JPH0719756B2 - 化合物半導体層の形成方法 - Google Patents
化合物半導体層の形成方法Info
- Publication number
- JPH0719756B2 JPH0719756B2 JP1108376A JP10837689A JPH0719756B2 JP H0719756 B2 JPH0719756 B2 JP H0719756B2 JP 1108376 A JP1108376 A JP 1108376A JP 10837689 A JP10837689 A JP 10837689A JP H0719756 B2 JPH0719756 B2 JP H0719756B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gaas
- single crystal
- growth
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 GaAs on Si構造の化合物半導体層の製造方法に関し、 平坦性のすぐれた化合物半導体単結晶層を提供可能とす
ることを目的とし、 シリコン単結晶基板上にアルミニウム原子層を気相成長
させる工程と、原子層エピタキシ法等を用い、第１の所
定温度で該アルミニウム原子層上にガリウム砒素層を気
相成長させる工程と、該第１の所定温度より高い第２の
所定温度で該ガリウム砒素層上にガリウム砒素エピタキ
シャル層を気相成長させる工程とを含むことから構成さ
れる。
ることを目的とし、 シリコン単結晶基板上にアルミニウム原子層を気相成長
させる工程と、原子層エピタキシ法等を用い、第１の所
定温度で該アルミニウム原子層上にガリウム砒素層を気
相成長させる工程と、該第１の所定温度より高い第２の
所定温度で該ガリウム砒素層上にガリウム砒素エピタキ
シャル層を気相成長させる工程とを含むことから構成さ
れる。
本発明は、気相成長法によりシリコン（Si）単結晶基板
上にガリウム砒素（GaAs）等の化合物半導体層をエピタ
キシャル成長させて成るGaAs on Si構造に関する。
上にガリウム砒素（GaAs）等の化合物半導体層をエピタ
キシャル成長させて成るGaAs on Si構造に関する。
化合物半導体基板を用いた半導体装置の高性能化合物お
よび製造コストの低減を目的として、いわゆるGaAs on
Si構造の半導体基板の開発が進められている。GaAs on
Siは、シリコンウエハ上にGaAs層をエピタキシャル成長
させ、このGaAs層に所望の半導体装置を形成する技術で
ある。
よび製造コストの低減を目的として、いわゆるGaAs on
Si構造の半導体基板の開発が進められている。GaAs on
Siは、シリコンウエハ上にGaAs層をエピタキシャル成長
させ、このGaAs層に所望の半導体装置を形成する技術で
ある。
GaAs on Si技術によれば、シリコンウエハと同等の径を
有するGaAs基板が得られ、GaAs基板を用いる半導体装置
の量産性の向上とコストの低減が可能となる。また、シ
リコンウエハの熱伝導度はGaAs層の熱伝導度に比べおよ
そ１桁大きいため、GaAs on Si構造におけるGaAs層に形
成された半導体装置放熱効率が高く、高出力動作に対す
る制約が緩和される。さらに、シリコンウエハとGaAs層
のそれぞれに適した半導体装置を形成することにより、
複合モノリシック集積回路を実現できる。例えば化合物
半導体のヘテロ接合を用いる半導体レーザまたはフォト
ダイオードとシリコン系のトランジスタを一つの半導体
基板に形成したオプトエレクトロニック集積回路（OEI
C）である。
有するGaAs基板が得られ、GaAs基板を用いる半導体装置
の量産性の向上とコストの低減が可能となる。また、シ
リコンウエハの熱伝導度はGaAs層の熱伝導度に比べおよ
そ１桁大きいため、GaAs on Si構造におけるGaAs層に形
成された半導体装置放熱効率が高く、高出力動作に対す
る制約が緩和される。さらに、シリコンウエハとGaAs層
のそれぞれに適した半導体装置を形成することにより、
複合モノリシック集積回路を実現できる。例えば化合物
半導体のヘテロ接合を用いる半導体レーザまたはフォト
ダイオードとシリコン系のトランジスタを一つの半導体
基板に形成したオプトエレクトロニック集積回路（OEI
C）である。
GaAsとSiとは格子定数が４％程度異なるために、シリコ
ンウエハ上に成長したGaAs層には、格子不整合により転
位が発生する。格子定数の差から単純に計算した転位密
度は1012/cm-2程度となる。このような転位を減少する
ために、第２図に示すように、Si基板１上に、まず400
〜450℃の低温で厚さ約10nmの多結晶GaAs層３を気相成
長させ、次いで、600〜750℃の高温で厚さ３μｍ程度の
単結晶GaAs層７を気相成長させる２段階成長法が報告さ
れている（M.Akiyama et al.,Jpn.J.of Appl.Phys.,23
（1984）L843）。
ンウエハ上に成長したGaAs層には、格子不整合により転
位が発生する。格子定数の差から単純に計算した転位密
度は1012/cm-2程度となる。このような転位を減少する
ために、第２図に示すように、Si基板１上に、まず400
〜450℃の低温で厚さ約10nmの多結晶GaAs層３を気相成
長させ、次いで、600〜750℃の高温で厚さ３μｍ程度の
単結晶GaAs層７を気相成長させる２段階成長法が報告さ
れている（M.Akiyama et al.,Jpn.J.of Appl.Phys.,23
（1984）L843）。
単結晶GaAs層９は半導体装置が形成される動作層となる
ために最低３μｍ程度の厚さを必要とされる。多結晶Ga
As層８は一種のバッファ層であり、単結晶GaAs層９が形
成される高温への上昇により再結晶化して単結晶層とな
るため、この上に単結晶GaAs層９がエピタキシャル成長
する。
ために最低３μｍ程度の厚さを必要とされる。多結晶Ga
As層８は一種のバッファ層であり、単結晶GaAs層９が形
成される高温への上昇により再結晶化して単結晶層とな
るため、この上に単結晶GaAs層９がエピタキシャル成長
する。
上記２段階成長法は、単結晶GaAs層９における転位密度
の低減に効果があるが、単結晶GaAs層９表面に鱗状の凹
凸が生じる問題がある。この凹凸は単結晶GaAs層９に半
導体装置を形成する場合の微細加工を困難とし、高密度
集積化の妨げとなり、また、製造歩留りを低下させる原
因となる。
の低減に効果があるが、単結晶GaAs層９表面に鱗状の凹
凸が生じる問題がある。この凹凸は単結晶GaAs層９に半
導体装置を形成する場合の微細加工を困難とし、高密度
集積化の妨げとなり、また、製造歩留りを低下させる原
因となる。
単結晶GsAs層９表面の上記鱗状の凹凸は、多結晶GaAs層
８が生成したときに、すでにその表面に生じている凹凸
に起因しており、この上に３μｍ程度の厚い単結晶GaAs
層９を生成しても容易に消減しない。
８が生成したときに、すでにその表面に生じている凹凸
に起因しており、この上に３μｍ程度の厚い単結晶GaAs
層９を生成しても容易に消減しない。
本発明は上記２段階成長法によって形成されたGaAs on
Si構成において、GaAs等の化合物半導体エピタキシャル
層表面の平坦性を向上することを目的とする。
Si構成において、GaAs等の化合物半導体エピタキシャル
層表面の平坦性を向上することを目的とする。
上記目的は、シリコン単結晶基板上にアルミニウム原子
層を気相成長させる工程と、第１の所定温度で原子層エ
ピタキシ法等により該アルミニウム原子層上にガリウム
砒素層を形成する工程と、該第１の所定温度より高い第
２の所定温度で該ガリウム砒素層上にガリウム砒素エピ
タキシャル層を気相成長させる工程とを含むことを特徴
とする本発明に係る化合物半導体層の形成方法によって
達成される。
層を気相成長させる工程と、第１の所定温度で原子層エ
ピタキシ法等により該アルミニウム原子層上にガリウム
砒素層を形成する工程と、該第１の所定温度より高い第
２の所定温度で該ガリウム砒素層上にガリウム砒素エピ
タキシャル層を気相成長させる工程とを含むことを特徴
とする本発明に係る化合物半導体層の形成方法によって
達成される。
上記本発明を第１図に示す原理図を参照して説明する。
すなわち、Si基板１上にはAl原子層２が形成されてお
り、Al原子層２上にAs原子層３とGa原子層４が形成され
ている。As原子層３およびGa原子層４は原子層エピタキ
シ（ALE）と称される方法（M.Ozeki et al.,Abstract o
f the 19th Conference on Solid State Devices and M
aterials,Tokyo,1987,pp.475）で形成され、各々からGa
Asの１分子層５が構成される。GaAs分子層５が80〜800
層積層され、多結晶層から成る上記従来のバッファ層
（第２図におけるGaAs層８）に代わるバッファ層を構成
する。
すなわち、Si基板１上にはAl原子層２が形成されてお
り、Al原子層２上にAs原子層３とGa原子層４が形成され
ている。As原子層３およびGa原子層４は原子層エピタキ
シ（ALE）と称される方法（M.Ozeki et al.,Abstract o
f the 19th Conference on Solid State Devices and M
aterials,Tokyo,1987,pp.475）で形成され、各々からGa
Asの１分子層５が構成される。GaAs分子層５が80〜800
層積層され、多結晶層から成る上記従来のバッファ層
（第２図におけるGaAs層８）に代わるバッファ層を構成
する。
ALE法においては、通常のMOCVD（有機金属化学気相成
長）法と同様の原料ガスを用いるが、MOCVD法における
ようにGaおよびAsの各々の原料ガスを同時に供給せず、
これらの原料ガスを時間をずらせて交互に供給する。そ
の結果、各原料ガスが供給されるごとにGaまたはAs単原
子層が形成され、これらの単原子層間に結合が生じ、Ga
As 1分子層が生成する。これを繰り返してGaAs分子層が
成長する。
長）法と同様の原料ガスを用いるが、MOCVD法における
ようにGaおよびAsの各々の原料ガスを同時に供給せず、
これらの原料ガスを時間をずらせて交互に供給する。そ
の結果、各原料ガスが供給されるごとにGaまたはAs単原
子層が形成され、これらの単原子層間に結合が生じ、Ga
As 1分子層が生成する。これを繰り返してGaAs分子層が
成長する。
上記ALE法を用いると、GaAs単結晶基板上には、すぐれ
た平坦性を有するGaAs層をエピタキシャル成長させるこ
とができる。しかし、Si単結晶基板の場合には、ALE法
を用いても、充分な平坦性を有するエピタキシャル成長
GaAs層が得られない。この理由は、（100）方向の面方
位を有するSi基板上に、気相成長法によりGaAs層が生成
する場合、GaAs分子はSi基板上では島状に成長しやす
く、Si基板表面全体を覆って平面的（２次元的）な成長
が始まる段階では、比較的大きな島に成長しているため
と考えられる。
た平坦性を有するGaAs層をエピタキシャル成長させるこ
とができる。しかし、Si単結晶基板の場合には、ALE法
を用いても、充分な平坦性を有するエピタキシャル成長
GaAs層が得られない。この理由は、（100）方向の面方
位を有するSi基板上に、気相成長法によりGaAs層が生成
する場合、GaAs分子はSi基板上では島状に成長しやす
く、Si基板表面全体を覆って平面的（２次元的）な成長
が始まる段階では、比較的大きな島に成長しているため
と考えられる。
本発明においては、第１図に示すようにAl原子層２お設
けることによって、早期に上記島状成長から２次元的成
長へ移行させ、GaAsエピタキシャル成長層表面の平坦性
を向上させる。
けることによって、早期に上記島状成長から２次元的成
長へ移行させ、GaAsエピタキシャル成長層表面の平坦性
を向上させる。
Alの格子定数はGaAsのそれの約1/2であり、Si表面にお
ける原子密度はGaAsの約４倍となる。したがって、Si基
板に直接GaAsを成長させる場合よりも、より稠密にGaAs
の島が生成し、島の成長が比較的小さな段階で島どうし
がつながり、基板表面全体をGaAs層が覆ってしまう。そ
のため、Si基板に直接GaAsを成長させた場合よりも早く
島状成長から２次元成長に移行し、Al原子層２とGaAs分
子層５から成るバッファ層６表面の凹凸が少なくなるも
のと考えられる。その結果、バッファ層６上にエピタキ
シャル成長したGaAs層表面の平坦性が向上される。
ける原子密度はGaAsの約４倍となる。したがって、Si基
板に直接GaAsを成長させる場合よりも、より稠密にGaAs
の島が生成し、島の成長が比較的小さな段階で島どうし
がつながり、基板表面全体をGaAs層が覆ってしまう。そ
のため、Si基板に直接GaAsを成長させた場合よりも早く
島状成長から２次元成長に移行し、Al原子層２とGaAs分
子層５から成るバッファ層６表面の凹凸が少なくなるも
のと考えられる。その結果、バッファ層６上にエピタキ
シャル成長したGaAs層表面の平坦性が向上される。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。第３図
は本発明の実施例を説明するための要部断面図である。
は本発明の実施例を説明するための要部断面図である。
ALE法を用いて、Si基板１上にAl原子層２およびGaAs分
子層５を順次形成する。Al原子層２の原料ガスとして
は、例えばトリメチルアルミニウム（TMA;（CH3）3A
l）,GaAs分子層５の原料ガスとしては、例えばトリメチ
ルガリウム（TMG;（CH3）3Ga）および水素で10％に希釈
したアルシン（AsH3）を用いる。成長は約20Torrに減圧
した高周波周誘導加熱炉中で行う。以下に述べる工程に
おいては、常に2SLMの水素を成長装置内に流すものとす
る。成長装置の直前には、導入する原料ガスを高速で切
り換えることができるバルブが設けられている。
子層５を順次形成する。Al原子層２の原料ガスとして
は、例えばトリメチルアルミニウム（TMA;（CH3）3A
l）,GaAs分子層５の原料ガスとしては、例えばトリメチ
ルガリウム（TMG;（CH3）3Ga）および水素で10％に希釈
したアルシン（AsH3）を用いる。成長は約20Torrに減圧
した高周波周誘導加熱炉中で行う。以下に述べる工程に
おいては、常に2SLMの水素を成長装置内に流すものとす
る。成長装置の直前には、導入する原料ガスを高速で切
り換えることができるバルブが設けられている。
成長装置内において、Si基板１を水素雰囲気中、900〜1
000℃で10〜30分間程度ベーキングしてから、温度を300
〜500℃に下げる。所定温度で安定してから、成長装置
内にまずTMAを導入する。これにより、Si基板１表面にA
l原子層２が生成される。通常、上記のようにしてTMAを
導入した場合、Al単原子層が形成される。のちに形成さ
れる単結晶GaAs層の結晶性を乱さない範囲として、Al原
子層２は数原子層までの厚さは許容される。
000℃で10〜30分間程度ベーキングしてから、温度を300
〜500℃に下げる。所定温度で安定してから、成長装置
内にまずTMAを導入する。これにより、Si基板１表面にA
l原子層２が生成される。通常、上記のようにしてTMAを
導入した場合、Al単原子層が形成される。のちに形成さ
れる単結晶GaAs層の結晶性を乱さない範囲として、Al原
子層２は数原子層までの厚さは許容される。
次いで、水のみを導入して残留TMAを排出したのち、AsH
3−水素−TMG−水素を１サイクルとして繰り返し導入す
る。上記における原料ガスの導入時間は１〜数秒程度以
下でよく、その誤差は本質的な影響を生じない。
3−水素−TMG−水素を１サイクルとして繰り返し導入す
る。上記における原料ガスの導入時間は１〜数秒程度以
下でよく、その誤差は本質的な影響を生じない。
上記の工程により、Al原子層２上に厚さ10nm程度のGaAs
分子層５を形成されたのち、原料ガスの導入を停止す
る。GaAs分子層５の厚さの下限は、GaAs分子層５が基板
１表面を完全に被覆する最小値であり、一方、上限はと
くに制約はなく、工程条件およびデバイスの特性に合わ
せて、適当に選ばれる。
分子層５を形成されたのち、原料ガスの導入を停止す
る。GaAs分子層５の厚さの下限は、GaAs分子層５が基板
１表面を完全に被覆する最小値であり、一方、上限はと
くに制約はなく、工程条件およびデバイスの特性に合わ
せて、適当に選ばれる。
次いで、温度を600〜750℃に上げる。所定温度で安定し
てから、通常のMOCVD法におけると同様に、成長装置内
にTMGおよびAsH3を同時に導入し、GaAs分子層５上に単
結晶GaAs層７をエピタキシャル成長させる。単結晶GaAs
層７が所定の厚さに達したのち、原料ガスの導入を停止
する。単結晶GaAs層７の厚さは、この層中に半導体装置
を形成するに必要とされる、例えば３μｍ以上とする。
てから、通常のMOCVD法におけると同様に、成長装置内
にTMGおよびAsH3を同時に導入し、GaAs分子層５上に単
結晶GaAs層７をエピタキシャル成長させる。単結晶GaAs
層７が所定の厚さに達したのち、原料ガスの導入を停止
する。単結晶GaAs層７の厚さは、この層中に半導体装置
を形成するに必要とされる、例えば３μｍ以上とする。
上記のようにして形成された単結晶GaAs層７表面と従来
の２段階成長法によって形成された単結晶GaAs層９の表
面をスポットライトの散乱光観察により比較したとこ
ろ、単結晶GaAs層９の方がより散乱性が強いこと認めら
れ、単結晶GaAs 7の平坦性がすぐれていることが示され
た。
の２段階成長法によって形成された単結晶GaAs層９の表
面をスポットライトの散乱光観察により比較したとこ
ろ、単結晶GaAs層９の方がより散乱性が強いこと認めら
れ、単結晶GaAs 7の平坦性がすぐれていることが示され
た。
Al原子層２およびGaAs分子層５のALE成長は、有機金属
化合物を原料ガスとして用いるMOCVD法に限定されず、G
aとAs,を交互に供給可能な方法に代替でき、例えばMBE
（分子ビームエピタキシ）技術を用いて施行することも
可能である。
化合物を原料ガスとして用いるMOCVD法に限定されず、G
aとAs,を交互に供給可能な方法に代替でき、例えばMBE
（分子ビームエピタキシ）技術を用いて施行することも
可能である。
Al原子層２を形成したのち、原子層単位のエピタキシャ
ル成長法を用いず、通常のMOCVD法あるいはMDE法により
GaAs分子層５を形成してもよい。これらの方法は、ALE
法によりGaAs分子層５を形成した場合に比べて、単結晶
GaAs層７表面の平坦化に対する効果は若干劣るが、ALE
法のように導入原料ガスを高速で切り換える手段を必要
とせず、通常の装置で実施できる利点がある。
ル成長法を用いず、通常のMOCVD法あるいはMDE法により
GaAs分子層５を形成してもよい。これらの方法は、ALE
法によりGaAs分子層５を形成した場合に比べて、単結晶
GaAs層７表面の平坦化に対する効果は若干劣るが、ALE
法のように導入原料ガスを高速で切り換える手段を必要
とせず、通常の装置で実施できる利点がある。
上記実施例における単結晶GaAs層７の形成方法はMOCVD
法に限定されず、単結晶GaAs層７に形成されるデバイス
の作製工程に応じ、例えばDEGaCi（ジエチルガリウムク
ロライド）、AsCl3（３塩化砒素）等の塩化物系の原料
ガスを用いる気相成長法等、他の方法を適宜選択するこ
とができる。単結晶GaAs層７の成長速度がとくに問題と
ならない場合には、GaAs分子層５の形成に続き、ALE法
を適用してもよい。
法に限定されず、単結晶GaAs層７に形成されるデバイス
の作製工程に応じ、例えばDEGaCi（ジエチルガリウムク
ロライド）、AsCl3（３塩化砒素）等の塩化物系の原料
ガスを用いる気相成長法等、他の方法を適宜選択するこ
とができる。単結晶GaAs層７の成長速度がとくに問題と
ならない場合には、GaAs分子層５の形成に続き、ALE法
を適用してもよい。
Al原子層２上に形成する分子層および動作層はGaAs層に
限定されず、本発明は、InP,GaP等のIII−Ｖ族化合物半
導体、あるいは、GaInP,AlGaAs等のIII−Ｖ族混晶、ZnS
（硫化亜鉛）等のII−VI族化合物半導体の気相成長に対
しても適用できる。
限定されず、本発明は、InP,GaP等のIII−Ｖ族化合物半
導体、あるいは、GaInP,AlGaAs等のIII−Ｖ族混晶、ZnS
（硫化亜鉛）等のII−VI族化合物半導体の気相成長に対
しても適用できる。
本発明によれば、Si単結晶基板上に平坦な表面を有する
化合物半導体層をエピタキシャル成長可能とし、GaAs o
n Si構造の化合物半導体の実用化を促進し、半導体装置
の高集積化、量産性の向上、低コスト化に効果がある。
化合物半導体層をエピタキシャル成長可能とし、GaAs o
n Si構造の化合物半導体の実用化を促進し、半導体装置
の高集積化、量産性の向上、低コスト化に効果がある。
第１図は本発明の原理説明図、 第２図は従来の２段階成長法によつて形成されたGaAs o
n Si構造、 第３図は本発明の実施例を説明するための要部断面図、 である。 図において、 １はSi基板、 ２はAl原子層、 ３はAs原子層、 ４はGa原子層、 ５はGaAs分子層、 ６はバッファ層、 ７と９は単結晶GaAs層、 ８は多結晶GaAs層 である。
n Si構造、 第３図は本発明の実施例を説明するための要部断面図、 である。 図において、 １はSi基板、 ２はAl原子層、 ３はAs原子層、 ４はGa原子層、 ５はGaAs分子層、 ６はバッファ層、 ７と９は単結晶GaAs層、 ８は多結晶GaAs層 である。
Claims (1)
- 【請求項１】シリコン単結晶基板上にアルミニウム原子
層を気相成長させる工程と、 第１の所定温度で該アルミニウム原子層上にガリウム砒
素を気相成長させる工程と、 該第１の所定温度より高い第２の所定温度で該ガリウム
砒素上にガリウム砒素エピタキシャル層を気相成長させ
る工程とを含むことを特徴とする化合物半導体層の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1108376A JPH0719756B2 (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 化合物半導体層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1108376A JPH0719756B2 (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 化合物半導体層の形成方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63105036 Division | 1988-04-27 | 1988-04-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0214513A JPH0214513A (ja) | 1990-01-18 |
| JPH0719756B2 true JPH0719756B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=14483202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1108376A Expired - Fee Related JPH0719756B2 (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 化合物半導体層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719756B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5480818A (en) * | 1992-02-10 | 1996-01-02 | Fujitsu Limited | Method for forming a film and method for manufacturing a thin film transistor |
| US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57178315A (en) * | 1981-04-27 | 1982-11-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of semiconductor single crystal |
| JPS5826100A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-16 | Toshiba Corp | 化合物半導体の気相成長方法 |
-
1989
- 1989-04-26 JP JP1108376A patent/JPH0719756B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0214513A (ja) | 1990-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2704181B2 (ja) | 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法 | |
| JP4189386B2 (ja) | 窒化物半導体結晶層の成長方法および窒化物半導体発光素子の製法 | |
| US5019529A (en) | Heteroepitaxial growth method | |
| JPH0794420A (ja) | 化合物半導体結晶基板の製造方法 | |
| US20060175681A1 (en) | Method to grow III-nitride materials using no buffer layer | |
| JP3147316B2 (ja) | 半導体発光素子の作製方法 | |
| CN111188090A (zh) | 一种高质量氮化铝薄膜的同质外延生长方法 | |
| US5107317A (en) | Semiconductor device with first and second buffer layers | |
| TWI725418B (zh) | 磊晶於異質基板之結構及其製備方法 | |
| CN112687525B (zh) | 一种提高超薄氮化镓场效应管晶体质量的外延方法 | |
| CN116682910B (zh) | 一种氮化镓外延片结构及其制备方法 | |
| JP2003332234A (ja) | 窒化層を有するサファイア基板およびその製造方法 | |
| JP3982788B2 (ja) | 半導体層の形成方法 | |
| CN116666196A (zh) | 无旋转畴的κ-Ga2O3薄膜及κ-(AlxGa1-x)2O3/κ-Ga2O3异质结的制备方法 | |
| JPH09295890A (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
| JPH0719756B2 (ja) | 化合物半導体層の形成方法 | |
| JP2000150388A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体薄膜およびその製造方法 | |
| US5183778A (en) | Method of producing a semiconductor device | |
| JPH01155630A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4009043B2 (ja) | ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法 | |
| JP3107646U (ja) | 化合物半導体エピタキシャルウエハ | |
| JP3005281B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP3883303B2 (ja) | ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法 | |
| KR20150035413A (ko) | 격자-조정된 도메인-매칭 에피택시를 이용한 화합물 반도체의 에피택셜 성장 방법 | |
| KR20220123780A (ko) | 다중양자우물 구조를 포함하는 박막의 제조방법, 다중양자우물 구조를 포함하는 박막 및 이를 포함하는 반도체 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |