JPH07193116A - 半導体ウエハホルダーおよびその製造方法 - Google Patents
半導体ウエハホルダーおよびその製造方法Info
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- JPH07193116A JPH07193116A JP32196694A JP32196694A JPH07193116A JP H07193116 A JPH07193116 A JP H07193116A JP 32196694 A JP32196694 A JP 32196694A JP 32196694 A JP32196694 A JP 32196694A JP H07193116 A JPH07193116 A JP H07193116A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、従来の如くウエハ自体をホルダー
とする従来の問題点を解決し、ウエハホルダーに必要と
される低コスト、高清浄度、高耐熱特性などの特性をも
つ半導体ウエハホルダーを得ることを目的としている。 【構成】 単結晶板の主面に、半導体ウエハを載置し保
持する窪みを異方性エッチングによって形成し、当該窪
みの底面と側壁とが順テーパを構成している。
とする従来の問題点を解決し、ウエハホルダーに必要と
される低コスト、高清浄度、高耐熱特性などの特性をも
つ半導体ウエハホルダーを得ることを目的としている。 【構成】 単結晶板の主面に、半導体ウエハを載置し保
持する窪みを異方性エッチングによって形成し、当該窪
みの底面と側壁とが順テーパを構成している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ製造に用いられ
る半導体ウエハホルダーおよびその製造方法に関する。
る半導体ウエハホルダーおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的なＬＳＩ製造に用いられる半導体
ウエハは、１００〜２００工程で各種材料の堆積、パタ
ーン形成、エッチング等による不用部位の除去、不純物
の添加、アニール、酸化、洗浄等の処理が行なわれる。
この工程処理中、ウエハは各種のホルダーに保持される
ことが一般的である。
ウエハは、１００〜２００工程で各種材料の堆積、パタ
ーン形成、エッチング等による不用部位の除去、不純物
の添加、アニール、酸化、洗浄等の処理が行なわれる。
この工程処理中、ウエハは各種のホルダーに保持される
ことが一般的である。
【０００３】これまで、最も多用されているものは、い
わゆるボートまたはサセプターと呼ばれる石英製の治具
（図示せず）である（第１の従来例）。またこれに代わ
るものとして、多結晶ＳｉやＳｉＣ等を主成分とするセ
ラミック系の治具も存在する（第２の従来例）。
わゆるボートまたはサセプターと呼ばれる石英製の治具
（図示せず）である（第１の従来例）。またこれに代わ
るものとして、多結晶ＳｉやＳｉＣ等を主成分とするセ
ラミック系の治具も存在する（第２の従来例）。
【０００４】また、別のウエハホルダーとして、例えば
図４の（１），（２）の斜視図に示す如きテフロンまた
は、ポリプロピレン等の樹脂を成形加工した、いわゆる
カセット、またはトレイ等の治具９が市販されている
（第３の従来例）。
図４の（１），（２）の斜視図に示す如きテフロンまた
は、ポリプロピレン等の樹脂を成形加工した、いわゆる
カセット、またはトレイ等の治具９が市販されている
（第３の従来例）。
【０００５】また、別のウエハホルダーとしてＬＳＩ製
造に用いられ半導体ウエハそのものを利用するものがあ
る。例えば、半導体ウエハとして最も低コストなＳｉウ
エハを旋盤等を用いて加工し、いわゆる枝葉ホルダーと
することが行なわれている（第４の従来例）。
造に用いられ半導体ウエハそのものを利用するものがあ
る。例えば、半導体ウエハとして最も低コストなＳｉウ
エハを旋盤等を用いて加工し、いわゆる枝葉ホルダーと
することが行なわれている（第４の従来例）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記第１の従来例に用
いられる治具は、耐熱温度が４００〜１１５０℃程度と
高く、各種の高温成長薄膜（熱酸化膜、化学的気相成長
技術を用いたいわゆるＣＶＤ膜等）をウエハに被着ある
いは、成長させる際のホルダーとして利用されている
が、これは、フッ酸等に侵され易く加工の精度に乏し
く、洗浄に際しては専用の槽を必要とする難点があっ
た。
いられる治具は、耐熱温度が４００〜１１５０℃程度と
高く、各種の高温成長薄膜（熱酸化膜、化学的気相成長
技術を用いたいわゆるＣＶＤ膜等）をウエハに被着ある
いは、成長させる際のホルダーとして利用されている
が、これは、フッ酸等に侵され易く加工の精度に乏し
く、洗浄に際しては専用の槽を必要とする難点があっ
た。
【０００７】また第２の従来例においても上述した石英
製治具と比較して、耐薬品性の改善以外は利害得失に大
差はない。更に第３の従来例は上記石英製治具と異なり
耐薬品性に優れているものの、耐熱性が約２００℃程度
と低く、約１００℃の高温処理に耐えられず用途が限定
されている。
製治具と比較して、耐薬品性の改善以外は利害得失に大
差はない。更に第３の従来例は上記石英製治具と異なり
耐薬品性に優れているものの、耐熱性が約２００℃程度
と低く、約１００℃の高温処理に耐えられず用途が限定
されている。
【０００８】更に第４の従来例は、耐熱性や清浄度の点
では最も望ましいものと言えるが、機械加工された面の
平滑度が乏しく、ウエハの保持に際してウエハとウエハ
ホルダーが接触すると、大小、さまざまな破片がウエハ
およびウエハホルダーから生ずる。これらの破片はＬＳ
Ｉレベルでの汚染やパタン欠陥の原因となり、汎用的な
半導体ウエハホルダーとしては、ほど遠いものであっ
た。
では最も望ましいものと言えるが、機械加工された面の
平滑度が乏しく、ウエハの保持に際してウエハとウエハ
ホルダーが接触すると、大小、さまざまな破片がウエハ
およびウエハホルダーから生ずる。これらの破片はＬＳ
Ｉレベルでの汚染やパタン欠陥の原因となり、汎用的な
半導体ウエハホルダーとしては、ほど遠いものであっ
た。
【０００９】本発明は、上述したウエハそのものをホル
ダーとする従来の問題点を解決し、一般的なウエハホル
ダーに必要とされる低コスト、高清浄度、高耐熱特性等
の特性を備えた半導体ウエハホルダーおよびその製造方
法を得ることを目的とする。
ダーとする従来の問題点を解決し、一般的なウエハホル
ダーに必要とされる低コスト、高清浄度、高耐熱特性等
の特性を備えた半導体ウエハホルダーおよびその製造方
法を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１に示す如
く、半導体ウエハ（６）を保持する半導体ウエハホルダ
ー（１）を単結晶板で構成すると共に、半導体ウエハ
（６）を載置するための窪み（２）を異方性エッチング
によって形成し、当該窪み（２）の底部（４）と当該窪
み（２）の側壁とが連続するよう当該側壁が順テーパを
なすよう構成される。
く、半導体ウエハ（６）を保持する半導体ウエハホルダ
ー（１）を単結晶板で構成すると共に、半導体ウエハ
（６）を載置するための窪み（２）を異方性エッチング
によって形成し、当該窪み（２）の底部（４）と当該窪
み（２）の側壁とが連続するよう当該側壁が順テーパを
なすよう構成される。
【００１１】
【作用】例えば結晶面（１００）を主面とする単結晶板
に、半導体ウエハ（６）の形状に見合う形状の窪み
（２）を異方性エッチングによって加工し、当該加工さ
れた窪み（２）上に半導体ウエハ（６）を載置して保持
する。
に、半導体ウエハ（６）の形状に見合う形状の窪み
（２）を異方性エッチングによって加工し、当該加工さ
れた窪み（２）上に半導体ウエハ（６）を載置して保持
する。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例による半導体ウ
エハホルダーを示し、図１の（１）は平面図、図１の
（２）はそのＸ−Ｘ′断面図（繁雑にしないため斜線は
省略）である。
エハホルダーを示し、図１の（１）は平面図、図１の
（２）はそのＸ−Ｘ′断面図（繁雑にしないため斜線は
省略）である。
【００１３】図１において１は半導体ウエハホルダー
で、（１００）を主面１１とする単結晶Ｓｉを主成分と
している。２は異方性エッチング処理で形成された破線
図示のウエハ６の保持部位となる窪みで、３はその側
壁、４は同じく底部である。５はウエハ６をこのホルダ
ーの保持部位へ装填したり、取り出すための穴である。
で、（１００）を主面１１とする単結晶Ｓｉを主成分と
している。２は異方性エッチング処理で形成された破線
図示のウエハ６の保持部位となる窪みで、３はその側
壁、４は同じく底部である。５はウエハ６をこのホルダ
ーの保持部位へ装填したり、取り出すための穴である。
【００１４】上記窪み２は、単結晶Ｓｉを異方性エッチ
ングにより特定の結晶面（異方性エッチング面）と、主
面１１と平行な別の（１００）面の主面１１′とが側壁
を介して連続する順テーパを構成するようにされる。し
たがって主面１１′は底部４を形成する。
ングにより特定の結晶面（異方性エッチング面）と、主
面１１と平行な別の（１００）面の主面１１′とが側壁
を介して連続する順テーパを構成するようにされる。し
たがって主面１１′は底部４を形成する。
【００１５】ここで、上記異方性エッチング面とは、例
えばＫＯＨと水およびアルコールの混合液等の異方性エ
ッチング液が示す結晶の面方位に依存したエッチング速
度の差によって得られるものであり、この種の液に対し
て遅いエッチング速度を示す。
えばＫＯＨと水およびアルコールの混合液等の異方性エ
ッチング液が示す結晶の面方位に依存したエッチング速
度の差によって得られるものであり、この種の液に対し
て遅いエッチング速度を示す。
【００１６】単結晶Ｓｉの（ｎｎ１）で表される面が遅
いエッチング速度を示す。ここに、ｎは整数である。代
表的な面としては、（１１１），（３３１）等の面をあ
げることができる。
いエッチング速度を示す。ここに、ｎは整数である。代
表的な面としては、（１１１），（３３１）等の面をあ
げることができる。
【００１７】本発明においては、主面１１に連続するよ
うに、（ｎｎ１），（ｎ′ｎ′１），（ｎ″ｎ″１）・
・・が形成され、これらが相互に連続した部位がおおむ
ねウエハ保持部位の側壁３を形成し、図１の（２）の断
面図に示すように加工によって設けた別の（１００）
面、即ち主面１１′がウエハ保持部位の底部４を形成す
る。
うに、（ｎｎ１），（ｎ′ｎ′１），（ｎ″ｎ″１）・
・・が形成され、これらが相互に連続した部位がおおむ
ねウエハ保持部位の側壁３を形成し、図１の（２）の断
面図に示すように加工によって設けた別の（１００）
面、即ち主面１１′がウエハ保持部位の底部４を形成す
る。
【００１８】この底部４の中央部にはウエハホルダー１
を貫通する穴５を設ける。この穴５はウエハ６をウエハ
ホルダー１に装填したり、取り出したりするとき、ウエ
ハ６をその底部でアームまたはマニュピレータ（図示せ
ず）で保持・移動することができ、ウエハ表面への汚染
や欠陥の導入を避けることができる。
を貫通する穴５を設ける。この穴５はウエハ６をウエハ
ホルダー１に装填したり、取り出したりするとき、ウエ
ハ６をその底部でアームまたはマニュピレータ（図示せ
ず）で保持・移動することができ、ウエハ表面への汚染
や欠陥の導入を避けることができる。
【００１９】次に図１に示す半導体ウエハホルダー１の
製作方法の一例を図２の工程順序を示す断面図を用いて
説明する。図２の（１）に示すように（１００）面を有
する単結晶Ｓｉ片１０１を酸化し、その表面に副部材と
してＳｉＯ2 膜１０２を成長させる。そのＳｉＯ2 膜は
その後の異方性エッチングのマスクとなるものである
が、そのＳｉＯ2 膜に限定されず、Ｓｉ3 Ｎ4 膜，ＳＩ
ＰＯＳ，多結晶Ｓｉ等でよく、これらを総称して薄膜層
と呼ぶことにする。
製作方法の一例を図２の工程順序を示す断面図を用いて
説明する。図２の（１）に示すように（１００）面を有
する単結晶Ｓｉ片１０１を酸化し、その表面に副部材と
してＳｉＯ2 膜１０２を成長させる。そのＳｉＯ2 膜は
その後の異方性エッチングのマスクとなるものである
が、そのＳｉＯ2 膜に限定されず、Ｓｉ3 Ｎ4 膜，ＳＩ
ＰＯＳ，多結晶Ｓｉ等でよく、これらを総称して薄膜層
と呼ぶことにする。
【００２０】上記単結晶Ｓｉ片１０１は単結晶Ｓｉのイ
ンゴットから切り出した小片でもよく、量産効果を考慮
すればダミーウエハと呼ばれる大口径のＳｉウエハでも
良い。
ンゴットから切り出した小片でもよく、量産効果を考慮
すればダミーウエハと呼ばれる大口径のＳｉウエハでも
良い。
【００２１】次に図２の（２）に示すようにホトリソグ
ラフィ（光触刻法）技術を用いてＳｉＯ2 膜１０２を加
工するマスク１０３を形成し、これをマスクとしてＳｉ
Ｏ2膜１０２を選択的に除去する。
ラフィ（光触刻法）技術を用いてＳｉＯ2 膜１０２を加
工するマスク１０３を形成し、これをマスクとしてＳｉ
Ｏ2膜１０２を選択的に除去する。
【００２２】続いて図２の（３）に示すようにマスク１
０３を除去した後、異方性エッチング液中に浸し、単結
晶Ｓｉ片１０１を加工する。異方性エッチング液のもつ
特徴により単結晶Ｓｉ片１０１は図１の（１），（２）
に示す特定の結晶面（ｎｎ１），（ｎ′ｎ′１）・・・
が出現するように加工させる。
０３を除去した後、異方性エッチング液中に浸し、単結
晶Ｓｉ片１０１を加工する。異方性エッチング液のもつ
特徴により単結晶Ｓｉ片１０１は図１の（１），（２）
に示す特定の結晶面（ｎｎ１），（ｎ′ｎ′１）・・・
が出現するように加工させる。
【００２３】図２の（３）の例では、図面の右側では単
結晶Ｓｉ片１０１を貫通して加工した例を示し、左側で
は単結晶Ｓｉ片１０１の一部が残存し、新たな（１０
０）面が形成された状態まで加工した例を示す。この場
合、単結晶Ｓｉ片１０１の裏面のＳｉＯ2 膜１０２を残
存させているが、これは裏側からの単結晶Ｓｉ片１０１
の加工を防止するためであり、所望の加工後は除去して
も良い。
結晶Ｓｉ片１０１を貫通して加工した例を示し、左側で
は単結晶Ｓｉ片１０１の一部が残存し、新たな（１０
０）面が形成された状態まで加工した例を示す。この場
合、単結晶Ｓｉ片１０１の裏面のＳｉＯ2 膜１０２を残
存させているが、これは裏側からの単結晶Ｓｉ片１０１
の加工を防止するためであり、所望の加工後は除去して
も良い。
【００２４】なお、高精度を必要としない場合は、裏面
のＳｉＯ2 膜１０２は不要である。上記工程に従い（ｎ
ｎ１），（ｎ′ｎ′１）・・・が連続する側壁３を形成
させる実験結果によれば、マスク１０３を円形状にパタ
ーン形成し、これを転写したＳｉＯ2 膜１０２をマスク
として単結晶Ｓｉ片１０１を加工すると、この単結晶Ｓ
ｉ片のもつ異方性エッチング面が出現し、図１の（２）
に示すような加工形状を得ることができた。この時の実
験はＫＯＨの２０％水溶液を８０℃に保って加工を行な
い、異方性エッチングの制御を目的として若干のイソプ
ロピルアルコールを添加した。
のＳｉＯ2 膜１０２は不要である。上記工程に従い（ｎ
ｎ１），（ｎ′ｎ′１）・・・が連続する側壁３を形成
させる実験結果によれば、マスク１０３を円形状にパタ
ーン形成し、これを転写したＳｉＯ2 膜１０２をマスク
として単結晶Ｓｉ片１０１を加工すると、この単結晶Ｓ
ｉ片のもつ異方性エッチング面が出現し、図１の（２）
に示すような加工形状を得ることができた。この時の実
験はＫＯＨの２０％水溶液を８０℃に保って加工を行な
い、異方性エッチングの制御を目的として若干のイソプ
ロピルアルコールを添加した。
【００２５】上述した実施例によれば、主部材としてＬ
ＳＩの材料となる単結晶Ｓｉを用いているので、低コス
トで高品質な素材が簡単に得られる。そしてホトリソグ
ラフィ技術を用いて同一形状のものを大量に生産でき低
コストとなり、ホトリソグラフィ技術の有する１μｍ以
下の高精度加工品質も合わせて有する。
ＳＩの材料となる単結晶Ｓｉを用いているので、低コス
トで高品質な素材が簡単に得られる。そしてホトリソグ
ラフィ技術を用いて同一形状のものを大量に生産でき低
コストとなり、ホトリソグラフィ技術の有する１μｍ以
下の高精度加工品質も合わせて有する。
【００２６】また、ホルダーは単結晶Ｓｉで形成されて
いるため、通常のＬＳＩの製造工程の洗浄手段が全て使
用でき、保持するＳｉウエハと同レベルの清浄度を容易
に得ることができる。また、耐熱性も必要充分な特性を
有する。
いるため、通常のＬＳＩの製造工程の洗浄手段が全て使
用でき、保持するＳｉウエハと同レベルの清浄度を容易
に得ることができる。また、耐熱性も必要充分な特性を
有する。
【００２７】また、ホルダーはウエハを保持する面が高
精度であるので、突起、小孔等の塵埃となる原因を皆無
とし、低発塵性を有する。また、ウエハと接する部分が
側壁を構成する（ｎｎ１）の一部に限定されるため、図
１の（２）に示すようにウエハ６を装填した状態で薄膜
堆積や成長を行なっても主面１１とウエハ６が固着する
ことがない。
精度であるので、突起、小孔等の塵埃となる原因を皆無
とし、低発塵性を有する。また、ウエハと接する部分が
側壁を構成する（ｎｎ１）の一部に限定されるため、図
１の（２）に示すようにウエハ６を装填した状態で薄膜
堆積や成長を行なっても主面１１とウエハ６が固着する
ことがない。
【００２８】また、（ｎｎ１）面は（１００）面と特定
の角度〔図１の（２）のθ、例えば（１１１）の場合約
５４°〕をなすが、ウエハ６のホルダーからの脱着に際
して、しやすい角度となっている。即ち、側壁３の開口
部の広さは、「２×ｄtan （９０−θ）」だけ広がり、
装填時のウエハ６の位置ずれの吸収が可能である。なお
ｄは主面１１と主面１１′の高さ寸法である。
の角度〔図１の（２）のθ、例えば（１１１）の場合約
５４°〕をなすが、ウエハ６のホルダーからの脱着に際
して、しやすい角度となっている。即ち、側壁３の開口
部の広さは、「２×ｄtan （９０−θ）」だけ広がり、
装填時のウエハ６の位置ずれの吸収が可能である。なお
ｄは主面１１と主面１１′の高さ寸法である。
【００２９】次に本発明の第２の実施例を図３に示す。
これは前述した図２に示す方法で得られたウエハホルダ
ー１とそれと接着剤７で接着されたウエハホルダー１′
との間に他の素材８を埋め込んだ複合構造のウエハホル
ダーである。２枚のウエハホルダー１，１′の接着は低
融点ガラスやＳｉＨ4 系のガスを酸化・還元して得られ
るフレーク状のＳｉＯ2 （いわゆるスート）で接着され
る。
これは前述した図２に示す方法で得られたウエハホルダ
ー１とそれと接着剤７で接着されたウエハホルダー１′
との間に他の素材８を埋め込んだ複合構造のウエハホル
ダーである。２枚のウエハホルダー１，１′の接着は低
融点ガラスやＳｉＨ4 系のガスを酸化・還元して得られ
るフレーク状のＳｉＯ2 （いわゆるスート）で接着され
る。
【００３０】この接着については、上述の如き高精度、
高純度を保証する方法に限定されるものではなく、必要
に応じて接着剤を用いたり、単に圧着（例えば、ファン
デァワールス力等）で可成り強固に固定可能である。
高純度を保証する方法に限定されるものではなく、必要
に応じて接着剤を用いたり、単に圧着（例えば、ファン
デァワールス力等）で可成り強固に固定可能である。
【００３１】本実施例はウエハホルダー１，１′と異な
った材質の素材８とすることによって、ウエハホルダー
１の位置の検出に応用することができる。例えば、比較
的高抵抗のＳｉを用いると赤外線等を良く通すが、金属
を用いると赤外線を遮断するため、赤外線によるウエハ
ホルダー１の高精度の位置検出ができる。また、金属で
あると渦電流を外部からの交流磁界で生じさせることが
でき、金属はヒータの役割を果たすことが可能となる。
また、金属の代わりに磁性材料を用いれば、磁力を利用
したウエハホルダー１の移動、保持等の駆動制御が可能
である。
った材質の素材８とすることによって、ウエハホルダー
１の位置の検出に応用することができる。例えば、比較
的高抵抗のＳｉを用いると赤外線等を良く通すが、金属
を用いると赤外線を遮断するため、赤外線によるウエハ
ホルダー１の高精度の位置検出ができる。また、金属で
あると渦電流を外部からの交流磁界で生じさせることが
でき、金属はヒータの役割を果たすことが可能となる。
また、金属の代わりに磁性材料を用いれば、磁力を利用
したウエハホルダー１の移動、保持等の駆動制御が可能
である。
【００３２】また、本発明の応用例として、図１に示し
た枝葉形のホルダーを上記接着技術で複数枚のホルダー
とすることができる。また、ウエハホルダー１は単結晶
Ｓｉを主部材としているので、これにＳｉＯ 2 ，Ｓｉ3
Ｎ4 ，ＳｉＯx Ｎy 、いわゆるＳＩＰＯＳ膜、多結晶Ｓ
ｉ膜、またはこれらの複合膜の副部材をウエハホルダー
１の表面に堆積することができるので、次のような利点
がある。例えば、表面をその下層にＳｉＯ2 、上層にＳ
ｉ3 Ｎ 4 からなる二層膜を堆積すると、ウエハホルダー
１は、Ｓｉであるにもかかわらず汚染に強く、かつ、酸
化されにくくなり、高温雰囲気中でのホルダーとし高性
能、高信頼性を増す。また、表面をＳｉＯ2 膜で被覆す
るとウエハホルダー１の中へ汚染物質の侵入が困難とな
り、高純度な特性を長く維持することができる。
た枝葉形のホルダーを上記接着技術で複数枚のホルダー
とすることができる。また、ウエハホルダー１は単結晶
Ｓｉを主部材としているので、これにＳｉＯ 2 ，Ｓｉ3
Ｎ4 ，ＳｉＯx Ｎy 、いわゆるＳＩＰＯＳ膜、多結晶Ｓ
ｉ膜、またはこれらの複合膜の副部材をウエハホルダー
１の表面に堆積することができるので、次のような利点
がある。例えば、表面をその下層にＳｉＯ2 、上層にＳ
ｉ3 Ｎ 4 からなる二層膜を堆積すると、ウエハホルダー
１は、Ｓｉであるにもかかわらず汚染に強く、かつ、酸
化されにくくなり、高温雰囲気中でのホルダーとし高性
能、高信頼性を増す。また、表面をＳｉＯ2 膜で被覆す
るとウエハホルダー１の中へ汚染物質の侵入が困難とな
り、高純度な特性を長く維持することができる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、低
コストにして高清浄度、高耐熱性を有し、実用に供して
高信頼性が得られる。
コストにして高清浄度、高耐熱性を有し、実用に供して
高信頼性が得られる。
【００３４】また、複合構造とした場合のウエハホルダ
ーは、その中に埋め込まれた素材によりウエハホルダー
の位置検出、移動、保持等の駆動制御が可能であり、Ｌ
ＳＩの製造工程に利用して更に自動化、低コスト化に有
利となる。
ーは、その中に埋め込まれた素材によりウエハホルダー
の位置検出、移動、保持等の駆動制御が可能であり、Ｌ
ＳＩの製造工程に利用して更に自動化、低コスト化に有
利となる。
【図１】本発明の第１の実施例の平面図（１）および断
面図（２）を示す。
面図（２）を示す。
【図２】本発明に係る半導体ウエハホルダーの製作方法
例を示す。
例を示す。
【図３】本発明の第２の実施例の断面図を示す。
【図４】従来のウエハホルダーの一例を示す斜視外観図
である。
である。
１ 半導体ウエハホルダー ２ 窪み ３ 側壁 ４ 底部 ５ 穴 ６ ウエハ ７ 接着剤 ８ 素材 ９ 治具 １１，１１′ 主面 １０１ 単結晶Ｓｉ片 １０２ ＳｉＯ2 膜 １０３ マスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｆ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウエハを保持する半導体ウエハホ
ルダーにおいて、 前記半導体ウエハを保持する窪みを有する単結晶板から
構成されると共に、 当該単結晶板に構成された前記窪みは当該窪みの底面が
結晶面をもつよう構成され、 当該窪みの側壁が、当該側壁の下端が前記底面と連続的
に連結する順テーパを形成しているよう構成されている
ことを特徴とする半導体ウエハホルダー。 - 【請求項２】 半導体ウエハを保持する窪みを有する半
導体ウエハホルダーの製造方法において、 １つの結晶面を主面とする単結晶板に対して、当該主面
に、後続する工程におけるエッチングのためのマスクを
構成せしめる薄膜層を形成する第１の工程と、 当該薄膜層に対して当該薄膜層を加工するマスクを形成
した後に、当該マスクを用いて、当該薄膜層を前記窪み
の形状に対応させて選択的に除去する第２の工程と、 第２の工程において利用した前記マスクを除去した後
に、前記選択的に除去された薄膜層を利用して異方性エ
ッチングにより前記単結晶板を所定深さ分だけ除去せし
めて、前記窪みの底面と当該窪みの側壁とを形成する第
３の工程とをそなえ、 前記第１の工程ないし第３の工程が順に実行されること
を特徴とする半導体ウエハホルダーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32196694A JP2588377B2 (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 半導体ウエハホルダーおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32196694A JP2588377B2 (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 半導体ウエハホルダーおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193116A true JPH07193116A (ja) | 1995-07-28 |
| JP2588377B2 JP2588377B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=18138424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32196694A Expired - Fee Related JP2588377B2 (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 半導体ウエハホルダーおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2588377B2 (ja) |
-
1994
- 1994-12-26 JP JP32196694A patent/JP2588377B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2588377B2 (ja) | 1997-03-05 |
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