JPH07201096A - 円盤状記録媒体の再生方法及び再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高域でのＳ／Ｎを維持しつつ低域でのＳ／Ｎ
をも大きくし、見かけ上のＭＴＦを拡大させて信号伝達
能力を向上させる。 【構成】 光磁気ディスク１に対して再生用光学ピック
アップ２から再生光Ｌを照射し、この再生光のスポット
内の温度分布を利用して実効読み出しアパーチャを限定
して、光磁気ディスク１に記録されている情報信号を再
生する円盤状記録媒体の再生方法において、再生用光学
ピックアップ２の前方にそれぞれ参照光を照射する参照
用光学ピックアップ４ａ及び４ｂを配置し、これら参照
用光学ピックアップ４ａ及び４ｂからの参照信号Ｓａ及
びＳｂに基づいて、光磁気ディスク１に記録されている
情報ピットの空間周波数を検出し、この検出した空間周
波数と予め設定された基準空間周波数に基づいて、再生
光Ｌの光強度を可変にする、あるいは外部磁界発生装置
３から発生される外部磁界Ｈｒをオンオフ制御するフィ
ードバック回路５を設けて構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、いわゆるコンパクトデ
ィスク、相変化型光ディスク、光磁気ディスク等の円盤
状記録媒体に対して信号再生用光を照射し、この信号再
生用光のスポット内の温度分布を利用して実効読み出し
アパーチャを限定して、円盤状記録媒体に記録されてい
る情報信号を再生する円盤状記録媒体の再生方法及び再
生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、光ビームを介して情報信号の記
録再生が行われる円盤状の記録媒体（以下、単に光ディ
スクと記す）としては、いわゆるコンパクトディスクと
呼ばれる再生専用型の光ディスクと、再生のみならず情
報信号の記録及び消去が可能な記録可能型の光ディスク
がある。

【０００３】再生専用型の光ディスクは、記録された情
報信号に基づいて凹凸パターン、即ち位相ピットが同心
円もしくは螺旋状に形成されたトラックが一方の面に形
成されている。具体的には、光透過性を有するポリカー
ボネートやＰＭＭＡ等のような合成樹脂材料ディスク基
板と、このディスク基板の一方の面に形成された位相ピ
ットを被覆するように形成されたＡｌやＡｕ等の金属か
らなる反射膜と、この反射膜を保護することを目的とし
て上記反射膜を被覆するように形成された保護層とによ
り形成されている。

【０００４】これに対して、上記記録可能型の光ディス
クには、垂直磁気記録材料を用いた光磁気ディスク等が
知られている。

【０００５】この光磁気ディスクは、光ビームをガイド
するための案内溝が一方の面に形成され、光透過性を有
するポリカーボネートやＰＭＭＡ等のような合成樹脂材
料ディスク基板と、上記案内溝を覆うように形成された
Ｔｅ、Ｆｅ、Ｃｏ等の垂直磁気記録材料からなる記録層
と、この記録層を保護することを目的として上記記録層
を被覆するように形成された保護層とにより形成されて
いる。

【０００６】これらの光ディスクを再生する方法は、前
者の再生専用型の光ディスクの場合には、レーザ光源か
らの光ビームをディスク基板側より、対物レンズで集束
した状態で照射し、この光ディスクの位相ピットにより
変調された反射光束を例えばフォトディテクターにより
検出し、上記反射光束の光量に応じた信号レベルを有す
る検出信号に変換することにより、再生専用型の光ディ
スクに記録された情報信号の再生信号を得るようにして
いる。

【０００７】また、後者の記録可能型の光ディスク（特
に、光磁気ディスク）の場合には、上記再生専用型の光
ディスクと同様にして、レーザ光源からの光ビームをデ
ィスク基板側より、対物レンズで集束した状態で照射
し、光ディスクの記録層によって変調された反射光束中
のカー回転角を検出することによって、光磁気ディスク
に記録された情報信号の再生信号を得るようにしてい
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記再生専
用型の光ディスクや上記記録可能型の光ディスクにおい
て、その記録密度を上げるには、記録ピットの微小化を
図ることになるが、この場合、その再生時の解像度は、
その読出し光の波長λと対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．に
よって決まる。

【０００９】このような制約を越えて解像度の向上を図
った光ディスクとして、読出し光のスポット内の温度分
布を利用し、これによって実効読み出しアパーチャを限
定するようにして記録密度を向上させた再生専用型の光
ディスク及び記録可能型の光ディスクが提案されている
（例えば特開平１−１４３０４２号公報，特開平１−２
３３６０１号公報，特開平３−９７１４０号公報参
照）。

【００１０】この再生専用型の光ディスクとしては、位
相ピットの高密度形成を達成することができる相変化型
再生専用光ディスクであり、この光ディスクは、表面に
位相ピットが形成された透明基板上に、相変化材料膜を
形成することにより構成されている。

【００１１】一方、記録密度の向上を図った記録可能型
の光ディスクとしては、少なくとも互いに磁気的に結合
される再生磁性膜と記録磁性膜からなる多層膜を記録層
とし、かつ上記出射光束の照射及び外部磁界の印加によ
り、上記出射光束のスポット内において部分的に上記再
生磁性膜の磁化の向きが外部磁界の方向あるいは記録磁
性膜の磁化の向きに倣う構成を有するものが提案されて
いる。

【００１２】そして、上記光ディスクに対して高Ｓ／Ｎ
で再生する場合、上記再生専用型相変化光ディスクにお
いては、出力の大きい光源にて光強度の大きい読み出し
光にて再生する（以下、ＰＳＲ再生と記す）ことが必要
であり、また、上記再生磁性層と記録磁性層を有する光
磁気ディスクにおいては、外部磁界を印加しながら再生
する（以下、ＭＳＲ再生と記す）ことが必要となる。

【００１３】しかしながら、上記ＭＳＲ再生が採用され
る光磁気ディスクにおいては、一般に、解像限界内（以
下、低域と記す）のＳ／Ｎが低下してしまう傾向にあ
る。その原因としては、読出し光の有効部分が減るため
に信号レベルが減少してしまうにも拘らず、雑音レベル
の減少が少ないことが挙げられる。

【００１４】仮に、雑音レベルを抑圧できたとしても、
図２２に示すように、通常再生時における再生信号振幅
の伝達関数（以下、ＭＴＦと記す）を信号列の空間周波
数で積分したものとＭＳＲ再生時におけるそれはほぼ同
程度となる。これは、信号伝達の潜在能力は、通常再生
でもＭＳＲ再生でも現状の光学系では変わらないことを
意味する。

【００１５】また、ＰＳＲ再生が採用される光ディスク
においても、図２３に示すように、ＰＳＲ再生時での低
域（空間周波数〜１．５［１／μｍ］付近）のＣＮＲ
（搬送波信号対雑音比）は、現状では通常再生時よりも
３ｄＢほど低く、しかも光強度の大きい読出し光を使用
するため、信頼性に関して問題が生じるおそれがある。

【００１６】このように、ＭＳＲ再生においても、ＰＳ
Ｒ再生においても、低域でＳ／Ｎが悪くなる、あるいは
ＭＴＦの値が小さくなるということは、その光ディスク
での信号伝達能力は、通常再生時とほとんど変化しない
ということを意味し、換言すれば、解像限界以上（以
下、高域と記す）のＳ／Ｎが向上したことを相殺してし
まうことを意味する。

【００１７】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところは、高域でのＳ／Ｎを維持
しつつ低域でのＳ／Ｎをも大きくし、見かけ上のＭＴＦ
を拡大させて信号伝達能力を向上させることができる円
盤状記録媒体の再生方法及び再生装置を提供することに
ある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明は、円盤状記録媒
体１（又は１０１）に対して信号再生用光Ｌを照射し、
信号再生用光ＬのスポットＳＰ内の温度分布を利用して
実効読み出しアパーチャを限定して、円盤状記録媒体１
（又は１０１）に記録されている情報信号を再生する円
盤状記録媒体の再生方法において、信号再生用光Ｌの前
方に少なくとも１本の参照光を照射させ、この参照光の
円盤状記録媒体１（又は１０１）からの反射光に基づく
参照信号Ｓａ（及びＳｂ）から円盤状記録媒体１（又は
１０１）に記録されている情報ピットＰの空間周波数を
検出し、この検出した空間周波数に基づいて、実効読み
出しアパーチャを限定させるための上記信号再生用光Ｌ
の光強度、あるいは外部磁界Ｈｒの磁界強度、あるいは
その両方を可変させて、上記情報信号の再生を行なう。

【００１９】また、本発明は、円盤状記録媒体１（又は
１０１）に対して信号再生用光Ｌを照射し、この信号再
生用光ＬのスポットＳＰ内の温度分布を利用して実効読
み出しアパーチャを限定して、円盤状記録媒体１（又は
１０１）に記録されている情報信号を再生する円盤状記
録媒体の再生装置において、信号再生用光Ｌの前方に少
なくとも１本の参照光を照射させる参照光照射手段２あ
るいは４ａ（及び４ｂ）と、参照光の円盤状記録媒体１
（又は１０１）からの反射光を電気信号に変換して参照
信号Ｓａ（及びＳｂ）を得る参照信号検出手段（例えば
フォトディテクタ４３ａ及び４３ｂと演算回路５０から
なる信号検出系）と、この参照検出手段４からの参照信
号Ｓａ（及び４３ｂ）に基づいて、円盤状記録媒体１
（又は１０１）に記録されている情報ピットＰの空間周
波数を検出する空間周波数検出手段６１と、この空間周
波数検出手段６１からの空間周波数情報Ｓｃに基づい
て、実効読み出しアパーチャを限定させるための上記信
号再生用光Ｌの光強度、あるいは外部磁界Ｈｒの磁界強
度、あるいはその両方を可変にする可変手段６２ａ及び
６２ｂとを設けて構成する。

【００２０】この場合、上記参照光として、信号再生用
光Ｌの光源４１とは別の独立した光源からの光を用いる
ようにしてもよく、また、信号再生用光Ｌの光路中に配
置された光回折手段８１にて作成された分離光Ｌ（１）
を用いるようにしてもよい。

【００２１】また、上記参照光として、信号再生用光Ｌ
の光源４１とは別の独立した光源からの光と、信号再生
用光Ｌの光路中に配置された光回折手段８１にて作成さ
れた分離光Ｌ（０）を用いるようにしてもよい。

【００２２】

【作用】本発明に係る円盤状記録媒体の再生方法におい
ては、円盤状記録媒体１（又は１０１）に対して信号再
生用光Ｌを照射する。このとき、信号再生用光Ｌのスポ
ットＳＰ内の温度分布の違いにより実効読み出しアパー
チャが限定され、この限定された実効読み出しアパーチ
ャーを通して、円盤状記録媒体１（又は１０１）に記録
されている情報信号が再生されることになる。

【００２３】このとき、信号再生用光Ｌの前方に少なく
とも１本の参照光を円盤状記録媒体１（又は１０１）に
照射し、この参照光の円盤状記録媒体１（又は１０１）
からの反射光に基づく参照信号Ｓａ（及びＳｂ）から円
盤状記録媒体１（又は１０１）に記録されている情報ピ
ットＰの空間周波数を検出する。

【００２４】そして、上記検出した空間周波数に基づい
て、実効読み出しアパーチャを限定させるための上記信
号再生用光Ｌの光強度、あるいは外部磁界Ｈｒの磁界強
度、あるいはその両方を可変させて、上記情報信号の再
生を行なう。

【００２５】即ち、実効読み出しアパーチャを限定させ
るための上記信号再生用光Ｌの光強度、あるいは外部磁
界Ｈｒの磁界強度、あるいはその両方を可変させること
により、実効読み出しアパーチャーの限定が有効になっ
たり、あるいは無効になったりすることとなる。

【００２６】この場合、外部磁界Ｈｒを印加しながら実
効読み出しアパーチャーを限定して再生を行なうＭＳＲ
再生方式においては、信号再生用光Ｌの光強度あるいは
外部磁界Ｈｒの磁界強度あるいはその両方を可変するこ
とによって実効読み出しアパーチャの限定を有効とした
場合は、上記ＭＳＲ再生方式が実行され、無効とした場
合は通常再生が実行されることになる。

【００２７】一方、大きい光強度を有する信号再生用光
Ｌを照射することにより実効読み出しアパーチャーを限
定して再生を行なうＰＳＲ再生の両再生方式において
は、信号再生用光Ｌの光強度を可変することによって実
効読み出しアパーチャの限定を有効とした場合は、上記
ＰＳＲ再生方式が実行され、無効とした場合は通常再生
が実行されることになる。

【００２８】そして、それぞれＭＳＲ再生方式及びＰＳ
Ｒ再生方式での各Ｓ／Ｎが低下する時点の空間周波数
（基準空間周波数）を予め設定し、ＭＳＲ再生方式に対
しては、現在の空間周波数が上記設定された空間周波数
よりも低域のとき、ＭＳＲ再生からＳ／Ｎが良好な通常
再生に切換え、反対に現在の空間周波数が上記設定され
た空間周波数よりも高域のとき、ＭＳＲ再生を維持、あ
るいは通常再生からＳ／Ｎが良好なＭＳＲ再生に切換え
ることが可能となる。

【００２９】また、ＰＳＲ再生方式に対しても同様であ
り、現在の空間周波数が上記設定された空間周波数より
も低域のとき、ＰＳＲ再生からＳ／Ｎが良好な通常再生
に切換え、反対に現在の空間周波数が上記設定された空
間周波数よりも高域のとき、ＰＳＲ再生を維持、あるい
は通常再生からＳ／Ｎが良好なＰＳＲ再生に切換えるこ
とが可能となる。

【００３０】このように、本発明に係る円盤状記録媒体
の再生方法においては、現在の空間周波数に基づいて、
その空間周波数において高Ｓ／Ｎで再生が可能な再生方
式を選択することが可能となり、低域から高域にわたる
全空間周波数に対して高Ｓ／Ｎで情報信号の再生を行な
うことができる。

【００３１】また、本発明に係る円盤状記録媒体の再生
装置においては、円盤状記録媒体１（又は１０１）に対
して信号再生用光Ｌが照射される。このとき、信号再生
用光ＬのスポットＳＰ内の温度分布の違いにより実効読
み出しアパーチャが限定され、この限定された実効読み
出しアパーチャーを通して、円盤状記録媒体１（又は１
０１）に記録されている情報信号が再生されることにな
る。

【００３２】このとき、参照光照射手段２あるいは４ａ
（及び４ｂ）にて、信号再生用光Ｌの前方に少なくとも
１本の参照光が円盤状記録媒体１（又は１０１）に照射
される。この参照光の円盤状記録媒体１（又は１０１）
からの反射光は、参照信号検出手段（例えばフォトディ
テクタ４３ａ及び４３ｂと演算回路５０からなる信号検
出系）にて電気信号に変換されて参照信号Ｓａ（及びＳ
ｂ）として取り出される。そして、空間周波数検出手段
６１において、上記参照信号検出手段からの参照信号Ｓ
ａ（及びＳｂ）に基づいて、円盤状記録媒体１（又は１
０１）に記録されている情報ピットＰの空間周波数が検
出され、可変手段６２ａ及び６２ｂにて、上記空間周波
数検出手段６１からの空間周波数情報Ｓｃに基づいて、
実効読み出しアパーチャを限定させるための上記信号再
生用光Ｌの光強度、あるいは外部磁界Ｈｒの磁界強度、
あるいはその両方が可変されることになる。

【００３３】即ち、上記可変手段６２ａ及び６２ｂに
て、実効読み出しアパーチャを限定させるための上記信
号再生用光Ｌの光強度、あるいは外部磁界Ｈｒの磁界強
度、あるいはその両方を可変させることにより、実効読
み出しアパーチャーの限定が有効になったり、あるいは
無効になったりすることとなる。

【００３４】従って、この場合も上記発明に係る円盤状
記録媒体の再生方法と同様に、ＭＳＲ再生方式において
は、現在の空間周波数が低域のとき、ＭＳＲ再生からＳ
／Ｎが良好な通常再生に切換え、反対に現在の空間周波
数が高域のとき、ＭＳＲ再生を維持、あるいは通常再生
からＳ／Ｎが良好なＭＳＲ再生に切換えることが可能と
なる。

【００３５】また、ＰＳＲ再生方式においても、現在の
空間周波数が低域のとき、ＰＳＲ再生からＳ／Ｎが良好
な通常再生に切換え、反対に現在の空間周波数が高域の
とき、ＰＳＲ再生を維持、あるいは通常再生からＳ／Ｎ
が良好なＰＳＲ再生に切換えることが可能となる。

【００３６】このように、本発明に係る円盤状記録媒体
の再生装置においても、現在の空間周波数に基づいて、
その空間周波数において高Ｓ／Ｎで再生が可能な再生方
式を選択することが可能となり、低域から高域にわたる
全空間周波数に対して高Ｓ／Ｎで情報信号の再生を行な
うことができる。

【００３７】また、参照光として、上記信号再生用光Ｌ
の光源４１とは別の独立した光源からの光を用いるよう
にした場合においては、円盤状記録媒体１（又は１０
１）に対して信号再生用光Ｌと参照光とを十分離間させ
た位置に照射することができ、外部磁界Ｈｒの磁界強度
を可変させる場合において、その可変に伴う磁界強度変
化の過渡段階を過ぎた段階において信号再生用光Ｌにて
情報信号を読み出すことが可能となり、情報信号のＭＴ
Ｆ値の劣化を回避することができる。

【００３８】また、参照光として、信号再生用光Ｌの光
路中に配置された光回折手段８１にて作成された分離光
Ｌ（１）を用いるようにした場合においては、参照光と
信号再生用光Ｌの光学系（光源４１を含む）として同一
のものが使用でき、構造の簡略化を実現させることがで
きる。

【００３９】

【実施例】以下、本発明に係る円盤状記録媒体の再生方
法を実現させた円盤状記録媒体の再生装置のいくつかの
実施例を図１〜図２１を参照しながら説明する。

【００４０】まず、第１実施例に係る再生装置は、図１
に示すように、光磁気ディスク１を例えばＣＡＶ（角速
度一定）又はＣＬＶ（線速度一定）にて回転駆動する図
示しないスピンドルモータと、光磁気ディスク１に対し
て再生光を照射して、その反射光から該光磁気ディスク
１に記録されている情報信号の再生を行う再生用光学ピ
ックアップ２と、光磁気ディスク１を挟んで再生用光学
ピックアップ２と対向する位置に配され、上記再生用光
学ピックアップ２と連動する外部磁界発生装置３を有す
る。この外部磁界発生装置３は、光磁気ディスク１に対
して再生用外部磁界を印加する装置である。

【００４１】また、この再生装置は、上記構成部材のほ
か、再生用光学ピックアップ２の前方に配され、光磁気
ディスク１に対して参照光を照射し、その照射に伴う反
射光を電気信号に変換してそれぞれ参照信号として出力
する２つの参照用光学ピックアップ（第１及び第２の参
照用光学ピックアップ４ａ及び４ｂ）と、これら参照用
光学ピックアップ４ａ及び４ｂからの参照信号Ｓａ及び
Ｓｂに基づいて、再生用光学ピックアップ２あるいは外
部磁界発生装置３を制御することにより、再生光の光強
度もしくは再生用外部磁界の磁界強度を変化させるフィ
ードバック回路５を有して構成されている。

【００４２】第１の参照用光学ピックアップ４ａと第２
の参照用光学ピックアップ４ｂとの離間距離は、この光
磁気ディスク１の回転駆動のタイミングとして使用され
る基準クロックのパルス幅を基準として、そのｍ倍（ｍ
は正の整数）のクロック幅で決定される時間幅に相当す
る距離となっており、図示の例では、第１の参照用光学
ピックアップ４ａが再生用光学ピックアップ２から最も
離れた位置に配されたかたちとなっている。また、再生
用光学ピックアップ２と第２の参照用光学ピックアップ
４ｂとの離間距離も、上記と同様に、上記基準クロック
のパルス幅を基として、そのｎ倍（ｎは正の整数であ
り、ｎ＝ｍも有り得る）のクロック幅で決定される時間
幅に相当する距離となっている。

【００４３】ここで、上記再生装置に装着される光磁気
ディスク１について、図３〜図５を参照しながら説明す
る。

【００４４】この光磁気ディスク１は、図３にその断面
を示すように、透明基板１１上に誘電体膜２２、光磁気
記録層２３が順次積層されて構成されている。誘電体膜
２２は、耐食性の向上や多重反射によるカー回転角の増
大（カー効果エンハンスメント）を目的として形成され
るものであり、この誘電体膜２２の材料としては、例え
ばＳｉ₃ Ｎ₄ ，ＡｌＮ等の窒化物，ＳｉＯ₂ ，Ａｌ₂ Ｏ
₃ 等の酸化物，ＡｌＳｉＮＯ等が挙げられるが、酸素及
び水分子を透過させず、酸素を含まない物質で且 つ使
用レーザ光を十分透過し得る物質が望ましく、窒化珪素
あるいは窒化アルミ ニウム等が好適である。

【００４５】上記光磁気記録層２３は、磁気的に結合す
る複数の垂直磁化膜（基本的には記録磁性層と再生磁性
層の２層膜）によって構成される。ここでの磁気的結合
は、交換結合、あるいは垂直磁化膜及び同士の間にＳｉ
Ｏ₂ 等の非磁性膜を介在させて静磁結合とする場合があ
る。

【００４６】また、上記記録磁性層は、磁化反転により
情報信号に対応した微小記録ピットパターンを形成し、
記録保持しておくものであり、上記再生磁性層は、光ビ
ームのスポット内において、ある温度Ｔ以上となった高
温領域の記録ピットをマスクし、検出されないようにす
るためのものである。

【００４７】この光磁気ディスク１において、例えば光
ビームのスポット内においてある温度Ｔ以上となった高
温領域の記録ピットがマスクされる光磁気記録層２３
は、再生磁性層２４，記録磁性層２５及び再生磁性層２
４と記録磁性層２５の間に挿入され、高温領域において
キュリー温度を越えて上記再生磁性層２４と記録磁性層
２５の磁気的結合を切断する切断層２６とが互いに交換
結合することによって構成される。すなわち、透明基板
２１側から再生磁性層２４，切断層２６，記録磁性層２
５の順である。なお、記録磁性層上には、例えばＳｉＮ
等からなる保護膜２７が形成される。

【００４８】上記光ビームのスポット内においてある温
度Ｔ以上となった高温領域の記録ピットがマスクされる
光磁気記録層２３を有する光磁気ディスク１に対して情
報信号を光学的に読み出すＭＳＲ再生方式の原理を図５
に基づいて説明する。

【００４９】まず、上記記録磁性層２５には、図５Ａに
示すように、ｆ＝λ／２ＮＡ以下のピット周期で微小記
録ピットが任意のパターンで形成されているとする。初
期状態においては、記録磁性層２５の磁化の向きが再生
磁性層２４に転写され、再生磁性層２４にもこの記録ピ
ットパターンに対応するピットパターンが形成されてい
る。

【００５０】この状態の光磁気記録層２３から情報信号
の再生を行うには、図５Ｂに示すように、光ビームＬを
照射すると同時に再生用磁界Ｈｒを印加する。即ち、図
中、矢印Ｄ方向に回転する光磁気ディスク１に光ビーム
Ｌを照射すると、図５Ａに示すように、ある温度Ｔ以上
の高温領域３１がスポットＳＰ中央付近から後方にかけ
て楕円状に尾を引く形で形成され、それ以外の三日月部
分が低温領域３２となる。

【００５１】このときの光磁気記録層２３の磁化状態
は、図５Ｂに示すように、高温領域３１においては再生
磁性層２４の保磁力Ｈｃが非常に小さくなるとともに、
切断層２６がキュリー温度に達し、これにより記録磁性
層２５と再生磁性層２４の交換結合力が０に近づいて磁
気的結合が切断される。

【００５２】そして、以下の（１）式で示す条件が満足
したところで再生磁性層２４の磁化の向きが、記録磁性
層２５の磁化の向きとは無関係に外部から印加される再
生用磁界Ｈｒの向きに揃った状態となる。ここでは、磁
化の向きは図中下向きに揃えられている。 Ｈｒ＞Ｈｃ＋σｗ／２Ｍｓｈ …………（１） Ｈｒ：再生用磁界 Ｈｃ：再生磁性層２４の保磁力 σｗ／２Ｍｓｈ：再生磁性層２４に働く交換力と等価な
磁界（σｗ：再生磁性層２４と再生磁性層２４に接する
磁性層との層間に生ずる界面磁壁エネルギー，Ｍｓ：再
生磁性層２４の飽和磁化，ｈ：再生磁性層２４の膜厚）

【００５３】一方、低温領域３２では、以下の（２）式
で示す条件が満たされ、再生磁性層２４の磁化の向きが
記録磁性層２５から転写された磁化の向きに保持されて
いる。 Ｈｒ＜Ｈｃ＋σｗ／２Ｍｓｈ …………（２）

【００５４】スポットＳＰ内の記録ピットＰは、このよ
うな磁化状態となされた再生磁性層２４の磁気光学効果
によって光ビームＬの偏光面が例えばカー回転した回転
角によって検出される。この場合、高温領域３１の記録
ピットＰａは再生磁性層２４の磁化の向きが一方向に揃
っていることに起因して、いわゆるマスクされたのと等
価な状態となり、低温領域３２の記録ピットＰｂのみ
が、高温領域３１の記録ピットＰａの影響を受けること
なく検出されることとなる。

【００５５】即ち、ＭＳＲ再生方式は、上記光磁気ディ
スク１に対してある一定の再生磁界Ｈｒを印加した状態
で、光ビームＬの光強度を通常再生よりも比較的高い強
度に設定して再生を行なう方式であることがわかる。従
って、通常再生方式は、光ビームＬの光強度をＭＳＲ再
生方式と同等にした場合は、再生磁界Ｈｒを印加しない
状態で行なわれ、反対に再生磁界Ｈｒを印加する場合
は、光ビームＬの光強度を低くした状態で行なわれる。
上記２つの参照用光学ピックアップ４ａ及び４ｂは、光
磁気ディスク１に対して常時通常再生方式で情報信号を
再生するようになっている。

【００５６】次に、本実施例に係る記録再生装置の具体
的構成について図１，図２及び図６を参照しながら説明
する。

【００５７】まず、再生用光学ピックアップ２並びに第
１及び第２の参照用光学ピックアップ４ａ及び４ｂ（総
称して、単に光学ピックアップと記す）は、図２に示す
ように、例えば図示しないリニアモータ及びガイド軸を
主体とする既知の光ヘッド用スライド機構によって、光
磁気ディスク１の径方向に移動自在とされている。

【００５８】この光学ピックアップには、半導体レーザ
にて構成されたレーザ光源４１からの光ビームＬを光磁
気ディスク１上に集光する対物レンズ４２が配設されて
いる。この対物レンズ４２は、図示しない二次元アクチ
ェータによって、光磁気ディスク１の接離方向及び光磁
気ディスク１の径方向にそれぞれ僅かに移動する。この
二次元アクチュエータは、例えばフォーカス・コイル、
トラッキング・コイル及びマグネット（共に図示せず）
からなる磁気回路を有する。

【００５９】そして、この光学ピックアップは、上記レ
ーザ光源４１，対物レンズ４２及び光磁気ディスク１上
で反射した戻り光ビームＬｒを検出して、その光量に応
じた電流レベル又は電圧レベルの電気信号（検出信号）
に変換する２つフォトディテクタ（第１のフォトディテ
クタ４３ａ及び第２のフォトディテクタ４３ｂ）等を含
む光学系の全体が、１個のユニットとして構成され、上
記光ヘッド用移動手段によって光磁気ディスク１の径方
向に沿って移動するようになっている。

【００６０】この光学系には、上記光学部品のほかに、
レーザ光源４１から出射された光ビームＬを平行光にす
るコリメータレンズ４４と、レーザ光源４１からの光ビ
ームＬと光磁気ディスク１からの戻り光ビームＬｒとを
分離するビームスプリッタ４５が配設されている。この
ビームスプリッタ４５は、その端面に、該ビームスプリ
ッタ４５の境界面４５ａにて反射された戻り光ビームＬ
ｒをフォトディテクタ４３ａ及び４３ｂ側に導く全反射
ミラー膜４５ｂが形成されている。

【００６１】また、上記戻り光ビームＬｒの光路中にお
いては、この戻り光ビームＬｒの偏光方向を４５°回転
させる１／２波長板４６と、この１／２波長板４６から
の戻り光ビームＬｒをＰ偏光とＳ偏光に分離する偏光ビ
ームスプリッタ４７が配設されている。この偏光ビーム
スプリッタ４７の境界面４７ａにて反射された一方の偏
光（例えばＳ偏光）は第２のフォトディテクタ４３ｂに
入射され、上記境界面４７ａを透過した他方の偏光（例
えばＰ偏光）は、第１のフォトディテクタ４３ａに入射
される。

【００６２】更に、上記１／２波長板４６と偏光ビーム
スプリッタ４７間の光路中には、戻り光ビームＬｒを収
束させる結像レンズ４８と、戻り光ビームＬｒの焦点距
離の調整と非点収差を発生させるためのシリンドリカル
・レンズ及び凹レンズで構成されるマルチレンズ４９が
配設されている。

【００６３】上記第１及び第２のフォトディテクタ４３
ａ及び４３ｂの後段には、これらフォトディテクタ４３
ａ及び４３ｂからの検出信号Ｓ１及びＳ２に基づいて所
定の演算を行なうことにより、光磁気ディスク１に記録
されている情報信号Ｓを得る演算回路５０が接続されて
いる。

【００６４】また、ビームスプリッタ４５の全反射ミラ
ー膜４５ｂとは反対側に、レーザ光源４１からの光ビー
ムＬ（ここでは、Ｐ偏光とする）の一部（ビームスプリ
ッタ４５の境界面４５ａにて反射した光成分）を検出
し、その光成分の光量に応じた出力レベル（電流レベル
又は電圧レベル）の電気信号（検出信号）Ｓ３に変換す
るフォトディテクタ５１が配設されている。本実施例で
は、上記ビームスプリッタ４５の特性を、例えば、Ｐ偏
光の透過率：ＴＰ＝８０％、Ｓ偏光の反射率：ＲＳ＝１
００％としているため、ビームスプリッタ４５に入射す
るレーザ光源４１からの光ビームＬのうち、その２０％
が境界面４５ａにて反射されて、上記フォトディテクタ
５１に入射されることになる。なお、ビームスプリッタ
４５と上記フォトディテクタ５１間には、ビームスプリ
ッタ４５の境界面４５ａにて反射した上記光成分を収束
させる結像レンズ５２が配設されている。

【００６５】このフォトディテクタ５１からの検出信号
Ｓ３は、光強度制御回路（一般的にＡＰＣ回路と称され
ている。従って、以下、この光強度制御回路をＡＰＣ回
路として記す）５３に供給される。このＡＰＣ回路５３
は、上記フォトディテクタ５１からの検出信号Ｓ３に基
づいて、レーザ光源４１からの光ビームＬの光強度が、
図１で示すフィードバック回路５から入力される光強度
設定信号Ｓ４に示される値になるように、かつレーザ光
源４１が安定に発振するようにレーザ光源４１の出力を
制御する。

【００６６】一方、フィードバック回路５は、図６に示
すように、第１及び第２の参照用光学ピックアップ４ａ
及び４ｂから供給された２つの参照信号Ｓａ及びＳｂに
基づいて制御信号Ｓｃを生成する制御信号生成回路６１
と、この制御信号生成回路６１からの制御信号Ｓｃに基
づいて外部磁界発生装置３を制御する第１の制御回路６
２ａと、上記制御信号生成回路６１からの制御信号Ｓｃ
に基づいてＡＰＣ回路５３を制御して再生用光学ピック
アップ２から出射されるレーザ光Ｌの光強度を可変にす
る第２の制御回路６２ｂとを有する。

【００６７】上記制御信号生成回路６１と第１及び第２
の制御回路６２ａ及び６２ｂの間には、外部から入力端
子φ３を介して供給される選択信号Ｓｓに基づいて、制
御信号生成回路６１からの制御信号Ｓｃを第１の制御回
路６２ａ又は第２の制御回路６２ｂに選択的に切り換え
るスイッチング回路６３が挿入接続されている。

【００６８】上記制御信号生成回路６１は、一方の入力
端子φ１に供給された第１の参照用光学ピックアップ４
ａからの参照信号Ｓａを遅延させる第１の遅延回路６４
と、この第１の遅延回路６４からの参照信号Ｓａと他方
の入力端子φ２に供給された第２の参照用光学ピックア
ップ４ｂからの参照信号Ｓｂとの平均をとる平均化回路
６５と、この平均化回路６５からの平均化信号Ｓｖを所
定のゲインにて増幅する増幅器６６と、この増幅器６６
からの平均化信号Ｓｖが−端子に入力され、参照電圧Ｖ
ｔｈが＋端子に入力されて、これら平均化信号Ｓｖの電
圧レベルと参照電圧レベルＶｔｈとを比較して制御信号
Ｓｃとして出力するコンパレータ６７と、このコンパレ
ータ６７からの制御信号Ｓｃを遅延させる第２の遅延回
路６８を有して構成されている。

【００６９】第１の制御回路６２ａは、外部磁界発生装
置３の入力側に接続された可動接点６９ｃと、外部磁界
発生装置３内の励磁コイル７０に駆動電流Ｉを流すため
の電源７１が接続された第１の固定接点６９ａと、ＧＮ
Ｄに接地された第２の固定接点６９ｂとで構成され、制
御信号生成回路６１からの制御信号Ｓｃの信号レベルが
例えば高レベルのとき、可動接点６９ｃと第１の固定接
点６９ａが電気的に接続され、上記制御信号Ｓｃの信号
レベルが低レベルのとき、可動接点６９ｃと第２の固定
接点６９ｂとが電気的に接続されるようになっている。

【００７０】第２の制御回路６２ｂは、ＡＰＣ回路５３
の入力側に接続された可動接点７２ｃと、第１の光強度
設定電圧Ｖ１が印加された第１の固定接点７２ａと、第
２の光強度設定電圧Ｖ２が印加された第２の固定接点７
２ｂとで構成され、この場合も、制御信号生成回路６１
からの制御信号Ｓｃの信号レベルが例えば高レベルのと
き、可動接点７２ｃと第１の固定接点７２ａが電気的に
接続され、上記制御信号６１の信号レベルが低レベルの
とき、可動接点７２ｃと第２の固定接点７２ｂとが電気
的に接続されるようになっている。

【００７１】スイッチング回路６３は、第２の遅延回路
６８の出力側に接続された可動接点７３ｃと、第１の制
御回路６２ａの入力側に接続された第１の固定接点７３
ａと、第２の制御回路６２ｂの入力側に接続された第２
の固定接点７３ｂとで構成され、入力端子φ３に供給さ
れる選択信号Ｓｓが、外部磁界発生装置３を制御するこ
とを意味する信号であるとき（例えばその信号レベルが
例えば高レベルのとき）、可動接点７３ｃと第１の固定
接点７３ａが電気的に接続され、上記選択信号Ｓｓが、
再生用光学ピックアップ２から出射される光強度を可変
することを意味する信号であるとき（例えばその信号レ
ベルが例えば低レベルのとき）、可動接点７３ｃと第２
の固定接点７３ｂとが電気的に接続されるようになって
いる。

【００７２】ここで、上記第１の遅延回路６４は、上記
基準クロックのパルス幅単位に遅延を行なう回路であ
り、その遅延時間ｔ１は、上記第１及び第２の参照用光
学ピックアップ４ａ及び４ｂの離間距離に相当する分の
時間幅（上記パルス幅のｍ倍）となっている。また、第
２の遅延回路６８も、上記基準クロックのパルス幅単位
に遅延を行なう回路となっており、その遅延時間ｔ２
は、第２の参照用光学ピックアップ４ｂと再生用光学ピ
ックアップ２の離間距離に相当する分の時間幅（上記パ
ルス幅のｎ倍）から数パルス幅分差し引いた時間幅とな
っている。上記数パルス幅分の時間幅は、励磁コイル７
０に駆動電流を流し始めて一定の磁界強度になるまでの
過渡時間と、第２の制御回路６２ｂにて選択された設定
電圧Ｖ１又はＶ２で示す光強度でレーザ光が安定に出力
されるまでの過渡時間を考慮して決定される。

【００７３】なお、図示しないが、２つの参照用光学ピ
ックアップ４ａ及び４ｂにおける各ＡＰＣ回路５３に
は、このフォードバック回路５から一定の設定電圧が供
給されるようになっている。従って、上記２つの参照用
光学ピックアップ４ａ及び４ｂからは常時一定の光強度
を有するレーザ光が出力されることになる。

【００７４】一方、コンパレータ６７の＋端子に印加さ
れる参照電圧Ｖｔｈは、以下のようにして決定される。

【００７５】即ち、図４に示すように、トラックＴに沿
って配列される多数のピットＰの各ピット長Ｌｐ１及び
Ｌｐ２にて決定される空間周波数に基づいて、その低域
から高域にわたる全空間周波数に対するＭＳＲ再生時及
び通常再生時の各ＣＮＲの特性を知ることから始まる。

【００７６】そして、ＭＳＲ再生方式でのＣＮＲ特性曲
線と通常再生でのＣＮＲ特性曲線の交点に対応する空間
周波数（以下、基準空間周波数と記す）を抽出し、この
基準空間周波数に対応したピット長を有するピットを参
照用光学ピックアップにて検出したときの参照信号を増
幅器のゲインに応じた増幅度にて増幅した後の電圧レベ
ルをＶｔｈとする。

【００７７】具体的に数値を示しながら説明すると、例
えば外部磁界発生装置３にて、光磁気ディスク１に対し
て垂直方向に上向き又は下向きに５００［Ｏｅ］を印加
し、再生用光学ピックアップ２から出射されるレーザ光
Ｌの光強度を３．０［ｍＷ］としてＭＳＲ再生方式で情
報信号を再生したときの搬送波信号の信号レベル、雑音
レベル及びＣＮＲは図７で示す特性となり、外部磁界発
生装置３による外部磁界Ｈｒの発生を停止して通常再生
を行なった場合の搬送波信号の信号レベル、雑音レベル
及びＣＮＲは、図８で示す特性となった。この結果、上
記基準空間周波数としては、０．８［１／μｍ］が選ば
れることになる。

【００７８】次に、上記フィードバック回路５の信号処
理をこの再生装置の動作と共に図９のタイミングチャー
トも参照しながら説明する。

【００７９】いま、光磁気ディスク１が図示しないスピ
ンドルモータによってＣＡＶ又はＣＬＶにて回転駆動さ
れ、再生用光学ピックアップ２にて所定のトラックＴに
関する情報信号を再生している状態にあるとき、まず、
再生用光学ピックアップ２の前方に配された第１及び第
２の参照用光学ピックアップ４ａ及び４ｂからそれぞれ
参照信号Ｓａ及びＳｂが出力され、それぞれフィードバ
ック回路５に入力される。

【００８０】そして、一方の入力端子φ１に入力された
第１の参照用光学ピックアップ４ａからの参照信号Ｓａ
は、第１の遅延回路６４にて所定時間遅延され、更に次
段の平均化回路６５にて、他方の入力端子φ２に入力さ
れた第２の参照用光学ピックアップ４ｂからの参照信号
Ｓｂと平均化される。

【００８１】第１の遅延回路６４での遅延時間ｔ１は、
上述したように、第１及び第２の参照用光学ピックアッ
プ４ａ及び４ｂの離間距離に相当する分の時間幅となっ
ているため、平均化回路６５に入力される各参照信号Ｓ
ａ及びＳｂは、それぞれ同一箇所のピットを再生した信
号となる。従って、この平均化回路６５から出力される
平均化信号Ｓｖは、２つの参照信号Ｓａ及びＳｂの各信
号レベルを加算し、更に１／２にした信号となるため、
高Ｓ／Ｎの信号となる。

【００８２】なお、上記例では２つの参照信号Ｓａ及び
Ｓｂを平均化した例を示したが、その他２つの信号Ｓａ
及びＳｂの加算をとるようにしてもよい。この場合、上
記参照電圧Ｖｔｈの設定は、上記基準空間周波数に対応
したピット長を有するピットを例えば第１の参照用光学
ピックアップ４ａにて検出したときの参照信号Ｓａの信
号レベルを２倍にした信号とし、更にこの信号を増幅器
のゲインに応じた増幅度にて増幅した後の電圧レベルを
上記参照電圧Ｖｔｈとする。

【００８３】上記平均化回路６５からの平均化信号Ｓｖ
は、後段の増幅器６６にて所定のゲインで増幅される。
この増幅器６６にて増幅された平均化信号Ｓｖは、後段
のコンパレータ６７における−端子に入力され、該コン
パレータ６７にて＋端子に供給されている参照電圧Ｖｔ
ｈと比較される。

【００８４】ところで、第１及び第２の参照用光学ピッ
クアップ４ａ及び４ｂは、常時通常再生方式で情報信号
（ピット列）を再生することから、図４で示す短いピッ
ト長Ｌｐ２を有する（即ち、空間周波数が高い）ピット
列を再生した場合、その再生信号波形（及び平均化信号
波形）は、非常に信号レベルの低いものとなる。反対に
長いピット長Ｌｐ１を有する（即ち、空間周波数が低
い）ピット列を再生した場合は、信号レベルの高い信号
波形となる。

【００８５】従って、上記コンパレータ６７での比較
は、今回、第１及び第２の参照用光学ピックアップ４ａ
及び４ｂが検出したピットのピット長で決定される空間
周波数と、上記基準空間周波数との比較であり、上記平
均化信号Ｓｖの信号レベルが参照電圧Ｖｔｈよりも低い
場合、今回の空間周波数が基準空間周波数よりも高いこ
とを示し、このコンパレータ６７からは信号レベルが正
である制御信号Ｓｃが出力される。反対に、平均化信号
Ｓｖの信号レベルが参照電圧Ｖｔｈよりも高い場合、今
回の空間周波数が基準周波数よりも低いことを示し、こ
のコンパレータ６７からは信号レベルが負である制御信
号Ｓｃが出力される。

【００８６】そして、上記コンパレータ６７から出力さ
れた制御信号Ｓｃは、後段の第２の遅延回路６８にて所
定時間遅延される。この遅延時間ｔ２は、上述したよう
に、第２の参照用光学ピックアップ４ｂと再生用光学ピ
ックアップ２の離間距離に相当する分の時間幅から数パ
ルス幅分差し引いた時間幅となっているため、この第２
の遅延回路６８から今回の制御信号Ｓｃが出力される段
階においては、今回の制御信号Ｓｃの出力に関わる位
置、即ち、今回第２の参照光学ピックアップ４ｂにて検
出したピットの位置の直前にちょうど再生用光学ピック
アップ２が位置することになる。

【００８７】上記第２の遅延回路６８から出力された制
御信号Ｓｃは、スイッチング回路６３を介して第１の制
御回路６２ａに入力され、上記制御信号Ｓｃの極性に応
じて外部磁界発生装置３が制御される。即ち、制御信号
Ｓｃの極性が正であるとき（即ち、空間周波数が高域に
あるとき）、第１の制御回路６２ａにおける可動接点６
９ｃと第１の固定接点６９ａとが電気的に接続されて、
電源７１からの駆動電流Ｉが外部磁界発生装置３内の励
磁コイル７０に供給されることになる。これによって、
光磁気ディスク１に対して垂直方向に上向き又は下向き
の外部磁界（再生磁界）Ｈｒが印加される。つまり、こ
の場合、再生用光学ピックアップ２から出射されるレー
ザ光Ｌの光強度が一定であることから、再生用光学ピッ
クアップ２と対向するピットがＭＳＲ再生方式にて再生
されることになる。

【００８８】一方、制御信号Ｓｃの極性が負である場合
（即ち、空間周波数が低域にある場合）は、第１の制御
回路６２ａにおける可動接点６９ｃと第２の固定接点６
９ｂとが電気的に接続されて、外部磁界発生装置３内の
励磁コイル７０の両端電位が接地電位となって、これに
よって、外部磁界発生装置３による外部磁界Ｈｒの印加
が停止されることになり、再生用光学ピックアップ２と
対向するピットが通常再生方式にて再生されることにな
る。

【００８９】このように、再生用光学ピックアップ２か
ら出射されるレーザ光Ｌの光強度を一定した状態におい
て、上記基準空間周波数に対して低域となるピット長Ｌ
ｐ１を有するピット列に対しては、外部磁界Ｈｒの発生
を停止して通常再生を行い、基準空間周波数に対して高
域となるピット長Ｌｐ２を有するピット列に対しては、
外部磁界Ｈｒを発生させてＭＳＲ再生を行うようにした
ので、図１０において太い実線で示すように、低域に対
しては通常再生時のＭＴＦ値を得ることができ、高域に
対してはＭＳＲ再生時のＭＴＦ値を得ることができる。

【００９０】具体的に、例えば外部磁界発生装置３に
て、光磁気ディスク１に対して垂直方向に上向き又は下
向きに５００［Ｏｅ］を印加し、再生用光学ピックアッ
プ２から出射されるレーザ光Ｌの光強度を３．０［ｍ
Ｗ］として、低域に対して通常再生方式で情報信号を再
生し、高域に対してＭＳＲ再生方式で情報信号を再生し
た場合の搬送波信号の信号レベル、雑音レベル及びＣＮ
Ｒは、図１１で示す特性となる。この特性からもわかる
ように、基準空間周波数（０．８［１／μｍ］）に対し
て低域においては、通常再生時における高ＣＮＲの特性
が現れ、基準空間周波数に対して高域においては、ＭＳ
Ｒ再生時における高ＣＮＲの特性が現れ、これらの特性
が基準周波数を境に切り換わった特性となっている。

【００９１】従って、図１２の曲線ａに示すように、全
空間周波数に対してＭＳＲ再生方式を採用した場合（曲
線ｃで示す）と比べて、特に基準空間周波数に対して低
域でのＣＮＲの向上を実現させることができる。

【００９２】次に、外部磁界発生装置３にて一定の外部
磁界を印加した状態で、今度は再生用光学ピックアップ
２から出射されるレーザ光Ｌの光強度を可変にして、通
常再生及びＭＳＲ再生を切り換えた変形例について説明
する。なお、制御信号生成回路６１の動作は上記外部磁
界Ｈｒを可変にした例と同じであるため、その重複説明
を省略する。

【００９３】この変形例においては、まず、スイッチン
グ回路６３に対して第２の制御回路６２ｂを選択するた
めの選択信号（例えば低レベル信号）を入力端子φ３を
通して供給する。この選択信号Ｓｓの供給によって、ス
イッチング回路６３における可動接点７３ａと第２の固
定接点７３ｂとが電気的に接続され、第２の制御回路６
２ｂが選択されることになる。

【００９４】そして、上記制御信号生成回路６１からの
制御信号Ｓｃがスイッチング回路６３を介して第２の制
御回路６２ｂに供給され、この制御信号Ｓｃの極性に応
じた光強度設定信号Ｓ４がＡＰＣ回路５３に供給されて
該ＡＰＣ回路５３が制御される。即ち、制御信号Ｓｃの
極性が正であるとき（即ち、空間周波数が高域にあると
き）、第２の制御回路６２ｂにおける可動接点７２ｃと
第１の固定接点７２ａとが電気的に接続されて、第１の
光強度設定電圧Ｖ１が選択され、該電圧Ｖ１が光強度設
定信号Ｓ４としてＡＰＣ回路５３に供給されることにな
る。

【００９５】ＡＰＣ回路５３は、再生用光学ピックアッ
プ２のレーザ光源４１から出力されるレーザ光Ｌの光強
度が、第２の制御回路６２ｂから供給された光強度設定
信号Ｓ４の電圧レベルに応じた光強度になるようにフィ
ードバック制御する。この場合、レーザ光源４１は、該
レーザ光源４１から出射されるレーザ光Ｌの光強度が、
第１の光強度設定電圧Ｖ１に応じた光強度となるように
制御される。そして、外部磁界発生装置３から一定の磁
界強度を有する外部磁界（再生磁界）Ｈｒが発生してい
ることから、再生用光学ピックアップ２と対向するピッ
トがＭＳＲ再生方式にて再生されることになる。この実
施例においては、上記第１の光強度設定電圧Ｖ１は、レ
ーザ光Ｌの光強度が３．０［ｍＷ］となる電圧値に設定
される。

【００９６】一方、制御信号Ｓｃの極性が負であるとき
（即ち、空間周波数が低域にあるとき）、第２の制御回
路６２ｂにおける可動接点７２ｃと第２の固定接点７２
ｂとが電気的に接続されて、今度は第２の光強度設定電
圧Ｖ２が選択され、該電圧Ｖ２が光強度設定信号Ｓ４と
してＡＰＣ回路５３に供給されることになる。このと
き、レーザ光源４１は、ＡＰＣ回路５３によって、該レ
ーザ光源４１から出射されるレーザ光Ｌの光強度が、第
２の光強度設定電圧Ｖ２に応じた光強度となるように制
御され、再生用光学ピックアップ２と対向するピットが
通常再生方式にて再生されることになる。この実施例に
おいては、上記第２の光強度設定電圧Ｖ２は、レーザ光
Ｌの光強度が２．０［ｍＷ］となる電圧値に設定され
る。

【００９７】このように、外部磁界発生装置３にて発生
される外部磁界（再生磁界）Ｈｒの磁界強度を一定した
状態において、上記基準空間周波数に対して低域となる
ピット長Ｌｐ１を有するピット列に対しては、第２の光
強度設定電圧Ｖ２に応じた光強度のレーザ光Ｌを光磁気
ディスク１に照射して通常再生を行い、基準空間周波数
に対して高域となるピット長Ｌｐ２を有するピット列に
対しては、第１の光強度設定電圧Ｖ１に応じた光強度の
レーザ光Ｌを光磁気ディスク１に照射してＭＳＲ再生を
行うようにしたので、図１０において太い実線で示すよ
うに、高域に対しては通常再生時のＭＴＦ値を得ること
ができ、低域に対してはＭＳＲ再生時のＭＴＦ値を得る
ことができる。

【００９８】具体的に、例えば外部磁界発生装置３に
て、光磁気ディスク１に対して垂直方向に上向き又は下
向きに一定の磁界５００［Ｏｅ］を印加し、再生用光学
ピックアップ２から出射されるレーザ光Ｌの光強度を
２．０［ｍＷ］としたときの搬送波信号の信号レベル、
雑音レベル及びＣＮＲは、図１３で示す特性となり、上
記条件でレーザ光Ｌの光強度を３．０［ｍＷ］としたと
きの搬送波信号の信号レベル、雑音レベル及びＣＮＲ
は、図７で示す特性となる。

【００９９】従って、低域に対して通常再生方式（光強
度＝２．０［ｍＷ］）で情報信号を再生し、高域に対し
てＭＳＲ再生方式（光強度＝３．０［ｍＷ］）で情報信
号を再生した場合の搬送波信号の信号レベル、雑音レベ
ル及びＣＮＲは、図１４で示す特性となり、この特性か
らもわかるように、基準空間周波数（０．８［１／μ
ｍ］）に対して低域においては、通常再生時における高
ＣＮＲの特性が現れ、基準空間周波数に対して高域にお
いては、ＰＳＲ再生時における高ＣＮＲの特性が現れ、
これらの特性が基準周波数を境に切り換わった特性とな
っている。

【０１００】このことから、図１２の曲線ｂに示すよう
に、上記外部磁界Ｈｒの印加を有効／無効に可変（再生
磁界変調）して通常再生及びＭＳＲ再生を選択的に切り
換える場合（曲線ａで示す）と同様に、全空間周波数に
対してＭＳＲ再生方式を採用した場合（曲線ｃで示す）
と比べて、特に基準空間周波数に対して低域でのＣＮＲ
の向上を実現させることができる。

【０１０１】このように、上記第１実施例及びその変形
例に係る再生装置においては、現在の空間周波数に基づ
いて、その空間周波数において高Ｓ／Ｎで再生が可能な
再生方式を選択することが可能となり、低域から高域に
わたる全空間周波数に対して高Ｓ／Ｎで情報信号の再生
を行なうことができる。

【０１０２】しかも、フィードバック回路５の制御信号
生成回路６１において、第１の参照用光学ピックアップ
４ａからの参照信号Ｓａと第２の参照用光学ピックアッ
プ４ｂからの参照信号Ｓｂを平均化して生成された平均
化信号Ｓｖに基づいて制御信号Ｓｃを作成するようにし
たので、高Ｓ／Ｎの制御信号Ｓｃを得ることができ、外
部磁界発生装置３及びＡＰＣ回路５３に対して信頼性の
高い制御を行なうことができる。

【０１０３】また、第１及び第２の参照用光学ピックア
ップと再生用光学ピックアップとをそれぞれ独立した光
学系にて構成するようにしたので、光磁気ディスク１に
対して再生光Ｌと参照光とを十分離間させた位置に照射
することができ、外部磁界発生装置３から発生される外
部磁界Ｈｒを可変にする場合において、その可変に伴う
磁界強度変化の過渡段階を過ぎた段階において再生光Ｌ
にて情報信号を読み出すことが可能となり、情報信号の
ＭＴＦ値の劣化を回避することができる。

【０１０４】次に、第２実施例に係る再生装置について
図１５及び図１６を参照しながら説明する。なお、図１
と対応するものについては同符号を記し、その重複説明
を省略する。

【０１０５】この第２実施例に係る再生装置は、図１５
に示すように、上記第１実施例に係る再生装置とほぼ同
じ構成を有するが、再生用光学ピックアップ２と参照用
光学ピックアップ４が１つの光学ピックアップ２で兼用
されている点で異なる。

【０１０６】即ち、この光学ピックアップ２の光学系
は、図２に示す第１実施例に係る再生用光学ピックアッ
プ２の光学系に位相回折格子８１が挿入されて構成され
ている。具体的には、図２において、括弧書きで示すよ
うに、レーザ光源４１から出射されるレーザ光Ｌの光路
中、コリメータレンズ４４とビームスプリッタ４５間に
上記位相回折格子８１が配されてこの光学系が構成され
ている。

【０１０７】この位相回折格子８１は、図１６に示すよ
うに、レーザ光源４１から出射されたレーザ光Ｌを少な
くとも３本の光束成分（０次回折光Ｌ（０），＋１次回
折光Ｌ（１），−１次回折光Ｌ（−１））に分離する。
これら３本の光束成分Ｌ（０），Ｌ（１）及びＬ（−
１）は、光磁気ディスク１に照射されて、０次回折光Ｌ
（０）が再生光として使用され、この０次回折光Ｌ
（０）よりも前方に位置される例えば＋１次回折光Ｌ
（１）が参照光として使用される。

【０１０８】そして、フィードバック回路５の構成は、
上記参照光Ｌ（１）が１種類であることから、第１実施
例に係るフィードバック回路５の制御信号生成回路６１
における増幅器６６の前段に接続されている第１の遅延
回路６４及び平均化回路６５が省略されることになる。
従って、参照光Ｌ（１）の光磁気ディスク１への照射に
伴って検出される参照信号Ｓａは、入力端子φ１を介し
て直接増幅器６６に入力されることになる。

【０１０９】ところで、上記再生光Ｌ（０）と参照光Ｌ
（１）は、位相回折格子８１にて分離された光束成分で
あることからその離間幅は非常に小さいものとなる。従
って、コンパレータ６７の後段に接続された第２の遅延
回路６８での遅延時間ｔ２は、上記基準クロックの数パ
ルス幅分に設定されるか、あるいはこの第２の遅延回路
６８自体を除いて、その遅延時間ｔ２が０に設定され
る。

【０１１０】この第２実施例に係る再生装置の動作は、
まず、再生磁界変調で行なう場合は、第１の制御回路を
通して外部磁界発生装置を制御することにより、基準空
間周波数に対して低域の空間周波数を有するピット列に
対しては、外部磁界の発生を停止して通常再生を行い、
基準空間周波数に対して高域の空間周波数を有するピッ
ト列に対しては、外部磁界を発生させてＭＳＲ再生を行
う。

【０１１１】次に、光強度変調で行なう場合は、一方、
今度は第２の制御回路を通して再生用光学ピックアップ
２のＡＰＣ回路５３に光強度設定信号Ｓ４を出力して再
生用光学ピックアップ２を制御することにより、基準空
間周波数に対して低域の空間周波数を有するピット列に
対しては、再生用光学ピックアップ２から出射されるレ
ーザ光Ｌを第２の光強度設定電圧Ｖ２に応じた光強度に
して通常再生を行い、基準空間周波数に対して高域の空
間周波数を有するピット列に対しては、再生用光学ピッ
クアップ２から出射されるレーザ光Ｌを第１の光強度設
定電圧Ｖ１に応じた光強度にしてＭＳＲ再生を行う。

【０１１２】従って、この第２実施例に係る再生装置に
おいても、上記第１実施例に係る再生装置と同様の効果
を得ることができるほか、再生光Ｌ（０）と参照光Ｌ
（１）の光学系（光源４１を含む）を１つの光学系にて
兼用することができるため、この再生装置の光学系の構
造の簡略化並びに装置自体の小型化を実現させることが
できる。

【０１１３】次に、第３実施例に係る再生装置について
図１７を参照しながら説明する。なお、図１及び図１５
と対応するものについては同符号を記す。

【０１１４】この第３実施例に係る再生装置は、図示す
るように、上記第１実施例に係る再生装置と第２実施例
に係る再生装置を複合した構成を有する。

【０１１５】即ち、その特徴的な構成は、第１実施例に
係る再生装置における例えば第１の参照用光学ピックア
ップ４ａと、第２実施例に係る再生装置における再生用
光学ピックアップ２が配され、第１実施例に係るフィー
ドバック回路５と同一構成のフィードバック回路５が設
置されている点である。そのほかの構成は、第１実施例
に係る再生装置とほぼ同一の構成となっている。

【０１１６】そして、上記参照用光学ピックアップ４ａ
からの参照信号と、再生用光学ピックアップ２からの＋
１次回折光Ｌ（１）による参照信号が、それぞれ第１及
び第２の参照信号Ｓａ及びＳｂとしてフィードバック回
路５に供給されるように配線接続されている。これら参
照信号Ｓａ及びＳｂは、フィードバック回路５の各入力
端子φ１及びφ２に供給される。一方の入力端子φ１に
供給された第１の参照信号Ｓａは、後段の第１の遅延回
路６４にて所定時間遅延され、更に次段の平均化回路６
５にて、他方の入力端子φ２に入力された第２の参照信
号Ｓｂと平均化される。そして、この平均化信号Ｓｖ
は、第１実施例の場合と同様に、増幅器６６及びコンパ
レータ６７並びに第２の遅延回路６８を通して制御信号
Ｓｃとして出力されることになる。その後の動作につい
ては、第１実施例と同様であるため、その説明は省略す
る。

【０１１７】なお、フィードバック回路５の第１の遅延
回路６４は、その遅延時間ｔ１が参照用光学ピックアッ
プ４ａと再生用光学ピックアップ２との離間距離にほぼ
相当する分の時間幅（上記基準クロックにおけるパルス
幅のほぼｎ倍）となっている。第２の遅延回路６８は、
上記第２実施例の場合と同様に、その遅延時間ｔ２が基
準クロックの数パルス幅分に設定されるか、あるいはこ
の第２の遅延回路６８自体を除いて、その遅延時間ｔ２
が０に設定される。

【０１１８】この第３実施例に係る再生装置において
は、上記第１実施例に係る再生装置と同様の効果を得る
ことができるほか、第１実施例に係る第２の参照用光学
ピックアップ４ｂを再生用光学ピックアップ２にて兼用
したものと等価になるため、第１実施例に係る再生装置
よりもその構造を簡略化することが可能となる。しか
も、フィードバック回路５の制御信号生成回路６１にお
いて、参照用光学ピックアップ４ａからの第１の参照信
号Ｓａと再生用光学ピックアップ２からの第２の参照信
号Ｓｂを平均化して生成された平均化信号Ｓｖに基づい
て制御信号Ｓｃを作成するようにしたので、高Ｓ／Ｎの
制御信号Ｓｃを得ることができ、外部磁界発生装置３及
びＡＰＣ回路５３に対して信頼性の高い制御を行なうこ
とができる。

【０１１９】次に、第４実施例に係る再生装置について
図１８を参照しながら説明する。なお、図１と対応する
ものについては同符号を記す。

【０１２０】この第４実施例に係る再生装置は、図示す
るように、上記第１実施例に係る再生装置とほぼ同一の
構成を有するが、外部磁界発生装置３の構成が、ハード
ディスク装置等に搭載されている磁気ヘッド装置（いわ
ゆるフライングヘッド）と同様に、図示しない支軸を回
動中心としたアーム９１の先端に例えばジンバルばねを
介して外部磁界発生手段（励磁コイル等）９２を設けた
回動型のアクチュエータを用いている点で異なる。

【０１２１】この場合、上記第１実施例に係る再生装置
と同様に、現在の空間周波数に基づいて、その空間周波
数において高Ｓ／Ｎで再生が可能な再生方式を選択する
ことが可能となり、低域から高域にわたる全空間周波数
に対して高Ｓ／Ｎで情報信号の再生を行なうことができ
る。

【０１２２】しかも、フィードバック回路５の制御信号
生成回路６１において、第１の参照用光学ピックアップ
４ａからの参照信号Ｓａと第２の参照用光学ピックアッ
プ４ｂからの参照信号Ｓｂを平均化して生成された平均
化信号Ｓｖに基づいて制御信号Ｓｃが作成されるため、
高Ｓ／Ｎの制御信号Ｓｃを得ることができ、外部磁界発
生装置３及びＡＰＣ回路５３に対して信頼性の高い制御
を行なうことができる。

【０１２３】上記第１〜第４実施例に係る再生装置にお
いては、光磁気ディスク１に対して外部磁界発生装置３
から再生磁界Ｈｒを印加し、光ビームＬのスポットＳＰ
内においてある温度Ｔ以上となった高温領域の記録ピッ
トＰａをマスクして低温領域のピットＰｂを検出するい
わゆる消滅型ＭＳＲ再生方式を採用した例を主体に説明
したが、その他、外部磁界発生装置３にて初期磁界Ｈｉ
及び再生磁界Ｈｒを発生させて、光ビームＬのスポット
ＳＰ内においてある温度Ｔ以下となった低温領域の記録
ピットＰｂをマスクして高温領域のピットＰａを検出す
るいわゆる浮き出し型ＭＳＲ再生方式を採用することも
可能である。

【０１２４】また、上記第１〜第４の実施例において、
その対象となる光ディスクとして、上記光磁気ディスク
１のほかに、相変化型光ディスク１０１に対しても適用
させることができる。この場合、再生磁界を発生させな
い状態で、レーザ光の光強度を大きくして再生を行なう
ＰＳＲ再生方式と、再生磁界を発生させない状態で、レ
ーザ光の光強度を小さくして再生を行なう通常再生方式
とを基準空間周波数を境に選択的に切り換えることによ
って行なわれる。

【０１２５】この相変化型光ディスク１０１は、図１９
にその断面を示すように、一主面に位相ピットＰが形成
された円盤状のガラス基板あるいはポリカーボネート基
板等からなる透明基板１０２上に、溶融後、結晶化し得
る相変化材料膜１０３を含む積層膜１０４が形成されて
構成されている。この相変化材料膜１０３を含む積層膜
１０４は、透明基板１０２側から順に第１の誘電体膜１
０５、相変化材料膜１０３、第２の誘電体膜１０６、光
反射膜１０７及び第３の誘電体膜１０８が順次積層され
て構成され、第１、第２及び第３の誘電体膜１０５、１
０６及び１０８によって、この相変化型光ディスク１０
１の光学的特性、例えば光反射率等の設定が行われる構
成となっている。また、透明基板１０２には、記録トラ
ックに沿って、トラッキング制御用の案内溝（図示せ
ず）が形成されている。

【０１２６】上記相変化材料膜１０３は、Ｓｂ₂ Ｓ
ｅ₃ ，Ｓｂ₂ Ｔｅ₃ ，Ｓｅ，Ｔｅ，ＢｉＴｅ，ｉＳｅ，
Ｉｎ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｉｎ−ＳｂＳｅ，Ｉｎ
−Ｓｅ−Ｔｌ， Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ｔｅから選
ばれる少なくとも１種であり、この実施例 では、上記
相変化材料膜１０３として、厚さ２０ｎｍのＧｅ−Ｔｅ
−Ｓｂを被着 形成した。

【０１２７】上記第１、第２及び第３の誘電体膜１０
５、１０６及び１０８は、ＡｌＮ，Ｓｉ₃ Ｎ₄ ，ＳｉＯ
₂ ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＺｎＳ，ＭｇＦ₂ から選ばれる膜であ
り、この実施例では、第１の誘電体膜１０５として、厚
さ１００ｎｍのＺｎＳ／ＳｉＯ ₂ を被着形成し、第２の
誘電体膜１０６として、厚さ７０ｎｍのＺｎＳ／ＳｉＯ
₂ を被着形成し、第３の誘電体膜１０８として、厚さ４
００ｎｍのＺｎＳ／ＳｉＯ₂ を被着形成した。

【０１２８】一方、位相ピットＰは、トラックピッチが
１．６μｍ、ピット深さが約１２０ｎｍ、ピット長が
０．３μｍの設定条件で形成してある。ここで、図２０
に示すように、読み出し光である光ビームＬのスポット
ＳＰと比較した場合、スポットＳＰ内に位相ピットＰが
２つ入る程度に高密度に形成され、この相変化型光ディ
スク１Ａは、記録容量が大幅に増大されたものとなって
いる。

【０１２９】ところで、相変化材料膜１０３は、一般
に、照射される光ビームＬの出力とそのパルス幅によっ
て、以下に示すような状態変化を行う（図２１参照）。
即ち、光ビームＬを照射しても、相変化材料膜１０３
は、溶融せず初期状態を保持したまま結晶化状態である
場合（以下、非溶融状態と記す）、光ビームＬを照射し
ている間は、溶融して液相化状態になっているが、光ビ
ームＬが通過した後、その冷却によって固相化したとき
に再び結晶化状態に戻る場合（以下、溶融結晶化状態と
記す）、及び光ビームＬが通過した後、その冷却によっ
て固相に変化したときに、非晶質、即ちアモルファス状
態に変化する場合（以下、溶融非晶質化状態と記す）が
ある。

【０１３０】ここで、説明の便宜上、上記３種類の状態
変化に対応する光ビームＬの出力とパルス幅の範囲（領
域）を以下のように定義する。まず、相変化材料膜１０
３が非溶融状態となる光ビームＬの出力とパルス幅の範
囲を非溶融領域Ａ、相変化材料膜１０３が溶融結晶化状
態となる光ビームＬの出力とパルス幅の範囲を溶融結晶
化領域Ｂ、及び相変化材料膜１０３が溶融非晶質化状態
となる光ビームＬの出力とパルス幅の範囲を溶融結晶化
領域Ｃとする。

【０１３１】次に、上記相変化型光ディスク１０１に記
録されている情報信号を光学的に読み出すＰＳＲ再生方
式の原理を以下に説明する。

【０１３２】この相変化型光ディスク１０１に対して
は、光ビームＬの出力が上記溶融結晶化領域Ｂの範囲に
設定される。そして、光ビームＬの走査スポットＳＰ内
での光強度は、図２０に示すように、ほぼガウス分布に
準じた強度分布になる（破線Ａ参照）。また、上記光ビ
ームＬの照射による相変化材料膜１０３の温度分布は、
走査スポットＳＰの中心から、光ビームＬの走査速度に
対応した距離分、走査方向に対して遅れた位置にピーク
を有する分布となる（実線Ｂ参照）。

【０１３３】いま、走査スポットＳＰ内に例えば２つの
位相ピットＰが含まれる程度に位相ピットＰ間のピッチ
が狭いとする。また、走査されるスポットＳＰに最初に
進入する位相ピットＰを先頭ピットＰａ、次に進入する
位相ピットＰを次段ピットＰｂとして定義する。そし
て、走査スポットＳＰが先頭ピットＰａ上を動くとき、
その先頭ピットＰａ上の相変化材料膜１０３は、次第に
温度が上昇するが、その相変化材料膜１０３が液相化す
る温度に到達する前にその先頭ピットＰａが光学的に読
み出される。

【０１３４】その後、走査スポットＳＰがその走査によ
って次段ピットＰｂにかかると、その次段ピットＰｂ上
の相変化材料膜１０３の温度が上昇する。しかし、その
温度上昇は、次段ピットＰｂ上の相変化材料膜１０３が
液相化するまでには至らない。一方、同一走査スポット
ＳＰ内にある先頭ピットＰａは、その上の相変化材料膜
１０３が走査スポットＳＰによる光照射が続いているこ
とから、その温度が更に上昇し、その相変化材料膜１０
３が液相化することになる。

【０１３５】従って、この場合、先頭ピットＰａ上の相
変化材料膜１０３は、その液相化によって例えば光反射
率が低下し、走査スポットＳＰによる先頭ピットＰａの
光学的な読み出しが不可能となり、この走査スポットＳ
Ｐによる光学的読出しは、次段ピットＰｂに対してのみ
可能となる。

【０１３６】即ち、この相変化型光ディスク１０１に対
する情報信号の読み出しにあたっては、その光ビームＬ
の光ディスク１０１との相対移動による光ディスク１０
１における走査スポットＳＰ内での温度分布を利用し
て、そのスポットＳＰ内に生じる高温領域Ｐｘで部分的
に相変化材料膜１０３に液相状態を発生させ、これによ
り、例えばその部分Ｐｘの光反射率を低下させて、例え
ば液相状態部分Ｐｘ内にある位相ピットＰａに対しての
光学的読み出しを不能にする。

【０１３７】つまり、走査スポットＳＰ内の一部に、位
相ピットＰを光学的に消滅させる領域Ｐｘを形成して、
等価的に走査スポットＳＰの有効領域Ｐｚの面積を小さ
くする。その結果、位相ピットＰの配列ピッチを走査ス
ポットＳＰの径よりも小さくすることが可能となり、位
相ピットＰの高密度形成が達成できることとなる。な
お、この走査スポットＳＰが通過した後、先頭ピットＰ
ａ及び次段ピットＰｂ上の相変化材料膜１０３は、その
通過後の冷却によって結晶化状態に戻る。

【０１３８】このように、上記相変化型光ディスク１０
１に対するＰＳＲ再生方式においては、相変化型光ディ
スク１０１に対して、光強度が溶融結晶化領域Ｂの範囲
に設定されたレーザ光Ｌを照射して再生を行なう方式で
あることがわかる。従って、通常再生方式は、レーザ光
Ｌの光強度を上記領域Ｂよりも低い非溶融領域Ａの範囲
に設定して再生が行なわれる。

【０１３９】そして、第１〜第４実施例に係る再生装置
において、上記相変化型光ディスク１０１を対象とした
構成にする場合は、それぞれ外部磁界発生装置３を取り
除き、更にフィードバック回路５から第１の制御回路６
２ａ及びスイッチング回路６３を取り去って制御信号生
成回路６１からの制御信号Ｓｃを直接第２の制御回路６
２ｂに供給できるように配線接続して構成される。な
お、この第２の制御回路６２ｂにおいて、第１の光強度
設定電圧Ｖ１は、レーザ光Ｌの光強度が溶融結晶化領域
Ｂの範囲となる電圧値に設定され、第２の光強度設定電
圧Ｖ２は、レーザ光Ｌの光強度が非溶融領域Ａの範囲と
なる電圧値に設定される。

【０１４０】また、再生用光学ピックアップ２並びに参
照用光学ピックアップ４ａ及び４ｂの各光学ピックアッ
プにおける光学系の構成は、相変化型光ディスク１０１
の情報信号が位相ピットＰの有／無に応じたものになる
ことから、戻り光ビームＬｒをＰ偏光成分とＳ偏光成分
に分離するための光学部品（この場合、１／２波長板４
６，偏光ビームスプリッタ４７）は必要なくなり、それ
に伴って、第２のフォトディテクタ４３ｂも不要とな
る。従って、演算回路５０に入力される検出信号として
は、第１のフォトディテクタ４３ａからの検出信号Ｓ１
のみとなる。

【０１４１】そして、この相変化型光ディスク１０１を
対象とした場合においても、予め設定された基準空間周
波数に対して低域となるピット長を有するピット配列に
対しては、第２の光強度設定電圧Ｖ２に応じた光強度
（非溶融領域Ａの範囲）のレーザ光Ｌが相変化型光ディ
スク１０１に照射されて通常再生が行われ、基準空間周
波数に対して高域となるピット長を有するピット配列に
対しては、第１の光強度設定電圧Ｖ１に応じた光強度
（溶融結晶化領域Ｂ）のレーザ光Ｌが相変化型光ディス
ク１０１に照射されてＰＳＲ再生が行われることにな
る。

【０１４２】従って、この場合も、基準空間周波数に対
して低域においては、通常再生時における高ＣＮＲの特
性が現れ、基準空間周波数に対して高域においては、Ｐ
ＳＲ再生時における高ＣＮＲの特性が現れ、これらの特
性が基準周波数を境に切り換わった特性を有することに
なる。

【０１４３】このことから、低域から高域にわたる全空
間周波数に対してＰＳＲ再生方式を採用した場合と比べ
て、特に基準空間周波数に対して低域でのＣＮＲの向上
を実現させることができ、上記全空間周波数に対して高
Ｓ／Ｎで情報信号の再生を行なうことができる。

【０１４４】

【発明の効果】上述のように、本発明に係る円盤状記録
媒体の再生方法によれば、円盤状記録媒体に対して信号
再生用光を照射し、該信号再生用光のスポット内の温度
分布を利用して実効読み出しアパーチャを限定して、上
記円盤状記録媒体に記録されている情報信号を再生する
円盤状記録媒体の再生方法において、上記信号再生用光
の前方に少なくとも１本の参照光を照射させ、該参照光
の上記円盤状記録媒体からの反射光に基づく参照信号か
ら上記円盤状記録媒体に記録されている情報ピットの空
間周波数を検出し、上記検出した空間周波数に基づい
て、上記実効読み出しアパーチャを限定させるための上
記信号再生用光の光強度、あるいは外部磁界の磁界強
度、あるいはその両方を可変させて、上記情報信号の再
生を行なうようにしたので、現在の空間周波数に基づい
て、その空間周波数において高Ｓ／Ｎで再生が可能な再
生方式を選択することが可能となり、低域から高域にわ
たる全空間周波数に対して高Ｓ／Ｎで情報信号の再生を
行なうことができる。

【０１４５】また、本発明に係る円盤状記録媒体の再生
装置によれば、円盤状記録媒体に対して信号再生用光を
照射し、該信号再生用光のスポット内の温度分布を利用
して実効読み出しアパーチャを限定して、上記円盤状記
録媒体に記録されている情報信号を再生する円盤状記録
媒体の再生装置において、上記信号再生用光の前方に少
なくとも１本の参照光を照射させる参照光照射手段と、
上記参照光の上記円盤状記録媒体からの反射光を電気信
号に変換して参照信号を得る参照信号検出手段と、上記
参照検出手段からの上記参照信号に基づいて、上記円盤
状記録媒体に記録されている情報ピットの空間周波数を
検出する空間周波数検出手段と、上記空間周波数検出手
段からの空間周波数情報に基づいて、上記実効読み出し
アパーチャを限定させるための上記信号再生用光の光強
度、あるいは外部磁界の磁界強度、あるいはその両方を
可変にする可変手段とを設けるようにしたので、現在の
空間周波数に基づいて、その空間周波数において高Ｓ／
Ｎで再生が可能な再生方式を選択することが可能とな
り、低域から高域にわたる全空間周波数に対して高Ｓ／
Ｎで情報信号の再生を行なうことができる。

【０１４６】また、本発明に係る円盤状記録媒体の再生
装置は、上記参照光として、上記信号再生用光の光源と
は別の独立した光源からの光を用いるようにしたので、
円盤状記録媒体に対して信号再生用光と参照光とを十分
離間させた位置に照射することができ、外部磁界の磁界
強度を可変させる場合において、その可変に伴う磁界強
度変化の過渡段階を過ぎた段階において信号再生用光に
て情報信号を読み出すことが可能となり、情報信号のＭ
ＴＦ値の劣化を回避することができる。

【０１４７】また、本発明に係る円盤状記録媒体の再生
装置は、上記参照光として、上記信号再生用光の光路中
に配置された光回折手段にて作成された分離光を用いる
ようにしたので、参照光と信号再生用光の光学系（光源
を含む）として同一のものが使用でき、構造の簡略化を
実現させることができる。

【０１４８】また、本発明に係る円盤状記録媒体の再生
装置は、上記参照光として、上記再生用光の光源とは別
の独立した光源からの光と、上記再生用光の光路中に配
置された光回折手段にて作成された分離光を用いるよう
にしたので、上記情報信号のＭＴＦ値の劣化を回避する
ことができると共に、構造の簡略化を実現させることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例に係る再生装置の要部を示す構成図
である。

【図２】第１実施例に係る再生装置に用いられる再生用
光学ピックアップ及び参照用光学ピックアップの光学系
を示す構成図である。

【図３】第１実施例に係る再生装置で使用される光磁気
ディスクを示す断面図である。

【図４】光磁気ディスク（及び相変化型光ディスク）の
トラック上に形成されるピット列を示す平面図である。

【図５】光磁気ディスクに対する消滅型ＭＳＲ再生方式
の再生原理を示す説明図である。

【図６】第１実施例に係る再生装置に組み込まれるフィ
ードバック回路の構成を示す回路図である。

【図７】ＭＳＲ再生時の搬送波信号レベル、雑音レベル
及びＣＮＲの空間周波数依存性を示す特性図である。

【図８】通常再生時の搬送波信号レベル、雑音レベル及
びＣＮＲの空間周波数依存性を示す特性図である。

【図９】第１実施例に係る再生装置に組み込まれるフィ
ードバック回路での信号処理（再生磁界変調）を示すタ
イミングチャートである。

【図１０】第１実施例に係る再生装置の再生方式（再生
磁界変調方式及び光強度変調方式）による再生信号レベ
ル（ＭＴＦ）の空間周波数依存性を示す特性図である。

【図１１】第１実施例に係る再生装置の再生方式（再生
磁界変調）での搬送波信号レベル、雑音レベル及びＣＮ
Ｒの空間周波数依存性を示す特性図である。

【図１２】第１実施例に係る再生装置における再生方式
と従来のＭＳＲ再生方式との比較（ＣＮＲの比較）を示
す特性図である。

【図１３】第１実施例に係る再生装置において、再生磁
界印加、低光強度で再生したときの搬送波信号レベル、
雑音レベル及びＣＮＲの空間周波数依存性を示す特性図
である。

【図１４】第１実施例に係る再生装置の再生方式（光強
度変調）での搬送波信号レベル、雑音レベル及びＣＮＲ
の空間周波数依存性を示す特性図である。

【図１５】第２実施例に係る再生装置の要部を示す構成
図である。

【図１６】第２実施例に係る再生装置の再生用光学ピッ
クアップから出射されるレーザ光の回折分離を示す平面
図である。

【図１７】第３実施例に係る再生装置の要部を示す構成
図である。

【図１８】第４実施例に係る再生装置の要部を示す構成
図である。

【図１９】相変化型光ディスクを示す断面図である。

【図２０】相変化型光ディスクに照射される光スポット
と温度変化との関係を示す説明図である。

【図２１】相変化型光ディスクに照射されるレーザ光の
光強度及びパルス幅による相変化状態を示す特性図であ
る。

【図２２】従来例に係る再生装置でのＭＳＲ再生と通常
再生による再生信号レベル（ＭＴＦ）の空間周波数依存
性を示す特性図である。

【図２３】従来例に係る再生装置におけるＰＳＲ再生時
と通常再生時のＣＮＲの比較を示す特性図である。

【符号の説明】

１ 光磁気ディスク ２ 再生用光学ピックアップ ３ 外部磁界発生装置 ４ａ及び４ｂ 第１及び第２の参照用光学ピックアップ ５ フィードバック回路 ４１ レーザ光源 ４２ 対物レンズ ４３ａ及び４３ｂ 第１及び第２のフォトディテクタ ４４ コリメータレンズ ４５ ビームスプリッタ ４６ １／２波長板 ４７ 偏光ビームスプリッタ ４８及び５２ 結像レンズ ４９ マルチレンズ ５０ 演算回路 ５１ フォトディテクタ ５３ ＡＰＣ回路 ６１ 制御信号生成回路 ６２ａ及び６２ｂ 第１及び第２の制御回路 ６３ スイッチング回路 ６４及び６８ 第１及び第２の遅延回路 ６５ 平均化回路 ６６ 増幅器 ６７ コンパレータ １０１ 相変化型光ディスク

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 円盤状記録媒体に対して信号再生用光を
   照射し、該信号再生用光のスポット内の温度分布を利用
   して実効読み出しアパーチャを限定して、上記円盤状記
   録媒体に記録されている情報信号を再生する円盤状記録
   媒体の再生方法において、 上記信号再生用光の前方に少なくとも１本の参照光を照
   射させ、該参照光の上記円盤状記録媒体からの反射光に
   基づく参照信号から上記円盤状記録媒体に記録されてい
   る情報ピットの空間周波数を検出し、 上記検出した空間周波数に基づいて、上記実効読み出し
   アパーチャを限定させるための上記信号再生用光の光強
   度、あるいは外部磁界の磁界強度、あるいはその両方を
   可変させて、上記情報信号の再生を行なうことを特徴と
   する再生方法。
2. 【請求項２】 円盤状記録媒体に対して信号再生用光を
   照射し、該信号再生用光のスポット内の温度分布を利用
   して実効読み出しアパーチャを限定して、上記円盤状記
   録媒体に記録されている情報信号を再生する円盤状記録
   媒体の再生装置において、 上記信号再生用光の前方に少なくとも１本の参照光を照
   射させる参照光照射手段と、 上記参照光の上記円盤状記録媒体からの反射光を電気信
   号に変換して参照信号を得る参照信号検出手段と、 上記参照検出手段からの上記参照信号に基づいて、上記
   円盤状記録媒体に記録されている情報ピットの空間周波
   数を検出する空間周波数検出手段と、 上記空間周波数検出手段からの空間周波数情報に基づい
   て、上記実効読み出しアパーチャを限定させるための上
   記信号再生用光の光強度、あるいは外部磁界の磁界強
   度、あるいはその両方を可変にする可変手段とを有する
   ことを特徴とする再生装置。
3. 【請求項３】 上記参照光として、上記信号再生用光の
   光源とは別の独立した光源からの光を用いることを特徴
   とする請求項２記載の再生装置。
4. 【請求項４】 上記参照光として、上記再生用光の光路
   中に配置された光回折手段にて作成された分離光を用い
   ることを特徴とする請求項２記載の再生装置。
5. 【請求項５】 上記参照光として、上記再生用光の光源
   とは別の独立した光源からの光と、上記再生用光の光路
   中に配置された光回折手段にて作成された分離光を用い
   ることを特徴とする請求項２記載の再生装置。