JPH07201552A - フェライト焼結体、フェライトペーストおよびフェライト焼結体の製造方法 - Google Patents
フェライト焼結体、フェライトペーストおよびフェライト焼結体の製造方法Info
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- JPH07201552A JPH07201552A JP5335866A JP33586693A JPH07201552A JP H07201552 A JPH07201552 A JP H07201552A JP 5335866 A JP5335866 A JP 5335866A JP 33586693 A JP33586693 A JP 33586693A JP H07201552 A JPH07201552 A JP H07201552A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 チップインダクタとして使われ、製造容易で
周波数特性の優れたフェライト焼結体、フェライトペー
ストおよびその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 ニッケル亜鉛系フェライトを主成分とし、酸
化鉛を７０〜９５重量％含むホウ硅酸鉛系低軟化点ガラ
ス１〜１０重量％を含むフェライト層１を焼結させるこ
とにより、焼成時にガラス成分の流動によるフェライト
粒子の粒成長がスムーズに行われるため、９５０℃以下
の低温焼成でも優れた磁気特性が得られる。
周波数特性の優れたフェライト焼結体、フェライトペー
ストおよびその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 ニッケル亜鉛系フェライトを主成分とし、酸
化鉛を７０〜９５重量％含むホウ硅酸鉛系低軟化点ガラ
ス１〜１０重量％を含むフェライト層１を焼結させるこ
とにより、焼成時にガラス成分の流動によるフェライト
粒子の粒成長がスムーズに行われるため、９５０℃以下
の低温焼成でも優れた磁気特性が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チップインダクタなど
に用いられるフェライト焼結体、フェライトペーストお
よびフェライト焼結体の製造方法に関するものである。
に用いられるフェライト焼結体、フェライトペーストお
よびフェライト焼結体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】各種フェライト焼結体は、優れた磁気特
性を有しているところから磁性材料として広く用いられ
ている。特に、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃ
ｕフェライトなどのＮｉ−Ｚｎ系フェライトは、印刷法
やグリーンシート成形法による積層体を低温度焼成して
高透磁率のフェライト焼結体として用いられる。
性を有しているところから磁性材料として広く用いられ
ている。特に、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃ
ｕフェライトなどのＮｉ−Ｚｎ系フェライトは、印刷法
やグリーンシート成形法による積層体を低温度焼成して
高透磁率のフェライト焼結体として用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の構成では、９５０℃以下の低温焼成で高透磁率のフェ
ライト焼結体を得るには粒子径が０．０１〜０．１μｍ
程度の非常に微粉末のフェライト原料粉が必要である。
しかし、仮焼成後のフェライト原料粉をコンタミや粒径
ばらつきも無く短時間でサブミクロン以下に微粉砕する
のは非常に困難であった。またこのような粉砕による微
粉体は、特に活性で凝集力が強いところから印刷用のペ
ーストやグリーンシート用のスリップを得るために大き
な困難を伴っていた。
の構成では、９５０℃以下の低温焼成で高透磁率のフェ
ライト焼結体を得るには粒子径が０．０１〜０．１μｍ
程度の非常に微粉末のフェライト原料粉が必要である。
しかし、仮焼成後のフェライト原料粉をコンタミや粒径
ばらつきも無く短時間でサブミクロン以下に微粉砕する
のは非常に困難であった。またこのような粉砕による微
粉体は、特に活性で凝集力が強いところから印刷用のペ
ーストやグリーンシート用のスリップを得るために大き
な困難を伴っていた。
【０００４】また、焼結過程での粒成長のばらつきも大
きくなり、結果、フェライト焼結体の透磁率の周波数特
性の鈍りも増す傾向にある。
きくなり、結果、フェライト焼結体の透磁率の周波数特
性の鈍りも増す傾向にある。
【０００５】このように、従来のフェライト焼結体は製
造面、特性面で大きな問題点を有していた。
造面、特性面で大きな問題点を有していた。
【０００６】本発明は、前記従来の問題点を解決するも
ので、低温焼成用の製造容易で周波数特性の優れたフェ
ライト焼結体、フェライトペーストおよびフェライト焼
成体の製造方法を提供することを目的とする。
ので、低温焼成用の製造容易で周波数特性の優れたフェ
ライト焼結体、フェライトペーストおよびフェライト焼
成体の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために本発明は、ニッケル亜鉛系フェライトを主成分
とし、酸化鉛を７０〜９５重量％含むホウ硅酸鉛系低軟
化点ガラス１〜１０重量％を含むものである。
るために本発明は、ニッケル亜鉛系フェライトを主成分
とし、酸化鉛を７０〜９５重量％含むホウ硅酸鉛系低軟
化点ガラス１〜１０重量％を含むものである。
【０００８】
【作用】この構成により、焼成時にガラス成分の流動に
よるフェライト粒子の粒成長がスムーズに行われるた
め、本発明のフェライト焼結体は、９５０℃以下の低温
度焼成でも優れた磁気特性が得られる。
よるフェライト粒子の粒成長がスムーズに行われるた
め、本発明のフェライト焼結体は、９５０℃以下の低温
度焼成でも優れた磁気特性が得られる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００１０】（実施例１）図１は本発明の第１の実施例
におけるフェライト焼結体であるチップインダクタの斜
視図を示す。
におけるフェライト焼結体であるチップインダクタの斜
視図を示す。
【００１１】ニッケル亜鉛系フェライトとして、酸化ニ
ッケル（ＮｉＯ）を２０モル％、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を
２０モル％、酸化銅（ＣｕＯ）を１２モル％、酸化鉄
（Ｆｅ 2Ｏ3）を４８モル％それぞれ配合し、ボールミル
による湿式混合した後、スプレードライヤーによる乾燥
を経てフェライト原料混合粉体とした。
ッケル（ＮｉＯ）を２０モル％、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を
２０モル％、酸化銅（ＣｕＯ）を１２モル％、酸化鉄
（Ｆｅ 2Ｏ3）を４８モル％それぞれ配合し、ボールミル
による湿式混合した後、スプレードライヤーによる乾燥
を経てフェライト原料混合粉体とした。
【００１２】この混合粉体を９６０〜１２００℃の温度
にて仮焼成し、再度ボールミルにて湿式粉砕をして乾燥
し、平均粒径０．５〜１０μｍのニッケル亜鉛系フェラ
イト粉とした。このニッケル亜鉛系フェライト粉に、平
均粒径１〜５μｍで７０〜９５重量％の酸化鉛（Ｐｂ
Ｏ）、酸化ホウ素および酸化硅素からなり軟化点が３０
０〜５００℃の範囲にあるガラスフリットを加えたもの
を、所定量のエチルセルロースとテルピネオールからな
る有機ビークル中に溶解し、混練してフェライトペース
トを数種類作成した。
にて仮焼成し、再度ボールミルにて湿式粉砕をして乾燥
し、平均粒径０．５〜１０μｍのニッケル亜鉛系フェラ
イト粉とした。このニッケル亜鉛系フェライト粉に、平
均粒径１〜５μｍで７０〜９５重量％の酸化鉛（Ｐｂ
Ｏ）、酸化ホウ素および酸化硅素からなり軟化点が３０
０〜５００℃の範囲にあるガラスフリットを加えたもの
を、所定量のエチルセルロースとテルピネオールからな
る有機ビークル中に溶解し、混練してフェライトペース
トを数種類作成した。
【００１３】これらのフェライトペーストの粘度をＥ型
粘度計で測定したところ、１回転で４０００〜５０００
０ポイズ、１０回転で１０００〜６０００ポイズであり
スクリーン印刷用ペーストとして適した粘度カーブであ
った。
粘度計で測定したところ、１回転で４０００〜５０００
０ポイズ、１０回転で１０００〜６０００ポイズであり
スクリーン印刷用ペーストとして適した粘度カーブであ
った。
【００１４】ここで図２に本実施例のフェライトペース
トの代表的な粘度特性をグラフａとして示す。同図に、
比較例として本実施例の構成範囲外にあるフェライトペ
ーストの代表的な粘度特性をグラフｂとして示す。ペー
ストの非ニュートン性を表す係数として、図２中の１回
転での粘度η1と１０回転での粘度η10との比（Ｎ＝η1
／η10）について見た時、本実施例のフェライトペース
トは１．５〜８にあり、印刷に適したペーストである。
これは、フェライト粉の平均粒径が０．５〜１０μｍと
比較的大きいため、有機ヴィークル中へ容易にフェライ
ト粒子が均一分散できるからである。
トの代表的な粘度特性をグラフａとして示す。同図に、
比較例として本実施例の構成範囲外にあるフェライトペ
ーストの代表的な粘度特性をグラフｂとして示す。ペー
ストの非ニュートン性を表す係数として、図２中の１回
転での粘度η1と１０回転での粘度η10との比（Ｎ＝η1
／η10）について見た時、本実施例のフェライトペース
トは１．５〜８にあり、印刷に適したペーストである。
これは、フェライト粉の平均粒径が０．５〜１０μｍと
比較的大きいため、有機ヴィークル中へ容易にフェライ
ト粒子が均一分散できるからである。
【００１５】次に、このフェライトペーストをスクリー
ン印刷法により印刷することによりアルミナ系のセラミ
ック基板１４上にフェライト層１１を形成し、乾燥後に
この上にコイル導体１３となるパターンをＡｇ系の厚膜
導体ペーストを用いて印刷し、さらにコイル導体１３上
にフェライトペーストをスクリーン印刷することで、フ
ェライト層１１とコイル導体層１３を繰り返して積層
し、２×１mm2のチップ状の未焼成の積層体１９を得
た。
ン印刷法により印刷することによりアルミナ系のセラミ
ック基板１４上にフェライト層１１を形成し、乾燥後に
この上にコイル導体１３となるパターンをＡｇ系の厚膜
導体ペーストを用いて印刷し、さらにコイル導体１３上
にフェライトペーストをスクリーン印刷することで、フ
ェライト層１１とコイル導体層１３を繰り返して積層
し、２×１mm2のチップ状の未焼成の積層体１９を得
た。
【００１６】このように積層体１９をセラミック基板１
４上に形成した未焼成のインダクタ素子を、７５０〜９
５０℃の温度で１〜２時間焼成し、両端面にコイル導体
１３の取り出し用の端面電極対１２を設けた後、インダ
クタとしての諸特性を測定した。
４上に形成した未焼成のインダクタ素子を、７５０〜９
５０℃の温度で１〜２時間焼成し、両端面にコイル導体
１３の取り出し用の端面電極対１２を設けた後、インダ
クタとしての諸特性を測定した。
【００１７】ここで、本実施例のフェライト焼結体の効
果を明らかにするため、磁性体組成とガラス成分中のＰ
ｂＯ量が本実施例の構成範囲外にあるフェライト焼結体
数種類を比較例１として、実施例１と同様に作製し評価
した。
果を明らかにするため、磁性体組成とガラス成分中のＰ
ｂＯ量が本実施例の構成範囲外にあるフェライト焼結体
数種類を比較例１として、実施例１と同様に作製し評価
した。
【００１８】このようにして得られた実施例１と比較例
１のインダクタについて、磁性体組成中のガラス成分量
とこのガラス成分中のＰｂＯ濃度を変えたときの測定周
波数１ＭＨｚでのインダクタンス（Ｌ１）、測定周波数
１００ＭＨｚでのインピーダンス（Ｚ１００）および焼
成後の１０００個の積層体１９のセラミック基板１４に
対する接着率を（表１）に示す。
１のインダクタについて、磁性体組成中のガラス成分量
とこのガラス成分中のＰｂＯ濃度を変えたときの測定周
波数１ＭＨｚでのインダクタンス（Ｌ１）、測定周波数
１００ＭＨｚでのインピーダンス（Ｚ１００）および焼
成後の１０００個の積層体１９のセラミック基板１４に
対する接着率を（表１）に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】（表１）から、比較例１のものと比べ、本
実施例のフェライト焼結体は、インダクタンスとして優
れた特性を有する量産性の高いものであることがわか
る。
実施例のフェライト焼結体は、インダクタンスとして優
れた特性を有する量産性の高いものであることがわか
る。
【００２１】すなわち、磁性体組成中のガラス成分量
が、１重量％未満ではセラミック基板１４への接着が弱
いため完全な製品が得られず、逆に、１０重量％を越え
る量では過剰のガラス分によりフェライトの磁気的性質
が弱まり充分なインダクタンス値が得られない。従っ
て、最適なガラス成分量は、１〜１０重量％の範囲にあ
る。
が、１重量％未満ではセラミック基板１４への接着が弱
いため完全な製品が得られず、逆に、１０重量％を越え
る量では過剰のガラス分によりフェライトの磁気的性質
が弱まり充分なインダクタンス値が得られない。従っ
て、最適なガラス成分量は、１〜１０重量％の範囲にあ
る。
【００２２】また、ガラス成分中のＰｂＯ量が７０重量
％未満では、ガラス自身の軟化温度が高いため焼成時の
ガラスの流動が無くフェライト粒子の粒成長が少なく、
Ｌ１が小さい。すなわち磁気特性が劣っている。一方、
ガラス成分中のＰｂＯ量が９５重量％を越える量では焼
成時のガラス流動のタイミングが早くフェライトの粒成
長に寄与することなくセラミック基板１４に拡散し、緻
密なフェライト焼結膜が得られず、その結果、これもＬ
１が小さい。すなわち磁気特性が劣る。
％未満では、ガラス自身の軟化温度が高いため焼成時の
ガラスの流動が無くフェライト粒子の粒成長が少なく、
Ｌ１が小さい。すなわち磁気特性が劣っている。一方、
ガラス成分中のＰｂＯ量が９５重量％を越える量では焼
成時のガラス流動のタイミングが早くフェライトの粒成
長に寄与することなくセラミック基板１４に拡散し、緻
密なフェライト焼結膜が得られず、その結果、これもＬ
１が小さい。すなわち磁気特性が劣る。
【００２３】従って、ホウ硅酸鉛系ガラス中のＰｂＯの
量は、７０〜９５重量％の範囲が最適である。
量は、７０〜９５重量％の範囲が最適である。
【００２４】また、ガラスフリットの粒子サイズは、そ
の平均粒径が１μｍ未満の微粉の時はフェライト粉との
均一分散混合が難しくなるため、フェライトペーストの
粘度特性に悪影響を与え緻密な焼結体が得られない。そ
の結果（表１）の基板への接着率の項に見られるように
接着率が低い値となる。逆に５μｍより大きい平均粒径
のものは焼成温度でのガラスフリットの流動が不十分で
あるため、同様に緻密な焼結体が得られない。これも接
着率が低い値となる。
の平均粒径が１μｍ未満の微粉の時はフェライト粉との
均一分散混合が難しくなるため、フェライトペーストの
粘度特性に悪影響を与え緻密な焼結体が得られない。そ
の結果（表１）の基板への接着率の項に見られるように
接着率が低い値となる。逆に５μｍより大きい平均粒径
のものは焼成温度でのガラスフリットの流動が不十分で
あるため、同様に緻密な焼結体が得られない。これも接
着率が低い値となる。
【００２５】一般的に、ニッケル亜鉛系のフェライト粉
の平均粒径が小さいもの程、ガラスフリット量が多い方
が好ましい。比較例２としてフェライト粉とガラスフリ
ットの平均粒径が範囲外にあるペーストの非ニュートン
係数Ｎと、これを成膜して９００℃で焼成したときのフ
ェライト焼結体密度を調べ、その結果を本実施例と共に
（表２）に示す。
の平均粒径が小さいもの程、ガラスフリット量が多い方
が好ましい。比較例２としてフェライト粉とガラスフリ
ットの平均粒径が範囲外にあるペーストの非ニュートン
係数Ｎと、これを成膜して９００℃で焼成したときのフ
ェライト焼結体密度を調べ、その結果を本実施例と共に
（表２）に示す。
【００２６】
【表２】
【００２７】（表２）より焼結体密度も本実施例の方が
良く、緻密な焼結ができていることがわかる。
良く、緻密な焼結ができていることがわかる。
【００２８】さらに、図３に本実施例のインダクタの焼
成温度とインダクタンス値（Ｌ１）との代表的な関係を
グラフｃとして、、比較例２のインダクタについてはグ
ラフｄとして示す。図３から、本発明の製造方法によれ
ば、低温度の焼成でありながら優れた磁気特性（高いＬ
１値）を有したフェライト焼結体が得られることがわか
る。
成温度とインダクタンス値（Ｌ１）との代表的な関係を
グラフｃとして、、比較例２のインダクタについてはグ
ラフｄとして示す。図３から、本発明の製造方法によれ
ば、低温度の焼成でありながら優れた磁気特性（高いＬ
１値）を有したフェライト焼結体が得られることがわか
る。
【００２９】（実施例２）図４は本発明の第２の実施例
におけるフェライト焼結体であるチップインダクタの斜
視図を示す。
におけるフェライト焼結体であるチップインダクタの斜
視図を示す。
【００３０】ニッケル亜鉛系フェライトとして、酸化ニ
ッケル（ＮｉＯ）を２６モル％、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を
２６モル％、酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）を４８モル％それぞれ
配合し、実施例１と同様の手順で混合、乾燥、仮焼成、
粉砕、乾燥し、平均粒径０．５〜１０μｍのニッケル亜
鉛系フェライト粉を得た。
ッケル（ＮｉＯ）を２６モル％、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を
２６モル％、酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）を４８モル％それぞれ
配合し、実施例１と同様の手順で混合、乾燥、仮焼成、
粉砕、乾燥し、平均粒径０．５〜１０μｍのニッケル亜
鉛系フェライト粉を得た。
【００３１】このニッケル亜鉛系フェライト粉に、平均
粒径１〜５μｍの酸化鉛（ＰｂＯ）を７５〜９５重量
％、酸化ホウ素、酸化珪素および酸化アルミニウムから
なる低軟化点ガラスフリットを加えたものを、所定量の
ブチラール系樹脂（ＰＢＶ）や可塑剤とイソプロピルア
ルコールからなる有機ビークル中に溶解し、混練してフ
ェライトペーストとした。これらのフェライトペースト
の粘度をＥ型粘度系で測定したところ、非ニュートン性
（Ｎ＝η1／η10）は１．５〜３となり、グリーンシー
ト成形法に適したペーストであった。
粒径１〜５μｍの酸化鉛（ＰｂＯ）を７５〜９５重量
％、酸化ホウ素、酸化珪素および酸化アルミニウムから
なる低軟化点ガラスフリットを加えたものを、所定量の
ブチラール系樹脂（ＰＢＶ）や可塑剤とイソプロピルア
ルコールからなる有機ビークル中に溶解し、混練してフ
ェライトペーストとした。これらのフェライトペースト
の粘度をＥ型粘度系で測定したところ、非ニュートン性
（Ｎ＝η1／η10）は１．５〜３となり、グリーンシー
ト成形法に適したペーストであった。
【００３２】次に、このフェライトペーストをドクター
ブレード法によりＰＥＴフィルム上にシート状に成膜
し、乾燥し、フェライトグリーンシートを得た。
ブレード法によりＰＥＴフィルム上にシート状に成膜
し、乾燥し、フェライトグリーンシートを得た。
【００３３】さらに、フェライトグリーンシートにスル
ーホール用の小孔をあけた後、この上にコイル導体１３
のパターンをＡｇ系の厚膜導体ペーストを用いて印刷
し、ＰＥＴフィルムから剥がし、これら数枚を３．２５
ターンの螺旋導体になるように位置合わせをして熱圧着
により積層し、個片状に裁断し２×１mm2のチップ状の
未焼成の積層体を得た。この積層体を７５０〜９５０℃
の温度で１〜２時間焼成し、両端面にコイル導体１３の
取り出し用の端面電極対を設けインダクタとしての実施
例１と同様の諸特性を測定した。
ーホール用の小孔をあけた後、この上にコイル導体１３
のパターンをＡｇ系の厚膜導体ペーストを用いて印刷
し、ＰＥＴフィルムから剥がし、これら数枚を３．２５
ターンの螺旋導体になるように位置合わせをして熱圧着
により積層し、個片状に裁断し２×１mm2のチップ状の
未焼成の積層体を得た。この積層体を７５０〜９５０℃
の温度で１〜２時間焼成し、両端面にコイル導体１３の
取り出し用の端面電極対を設けインダクタとしての実施
例１と同様の諸特性を測定した。
【００３４】また、従来のフェライトペーストで造膜し
たフェライトグリーンシートと本実施例のフェライトペ
ーストを造膜して得たフェライトグリーンシートとの密
度を比較したところ本実施例によるものの方が高く、粉
体のパッキング状態も高かった。（表３）に、本実施例
のフェライト焼結体と従来のフェライト焼結体とをイン
ダクタとして評価したときの比較を示す。
たフェライトグリーンシートと本実施例のフェライトペ
ーストを造膜して得たフェライトグリーンシートとの密
度を比較したところ本実施例によるものの方が高く、粉
体のパッキング状態も高かった。（表３）に、本実施例
のフェライト焼結体と従来のフェライト焼結体とをイン
ダクタとして評価したときの比較を示す。
【００３５】
【表３】
【００３６】（表３）からも、実施例２の方がＬ１値も
高く、焼結体寸法バラツキも小さいので、実施例１と同
様に、本発明のフェライト焼結体は、優れたインダクタ
特性を有す量産性の高いものであることがわかる。
高く、焼結体寸法バラツキも小さいので、実施例１と同
様に、本発明のフェライト焼結体は、優れたインダクタ
特性を有す量産性の高いものであることがわかる。
【００３７】
【発明の効果】以上のように本発明のフェライト焼結体
は、酸化鉛を７０〜９５重量％含むホウ硅酸鉛系低軟化
点ガラス１〜１０重量％ふくむもので、９５０℃以下の
低温度焼成でも、ガラス成分の流動による焼結反応によ
って、優れた磁気特性を有している。
は、酸化鉛を７０〜９５重量％含むホウ硅酸鉛系低軟化
点ガラス１〜１０重量％ふくむもので、９５０℃以下の
低温度焼成でも、ガラス成分の流動による焼結反応によ
って、優れた磁気特性を有している。
【００３８】また本発明のフェライトペーストは、平均
粒径が０．５〜１０μｍと比較的大きいニッケル亜鉛系
フェライト粉体と、ホウ硅酸鉛ガラスフリットとを、有
機ヴィークルと共に混練したものであるため、ペースト
中の無機粉体の分散性が良い。従って、スクリーン印刷
やグリーンシート成形に適したペースト粘度特性のもの
を容易に得ることができる。さらに、本発明のフェライ
トペーストを用いて印刷あるいは造膜すれば、緻密で安
定したフェライト膜が得られる。
粒径が０．５〜１０μｍと比較的大きいニッケル亜鉛系
フェライト粉体と、ホウ硅酸鉛ガラスフリットとを、有
機ヴィークルと共に混練したものであるため、ペースト
中の無機粉体の分散性が良い。従って、スクリーン印刷
やグリーンシート成形に適したペースト粘度特性のもの
を容易に得ることができる。さらに、本発明のフェライ
トペーストを用いて印刷あるいは造膜すれば、緻密で安
定したフェライト膜が得られる。
【００３９】また本発明のフェライト焼結体の製造方法
によれば、予め９６０〜１２００℃の高温度で仮焼成し
たニッケル亜鉛系フェライトの粉体を用いたペーストを
成膜、積層し、仮焼成温度よりも低い７５０〜９５０℃
という通常フェライト粉体どうしの焼結が期待できない
このような低温度の焼成により、高温度焼成と同等の緻
密で優れた磁気特性が得られる。同時に、焼結収縮反応
が少ないため、特性バラツキが小さいフェライト焼結体
が得られる。
によれば、予め９６０〜１２００℃の高温度で仮焼成し
たニッケル亜鉛系フェライトの粉体を用いたペーストを
成膜、積層し、仮焼成温度よりも低い７５０〜９５０℃
という通常フェライト粉体どうしの焼結が期待できない
このような低温度の焼成により、高温度焼成と同等の緻
密で優れた磁気特性が得られる。同時に、焼結収縮反応
が少ないため、特性バラツキが小さいフェライト焼結体
が得られる。
【００４０】なお、実施例１では基板としてアルミナ系
のセラミック基板を用いたが、これに限らずにフェライ
ト系のセラミック基板やチタン酸塩系の高誘電率のセラ
ミック基板など他の材料系のものを用いても同様の効果
が得られることは言うまでもない。
のセラミック基板を用いたが、これに限らずにフェライ
ト系のセラミック基板やチタン酸塩系の高誘電率のセラ
ミック基板など他の材料系のものを用いても同様の効果
が得られることは言うまでもない。
【図１】本発明の第１の実施例におけるフェライト焼結
体であるチップインダクタの斜視図
体であるチップインダクタの斜視図
【図２】同実施例におけるフェライトペーストの代表的
な粘度特性カーブおよび比較例のフェライトペーストの
代表的な粘度特性カーブ特性図
な粘度特性カーブおよび比較例のフェライトペーストの
代表的な粘度特性カーブ特性図
【図３】本発明の第１の実施例および比較例のインダク
タの焼成温度とＬ１値との代表的な関係を示す図
タの焼成温度とＬ１値との代表的な関係を示す図
【図４】本発明の第２の実施例におけるフェライト焼結
体であるチップインダクタの斜視図
体であるチップインダクタの斜視図
１１ フェライト層 １２ 端面電極対 １３ コイル導体 １４ セラミック基板 １９ 積層体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 涼 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 ニッケル亜鉛系フェライトを主成分と
し、酸化鉛を７０〜９５重量％含むホウ硅酸鉛系低軟化
点ガラス１〜１０重量％を含むフェライト焼結体。 - 【請求項２】 平均粒径が０．５〜１０μｍのニッケル
亜鉛系フェライト粉体を主成分とし、平均粒径が１〜５
μｍで酸化鉛を７０〜９５重量％含むホウ硅酸鉛系低軟
化点ガラスフリット１〜１０重量％を含む磁性体組成粉
と、有機ヴィークルとを含むフェライトペースト。 - 【請求項３】 ニッケル亜鉛系フェライト形成用の酸化
物原料の混合粉体を９６０〜１２００℃で仮焼成した
後、粉砕して平均粒径が０．５〜１０μｍのニッケル亜
鉛系フェライト粉とし、このニッケル亜鉛系フェライト
粉９０〜９９重量％に対し平均粒径が１〜５μｍでかつ
酸化鉛を７０〜９５重量％含むホウ硅酸鉛系低軟化点ガ
ラスフリットを１〜１０重量％加えて磁性体組成粉と
し、この磁性体組成粉に有機ヴィークルを加え、混練し
てフェライトペーストとし、前記フェライトペーストに
より複数のフェライト層を積層して７５０〜９５０℃の
温度範囲で焼成するフェライト焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5335866A JPH07201552A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | フェライト焼結体、フェライトペーストおよびフェライト焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5335866A JPH07201552A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | フェライト焼結体、フェライトペーストおよびフェライト焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201552A true JPH07201552A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18293262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5335866A Pending JPH07201552A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | フェライト焼結体、フェライトペーストおよびフェライト焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07201552A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012028373A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Riken Corp | 電波吸収体 |
| KR101421453B1 (ko) * | 2006-07-05 | 2014-07-22 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | 적층 부품 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP5335866A patent/JPH07201552A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101421453B1 (ko) * | 2006-07-05 | 2014-07-22 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | 적층 부품 |
| JP2012028373A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Riken Corp | 電波吸収体 |
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