JPH0719812A

JPH0719812A - 測定装置

Info

Publication number: JPH0719812A
Application number: JP19079493A
Authority: JP
Inventors: Tomiyoshi Yoshida; 富省吉田; Michitoshi Okada; 道俊岡田
Original assignee: Omron Corp; Omron Tateisi Electronics Co
Current assignee: Omron Corp
Priority date: 1993-07-03
Filing date: 1993-07-03
Publication date: 1995-01-20

Abstract

(57)【要約】【目的】光学系の汚れや撮像素子の特性変化があって
も精確に寸法を測定できる測定装置を提供する。【構成】撮像素子４から出力される画素信号Ｓ1，…
は増幅部１１で増幅された後、２値化処理部で２値化処
理され、被測定物５の寸法が計測される。計測範囲外に
ある画素ビットの画素信号はホールド部１５に記憶され
る。増幅率制御部１２はホールド部１５に記憶している
画素信号Ｓhと基準値設定部１６に記憶されている基準
レベルＬＬ（＝正常動作時の画素信号レベル）とから増
幅部１１の増幅率Ｋの補正値α＝ＬＬ／Ｓhを演算し、
増幅部１１の増幅率をＫ＝α・Ｋ₀（Ｋ₀は正常動作時の
増幅率）に調整する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は測定装置に関する。具体
的には、撮像素子を利用して被測定物の寸法や形状など
を測定する測定装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、寸法測定装置として、例えば電荷
転送デバイス（以下ＣＣＤと記す）を利用して被測定物
の寸法を測定する寸法測定装置がある。これは、例えば
発光ダイオード（以下ＬＥＤと記す）等の光源とＣＣＤ
との間の被測定物に光源から光を照射し、その影をＣＣ
Ｄに投影し、ＣＣＤ出力をあらかじめ設定したしきい値
で２値化信号に変換したのち、その影の長さを所定のク
ロックパルスでカウントして被測定物の寸法を測定する
ものである。

【０００３】このような寸法測定装置においては、光源
側や受光側の光学系が汚れるとＣＣＤの受光量が低下し
てＣＣＤの出力が低下する。また、周囲温度が変化する
と光源の発光量が変動したり、ＣＣＤの温度特性により
ＣＣＤ出力に変動を生じる場合がある。被測定物の輪郭
部分においては光の回折により被測定物から測定空間に
かけてＣＣＤ出力がゆるやかに変化するので、ＣＣＤの
受光量低下やＣＣＤの特性変化によってＣＣＤ出力が変
動すると、ＣＣＤ出力を予め設定されたしきい値レベル
で２値化する際に２値化信号が変化し、被測定物の寸法
に測定誤差を生じる場合がある。

【０００４】このため、従来の寸法測定装置において
は、ＬＥＤや半導体レーザ（ＬＤ）などの光源の出射光
量をモニタリングし、一定の出射光量が得られるように
ＬＥＤをオートパワーコントロールして、測定誤差をで
きる限り少なくしていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
寸法測定装置においては、ＬＥＤなどの光源の特性変化
には効果を発揮するが、上述したように光源側及び受光
側のレンズ等の光学系の汚れ、ＣＣＤの特性変化や受光
窓の汚れなどによる測定誤差を除去することはできなか
った。また、光源の出射光量が一定となるように制御す
る方式では、例えば白熱ランプなどの光源を用いた場
合、その照射光量を制御するための構成が複雑になり、
実用化が困難であった。

【０００６】本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、光学系の汚
れや温度変化があっても２値化処理部への出力を一定に
制御することにより、上記問題点を解決することにあ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の測定装置
は、複数の画素を配列された撮像素子と、前記撮像素子
の画素信号を増幅して出力する増幅率可変の出力増幅手
段と、検出範囲外にある画素から出力される画素信号も
しくは当該検出範囲外の画素信号を前記出力増幅手段で
増幅した増幅信号と所定の基準値とを比較し、当該検出
範囲外の画素信号の増幅信号が一定出力となるよう前記
出力増幅手段の増幅率を調整する手段とからなることを
特徴としている。

【０００８】また、本発明の第２の測定装置は、点滅制
御可能な光源と、複数の画素を配列された撮像素子と、
検出範囲外にある画素から出力される画素信号もしくは
当該検出範囲外の画素信号に相当する信号と所定の基準
値とを比較し、当該検出範囲外の画素信号もしくは当該
検出範囲外の画素信号に相当する信号が一定出力となる
よう前記光源のデューティー比を調整する手段とからな
ることを特徴としている。

【０００９】

【作用】本発明の第１の測定装置によれば、検出範囲外
の画素から出力される画素信号もしくは当該画素信号の
増幅信号と所定の基準値とを比較し、当該検出範囲外の
画素信号の増幅信号が一定出力となるように出力増幅手
段の増幅率を調整している。

【００１０】また、本発明の第２の測定装置によれば、
検出範囲外の画素から出力される画素もしくは当該画素
信号に相当する信号と所定の基準値とを比較し、これら
の信号出力が一定出力となるようにパルス発光する光源
のデューティー比を調整している。

【００１１】このため光源側及び受光側の光学系に汚れ
や曇りが生じたり、光源の出射光量に変化を生じたり、
また、周囲温度変化などによって撮像素子の受光感度が
変化したりした場合でも、常に２値化処理部等へ補正さ
れた一定レベルの信号を出力することができる。したが
って、この出力に所定の信号処理を施して被測定物の寸
法等を測定することにより、特に被測定物の輪郭部分に
対応する画素からの出力低下等による影響を少なくで
き、測定装置の測定精度を向上させることができる。

【００１２】また、経年的な変化に限らず、急激な光源
の光量変化や撮像素子の特性変化を生じた場合でも、測
定誤差を小さくできる。

【００１３】さらに、本発明の測定装置においては、出
力増幅手段の増幅率を調整したり、パルス発光する光源
のデューティー比を調整したりすることにより出力を補
正しているので、ＬＥＤや半導体レーザ等の固体発光素
子以外にも、照射光量の調整が容易でない白熱ランプや
蛍光灯などを光源に用いた測定装置にも適用することが
でき、光源の種類に制約されることがなくなる。

【００１４】

【実施例】図１は、本発明の一実施例である寸法測定装
置Ａを示す概略構成図である。１は投光器であって、発
光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザダイオード（ＬＤ）、
白熱ランプ、蛍光灯などの連続的に光を出射する光源２
と、光源２から発せられた光を平行光Ｌに変換する照射
レンズ３とからなり、投光器１から出射された平行光Ｌ
は撮像素子４の受光面全体に照射される。４はＣＣＤ
（電荷転送デバイス）等の撮像素子であって、投光器１
から照射された平行光Ｌを受光して各画素毎の受光量を
電気信号に変換して出力する。また、クロック発生部１
３は一定時間毎にクロックパルスを発生しており、撮像
素子４はこのクロックパルスと同期して各画素の受光量
を示す電気信号（画素信号）を１画素分づつ所定順序で
順次出力する。撮像素子４から出力された各画素信号は
増幅部１１によって増幅された後、２値化処理部へ出力
される。また、サンプルビット指定部１４は、クロック
発生部１３のクロックパルスをカウントすることによっ
て、撮像素子４から出力された画素信号が１走査分の出
力信号の何ビット目であるか、すなわち、撮像素子４の
どの位置の画素から出力された信号であるか、を監視し
ており、その信号がサンプルビット指定部１４で指定さ
れている指定ビットの信号である場合には、サンプルビ
ット指定部１４からホールド部１５へ制御信号を出力す
る。ホールド部１５は、サンプルビット指定部１４から
制御信号を受け取ると、撮像素子４から出力された指定
ビットの画素信号をサンプリングし、一時的に記憶す
る。撮像素子４から出力される画素信号を増幅する増幅
部１１の増幅率Ｋは増幅率制御部１２によって調整され
る。すなわち、ホールド部１５に指定ビットの画素信号
が記憶されると、増幅率制御部１２は基準値設定部１６
に記憶されている基準レベル（基準値）ＬＬとホールド
部１５に記憶された指定ビットの画素信号Ｓhのレベル
とを比較し、増幅部１１の増幅率Ｋを演算し、増幅部１
１へ制御信号を出力して増幅部１１の増幅率Ｋが当該演
算値と等しくなるように制御する。基準値設定部１６に
は、被測定物５によって遮断されることなく所定の照度
の光を受光した画素ビットから出力される画素出力を基
準レベル（基準値）ＬＬとして記憶させてあり、例えば
基準値設定部１６に記憶されている基準レベルＬＬをホ
ールド部１５の画素信号Ｓhで割った値ＬＬ／Ｓh＝αを
増幅率Ｋの補正値としている。従って、寸法測定装置Ａ
が正常な動作状態を保っている間はα＝１となってい
る。なお、指定ビットはサンプルビット指定部１４にお
いて設定することができ、例えば検出範囲外にある画素
に対応した画素ビットが指定される。

【００１５】図２は上記撮像素子４の構造を模型的に示
した図であって、光電変換素子６と電荷転送部７とが２
次元状に複数交互に配列されている。図２に示すよう
に、撮像素子４においては、光電変換素子６と電荷転送
部７とからなる画素Ｇ1，Ｇ2，…，Ｇnが一定のピッチ
ｐ毎にｎビット配列されている。各画素Ｇ1，Ｇ2，…，
Ｇnの各光電変換素子６は光源２からの平行光Ｌを受光
し、あるいは被測定物５に遮光されると、受光量に比例
した大きさの画素信号Ｓ1，Ｓ2，…，Ｓnをそれぞれ発
生させる。各光電変換素子６で受光した受光量に応じた
画素信号Ｓ1，Ｓ2，…，Ｓnは電荷転送部７へ転送さ
れ、各画素信号Ｓ1，Ｓ2，…，Ｓnごとに撮像素子４に
内蔵されているシフトレジスタ（図示せず）に保存され
る。また、シフトレジスタに保存された画素信号Ｓ1，
Ｓ2，…，Ｓnは、クロック発生部１３のクロックパルス
に同期して、１ビットづつ順次増幅部１１へと読み出さ
れ、増幅部１１で増幅された後２値化処理部へ出力され
る。

【００１６】次に寸法測定装置Ａにおける被測定物５の
寸法測定原理について述べる。投光器１と撮像素子４と
の間を通過する被測定物５の寸法を測定する場合を考
え、ある瞬間において、図３（ａ）に示すように、撮像
素子４の画素Ｇk+1，Ｇk+2，…，Ｇk+mが被測定物５に
よって遮光されているとする。また、被測定物５は画素
Ｇ1の位置を通過することがなく、サンプルビット指定
部１４では、画素Ｇ1に対応する画素ビットが指定され
ているとする。従って、寸法測定装置Ａが正しく調整さ
れ、正常に動作している場合には、撮像素子４から出力
される画素信号Ｓ1，Ｓ2，…，Ｓnは図３（ｂ）のよう
になる。さらに、増幅部１１で増幅率Ｋ₀（正常動作を
前提に初めに設定されている増幅部１１の増幅率をＫ₀
とする；従って、いまの場合、α＝１）で増幅された図
３（ｄ）のような増幅信号は増幅部１１から２値化処理
部へ送られ、画素のピッチをｐとすると、２値化処理部
で被測定物５の長さＬは、Ｌ＝ｐ×ｍと判断される。

【００１７】しかし、照射レンズ３や撮像素子４の表面
に汚れを生じたり、急激な特性変化等が生じた場合に
は、撮像素子４から出力される画素信号Ｓ1，Ｓ2，…，
Ｓnの信号レベルは光学系の汚れ等のない場合に比べて
低下し、図３（ｃ）のようになる。このため、増幅部１
１の増幅率Ｋを正常時の増幅率Ｋ₀に保ったままで２値
化処理を行った場合には、図３（ｃ）の画素信号Ｓ1，
Ｓ2，…，Ｓnからは被測定物５の長さＬはＬ＝ｐ×（ｍ＋４）となって実際よりも長い値が計測され、誤差を含んだも
のとなる。そこで、この寸法測定装置Ａでは、以下のよ
うにして増幅部１１の増幅率Ｋを補正することにより、
画素信号Ｓ1，Ｓ2，…，Ｓnの変動を補正している。

【００１８】すなわち、ホールド部１５はサンプルビッ
ト指定部１４からの信号によって、検出範囲外にある画
素ビットの画素信号Ｓh＝Ｓ1を一次的に記憶保持する。
ついで、増幅率制御部１２は、ホールド部１５に記憶さ
れている指定ビットの画素信号Ｓh（＝Ｓ1）と基準値設
定部１６の基準レベルＬＬとを比較し、増幅率Ｋの補正
値α＝ＬＬ／Ｓhを演算し、増幅率がＫ＝α・Ｋ₀となる
ように増幅部１１を制御する。言い換えると、増幅率制
御部１２は検出範囲外にある画素の画素信号Ｓ1の変動
を検出し、当該画素信号Ｓ1の変動と反比例させるよう
に増幅部１１の増幅率Ｋを補正するのである。

【００１９】ついで、クロック発生部１３から送出され
たクロックパルスに同期して、撮像素子４から指定ビッ
トの後の画素信号Ｇ2，Ｇ3，…，Ｇnが順次増幅部１１
へ送られると、増幅率制御部１２によって補正された増
幅率Ｋ＝α・Ｋ₀によって増幅部１１で増幅された後、
２値化処理部へ出力される。この増幅部１１から２値化
処理部へ出力される増幅信号は、図３（ｄ）で表わさ
れ、特性変化などがなく正常に動作している場合の増幅
信号と同じ信号が得られる。したがって、２値化処理部
でしきい値と比較して２値化することにより図３（ｅ）
のようなハイ（Ｈ）とロー（Ｌ）からなる信号に変換さ
れ、ロ−の領域から被測定物５の寸法Ｌ＝ｐ×ｍが計測
される。この結果、光学系の汚れ等による画素出力の低
下や変動が増幅部１１の増幅率Ｋによって補償され、増
幅部１１からは安定した信号レベルの増幅信号を２値化
処理部へ出力することができ、２値化処理部における被
測定物５の寸法等の計測を正確に行えるようになるので
ある。

【００２０】なお、上記実施例においては、指定ビット
の次の画素信号から増幅部１１の増幅率を変化させた
が、指定ビットの画素信号から増幅部１１の増幅率Ｋを
求めても、当該走査分については従前の増幅率Ｋを用
い、次の走査分の第１ビットから新しい増幅率Ｋを用い
るようにしても差し支えない。

【００２１】図４に示すものは、本発明の別な実施例で
ある寸法測定装置Ｂを示す概略構成図である。この寸法
測定装置Ｂは、第１の実施例の寸法測定装置Ａと同様、
指定ビットの画素信号をホールド部１５に記憶し、基準
値設定部１６の基準レベルと比較して増幅部１１の増幅
率Ｋを演算し、当該増幅率Ｋとなるように増幅部１１を
調整している。しかし、この実施例では、指定ビットの
画素信号を増幅部１１で増幅した後の信号（増幅信号）
をホールド部１５に記憶して基準レベルと比較してい
る。すなわち、基準値設定部１６には正常な動作状態に
おける増幅信号Ｋ₀・ＬＬの値（すなわち、被測定物５
で遮断されることなく所定の照度の光を受光した画素ビ
ットから出力される画素出力を正常動作時の増幅率Ｋ₀
で増幅した増幅信号の信号レベル）を基準レベルとして
記憶させてある。また、ホールド部１５には指定ビット
の画素信号を増幅部１１で増幅させた後の増幅信号を一
旦記憶保持させるようにしている。

【００２２】この実施例の動作を詳しく説明すると、撮
像素子４から順次出力された画素信号Ｓ1，Ｓ2，…，Ｓ
nは増幅部１１で増幅された後、２値化処理部へ出力さ
れている。一方、サンプルビット指定部１４によって検
出範囲外の指定ビットの画素信号が出力されたことが検
出されると、その増幅信号がホールド部１５に一次的に
記憶保持される。この指定ビットの画素信号をＳhと
し、このときの増幅部１１の増幅率をＫとすると、ホー
ルド部１５にはＫ・Ｓhが記憶される。ついで、増幅率
制御部１２は、ホールド部１５に記憶されている指定ビ
ットの増幅信号Ｋ・Ｓhと基準値設定部１６の基準レベ
ルＫ₀・ＬＬとを比較し、増幅率Ｋの補正値β＝（Ｋ₀・
ＬＬ）／（Ｋ・Ｓh）を演算し、増幅率Ｋをβ倍するよ
うに増幅部１１を調整する（βＫ→Ｋ）。この結果、増
幅部１１から２値化処理部へ出力される増幅信号は、特
性変化などがなく正常に動作している場合の増幅信号と
同じレベルの信号となる。また、この実施例のように増
幅部１１で増幅された増幅信号に基づいて増幅部１１の
増幅率Ｋを調整すれば、増幅部１１の特性変化も検出し
て補正できるので、検出精度をより向上させることがで
きる。

【００２３】なお、図４の実施例の説明では、基準値設
定部１６に記憶する基準レベルの値は一定値としたが、
基準値設定部１６に記憶される値をＫ・ＬＬの値とし、
増幅部１１の増幅率Ｋが変化する度に基準値設定部１６
の基準レベルの値を書き換えるようにしてもよい。

【００２４】図５は本発明のさらに別な実施例である寸
法測定装置Ｃである。投光器２１は発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ）やレーザダイオード（ＬＤ）、白熱ランプ、蛍光
灯などの光源２２と、光源２２からの光を平行光Ｌとし
て被測定物５に照射する照射レンズ２３とからなり、光
源２２はパルス発光駆動部１７により点滅制御されてお
り、光源２２のデューティー比Ｄはパルス発光間隔制御
部１８によって制御されている。すなわち、ホールド部
１５に指定ビットの画素信号が記憶されると、パルス発
光間隔制御部１８は基準値設定部１６に記憶されている
基準レベルＤＤとホールド部１５に記憶された指定ビッ
トの画素信号Ｓhとを比較し、光源２２のデューティー
比Ｄを演算し、パルス発光駆動部１７へ制御信号を出力
して光源２２のデューティー比Ｄが当該演算値と等しく
なるように制御する。光源２２は正常な状態もしくは調
整された状態ではデューティー比Ｄ₀でパルス発光して
いるものとすると、基準値設定部１６には、被測定物５
によって遮断されるデューティー比Ｄ₀で発光した光源
２２の光を受光した画素ビットから出力される画素出力
を基準レベル（基準値）ＤＤとして記憶させてあり、例
えば基準値設定部１６に記憶されている基準レベルＤＤ
をホールド部１５の画素信号レベルＳhで割った値ＤＤ
／Ｓh＝γを増幅率Ｋの補正値としている。

【００２５】図６はこの寸法測定装置Ｃの動作を示すタ
イムチャートであって、図６（ａ）は１走査分の画素信
号を撮像素子４の光電変換素子６からシフトレジスタへ
転送させるためのスタートパルスＳＰのタイミングを示
す図、図６（ｂ）は撮像素子４から２値化処理部へ出力
される画素信号Ｓ1，Ｓ2，…，Ｓnを示す図、図６
（ｃ）は指定ビットの画素信号が出力される時にサンプ
ルビット指定部１４からホールド部１５へ出力されるビ
ット指定パルスＢＰを示す図、図６（ｄ）は光源２２の
パルス発光の発光間隔（デューティー比）を示す図であ
る。以下、図６に従って本実施例の動作を説明する。図
６（ａ）（ｄ）に示すように、スタートパルスＳＰが発
生すると、スタートパルスＳＰの立ち上がりと同期して
パルス発光駆動部１７により光源２２が発光を開始させ
られる。光源２２の発光停止タイミングはパルス発光間
隔制御部１８によって制御されており、所定の発光制御
時間ｔを経過すると光源２２は発光を停止する。こうし
てスタートパルスＳＰから次のスタートパルスＳＰまで
撮像素子４の受光量は積算され、次のスタートパルスＳ
Ｐと同時に撮像素子４の各画素の受光量を示す画素信号
Ｓ1，Ｓ2，…，Ｓnがシフトレジスタに転送される。つ
いで、シフトレジスタに保存されている画素信号Ｓ1，
Ｓ2，…，Ｓnは、クロック発生部１３のクロックパルス
と同期して図６（ｂ）に示すように２値化処理部へ順次
１画素ビットづつ出力される。また、図６（ｃ）に示す
ように、サンプルビット指定部１４によって指定されて
いる画素ビットの信号が検出されると、この指定ビット
の画素信号はホールド部１５に記憶保持される。こうし
て指定ビットの画素信号Ｓhがホールド部１５に記憶さ
れると、パルス発光間隔制御部１８は、ホールド部１５
に記憶されている指定ビットの画素信号Ｓhと基準値設
定部１６の基準レベルＤＤとを比較し、デューティー比
Ｄの補正値γ＝ＤＤ／Ｓhを演算し、デューティー比が
Ｄ＝γ・Ｄ₀となるようにパルス発光駆動部１７を介し
て光源２２の発光間隔（すなわち、発光停止タイミン
グ）を調整する。そして、次の発光時からは、調整され
たデューティー比Ｄで光源２２が発光するので、光学系
の汚れや特性変化等があっても、光源２２のデューティ
ー比Ｄが調整されることにより、特性変化などがなく正
常に動作している場合の画素信号と同じ信号レベルが得
られる。

【００２６】このように、光源２２の発光時間ｔを変更
してデューティー比を変えることにより検出範囲外にあ
る画素信号の信号レベルを基準レベルとすることができ
るが、これ以外にも例えば、短い間隔でパルス発光させ
た光源２２のオン時間とオフ時間の比を調整してデュー
ティー比を変えることにしてもよい。

【００２７】また、上記の実施例においては寸法測定装
置について説明したが、上記の撮像素子４を２次元的に
スキャンさせたり、画素を２次元状に配列した撮像素子
４を用いることにより、被測定物５の面積を測定する面
積測定装置や被測定物５の形状を測定する画像処理装置
に応用ができるのでいうまでもない。

【００２８】図５の実施例では撮像素子４から出力され
た画素信号を増幅するための増幅部を示していないが、
図１の実施例や図４の実施例と同様な位置に増幅部を挿
入してもよい。

【００２９】なお、いくつかの実施例について説明した
が、本発明に関しては上記実施例以外にも種々の実施例
が可能である。例えば、基準値設定部に記憶させておく
基準レベルの種類や値については上記以外にも種々可能
であり、特に上記のような基準レベルを定数倍したもの
を基準レベルとすることは本発明になんら変化を与える
ものではない。また、増幅率制御部やパルス発光間隔制
御部における演算方法も、変化した画素出力と正常な画
素出力との関係が分かればよいので、上記演算方法以外
にも基準レベルの種類や値に合わせて種々の演算方法が
可能である。特に、上記実施例では増幅率やデューティ
ー比の補正率として比を用いたが、差によって補正値を
求めて補正値だけ増幅率やデューティー比を増減させる
ようにしてもよい。

【００３０】

【発明の効果】本発明の測定装置によれば、検出範囲外
の画素から出力される画素信号もしくは当該画素信号の
増幅信号と所定の基準値とを比較し、当該検出範囲外の
画素信号の増幅信号が一定出力となるように出力増幅手
段の増幅率を調整できる。あるいは、検出範囲外の画素
から出力される画素もしくは当該画素信号に相当する信
号と所定の基準値とを比較し、これらの信号出力が一定
出力となるようにパルス発光する光源のデューティー比
を調整できる。

【００３１】このため光源側及び受光側の光学系に汚れ
や曇りが生じたり、光源の出射光量に変化を生じたり、
また、周囲温度変化などによって撮像素子の受光感度が
変化したりした場合でも、常に２値化処理部等へ補正さ
れた一定レベルの信号を出力することができる。したが
って、この出力に所定の信号処理を施して被測定物の寸
法等を測定することにより、特に被測定物の輪郭部分に
対応する画素からの出力低下等による影響を少なくで
き、測定装置の測定精度を向上させることができるとい
う利点がある。

【００３２】また、経年的な変化に限らず、急激な光源
の光量変化や撮像素子の特性変化を生じた場合でも、測
定誤差を小さくできる。

【００３３】さらに、本発明の測定装置においては、出
力増幅手段の増幅率を調整したり、パルス発光する光源
のデューティー比を調整したりすることにより出力を補
正しているので、ＬＥＤや半導体レーザ等の固体発光素
子以外にも、照射光量の調整が容易でない白熱ランプや
蛍光灯などを光源に用いた測定装置にも適用することが
でき、光源の種類に制約されることがなくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である寸法測定装置を示す概
略構成図である。

【図２】同上の寸法測定装置に用いた撮像素子を示す一
部破断した概略構造図である。

【図３】同上の寸法測定装置における動作説明図であ
る。

【図４】本発明の別な実施例である寸法測定装置を示す
概略構成図である。

【図５】本発明のさらに別な実施例である寸法測定装置
を示す概略構成図である。

【図６】同上の寸法測定装置の動作説明図である。

【符号の説明】

２光源４撮像素子６光電変換素子１２増幅率制御部１５ホールド部１８パルス発光間隔制御部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の画素を配列された撮像素子と、前記撮像素子の画素信号を増幅して出力する増幅率可変
の出力増幅手段と、検出範囲外にある画素から出力される画素信号もしくは
当該検出範囲外の画素信号を前記出力増幅手段で増幅し
た増幅信号と所定の基準値とを比較し、当該検出範囲外
の画素信号の増幅信号が一定出力となるよう前記出力増
幅手段の増幅率を調整する手段とからなる測定装置。
【請求項２】点滅制御可能な光源と、複数の画素を配列された撮像素子と、検出範囲外にある画素から出力される画素信号もしくは
当該検出範囲外の画素信号に相当する信号と所定の基準
値とを比較し、当該検出範囲外の画素信号もしくは当該
検出範囲外の画素信号に相当する信号が一定出力となる
よう前記光源のデューティー比を調整する手段とからな
る測定装置。