JPH07193304A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
- Publication number
- JPH07193304A JPH07193304A JP33287093A JP33287093A JPH07193304A JP H07193304 A JPH07193304 A JP H07193304A JP 33287093 A JP33287093 A JP 33287093A JP 33287093 A JP33287093 A JP 33287093A JP H07193304 A JPH07193304 A JP H07193304A
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- JP
- Japan
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- transistor
- semiconductor laser
- current
- bias current
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザ駆動回路の構成の簡単化。
【構成】 半導体レーザ４はトランジスタ１のコレクタ
負荷として接続される。トランジスタ２はトランジスタ
１と差動対を構成し、この差動対の電流源としてトラン
ジスタ３が接続されている。トランジスタ３は半導体レ
ーザ４の駆動電流を制御しており、トランジスタ３のベ
ースには電流制御回路４が接続されている。トランジス
タ１のコレクタと電源との間に容量と抵抗を直列に接続
されている。
負荷として接続される。トランジスタ２はトランジスタ
１と差動対を構成し、この差動対の電流源としてトラン
ジスタ３が接続されている。トランジスタ３は半導体レ
ーザ４の駆動電流を制御しており、トランジスタ３のベ
ースには電流制御回路４が接続されている。トランジス
タ１のコレクタと電源との間に容量と抵抗を直列に接続
されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ駆動回路に
関し、特に、半導体レーザに流すバイアス電流の駆動回
路を簡素化し、回路規模の縮小と回路電流の削減が可能
となる半導体レーザ駆動回路に関する。
関し、特に、半導体レーザに流すバイアス電流の駆動回
路を簡素化し、回路規模の縮小と回路電流の削減が可能
となる半導体レーザ駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザ駆動回路は、例えば
図８に示すような回路により構成されている。すなわ
ち、半導体レーザ１４をコレクタ負荷とする第１のトラ
ンジスタ８と、第１のトランジスタ８と差動対構成をと
る第２のトランジスタ９と差動対の電流源となるトラン
ジスタ１０と、この電流源となるトランジスタ１０を制
御する駆動電流制御回路１３と、半導体レーザ７にバイ
アス電流を流すバイアス供給トランジスタ１１と、この
バイアス供給トランジスタ１１を制御する制御回路１２
とから構成される。
図８に示すような回路により構成されている。すなわ
ち、半導体レーザ１４をコレクタ負荷とする第１のトラ
ンジスタ８と、第１のトランジスタ８と差動対構成をと
る第２のトランジスタ９と差動対の電流源となるトラン
ジスタ１０と、この電流源となるトランジスタ１０を制
御する駆動電流制御回路１３と、半導体レーザ７にバイ
アス電流を流すバイアス供給トランジスタ１１と、この
バイアス供給トランジスタ１１を制御する制御回路１２
とから構成される。
【０００３】この従来の半導体レーザ駆動回路では、使
用される半導体レーザ７が図５に示すように温度の変化
によって発振閾電流値Ｉｔｈやスロープ効率ｄＱＥが大
きく変化するため、一定の光出力を得るには半導体レー
ザ７の駆動電流Ｉｏｐおよびバイアス電流Ｉｂを制御す
る必要がある。このため、従来では、光出力の変化を検
出し動作する駆動電流制御回路やバイアス電流制御回路
を付加している。
用される半導体レーザ７が図５に示すように温度の変化
によって発振閾電流値Ｉｔｈやスロープ効率ｄＱＥが大
きく変化するため、一定の光出力を得るには半導体レー
ザ７の駆動電流Ｉｏｐおよびバイアス電流Ｉｂを制御す
る必要がある。このため、従来では、光出力の変化を検
出し動作する駆動電流制御回路やバイアス電流制御回路
を付加している。
【０００４】一方、ここ数年，劣悪な温度環境下での動
作を必要とする光加入者系への適用を可能にするため半
導体レーザの特性が改善されており、最近のＱｕａｎｔ
ｕｍＷｅｌｌ レーザでは、図６に示すように、閾電流
値Ｉｔｈの変化が非常に小さいものが開発されてきてい
る。
作を必要とする光加入者系への適用を可能にするため半
導体レーザの特性が改善されており、最近のＱｕａｎｔ
ｕｍＷｅｌｌ レーザでは、図６に示すように、閾電流
値Ｉｔｈの変化が非常に小さいものが開発されてきてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな温度に対する閾値電流Ｉｔｈの変化が小さい半導体
レーザを駆動する場合、従来の半導体レーザ駆動回路で
は制御回路が複雑であり、回路規模の縮小、消費電力の
削減が必要な光加入者系への適用には不向きであるとい
う問題がある。
うな温度に対する閾値電流Ｉｔｈの変化が小さい半導体
レーザを駆動する場合、従来の半導体レーザ駆動回路で
は制御回路が複雑であり、回路規模の縮小、消費電力の
削減が必要な光加入者系への適用には不向きであるとい
う問題がある。
【０００６】本発明の目的は上述した問題を解決した半
導体レーザ駆動回路を提供することにある。
導体レーザ駆動回路を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体レーザ駆動回路は、半導体レーザを
コレクタ負荷とする第一のトランジスタと、該第一のト
ランジスタと差動対構成をとる第２のトランジスタと、
前記差動対の電流源となる第３のトランジスタと、該第
３のトランジスタを制御する駆動電流制御回路とから構
成される半導体レーザ駆動回路において、前記第１のト
ランジスタのコレクタと電源との間に容量と抵抗を直列
に負荷している。
め、本発明の半導体レーザ駆動回路は、半導体レーザを
コレクタ負荷とする第一のトランジスタと、該第一のト
ランジスタと差動対構成をとる第２のトランジスタと、
前記差動対の電流源となる第３のトランジスタと、該第
３のトランジスタを制御する駆動電流制御回路とから構
成される半導体レーザ駆動回路において、前記第１のト
ランジスタのコレクタと電源との間に容量と抵抗を直列
に負荷している。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１は本発明の半導体レーザ駆動回路の回
路図で、図２は本発明の半導体レーザ駆動回路における
半導体レーザに流れる電流を示した図、図３は本発明の
半導体レーザ駆動回路における第１のトランジスタに流
れる電流を示した図、図４は本発明の半導体レーザ駆動
回路における容量と抵抗に流れる電流を示した図であ
る。
路図で、図２は本発明の半導体レーザ駆動回路における
半導体レーザに流れる電流を示した図、図３は本発明の
半導体レーザ駆動回路における第１のトランジスタに流
れる電流を示した図、図４は本発明の半導体レーザ駆動
回路における容量と抵抗に流れる電流を示した図であ
る。
【００１０】半導体レーザ４はトランジスタ１のコレク
タ負荷として接続される。トランジスタ２はトランジス
タ１と差動対を構成し、この差動対の電流源としてトラ
ンジスタ３が接続されている。トランジスタ３は半導体
レーザ４の駆動電流Ｉｏｐを制御しており、トランジス
タ３のベースには電流制御回路が接続されている。この
電流制御回路４によって半導体レーザ４の光出力を設定
する。
タ負荷として接続される。トランジスタ２はトランジス
タ１と差動対を構成し、この差動対の電流源としてトラ
ンジスタ３が接続されている。トランジスタ３は半導体
レーザ４の駆動電流Ｉｏｐを制御しており、トランジス
タ３のベースには電流制御回路が接続されている。この
電流制御回路４によって半導体レーザ４の光出力を設定
する。
【００１１】半導体レーザ４のバイアス電流Ｉｂはトラ
ンジスタ１のコレクタに接続された容量５と抵抗６を通
じて流す。電流値は半導体レーザ４の発光／非発光時の
トランジスタ１のコレクタの電位差△Ｖと抵抗６によっ
て決定される。半導体レーザ４が発光時のコレクタ電位
をＶ（ｔ０）、半導体レーザ４が非発光時のコレクタ電
位をＶ（ｔ０）とすると、容量５と抵抗６に流れる電流
Ｉｂは
ンジスタ１のコレクタに接続された容量５と抵抗６を通
じて流す。電流値は半導体レーザ４の発光／非発光時の
トランジスタ１のコレクタの電位差△Ｖと抵抗６によっ
て決定される。半導体レーザ４が発光時のコレクタ電位
をＶ（ｔ０）、半導体レーザ４が非発光時のコレクタ電
位をＶ（ｔ０）とすると、容量５と抵抗６に流れる電流
Ｉｂは
【００１２】
【００１３】となる。バイアス電流Ｉｂが流れ時間はＣ
Ｒ時定数によって決まる。
Ｒ時定数によって決まる。
【００１４】ここでＶ（ｔ０）は半導体レーザ４の発光
時のＶＦであり、Ｖ（ｔ１）はＶＣＣとなるため、△Ｖ
は半導体レーザ４の発光時のＶＦと等しくなる。よっ
て、温度上昇による光出力劣化を補正するために駆動電
流を増やせば、電流増加分だけＶＦが増加し、△Ｖは大
きくなる。従って、バイアス電流Ｉｂは駆動電流の増減
に追従して変化する。
時のＶＦであり、Ｖ（ｔ１）はＶＣＣとなるため、△Ｖ
は半導体レーザ４の発光時のＶＦと等しくなる。よっ
て、温度上昇による光出力劣化を補正するために駆動電
流を増やせば、電流増加分だけＶＦが増加し、△Ｖは大
きくなる。従って、バイアス電流Ｉｂは駆動電流の増減
に追従して変化する。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザ駆動回路では、トランジスタ１のコレクタに付加し
た容量５と抵抗６によって半導体レーザ４のバイアス電
流Ｉｂを流すことにより、従来必要であったバイアス電
流用のトランジスタやバイアス電流制御回路が不要とな
り、回路の簡素化、低消費電力化を図ることができると
いう効果を有す。また、駆動電流の制御のみでバイアス
電流値をも制御できるため、個別にバイアス電流を制御
しなくても駆動電流に合わせてバイアス電流の増減が可
能となる。
ーザ駆動回路では、トランジスタ１のコレクタに付加し
た容量５と抵抗６によって半導体レーザ４のバイアス電
流Ｉｂを流すことにより、従来必要であったバイアス電
流用のトランジスタやバイアス電流制御回路が不要とな
り、回路の簡素化、低消費電力化を図ることができると
いう効果を有す。また、駆動電流の制御のみでバイアス
電流値をも制御できるため、個別にバイアス電流を制御
しなくても駆動電流に合わせてバイアス電流の増減が可
能となる。
【図１】図１は本発明の一実施例の半導体レーザ駆動回
路の回路図。
路の回路図。
【図２】図２は本発明の半導体レーザ駆動回路における
半導体レーザに流れる電流を示す図。
半導体レーザに流れる電流を示す図。
【図３】図３は本判明の半導体レーザ駆動回路における
第１のトランジスタに流れる電流を示す図。
第１のトランジスタに流れる電流を示す図。
【図４】図４は本発明の半導体レーザ駆動回路における
容量と抵抗に流れる電流を示す図。
容量と抵抗に流れる電流を示す図。
【図５】図５は従来の半導体レーザの光−電流特性。
【図６】図６は最近の半導体レーザの光−電流特性。
【図７】図７は本発明の駆動電流とバイアス電流の関係
を示す図。
を示す図。
【図８】図８は従来の半導体レーザ駆動回路の回路図。
１ 第１のトランジスタ ２ 第２のトランジスタ ３ 第３のトランジスタ ４ 半導体レーザ ５ 容量 ６ 抵抗 ７ 駆動電流制御部 ８ 第１のトランジスタ ９ 第２のトランジスタ １０ 第３のトランジスタ １１ 第４のトランジスタ １２ バイアス電流制御部 １３ 駆動電流制御部 １４ 半導体レーザ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザをコレクタ負荷とする第一
のトランジスタと、該第一のトランジスタと差動対構成
をとる第２のトランジスタと、前記差動対の電流源とな
る第３のトランジスタと、該第３のトランジスタを制御
する駆動電流制御回路とから構成される半導体レーザ駆
動回路において、前記第１のトランジスタのコレクタと
電源との間に容量と抵抗を直列に接続したことを特徴と
する半導体レーザ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33287093A JP2682419B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 半導体レーザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33287093A JP2682419B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193304A true JPH07193304A (ja) | 1995-07-28 |
| JP2682419B2 JP2682419B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=18259728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33287093A Expired - Lifetime JP2682419B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2682419B2 (ja) |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP33287093A patent/JP2682419B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2682419B2 (ja) | 1997-11-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970708 |