JPH07193359A - 透明導電膜の形成方法 - Google Patents
透明導電膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH07193359A JPH07193359A JP5347285A JP34728593A JPH07193359A JP H07193359 A JPH07193359 A JP H07193359A JP 5347285 A JP5347285 A JP 5347285A JP 34728593 A JP34728593 A JP 34728593A JP H07193359 A JPH07193359 A JP H07193359A
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- JP
- Japan
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- film
- thin film
- substrate
- transparent conductive
- forming
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- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板の上に透明導電膜としての一定の膜質の
ＩＴＯ膜を、安定して簡単かつ容易に形成することがで
きる透明導電膜の形成方法を提供する。 【構成】 基板の上にＩＴＯ膜からなる透明導電膜を形
成する方法であって、基板１の上にまずＩｎＳｎ合金の
薄膜２を成膜し、次にこの薄膜２を陽極とする陽極酸化
により薄膜２を酸化させてＩＴＯ膜２′を形成する。
ＩＴＯ膜を、安定して簡単かつ容易に形成することがで
きる透明導電膜の形成方法を提供する。 【構成】 基板の上にＩＴＯ膜からなる透明導電膜を形
成する方法であって、基板１の上にまずＩｎＳｎ合金の
薄膜２を成膜し、次にこの薄膜２を陽極とする陽極酸化
により薄膜２を酸化させてＩＴＯ膜２′を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばガラス製の基
板の上にＩＴＯ（酸化インジュウム錫）からなる透明導
電膜を形成する方法に関する。
板の上にＩＴＯ（酸化インジュウム錫）からなる透明導
電膜を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば液晶表示素子を製造する工程中に
は、ガラス製の基板の上に透明導電膜としてのＩＴＯ膜
を形成する工程がある。このＩＴＯ膜を形成する方法と
しては、一般にスパッタ法が用いられている。
は、ガラス製の基板の上に透明導電膜としてのＩＴＯ膜
を形成する工程がある。このＩＴＯ膜を形成する方法と
しては、一般にスパッタ法が用いられている。
【０００３】そしてこの場合のスパッタ法には、ＩｎＳ
ｎ合金（インジュウムとＳｎの合金）をターゲットとし
て、スパッタガスと共に処理室内にＯ2 （酸素ガス）を
導入して反応させながら基板の上にＩＴＯ膜を成膜する
反応性スパッタ法と、ターゲットとしてＩＴＯを用いて
基板の上にＩＴＯ膜を成膜する方法とがある。
ｎ合金（インジュウムとＳｎの合金）をターゲットとし
て、スパッタガスと共に処理室内にＯ2 （酸素ガス）を
導入して反応させながら基板の上にＩＴＯ膜を成膜する
反応性スパッタ法と、ターゲットとしてＩＴＯを用いて
基板の上にＩＴＯ膜を成膜する方法とがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
スパッタ法においては、処理室内に導入するＯ2 の導入
量に応じてターゲットの表面の酸化度合に差が生じ、こ
のため一定の膜質のＩＴＯ膜を得るための制御が難しい
難点がある。また、後者のスパッタ法においては、ＩＴ
Ｏのターゲットの使用の経過に伴ってスパッタレートが
徐々に小さくなり、ターゲットの使用初期に比べその末
期には６０％程度にまで低下し、基板の上に形成される
ＩＴＯ膜の膜質に大きな差が生じてしまう。
スパッタ法においては、処理室内に導入するＯ2 の導入
量に応じてターゲットの表面の酸化度合に差が生じ、こ
のため一定の膜質のＩＴＯ膜を得るための制御が難しい
難点がある。また、後者のスパッタ法においては、ＩＴ
Ｏのターゲットの使用の経過に伴ってスパッタレートが
徐々に小さくなり、ターゲットの使用初期に比べその末
期には６０％程度にまで低下し、基板の上に形成される
ＩＴＯ膜の膜質に大きな差が生じてしまう。
【０００５】この発明はこのような点に着目してなされ
たもので、その目的とするところは、基板の上に透明導
電膜としての一定の膜質のＩＴＯ膜を、安定して簡単か
つ容易に形成することができる透明導電膜の形成方法を
提供することにある。
たもので、その目的とするところは、基板の上に透明導
電膜としての一定の膜質のＩＴＯ膜を、安定して簡単か
つ容易に形成することができる透明導電膜の形成方法を
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明はこのような目
的を達成するために、基板の上にＩＴＯ膜からなる透明
導電膜を形成する方法であって、基板の上にＩｎＳｎ合
金の薄膜を成膜し、この薄膜を陽極とする陽極酸化によ
り薄膜を酸化させてＩＴＯ膜を形成するようにしたもの
である。
的を達成するために、基板の上にＩＴＯ膜からなる透明
導電膜を形成する方法であって、基板の上にＩｎＳｎ合
金の薄膜を成膜し、この薄膜を陽極とする陽極酸化によ
り薄膜を酸化させてＩＴＯ膜を形成するようにしたもの
である。
【０００７】
【作用】基板の上にＩｎＳｎ合金の薄膜を形成する手段
として、ＩｎＳｎ合金をターゲットとするスパッタ法を
用いた場合、そのスパッタガスとしてはＡｒ（アルゴ
ン）等の１種類のガスを用いればよく、したがって制御
が簡単で、スパッタレートの経時変化も小さく抑えるこ
とができ、安定して一定の膜質の薄膜を形成することが
可能となる。そしてこの薄膜を陽極として陽極酸化する
ことにより安定して一定の膜質のＩＴＯ膜を得ることが
できる。
として、ＩｎＳｎ合金をターゲットとするスパッタ法を
用いた場合、そのスパッタガスとしてはＡｒ（アルゴ
ン）等の１種類のガスを用いればよく、したがって制御
が簡単で、スパッタレートの経時変化も小さく抑えるこ
とができ、安定して一定の膜質の薄膜を形成することが
可能となる。そしてこの薄膜を陽極として陽極酸化する
ことにより安定して一定の膜質のＩＴＯ膜を得ることが
できる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照して説明する。
照して説明する。
【０００９】図１に示す符号１はガラス等からなる基板
であり、まず図１（ａ）に示すように、この基板１の上
にＩｎＳｎ合金をターゲットとするスパッタ法によりＩ
ｎＳｎ合金の薄膜２を形成する。
であり、まず図１（ａ）に示すように、この基板１の上
にＩｎＳｎ合金をターゲットとするスパッタ法によりＩ
ｎＳｎ合金の薄膜２を形成する。
【００１０】この場合のスパッタは、ＩｎＳｎ合金をタ
ーゲットとして用い、このＩｎＳｎ合金の薄膜２を基板
１の上に成膜する。このスパッタにおいては、スパッタ
ガスとしてＡｒ（アルゴン）等の１種類のガスを用いれ
ばよく、したがって制御が簡単で、スパッタレートの経
時変化も小さく抑えることができ、安定して一定の膜質
の薄膜２を形成することができる。
ーゲットとして用い、このＩｎＳｎ合金の薄膜２を基板
１の上に成膜する。このスパッタにおいては、スパッタ
ガスとしてＡｒ（アルゴン）等の１種類のガスを用いれ
ばよく、したがって制御が簡単で、スパッタレートの経
時変化も小さく抑えることができ、安定して一定の膜質
の薄膜２を形成することができる。
【００１１】次に、ＩｎＳｎ合金の薄膜２を形成した基
板１を、陽極酸化槽内の電解液中に浸漬し、前記薄膜２
をその電解液中の陰極に対向させる。そして薄膜２を陽
極とし、この薄膜２と前記陰極との間に電圧を印加す
る。この電圧の印加により薄膜２が陽極酸化され、図１
（ｂ）に示すようにＩｎＳｎ合金の薄膜２が酸化インジ
ュウム錫の膜すなわちＩＴＯ膜２′となる。
板１を、陽極酸化槽内の電解液中に浸漬し、前記薄膜２
をその電解液中の陰極に対向させる。そして薄膜２を陽
極とし、この薄膜２と前記陰極との間に電圧を印加す
る。この電圧の印加により薄膜２が陽極酸化され、図１
（ｂ）に示すようにＩｎＳｎ合金の薄膜２が酸化インジ
ュウム錫の膜すなわちＩＴＯ膜２′となる。
【００１２】なお、基板１の上にＩｎＳｎ合金の薄膜２
を成膜する手段としては、スパッタ法による場合に限ら
ず、蒸着法により成膜する場合であってもよい。また薄
膜２の陽極酸化は、薄膜２を所定の配線形状にパターニ
ングした後に行なう場合であっても差し支えない。
を成膜する手段としては、スパッタ法による場合に限ら
ず、蒸着法により成膜する場合であってもよい。また薄
膜２の陽極酸化は、薄膜２を所定の配線形状にパターニ
ングした後に行なう場合であっても差し支えない。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
基板の上にＩｎＳｎ合金の薄膜を成膜し、この薄膜を陽
極酸化により酸化させてＩＴＯ膜を形成するようにした
から、薄膜を成膜するときの制御が簡単で、かつ一定の
膜質を保て、したがって容易に安定して一定の膜質のＩ
ＴＯ膜（透明導電膜）を得ることができる。
基板の上にＩｎＳｎ合金の薄膜を成膜し、この薄膜を陽
極酸化により酸化させてＩＴＯ膜を形成するようにした
から、薄膜を成膜するときの制御が簡単で、かつ一定の
膜質を保て、したがって容易に安定して一定の膜質のＩ
ＴＯ膜（透明導電膜）を得ることができる。
【図１】この発明の一実施例を示し、（ａ）は基板の上
にＩｎＳｎ合金の薄膜を成膜した状態の断面図、（ｂ）
はその薄膜を陽極酸化してＩＴＯ膜とした状態の断面
図。
にＩｎＳｎ合金の薄膜を成膜した状態の断面図、（ｂ）
はその薄膜を陽極酸化してＩＴＯ膜とした状態の断面
図。
１…基板 ２…薄膜 ２′…ＩＴＯ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/16 7511−4Ｅ
Claims (2)
- 【請求項１】基板の上にＩＴＯ膜からなる透明導電膜を
形成する方法であって、基板の上にまずＩｎＳｎ合金の
薄膜を成膜し、次にこの薄膜を陽極とする陽極酸化によ
り薄膜を酸化させてＩＴＯ膜を形成することを特徴とす
る透明導電膜の形成方法。 - 【請求項２】基板の上のＩｎＳｎ合金の薄膜は、ＩｎＳ
ｎ合金をターゲットとするスパッタ法により成膜するこ
とを特徴とする請求項１に記載の透明導電膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5347285A JPH07193359A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 透明導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5347285A JPH07193359A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 透明導電膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193359A true JPH07193359A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18389182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5347285A Pending JPH07193359A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07193359A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010163680A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-29 | Hitachi Zosen Corp | 透明導電膜の製造方法 |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP5347285A patent/JPH07193359A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010163680A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-29 | Hitachi Zosen Corp | 透明導電膜の製造方法 |
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