JP2009072672A - 有害ガスの除害装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】効率良く除害を行えるようにするとともに、水の無駄使いを防止する。
【解決手段】本体1の底部に、水を収容する液体室3を設け、該液体室3の上方に、ガス室10を介してシャワー室12を設けた有害ガスの除害装置において、前記液体室3内の水は、亜硫酸塩7を含有する還元水wであり、前記ガス室10には、遊離残留塩素ガスを含む排ガスGが導入され、前記液体室3内の還元水wは、循環路22を介して前記シャワー室12のシャワー12aに供給される。
【選択図】図1

Description

この発明は、半導体製造装置や液晶製造装置等から排出される、遊離残留塩素などの酸化性ガスを含有する排ガスを除害するための、有害ガスの除害装置 に関するものである。
半導体製造ラインや液晶製造ラインから排出されるガスには、SiO2 やWO3 等の微細な粉体と同時に遊離残留塩素などの有害なガスが含まれている。そのため、従来、このガスを次のような方式により除害している(例えば、特許文献1、参照)。
水に難溶性の亜流酸塩を充填した充填室と、該充填室の下方に設けられたガス室と、該充填室の上方に設けられたシャワー室と、を備え、酸化性ガスを含む排ガスを、水を前記シャワー室のシャワーから連続的に導入し、上記亜硫酸塩を硫酸塩に変化させて、上記酸化性ガスを還元すると共に、上記硫酸塩を上記シャワーからの水により洗浄、除去して上記亜硫酸塩において新たな濡れ表面を露出させる、酸化性ガス含有排ガスの処理方法。
特許第3699844号公報
従来例には、次の様な問題がある。
(1)硫酸塩をシャワー水で洗浄除去し、亜硫酸塩において新たな濡れ表面を露出させるので、例えば、粒径4mmであった亜硫酸塩の粒子は次第に小さくなり、ガスの透過率が低下すると共に、小さくなった粒子が亜硫酸塩を保持している支持板(パンチングプレート)の隙間から落下する恐れがある。又、更に粒径が小さくなると、隣り合う亜硫酸塩は、互いに密着して固まり、ガスが通り抜けることが出来なくなってしまうので、遊離残留塩素の還元を効果的に行えなくなる。
(2)シャワーから噴出された水は、ガスと接触後、硫酸塩とともに落下し、器外に排出される。そのため、シャワーに、常に新しい水を供給することになるので、多量の水が必要となるとともに、排水を器外に排出する場合には、無害化処理をしなければならない。
(3)亜硫酸塩は、粒状であり、ガスの通る通路(隣り合う粒子と粒子との隙間)は、全体にわたって均一に発生しない。そのため、全部の亜硫酸塩の粒子の全表面に、ガスが接触しないので、還元効率がよくない。
この発明は、上記事情に鑑み、効率良く除害を行えるようにすることを目的とする。他の目的は、水の無駄使いを防止することである。
この発明は、本体の底部側に、水を収容する液体室を設け、該液体室の上方に、ガス室を介してシャワー室を設けた有害ガスの除害装置において、前記液体室内の水は、亜硫酸塩を含有する還元水であり、前記ガス室には、遊離残留塩素ガスを含む排ガスが導入され、前記液体室内の還元水は、循環路を介して前記シャワー室のシャワーに供給されることを特徴とする。
この発明の前記液体室の水中には、水に難溶性の亜硫酸塩が沈められていることを特徴とする。この発明の前記水に難溶性の亜硫酸塩は、亜硫酸カルシウム、亜硫酸マグネシウム、又は、亜硫酸バリウムであることを特徴とする。この発明の前記水に難溶性の亜硫酸塩は、溶解度が約0.004%であることを特徴とする。この発明の前記シャワー室とガス室とが、充填材により仕切られていることを特徴とする。
この発明は、液体室内の還元水をシャワーに供給して噴霧させ、遊離残留塩素ガスを含有する排ガスと接触させるので、効率良く除害することができる。
又、シャワーから放出された還元水は、液体室に落下するとともに、更に還元水としてシャワーに送られる。そのため、水の無駄使いを防止することができる。
本発明者は、前記課題を解決するためには、亜硫酸塩にシャワー水をかける代わりに、液体室内で亜硫酸塩を含有する水、即ち、還元水、を生成させ、この還元水をシャワーから噴出させて排ガスと接触させれば良い、と考えた。
又、この亜硫酸塩は、水に難溶性のもの、例えば、溶解率0.004%、又は、それと略同程度のもの、を用いると、液体室内の水に該亜硫酸塩を沈めて溶解させても良いことが解った。更に、シャワー室とガス室とを充填材で仕切ると、還元水が満遍なく広がりよりガスとの接触率が向上することが解った。この発明は、前記知見に基づいてなされたものである。
この発明の実施例を図1により説明する。
筒状の本体1の底部には、液体室3が設けられ、その中には、所定水位を保つためにオーバーフロー管5が立設されている。
この液体室3内には、所定量、例えば、15Lの水が張られ、水中には所定量、例えば、500gの亜硫酸塩7が沈められている。この亜硫酸塩7として、水に難溶性の亜硫酸塩7、例えば、亜硫酸カリウム、亜硫酸マグネシウム、亜硫酸バリウム、が用いられるが、この亜硫酸塩7の溶解度は、例えば、0.004%、であり、極めて水に溶けにくい特性を有している。
液体室3の上方には、ガス室10を介してシャワー室12が設けられている。このガス室10には、入口14が設けられ、この入口14は半導体装置などの排気管16に接続されている。この排気管16からは、遊離残留塩素ガス(酸化性ガス)を含む有害ガスGが排出される。
ガス室10とシャワー室12は、充填材18により仕切られているが、この充填材18はパンチングプレート20の上に載置されている。シャワー室12内には、複数のシャワー12aが配設されているが、このシャワー12aは循環路22を介して液体室3の底部に連通している。この循環路22には、上流から下流に沿って順次、ポンプ24、バルブ25、流量計26、が配設されている。
シャワー室12の上部には、水切部28が設けられ、その上には、ファン30を内蔵する排気室31が設けられている。この排気室31には、排気口33が設けられ、この排気口33は除害排気管35に連結されている。
次に、本実施例の作動について説明する。
ファン30を駆動すると、排気管16から遊離残留塩素ガスを含む排ガスGが入口14からガス室10内に導入される。
この時、液体室3内では、亜硫酸塩7が水に溶け一定濃度の還元水wとなっており、ポンプ24が駆動されると、前記還元水wは、シャワー室12のシャワー12aに圧送されので、該シャワー12aから充填材18に向かって還元水wが噴霧される。
この噴霧された還元水wは、充填材18を通り抜けてきた排ガスGに衝突すると共に、充填材18にしみこむようにしながら流下し、ガス室10から上昇して前記充填材18中を通り抜ける排ガスGとも接触し、亜硫酸塩7の成分を硫酸塩に変化させて該排ガス中の遊離残留塩素ガスを還元させ、除害されたきれいな排ガスG1にする。
前記きれいになった排ガスG1は、水切部28を通って排気口33から除害排気管35に送出される。
この発明の実施例は、上記に限定されるものではなく、例えば、次の様にしても良い。 (1)充填材及びパンチングプレートを省略する。
(2)液体室の水の中に、亜硫酸塩を沈めて還元水を生成する代わりに、器外で還元水を生成し、その還元水を液体室に充填しても良い。
(3)亜硫酸塩は、必ずしも水に難溶性の亜硫酸塩を用いる必要はなく、通常の溶解率をもつ亜硫酸塩でもよい。
本件発明の実施例を示す縦断面である。
符号の説明
1 本体
3 液体室
7 亜硫酸塩
10 ガス室
12 シャワー室
12a シャワー
18 充填材
22 循環路
w 還元水

Claims (5)

  1. 本体の底部側に、水を収容する液体室を設け、該液体室の上方に、ガス室を介してシャワー室を設けた有害ガスの除害装置において、
    前記液体室内の水は、亜硫酸塩を含有する還元水であり、
    前記ガス室には、遊離残留塩素ガスを含む排ガスが導入され、
    前記液体室内の還元水は、循環路を介して前記シャワー室のシャワーに供給されることを特徴とする有害ガスの除害装置。
  2. 前記液体室の水中には、水に難溶性の亜硫酸塩が沈められ配置されていることを特徴とする請求項1記載の有害ガスの除害装置。
  3. 前記水に難溶性の亜硫酸塩は、亜硫酸カルシウム、亜硫酸マグネシウム、又は、亜硫酸バリウムであることを特徴とする請求項2記載の有害ガスの除害装置。
  4. 前記水に難溶性の亜硫酸塩は、溶解度が約0.004%であることを特徴とする請求項2、又は、3記載の有害ガスの除害装置。
  5. 前記シャワー室とガス室とが、充填材により仕切られていることを特徴とする請求項1記載の有害ガスの除害装置。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4962378A (ja) * 1972-10-18 1974-06-17
JPH07213862A (ja) * 1994-02-09 1995-08-15 Sumitomo Seika Chem Co Ltd 塩素含有ガスの処理方法
JP2004158730A (ja) * 2002-11-08 2004-06-03 Canon Inc ガス処理方法

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