉塞し、ガス流通を阻害するおそれ
がある。したがって上記水に難溶性のアルカリ化合物の
中から、粒径が1〜50mmのものが用いられ、3〜2
0mmのものが好ましい。ガス通路の閉塞を防止するた
め水に難溶性のアルカリ化合物に磁製ラシヒリング等の
アルカリに耐食性を有する水に不溶性の物質を混合充填
して用いることもできる。
照)。ガス導入管2より導入された塩素含有ガスは、駆
動用モーター4により回転する回転子3とガス導入管2
との隙間より微細気泡となってガス処理槽1の吸収液8
中に排出される。ガス導入管2は高速で回転する回転子
3に通じている。回転子3の外面には突起(インペラ
ー)5が取り付けられており、攪拌効果を高めている。
に難溶性のアルカリ化合物7が含有されており、回転子
3により微細化された塩素含有ガス気泡との間で接触即
ち、気液接触及び気固接触が行われる。吸収液8の補給
は吸水ポンプ9により行われ、塩素含有ガス気泡と接触
後の排水は排水口10よりオーバーフロー方式にて排出
される。吸収液8の補給は吸収液のpHを7〜14に保
持するために水又は水に難溶性のアルカリ化合物の水溶
液により行われ、ガス処理槽内吸収液のpHを監視しな
がら、断続的にバッチで行っても、連続的に行ってもよ
い。
素を吸収されるが、さらに残留塩素の除去をより完全に
するには、ガス処理槽1からのガスをガス通路12を通
して第2ガス処理槽11へ導入する。ガス処理槽1で吸
収されなかった塩素は、第2ガス処理槽11で充填物で
ある水に難溶性の固形アルカリ化合物14と気固接触
し、吸収、除去される。このときシャワースプレー13
から水を放水し、水に難溶性の固形アルカリ化合物14
の表面を常に湿らせた状態にしておくと効率よく塩素が
吸収されるので好ましい。気液接触による方法では、第
2ガス処理槽11を棚段方式として、シャワースプレー
13から水に難溶性のアルカリ化合物の水溶液又は懸濁
液を放出させる。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
処理槽に、回転式微細気泡発生装置として、回転子の大
きさが100mmφ×150mm(高さ)の柱とう体で
ある回転式微細気泡発生装置を設置し、塩素含有ガスの
処理を行った。上記回転式微細気泡発生装置を用いて、
0.4体積%の塩素を含有する窒素ガスを30NL/m
inの流量で回転式微細気泡発生装置のガス導入口に導
入した。吸収液は20L/minの流量で水をガス処理
槽下部より導入して接触させた後オーバーフローさせて
排出した。吸収液には粒径3〜5mmの炭酸カルシウム
1000gを含有させた。回転式微細気泡発生装置の回
転数は2500rpmとした。ガス処理槽より排出され
る吸収液のpHは7〜9であり、吸収液温度は20〜2
5℃であった。ガス処理槽より排出される処理後のガス
を検知管で分析したところ塩素濃度は0.1ppm以下
であった。
酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、炭酸マグネシウ
ムカルシウムを用いた以外は実施例1と同様にして0.
1体積%の塩素を含有する窒素ガスの処理を行った。結
果を表1に示した。
を行った。2.0体積%の塩素を含有する窒素ガスを5
0NL/minの流量で回転式微細気泡発生装置のガス
導入口に導入した。吸収液は10L/minの流量で
0.06重量%水酸化カルシウム水溶液をガス処理槽下
部より導入して接触させた後オーバーフローさせて排出
した。吸収液には粒径0.03〜0.07mmの水酸化
カルシウム3000gを含有させた。回転式微細気泡発
生装置の回転数は4000rpmとした。ガス処理槽よ
り排出される吸収液のpHは7〜9であり、吸収液温度
は20〜25℃であった。ガス処理槽より排出される処
理後のガスをオルトトリジン法で分析したところ塩素濃
度は0.1ppm以下であった。
ス処理槽が8Lの容積であるガス処理装置を用いて塩素
含有ガスの処理を行った。0.8体積%の塩素を含有す
る窒素ガスを30NL/minの流量でガス処理槽の回
転式微細気泡発生装置のガス導入口に導入した。吸収液
は15L/minの流量で水をガス処理槽下部より導入
して接触させた後オーバーフローさせて排出した。吸収
液には粒径5〜10mmの炭酸カルシウム1000gを
含有させた。回転式微細気泡発生装置の回転数は、25
00rpmとした。ガス処理槽より排出される吸収液の
pHは7〜9であり、吸収液温度は20〜25℃であっ
た。ガス処理槽より排出される処理後のガスを第2ガス
処理槽に導入し、シャワースプレーからは1L/min
の流量で0.03重量%水酸化カルシウム水溶液を放出
させた。第2ガス処理槽から排出されるガスをオルトト
リジン法で分析したところ塩素濃度は0.1ppmであ
った。
理を行った。但し、第2ガス処理槽には4×4mmの磁
製ラシヒリングと炭酸カルシウムを充填して塩素含有ガ
スの処理を行った。0.8体積%の塩素を含有する窒素
ガスを30NL/minの流量でガス処理槽の回転式微
細気泡発生装置のガス導入口に導入した。吸収液は15
L/minの流量で水をガス処理槽下部より導入して接
触させた後オーバーフローさせて排出した。吸収液には
粒径5〜10mmの炭酸カルシウム1000gを含有さ
せた。回転式微細気泡発生装置の回転数は2500rp
mとした。ガス処理槽より排出される吸収液のpHは7
〜9であり、吸収液温度は20〜25℃であった。
粒径3〜5mmの炭酸カルシウム2000gと4×4m
mの磁製ラシヒリング1000gとを充填した第2ガス
処理槽に導入し、シャワースプレーからは1L/min
の流量で水を放出させた。第2ガス処理槽から排出され
るガスをオルトトリジン法で分析したところ塩素濃度は
0.1ppmであった。
いる炭酸カルシウムに代えて、水酸化マグネシウム、炭
酸マグネシウム、炭酸マグネシウムカルシウムを用いた
以外は実施例7と同様にして0.2体積%の塩素を含有
する窒素ガスの処理を行った。結果を表2に示した。
ーによる放水をしない以外は実施例7と同様にして0.
4体積%の塩素を含有する窒素ガスを処理した。第2ガ
ス処理槽から排出されるガスをオルトトリジン法で分析
したところ塩素濃度は0.1ppm以下であった。
いて、コンパクトな装置により、塩素含有ガスから塩素
を効率よく除去する方法を提供するものである。またガ
ス処理槽での処理の後さらに第2ガス処理槽で処理を行
えば、高濃度の塩素を含有する場合においても残留塩素
の濃度を0.1ppm以下にまで低減させることができ
る。
である。
Claims (5)
- 【請求項1】 塩素含有ガスをガス処理槽に導き、含有
する塩素を除去する方法において、前記ガス処理槽に回
転式微細気泡発生装置を備え、水に難溶性の固形アルカ
リ化合物を含有する吸収液と接触させることを特徴とす
る塩素含有ガスの処理方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の処理方法により処理した
ガスを第2ガス処理槽に導き、ガス中に残存する塩素を
さらにアルカリ処理することを特徴とする塩素含有ガス
の処理方法。 - 【請求項3】 アルカリ処理が、ガスを水に難溶性の固
形アルカリ化合物と気固接触させる処理である請求項2
記載の塩素含有ガスの処理方法。 - 【請求項4】 アルカリ処理が、ガスを水に難溶性の固
形アルカリ化合物の水溶液又は懸濁液と気液接触させる
処理である請求項2記載の塩素含有ガスの処理方法。 - 【請求項5】 水に難溶性の固形アルカリ化合物が、炭
酸カルシウム、水酸化カルシウム、炭酸マグネシウム、
水酸化マグネシウム又は炭酸マグネシウムカルシウムで
ある請求項1、2、3又は4記載の塩素含有ガスの処理
方法。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP03781494A JP3563758B2 (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | 塩素含有ガスの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP (1) | JP3563758B2 (ja) |
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-
1994
- 1994-02-09 JP JP03781494A patent/JP3563758B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US11266950B2 (en) | 2018-06-28 | 2022-03-08 | Chemtreat, Inc. | Methods and compositions for scrubbing chlorine-containing gases |
EP3813983A4 (en) * | 2018-06-28 | 2022-03-23 | Chemtreat, Inc. | PROCESSES AND COMPOSITIONS FOR SCRUBBING CHLORINE-CONTAINING GASES |
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