JPH07206831A - スルホニルアミノカルボニルトリアゾリノンの製造方法 - Google Patents
スルホニルアミノカルボニルトリアゾリノンの製造方法Info
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Abstract
アミノカルボニルトリアゾリノンの新規な製造方法を目
的とする。 【構成】 一般式(II)のトリアゾリノンを、随時反応
補助剤及び希釈剤の存在下に、20〜150℃の温度
で、R3−SO2−X[但し、X=ハロゲン]のスルホ
ニルハロゲン化物及びMOCN[但し、M=アルカリ金
属等]の金属シアン酸塩を反応させることより成る、一
般式(I)のスルホニルアミノカルボニルトリアゾリノ
ンの製造法。 〔式中、R1はH、NH2、OH、メトキシ等;R2は
H、OH、SH、NH2、ハロゲン等;R3はアルキ
ル、シクロアルキル、アリール、複素環等を表わす〕
Description
ルアミノカルボニルトリアゾリノンの新規な製造方法に
関する。
ンはトリアゾリノンをスルホニルイソシアネートと反応
させる場合に得られることが公知である(ヨーロッパ特
許出願公開第341,489号、同第422、469
号、同第425,948号、同第431,291号、同
第507,171号、同第534,266号参照)。
発物質として必要とされるスルホニルイソシアネートは
先行する操作工程において一般に対応するスルホンアミ
ド及びホスゲンから製造しなければならない。
ミノを表わすか、或いはアルキル、アルケニル、アルキ
ニル、アルコキシ、アルケニルオキシ、アルキルアミ
ノ、ジアルキルアミノ、シクロアルキル、シクロアルキ
ルオキシ、シクロアルキルアミノ、シクロアルキルアル
キル、アリールまたはアリールアルキルよりなる群から
の随時置換されていてもよい基を表わし、R2は水素、
ヒドロキシル、メルカプト、アミノまたはハロゲンを表
わすか、或いはアルキル、アルケニル、アルキニル、ア
ルコキシ、アルケニルオキシ、アルキニルオキシ、アル
キルチオ、アルケニルチオ、アルキニルチオ、アルキル
スルフィニル、アルキルスルホニル、アルキルアミノ、
ジアルキルアミノ、シクロアルキル、シクロアルケニ
ル、シクロアルキルオキシ、シクロアルケニルオキシ、
シクロアルキルチオ、シクロアルケニルチオ、シクロア
ルキルアミノ、シクロアルケニルアミノ、シクロアルキ
ルアルキル、シクロアルケニルアルキル、アリール、ア
リールオキシ、アリールチオ、アリールアミノ、アリー
ルアルキル、アリールアルキルオキシ、アリールアルキ
ルチオまたはアリールアルキルアミノよりなる群からの
随時置換されていてもよい基を表わし、そしてR3はア
ルキル、シクロアルキル、シクロアルキルアルキル、ア
リール、アリールアルキル、複素環または複素環式アル
キルよりなる群からの随時置換されていてもよい基を表
わす、のスルホニルアミノカルボニルトリアゾリノンが
一般式(II)
る、のトリアゾリノンを随時反応補助剤の存在下及び随
時希釈剤の存在下にて20乃至150℃間の温度で一般
式(III) R3−SO2−X (III) 式中、R3は上記の意味を有し、そしてXはハロゲンを
表わす、のスルホニルハロゲン化物及び一般式(IV) MOCN (IV) 式中、Mはアルカリ金属またはアルカリ土金属等価物を
表わす、の金属シアン酸塩と反応させる場合に良好な収
率及び高純度で得られることが見い出された。
明による方法により式(I)のスルホニルアミノトリア
ゾリノンが円滑な反応において高収率及び高純度で生成
されることは驚くべきものと考えられる。
造方法として、本発明による方法は当該分野の価値ある
強化を示すものである。
素、ヒドロキシルまたはアミノを表わすか、炭素原子1
〜6個を有し、かつ随時ハロゲン、シアノ、C1〜C4
−アルコキシ、C1〜C4−アルキルカルボニルまたは
C1〜C4−アルコキシカルボニルで置換されていても
よいアルキルを表わすか、各々の場合に炭素原子2〜6
個を有し、かつ各々の場合に随時ハロゲンで置換されて
いてもよいアルケニルまたはアルキニルを表わすか、各
々の場合にアルキルまたはアルケニル基中に炭素原子5
個までを有し、かつ各々の場合に随時ハロゲンで置換さ
れていてもよいアルコキシ、アルケニルオキシ、アルキ
ルアミノまたはジアルキルアミノを表わすか、各々の場
合にシクロアルキル基中に炭素原子3〜6個及び随時ア
ルキル部分中に炭素原子1〜4個を有し、かつ各々の場
合に随時ハロゲン、シアノまたはC1〜C4−アルキル
で置換されていてもよいシクロアルキル、シクロアルキ
ルオキシ、シクロアルキルアミノまたはシクロアルキル
アルキルを表わすか、或いはアルキル部分中に炭素原子
1〜4個を有し、かつ各々の場合に随時ハロゲン、シア
ノ、ニトロ、C1〜C4−アルキル、C1〜C4−ハロゲ
ノアルキル、C1〜C4−アルコキシ及び/またはC1〜
C4−ハロゲノアルコキシで置換されていてもよいフェ
ニル、ナフチル、フェニルアルキルまたはナフチルアル
キルを表わし、R2が水素、ヒドロキシル、メルカプト
またはハロゲンを表わすか、炭素原子1〜6個を有し、
かつ随時ハロゲン、シアノ、C1〜C4−アルコキシ、
C1〜C4−アルキルカルボニルまたはC1〜C4−アル
コキシカルボニルで置換されていてもよいアルキルを表
わすか、各々の場合に炭素原子2〜6個を有し、かつ各
々の場合に随時ハロゲンで置換されていてもよいアルケ
ニルまたはアルキニルを表わすか、各々の場合に炭素原
子5個までを有し、かつ各々の場合に随時ハロゲン、シ
アノまたはC1〜C4−アルキルで置換されていてもよ
いアルコキシ、アルケニルオキシ、アルキニルオキシ、
アルキルチオ、アルケニルチオ、アルキニルチオ、アル
キルスルフィニル、アルキルスルホニル、アルキルアミ
ノまたはジアルキルアミノを表わすか、各々の場合にシ
クロアルキル基中に炭素原子3〜6個及び随時アルキル
基中に炭素原子1〜4個を有し、かつ随時ハロゲン、シ
アノまたはC1〜C4−アルキルで置換されていてもよ
いシクロアルキル、シクロアルケニル、シクロアルキル
オキシ、シクロアルケニルオキシ、シクロアルキルチ
オ、シクロアルケニルチオ、シクロアルキルアミノ、シ
クロアルケニルアミノ、シクロアルキルアルキルまたは
シクロアルケニルアルキルを表わすか、或いは各々の場
合に随時ハロゲン、シアノ、ニトロ、C1〜C4−アル
キル、C1〜C4−ハロゲノアルキル、C1〜C4−アル
コキシ及び/またはC1〜C4−ハロゲノアルコキシで
置換されていてもよいフェニル、ナフチル、フェノキ
シ、ナフチルオキシ、フェニルチオ、ナフチルチオ、フ
ェニルアミノ、ナフチルアミノ、フェニルメチル、フェ
ニルエチル、フェニルメトキシ、ナフチルメトキシ、フ
ェニルエトキシ、ナフチルエトキシ、フェニルメチルチ
オ、ナフチルメチルチオ、フェニルエチルチオ、ナフチ
ルエチルチオ、フェニルメチルアミノ、ナフチルメチル
アミノ、フェニルエチルアミノまたはナフチルエチルア
ミノを表わし、そしてR3が炭素原子1〜6個を有し、
かつ随時ハロゲン、シアノ、C1〜C4−アルコキシ、
C1〜C4−アルキルカルボニルまたはC1〜C4−アル
コキシカルボニルで置換されていてもよいアルキルを表
わすか、シクロアルキル基中に炭素原子3〜6個及び随
時アルキル部分中に炭素原子1〜4個を有し、かつ各々
の場合に随時ハロゲン、シアノ、カルボキシル、C1〜
C4−アルキル及び/またはC1〜C4−アルコキシカ
ルボニルで置換されていてもよいシクロアルキルまたは
シクロアルキルアルキルを表わすか、或いは各々の場合
に随時ハロゲン、シアノ、カルボキシル、ニトロ、アミ
ノ、カルバモイル、C1〜C4−アルキル、C1〜C4−
ハロゲノアルキル、C1〜C4−アルコキシ−C1〜C4
−アルキル、C1〜C4−アルコキシ、C1〜C4−ハロ
ゲノアルコキシ、C1〜C4−アルコキシ−C1〜C4−
アルコキシ、C1〜C4−アルキルチオ、C1〜C4−ハ
ロゲノアルキルチオ、C1〜C4−アルキルスルフィニ
ル、C1〜C4−ハロゲノアルキルスルフィニル、C1〜
C4−アルキルスルホニル、C1〜C4−ハロゲノアル
キルスルホニル、ジ−(C1〜C3−アルキル)−アミ
ノスルホニル、N−(C1〜C3−アルコキシ)−N−
(C1〜C3−アルキル)−アミノスルホニル、C1〜C
4−アルキルカルボニル、C1〜C4−アルコキシカル
ボニル、C1〜C4−ハロゲノアルコキシカルボニル、
ジ−(C1〜C3−アルキル)−アミノカルボニル、C1
〜C2−アルコキシ−C1〜C2−アルコキシカルボニ
ル、C3〜C6−シクロアルキル、C3〜C6−シクロアル
キル−メチル、C3〜C6−シクロアルキルカルボニル、
フェニルまたはフェノキシで置換されていてもよいフェ
ニル、ナフチル、ベンジル、フェニルエチル、ピリジ
ル、フェニルメチル、ピリジルエチル、キノリル、キノ
リルメチル、チエニル、チエニルメチル、ピラゾリルま
たはピラゾリルメチルを表わす、式(I)のスルホニル
アミノカルボニルトリアゾリノンの製造に関する。
ルキル、アルケニルまたはアルキニルはこのものが特記
されない場合でもアルコキシ、アルキルチオまたはアル
キルアミノのように組み合わされていても直鎖状もしく
は分枝鎖状である。
たはヨウ素を表わし、好ましくはフッ素、塩素または臭
素を表わし、そして殊にフッ素または塩素を表わす。
ロキシルまたはアミノを表わすか、各々の場合に随時フ
ッ素、塩素、臭素、シアノ、メトキシ、エトキシ、アセ
チル、プロピオニル、メトキシカルボニルまたはエトキ
シカルボニルで置換されていてもよいメチル、エチル、
n−もしくはi−プロピルまたはn−、i−、s−もし
くはt−ブチルを表わすか、各々の場合に随時フッ素、
塩素及び/または臭素で置換されていてもよいプロペニ
ル、ブテニル、プロピオニルまたはブチニルを表わす
か、各々の場合に随時フッ素、塩素及び/または臭素で
置換されていてもよいメトキシ、エトキシ、n−もしく
はi−プロポキシ、n−、i−、s−もしくはt−ブト
キシ、プロペニルオキシ、ブテニルオキシ、メチルアミ
ノ、エチルアミノ、n−もしくはi−プロピルアミノ、
n−、i−、s−もしくはt−ブチルアミノ、ジメチル
アミノまたはジエチルアミノを表わすか、各々の場合に
随時フッ素、塩素、臭素、シアノ、メチル、エチルまた
はn−もしくはi−プロピルで置換されていてもよいシ
クロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロ
ヘキシル、シクロプロピルオキシ、シクロブチルオキ
シ、シクロペンチルオキシ、シクロヘキシルオキシ、シ
クロプロピルアミノ、シクロブチルアミノ、シクロペン
チルアミノ、シクロヘキシルアミノ、シクロプロピルメ
チル、シクロプロピルエチル、シクロブチルメチル、シ
クロブチルエチル、シクロペンチルメチル、シクロペン
チルエチル、シクロヘキシルメチルまたはシクロヘキシ
ルエチルを表わすか、或いは各々の場合に随時フッ素、
塩素、臭素、シアノ、ニトロ、メチル、エチル、n−も
しくはi−プロピル、トリフルオロメチル、メトキシ、
エトキシ、ジフルオロメトキシ及び/またはトリフルオ
ロメトキシで置換されていてもよいフェニル、ベンジル
またはフェニルエチルを表わし、R2が水素、ヒドロキ
シル、メルカプト、アミノ、フッ素、塩素または臭素を
表わすか、各々の場合に随時フッ素、塩素、臭素、シア
ノ、メトキシ、エトキシ、アセチル、プロピオニル、メ
トキシカルボニルまたはエトキシカルボニルで置換され
ていてもよいメチル、エチル、n−もしくはi−プロピ
ルまたはn−、i−、s−もしくはt−ブチルを表わす
か、各々の場合に随時フッ素、塩素及び/または臭素で
置換されていてもよいプロペニル、ブテニル、プロピニ
ルまたはブチニルを表わすか、各々の場合に随時フッ
素、塩素及び/または臭素で置換されていてもよいメト
キシ、エトキシ、n−もしくはi−プロポキシ、n−、
i−、s−もしくはt−ブトキシ、プロペニルオキシ、
ブテニルオキシ、プロピニルオキシ、ブチニルオキシ、
メチルチオ、エチルチオ、n−もしくはi−プロピルチ
オ、n−、i−、s−もしくはt−ブチルチオ、プロペ
ニルチオ、ブテニルチオ、プロピニルチオ、ブチニルチ
オ、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、プロピ
ルスルフィニル、メチルスルホニル、エチルスルホニ
ル、プロピルスルホニル、メチルアミノ、エチルアミ
ノ、n−もしくはi−プロピルアミノ、n−、i−、s
−もしくはt−ブチルアミノ、ジメチルアミノまたはジ
エチルアミノを表わすか、各々の場合に随時フッ素、塩
素、臭素、シアノ、メチル、エチルまたはn−もしくは
i−プロピルで置換されていてもよいシクロプロピル、
シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シク
ロペンテニル、シクロヘキセニル、シクロプロピルチ
オ、シクロブチルオキシ、シクロペンチルオキシ、シク
ロヘキシルオキシ、シクロペンテニルオキシ、シクロヘ
キセニルオキシ、シクロプロピルチオ、シクロブチルチ
オ、シクロペンチルチオ、シクロヘキシルチオ、シクロ
ペンテニルチオ、シクロヘキセニルチオ、シクロプロピ
ルアミノ、シクロブチルアミノ、シクロペンチルアミ
ノ、シクロヘキシルアミノ、シクロペンテニルアミノ、
シクロヘキセニルアミノ、シクロプロピルメチル、シク
ロプロピルエチル、シクロブチルメチル、シクロブチル
エチル、シクロペンチルメチル、シクロペンチルエチ
ル、シクロヘキシルメチル、シクロヘキシルエチル、シ
クロペンテニルメチルまたはシクロヘキセニルメチルを
表わすか、或いは各々の場合に随時フッ素、塩素、臭
素、シアノ、ニトロ、メチル、エチル、n−もしくはi
−プロピル、トリフルオロメチル、メトキシ、エトキ
シ、ジフルオロメトキシ及び/またはトリフルオロメト
キシで置換されていてもよいフェニル、フェノキシ、フ
ェニルチオ、フェニルアミノ、フェニルメチル、フェニ
ルメトキシ、フェニルメチルチオまたはフェニルメチル
アミノを表わし、そしてR3が各々の場合に随時フッ
素、塩素、臭素、シアノ、メトキシ、エトキシ、n−も
しくはi−プロポキシ、アセチル、プロピオニル、メト
キシカルボニルまたはエトキシカルボニルで置換されて
いてもよいメチル、エチル、n−もしくはi−プロピル
またはn−、i−、s−もしくはt−ブチルを表わす
か、各々の場合に随時フッ素、塩素、臭素、シアノ、カ
ルボキシル、メチル、エチル、n−もしくはi−プロピ
ル、メトキシカルボニル及び/またはエトキシカルボニ
ルで置換されていてもよいシクロプロピル、シクロブチ
ル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロプロピル
メチル、シクロプロピルエチル、シクロブチルメチル、
シクロブチルエチル、シクロペンチルメチル、シクロペ
ンチルエチル、シクロヘキシルメチルまたはシクロヘキ
シルエチルを表わすか、或いは各々の場合に随時フッ
素、塩素、臭素、シアノ、カルボキシル、ニトロ、アミ
ノ、カルバモイル、メチル、エチル、n−もしくはi−
プロピル、フルオロメチル、シクロメチル、ジフルオロ
メチル、ジクロロメチル、トリフルオロメチル、トリク
ロロメチル、フルオロエチル、クロロエチル、ジフルオ
ロエチル、ジクロロエチル、トリフルオロエチル、テト
ラフルオロエチル、ペンタフルオロエチル、フルオロプ
ロピル、クロロプロピル、ジフルオロプロピル、ジクロ
ロプロピル、トリフルオロプロピル、トリクロロプロピ
ル、メトキシメチル、エトキシメチル、メトキシエチ
ル、エトキシエチル、メトキシ、エトキシ、n−もしく
はi−プロポキシ、ジフルオロメトキシ、トリフルオロ
メトキシ、ジフルオロエトキシ、トリフルオロエトキ
シ、メトキシエトキシ、エトキシエトキシ、メチルチ
オ、エチルチオ、n−もしくはi−プロピルチオ、ジフ
ルオロメチルチオ、トリフルオロメチルチオ、メチルス
ルフィニル、エチルスルフィニル、プロピルスルフィニ
ル、トリフルオロメチルスルフィニル、メチルスルホニ
ル、エチルスルホニル、プロピルスルホニル、トリフル
オロメチルスルホニル、ジメチルアミノスルホニル、ジ
エチルアミノスルホニル、N−メトキシ−N−メチルア
ミノスルホニル、アセチル、プロピオニル、メトキシカ
ルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニ
ル、フルオロエトキシカルボニル、クロロエトキシカル
ボニル、ジメチルアミノカルボニル、ジエチルアミノカ
ルボニル、メトキシエトキシカルボニル、エトキシエト
キシカルボニル、シクロプロピル、シクロブチル、シク
ロペンチル、シクロヘキシル、シクロプロピルメチル、
シクロブチルメチル、シクロペンチルメチル、シクロプ
ロピルカルボニル、シクロブチルカルボニル、シクロペ
ンチルカルボニル、シクロヘキシルカルボニル、フェニ
ルまたはフェノキシで置換されていてもよいフェニル、
ナフチル、ベンジル、フェニルエチル、ピリジル、ピリ
ジルメチル、ピリジルエチル、キノリン、キノリルメチ
ル、チエニル、チエニルメチル、ピラゾリルまたはピラ
ゾリルメチルを表わす式(I)の化合物の製造に関す
る。
内に特定されるものは式(I)の最終生成物及び対応す
る方法で製造に必要とされる出発化合物の両方に適用さ
れる。
必要に応じて与えられる好適な化合物の範囲間でも一緒
にし得る。
ロベンゼンスルホニル、4−メトキシ−5−メチル−
2,4−ジヒドロ−3H−1,2,4−トリアゾル−3
−オン及びシアン酸カリウムを用いる場合、本発明によ
る方法における反応の経路は次式により図示できる:
明による方法において出発化合物として用いるトリアゾ
リノンは一般に式(II)により定義される。式(I
I)において、R1及びR2は好ましくは、または殊に
R1及びR2に対して好適か、または殊に好適なものと
して本発明により製造される式(I)の化合物の記載に
関連して既に上に示されている。
あり、そして/またはそれ自体公知である方法により製
造し得る(ヨーロッパ特許出願公開第341,489
号、同第403,889号、同第422,469号、同
第425,948号、同第431,291号、同第50
7,171号、同第534,266号参照)。
として用いるスルホニルハロゲン化物は一般に式(II
I)により定義される。式(III)において、R3は
好ましくは、または殊にR3に対して好適か、または殊
に好適なものとして式(I)の化合物の記載に関連して
既に上に示された意味を有し;その際にXは好ましくは
フッ素、塩素または臭素を表わし、そして殊に塩素を表
わす。
公知であり、そして/またはそれ自体公知である方法に
より製造し得る[J.Org.Chem.25(196
0)、1824;同誌33(1968)、2104;ヨ
ーロッパ特許出願公開第23,140号;同第23,1
41号;同第23,422号;同第35,893号;同
第44,808号;同第44,809号;同第48,1
43号;同第51,466号;同第64,322号;同
第70,041号参照]。
として用いるシアン酸メチルは一般に式(IV)により
定義される。式(IV)において、Mは好ましくはリチ
ウム、ナトリウムもしくはカリウムまたはマグネシウム
もしくはカルシウムの1等価体を表わし、そして殊に好
ましくはナトリウムまたはカリウムを表わす。
知の化学薬品である。
の存在下で行われる。かかる補助剤として有機窒素塩基
を好適に用いる。これらの窒素塩基は殊に第3級アミン
例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロ
ピルアミン、トリブチルアミン、N,N−ジメチルアニ
リン及びN,N−ジメチルベンジルアミン、並びに窒素
複素環例えばピリジン、メチルピリジン、N−メチルピ
ペリジン、N,N−ジメチルアミノピリジン、ジアザビ
シクロオクタン(DABCO)、ジアザビシクロノネン
(DBN)またはジアザビシクロウンデセン(DBU)
を含む。
在下で行う。本発明による方法を行う際に用いる希釈剤
としては不活性有機溶媒が特に適している。これらの有
機溶媒には殊に脂肪族、脂環式または芳香族の、随時ハ
ロゲン化されていてもよい炭化水素例えばベンジン、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロ
ロベンゼン、石油エーテル、ヘキサン、シクロヘキサ
ン、ジクロロメタン、クロロホルムまたはテトラクロロ
メタン;エーテル例えばジエチルエーテル、ジイソプロ
ピルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチ
レングリコールジメチルエーテルまたはエチレングリコ
ールジエチルエーテル;ケトン例えばアセトン、ブタノ
ン、メチルイソプロピルケトンまたはメチルイソブチル
ケトン;ニトリル例えばアセトニトリル、プロピオニト
リルまたはベンゾニトリル、アミド例えばN,N−ジメ
チルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N
−メチルホルムアニリド、N−メチルピロリドンまたは
ヘキサメチルリン酸トリアミド;エステル例えば酢酸メ
チルまたは酢酸エチル、並びにスルホキシド例えばジメ
チルスルホキシドが含まれる。
ばアセトン、ブタノン、メチルイソプロピルケトン、メ
チルイソブチルケトン、アセトニトリル、プロピオニト
リル、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチ
ルアセトアミド及びN−メチルピロリドンを殊に好適に
用いる。
比較的広い範囲内で変え得る。一般に、20乃至150
℃間の温度、好ましくは20乃至120℃間の温度、殊
に20乃至100℃間の温度を用いる。
下で行う。しかしながらまた、昇圧または減圧下で、一
般的に0.1乃至10バール間で行うことができる。
造するために、式(II)のトリアゾリノン1モル当り
0.9〜1.5モル、好ましくは1.0〜1.2モルの
式(III)のハロゲン化スルホニル及び1.0〜3.
0モル、好ましくは1.5〜2.5モルの式(IV)の
金属シアン酸塩を一般に用いる。
て、式(II)のトリアゾリノンを最初に適当な希釈剤
中に導入し、次に式(IV)の金属シアン酸塩及び式
(III)の塩化スルホニルを順次加える。次に混合物
を反応が完了するまで必要な温度で撹拌する。
した後に減圧下で濃縮を行い、そして残渣を水性酸例え
ば塩酸で酸性にし;次に反応生成物を実際には水と混和
しない有機溶媒例えば塩化メチレンで抽出する。有機抽
出溶液を乾燥し、そして濾過する。濾液を濃縮し、残渣
(粗製生成物)を必要に応じて適当な溶媒例えばジエチ
ルエーテルで温浸することにより結晶化させ、そして結
晶生成物を吸引濾過により単離する。
I)のスルホニルアミノカルボニルトリアゾリノンは除
草剤として使用し得る(ヨーロッパ特許出願公開第34
1,489号、同第422,469号、同第425,9
48号、同第431,291号、同第507,171
号、同第534,266号参照)。
H−1,2,4−トリアゾル−3−オン1.7g(15
ミリモル)をアセトニトリル100mlと共に撹拌し
た。シアン酸ナトリウム2.0g(30ミリモル)及び
塩化2−メチル−5−エチル−ベンゼンスルホニル3.
3g(15ミリモル)をこの混合物に順次加え、次にこ
のものを撹拌しながら還流下で18時間加熱した。室温
(約20℃)に冷却した後、混合物を水流ポンプの真空
下で濃縮し、残った残渣を濃塩酸2mlで処理し、そし
て塩化メチレンで抽出した。有機抽出溶液を硫酸マグネ
シウムで乾燥し、そして濾過した。溶媒を水流ポンプの
真空下で濾液から注意して留去し、残渣をジエチルエー
テルと共に温浸することにより結晶化させ、そして結晶
生成物を吸引濾過により単離した。
2−(2−メチル−5−エチル−フェニルスルホニル−
アミノ−カルボニル)−2,4−ジヒドロ−3H−1,
2,4−トリアゾル−3−オン3.4g(理論値の68
%)が得られた。
に示し、限定するものではなく、そして本発明の精神及
び範囲から逸脱せずに種々の改良及び変法を行い得るこ
とが認められよう。
りである。
ミノを表わすか、或いはアルキル、アルケニル、アルキ
ニル、アルコキシ、アルケニルオキシ、アルキルアミ
ノ、ジアルキルアミノ、シクロアルキル、シクロアルキ
ルオキシ、シクロアルキルアミノ、シクロアルキルアル
キル、アリールまたはアリールアルキルよりなる群から
の随時置換されていてもよい基を表わし、R2は水素、
ヒドロキシル、メルカプト、アミノまたはハロゲンを表
わすか、或いはアルキル、アルケニル、アルキニル、ア
ルコキシ、アルケニルオキシ、アルキニルオキシ、アル
キルチオ、アルケニルチオ、アルキニルチオ、アルキル
スルフィニル、アルキルスルホニル、アルキルアミノ、
ジアルキルアミノ、シクロアルキル、シクロアルケニ
ル、シクロアルキルオキシ、シクロアルケニルオキシ、
シクロアルキルチオ、シクロアルケニルチオ、シクロア
ルキルアミノ、シクロアルケニルアミノ、シクロアルキ
ルアルキル、シクロアルケニルアルキル、アリール、ア
リールオキシ、アリールチオ、アリールアミノ、アリー
ルアルキル、アリールアルキルオキシ、アリールアルキ
ルチオまたはアリールアルキルアミノよりなる群からの
随時置換されていてもよい基を表わし、そしてR3はア
ルキル、シクロアルキル、シクロアルキルアルキル、ア
リール、アリールアルキル、複素環または複素環式アル
キルよりなる群からの随時置換されていてもよい基を表
わす、のスルホニルアミノカルボニルトリアゾリノンを
製造する際に、一般式(II)
る、のトリアゾリノンを随時反応補助剤の存在下及び随
時希釈剤の存在下にて20乃至150℃間の温度で一般
式(III) R3−SO2−X (III) 式中、R3は上記の意味を有し、そしてXはハロゲンを
表わす、のスルホニルハロゲン化物及び一般式(IV) MOCN (IV) 式中、Mはアルカリ金属またはアルカリ土金属等価物を
表わす、の金属シアン酸塩と反応させることを特徴とす
る、一般式(I)のスルホニルアミノカルボニルトリア
ゾリノンの製造方法。
ノを表わすか、炭素原子1〜6個を有し、かつ随時ハロ
ゲン、シアノ、C1〜C4−アルコキシ、C1〜C4−ア
ルキルカルボニルまたはC1〜C4−アルコキシカルボ
ニルで置換されていてもよいアルキルを表わすか、各々
の場合に炭素原子2〜6個を有し、かつ各々の場合に随
時ハロゲンで置換されていてもよいアルケニルまたはア
ルキニルを表わすか、各々の場合にアルキルまたはアル
ケニル基中に炭素原子5個までを有し、かつ各々の場合
に随時ハロゲンで置換されていてもよいアルコキシ、ア
ルケニルオキシ、アルキルアミノまたはジアルキルアミ
ノを表わすか、各々の場合にシクロアルキル基中に炭素
原子3〜6個及び随時アルキル部分中に炭素原子1〜4
個を有し、かつ各々の場合に随時ハロゲン、シアノまた
はC1〜C4−アルキルで置換されていてもよいシクロ
アルキル、シクロアルキルオキシ、シクロアルキルアミ
ノまたはシクロアルキルアルキルを表わすか、或いはア
ルキル部分中に炭素原子1〜4個を有し、かつ各々の場
合に随時ハロゲン、シアノ、ニトロ、C1〜C4−アル
キル、C1〜C4−ハロゲノアルキル、C1〜C4−アル
コキシ及び/またはC1〜C4−ハロゲノアルコキシで
置換されていてもよいフェニル、ナフチル、フェニルア
ルキルまたはナフチルアルキルを表わし、R2が水素、
ヒドロキシル、メルカプトまたはハロゲンを表わすか、
炭素原子1〜6個を有し、かつ随時ハロゲン、シアノ、
C1〜C4−アルコキシ、C1〜C4−アルキルカルボニ
ルまたはC1〜C4−アルコキシカルボニルで置換され
ていてもよいアルキルを表わすか、各々の場合に炭素原
子2〜6個を有し、かつ各々の場合に随時ハロゲンで置
換されていてもよいアルケニルまたはアルキニルを表わ
すか、各々の場合に炭素原子5個までを有し、かつ各々
の場合に随時ハロゲン、シアノまたはC1〜C4−アル
キルで置換されていてもよいアルコキシ、アルケニルオ
キシ、アルキニルオキシ、アルキルチオ、アルケニルチ
オ、アルキニルチオ、アルキルスルフィニル、アルキル
スルホニル、アルキルアミノまたはジアルキルアミノを
表わすか、各々の場合にシクロアルキル基中に炭素原子
3〜6個及び随時アルキル基中に炭素原子1〜4個を有
し、かつ随時ハロゲン、シアノまたはC1〜C4−アル
キルで置換されていてもよいシクロアルキル、シクロア
ルケニル、シクロアルキルオキシ、シクロアルケニルオ
キシ、シクロアルキルチオ、シクロアルケニルチオ、シ
クロアルキルアミノ、シクロアルケニルアミノ、シクロ
アルキルアルキルまたはシクロアルケニルアルキルを表
わすか、或いは各々の場合に随時ハロゲン、シアノ、ニ
トロ、C1〜C4−アルキル、C1〜C4−ハロゲノアル
キル、C1〜C4−アルコキシ及び/またはC1〜C4−
ハロゲノアルコキシで置換されていてもよいフェニル、
ナフチル、フェノキシ、ナフチルオキシ、フェニルチ
オ、ナフチルチオ、フェニルアミノ、ナフチルアミノ、
フェニルメチル、フェニルエチル、フェニルメトキシ、
ナフチルメトキシ、フェニルエトキシ、ナフチルエトキ
シ、フェニルメチルチオ、ナフチルメチルチオ、フェニ
ルエチルチオ、ナフチルエチルチオ、フェニルメチルア
ミノ、ナフチルメチルアミノ、フェニルエチルアミノま
たはナフチルエチルアミノを表わし、そしてR3が炭素
原子1〜6個を有し、かつ随時ハロゲン、シアノ、C1
〜C4−アルコキシ、C1〜C4−アルキルカルボニル
またはC1〜C4−アルコキシカルボニルで置換されて
いてもよいアルキルを表わすか、シクロアルキル基中に
炭素原子3〜6個及び随時アルキル部分中に炭素原子1
〜4個を有し、かつ各々の場合に随時ハロゲン、シア
ノ、カルボキシル、C1〜C4−アルキル及び/または
C1〜C4−アルコキシカルボニルで置換されていても
よいシクロアルキルまたはシクロアルキルアルキルを表
わすか、或いは各々の場合に随時ハロゲン、シアノ、カ
ルボキシル、ニトロ、アミノ、カルバモイル、C1〜C
4−アルキル、C1〜C4−ハロゲノアルキル、C1〜C
4−アルコキシ−C1〜C4−アルキル、C1〜C4−ア
ルコキシ、C1〜C4−ハロゲノアルコキシ、C1〜C4
−アルコキシ−C1〜C4−アルコキシ、C1〜C4−ア
ルキルチオ、C1〜C4−ハロゲノアルキルチオ、C1〜
C4−アルキルスルフィニル、C1〜C4−ハロゲノア
ルキルスルフィニル、C1〜C4−アルキルスルホニ
ル、C1〜C4−ハロゲノアルキルスルホニル、ジ−
(C1〜C3−アルキル)−アミノスルホニル、N−
(C1〜C3−アルコキシ)−N−(C1〜C3−アルキ
ル)−アミノスルホニル、C1〜C4−アルキルカルボ
ニル、C1〜C4−アルコキシカルボニル、C1〜C4−
ハロゲノアルコキシカルボニル、ジ−(C1〜C3−ア
ルキル)−アミノカルボニル、C1〜C2−アルコキシ
−C1〜C2−アルコキシカルボニル、C3〜C6−シク
ロアルキル、C3〜C6−シクロアルキル−メチル、 C
3〜C6−シクロアルキルカルボニル、フェニルまたはフ
ェノキシで置換されていてもよいフェニル、ナフチル、
ベンジル、フェニルエチル、ピリジル、フェニルメチ
ル、ピリジルエチル、キノリル、キノリルメチル、チエ
ニル、チエニルメチル、ピラゾリルまたはピラゾリルメ
チルを表わす、上記1に記載の式(I)のスルホニルア
ミノカルボニルトリアゾリノンの製造方法。
とを特徴とする、上記1に記載の方法。
ウム、シアン酸カリウム、シアン酸マグネシウムまたは
シアン酸カルシウムを用いることを特徴とする、上記1
に記載の方法。
ることを特徴とする、上記1に記載の方法。
ことを特徴とする、上記1に記載の方法。
Claims (2)
- 【請求項1】 一般式(I) 【化1】 式中、R1は水素、ヒドロキシルまたはアミノを表わす
か、或いはアルキル、アルケニル、アルキニル、アルコ
キシ、アルケニルオキシ、アルキルアミノ、ジアルキル
アミノ、シクロアルキル、シクロアルキルオキシ、シク
ロアルキルアミノ、シクロアルキルアルキル、アリール
またはアリールアルキルよりなる群からの随時置換され
ていてもよい基を表わし、 R2は水素、ヒドロキシル、メルカプト、アミノまたは
ハロゲンを表わすか、或いはアルキル、アルケニル、ア
ルキニル、アルコキシ、アルケニルオキシ、アルキニル
オキシ、アルキルチオ、アルケニルチオ、アルキニルチ
オ、アルキルスルフィニル、アルキルスルホニル、アル
キルアミノ、ジアルキルアミノ、シクロアルキル、シク
ロアルケニル、シクロアルキルオキシ、シクロアルケニ
ルオキシ、シクロアルキルチオ、シクロアルケニルチ
オ、シクロアルキルアミノ、シクロアルケニルアミノ、
シクロアルキルアルキル、シクロアルケニルアルキル、
アリール、アリールオキシ、アリールチオ、アリールア
ミノ、アリールアルキル、アリールアルキルオキシ、ア
リールアルキルチオまたはアリールアルキルアミノより
なる群からの随時置換されていてもよい基を表わし、そ
してR3はアルキル、シクロアルキル、シクロアルキル
アルキル、アリール、アリールアルキル、複素環または
複素環式アルキルよりなる群からの随時置換されていて
もよい基を表わす、 のスルホニルアミノカルボニルトリアゾリノンを製造す
る際に、一般式(II) 【化2】 式中、R1及びR2は上記の意味を有する、のトリアゾ
リノンを随時反応補助剤の存在下及び随時希釈剤の存在
下にて20乃至150℃間の温度で一般式(III) R3−SO2−X (III) 式中、R3は上記の意味を有し、そしてXはハロゲンを
表わす、のスルホニルハロゲン化物及び一般式(IV) MOCN (IV) 式中、Mはアルカリ金属またはアルカリ土金属等価物を
表わす、の金属シアン酸塩と反応させることを特徴とす
る、一般式(I)のスルホニルアミノカルボニルトリア
ゾリノンの製造方法。 - 【請求項2】 R1が水素、ヒドロキシルまたはアミノ
を表わすか、炭素原子1〜6個を有し、かつ随時ハロゲ
ン、シアノ、C1〜C4−アルコキシ、C1〜C4−アル
キルカルボニルまたはC1〜C4−アルコキシカルボニ
ルで置換されていてもよいアルキルを表わすか、各々の
場合に炭素原子2〜6個を有し、かつ各々の場合に随時
ハロゲンで置換されていてもよいアルケニルまたはアル
キニルを表わすか、各々の場合にアルキルまたはアルケ
ニル基中に炭素原子5個までを有し、かつ各々の場合に
随時ハロゲンで置換されていてもよいアルコキシ、アル
ケニルオキシ、アルキルアミノまたはジアルキルアミノ
を表わすか、各々の場合にシクロアルキル基中に炭素原
子3〜6個及び随時アルキル部分中に炭素原子1〜4個
を有し、かつ各々の場合に随時ハロゲン、シアノまたは
C1〜C4−アルキルで置換されていてもよいシクロア
ルキル、シクロアルキルオキシ、シクロアルキルアミノ
またはシクロアルキルアルキルを表わすか、或いはアル
キル部分中に炭素原子1〜4個を有し、かつ各々の場合
に随時ハロゲン、シアノ、ニトロ、C1〜C4−アルキ
ル、C1〜C4−ハロゲノアルキル、C1〜C4−アルコ
キシ及び/またはC1〜C4−ハロゲノアルコキシで置
換されていてもよいフェニル、ナフチル、フェニルアル
キルまたはナフチルアルキルを表わし、R2が水素、ヒ
ドロキシル、メルカプトまたはハロゲンを表わすか、炭
素原子1〜6個を有し、かつ随時ハロゲン、シアノ、C
1〜C4−アルコキシ、C1〜C4−アルキルカルボニル
またはC1〜C4−アルコキシカルボニルで置換されて
いてもよいアルキルを表わすか、各々の場合に炭素原子
2〜6個を有し、かつ各々の場合に随時ハロゲンで置換
されていてもよいアルケニルまたはアルキニルを表わす
か、各々の場合に炭素原子5個までを有し、かつ各々の
場合に随時ハロゲン、シアノまたはC1〜C4−アルキ
ルで置換されていてもよいアルコキシ、アルケニルオキ
シ、アルキニルオキシ、アルキルチオ、アルケニルチ
オ、アルキニルチオ、アルキルスルフィニル、アルキル
スルホニル、アルキルアミノまたはジアルキルアミノを
表わすか、各々の場合にシクロアルキル基中に炭素原子
3〜6個及び随時アルキル基中に炭素原子1〜4個を有
し、かつ随時ハロゲン、シアノまたはC1〜C4−アル
キルで置換されていてもよいシクロアルキル、シクロア
ルケニル、シクロアルキルオキシ、シクロアルケニルオ
キシ、シクロアルキルチオ、シクロアルケニルチオ、シ
クロアルキルアミノ、シクロアルケニルアミノ、シクロ
アルキルアルキルまたはシクロアルケニルアルキルを表
わすか、或いは各々の場合に随時ハロゲン、シアノ、ニ
トロ、C1〜C4−アルキル、C1〜C4−ハロゲノアル
キル、C1〜C4−アルコキシ及び/またはC1〜C4−
ハロゲノアルコキシで置換されていてもよいフェニル、
ナフチル、フェノキシ、ナフチルオキシ、フェニルチ
オ、ナフチルチオ、フェニルアミノ、ナフチルアミノ、
フェニルメチル、フェニルエチル、フェニルメトキシ、
ナフチルメトキシ、フェニルエトキシ、ナフチルエトキ
シ、フェニルメチルチオ、ナフチルメチルチオ、フェニ
ルエチルチオ、ナフチルエチルチオ、フェニルメチルア
ミノ、ナフチルメチルアミノ、フェニルエチルアミノま
たはナフチルエチルアミノを表わし、そしてR3が炭素
原子1〜6個を有し、かつ随時ハロゲン、シアノ、C1
〜C4−アルコキシ、C1〜C4−アルキルカルボニル
またはC1〜C4−アルコキシカルボニルで置換されて
いてもよいアルキルを表わすか、シクロアルキル基中に
炭素原子3〜6個及び随時アルキル部分中に炭素原子1
〜4個を有し、かつ各々の場合に随時ハロゲン、シア
ノ、カルボキシル、C1〜C4−アルキル及び/または
C1〜C4−アルコキシカルボニルで置換されていても
よいシクロアルキルまたはシクロアルキルアルキルを表
わすか、或いは各々の場合に随時ハロゲン、シアノ、カ
ルボキシル、ニトロ、アミノ、カルバモイル、C1〜C
4−アルキル、C1〜C4−ハロゲノアルキル、C1〜C
4−アルコキシ−C1〜C4−アルキル、C1〜C4−ア
ルコキシ、C1〜C4−ハロゲノアルコキシ、C1〜C4
−アルコキシ−C1〜C4−アルコキシ、C1〜C4−ア
ルキルチオ、C1〜C4−ハロゲノアルキルチオ、C1〜
C4−アルキルスルフィニル、C1〜C4−ハロゲノア
ルキルスルフィニル、C1〜C4−アルキルスルホニ
ル、C1〜C4−ハロゲノアルキルスルホニル、ジ−
(C1〜C3−アルキル)−アミノスルホニル、N−
(C1〜C3−アルコキシ)−N−(C1〜C3−アルキ
ル)−アミノスルホニル、C1〜C4−アルキルカルボ
ニル、C1〜C4−アルコキシカルボニル、C1〜C4−
ハロゲノアルコキシカルボニル、ジ−(C1〜C3−ア
ルキル)−アミノカルボニル、C1〜C2−アルコキシ
−C1〜C2−アルコキシカルボニル、C3〜C6−シク
ロアルキル、C3〜C6−シクロアルキル−メチル、C3
〜C6−シクロアルキルカルボニル、フェニルまたはフ
ェノキシで置換されていてもよいフェニル、ナフチル、
ベンジル、フェニルエチル、ピリジル、フェニルメチ
ル、ピリジルエチル、キノリル、キノリルメチル、チエ
ニル、チエニルメチル、ピラゾリルまたはピラゾリルメ
チルを表わす、請求項1に記載の式(I)のスルホニル
アミノカルボニルトリアゾリノンの製造方法。
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