JPH07199487A - 電子写真用感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 帯電性感度に優れ、また複写プロセスの繰返
し、静電特性の安定性に富んだ、オゾン発生量が少ない
正帯電プロセスで使用する積層型電子写真用感光体を提
供する。 【構成】 導電性基板上に、電荷発生層（ＣＧＬ）、電
子輸送能を有するアクセプター性化合物を含有する電荷
輸送層（ＣＴＬ）を順次積層してなる電子写真用感光体
において、該電荷発生層（ＣＧＬ）及び該電荷輸送層
（ＣＴＬ）中に少なくとも１種の同一の結着剤を含有さ
せるとともに、更に、該電荷発生層（ＣＧＬ）中にも、
電子輸送能を有するアクセプター性化合物を含有させた
ことを特徴とする電子写真用感光体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子写真プロセスを用い
た複写機、プリンター等に用いられる積層型電子写真用
感光体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子写真プロセスは静電気力による潜像
の可視化を基本原理として用いたものであるため、その
プロセスに用いられる電子写真用感光体には良好な帯電
性と光照射による迅速な表面電位の減衰が必要となる。
これらプロセス上必要な特性は固有物性値である暗抵抗
の高さと、電荷担体生成の良好な量子効率、高い電荷移
動度に還元される。

【０００３】これらの物性値を満足するものとして、従
来セレン、セレン−テルル合金、砒素−セレン合金等の
無機化合物から構成された感光体が採用され、多くの複
写機で用いられてきた。しかしながら、これらの材料は
毒性が強い、アモルファス状態で用いられるため取扱い
が厄介であり、数１０μｍの膜厚に真空蒸着する必要が
あるためコストが高くなる等の欠点があり、感光体の必
要機能を十分満たしているとは言えないものであった。

【０００４】これらの欠点を改良するため、有機材料を
用いた電子写真用感光体（ＯＰＣ）の開発が積極的にな
され、実用に供されるようになってきた。実用化された
ＯＰＣのほとんどは導電性基板上に電荷発生機能を有す
る層（ＣＧＬ）と電荷輸送機能を有する層（ＣＴＬ）と
を積層した構成の機能分離型であり、機能を分離するこ
とにより材料の選択幅も拡がり、電子写真感度、繰返し
安定性、機械的強度等の特性も向上してきた。現在実用
化されている積層型ＯＰＣはＣＴＬとして正孔移動の性
質を有するドナー性化合物を使用しているため、負帯電
プロセスで用いられている。しかし、負帯電は正帯電と
比較してコロナ放電の安定性、環境汚染や化学的損傷の
要因であるオゾン発生量多い等の問題点があり、ＯＰＣ
の正帯電化が要求されている。ＯＰＣの正帯電化にはい
くつかの方法があり、代表的なものは、１）導電性基板
上に電荷発生層（ＣＧＬ）及び電子輸送能を有する電荷
輸送層（ＣＴＬ）を順次積層したもの（順層）、２）導
電性基板上に正孔輸送能を有する電荷輸送層（ＣＴＬ）
及び電荷発生層（ＣＧＬ）を順次積層したもの（逆
層）、３）電荷発生物質を必要に応じて電荷輸送物質と
ともに結着剤中に分散させたもの（単層）である。それ
ぞれ長所、短所はあるが、高感度化、高耐久性化には
１）の順層型が有利である。しかし、順層型には高い移
動度を示す電子輸送材料が必要であり、現状では感度が
低く、残留電位が大きく、実用性に乏しいという欠点を
有している。たとえば、特開昭６３−１５０２９３、６
３−１５０２７４、特開平２−９７９５８号公報等には
種々の電子輸送材料が提案されているが、そのままでは
実用的な特性は得られていないのが実情である。

【０００５】本発明の目的は、帯電性感度に優れ、また
複写プロセスの繰返し、静電特性の安定性に富んだ、オ
ゾン発生量が少ない正帯電プロセスで使用する積層型電
子写真用感光体を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、ＯＰＣの
正帯電化について鋭意検討を重ね、高感度、高耐久性に
有利な構成と思われる順層の積層型感光体に注目し、Ｃ
ＧＬ及びＣＴＬに少なくとも１種の同一の結着剤を使用
し、更に、ＣＧＬ中に電子輸送能のあるアクセプター性
化合物を含有させることにより、順層の正帯電ＯＰＣの
問題点である実用レベルの感度が得られていない、残留
電位が大きい、電位の繰返し安定性に乏しい等の欠点が
解消されることを見出し、本発明に至った。即ち、本発
明によれば、導電性基板上に、電荷発生層（ＣＧＬ）、
電子輸送能を有するアクセプター性化合物を含有する電
荷輸送層（ＣＴＬ）を順次積層してなる電子写真用感光
体において、該電荷発生層（ＣＧＬ）及び該電荷輸送層
（ＣＴＬ）中に少なくとも１種の同一の結着剤を含有さ
せるとともに、更に、該電荷発生層（ＣＧＬ）中にも、
電子輸送能を有するアクセプター性化合物を含有させた
ことを特徴とする電子写真用感光体が提供される。

【０００７】また、本発明によれば、該電荷発生層（Ｃ
ＧＬ）及び該電荷輸送層（ＣＴＬ）中に含有させる同一
の結着剤がポリカーボネートであることを特徴とする請
求項１記載の電子写真感光体が提供される。本発明にお
いては、このポリカーボネートとして、特にポリカーボ
ネートＺ（ＰＣ−Ｚ 帝人化成（株）社製）を使用す
る。更に、本発明によれば、該電荷発生層（ＣＧＬ）中
に含有させるアクセプター性化合物の還元電位の価が，
該電荷輸送層（ＣＴＬ）中に含有させるアクセプター性
化合物の還元電位の値よりも大きいことを特徴とする請
求項１記載の電子写真用感光体が提供される。該ＣＧＬ
中に含有させるアクセプター性化合物としては、例えば
以下の一般式化１〜化４で示される化合物が好適に使用
される。

【化１】 （式中、Ｒ₁は置換もしくは非置換の芳香族基、もしく
は非置換の複素環基、あるいはアルコキシカルボニル基
を表わす。ｘ、ｙは０、１、２、３または４の整数を表
わす。ただし、１≦ｘ＋ｙ≦４である。）

【化２】 （式中、Ｒは置換もしくは無置換のフェニル基、置換も
しくは無置換のナフチル基を表す。）

【化３】

【化４】

【０００８】一般式化１で示されるフルオレン系化合物
の具体例としては以下の表１に記載するものが挙げられ
る。

【０００９】

【表１−（１）】

【００１０】

【表１−（２）】

【００１１】

【表１−（３）】

【００１２】

【表１−（４）】

【００１３】

【表１−（５）】

【００１４】

【表１−（６）】

【００１５】

【表１−（７）】

【００１６】

【表１−（８）】

【００１７】

【表１−（９）】

【００１８】

【表１−（１０）】

【００１９】

【表１−（１１）】

【００２０】

【表１−（１２）】

【００２１】

【表１−（１３）】

【００２２】

【表１−（１４）】

【００２３】また、一般式化２で表わされるピラジン系
化合物の具体例としては、例えば、以下の表２で示され
るものが挙げられる。

【００２４】

【表２−（１）】

【００２５】

【表２−（２）】

【００２６】

【表２−（３）】

【００２７】また、一般式化３で表わされるアントラキ
ノン誘導体の具体例としては、例えば、以下の表３で示
されるものが挙げられる。

【００２８】

【表３−（１）】

【００２９】

【表３−（２）】

【００３０】また、一般式化４で表わされるアントラキ
ノン誘導体の具体例としては、例えば、以下の表４で示
されるものが挙げられる。

【００３１】

【表４−（１）】

【００３２】

【表４−（２）】

【００３３】

【表４−（３）】

【００３４】なお、一般式化３及び化４中のＲ₁及びＲ₂
において、アルキル基とは、メチル基、ｔ−ブチル基な
どのアルキル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基
などのシクロアルキル基、トリフルオロメチル基、ブロ
モオクチル基、2,2,3,4,4,4-ヘキサフルオロブチル基、
2,2-ジフルオロ-2-トリフルオロメチル-エチル基などの
ハロゲン置換アルキル基、2-メトキシエチル基、2,2-ジ
エトキシエチル基などのアルコキシ置換のアルキル基、
4-ヘキシルオキシカルボニルヘキシル基、ブトキシカル
ボニルメチル基などのアルコキシカルボニルアルキル
基、ベンジル基、シアノアルキル基、ニトロアルキル基
等を包含し、芳香族基とは、フェニル基、ピレン基、フ
ェナントレン基などの芳香族基、4-クロロフェニル基、
1-ブロモナフチル基、2-トリフルオロメチルアントラセ
ン基などのハロゲン置換芳香族基、4-ブトキシフェニル
基、2,6-ジヘキサオキシナフチル基などのアルコキシ置
換芳香族基、3-メトキシカルボニルフェニル基、4-ブト
キシカルボニルナフチル基などのアルコキシカルボニル
基、４−アセチルフェニル基などのアシル置換芳香族
基、ジフェニル基などのフェニル置換芳香族基などを包
含し、複素環基とは、ピロール基、カルバゾール基、イ
ンドール基、ピリジン基、モルホリン基、チアジン基、
ピペリジン基、ピロリジン基、イミダゾール基などを包
含する。また同式中のＲ₃及びＲ₄において、ハロゲン原
子とは、フッ素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子を包
含し、アルキル基とは、メチル基、ｔ−ブチル基などの
アルキル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基など
のシクロアルキル基、トリフルオロメチル基、ブロモオ
クチル基、2,2,3,4,4,4-ヘキサフルオロブチル基、2,2-
ジフルオロ-2-トリフルオロメチル-エチル基などのハロ
ゲン置換アルキル基、2-メトキシエチル基、2,2-ジエト
キシエチル基などのアルコキシ置換のアルキル基、4-ヘ
キシルオキシカルボニルヘキシル基、ブトキシカルボニ
ルメチル基などのアルコキシカルボニルアルキル基、ベ
ンジル基、シアノアルキル基、ニトロアルキル基等を包
含し、芳香族基とは、フェニル基、ピレン基、フェナン
トレン基などの芳香族基、4-クロロフェニル基、1-ブロ
モナフチル基、2-トリフルオロメチルアントラセン基な
どのハロゲン置換芳香族基、4-ブトキシフェニル基、2,
6-ジヘキサオキシナフチル基などのアルコキシ置換芳香
族基、3-メトキシカルボニルフェニル基、4-ブトキシカ
ルボニルナフチル基などのアルコキシカルボニル基、４
−アセチルフェニル基などのアシル置換芳香族基、ジフ
ェニル基などのフェニル置換芳香族基などを包含し、ア
シル基とは、アセチル基、オクチルカルボニル基などを
包含し、アルコキシ基とは、メトキシ基、エトキシ基、
ベンジルオキシ基などを包含し、 エステル基とは、ブ
トキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、アセト
キシル基などを包含し、アミド基とは、Ｎ，Ｎ−ジトリ
ルアミド基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミド基、Ｎ−
ブトキシカルボニルアミノ基などを包含し、スルホンア
ミド基とは、Ｎ，Ｎ−ジヘキシルスルホンアミド基、Ｎ
−メトキシスルホニルアミノ基などを包含する。更に、
同式中のＲ₅において、アルキル基とは、メチル基、ｔ
−ブチル基などのアルキル基、シクロヘキシル基、シク
ロペンチル基などのシクロアルキル基、トリフルオロメ
チル基、ブロモオクチル基、2,2,3,4,4,4-ヘキサフルオ
ロブチル基、2,2-ジフルオロ-2-トリフルオロメチル-エ
チル基などのハロゲン置換アルキル基、2-メトキシエチ
ル基、2,2-ジエトキシエチル基などのアルコキシ置換の
アルキル基、4-ヘキシルオキシカルボニルヘキシル基、
ブトキシカルボニルメチル基などのアルコキシカルボニ
ルアルキル基、ベンジル基、シアノアルキル基、ニトロ
アルキル基等を包含し、芳香族基とは、フェニル基、ピ
レン基、フェナントレン基などの芳香族基、4-クロロフ
ェニル基、1-ブロモナフチル基、2-トリフルオロメチル
アントラセン基などのハロゲン置換芳香族基、4-ブトキ
シフェニル基、2,6-ジヘキサオキシナフチル基などのア
ルコキシ置換芳香族基、3-メトキシカルボニルフェニル
基、4-ブトキシカルボニルナフチル基などのアルコキシ
カルボニル基、４−アセチルフェニル基などのアシル置
換芳香族基、ジフェニル基などのフェニル置換芳香族基
などを包含する。

【００３５】本発明の電子写真用感光体は、図１で示さ
れる構成から成り、導電性基板上にＣＧＬ、ＣＴＬを順
次積層することにより作製することができる。ＣＧＬに
は、必須成分として、電荷発生物質とＣＴＬに使用する
アクセプター性化合物よりも還元電位の大きいアクセプ
ター性化合物とＣＴＬに使用するものと同一の結着剤の
少なくとも一種を含む結着剤とを含有させる。ＣＴＬに
は、必須成分として、電子輸送能のあるアクセプター性
化合物及び結着剤を含有させる。また、ＣＧＬ及びＣＴ
Ｌ中には、前記同一の結着剤として、特にポリカーボネ
ートＺを使用するものである。

【００３６】近年、正帯電ＯＰＣの開発を目指し種々の
電子輸送材料が提案されているが、順層型の積層感光体
にした場合、初期の光減衰は比較的速いが残留電位が非
常に大きく実用的ではない。（例えば、Ｐｏｌｙｍｅｒ
Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ，Ｊａｐａｎ Ｖｏｌ．３７、Ｎ
Ｏ．３ １９８８ 田中他） その理由の１つとして、
発表されている電子輸送材料の電子移動度が電界強度に
大きく依存し、低電界での移動が困難であるためと言わ
れている。これは電子輸送材料の分子構造に依るもので
あり、材料の本質的な問題である。また電子輸送材料の
多くは結着剤との相溶性が正孔輸送材料に比較して悪い
ものが多いことも原因として考えられる。（例えば、Ｊ
ａｐａｎ Ｈａｒｄｃｏｐｙ ９２”論文集 １９９２
小林他）

【００３７】本発明者らはＣＧＬ中で発生した伝導キャ
リア（電子）を効果的にＣＴＬ中に注入させ、さらにＣ
ＧＬ中で伝導キャリアの発生効率を高める工夫を施すこ
とにより従来順層型の正帯電感光体で問題となっていた
感度が低い、残留電位が高い、電位の繰返し安定性に乏
しいなどの欠点を解消出来ることを見出した。すなわ
ち、順層構造においてＣＧＬ中の電荷発生物質とＣＴＬ
中の電子輸送物質とがＣＧＬ／ＣＴＬ界面で接触しやす
い状況を作ることによりＣＴＬ中への伝導キャリア（電
子）の注入がスムーズに行われること、さらにＣＧＬ中
にアクセプター性化合物を含有させることにより、電荷
発生物質中で発生した伝導キャリアのうち電子の引き抜
きを促進させ、実用的な自由電子数を増加させ、前述し
た問題を解消できることを見だしたものである。電荷の
伝導度σは次式で表わされる。 σ＝ｎｅμ （ｎ：伝導キャリア数 ｅ：電荷素量 μ：
移動度) このうち、移動度μは電子輸送材料の分子構造、ＣＴＬ
中での分散状態などに大きく依存する。電子輸送材料の
分子構造については分子設計、合成技術が伴う問題であ
るが、ＣＴＬ中に電子輸送材料を分子状に分散させるこ
とは結着剤を適切に選択することにより達成出来、電子
移動度を向上させることが出来る。また、伝導キャリア
数ｎは基本的には電荷発生物質の吸光係数、凝集状態、
トラップなどに依存するが、電荷発生物質近傍に電子を
引き抜く作用のあるアクセプター性化合物を存在させる
ことによりｎ数を増加させることが出来る。

【００３８】本発明は基本的に以上の知見に基づくもの
である。公知の多くの電子輸送材料は前述の如く結着剤
との相溶性が悪く、ＣＴＬ中に少量しか添加出来なかっ
たり、電子輸送材料がＣＴＬ中で結晶として析出するこ
とが多い。本発明者らはポリカーボネートＺは多くの電
子輸送材料との相溶性が良く、電子輸送材料の結着剤と
してポリカーボネートＺを使用することにより前記問題
点が解消できることを見出した。恐らくポリカーボネー
トＺは非晶質なポリマーであるため相溶性が良いものと
思われる。さらに、本発明においては、ＣＧＬ中にもポ
リカーボネートＺを含有させる。ポリカーボネートＺを
含有させたＣＧＬを塗布、乾燥後ポリカーボネートＺを
結着剤としたＣＴＬをＣＧＬ上に積層すると、相溶性が
良いためＣＴＬ中の電子輸送物質の一部がＣＧＬ中に移
行し、電荷発生物質と電子輸送材料との接触が良好とな
り、電荷発生物質中で発生した伝導電子がスムーズに電
子輸送材料、ＣＴＬ中に注入されるようになる。また、
本発明においては、さらにＣＧＬ中にもアクセプター性
化合物（電子輸送材料）を含有させる。アクセプター性
化合物は本来電子を引き抜く機能を有しており、電荷発
生物質中で発生した伝導電子を正孔と再結合する前に引
き抜き、伝導電子数を増加させる。この際ＣＧＬ中に含
有させるアクセプター性化合物の還元電位の値がＣＴＬ
中の電子輸送物質（アクセプター性化合物）の還元電位
の値よりも大きい（電子親和力が弱い）ことが必要であ
る。ＣＧＬ中に含有させるアクセプター性化合物の還元
電位の値がＣＴＬ中に含有されるアクセプター性化合物
の還元電位の値よりも小さい（電子親和力が強い）と電
荷発生物質より引き抜かれた電子がＣＧＬ中のアクセプ
ター性化合物にトラップされ、ＣＴＬ中に注入されにく
くなり、逆に感度が悪くなり、残留電位も増加する。

【００３９】本発明に使用される電荷発生物質として
は、ビスアゾ色素、トリスアゾ色素、フタロシアニン色
素、キナクリドン色素、ペリレン色素、多環キノン色
素、インジゴ色素、シアニン色素、ピリリウム色素、ビ
スベンズイミダゾール色素、インダスロン色素、トリア
リールメタン色素、チアジン色素、オキサジン色素、ス
クアリリウム色素、アントラキノン色素、キセンテン色
素等の有機化合物、無定形セレン、三方晶系セレン、セ
レン−砒素合金、セレン−テルル合金、硫化カドミウ
ム、硫セレン化カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシ
リコン等の無機化合物が挙げられる。

【００４０】本発明に使用される電子輸送材料として
は、キノン系化合物、キノン系化合物のビニリデンジニ
トリル化合物、フルオレノン系化合物、フルオレノン系
化合物のビニリデンジニトリル化合物、ニトリル基を有
するπ電子系化合物、カルボン酸エステル基を有するπ
電子系化合物、シアノ基を有するπ電子系化合物等が挙
げられる。

【００４１】本発明で使用される結着剤としてはポリカ
ーボネート、特にポリカーボネートＺ（ＰＣ−Ｚ 帝人
化成（株）社製）が最適であり、その他、非晶質ポリマ
ー、例えばポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ア
クリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリスチレン、塩化ビニ
ル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ビスフェノールＡ型ポリカー
ボネート、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリウ
レタン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、弗化ビニリデ
ン樹脂、シリコン樹脂、繊維素系樹脂、フェノール樹
脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂等の
付加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びに
これらの繰返し単位のうち２つ以上を含む共重合体樹脂
等が挙げられる。

【００４２】本発明で使用される導電性基板としては、
アルミニウム、ニッケル、銅、ステンレス等の金属板、
金属ドラム又は金属箔、アルミニウム、酸化錫、ヨウ化
銅等の薄膜を塗布したプラスチックフィルムあるいはガ
ラス等が挙げられる。本発明においてＣＧＬの構成は電
荷発生物質１００重量部に対して、結着剤は１００〜４
００重量部、好ましくは２５〜１００重量部であり、ア
クセプター性化合物は０〜２００重量部、好ましくは１
０〜１００重量部である。また、ＣＧＬの膜厚は０．０
５〜１０μｍ、好ましくは０．１〜２μｍである。さら
にＣＴＬの構成は結着剤１００重量部に対して、アクセ
プター性化合物（電子輸送物質）は２５〜４００重量
部、好ましくは５０〜２００重量部である。また、ＣＴ
Ｌの膜厚は５〜６０μｍ、好ましくは１０〜３０μｍで
ある。

【００４３】また本発明の電子写真用感光体では帯電
性、接着性等を改良する目的で導電性基板とＣＧＬとの
間に下引き層を設けることが出来る。これらの材料とし
ては前記結着剤材料のほかに、ポリアミド樹脂、ポリビ
ニルアルコール、ポリビニルピロリドン、カゼインポリ
イミド等を用いることができる。されにＣＴＬの表面
性、塗膜性等を向上させる目的でフェニルメチルシロキ
サン、ジメチルシロキサン等のシリコンオイルをＣＴＬ
中に含有させることが出来る。

【００４４】本発明の電子写真用感光体は、それぞれ所
定の材料を有機溶媒中に溶解または、ボールミル、超音
波、ホモミキサー等で分散した塗布液をデッピングコー
ター、ブレードコーター、スプレーコーター、キスコー
ター、グラビアコーター、スピンコーター等で導電性基
板上に塗布し、乾燥することにより作製される。

【００４５】〔実施例〕以下本発明を実施例により説明
するが、これにより本発明の態様が限定されるものでは
ない。

【００４６】〔実施例１〕Ｘ型無金属フタロシアニン
（Ｆａｓｔｏｇｅｎ Ｂｌｕｅ ８１２０ＢＳ大日本イ
ンキ（株）製）０．６ｇを、ポリカーボネートＺの１０
ｗｔ％テトラヒドロフラン溶液６ｇ、下記構造式化５の
アクセプター性化合物であるフルオレン系化合物０．３
ｇ及びテトラヒドロフラン５．４ｇとともにボールミリ
ングした後、テトラヒフォロフランを６２．７ｇを加え
て撹拌し、２ｗｔ％の塗布液を調製し、アルミニウムを
１０００Åの厚さに蒸着した７５μｍ厚のポリエステル
フィルム上にドクターブレードにて塗布し、乾燥後の膜
厚が０．５μｍのＣＧＬを設けた。

【化５】 次に下記構造式化６の電子輸送材料であるジフェノキノ
ン化合物６ｇ、ポリカーボネートＺ９ｇ、シリコンオイ
ル（ＫＦ５０ 信越化学（株）製）０．００９ｇをテト
ラヒドロフラン８５ｇに溶解し、塗布液を調製し、ＣＧ
Ｌ上にドクターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が２
０μｍのＣＴＬを積層し、電子写真用感光体を作製し
た。

【化６】 化５及び化６の化合物をそれぞれアセトニトリルに溶解
し、還元電位Ｅｒｅｄを参照電極ＳＣＥに対して測定し
たところ、化５のフルオレン化合物が−０．５１Ｖ、化
６のジフェノキノン化合物が−０．４４Ｖであり、化５
のフルオレン化合物の方が電子親和力が弱いことが判
る。

【００４７】〔実施例２〕化５で示されるフルオレン化
合物を下記構造式化７で示されるフルオレン化合物に代
えた以外は実施例１と同様の条件で電子写真用感光体を
作製した。化７の化合物をアセトニトリルに溶解し、還
元電位を測定したところ、−０．６０Ｖ（vs ＳＣＥ）
であった。

【化７】 〔実施例３〕Ｘ型無金属フタロシアニン（Ｆａｓｔｏｇ
ｅｎ Ｂｌｕｅ ８１２０ＢＳ大日本インキ（株）製）
０．６ｇを、ポリカーボネートＺの１０ｗｔ％テトラヒ
ドロフラン溶液６ｇ、下記構造式化８のアクセプター性
化合物であるフルオレン系化合物０．３ｇ及びテトラヒ
ドロフラン５．４ｇとともにボールミリングした後、テ
トラヒドロフランを６２．７ｇ加え撹拌し、２ｗｔ％の
塗布液を調製し、アルミニウムを１０００Åの厚さに蒸
着した７５μｍ厚のポリエステルフィルム上にドクター
ブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が０．５μｍのＣＧ
Ｌを設けた。

【化８】 次に下記構造式化９の電子輸送材料であるフルオレン化
合物６ｇ、ポリカーボネートＺ９ｇ、シリコンオイル
（ＫＦ５０ 信越化学（株）製）０．００９ｇをテトラ
ヒドロフラン８５ｇに溶解し、塗布液を調製し、ＣＧＬ
上にドクターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が２０
μｍのＣＴＬを積層し、電子写真用感光体を作製した。

【化９】 化８及び化９の化合物をそれぞれアセトニトリルに溶解
し、還元電位Ｅｒｅｄを参照電極ＳＣＥに対して測定し
たところ、化８のフルオレン化合物が−０．６２Ｖ、化
９のフルオレン化合物が−０．５５Ｖであり、化８のフ
ルオレン化合物の方が電子親和力が弱いことが判る。

【００４８】〔比較例１〕ＣＧＬの結着剤をポリカーボ
ネートＺからポリエステル樹脂（バイロン２００東洋紡
（株）製）に代え、さらに化５で示されるアクセプター
性化合物を除いた以外は実施例１と同様の条件で電子写
真用感光体を作製した。

【００４９】以上のようにして作製した電子写真用感光
体を川口電気（株）製の静電複写紙試験装置（ＳＰ−４
２８）を用い、＋６ＫＶのコロナ放電を２０秒間行って
帯電せしめた後の表面電位Ｖｓ（Ｖ）、次いで２０秒間
暗減衰させ、その時の表面電位Ｖｏ（Ｖ）、及び、その
時点から感光体表面の照度が２０ルックスになる様にし
てタングステン光を照射し、Ｖｏが１／２になるのに要
するに露光量Ｅ１／２（ルックス・秒）、光照射３０秒
後の表面電位Ｖ３０（Ｖ）を測定した。結果を表５に示
す。

【００５０】

【表５】

【００５１】〔実施例４〕Ｘ型無金属フタロシアニン
（Ｆａｓｔｏｇｅｎ Ｂｌｕｅ ８１２０ＢＳ大日本イ
ンキ（株）製）０．６ｇを、ポリカーボネートＺの１０
ｗｔ％テトラヒドロフラン溶液６ｇ、下記構造式化１０
のアクセプター性化合物であるピラジン系化合物０．３
ｇ及びテトラヒドロフラン５．４ｇとともにボールミリ
ングした後、テトラヒドロフランを６２．７ｇを加えて
撹拌し、２ｗｔ％の塗布液を調製し、アルミニウムを１
０００Åの厚さに蒸着した７５μｍ厚のポリエステルフ
ィルム上にドクターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚
が０．５μｍのＣＧＬを設けた。

【化１０】 次に下記構造式化１１の電子輸送材料であるフルオレン
化合物６ｇ、ポリカーボネートＺ９ｇ、ジリコンオイル
（ＫＦ５０ 信越化学（株）製）０．００９ｇをテトラ
ヒドロフラン８５ｇに溶解し、塗布液を調製し、ＣＧＬ
上にドクターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が２０
μｍのＣＴＬを積層し、電子写真用感光体を作製した。

【化１１】 化１０及び化１１の化合物をそれぞれアセトニトリルに
溶解し、還元電位Ｅｒｅｄを参照電極ＳＣＥに対して測
定したところ、化１０のピラジン化合物が−０．６０
Ｖ、化１１のフルオレン化合物が−０．５５Ｖであり、
化１０のピラジン化合物の方が電子親和力が弱いことが
判る。

【００５２】〔実施例５〕化１０で示されるピラジン化
合物を下記構造式化１２で示されるピラジン化合物に代
えた以外は実施例４と同様の条件で電子写真用感光体を
作製した。化１２の化合物をアセトニトリルに溶解し、
還元電位を測定したところ、−０．６２Ｖ（vs ＳＣ
Ｅ）であった。

【化１２】 〔実施例６〕化１０で示されるピラジン化合物を下記構
造式化１３で示されるピラジン化合物に代えた以外は実
施例４と同様の条件で電子写真用感光体を作製した。化
１３の化合物をアセトニトリルに溶解し、還元電位を測
定したところ、−０．６２Ｖ（vs ＳＣＥ）であった。

【化１３】

【００５３】〔比較例２〕ＣＧＬの結着剤をポリカーボ
ネートＺからポリエステル樹脂（バイロン２００東洋紡
（株）製）に代え、さらに化１０で示されるアクセプタ
ー性化合物を除いた以外は実施例４と同様の条件で電子
写真用感光体を作製した。

【００５４】以上のようにして作製した電子写真用感光
体を川口電気（株）製の静電複写紙試験装置（ＳＰ−４
２８）を用い、＋６ＫＶのコロナ放電を２０秒間行って
帯電せしめた後の表面電位Ｖｓ（Ｖ）、次いで２０秒間
暗減衰させ、その時の表面電位Ｖｏ（Ｖ）、及び、その
時点から感光体表面の照度が２０ルックスになる様にし
てタングステン光を照射し、Ｖｏが１／２になるのに要
するに露光量Ｅ１／２（ルックス・秒）、光照射３０秒
後の表面電位Ｖ３０（Ｖ）を測定した。結果を表６に示
す。

【００５５】

【表６】

【００５６】〔実施例７〕Ｘ型無金属フタロシアニン
（Ｆａｓｔｏｇｅｎ Ｂｌｕｅ ８１２０ＢＳ大日本イ
ンキ（株）製）０．６ｇを、ポリカーボネートＺの１０
ｗｔ％テトラヒドロフラン溶液６ｇ、下記構造式化１４
のアクセプター性化合物であるアントラキノン誘導体
０．３ｇ及びテトラヒドロフラン５．４ｇとともにボー
ルミングした後、テトラヒフォロフランを６２．７ｇを
加えて撹拌し、２ｗｔ％の塗布液を調製し、アルミニウ
ムを１０００Åの厚さに蒸着した７５μｍ厚のポリエス
テルフィルム上にドクターブレードにて塗布し、乾燥後
の膜厚が０．５μｍのＣＧＬを設けた。

【化１４】 次に下記構造式化１５の電子輸送材料であるフルオレン
化合物６ｇ、ポリカーボネートＺ９ｇ、シリコンオイル
（ＫＦ５０ 信越化学（株）製）０．００９ｇをテトラ
ヒドロフラン８５ｇに溶解し、塗布液を調製し、ＣＧＬ
上にドクターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が２０
μｍのＣＴＬを積層し、電子写真用感光体を作製した。

【化１５】 化１４及び化１５の化合物をそれぞれアセトニトリルに
溶解し、還元電位Ｅｒｅｄを参照電極ＳＣＥに対して測
定したところ、化１４のアントラキノン誘導体が０．７
８Ｖ、化１５のフルオレン化合物が０．５３Ｖであり、
化１４のアントラセン誘導体の方が電子親和力が弱いこ
とが判る。

【００５７】〔実施例８〕化１４で示されるアントラキ
ノン誘導体を下記構造式化１６で示されるアントラキノ
ン誘導体に代えた以外は実施例７と同様の条件で電子写
真用感光体を作製した。化１６の化合物をアセトニトリ
ルに溶解し、還元電位を測定したところ、０．７３Ｖ
（vs.ＳＣＥ）であった。

【化１６】 〔実施例９〕化１５で示されるフルオレン化合物を下記
構造式化１７で示されるジフェノキノン化合物に代えた
以外は実施例７と同様の条件で電子写真用感光体を作製
した。化１７の化合物をアセトニトリルに溶解し、還元
電位を測定したところ、０．４７Ｖ（vs.ＳＣＥ）であ
った。

【化１７】

【００５８】〔比較例３〕ＣＧＬの結着剤をポリカーボ
ネートＺからポリエステル樹脂（バイロン２００東洋紡
（株）製）に代え、さらに化１４で示されるアクセプタ
ー性化合物を除いた以外は実施例７と同様の条件で電子
写真用感光体を作製した。

【００５９】以上のようにして作製した電子写真用感光
体を川口電気（株）製の静電複写紙試験装置（ＳＰ−４
２８）を用い、＋６ＫＶのコロナ放電を２０秒間行って
帯電せしめた後の表面電位Ｖｓ（Ｖ）、次いで２０秒間
暗減衰させ、その時の表面電位Ｖｏ（Ｖ）、及び、その
時点から感光体表面の照度が２０ルックスになる様にし
てタングステン光を照射し、Ｖｏが１／２になるのに要
するに露光量Ｅ１／２（ルックス・秒）、光照射３０秒
後の表面電位Ｖ３０（Ｖ）を測定した。結果を表７に示
す。

【００６０】

【表７】

【００６１】表５〜７で示すように、本発明の電子写真
用感光体は高感度で、帯電性の優れた特性が得られるこ
とがわかる。

【００６２】

【発明の効果】上述したように、本発明の電子写真用感
光体は、ＣＧＬ及びＣＴＬの結着剤として、同一種のも
の、特にポリカーボネートＺを使用すると共に、ＣＧＬ
中に、ＣＴＬ中に含有させたアクセプター性化合物より
還元電位の値が大きいアクセプター性化合物を含有させ
たため、高感度、繰り返し安定性に優れたものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に従った電子写真用感光体の一例を示す
概略図である。

【符号の説明】

１ 電荷輸送層 ２ 電荷発生層 ３ 導電性基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小島 明夫 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 河原 恵美 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 黒須 久雄 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 小谷野 正行 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性基板上に、電荷発生層（ＣＧ
   Ｌ）、電子輸送能を有するアクセプター性化合物を含有
   する電荷輸送層（ＣＴＬ）を順次積層してなる電子写真
   用感光体において、該電荷発生層（ＣＧＬ）及び該電荷
   輸送層（ＣＴＬ）中に少なくとも１種の同一の結着剤を
   含有させるとともに、更に、該電荷発生層（ＣＧＬ）中
   にも、電子輸送能を有するアクセプター性化合物を含有
   させたことを特徴とする電子写真用感光体。
2. 【請求項２】 該電荷発生層（ＣＧＬ）及び該電荷輸送
   層（ＣＴＬ）中に含有させる同一の結着剤がポリカーボ
   ネートであることを特徴とする請求項１記載の電子写真
   感光体。
3. 【請求項３】 該電荷発生層（ＣＧＬ）中に含有させる
   アクセプター性化合物の還元電位の価が，該電荷輸送層
   （ＣＴＬ）中に含有させるアクセプター性化合物の還元
   電位の値よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の
   電子写真用感光体。
4. 【請求項４】 該電荷発生層（ＣＧＬ）中に含有させる
   アクセプター性化合物が一般式化１で示されるフルオレ
   ン系化合物であることを特徴とする請求項１記載の電子
   写真用感光体。 【化１】 （式中、Ｒ₁は置換もしくは非置換の芳香族基、もしく
   は非置換の複素環基、あるいはアルコキシカルボニル基
   を表わす。ｘ、ｙは０、１、２、３または４の整数を表
   わす。ただし、１≦ｘ＋ｙ≦４である。）
5. 【請求項５】 該電荷発生層（ＣＧＬ）中に含有させる
   アクセプター性化合物が一般式化２で示されるピラジン
   系化合物であることを特徴とする請求項１記載の電子写
   真用感光体。 【化２】 （式中、Ｒは置換もしくは無置換のフェニル基、置換も
   しくは無置換のナフチル基を表す。）
6. 【請求項６】 該電荷発生層（ＣＧＬ）中に含有させる
   アクセプター性化合物が一般式化３で示されるアントラ
   キノン誘導体であることを特徴とする請求項１記載の電
   子写真用感光体。 【化３】
7. 【請求項７】 該電荷発生層（ＣＧＬ）中に含有させる
   アクセプター性化合物が一般式化４で示されるアントラ
   キノン誘導体であることを特徴とする請求項１記載の電
   子写真用感光体。 【化４】