JPH07193480A

JPH07193480A - １方向性絶縁型スイッチング回路、双方向性絶縁型スイッチング回路、３端子絶縁型スイッチング回路、３端子双方向性絶縁型スイッチング回路、多端子絶縁型スイッチング回路、多端子双方向性絶縁型スイッチング回路、多端子切換え型双方向性絶縁型スイッチング回路、及び、点火配電回路

Info

Publication number: JPH07193480A
Application number: JP6020751A
Authority: JP
Inventors: Toshiyasu Suzuki; 利康鈴木
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1993-08-09
Filing date: 1994-01-01
Publication date: 1995-07-28

Abstract

(57)【要約】【目的】構成を簡単にして部品点数を少なくし、ＩＣ
化を容易にし、電源電圧を大きくせずに済み、ターン・
オフを速くすることである。【構成】例えば、ノーマリィ・オンの接合型ＦＥＴ、
トランジスタ１のソースにダイオード１１を接続して可
制御な１方向性スイッチを構成し、スイッチ２とダイオ
ード１２が直流電源４を挟む様にこれらを方向を揃えて
直列接続し、スイッチ２がオンのとき直流電源４がダイ
オード１２を介してそのゲート・ソース間に逆バイアス
電圧を供給する閉回路をダイオード１１、１２の方向を
揃えて形成し、スイッチ２がオフのときそのゲート・ソ
ース間静電容量を放電させる抵抗５を設けたことを特徴
としている。このことによって、トランジスタ１をゼロ
・バイアスでターン・オンさせることになるので、順バ
イアス用のエネルギー蓄積手段などは不要になり、上記
目的を果たすことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】本発明は、発光、受光ダイオードの
ペアーや変圧器などのアイソレーション手段を使わずに
条件付きながらアイソレーション駆動することができ、
しかも、順バイアス用のコンデンサ、コイル等のエネル
ギー蓄積手段を省略できる各種の絶縁型スイッチング回
路、及び、その１種である双方向性絶縁型スイッチング
回路を利用して所定の点火コイル（点火用昇圧変圧器）
つまりその２次側の点火用放電ギャップを選択できる点
火配電回路に関する。本発明を各種の絶縁型スイッチン
グ手段の他にアナログ・スイッチ（＝アナログ・ゲー
ト）、あるいは、ディジタル・スイッチ（ディジタル・
ゲート）等として使うことができる。もちろん、その２
端子、３端子あるいは多端子の双方向性絶縁型スイッチ
ング回路などを２端子、３端子あるいは多端子の交流ス
イッチとして使うことも可能である。

【０００２】従って、本発明を２端子スイッチ、３端子
スイッチ、多端子スイッチの他に電力変換装置、リレ
ー、有線通信、通話の電子交換機、マルチプレクサ、論
理回路などの分野にも利用できる。その他に本発明の双
方向性絶縁型スイッチング回路などを利用すると、回路
中の所定のインダクタンス又はキャパシタンスを変えた
り、抵抗または負荷を換えたり、等することが容易なた
め、その利用分野は広い。例えば、出力電流制御のため
共振周波数を切り換える共振型電力変換回路、出力電圧
制御のため共振周波数を切り換える共振型スイッチング
電源、複数の点火コイルのうちから少なくとも１つを選
択できる電子配電機能付き点火回路、有線通信、通話手
段同士の切換えを行う電子交換機などに本発明は大いに
役に立つ。

【０００３】

【背景技術】

参考：実開平３−８０６９１号、特開平５−
２２６９９８号、特開平５−２６８０３７号、特開
平５−３０４４５３〜４号。先ず、本発明者の先行技術である１方向性または双方向
性の絶縁型スイッチング回路を図２に示す。この回路に
おいて、トランジスタ（ＩＧＢＴ）８が無ければこの回
路は１方向性であり、トランジスタ８とダイオード１３
が有ればこの回路は双方向性である。図２の回路が１方
向性の場合その作用は次の通りである。スイッチ２がオ
ンとき、直流電源４がダイオード１２等を介してトラン
ジスタ７を逆バイアスし、同時にコンデンサ１４を充電
するので、トランジスタ７はオフである。このとき、ト
ランジスタ７が逆方向電圧を印加されて逆導通したり
も、ダイオード１１が順方向電圧を印加されて導通した
りも、しない限り、つまり、スイッチ端子ｓｔ３、ｓｔ
４どちらの電位もその様な非導通条件を満足する電位に
ある限り、各スイッチ端子ｓｔ３、ｓｔ４と直流電源４
は絶縁状態にある。

【０００４】その後、スイッチ２をターン・オフさせる
と、コンデンサ１４がトランジスタ７を順バイアスし、
ターン・オンさせる。このとき、ダイオード１２が順方
向電圧を印加されてオンとならない限り、スイッチ端子
ｓｔ３、ｓｔ４それぞれと直流電源４は絶縁状態にあ
る。結局、「『ダイオード１２の導通と、トランジスタ
７の逆導通またはダイオード１１の導通が同時に起こら
ない限り』、つまり、『スイッチ端子ｓｔ３、ｓｔ４ど
ちらの電位もその様な非導通条件を満足する電位にある
限り』という条件付きながら、スイッチ２、トランジス
タ７の各オン、オフに関係無く、スイッチ端子ｓｔ３、
ｓｔ４それぞれと直流電源４が絶縁される」という作用
がこの１方向性絶縁型スイッチング回路に有る。図２の
回路がトランジスタ８とダイオード１３の有る双方向性
絶縁型スイッチング回路の場合も同様である。

【０００５】但し、そのためにはダイオード１１、１２
は方向を揃えて接続されていなければならないし、ダイ
オード１３が有る場合もダイオード１２、１３は方向を
揃えて接続されていなければならないが、ダイオード１
１、１３の方向は逆である。また、ダイオード１１〜１
３の各アノード・カソード間静電容量、トランジスタ
７、８の各コレクタ・エミッタ間静電容量、及び、スイ
ッチ２、トランジスタ７、８の各オン、オフ切換え時の
もれ電流などは無視している。さらに、等価的にダイオ
ード６が有ったり、スイッチ２が逆阻止型でなかった
り、等する場合でも、ダイオード１２に逆方向電圧が印
加されると、ダイオード１２により電位が低いダイオー
ド６にも当然ながら逆方向電圧が印加され、両ダイオー
ド１２、６はオフとなるから、前述の絶縁作用は変わら
ない。

【０００６】同様な事が図３〜図２４の各絶縁型スイッ
チング回路にも言える。図３の回路は図２の回路におい
てトランジスタ７（、８）の代わりにノーマリィ・オン
のトランジスタ１（、３）を用いた回路である。図４の
回路はさらに図３の回路においてコンデンサ１４をトラ
ンジスタ１のソース側に接続する等した回路である。図
３、図４の各回路では絶縁ゲートでないスイッチング手
段（例：接合型ＦＥＴ、ＳＩＴ、ＳＩサイリスタ等）２
つ、すなわち、トランジスタ１、３両方ある場合、両特
性が揃っていないと、各ゲート順バイアス電流のばらつ
きによって各オン抵抗に違いが生じる結果、方向により
スイッチのオン抵抗が違ってしまうという欠点がある。
そこで、図５の回路は抵抗１５、１６とダイオード１
７、１８等を使ってトランジスタ１、３の各ゲート順バ
イアス電流の分配を改善した回路であるが、そのために
回路構成が複雑になり、部品点数がかなり増えてしま
う。

【０００７】図６はコイル１９によってトランジスタ１
（、３）を順バイアスする回路である。この回路でも絶
縁ゲートでないスイッチング手段２つ、すなわち、トラ
ンジスタ１、３の両方が有る場合、両特性が揃っていな
いと、各ゲート順バイアス電流のばらつきによって各オ
ン抵抗に違いが生じる結果、方向によりスイッチのオン
抵抗が違ってしまうという欠点がある。そこで、図７の
回路は定電流ダイオード２０、２１とダイオード１７、
１８等を使ってトランジスタ１、３の各ゲート順バイア
ス電流の分配を改善した回路であるが、そのために回路
構成が複雑になり、部品点数がかなり増えてしまう。

【０００８】図８の回路ではスイッチ２のオン時トラン
ジスタ１（、３）のゲート・ソース間静電容量とコンデ
ンサ１４が直流電源４に並列的に接続されるので、その
ゲート逆バイアス電圧は定常的にはコンデンサ１４の充
電電圧に影響されず、ほぼその電源電圧の大きさになる
利点が有るが、回路構成が複雑で、部品点数が多い。図
９の回路はゲート順バイアス電圧の異なるスイッチング
手段２つ、すなわち、トランジスタ１、２２を用いた双
方向性絶縁型スイッチング回路であるが、そのマッチン
グにツェナー・ダイオード２３（抵抗でも定電流ダイオ
ードでも良い。）が必要であり、そのために部品点数が
増えてしまう。

【０００９】図１０〜図２０の各回路は、図２又は図３
の回路において逆バイアス時の抵抗９による電力消費を
小さくしたり、あるいは、順バイアス時のコンデンサ１
４による順バイアス電流を大きくしたり、するために電
流制限手段として抵抗９の代わりにスイッチング手段な
どを用いた回路である。そのために、これら電流制限手
段は普通の抵抗と違ってスイッチ２又はトランジスタ３
１、３４又は８５がオンの時よりオフの時の方がその電
流制限機能が小さくなる。図２０の回路は図１９の回路
においてコンデンサ１４と抵抗１０の並列回路の接続を
トランジスタ３８のゲート側からソース側へ変更した回
路である。つまり、その制御電極側からこれと駆動信号
入力用に対を成す主電極側への接続変更である。同様
に、図９〜図１８等の各回路においてもコンデンサ１４
と抵抗１０の並列回路の接続をその制御電極側から主電
極側へ変更した回路が可能である。これらの回路は元の
図９〜図１８等の各回路から派生した派生回路と言え
る。

【００１０】図２１の回路は、図２の１方向性絶縁型ス
イッチング回路においてダイオード１１と後から追加し
た３つのダイオードでブリッジ接続型整流回路を形成
し、その両整流出力端子間にトランジスタ７を接続した
双方向性絶縁型スイッチング回路である。同様に、図
３、図４、図６、図８、図１０〜図２０の各１方向性絶
縁型スイッチング回路などにおいてダイオードを３つ追
加してブリッジ接続型整流回路を形成し、その両整流出
力端子間にトランジスタ１、７、２２又は３８を接続し
た双方向性絶縁型スイッチング回路もまた可能である。
これら回路も元の回路から派生した派生回路と言うこと
ができる。図２２、図２３の各回路もある。

【００１１】尚、図２３の回路は図２２の回路において
コンデンサ１４と抵抗１０の並列回路の接続をトランジ
スタ４１のゲート側からソース側へ変更した回路であ
る。つまり、その制御電極側からこれと駆動信号入力用
に対を成す主電極側への接続変更である。同様に、前述
の派生したブリッジ接続型整流回路を持つ各双方向性絶
縁型スイッチング回路においてもコンデンサ１４と抵抗
１０の並列回路の接続をその制御電極側から主電極側へ
変更した回路（派生回路）が可能である。

【００１２】図２４の回路は図２の１方向性絶縁型スイ
ッチング回路２つをスイッチ端子のところで逆並列接続
した双方向性絶縁型スイッチング回路で、直流電源４と
スイッチ２は共通化されているが、しなくても構わな
い。同様に、図２〜図４、図６、図８、図１０〜図２０
の１方向性絶縁型スイッチング回路などのいずれか２
つ、異なる回路２つでも同じ回路２つでも構わないが、
をスイッチ端子のところで逆並列接続した双方向性絶縁
型スイッチング回路（派生回路）も可能である。

【００１３】尚、図２〜図２４の各回路あるいはその各
派生回路において、トランジスタ１、３、７、８、２
２、２８、３７、３８又は４１の代わりにスイッチング
手段として可制御なスイッチング手段なら何でも使うこ
とができるし、スイッチ２又はトランジスタ３１、３
４、又は８５の代わりにスイッチング手段としてオン、
オフさせることができるスイッチング手段なら機械的な
スイッチでも半導体スイッチでも何でも使うことができ
る。また、図１０〜図２０、図２２、図２３の各回路あ
るいはその各派生回路において、トランジスタ２４、２
７、２９、３２、３５、３６、３９又は４０の代わりに
スイッチング手段としてそれぞれと同じ順逆バイアス電
圧特性を持ち、自己ターン・オフ機能（＝自己消弧機
能）を持つスイッチング手段なら何でも使うことができ
る。但し、必要とする逆バイアス電圧の大きさに応じて
接続する電圧降下手段に電圧降下の大きいもの使う必要
がある。

【００１４】さらに、図１０〜図２０、図２２、図２３
の各回路またはその各派生回路において、逆バイアス用
の電圧降下手段としてダイオード２５又は３０又はツェ
ナー・ダイオード３３の他に抵抗、抵抗とダイオードの
直列回路または並列回路、ツェナー・ダイオード２つを
逆向きに直列接続したもの、その駆動信号入力用に対を
成さない制御電極と主電極（例：コレクタ電極とベース
電極、ドレイン電極とゲート電極、アノード電極とカソ
ード側ゲート電極。）を接続したスイッチング手段、抵
抗手段、定電圧手段、そして、これらを組み合わせたも
の、等が有る。

【００１５】それから、図１０〜図２０、図２２、図２
３の各回路あるいはその各派生回路において順バイアス
手段として抵抗２６の他に定電流ダイオード、定電流手
段、そのゲートとドレインを接続したＭＯＳ・ＦＥＴ又
は他の抵抗手段、等が有る。そして、図２〜図２４の各
回路あるいはその各派生回路において、可制御な各半導
体スイッチをこれと相補関係にある半導体スイッチで置
き換え、直流電源やダイオードなど方向性の有る各回路
構成手段の向きを逆にした、電圧極性に関して元の回路
に対し対称関係にある回路もまた当然ながら可能であ
る。

【００１６】

【第１の問題点】しかしながら、図２〜図２４の各種の
絶縁型スイッチング回路などでは構成が複雑で、部品点
数が多い、という第１の問題点が有る。

【００１７】

【第２の問題点】ＩＣ化する際コンデンサ、コイル等の
エネルギー蓄積手段を組み込む必要があるので、製造工
程が複雑になり、不便である、という第２の問題点が有
る。特に、そのエネルギー蓄積量を多くして順バイアス
できる期間を長くする場合、その大きさが大きくなるか
ら構成上、スペース上かなり困難になる。

【００１８】

【第３の問題点】図２〜図５の各回路などの様にエネル
ギー蓄積手段にコンデンサを使い、そのコンデンサを介
してその構成要素である可制御なスイッチング手段
（例：トランジスタ１、３、７、８、２２、２８、３
７、３８、４１等。）を逆バイアスする場合、直流電源
の電圧はそのコンデンサの充電電圧分だけ余計に大きく
する必要がある、という第３の問題点が有る。つまり、
その電源電圧の大きさはその逆バイアス電圧の大きさと
その充電電圧の大きさの和以上である必要がある。しか
も、その充電電圧の大きさはその可制御スイッチの順バ
イアスを速やかに行うためにはその順バイアス電圧の大
きさ以上である必要がある。これは、両方が同じ位だと
その順バイアス電圧の立上りが鈍くなり、そのターン・
オンがかなり遅れてしまう、からである。

【００１９】

【第４の問題点】そのエネルギー蓄積手段、もしくは、
そのエネルギーが出入りするために必要な電流経路構成
手段が、その絶縁型スイッチング回路などのターン・オ
フを遅らせる様に作用してしまう、という第４の問題点
が有る。どういう事かと簡単に言うと、例えば、図３、
図４の各回路においては抵抗９が、図６の回路において
はコイル１９が、そして、図８の回路においてはコンデ
ンサ１４が、スイッチ２をターン・オンさせてトランジ
スタ１（、３）をターン・オフさせるとき、トランジス
タ１（、３）のゲート逆バイアス電流を横取りして、そ
のターン・オフを遅らせる様に作用してしまうのであ
る。

【００２０】これらの事について詳しく述べる。図３の
回路において、スイッチ２をターン・オンさせると、ス
イッチ端子ｓｔ５、ｓｔ６の各電位は直流電源４のプラ
ス端子電位より高く設定されているからトランジスタ１
（、３）がターン・オフするまでダイオード１２はオフ
のままであるか、あるいは、ダイオード１２が同時にタ
ーン・オンしてダイオード１２等がトランジスタ１のソ
ース電位をほぼ直流電源４のプラス端子電位ぐらいにク
ランプする。どちらにしても、もれ電流（あるいは短絡
電流）が、スイッチ端子ｓｔ５（又はｓｔ６）からトラ
ンジスタ１（又は３）、そのゲート・ソース間静電容量
と抵抗５の並列回路およびコンデンサ１４等を通って、
あるいは、スイッチ端子ｓｔ５（又はｓｔ６）からトラ
ンジスタ１（又は３）及び抵抗９を通って、スイッチ２
の方へ過渡的に流れてしまう。

【００２１】その際、そのもれ電流のうち、又は、その
もれ電流と直流電源４からの電流の両方のうち、抵抗５
側を流れる電流だけがトランジスタ１（、３）を逆バイ
アスし、ターン・オフさせる。一方、抵抗９を流れる電
流の方はその様な作用は全くせず、トランジスタ１（、
３）のターン・オフに寄与しない。これは、抵抗９の電
圧がトランジスタ１（、３）を逆バイアスするのをコン
デンサ１４の電圧が妨げているからである。しかも、抵
抗９の電流は抵抗９９やスイッチ２のオン抵抗での電圧
降下を増大させて抵抗５側での電圧降下を減少させてし
まう。だから、もし、抵抗９の電流が増えて抵抗５側の
電流が減れば、トランジスタ１（、３）のターン・オフ
が遅れることになるし、反対にその全電流が抵抗５側を
流れれば、トランジスタ１（、３）のターン・オフが速
まることになるから、抵抗９（コンデンサ１４の放電の
電流経路構成手段）の存在がそのターン・オフ遅れの原
因になることが分かる。この事は図２、図９の各回路で
も同じである。

【００２２】また、図４の回路においても、スイッチ２
をターン・オンさせたとき、スイッチ端子ｓｔ７、ｓｔ
８の各電位は前述と同様に高く設定されているからトラ
ンジスタ１（、３）がターン・オフするまでダイオード
１２がオフのままだと、コンデンサ１４は、トランジス
タ１（、３）を順バイアスし続け、スイッチ端子ｓｔ７
（又はｓｔ８）からのもれ電流がトランジスタ１（、
３）を逆バイアスするのを妨げ、そのターン・オフを遅
らせてしまう。別の見方をすれば、コンデンサ１４の充
電電圧の向きがそのもれ電流の向きと同じで、抵抗５等
と抵抗９等は並列的に接続されているから、そのもれ電
流はそのゲート・ソース間静電容量と抵抗５の並列回路
よりもコンデンサ１４等と抵抗９の直列回路の方へ多く
流れ、そのもれ電流によるトランジスタ１（、３）の逆
バイアス作用は弱くなり、そのターン・オフは遅れてし
まう。

【００２３】あるいは、図４の回路において、スイッチ
２のターン・オンと同時にダイオード１２がターン・オ
ンすれば、直流電源４がコンデンサ１４を充電するの
で、コンデンサ１４による順バイアス作用は無くなる。
しかし、直流電源４からの電流は抵抗９の方へ分流し、
その分直流電源４から抵抗５側へ流れる電流が減る上
に、抵抗９の電流が抵抗９９やスイッチ２のオン抵抗で
の電圧降下を増大させて抵抗５側での電圧降下を減少さ
せるので、直流電源４によるトランジスタ１（、３）の
逆バイアス作用は弱くなり、やはりそのターン・オフは
遅れてしまう。この事は図５の回路においても同様であ
る。

【００２４】さらに、図６の回路においても、スイッチ
２をターン・オンさせたとき、スイッチ端子ｓｔ９、ｓ
ｔ１０の各電位は直流電源４のプラス端子電位より高く
設定されているからトランジスタ１（、３）がターン・
オフするまでダイオード１２がオフのままだと、コイル
１９は、トランジスタ１（、３）を順バイアスし続け、
スイッチ端子ｓｔ９（又はｓｔ１０）からのもれ電流が
トランジスタ１（、３）を逆バイアスするのを妨げ、そ
のターン・オフを遅らせてしまう。別の見方をすれば、
コイル１９の電流の向きがそのもれ電流の向きと同じ
で、抵抗５等と抵抗９等は並列的に接続されているか
ら、そのもれ電流はそのゲート・ソース間静電容量と抵
抗５等の並列回路よりもコイル１９と抵抗９等の直列回
路の方へ流れ易く、そのもれ電流によるトランジスタ１
（、３）の逆バイアス作用はその分弱くなり、そのター
ン・オフは遅れてしまう。

【００２５】あるいは、図６の回路において、スイッチ
２のターン・オンと同時にダイオード１２がターン・オ
ンすれば、直流電源４がコイル１９を励磁するので、コ
イル１９による順バイアス作用は無くなる。しかし、直
流電源４からの電流は抵抗９の方へ分流し、その分直流
電源４から抵抗５側へ流れる電流が減る上に、コイル１
９の励磁電流が抵抗９９やスイッチ２のオン抵抗での電
圧降下を増大させて抵抗５側での電圧降下を減少させる
ので、直流電源４によるトランジスタ１（、３）の逆バ
イアス作用は弱くなり、やはりそのターン・オフは遅れ
てしまう。この事は図７の回路においても同様である。

【００２６】それから、図８の回路の様にスイッチ２が
オンの時トランジスタ１（、３）のゲート・ソース間静
電容量とコンデンサ１４が直流電源４に並列的に接続さ
れる回路の場合、スイッチ２がオンの時そのゲート・ソ
ース間静電容量とコイル１９が直流電源４に並列的に接
続される図６の回路の場合と同様以上の事が言える。ス
イッチ２をターン・オンさせた直後、コンデンサ１４
が、そのゲート・ソース間静電容量の充電に過渡的に影
響を与え、遅延素子として働き、トランジスタ１（、
３）のターン・オフを遅らせてしまう。

【００２７】

【発明の目的】そこで、本発明は、前述した４
つの問題点を解決できる、条件付きながら絶縁機能を持
つ１方向性絶縁型スイッチング回路を提供することを目
的としている。そして、この１方向性絶縁型スイッチン
グ回路を応用した各種の絶縁型スイッチング回路と点火
配電回路を提供することも目的としている。

【００２８】

【発明の開示】即ち、本発明は、ノーマリィ・
オンの第１のスイッチング手段の駆動信号入力用に対を
成す制御端子と主端子をｃｔ１、ｍｔ１ａとしたとき
に、前記主端子ｍｔ１ａに第１の非可制御スイッチを接
続して可制御な１方向性スイッチを構成し、第２のスイ
ッチング手段と第２の非可制御スイッチが直流電源を挟
む様にこれらを方向を揃えて直列接続し、前記第２のス
イッチング手段がオンのとき前記直流電源が前記第２の
非可制御スイッチを介して前記制御端子ｃｔ１・前記主
端子ｍｔ１ａ間に逆バイアス電圧を供給する第１の閉回
路を前記第１、第２の非可制御スイッチの方向を揃えて
形成し、前記第２のスイッチング手段がオフのとき前記
制御端子ｃｔ１・前記主端子ｍｔ１ａ間静電容量を放電
させる第１の放電手段を設けた１方向性絶縁型スイッチ
ング回路である。

【００２９】このことによって、前記第２のスイッチン
グ手段がオンとき前記直流電源が前記第２の非可制御ス
イッチを介して前記第１のスイッチング手段を逆バイア
スし、ターン・オフさせる。このとき、「前記第１の非
可制御スイッチが順方向電圧を印加されて導通したり
も、前記第１のスイッチング手段が逆方向電圧を印加さ
れて逆導通したりも、しない限り」、つまり、「その両
スイッチ端子となる前記第１のスイッチング手段および
前記第１の非可制御スイッチの各開放端の電位がその様
な非導通条件を満足する電位である限り」、各スイッチ
端子と前記直流電源は絶縁状態にある。

【００３０】一方、前記第２のスイッチング手段がオフ
のとき、前記第１の放電手段が前記第１のスイッチング
手段の逆バイアス電圧を低下させたり、ゼロにしたりし
て、ノーマリィ・オンの前記第１のスイッチング手段を
ターン・オンさせる。このとき、「前記第２の非可制御
スイッチが順方向電圧を印加されて導通とならない限
り」、前述の各スイッチ端子と前記直流電源は絶縁状態
にある。

【００３１】結局、『前記第２の非可制御スイッチの導
通と、前記第１のスイッチング手段の逆導通または前記
第１の非可制御スイッチの導通が同時に起こらない限
り』、つまり、『前述のスイッチ端子どちらの電位もそ
の様な非導通条件を満足する電位にある限り』という条
件付きで、前記第１、第２のスイッチング手段の各オ
ン、オフに関係無く、前述の各スイッチ端子と前記直流
電源は絶縁される。ただし、前記第１、第２のスイッチ
ング手段、第１、第２の非可制御スイッチの各両主端子
間静電容量と各オン、オフ切換え時のもれ電流などは無
視している。また、本発明の回路を使用する回路におい
て前述した絶縁条件を一時的に外して、本発明の回路を
一時的に非絶縁で使う使い方をしても一向に構わない

【００３２】

【発明の効果】本発明は前記第１のスイッチン
グ手段のターン・オンにエネルギー蓄積手段などを使っ
ていないので、本発明は前述の４つの問題点を解決する
ことができる。従って、以下４つの効果が本発明に有
る。ａ）構成が簡単になり、部品点数が少なくなる。ｂ）ＩＣ製造工程が簡単になり、ＩＣ化するのに都合
が良く、便利になる。ｃ）前記直流電源の電圧は前記第１のスイッチング手
段に逆バイアス電圧を供給できる大きさで有れば良い。
従来の様なコンデンサの充電電圧分を余計に必要としな
い。ｄ）逆バイアス電流を横取りしてターン・オフを遅ら
せる様に作用するエネルギー蓄積手段、もしくは、その
エネルギーが出入りするために必要だが同様に遅延作用
する電流経路構成手段が無いので、ターン・オフが速く
なる。しかも、ノーマリィ・オン型スイッチング手段の
場合、順バイアスしていないこと自体も順バイアス時の
蓄積電荷などによる影響が無いのでそのターン・オフを
速くさせる要因になる。そして、もちろん本発明の１方向性絶縁型スイッチング
回路を応用した本発明の各種の絶縁型スイッチング回路
と点火配電回路にもこれら４つの効果が有る。尚、請求
項２０、２１又は２２記載の双方向性絶縁型スイッチン
グ回路などは請求項１５、１６又は１７記載の双方向性
絶縁型スイッチング回路などと表現方法が異なる本発明
の双方向性絶縁型スイッチング回路である。

【００３３】

【追加される効果１】本発明はノーマリィ・オンのスイ
ッチング手段を前記第１のスイッチング手段などに使っ
ているので、前記第２のスイッチング手段がオフである
限りそのオン期間は図２の回路などと違い無制限であ
る。オン期間が無制限という追加効果。

【００３４】

【追加される効果２】ブリッジ接続型整流回路を持つ請
求項１８記載の双方向性絶縁型スイッチング回路または
これを使った各種回路などのその回路部分を除くと、本
発明にはシールド効果が有る。前記直流電源の電源端子
を一定電位に固定すれば、例えば、アースすれば、本発
明の１方向性絶縁型スイッチング回路などがオフのと
き、その両スイッチ端子の間にある前記制御端子ｃｔ
１、主端子ｍｔ１ａは前記第２のスイッチング手段など
によって一定電位に固定される。だから、オフ時の両ス
イッチ端子間の絶縁インピーダンスが無視できない場合
でも両スイッチ端子間を直接電流が流れることはない。
この効果は有線通信（又は有線通話）同士の切換え等を
行う電子交換機などでは通信（又は通話）の漏洩防止と
いう効果に結び付く。

【００３５】

【追加される効果３】本発明が請求項１６又は２２記載
の双方向性絶縁型スイッチング回路などの場合、その２
方向可制御スイッチ部を構成するスイッチング手段２つ
がどちらも非絶縁ゲート型などであっても、順バイアス
電流の分配のために気を遣う必要が無い、という効果が
有る。従来の図３、図４、図６の各双方向性絶縁型スイ
ッチング回路と違って２方向可制御スイッチを構成する
各スイッチング手段に順バイアス電流を流さないので、
順バイアス電流の分配のために気を遣う必要は無く、両
スイッチング手段に特性の揃ったものを使ったり、図
５、図７の各回路の様に構成したりせずに済む。オン抵
抗が同じなら両スイッチング手段は接合型ＦＥＴとノー
マリィ・オン型ＳＩＴという具合に異種類でも構わな
い。

【００３６】

【追加される効果４】本発明が請求項１６又は２２記載
の双方向性絶縁型スイッチング回路などの場合、その２
方向可制御スイッチ部が非絶縁ゲート型と絶縁ゲート型
スイッチング手段２つ等（例：接合型ＦＥＴとＭＯＳ・
ＦＥＴ）で構成されていたとしても、順バイアス電圧の
印加のために気を遣う必要が無い、という効果が有る。
従来の図９の双方向性絶縁型スイッチング回路と違って
２方向可制御スイッチを構成する異種類の各スイッチン
グ手段に順バイアス電圧を印加することは無く、せいぜ
いゼロ・バイアス電圧なので、順バイアス電圧印加のた
めに気を遣う必要は無く、各順バイアス電圧をマッチン
グさせるために図９回路中のツェナー・ダイオード２３
等の様にツェナー・ダイオードや抵抗などを接続せずに
済む。

【００３７】

【追加される効果５】本発明が請求項５〜１３のいずれ
か１項または請求項２６〜３４のいずれか１項に記載の
各種絶縁型スイッチング回路などの場合、前述の第２の
スイッチング手段がオンのとき各項記載中の放電手段に
よる電流消費が減ったり、あるいは、前述の第２のスイ
ッチング手段がターン・オフしたとき前述の制御端子ｃ
ｔ１・前記主端子ｍｔ１ａ間静電容量の放電が速やかに
行われて前述の第１のスイッチング手段のターン・オン
が速まったり、する。

【００３８】

【追加される効果６】本発明が請求項１７又は２１記載
の双方向性絶縁型スイッチング回路などの場合、その構
成要素となる２方向可制御スイッチを半導体スイッチ１
つで構成できるので、さらに構成が簡単になり、部品点
数が少なくなる、という効果が有る。

【００３９】

【発明を実施するための最良の形態】本発明をより詳細
に説明するために以下添付図面に従ってこれを説明す
る。図１の実施例においてトランジスタ３とダイオード
１３が無ければ、図１の実施例は請求項１又は２記載の
１方向性絶縁型スイッチング回路に対応し、トランジス
タ１とダイオード１１の直列回路が可制御な１方向性ス
イッチを構成する。図１の実施例においてダイオード１
３が有れば、図１の実施例は請求項１４記載の１方向性
絶縁型スイッチング回路に対応し、トランジスタ１とダ
イオード１３の並列回路は１方向可制御２方向性スイッ
チを構成する。図１の実施例においてトランジスタ３と
ダイオード１３が有れば、図１の実施例は請求項１５、
１６、２０又は２１記載の双方向性絶縁型スイッチング
回路に対応し、トランジスタ１、３とダイオード１１、
１３は２方向可制御スイッチを構成する。尚、トランジ
スタ１、３はノーマリィ・オンの接合型ＦＥＴである。

【００４０】請求項１記載の１方向性絶縁型スイッチン
グ回路や請求項１５記載の双方向性絶縁型スイッチング
回路などに対して次の様にそれぞれがそれぞれに相当す
る。ａ）直流電源４が前述の直流電源に。ｂ）トランジスタ１、スイッチ２、トランジスタ３が
前述の第１、第２のスイッチング手段、請求項１５記載
中の第４のスイッチング手段に。ｃ）ダイオード１１〜１３が前述の第１、第２の非可
制御スイッチ、請求項１４記載中の第３の非可制御スイ
ッチに。ｄ）抵抗５が前述の第１の放電手段に。ｅ）トランジスタ１のゲート端子、ソース端子が前述
の制御端子ｃｔ１、主端子ｍｔ１ａに。ｆ）直流電源４、抵抗９９、ダイオード１２、トラン
ジスタ１のゲート・ソース間静電容量およびスイッチ２
を含む閉回路が前述の第１の閉回路に。ｇ）スイッチ端子ｓｔ１、ｓｔ２が前述の各スイッチ
端子に。尚、ダイオード１１、１３の向きは逆でも、ダイオード
１１、１２の向きは同じであり、ダイオード１２、１３
の向きも同じである。

【００４１】また、表現方法が異なる請求項２０記載の
双方向性絶縁型スイッチング回路などに対しては次の様
にそれぞれがそれぞれに相当する。ａ）直流電源４が請求項２０記載中の直流電源に。ｂ）トランジスタ１、３及びダイオード１１、１３が
構成する２方向可制御スイッチ、スイッチ２が請求項２
０記載中の第１、第２のスイッチング手段に。ｃ）ダイオード１１、１３が請求項２０記載中の各Ｐ
Ｎ接合に。ｄ）ダイオード１２が請求項２０記載中の非可制御ス
イッチに。ｅ）抵抗５が請求項２０記載中の放電手段に。ｆ）トランジスタ１、３共通のゲート端子、ソース端
子が請求項２０記載中の駆動端子対に。ｇ）スイッチ端子ｓｔ１、ｓｔ２が請求項２０記載中
のスイッチ端子対に。ｈ）直流電源４、抵抗９９、ダイオード１２、両ゲー
ト・ソース間静電容量およびスイッチ２を含む閉回路が
請求項２０記載中の閉回路に。ｉ）トランジスタ１とダイオード１３の並列回路、ト
ランジスタ３とダイオード１１の並列回路が請求項２２
記載中の第３、第４のスイッチング手段に。

【００４２】図１の実施例が１方向性絶縁型スイッチン
グ回路の場合、その作用は次の通りである。スイッチ２
がオンとき、直流電源４がダイオード１２等を介してト
ランジスタ１を逆バイアスするので、トランジスタ１は
オフである。このとき、「トランジスタ１が逆方向電圧
を印加されて逆導通したりも、ダイオード１１が順方向
電圧を印加されて導通したりも、しない限り」、つま
り、「スイッチ端子ｓｔ１、ｓｔ２どちらの電位もその
様な非導通条件を満足する電位にある限り」、スイッチ
端子ｓｔ１、ｓｔ２それぞれと直流電源４は絶縁状態に
ある。一方、スイッチ２がオフのとき、抵抗５がトラン
ジスタ１のゲート・ソース間静電容量を放電させ、その
ゲート・バイアス電圧をゼロにするので、ノーマリィ・
オンのトランジスタ１がオンとなる。このとき、ダイオ
ード１２が順方向電圧を印加されてオンとならない限
り、スイッチ端子ｓｔ１、ｓｔ２それぞれと直流電源４
は絶縁状態にある。

【００４３】結局、『ダイオード１２の導通と、トラン
ジスタ１の逆導通またはダイオード１１の導通が同時に
起こらない限り』、つまり、『スイッチ端子ｓｔ１、ｓ
ｔ２どちらの電位もその様な非導通条件を満足する電位
にある限り』という条件付きながら、スイッチ２、トラ
ンジスタ１の各オン、オフに関係無く、スイッチ端子ｓ
ｔ１、ｓｔ２それぞれと直流電源４が絶縁される。ただ
し、ダイオード１１、１２（、１３）の各アノード・カ
ソード間静電容量、トランジスタ１（、３）の各ドレイ
ン・ソース間静電容量、及び、スイッチ２、トランジス
タ１（、３）の各オン、オフ切換え時のもれ電流などは
無視している。

【００４４】尚、等価的にダイオード６が有ったり、ス
イッチ２が逆阻止型でなかったり、等する場合でも、ダ
イオード１２に逆方向電圧が印加されると、ダイオード
１２により電位が低いダイオード６にも自動的に逆方向
電圧が印加されるので、両ダイオード１２、６はオフと
なり、前述の絶縁作用は変わらない。また、図１の絶縁
型スイッチング回路において、ダイオード１３が有る１
方向性絶縁型スイッチング回路の場合でも、トランジス
タ３とダイオード１３両方有る双方向性絶縁型スイッチ
ング回路の場合でも、各絶縁作用は同様である。さら
に、本発明の回路を使用する回路の動作中に前述した絶
縁条件を一時的に外して、本発明の回路を一時的に非絶
縁で使う使い方をしても一向に構わない。

【００４５】それから、請求項１記載中の第１のスイッ
チング手段または請求項１５記載中の第４のスイッチン
グ手段または請求項２２記載中の第３又は第４のスイッ
チング手段として、トランジスタ１又は３の代わりにそ
の駆動電圧極性が同じでノーマリィ・オンの可制御なス
イッチング手段なら何でも使うことができる。従って、
その様に各スイッチング手段の置換えによって図１の実
施例から新しい実施例（派生実施例）がいくつも派生す
る。ちなみに、ノーマリィ・オンの可制御なスイッチン
グ手段としては例えば接合型ＦＥＴ、ディプレッション
・モードのＭＯＳ・ＦＥＴと絶縁ゲート型ＦＥＴ、ノー
マリィ・オンのＳＩＴとＳＩサイリスタ、その内蔵ＭＯ
Ｓ・ＦＥＴをノーマリィオン型としたＩＧＢＴ、ノー
マリィ・オンのスイッチング手段を前段にしてノーマリ
ィ・オフのスイッチング手段とカスケード接続したスイ
ッチング手段、等が有る。

【００４６】そして、図１の実施例と前述の派生実施例
において、請求項１又は２０記載中の第２のスイッチン
グ手段としてスイッチ２の代わりにオン、オフできるス
イッチング手段なら機械的なスイッチでも半導体スイッ
チでも何でも使うことができる。従って、その様なスイ
ッチング手段の置換えによって図１の実施例とその派生
実施例からさらに新しい実施例（別の派生実施例）が派
生する。ところで、図１の実施例または各派生実施例に
おいて、その構成要素となる可制御な各半導体スイッチ
（例：トランジスタ、サイリスタ。）をその相補関係に
ある半導体スイッチで置き換え、方向性のある各回路構
成手段（例：直流電源、ダイオード、ツェナー・ダイオ
ード等。）の向きを逆にした電圧極性に関して元の実施
例に対し対称関係にある実施例ももちろん可能である。

【００４７】ところで、図１の実施例はスイッチ作用の
際トランジスタ１（、３）のターン・オンにコンデン
サ、コイル等のエネルギー蓄槓手段などを使っていない
ので、以下４つの効果を持つ。ａ）構成が簡単になり、部品点数が少なくなる。エネ
ルギー蓄積手段だけでなくその付属品（例：図３、図４
の各回路中の抵抗９、１０。）も要らない。ｂ）ＩＣ製造工程が簡単になり、ＩＣ化するのに都合
が良く、便利になる。ｃ）直流電源４の電圧はトランジスタ１（、３）に逆
バイアス電圧を供給できる大きさで有れば良い。その電
源電圧は従来の図３、図４の各回路などの様にコンデン
サ１４の充電電圧分だけ余計に大きくする必要は無い。ｄ）トランジスタ１（、３）のターン・オフが速くな
る。従来の様にトランジスタ１（、３）の逆バイアス電
流を横取りしてターン・オフを遅らせる様に作用するエ
ネルギー蓄積手段（例：図６のコイル１９、図８のコン
デンサ１４。）、又は、そのエネルギーが出入りするた
めに必要だが同じく横取りして遅らせる様に作用する電
流経路構成手段（例：図３、図４の各回路中の抵抗
９。）が無い。尚、抵抗５を流れる電流がこれに生じる
電圧降下はトランジスタ１（、３）の逆バイアス電圧と
して作用し、役に立つ。しかも、トランジスタ１（、
３）がオンのとき順バイアスしていないこと自体が、順
バイアス時の蓄積電荷の影響を無くし、そのターン・オ
フを速くする。

【００４８】また、図１の実施例は、エネルギー蓄積手
段を使わずにノーマリィ・オンの接合型ＦＥＴをトラン
ジスタ１（、３）に使っているので、スイッチ２がオフ
である限りそのオン期間は図２の回路などと違い無制限
である、という追加効果を持つ。そして、もちろん図１
の実施例とその派生実施例を含め、本発明の１方向性絶
縁型スイッチング回路、これらを応用した本発明の各種
絶縁型スイッチング回路および点火配電回路なども前述
した４つの効果とこの追加効果を持つ。

【００４９】さらに、図１の実施例にはシールド効果が
有る。直流電源４の一方の電源端子を一定電位に固定す
れば、例えば、アースすれば、このスイッチング回路が
オフのとき、両スイッチ端子ｓｔ１．ｓｔ２間にあるト
ランジスタ１（、３）のゲート端子、ソース端子は抵抗
９９、ダイオード１２及びスイッチ２によって一定電位
に固定される。だから、オフ時の両スイッチ端子ｓｔ１
・ｓｔ２間の絶縁インピーダンスが無視できない場合で
も両スイッチ端子ｓｔ１・ｓｔ２間を直接もれ電流が流
れることはない。この効果は有線通信（又は有線通話）
同士の切換え等を行う電子交換機などでは通信（又は通
話）の漏洩防止という効果に結び付く。こういう追加効
果は、ブリッジ接続型整流回路を持つ請求項１８記載の
双方向性絶縁型スイッチング回路またはこれを使った各
種回路などのその回路部分を除き、図１の実施例を含
め、本発明の１方向性絶縁型スイッチング回路、これら
を応用した本発明の各種の絶縁型スイッチング回路、点
火配電回路などにも有る。

【００５０】それから、図１の実施例が前述した双方向
性絶縁型スイッチング回路の場合も含め、本発明が請求
項１６又は２２記載の双方向性絶縁型スイッチング回路
などの場合、その２方向可制御スイッチを構成するスイ
ッチング手段２つが非絶縁ゲート型であっても、順バイ
アス電流分配のため気を遣う必要が無い、という追加効
果が有る。図３、図４の各双方向性絶縁型スイッチング
回路などの場合と違って２方向可制御スイッチを構成す
るトランジスタ１、３それぞれにゲート順バイアス電流
を流さないから、順バイアス電流分配のために気を遣う
必要は無く、トランジスタ１、３に特性の揃ったものを
使ったり、図５、図７の各回路の様に構成したりせずに
済む。オン制御のとき両オン抵抗が同じなら両スイッチ
ング手段は接合型ＦＥＴとノーマリィ・オン型ＳＩＴと
いう具合に異種類でも構わない。

【００５１】図２５の実施例は、順バイアス電圧の印加
のために気を遣う必要が無い、という追加効果を持つ。
図２５の実施例は、図９の双方向性絶縁型スイッチング
回路と違って２方向可制御スイッチを構成する異種類の
各スイッチング手段にオン制御時に順バイアス電圧を印
加せず、ゼロ・バイアスなので、各順バイアス電圧の印
加のために気を遣う必要は無い。つまり、図９の回路の
様に各順バイアス電圧をマッチングさせるためにツェナ
ー・ダイオード２３等の様にツェナー・ダイオードや抵
抗などを接続せずに済む。この追加効果は、本発明が請
求項１６又は２２記載の双方向性絶縁型スイッチング回
路などの場合で、かつ、図２５の回路の様に非絶縁ゲー
ト型と絶縁ゲート型スイッチング手段２つで２方向可制
御スイッチを構成した場合などに有る。

【００５２】ところで、図１の実施例において、抵抗５
の値を小さくしてスイッチ２のターン・オフ時トランジ
スタ１（、３）のゲート・ソース間静電容量の放電を速
めてトランジスタ１（、３）のターン・オンを速めよう
とすると、スイッチ２がオンのとき抵抗５による電流消
費が大きくなってしまう。あるいは、その逆に抵抗５に
よる電流消費を小さくしようとして抵抗５の値を大きく
すると、トランジスタ１（、３）のターン・オンが遅く
なってしまう。こういう問題点が図１の実施例と後述す
る図３６、図４７、図５８の各実施例などに有る。これ
を解決したのが、前述の放電手段などとして抵抗５の代
わりにスイッチング手段などが形成する電流制限手段を
用いた図２６〜図３５の各実施例で、これらは請求項５
〜１３のいずれか１項または請求項２６〜３４のいずれ
か１項などに記載の各種絶縁型スイッチング回路に対応
する。その電流制限手段は前述の第２のスイッチング手
段に相当するスイッチ２又はトランジスタ３１又は８５
がオンの時よりオフの時の方がその電流制限作用が小さ
くなる電流制限手段である。

【００５３】その様に電流制限作用が変化する様に、本
発明者は、そのスイッチング手段を逆バイアスするため
の電圧降下手段を、前述のオフ制御するための閉回路に
含ませており、その閉回路の電流がその電圧降下手段に
流れて電圧降下を生じ、そのそのスイッチング手段を逆
バイアスする。その結果、図２６〜図３５の各実施例
は、スイッチ２又はトランジスタ３１又は８５がオンの
とき抵抗２６等による電流消費が減ったり、あるいは、
スイッチ２又はトランジスタ３１又は８５がターン・オ
フしたときトランジスタ１、２２又は３８等のゲート・
ソース間静電容量の放電が速やかに行われてトランジス
タ１、２２又は３８等のターン・オンが速まったり、す
るという追加効果を持つ。

【００５４】図３６〜図４６の各実施例は請求項１７又
は２１記截の双方向性絶縁型スイッチング回路に対応す
る。図１、図２６〜図３５の各実施例が双方向性絶縁型
スイッチング回路の場合、可制御スイッチ２つと非可制
御スイッチ（その可制御スイッチが内蔵する非可制御ス
イッチも含む。）２つが２方向可制御スイッチを構成す
るため、「まだ構成が複雑で、部品点数が多い」という
問題点が有る。これを解決したのが、２方向可制御スイ
ッチとして４端子のＭＯＳ・ＦＥＴ又は絶縁ゲート型Ｆ
ＥＴを用いた図３６〜図４６の各実施例である。この場
合、その構成要素となる２方向可制御スイッチが４端子
の絶縁ゲート型ＦＥＴ等で形成されるので、さらに構成
が簡単になり、部品点数が少なくなる、という追加効果
が有る。

【００５５】更に、図３７〜図４６の各実施例は図２６
〜図３５の各実施例と同様に請求項５〜１３のいずれか
１項に記載の１方向性絶縁型スイッチング回路から発展
した双方向性絶縁型スイッチング回路または請求項２６
〜３４のいずれか１項に記載の双方向性絶縁型スイッチ
ング回路に対応する。従って、図３７〜図４６の各実施
例は、トランジスタ４２又は４３が逆バイアスされると
き抵抗２６等による電流消費が減ったり、または、トラ
ンジスタ４２又は４３がゼロ・バイアスされる時そのゲ
ートとバック・ゲートの間の静電容量が速やかに放電さ
せられてトランジスタ４２又は４３のターン・オンが速
まったり、するという追加効果も持つ。

【００５６】図４７〜図５７の各実施例は請求項１８記
載の双方向性絶縁型スイッチング回路などに対応する。
図４７の実施例は図１の１方向性絶縁型スイッチング回
路においてダイオード１１と後から追加した３つのダイ
オードでブリッジ接続型整流回路を形成し、その両整流
出力端子間にトランジスタ１を接続したものである。同
様に、図２６〜図３５の各実施例、もしくは、その各構
成要素を同等の機能を持つ別の構成要素で置き換えた派
生実施例で１方向性のもの、をダイオード・ブリッジ接
続型整流回路を持つ双方向性絶縁型スイッチング回路へ
発展させたもの（別の派生実施例）もまた可能である。

【００５７】更に、図４８〜図５７の各実施例は図２６
〜図３５、図３７〜図４６の各実施例と同様に請求項５
〜１３のいずれか１項に記載の１方向性絶縁型スイッチ
ング回路から発展した双方向性絶縁型スイッチング回路
に対応する。従って、図４８〜図５７の各実施例は、
「トランジスタ１、２２、３８、４１又は４４が逆バイ
アスされるとき抵抗２６等による電流消費が減ったり、
又は、トランジスタ１、２２、３８、４１又は４４がゼ
ロ・バイアスされる時そのゲート・ソース間静電容量が
速やかに放電させられてそのターン・オンが速まった
り、する」という追加効果も持つ。

【００５８】図５８、図５９の各実施例は請求項１９記
載の双方向性絶縁スイッチング回路などに対応する。図
５８の実施例は、図１の実施例で１方向性のものを２つ
スイッチ端子のところで逆並列接続し、直流電源４とス
イッチ２を共通化したものであるが、直流電源４とスイ
ッチ２は共通化しなくても構わない。同様に、図１、図
２６〜図３５の実施例もしくはその派生実施例で１方向
性のものいずれか２つ、違った実施例２つでも同じ実施
例２つでも構わないが、を逆並列接続した双方向性絶縁
スイッチング回路（派生実施例）もまた可能である。

【００５９】尚、図２６〜図３５の実施例とその派生実
施例で１方向性のものいずれか２つ（違った実施例２つ
でも構わないが）を逆並列接続した双方向性絶縁スイッ
チング回路と、図５９の実施例は、図２６〜図３５、図
３７〜図４６、図４８〜図５７の各実施例と同様に請求
項５〜１３のいずれか１項に記載の１方向性絶縁型スイ
ッチング回路から発展した双方向性絶縁型スイッチング
回路にも対応する。従って、図５９の実施例などそれら
実施例は前述した通り電流消費が減ったり又はターン・
オンが速まったり、するという追加効果も持つ。

【００６０】図６０の実施例は、図１の実施例で１方向
性のものと従来の図２の回路で１方向性のものをスイッ
チ端子のところで逆並列接続し、直流電源４とスイッチ
２を共通化した双方向性絶縁スイッチング回路である
が、直流電源４とスイッチ２は共通化しなくても構わな
い。同様に、図１、図２６〜図３５の実施例またはその
派生実施例で１方向性のもの等いずれか１つと、従来の
図２〜図４、図６、図８、図１０〜図２０の回路または
その派生回路で１方向性のもの等いずれか１つを逆並列
接続した双方向性絶縁スイッチング回路もまた可能であ
る。

【００６１】図６１の実施例は、図２７の実施例で１方
向性のものと電圧極性に関して対称関係にある１方向性
絶縁スイッチング回路を利用した３端子スイッチング回
路である。この実施例では、トランジスタ３８とスイッ
チ４５がオフのとき、条件付きながらスイッチ端子ｓｔ
１４はスイッチ端子ｓｔ１３、ｓｔ１５と絶縁される。
図６２、図６３の各実施例もまた可能である。

【００６２】図６４〜図６７の各実施例は請求項３５記
載の３端子絶縁型スイッチング回路などに対応する。図
６４、図６５の各実施例は１方向性絶縁型スイッチング
回路２つを同じ方向に直列接続したものであるが、その
２つを内向き又は外向きに直列接続した実施例もまた可
能である。図６６、図６７の各実施例は１方向性絶縁型
スイッチング回路２つを内向きに直列接続したものであ
るが、その２つを外向き又は同じ方向に直列接続した実
施例（派生実施例）もまた可能である。同様に、図１、
図２６〜図３５の実施例もしくはその派生実施例で１方
向性のものいずれか２つ（違った実施例２つでも同じ実
施例２つでも構わないが）を同じ方向に又は内向きに又
は外向きに直列接続した３端子絶縁型スイッチング回路
（派生実施例）もまた可能である。

【００６３】尚、図６４の実施例は請求項５記載中の第
１の電圧降下手段もしくは請求項６記載中の第２の電圧
降下手段としてそのドレインとゲートを接続したトラン
ジスタ（ＭＯＳ・ＦＥＴ）４６を１つずつ用いている。
また、図６５の実施例は、そのスイッチ端子の１つが直
流電源４に直接接続されており、図６３の実施例をさら
に発展させた派生実施例と見ることもできる。さらに、
図６７の実施例では、各トランジスタ２２はオンの時そ
のバイアス電圧がゼロであるとは限らない。と言うの
は、トランジスタ４７、４８それぞれのオン電圧が各ツ
ェナー・ダイオード３３のツェナー電圧ぐらいになるか
らである。このため、各トランジスタ２２はそのツェナ
ー電圧ぐらいの逆バイアス電圧でも充分にターン・オン
する必要がある。つまり、逆バイアス電圧の大小によっ
て各トランジスタ２２はオン、オフすることになる。

【００６４】図６８、図６９の各実施例は、請求項３７
記載の３端子双方向性絶縁型スイッチング回路などに対
応し、双方向性絶縁型スイッチング回路２つを直列接続
したものである。同様に、図１、図２６〜図３５の実施
例またはその派生実施例で双方向性のもの、図２５、図
３６〜図６０の実施例またはその派生実施例、のいずれ
か２つ（違った実施例２つでも同じ実施例２つでも構わ
ないが）を直列接続した３端子双方向性絶縁型スイッチ
ング回路（派生実施例）もまた可能である。尚、「図
１、図２６〜図３５の実施例もしくはその派生実施例で
１方向性のものいずれか１つ」と、「図１、図２６〜図
３５の実施例もしくはその派生実施例で双方向性のも
の、図２５、図３６〜図６０の実施例もしくはその派生
実施例、のいずれか１つ」を直列接続した３端子絶縁型
スイッチング回路（派生実施例）もまた可能である。こ
の実施例が請求項３６記載の３端子絶縁型スイッチング
回路などに対応する。

【００６５】図７０の実施例は、請求項１０記載の１方
向性絶縁型スイッチング回路または請求項３８記載の多
端子絶縁型スイッチング回路などに対応し、３を含む３
つ以上の１方向性絶縁型スイッチング回路を１箇所に接
続したものである。図７０の実施例ではどの１方向性絶
縁型スイッチング回路もスイッチ端子ｓｔ１６から図右
側の各スイッチ端子に向かって接続されているが、任意
の数（１つ、いくつか又は全部でも構わないが。）の１
方向性絶縁型スイッチング回路を図右側の各スイッチ端
子からスイッチ端子ｓｔ１６へ向かって接続し直した実
施例もまた可能である。この場合スイッチ端子ｓｔ１６
を使わない使用方法も有る。同様に、図１、図２６〜図
３５の実施例もしくはその派生実施例で１方向性のもの
複数個（複数の違った実施例でも複数の同じ実施例でも
構わないが）を１箇所に接続した多端子絶縁型スイッチ
ング回路（派生実施例）もまた可能である。但し、前述
した通り各１方向性絶縁型スイッチング回路の向きによ
ってその派生実施例は何種類にもなる。

【００６６】図７１の実施例は、請求項１５又は１６記
載の双方向性絶縁型スイッチング回路、請求項２０又は
２２記載の双方向性絶縁型スイッチング回路または請求
項３９記載の多端子双方向性絶縁型スイッチング回路な
どに対応し、３を含む３つ以上の双方向性絶縁型スイッ
チング回路を１箇所に接続したものである。この場合ス
イッチ端子ｓｔ１７を使わない使用方法も有る。図７１
の実施例は複数の双方向性絶縁型スイッチング回路だけ
で構成されているが、そのうち任意の数（１つ、いくつ
か又は全部でも構わないが。）の双方向性絶縁型スイッ
チング回路それぞれを１方向性絶縁型スイッチング回路
で１つずつ入れ換えた派生実施例もまた可能である。こ
の場合その１方向性絶縁型スイッチング回路の向きによ
ってその派生実施例はいくつにもなる。

【００６７】同様に、図１、図２６〜図３５の実施例も
しくはその派生実施例で双方向性のもの、図２５、図３
６〜図６０の実施例もしくはその派生実施例、のいずれ
か複数個（複数の違った実施例でも複数の同じ実施例で
も構わないが）を１箇所に接続した多端子双方向性絶縁
型スイッチング回路の派生実施例もまた可能である。さ
らに同様に、そのうち任意の数（１つ、いくつか又は全
部でも構わないが。）の双方向性絶縁型スイッチング回
路それぞれを１方向性絶縁型スイッチング回路で１つず
つ入れ換えた派生実施例もまた可能であり、その１方向
性絶縁型スイッチング回路の向きによっていくつもの派
生実施例ができる。

【００６８】図７２の実施例は、請求項１５又は１６記
載の双方向性絶縁型スイッチング回路、請求項２０又は
２２記載の双方向性絶縁型スイッチング回路または請求
項４０記載の多端子切換え型双方向性絶縁型スイッチン
グ回路などに対応し、切換え対象となる回路構成（又は
回路又は負荷）４９と本発明の双方向性絶縁型スイッチ
ング回路を直列接続した直列回路を所定数だけ並列接続
したものである。その直列接続する双方向性絶縁型スイ
ッチング回路（違ったものでも同じものでも良いが）と
しては他に例えば図１、図２６〜図３５の実施例または
その派生実施例で双方向性のもの、図２５、図３６〜図
６０の実施例またはその派生実施例、等が有る。尚、各
トランジスタ３６のオン制御手段としてそのドレイン・
ゲート間に抵抗が１つずつ接続されているが、その代わ
りにそのゲート・ソース間に抵抗を１つずつ接続した派
生実施例もまた可能である。

【００６９】図７３〜図７６に４分割して示される電子
配電機能付き点火回路は、請求項４１記載の点火配電回
路などに対応する実施例を内蔵し、図７５の回路部がそ
の点火配電回路の１実施例である。図中、Ｐ、Ｇ、Ｍ、
ｓ、ｔ、ｕは同じ符号同士が接続される。また、５０は
昇圧回路、５１はマイナス電圧を出力するＤＣ−ＤＣコ
ンバータ回路、５２は点火コイル、５３は点火用放電ギ
ャップである。この点火回路は直列インバータ回路を利
用しており、点火コイル５２とコンデンサ５４等が直列
共振回路を構成する。（参考：特開昭６３−３０２２１
７号）図７６の回路部はコンデンサ５４等の静電容量を
切り換える部分で、その静電容量を大きくすると、スパ
ーク電流が大きくなり、スパークが強力になる。

【００７０】尚、図７５の点火配電回路部は、点火用放
電ギャップ５３をその２次コイルに接続した点火コイル
５２の１次コイルと本発明の双方向性絶縁型スイッチン
グ回路を直列接続した直列回路を所定の数（２を含む２
以上の数）だけ並列接続したものである。その直列接続
する双方向性絶縁型スイッチング回路として他に例えば
図１、図２６〜図３５の実施例またはその派生実施例で
双方向性のもの、図２５、図３６〜図６０の実施例また
はその派生実施例などが有る。各双方向性絶縁型スイッ
チング回路は違ったもの複数個でも同じもの複数個でも
構わない。また、昇圧回路５０として例えば特開平５−
１９９７３８号の回路、ＤＣ−ＤＣコンバータ回路とし
て例えば特開平２−１１９５７５号の第７図の回路、特
開平２−１４６２６５号の第１７図〜第１９図の各回路
が有る。さらに、点火回路として特開平２−１４６２６
５号の第２０図の回路を使い、これと本発明の図７５の
点火配電回路を組み合わせることもできる。

【００７１】図７７〜図７９の各スイッチング手段は本
発明の構成要素となるスイッチング手段の１例である。
絶縁ゲート型スイッチング手段２つを図７７の様に接続
したスイッチング手段などの場合、トランジスタ３５、
３６だけでは直流に対してスイッチング手段を構成する
ことはできず、トランジスタ３５、３６及びダイオード
９２又は９３で直流に対して１つのスイッチング手段を
構成している。と言うのは、ダイオード９２、９３どち
らも接続されていないと、トランジスタ３５、３６がオ
ンになっても、各ゲート・ソース間静電容量が直流電流
の通流を邪魔するので、そのスイッチング手段の両主端
子となる両ソース端子間は順方向の直流電圧に対して導
通状態とならない、からである。

【００７２】そのため、ダイオード９２又は９３の接続
が必要となるが、ダイオード９２又は９３の代わりに直
流電流を通す回路素子としては他に例えば抵抗、そのコ
レクタとベースを接続したバイポーラ・トランジスタ、
そのドレインとゲートを接続したＭＯＳ・ＦＥＴ、その
駆動信号入力用に対を成さない制御端子と主端子を接続
したスイッチング手段、抵抗手段、非可制御スイッチ、
定電流手段、ツェナー・ダイオード、定電圧手段、電圧
降下手段、電流制限手段、通流手段、あるいは、これら
を組み合わせたもの、等が有る。

【００７３】一方、図７８、図７９の各スイッチング手
段の場合、トランジスタ３９のゲート・ソース間ＰＮ接
合あるいはトランジスタ２９のベース・エミッタ間ＰＮ
接合（エミッタ接合）が有るため、トランジスタ３６、
３９あるいはトランジスタ３６、２９だけで直流に対し
てスイッチング手段を構成することができる。もちろ
ん、図７８、図７９の様に各スイッチング手段中のトラ
ンジスタ３６のソース・ゲート間にダイオード９３を
１つずつ接続した各スイッチング手段も有る。

【００７４】図８０〜図８２に示すスイッチング手段を
使った各電流制限手段は、本発明の構成要素となる電流
制限手段の１例で、請求項３又は５記載中の、又は、請
求項２４又は２６記載中の電流制限手段に相当する。す
なわち、これらの電流制限手段は、本発明の構成要素と
なる放電手段の１例で、請求項１記載中の第１の放電手
段、又は、請求項２０記載中の放電手段などに相当す
る。図８０〜図８２の各電流制限手段において以下の通
りそれぞれがそれぞれに相当する。ａ）抵抗９４は請求項７又は２８記載中のオン制御手
段に。ｂ）抵抗９６は請求項８又は２９記載中のオン制御手
段に。ｃ）抵抗２６は請求項９又は３０記載中のオン制御手
段に。ｄ）抵抗９７は請求項１０又は３１記載中のオン制御
手段に。ｅ）抵抗９５は請求項１１又は３２記載中のオン制御
手段に。

【００７５】尚、図８０〜図８２の各電流制限手段にお
いて、前述の各オン制御手段として複数の抵抗が接続さ
れてるが、そのうちの少なくとも１つが接続されてれ
ば、もちろん、それらは前述の電流制限手段つまり放電
手段として作用する。また、図８１、図８２の各電流制
限手段では、各ツェナー・ダイオード３３は双方向の定
電圧手段として働き、その順方向の定電圧手段は図７７
に示すスイッチング手段のダイオード９２、９３のそれ
と同じで通流手段として働き、そのツェナー電圧方向の
定電圧手段は逆バイアス用の電圧降下手段として働く。
抵抗９４、９７も双方向の定電圧手段として働くので、
これらが接続されていれば、ツェナー，ダイオード３３
は無くても良いが、過電圧対策として有った方が良い。

【００７６】さらに、図８０〜図８２の各電流制限手段
において、トランジスタ２９、３２、３５、３６それぞ
れの代わりにその駆動電圧の順逆バイアス電圧極性が同
じで、自己ターン・オフ機能を持つ可制御スイッチなら
ノーマリィ・オン、ノーマリィ・オフに関係無く何でも
使うことができる。ただし、必要とする逆バイアス電圧
値に応じて逆バイアス用の電圧降下手段に電圧降下の大
きいものを使う必要がある。そして、ＭＯＳ・ＦＥＴや
ＩＧＢＴや絶縁ゲート型スイッチング手段の様にその駆
動信号入力用に対を成す制御端子と主端子の間が直流に
対して絶縁されるなら、図７７〜図７９の各スイッチン
グ手段の説明で述べた様にその順バイアス方向の通流手
段が必要である。

【００７７】それから、図８０の電流制限手段ではトラ
ンジスタ２９、３２がサイリスタの等価回路を形成する
が、この等価回路を本物のプラス・ゲートとマイナス・
ゲートを持つＧＴＯサイリスタ又はノーマリィ・オフの
ＳＩサイリスタで置き換えても良いし、図８１の電流制
限手段でもトランジスタ３５、３６がノーマリィ・オン
のＳＩサイリスタの等価回路を形成するが、これらをプ
ラス・ゲートとマイナス・ゲートを持つノーマリィ・オ
フのＳＩサイリスタで置き換えても良い。さらに、前述
のオン制御手段のバリエーションは図３４、図３５、図
４５、図４６、図５６、図５７、図５９、図６３〜図６
９、図７５の各実施例などについても当てはまる。

【００７８】最後に、以下の事を補足する。ａ）図１、図２５〜図３５、図４７〜図７６の各実施
例において、請求項１記載中の第１のスイッチング手段
または請求項１５記載中の第４のスイッチング手段また
は請求項２２記載中の第３又は第４のスイッチング手段
として、トランジスタ１、３、２２、２８、３７、３
８、４１、４４、５５、５６、９０又は９１等の代わり
にその駆動電圧極性が同じでノーマリィ・オンの可制御
なスイッチング手段なら何でも使うことができる。従っ
て、その様に各スイッチング手段の置換えによって各実
施例から派生する派生実施例がいくつも可能である。
尚、ノーマリィ・オンの可制御なスイッチング手段とし
ては例えば接合型ＦＥＴ、ディプレッション・モードの
ＭＯＳ・ＦＥＴと絶縁ゲート型ＦＥＴ、ノーマリィ・オ
ンのＳＩＴとＳＩサイリスタ、その内蔵ＭＯＳ・ＦＥＴ
をノーマリィ・オン型としたＩＧＢＴ、ノーマリィ・オ
ンのスイッチング手段を前段にしてノーマリィ・オフの
スイッチング手段とカスケード接続したスイッチング手
段、等が有る。

【００７９】ｂ）図３６〜図４６の各実施例におい
て、請求項２０記載中の第１のスイッチング手段として
トランジスタ４２、４３の代わりにその駆動端子対のバ
イアス電圧極性が同じでノーマリィ・オンの可制御な４
端子のスイッチング手段なら何でも使うことができる。
従って、その様なスイッチング手段の置換えによって各
実施例から派生する派生実施例がいくつも可能である。ｃ）図１、図２５〜図７６の各実施例と前項ａ、ｂで
述べた各派生実施例において、請求項１又は２０記載中
の第２のスイッチング手段としてスイッチ２又はトラン
ジスタ３１、３４、８５、８６、８７、８８又は８９等
の代わりにオン、オフできるスイッチング手段なら機械
的なスイッチでも半導体スイッチでも何でも使うことが
できる。従って、その様なスイッチング手段の置換えに
よって各実施例と各派生実施例からさらに派生する派生
実施例がいくつも可能である。

【００８０】ｄ）請求項１記載中の第１の放電手段ま
たは請求項１５記載中の第２の放電手段または請求項２
０記載中の放電手段としては例えば抵抗、そのドレイン
とゲートを接続したＭＯＳ・ＦＥＴ、抵抗手段、定電流
ダイオード、定電流手段、電流制限手段、又は、これら
のうち少なくとも２つを組み合わせたもの、等が有る。
従って、その様な放電手段の置換えによって各実施例と
各派生実施例から派生する派生実施例がさらにいくつも
可能である。尚、請求項３又は２４記載中の電流制限電
手段の１例としては負性抵抗手段などが有る。

【００８１】ｅ）図２６〜図３５、図３７〜図４６、
図４８〜図５７、図５９、図６１、図６３〜図７６の各
実施例と前項ａ、ｂ、ｃで述べた各派生実施例におい
て、請求項５記載中の第３のスイッチング手段または請
求項２６記載中の第５のスイッチング手段またはこれら
各スイッチング手段を構成する個々のスイッチング手段
として、「トランジスタ２４、２７、２９、３２、３
５、３６、３９、４０、４７又は４８」、「トランジス
タ２９、３２が形成する等価サイリスタ」、「トランジ
スタ２４、２７、２９、３２のうち２つがダーリントン
接続されたスイッチング手段」あるいは「トランジスタ
３５、３６又は３９、４０又は４７、４８又は２４、３
６がサイリスタの様に接続されたスイッチング手段」な
どの代わりに、その駆動電圧極性（制御端子が複数ある
場合は各駆動電圧極性）が同じで自己ターン・オフ機能
を持つスイッチング手段なら何でも使うことができる。
ただし、必要とする逆バイアス電圧の大きさに応じて接
続する電圧降下手段の電圧降下を大きくする必要があ
る。従って、その様に各スイッチング手段の置換えによ
って各実施例から派生する派生実施例がいくつも可能で
ある。

【００８２】ｆ）請求項５又は２６記載中の第１の電
圧降下手段あるいは請求項６又は２７記載中の第２の電
圧降下手段としては例えば、抵抗、そのコレクタとベー
スを接続したバイポーラ・トランジスタ、そのドレイン
とゲートを接続したＭＯＳ・ＦＥＴ、その駆動信号入力
用に対を成さない制御端子と主端子を接続したスイッチ
ング手段、抵抗手段、ダイオード、ＰＮ接合、非可制御
スイッチ、ダイオード又は非可制御スイッチ２つを逆並
列接続したもの、ツェナー・ダイオード、ツェナー・ダ
イオード２つを逆向きに直列接続したもの、ツェナー・
ダイオードとダイオードの直列回路、定電圧手段、抵抗
とダイオードの直列回路もしくは並列回路、抵抗と非可
制御スイッチの直列回路もしくは並列回路、抵抗と非可
制御スイッチの直列回路２つを逆並列接続したもの、抵
抗と非可制御スイッチの直列回路と非可制御スイッチを
逆並列接続したもの、又は、これらのうち少なくとも２
つを組み合わせたもの、等が有る。従って、その様な各
電圧降下手段の置換えによって各実施例と各派生実施例
から派生する派生実施例がいくつも可能である。

【００８３】ｇ）請求項５又は２６記載中のオン制御
手段としては例えば抵抗、そのドレインとゲートを接続
したＭＯＳ・ＦＥＴ、抵抗手段、定電流ダイオード、定
電流手段、電流制限手段、又は、これらのうち少なくと
も２つを組み合わせたもの、等が有る。従って、その様
なオン制御手段の置換えによって各実施例と各派生実施
例から派生する派生実施例がいくつも可能である。

【００８４】ｈ）本発明の１方向性絶縁型スイッチン
グ回路と図２〜図２０の様な従来の１方向性絶縁型スイ
ッチング回路をスイッチ端子同士で同じ向きに、内向き
に、または、外向きに直列接続した３端子絶縁型スイッ
チング回路も可能であるし、あるいは、両方を図６０の
実施例の様に逆並列接続した双方向性絶縁型スイッチン
グ回路もまた可能である。また、本発明の１方向性絶縁
型スイッチング回路と図２〜図２４の様な従来の双方向
性絶縁型スイッチング回路をスイッチ端子同士で直列接
続した３端子絶縁型スイッチング回路もまた可能である
し、その反対に本発明の双方向性絶縁型スイッチング回
路と図２〜図２０の様な従来の１方向性絶縁型スイッチ
ング回路をスイッチ端子同士で直列接続した３端子絶縁
型スイッチング回路もまた可能である。さらに、本発明
と従来両方の双方向性絶縁型スイッチング回路をスイッ
チ端子同士で直列接続した３端子双方向性絶縁型スイッ
チング回路もまた可能である。

【００８５】ｉ）複数の回路構成手段（例：能動素
子、受動素子など）又は回路（例：有線通信手段、有線
通話手段、アンプなど）又は負荷（例：ＡＣモーター、
スピーカーなど）との接続を切り換える際にロータリー
・スイッチの様な多端子切換えスイッチが必要になる
が、本発明の双方向性絶縁型スイッチング回路のいずれ
か１つとその切換えの対象となる回路構成手段または回
路または負荷を直列接続した直列回路を所定の数だけ揃
え、これらを並列接続すれば、多端子切換え型双方向性
絶縁型スイッチング回路ができる。

【００８６】ｊ）本発明の双方向性絶縁型スイッチン
グ回路の利用分野として電子交換機中で回線同士の接続
を切り換える回線切換え手段がある。例えば、所定数の
導線を上から見て縦（斜めでも良いが。）に並べ、さら
に接触しない様にそこに別の所定数の導線を上から見て
横（斜めでも良いが。）に並べ、上から見て縦と横の各
導線が交叉する各交叉箇所近辺を本発明の双方向性絶縁
型スイッチング回路１つずつで接続するのである。その
双方向性絶縁型スイッチング回路にシールド機能を持つ
ものを使えば、通信や通話の漏洩を防止することができ
る。

【００８７】ｋ）各実施例または各派生実施例におい
て、その構成要素となる各半導体スイッチをその相補関
係にある半導体スイッチで置き換え、方向性のある各回
路構成手段の向きを逆にした電圧極性に関して元の回路
に対し対称関係にある回路ももちろん可能である。

【００８８】ｌ）蛇足ながら、図５の回路において、
抵抗１６を取り外した双方向性絶縁型スイッチング回路
が可能であるし、図７の回路において、定電流ダイオー
ド２１を取り外し、トランジスタ３のゲート・ソース間
に放電手段（例：図の様な抵抗。）を接続した双方向性
絶縁型スイッチング回路も可能である。前者は、トラン
ジスタ１、スイッチ２、直流電源４、ダイオード１１、
１２、コンデンサ１４及び抵抗１０、１５等が構成する
従来の１方向性絶縁型スイッチング回路に後からトラン
ジスタ３と抵抗５等を接続したものと考えることができ
るし、後者は、トランジスタ１、スイッチ２、直流電源
４、ダイオード１１、１２、コイル１９及び定電流ダイ
オード２０等が構成する従来の１方向性絶縁型スイッチ
ング回路に後からトランジスタ３とそのゲート・ソース
間放電手段などを接続したものと考えることができる。
（参考：特開平５−２２６９９８
号）

【００８９】

【先行技術】

ａ）双方向性または絶縁型スイッチング回路に関する技
術：特開昭５２−２０７５７号特開昭５２−３
８８７２号特開昭５２−５７７６９号特開昭５５−７
５３４８号特開昭５５−９３３２２号特開昭５５−１
３３１３２号特開昭５５−１３６７２０〜１号特開昭５５−１
４３８３６〜７号特開昭５７−５４３３号特開昭５９−１
４９４２１号特開昭６０−１６７２６号特開昭６０−１
１３５２４号特開昭６０−１７０３２２号特開昭６１−１
９１１１７〜８号特開昭６１−２０３８６７号特開昭６２−１
３７９２５号特開昭６２−１９５９１７号特開昭６３−１
６７５２１号特開昭６３−２２７２１５号特開昭６３−３０２２１７号（図２１）特開平１−２５
９６２０号特開平１−２６０９１７号特開平２−５４
６１６号特開平２−１００４１７号特開平２−１１
９４１６号特開平２−１９８２１９〜２０号特開平３−５６０
７３号（図３２）特開平３−６２６１２号特開平３−９２
０１３号特開平３−１２６３１５号特開平３−１８
４４１６号特開平３−２３６６２５号特開平４−４４
４１７号特開平４−１３８７１６号特開平４−２３
４２１８号特開平４−２４１５１４号特開平４−２７
３７１６号特開平４−２８２９１４号特開平４−２９
６１１６号特開平４−３０６９１９号特開平４−３２
４７１２号特開平４−３３２２１７号特開平４−３４
１００８号特開平４−３４３２５８号特開平５−２２
６９９８号特開平５−２６８０３７号特開平５−３０
４４５３〜４号

【００９０】実開昭５７−１７８７３５号実
開昭６０−４０１３４号実開昭６０−９３３３１号実開昭６１−１
２４１２６号実開昭６２−８５０２７号実開平１−１３
０５６６号実開平２−１３３２６号実開平３−８０
６９１号

【００９１】ｂ）３端子スイッチ（本発明の１構成要素
である電流制限手段）に関する技術：特開昭４８−７１８７４号特開昭５５−３
２５９号特開昭５５−１３６７２７号特開昭５８−２
１９１９〜２０号特開昭５３−１２３０６０〜２号特開昭５５−１
４６１８号特開平２−１５３６１８号特開平２−１７
７７２０号実開昭４７−１４０５２号実開昭５３−５
９３５８号実開平４−３５６８９号ｃ）電気用語に関する参考資料：電気学会電気専門用語集Ｎｏ．９半導体電力変換装置コロナ社発行半導体電力変換回路（社）電気学会発行

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１方向性または双方向性絶縁型スイッ
チング回路の１実施例を示す回路図である。

【図２〜図４】各図は、従来の１方向性または双方向性
絶縁型スイッチング回路の１例を示す回路図である。

【図５】従来の双方向性絶縁型スイッチング回路の１例
を示す回路図である。

【図６】従来の１方向性または双方向性絶縁型スイッチ
ング回路の１例を示す回路図である。

【図７】従来の双方向性絶縁型スイッチング回路の１例
を示す回路図である。

【図８】従来の１方向性または双方向性絶縁型スイッチ
ング回路の１例を示す回路図である。

【図９】従来の双方向性絶縁型スイッチング回路の１例
を示す回路図である。

【図１０〜図２０】各図は、従来の１方向性または双方
向性絶縁型スイッチング回路の１例を示す回路図であ
る。

【図２１〜図２４】各図は、従来の双方向性絶縁型スイ
ッチング回路の１例を示す回路図である。

【図２５】本発明の双方向性絶縁型スイッチング回路の
１実施例を示す回路図である。

【図２６〜図３５】各図は、本発明の１方向性または双
方向性絶縁型スイッチング回路の１実施例を示す回路図
である。

【図３６〜図６０】各図は、本発明の双方向性絶縁型ス
イッチング回路の１実施例を示す回路図である。

【図６１〜図６３】各図は、本発明の１方向性絶縁型ス
イッチング回路の１実施例を用いた３端子スイッチング
回路を示す回路図である。

【図６４】本発明の３端子絶縁型スイッチング回路の１
実施例を示す回路図である。

【図６５】本発明の３端子絶縁型スイッチング回路の１
実施例を用いた３端子スイッチング回路を示す回路図で
ある。

【図６６〜図６７】各図は、本発明の３端子絶縁型スイ
ッチング回路の１実施例を示す回路図である。

【図６８〜図６９】各図は、本発明の３端子双方向性絶
縁型スイッチング回路の１実施例を示す回路図である。

【図７０】本発明の多端子絶縁型スイッチング回路の１
実施例を示す回路図である。

【図７１】本発明の多端子双方向性絶縁型スイッチング
回路の１実施例を示す回路図である。

【図７２】本発明の多端子切換え型双方向性絶縁型スイ
ッチング回路の１実施例を示す回路図である。

【図７３】本発明の点火配電回路の１実施例を用いた電
子配電機能付き点火回路を示す回路図を４分割したうち
の左から１番目の部分である。

【図７４】同じく４分割したうちの左から２番目の部分
である。

【図７５】同じく４分割したうちの左から３番目の部分
である。

【図７６】同じく４分割したうちの左から４番目の部分
である。

【図７７〜図７９】各図は、本発明の１構成要素である
スイッチング手段の１例である。

【図８０〜図８２】各図は、本発明の１構成要素である
電流制限手段の１例である。

【符号の説明】

ｓｔ１〜ｓｔ１７スイッチ端子３、３９〜４１、８９トランジスタ（接合型ＦＥＴ）７、８トランジスタ（ＩＧＢＴ）２０、２１定電流ダイオード２２、３５〜３８トランジスタ（ノーマリィ・オン型
ＭＯＳ・ＦＥＴ）４２、４３トランジスタ（４端子ノーマリィ・オン型
ＭＯＳ・ＦＥＴ）４４トランジスタ（ノーマリィ・オン型ＳＩＴ）４９回路構成手段（又は回路又は負荷）５０昇圧回路５１ＤＣ−ＤＣコンバータ５２点火コイル５３点火用放電ギャップ５４コンデンサ

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０２Ｍ 7/537 Ｚ 9181−5ＨＨ０３Ｋ 17/567 17/73 17/732 // Ｈ０２Ｍ 3/00 Ｓ 9383−5ＪＨ０３Ｋ 17/73 Ａ 9383−5ＪＤ (54)【発明の名称】１方向性絶縁型スイッチング回路、双方向性絶縁型スイッチング回路、３端子絶縁型スイッチング回路、３端子双方向性絶縁型スイッチング回路、多端子絶縁型スイッチング回路、多端子双方向性絶縁型スイッチング回路、多端子切換え型双方向性絶縁型スイッチング回路、及び、点火配電回路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ノーマリィ・オンの第１のスイッチング
手段の駆動信号入力用に対を成す制御端子と主端子をｃ
ｔ１、ｍｔ１ａとしたときに、前記主端子ｍｔ１ａに第
１の非可制御スイッチを接続して可制御な１方向性スイ
ッチを構成し、第２のスイッチング手段と第２の非可制
御スイッチが直流電源を挟む様にこれらを方向を揃えて
直列接続し、前記第２のスイッチング手段がオンのとき
前記直流電源が前記第２の非可制御スイッチを介して前
記制御端子ｃｔ１・前記主端子ｍｔ１ａ間に逆バイアス
電圧を供給する第１の閉回路を前記第１、第２の非可制
御スイッチの方向を揃えて形成し、前記第２のスイッチ
ング手段がオフのとき前記制御端子ｃｔ１・前記主端子
ｍｔ１ａ間の静電容量を放電させる第１の放電手段を設
けたことを特徴とする１方向性絶縁型スイッチング回
路。
【請求項２】前記第１の放電手段として、抵抗、その
ドレインとゲートを接続したＭＯＳ・ＦＥＴ、抵抗手
段、定電流ダイオード、定電流手段、電流制限手段、又
は、これらのうち少なくとも２つを組み合わせたもの、
を用いたことを特徴とする請求項１記載の１方向性絶縁
型スイッチング回路。
【請求項３】前記第１の放電手段として、前記第２の
スイッチング手段がオンの時よりオフの時の方がその電
流制限機能が小さくなる電流制限手段を用いたことを特
徴とする請求項１記載の１方向性絶縁型スイッチング回
路。
【請求項４】前記電流制限手段として負性抵抗手段を
用いたことを特徴とする請求項３記載の１方向性絶縁型
スイッチング回路。
【請求項５】自己ターン・オフ機能を持つ第３のスイ
ッチング手段の制御端子、主端子をｃｔ３ａ、ｍｔ３
ａ、ｍｔ３ｂとし、その駆動信号入力用に前記制御端子
ｃｔ３ａと前記主端子ｍｔ３ａが対を成すとしたとき
に、前記制御端子ｃｔ３ａ・前記主端子ｍｔ３ａ間に逆
バイアス用に前記第１の閉回路に含まれる第１の電圧降
下手段を構成し、前記第３のスイッチング手段がオフ制
御されていないときこれをオン制御するオン制御手段を
設けたものを前記電流制限手段として用いたことを特徴
とする請求項３記載の１方向性絶縁型スイッチング回
路。
【請求項６】もう１つ駆動信号入力用に前記主端子ｍ
ｔ３ｂと対を成す制御端子があって、これを制御端子ｃ
ｔ３ｂとしたときに、前記制御端子ｃｔ３ｂ・前記主端
子ｍｔ３ｂ間に逆バイアス用に前記第１の閉回路に含ま
れる第２の電圧降下手段を構成したことを特徴とする請
求項５記載の１方向性絶縁型スイッチング回路。
【請求項７】前記第３のスイッチング手段としてその
制御端子ｃｔ３ｂ・主端子ｍｔ３ｂ間電圧がゼロでター
ン・オンするものを用い、前記オン制御手段として前記
制御端子ｃｔ３ｂ・主端子ｍｔ３ｂ間に抵抗、そのドレ
インとゲートを接続したＭＯＳ・ＦＥＴ、抵抗手段、定
電流ダイオード、定電流手段、電流制限手段、放電手
段、又は、これらのうち少なくとも２つを組み合わせた
もの、を接続したことを特徴とする請求項６記載の１方
向性絶縁型スイッチング回路。
【請求項８】前記オン制御手段として前記制御端子ｃ
ｔ３ｂ・前記主端子ｍｔ３ａ間に抵抗、そのドレインと
ゲートを接続したＭＯＳ・ＦＥＴ、抵抗手段、定電流ダ
イオード、定電流手段、電流制限手段、又は、これらの
うち少なくとも２つを組み合わせたもの、を接続したこ
とを特徴とする請求項６又は７記載の１方向性絶縁型ス
イッチング回路。
【請求項９】前記オン制御手段として前記両制御端子
ｃｔ３ａ・ｃｔ３ｂ間に抵抗、そのドレインとゲートを
接続したＭＯＳ・ＦＥＴ、抵抗手段、定電流ダイオー
ド、定電流手段、電流制限手段、又は、これらのうち少
なくとも２つを組み合わせたもの、を接続したことを特
徴とする請求項６、７又は８記載の１方向性絶縁型スイ
ッチング回路。
【請求項１０】前記第３のスイッチング手段としてそ
の制御端子ｃｔ３ａ・主端子ｍｔ３ａ間電圧がゼロでタ
ーン・オンするものを用い、前記オン制御手段として前
記制御端子ｃｔ３ａ・主端子ｍｔ３ａ間に抵抗、そのド
レインとゲートを接続したＭＯＳ・ＦＥＴ、抵抗手段、
定電流ダイオード、定電流手段、電流制限手段、放電手
段、又は、これらのうち少なくとも２つを組み合わせた
もの、を接続したことを特徴とする請求項５、６、７、
８又は９記載の１方向性絶縁型スイッチング回路。
【請求項１１】前記オン制御手段として前記制御端子
ｃｔ３ａ・前記主端子ｍｔ３ｂ間に抵抗、そのドレイン
とゲートを接続したＭＯＳ・ＦＥＴ、抵抗手段、定電流
ダイオード、定電流手段、電流制限手段、又は、これら
のうち少なくとも２つを組み合わせたもの、を接続した
ことを特徴とする請求項５〜１０のいずれか１項に記載
の１方向性絶縁型スイッチング回路。
【請求項１２】前記第１の電圧降下手段として、抵
抗、そのコレクタとベースを接続したバイポーラ・トラ
ンジスタ、そのドレインとゲートを接続したＭＯＳ・Ｆ
ＥＴ、その駆動信号入力用に対を成さない制御端子と主
端子を接続したスイッチング手段、抵抗手段、ダイオー
ド、ＰＮ接合、非可制御スイッチ、ダイオード又は非可
制御スイッチ２つを逆並列接続したもの、ツェナー・ダ
イオード、ツェナー・ダイオード２つを逆向きに直列接
続したもの、ツェナー・ダイオードとダイオードの直列
回路、定電圧手段、抵抗とダイオードの直列回路もしく
は並列回路、抵抗と非可制御スイッチの直列回路２つを
逆並列接続したもの、抵抗と非可制御スイッチの直列回
路もしくは並列回路、抵抗と非可制御スイッチの直列回
路と非可制御スイッチを逆並列接続したもの、又は、こ
れらのうち少なくとも２つを組み合わせたもの、を用い
たことを特徴とする請求項５〜１１のいずれか１項に記
載の１方向性絶縁型スイッチング回路。
【請求項１３】前記第２の電圧降下手段として、抵
抗、そのコレクタとベースを接続したバイポーラ・トラ
ンジスタ、そのドレインとゲートを接続したＭＯＳ・Ｆ
ＥＴ、その駆動信号入力用に対を成さない制御端子と主
端子を接続したスイッチング手段、抵抗手段、ダイオー
ド、ＰＮ接合、非可制御スイッチ、ダイオード又は非可
制御スイッチ２つを逆並列接続したもの、ツェナー・ダ
イオード、ツェナー・ダイオード２つを逆向きに直列接
続したもの、ツェナー・ダイオードとダイオードの直列
回路、定電圧手段、抵抗とダイオードの直列回路もしく
は並列回路、抵抗と非可制御スイッチの直列回路２つを
逆並列接続したもの、抵抗と非可制御スイッチの直列回
路もしくは並列回路、抵抗と非可制御スイッチの直列回
路と非可制御スイッチを逆並列接続したもの、又は、こ
れらのうち少なくとも２つを組み合わせたもの、を用い
たことを特徴とする請求項６〜１２のいずれか１項に記
載の１方向性絶縁型スイッチング回路。
【請求項１４】前記第１のスイッチング手段に第３の
非可制御スイッチを並列に設けて、両方で１方向可制御
２方向性スイッチを構成したことを特徴とする請求項１
〜１３のいずれか１項に記載の１方向性絶縁型スイッチ
ング回路。
【請求項１５】請求項１４記載の１方向性絶縁型スイ
ッチング回路において、ノーマリィ・オンの第４のスイ
ッチング手段があって、その駆動信号入力用に対を成す
制御端子と主端子を制御端子ｃｔ４、主端子ｍｔ４ａと
し、前記制御端子ｃｔ１・前記主端子ｍｔ１ａ間と前記
制御端子ｃｔ４・前記主端子ｍｔ４ａ間のバイアス電圧
極性が同じであるとしたときに、前記第４のスイッチン
グ手段を前記第１の非可制御スイッチに並列に設けて２
方向可制御スイッチを構成し、前記第２のスイッチング
手段と第４の非可制御スイッチが前記直流電源を挟む様
にこれらを方向を揃えて直列接続し、前記第２のスイッ
チング手段がオンのとき前記直流電源が前記第４の非可
制御スイッチを介して前記制御端子ｃｔ４・前記主端子
ｍｔ４ａ間に逆バイアス電圧を供給する第２の閉回路を
前記第１、第４の非可制御スイッチの方向を揃えて形成
し、前記第２のスイッチング手段がオフのとき前記制御
端子ｃｔ４・前記主端子ｍｔ４ａ間の静電容量を放電さ
せる第２の放電手段を設けたことを特徴とする双方向性
絶縁型スイッチング回路。
【請求項１６】前記第２、第４の非可制御スイッチを
共通にして前記第１、第２の閉回路を共通にし、前記第
１、第２の放電手段を共通にしたことを特徴とする請求
項１５記載の双方向性絶縁型スイッチング回路。
【請求項１７】前記第１、第４のスイッチング手段と
前記第１、第３の非可制御スイッチの代わりにノーマリ
ィ・オンで４端子のＭＯＳ・ＦＥＴ又は絶縁ゲート型Ｆ
ＥＴを用い、そのバック・ゲートとドレイン、ソースそ
れぞれの間に１つずつ逆向きに形成されているＰＮ接合
を前記第１、第３の非可制御スイッチとしたことを特徴
とする請求項１６記載の双方向性絶縁型スイッチング回
路。
【請求項１８】請求項１〜１４のいずれか１項に記載
の１方向性絶縁型スイッチング回路において、前記第１
の非可制御スイッチと第５〜第７の非可制御スイッチの
４つでブリッジ接続型整流回路を構成し、その両整流出
力端子間に前記第１のスイッチング手段を接続したこと
を特徴とする双方向性絶縁型スイッチング回路。
【請求項１９】請求項１〜１４のいずれか１項に記載
の１方向性絶縁型スイッチング回路と請求項１〜１４の
いずれか１項に記載の１方向性絶縁型スイッチング回路
を逆並列接続したことを特徴とする双方向性絶縁型スイ
ッチング回路。
【請求項２０】その駆動信号入力用に対を成す駆動端
子対とその入力駆動信号に従って双方向に対しオン、オ
フするスイッチ端子対の４端子を持ち、その一方の駆動
端子と前記各スイッチ端子との間にＰＮ接合が１つずつ
逆向きに形成されているノーマリィ・オンの第１のスイ
ッチング手段があって、第２のスイッチング手段と非可
制御スイッチが直流電源を挟む様にこれらを方向を揃え
て直列接続し、前記第２のスイッチング手段がオンのと
き前記直流電源が前記非可制御スイッチを介して前記駆
動端子対間に逆バイアス電圧を供給する閉回路を前記非
可制御スイッチの方向が前記各ＰＮ接合の方向に対して
同じになる様に形成し、前記第２のスイッチング手段が
オフのとき前記駆動端子対間の静電容量を放電させる放
電手段を設けたことを特徴とする双方向性絶縁型スイッ
チング回路。
【請求項２１】前記第１のスイッチング手段として４
端子のＭＯＳ・ＦＥＴ又は絶縁ゲート型ＦＥＴを用い、
そのゲートとバック・ゲートを前記駆動端子対とし、そ
のドレインとソースを前記スイッチ端子対としたことを
特徴とする請求項２０記載の双方向性絶縁型スイッチン
グ回路。
【請求項２２】第３のスイッチング手段の駆動信号入
力用に対を成す制御端子と主端子の間のバイアス電圧極
性と第４のスイッチング手段の駆動信号入力用に対を成
す制御端子と主端子の間のバイアス電圧極性が同じで、
どちらもノーマリィ・オンの１方向可制御２方向性スイ
ッチとしたときに、前記制御端子同士を接続し、前記主
端子同士を接続した２方向可制御スイッチを前記第１の
スイッチング手段として用いたことを特徴とする請求項
２０記載の双方向性絶縁型スイッチング回路。
【請求項２３】前記放電手段として、抵抗、そのドレ
インとゲートを接続したＭＯＳ・ＦＥＴ、抵抗手段、定
電流ダイオード、定電流手段、電流制限手段、又は、こ
れらのうち少なくとも２つを組み合わせたもの、を用い
たことを特徴とする請求項２０、２１又は２２記載の双
方向性絶縁型スイッチング回路。
【請求項２４】前記放電手段として、前記第２のスイ
ッチング手段がオンの時よりオフの時の方がその電流制
限機能が小さくなる電流制限手段を用いたことを特徴と
する請求項２０、２１又は２２記載の双方向性絶縁型ス
イッチング回路。
【請求項２５】前記電流制限手段として、負性抵抗手
段を用いたことを特徴とする請求項２４記載の双方向性
絶縁型スイッチング回路。
【請求項２６】自己ターン・オフ機能を持つ第５のス
イッチング手段の制御端子、主端子をｃｔ５ａ、ｍｔ５
ａ、ｍｔ５ｂとし、その駆動信号入力用に前記制御端子
ｃｔ５ａと前記主端子ｍｔ５ａが対を成すとしたとき
に、前記制御端子ｃｔ５ａ・前記主端子ｍｔ５ａ間に逆
バイアス用に前記閉回路に含まれる第１の電圧降下手段
を構成し、前記第５のスイッチング手段がオフ制御され
ていないときこれをオン制御するオン制御手段を設けた
ものを前記電流制限手段として用いたことを特徴とする
請求項２４記載の双方向性絶縁型スイッチング回路。
【請求項２７】もう１つ駆動信号入力用に前記主端子
ｍｔ５ｂと対を成す制御端子があって、これを制御端子
ｃｔ５ｂとしたときに、前記制御端子ｃｔ５ｂ・前記主
端子ｍｔ５ｂ間に逆バイアス用に前記閉回路に含まれる
第２の電圧降下手段を構成したことを特徴とする請求項
２６記載の双方向性絶縁型スイッチング回路。
【請求項２８】前記第５のスイッチング手段としてそ
の制御端子ｃｔ５ｂ・主端子ｍｔ５ｂ間電圧がゼロでタ
ーン・オンするものを用い、前記オン制御手段として前
記制御端子ｃｔ５ｂ・主端子ｍｔ５ｂ間に抵抗、そのド
レインとゲートを接続したＭＯＳ・ＦＥＴ、抵抗手段、
定電流ダイオード、定電流手段、電流制限手段、放電手
段、又は、これらのうち少なくとも２つを組み合わせた
もの、を接続したことを特徴とする請求項２７記載の双
方向性絶縁型スイッチング回路。
【請求項２９】前記オン制御手段として前記制御端子
ｃｔ５ｂ・前記主端子ｍｔ５ａ間に抵抗、そのドレイン
とゲートを接続したＭＯＳ・ＦＥＴ、抵抗手段、定電流
ダイオード、定電流手段、電流制限手段、又は、これら
のうち少なくとも２つを組み合わせたもの、を接続した
ことを特徴とする請求項２７又は２８記載の双方向性絶
縁型スイッチング回路。
【請求項３０】前記オン制御手段として前記両制御端
子ｃｔ５ａ・ｃｔ５ｂ間に抵抗、そのドレインとゲート
を接続したＭＯＳ・ＦＥＴ、抵抗手段、定電流ダイオー
ド、定電流手段、電流制限手段、又は、これらのうち少
なくとも２つを組み合わせたもの、を接続したことを特
徴とする請求項２７、２８又は２９記載の双方向性絶縁
型スイッチング回路。
【請求項３１】前記第５のスイッチング手段としてそ
の制御端子ｃｔ５ａ・主端子ｍｔ５ａ間電圧がゼロでタ
ーン・オンするものを用い、前記オン制御手段として前
記制御端子ｃｔ５ａ・主端子ｍｔ５ａ間に抵抗、そのド
レインとゲートを接続したＭＯＳ・ＦＥＴ、抵抗手段、
定電流ダイオード、定電流手段、電流制限手段、放電手
段、又は、これらのうち少なくとも２つを組み合わせた
もの、を接続したことを特徴とする請求項２６〜３０の
いずれか１項に記載の双方向性絶縁型スイッチング回
路。
【請求項３２】前記オン制御手段として前記制御端子
ｃｔ５ａ・前記主端子ｍｔ５ｂ間に抵抗、そのドレイン
とゲートを接続したＭＯＳ・ＦＥＴ、抵抗手段、定電流
ダイオード、定電流手段、電流制限手段、又は、これら
のうち少なくとも２つを組み合わせたもの、を接続した
ことを特徴とする請求項２６〜３１のいずれか１項に記
載の双方向性絶縁型スイッチング回路。
【請求項３３】前記第１の電圧降下手段として、抵
抗、そのコレクタとベースを接続したバイポーラ・トラ
ンジスタ、そのドレインとゲートを接続したＭＯＳ・Ｆ
ＥＴ、その駆動信号入力用に対を成さない制御端子と主
端子を接続したスイッチング手段、抵抗手段、ダイオー
ド、ＰＮ接合、非可制御スイッチ、ダイオード又は非可
制御スイッチ２つを逆並列接続したもの、ツェナーダ
イオード、ツェナー・ダイオード２つを逆向きに直列接
続したもの、ツェナー・ダイオードとダイオードの直列
回路、定電圧手段、抵抗とダイオードの直列回路もしく
は並列回路、抵抗と非可制御スイッチの直列回路２つを
逆並列接続したもの、抵抗と非可制御スイッチの直列回
路もしくは並列回路、抵抗と非可制御スイッチの直列回
路と非可制御スイッチを逆並列接続したもの、又は、こ
れらのうち少なくとも２つを組み合わせたもの、を用い
たことを特徴とする請求項２６〜３２のいずれか１項に
記載の双方向性絶縁型スイッチング回路。
【請求項３４】前記第２の電圧降下手段として、抵
抗、そのコレクタとベースを接続したバイポーラ・トラ
ンジスタ、そのドレインとゲートを接続したＭＯＳ・Ｆ
ＥＴ、その駆動信号入力用に対を成さない制御端子と主
端子を接続したスイッチング手段、抵抗手段、ダイオー
ド、ＰＮ接合、非可制御スイッチ、ダイオード又は非可
制御スイッチ２つを逆並列接続したもの、ツェナー・ダ
イオード、ツェナー・ダイオード２つを逆向きに直列接
続したもの、ツェナー・ダイオードとダイオードの直列
回路、定電圧手段、抵抗とダイオードの直列回路もしく
は並列回路、抵抗と非可制御スイッチの直列回路２つを
逆並列接続したもの、抵抗と非可制御スイッチの直列回
路もしくは並列回路、抵抗と非可制御スイッチの直列回
路と非可制御スイッチを逆並列接続したもの、又は、こ
れらのうち少なくとも２つを組み合わせたもの、を用い
たことを特徴とする請求項２７〜３３のいずれか１項に
記載の双方向性絶縁型スイッチング回路。
【請求項３５】請求項１〜１４のいずれか１項に記載
の１方向性絶縁型スイッチング回路と請求項１〜１４の
いずれか１項に記載の１方向性絶縁型スイッチング回路
を同じ方向に、又は、内向きに、又は、外向きに直列接
続したことを特徴とする３端子絶縁型スイッチング回
路。
【請求項３６】請求項１〜１４のいずれか１項に記載
の１方向性絶縁型スイッチング回路と請求項１５〜３４
のいずれか１項に記載の双方向性絶縁型スイッチング回
路を直列接続したことを特徴とする３端子絶縁型スイッ
チング回路。
【請求項３７】請求項１５〜３４のいずれか１項に記
載の双方向性絶縁型スイッチング回路と請求項１５〜３
４のいずれか１項に記載の双方向性絶縁型スイッチング
回路を直列接続したことを特徴とする３端子双方向性絶
縁型スイッチング回路。
【請求項３８】請求項１〜１４のいずれか１項に記載
の１方向性絶縁型スイッチング回路と請求項１〜１４の
いずれか１項に記載の１方向性絶縁型スイッチング回路
を接続し、さらに、その接続箇所に請求項１〜１４のい
ずれか１項に記載の１方向性絶縁型スイッチング回路を
接続し、同様に所定数その接続箇所に接続したことを特
徴とする多端子絶縁型スイッチング回路。
【請求項３９】請求項１５〜３４のいずれか１項に記
載の双方向性絶縁型スイッチング回路と請求項１５〜３
４のいずれか１項に記載の双方向性絶縁型スイッチング
回路を接続し、さらに、その接続箇所に請求項１５〜３
４のいずれか１項に記載の双方向性絶縁型スイッチング
回路を接続し、同様に所定数その接続箇所に接続したこ
とを特徴とする多端子双方向性絶縁型スイッチング回
路。
【請求項４０】切換えの対象となる回路構成手段、回
路または負荷と請求項１５〜３４のいずれか１項に記載
の双方向性絶縁型スイッチング回路を直列接続した直列
回路を所定の数だけ並列接続したことを特徴とする多端
子切換え型双方向性絶縁型スイッチング回路。
【請求項４１】その２次コイルに点火用放電ギャップ
を接続した点火コイルの１次コイルを請求項１５〜３４
のいずれか１項に記載の双方向スイッチング回路に直列
接続した直列回路を所定の数だけ並列接続したことを特
徴とする点火配電回路。