JPH07175083A - マトリクス型多結晶ＳｉＴＦＴ - Google Patents
マトリクス型多結晶ＳｉＴＦＴInfo
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- JPH07175083A JPH07175083A JP32217293A JP32217293A JPH07175083A JP H07175083 A JPH07175083 A JP H07175083A JP 32217293 A JP32217293 A JP 32217293A JP 32217293 A JP32217293 A JP 32217293A JP H07175083 A JPH07175083 A JP H07175083A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 熱酸化膜を有する多結晶シリコンＴＦＴマト
リクスの映像線の断線補修する回路を小さな面積で簡単
にすること。 【構成】 補修線と補修される映像線との間の熱絶縁膜
を前もって除去しておき、映像線の他端に補修用のＴＦ
Ｔを接続し、断線している映像線を補修線とを接続する
とともにそれ以外の補修線を切断する。
リクスの映像線の断線補修する回路を小さな面積で簡単
にすること。 【構成】 補修線と補修される映像線との間の熱絶縁膜
を前もって除去しておき、映像線の他端に補修用のＴＦ
Ｔを接続し、断線している映像線を補修線とを接続する
とともにそれ以外の補修線を切断する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は絶縁基板上に多結晶Ｓｉ
製のＴＦＴをマトリクス状に接続した配線の断線の補修
に関し、特に熱酸化膜をゲート絶縁膜として有するマト
リクス型多結晶ＳｉＴＦＴに関する。
製のＴＦＴをマトリクス状に接続した配線の断線の補修
に関し、特に熱酸化膜をゲート絶縁膜として有するマト
リクス型多結晶ＳｉＴＦＴに関する。
【０００２】
【従来の技術】多結晶シリコン薄膜トランジスタは、シ
フトレジスタなどの周辺回路を構成できる程、移動度が
高いので、周辺回路内蔵型液晶表示装置に適用した場
合、外部から液晶表示パネルへの入力信号数が、ｍ行ｎ
列の液晶表示パネルの行数または列数に依存せず、高精
細な液晶表示装置でも従来より格段に少なくできるので
注目されている。
フトレジスタなどの周辺回路を構成できる程、移動度が
高いので、周辺回路内蔵型液晶表示装置に適用した場
合、外部から液晶表示パネルへの入力信号数が、ｍ行ｎ
列の液晶表示パネルの行数または列数に依存せず、高精
細な液晶表示装置でも従来より格段に少なくできるので
注目されている。
【０００３】例えば、基板上のマトリクス型多結晶Ｓｉ
ＴＦＴの間を接続する走査線及び信号線の両端に、線の
両端から同じ信号を供給する一対の内蔵型周辺駆動回路
を直結する液晶表示装置があった（特公平２−７０８号
公報）。
ＴＦＴの間を接続する走査線及び信号線の両端に、線の
両端から同じ信号を供給する一対の内蔵型周辺駆動回路
を直結する液晶表示装置があった（特公平２−７０８号
公報）。
【０００４】図６は絶縁基板上に内蔵された周辺回路か
ら配線の両端に同一信号を同時に供給する液晶表示装置
の平面図である。
ら配線の両端に同一信号を同時に供給する液晶表示装置
の平面図である。
【０００５】図６に示されるように、ｍ行ｎ列のマトリ
クス型多結晶ＳｉＴＦＴ１の水平方向にＴＦＴの導通を
制御する信号の伝わるｍ本の走査線２が、垂直方向に一
個の画素電極から液晶に印加される信号の伝わるｎ本の
映像線３が接続されている。
クス型多結晶ＳｉＴＦＴ１の水平方向にＴＦＴの導通を
制御する信号の伝わるｍ本の走査線２が、垂直方向に一
個の画素電極から液晶に印加される信号の伝わるｎ本の
映像線３が接続されている。
【０００６】走査線２の両端に上から下へと一定の周期
でシフトパルスを送り出す二個の垂直走査用シフトレジ
スタ４が接続されている。
でシフトパルスを送り出す二個の垂直走査用シフトレジ
スタ４が接続されている。
【０００７】同じく、映像線３の両端にＴＦＴ製のスイ
ッチ５を介して液晶表示装置の上下に位置する一対の映
像信号線６が接続されている。
ッチ５を介して液晶表示装置の上下に位置する一対の映
像信号線６が接続されている。
【０００８】スイッチ４は左から右へと垂直走査用シフ
トレジスタより短い一定の周期でシフトパルスを送り出
す水平走査用シフトレジスタ７からのパルスで開閉さ
れ、映像信号線上の映像信号をサンプリングする働きを
する。
トレジスタより短い一定の周期でシフトパルスを送り出
す水平走査用シフトレジスタ７からのパルスで開閉さ
れ、映像信号線上の映像信号をサンプリングする働きを
する。
【０００９】図６のように映像線の両端に対称な一対の
駆動回路を設けると例えば二列目の映像線３の途中に断
線があっても、液晶表示装置は正常に表示される。
駆動回路を設けると例えば二列目の映像線３の途中に断
線があっても、液晶表示装置は正常に表示される。
【００１０】ただ、一本の映像線当りのシフトレジスタ
の素子数は少なくとも１２個程度のＴＦＴを必要とし、
幅１ｍｍ前後と目視できる程に大きくなる短所があっ
た。
の素子数は少なくとも１２個程度のＴＦＴを必要とし、
幅１ｍｍ前後と目視できる程に大きくなる短所があっ
た。
【００１１】一方、マトリクス型ＴＦＴの周囲に環状の
補修線を設けて映像線の両端に補修線を接続する液晶表
示装置があった（特開昭６２−２９９９９３号公報）。
補修線を設けて映像線の両端に補修線を接続する液晶表
示装置があった（特開昭６２−２９９９９３号公報）。
【００１２】図７に環状の補修線を設けた液晶表示装置
の平面図を示す。
の平面図を示す。
【００１３】図７において、走査線２及び映像線３と立
体交差するように補修線８が環状に設けられている。
体交差するように補修線８が環状に設けられている。
【００１４】より簡単に環状の補修線８を構成するため
には、走査線２に平行な補修線をＴＦＴのチャネル部と
同時に構成し、映像線３に平行な補修線を映像線と同時
に形成して補修線の角部で接続すれば良いことが分か
る。
には、走査線２に平行な補修線をＴＦＴのチャネル部と
同時に構成し、映像線３に平行な補修線を映像線と同時
に形成して補修線の角部で接続すれば良いことが分か
る。
【００１５】ここで、ガラス基板上にＴＦＴのソース、
ドレイン、チャネル部を多結晶Ｓｉで形成し、該チャネ
ル部を真性領域として、オフ時のリーク電流を小さくし
た液晶表示装置（特公平１−４２１４６号公報）におい
て、多結晶ＳｉＴＦＴのチャネル部上は熱酸化膜で覆わ
れているのが通常である。
ドレイン、チャネル部を多結晶Ｓｉで形成し、該チャネ
ル部を真性領域として、オフ時のリーク電流を小さくし
た液晶表示装置（特公平１−４２１４６号公報）におい
て、多結晶ＳｉＴＦＴのチャネル部上は熱酸化膜で覆わ
れているのが通常である。
【００１６】例として、基板上の真性多結晶シリコン製
のチャネル部を熱酸化して多結晶ＳｉＴＦＴの絶縁性の
高いゲート絶縁膜として利用する薄膜トランジスタ（特
公平３−７１７９３号公報）や、基板上の多結晶Ｓｉ上
にＣＶＤ、ＰＶＤ法により絶縁膜を堆積させた後、前記
多結晶Ｓｉを熱酸化することにより、ゲート絶縁膜の厚
さの変動を抑える薄膜トランジスタ（特公平３−７１７
９２号公報）が挙げられる。
のチャネル部を熱酸化して多結晶ＳｉＴＦＴの絶縁性の
高いゲート絶縁膜として利用する薄膜トランジスタ（特
公平３−７１７９３号公報）や、基板上の多結晶Ｓｉ上
にＣＶＤ、ＰＶＤ法により絶縁膜を堆積させた後、前記
多結晶Ｓｉを熱酸化することにより、ゲート絶縁膜の厚
さの変動を抑える薄膜トランジスタ（特公平３−７１７
９２号公報）が挙げられる。
【００１７】また、石英基板上にチャネル部と、該チャ
ネル部と同一のシリコン薄膜で形成される補助容量電極
が配置された液晶表示装置（特公平１−４２１４６号公
報）でも走査線に平行な補修線上に熱酸化膜が存在する
ことになる。
ネル部と同一のシリコン薄膜で形成される補助容量電極
が配置された液晶表示装置（特公平１−４２１４６号公
報）でも走査線に平行な補修線上に熱酸化膜が存在する
ことになる。
【００１８】ところが、スパッタリングなどのＰＶＤや
気体の熱分解などのＣＶＤで作製した酸化シリコン膜と
異なって、多結晶ＳｉＴＦＴに用いられる熱酸化によっ
て作製された熱酸化シリコン膜は緻密で絶縁性が高い長
所があるものの、断線補修時にレーザ溶融させるには困
難であるという短所があった。
気体の熱分解などのＣＶＤで作製した酸化シリコン膜と
異なって、多結晶ＳｉＴＦＴに用いられる熱酸化によっ
て作製された熱酸化シリコン膜は緻密で絶縁性が高い長
所があるものの、断線補修時にレーザ溶融させるには困
難であるという短所があった。
【００１９】図８は熱酸化や抵抗値を下げる活性化アニ
ールなどの高温処理で多結晶Ｓｉの表面に熱酸化膜が生
成した場合の断線修正不能になった多結晶ＳｉＴＦＴ基
板の断面図である。
ールなどの高温処理で多結晶Ｓｉの表面に熱酸化膜が生
成した場合の断線修正不能になった多結晶ＳｉＴＦＴ基
板の断面図である。
【００２０】図８に示されるように、石英基板９上に補
修線となる多結晶Ｓｉ１０、多結晶Ｓｉ表面を覆う熱酸
化膜１１、略石英基板全面を覆い、映像線と走査線との
間の層間絶縁膜となるＳｉＮｘ膜１２、Ａｌ製の映像線
３、ポリイミド製の配向膜１３の順に積層されている。
修線となる多結晶Ｓｉ１０、多結晶Ｓｉ表面を覆う熱酸
化膜１１、略石英基板全面を覆い、映像線と走査線との
間の層間絶縁膜となるＳｉＮｘ膜１２、Ａｌ製の映像線
３、ポリイミド製の配向膜１３の順に積層されている。
【００２１】通常の強度のレーザ照射によってポリイミ
ド製の配向膜、Ａｌ製の映像線、ＳｉＮｘ製の層間絶縁
膜は溶融するが、熱酸化膜は溶融しない。
ド製の配向膜、Ａｌ製の映像線、ＳｉＮｘ製の層間絶縁
膜は溶融するが、熱酸化膜は溶融しない。
【００２２】さらに強烈なレーザ照射を行うと熱酸化膜
も溶融するが、多結晶Ｓｉと、石英基板及び熱酸化膜中
の酸素との反応が進行して、導電性が失われたり、石英
基板の透明性が無くなったりする欠点が生じる。
も溶融するが、多結晶Ｓｉと、石英基板及び熱酸化膜中
の酸素との反応が進行して、導電性が失われたり、石英
基板の透明性が無くなったりする欠点が生じる。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は映像信号線の
断線補修のために面積を必要とする一対の対称回路や熱
酸化膜によって断線修正が不可能になることを避け、小
面積で確実な電気接続ができるマトリクス型多結晶Ｓｉ
ＴＦＴを構成することを目的とするものである。
断線補修のために面積を必要とする一対の対称回路や熱
酸化膜によって断線修正が不可能になることを避け、小
面積で確実な電気接続ができるマトリクス型多結晶Ｓｉ
ＴＦＴを構成することを目的とするものである。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明は絶縁基板上にマ
トリクス状に配置されたゲート絶縁膜として熱酸化膜を
有する多結晶ＳｉＴＦＴと、該多結晶ＳｉＴＦＴ上に間
を接続する映像線及び走査線と、該映像線と走査線との
間を絶縁する層間絶縁膜と、前記映像線に重畳している
補修線とを備えるマトリクス型多結晶ＳｉＴＦＴにおい
て、複数の映像線が一つの補修線にスイッチまたは低温
成長絶縁膜を介してあらかじめ両端で接続し、断線して
いる映像線と補修線との接続を電気的または熱的に接続
させることを特徴とするマトリクス型多結晶ＳｉＴＦＴ
である。
トリクス状に配置されたゲート絶縁膜として熱酸化膜を
有する多結晶ＳｉＴＦＴと、該多結晶ＳｉＴＦＴ上に間
を接続する映像線及び走査線と、該映像線と走査線との
間を絶縁する層間絶縁膜と、前記映像線に重畳している
補修線とを備えるマトリクス型多結晶ＳｉＴＦＴにおい
て、複数の映像線が一つの補修線にスイッチまたは低温
成長絶縁膜を介してあらかじめ両端で接続し、断線して
いる映像線と補修線との接続を電気的または熱的に接続
させることを特徴とするマトリクス型多結晶ＳｉＴＦＴ
である。
【００２５】
【作用】本発明の構成によれば、一つまたは二つのＴＦ
Ｔを用いるだけで小面積で簡単に電気的な接続がなされ
る。
Ｔを用いるだけで小面積で簡単に電気的な接続がなされ
る。
【００２６】または、レーザ照射により多結晶ＳｉＴＦ
Ｔ間の映像線の断線が熱的に半永久的に補修される。
Ｔ間の映像線の断線が熱的に半永久的に補修される。
【００２７】
【実施例】図１に映像線の一端に一個のＴＦＴを設ける
本発明のマトリクス型多結晶ＳｉＴＦＴの平面図を示
す。
本発明のマトリクス型多結晶ＳｉＴＦＴの平面図を示
す。
【００２８】図１において、ｍ行ｎ列の点順次走査され
るマトリクス型多結晶ＳｉＴＦＴ１を上下に貫く映像線
３の一端にＴＦＴからなるスイッチ５と水平走査用シフ
トレジスタ７が接続されている。
るマトリクス型多結晶ＳｉＴＦＴ１を上下に貫く映像線
３の一端にＴＦＴからなるスイッチ５と水平走査用シフ
トレジスタ７が接続されている。
【００２９】また、二本の映像線の一端とスイッチとの
接続部に補修線８が垂直走査用シフトレジスタ４の外側
を迂回するように接続されている。
接続部に補修線８が垂直走査用シフトレジスタ４の外側
を迂回するように接続されている。
【００３０】補修線８はマトリクス型多結晶ＳｉＴＦＴ
の周囲に設けられると共に、四辺に分離されて形成され
ている。
の周囲に設けられると共に、四辺に分離されて形成され
ている。
【００３１】補修線が断線に用いられるときに限って、
補修線の角部周辺で補修線が重なっている場合はレーザ
溶接され、補修線が重なっていない場合はワイヤボンデ
ィングで接続されている。
補修線の角部周辺で補修線が重なっている場合はレーザ
溶接され、補修線が重なっていない場合はワイヤボンデ
ィングで接続されている。
【００３２】映像線３の他端は全てＴＦＴ製の補修スイ
ッチ１４を介して補修線８に接続され、補修スイッチが
導通しているとき、映像線の両端から同じ信号が入力さ
れるようになっている。
ッチ１４を介して補修線８に接続され、補修スイッチが
導通しているとき、映像線の両端から同じ信号が入力さ
れるようになっている。
【００３３】補修スイッチ１４はｎチャネルＴＦＴで構
成され、補修スイッチのゲートに制御線１５から高い電
位のＨ信号が入力されると導通するようになっている。
成され、補修スイッチのゲートに制御線１５から高い電
位のＨ信号が入力されると導通するようになっている。
【００３４】例えば、図１で二列目の映像線３が×で示
される部分で断線しているとき、一列目と二列目と三列
目の映像線に接続されている補修線がマトリクス型多結
晶ＳｉＴＦＴの角部の四箇所で接続される。
される部分で断線しているとき、一列目と二列目と三列
目の映像線に接続されている補修線がマトリクス型多結
晶ＳｉＴＦＴの角部の四箇所で接続される。
【００３５】四列目と五列目と六列目の映像線に共通接
続されている補修線はマトリクス型多結晶ＳｉＴＦＴの
角部で接続されず、映像線の他端に接続されている補修
スイッチと電気的に遮断されている。
続されている補修線はマトリクス型多結晶ＳｉＴＦＴの
角部で接続されず、映像線の他端に接続されている補修
スイッチと電気的に遮断されている。
【００３６】断線している映像線に接続された環状の補
修線は、補修スイッチのドレインに接続されている。
修線は、補修スイッチのドレインに接続されている。
【００３７】水平走査用シフトレジスタの無い側の補修
スイッチは三個ずつ同じ補修ラインに接続されているの
で、一列目、三列目、五列目及び六列目の補修スイッチ
のゲートと制御線との間はレーザにより切断されてい
る。
スイッチは三個ずつ同じ補修ラインに接続されているの
で、一列目、三列目、五列目及び六列目の補修スイッチ
のゲートと制御線との間はレーザにより切断されてい
る。
【００３８】同じく、水平走査用シフトレジスタの有る
側のスイッチは、一列目、三列目、五列目及び六列目の
映像線に平行な部分で補修線から切断されている。
側のスイッチは、一列目、三列目、五列目及び六列目の
映像線に平行な部分で補修線から切断されている。
【００３９】よって、ｎ列の映像線をｑ個のグループに
分けてｐ本ずつ補修線に接続すると、ｑ（＝ｎ／ｐ）本
の補修線によりｑ本の断線補修が可能になると共に、映
像線に平行な部分での２（ｐ−１）ｑ個所の切断が必要
になる。
分けてｐ本ずつ補修線に接続すると、ｑ（＝ｎ／ｐ）本
の補修線によりｑ本の断線補修が可能になると共に、映
像線に平行な部分での２（ｐ−１）ｑ個所の切断が必要
になる。
【００４０】この場合、制御線に印加される制御信号は
常にＨ信号が入力されるので、制御信号が最も簡単にで
きる。
常にＨ信号が入力されるので、制御信号が最も簡単にで
きる。
【００４１】図１のような構成によれば列数の値ｎが３
０００と比較的多い場合でも、１００本の映像線を１本
の補修線で接続し、線幅１０μｍの補修線を３０本設け
ていれば、補修スイッチのチャネル幅が１０μｍとして
１０×３０＋１０［μｍ］＝約０．３ｍｍの幅で３０個
所の映像線の断線を補修することが可能になる。
０００と比較的多い場合でも、１００本の映像線を１本
の補修線で接続し、線幅１０μｍの補修線を３０本設け
ていれば、補修スイッチのチャネル幅が１０μｍとして
１０×３０＋１０［μｍ］＝約０．３ｍｍの幅で３０個
所の映像線の断線を補修することが可能になる。
【００４２】尚、図１では補修線は垂直走査用シフトレ
ジスタの外側に配置したが、内側に配置して走査線と立
体交差させても良く、より小面積で補修できる可能性が
ある。
ジスタの外側に配置したが、内側に配置して走査線と立
体交差させても良く、より小面積で補修できる可能性が
ある。
【００４３】図１は電気的接続と熱的切断とを利用する
実施例であるが、次に電気的切断、熱的接続及び熱的切
断を組み合わせた実施例を示す。
実施例であるが、次に電気的切断、熱的接続及び熱的切
断を組み合わせた実施例を示す。
【００４４】図２は映像線の一端に一個のＴＦＴと二本
の制御線を設ける本発明のマトリクス型多結晶ＳｉＴＦ
Ｔの平面図である。
の制御線を設ける本発明のマトリクス型多結晶ＳｉＴＦ
Ｔの平面図である。
【００４５】図２に示されるように、映像信号線６はマ
トリクス型多結晶ＳｉＴＦＴ１の周囲に二分割されて配
線されている。
トリクス型多結晶ＳｉＴＦＴ１の周囲に二分割されて配
線されている。
【００４６】途中で分岐する映像信号線６は一方がスイ
ッチ５のドレインに、他方が補修スイッチ１４のドレイ
ンに接続されている。
ッチ５のドレインに、他方が補修スイッチ１４のドレイ
ンに接続されている。
【００４７】ｎチャネルＴＦＴ製の補修スイッチ１４の
ゲートに、常にア−スなどの補修スイッチをＯＦＦされ
るＬ信号がマトリクス型多結晶ＳｉＴＦＴのより外側の
一方の制御線１７から印加されている。
ゲートに、常にア−スなどの補修スイッチをＯＦＦされ
るＬ信号がマトリクス型多結晶ＳｉＴＦＴのより外側の
一方の制御線１７から印加されている。
【００４８】点順次走査されるマトリクス型多結晶Ｓｉ
ＴＦＴの水平走査期間を１Ｈ、垂直走査期間を１Ｖで表
すことにすれば、マトリクス型多結晶ＳｉＴＦＴのより
内側の他方の制御線１８に、周期１Ｈ、パルス幅１Ｈ／
ｎのＨ信号が印加されている。
ＴＦＴの水平走査期間を１Ｈ、垂直走査期間を１Ｖで表
すことにすれば、マトリクス型多結晶ＳｉＴＦＴのより
内側の他方の制御線１８に、周期１Ｈ、パルス幅１Ｈ／
ｎのＨ信号が印加されている。
【００４９】例えば、図２で二列目の映像線３が×で示
される部分で断線しているとき、二列目の補助スイッチ
１４のゲートと一方の制御線１６との間でかつ映像線に
平行な部分でＡｌ製の一方の制御線を一個所でレーザ照
射により切断し、二列目の多結晶Ｓｉ製の補修スイッチ
１４のゲートと熱酸化膜が除去された多結晶Ｓｉ製の他
方の制御線１７とをレーザ照射により溶融後、電気接続
させる。
される部分で断線しているとき、二列目の補助スイッチ
１４のゲートと一方の制御線１６との間でかつ映像線に
平行な部分でＡｌ製の一方の制御線を一個所でレーザ照
射により切断し、二列目の多結晶Ｓｉ製の補修スイッチ
１４のゲートと熱酸化膜が除去された多結晶Ｓｉ製の他
方の制御線１７とをレーザ照射により溶融後、電気接続
させる。
【００５０】他方の制御線上の制御信号は、映像信号の
フィールドの開始より１Ｈ／ｎだけ遅れ、パルス幅１Ｈ
／ｎ、周期１ＨのＨ信号である。
フィールドの開始より１Ｈ／ｎだけ遅れ、パルス幅１Ｈ
／ｎ、周期１ＨのＨ信号である。
【００５１】このような制御信号にすると、断線してい
る二列目にだけに映像線の他端から一定周期で所望の映
像信号が入力されることになる。
る二列目にだけに映像線の他端から一定周期で所望の映
像信号が入力されることになる。
【００５２】図２のような構成によれば列数の値ｎが３
０００と比較的多い場合でも、３０００本の映像線を線
幅１０μｍの１本の一方の補修線で接続し、かつ１００
本の映像線を１本の一方の補修線で接続し、線幅１０μ
ｍの１００本の他方の補修線を３０本設けていれば、補
修スイッチのチャネル幅が１０μｍとして１０×３０＋
１０＋１０［μｍ］＝約０．３ｍｍの幅で３０個所の映
像線の断線を補修することが可能になる。
０００と比較的多い場合でも、３０００本の映像線を線
幅１０μｍの１本の一方の補修線で接続し、かつ１００
本の映像線を１本の一方の補修線で接続し、線幅１０μ
ｍの１００本の他方の補修線を３０本設けていれば、補
修スイッチのチャネル幅が１０μｍとして１０×３０＋
１０＋１０［μｍ］＝約０．３ｍｍの幅で３０個所の映
像線の断線を補修することが可能になる。
【００５３】図２の構成では映像信号線を分岐させる必
要があるものの、レーザ照射による切断数が映像線の断
線数と同数と、少なくなる長所がある。
要があるものの、レーザ照射による切断数が映像線の断
線数と同数と、少なくなる長所がある。
【００５４】図１及び図２の補修スイッチを他端に設け
る構成によれば、外部回路と接続した後であっても、補
修スイッチのオン、オフによりマトリクス型多結晶Ｓｉ
ＴＦＴの短絡や断線を調べることが容易になるという長
所がある。
る構成によれば、外部回路と接続した後であっても、補
修スイッチのオン、オフによりマトリクス型多結晶Ｓｉ
ＴＦＴの短絡や断線を調べることが容易になるという長
所がある。
【００５５】先の二つの実施例では走査線か映像線のい
ずれかと補修線とが交差する構造であったが、続いて補
修線が映像線と重畳している実施例を示す。
ずれかと補修線とが交差する構造であったが、続いて補
修線が映像線と重畳している実施例を示す。
【００５６】図３に映像線の下部に両端の熱絶縁膜が除
去されている多結晶Ｓｉ製の補修線を設ける本発明のマ
トリクス型多結晶ＳｉＴＦＴの平面図を示す。
去されている多結晶Ｓｉ製の補修線を設ける本発明のマ
トリクス型多結晶ＳｉＴＦＴの平面図を示す。
【００５７】図３で、多結晶Ｓｉ製の補修線８は映像線
３と実際は重なっているが、見易くするため、映像線に
対して左側にずらして表示している。
３と実際は重なっているが、見易くするため、映像線に
対して左側にずらして表示している。
【００５８】ここで、図３において、補修線８は両端部
はＳｉＮｘ膜、両端部以外は熱酸化膜で覆われ、断線し
ていない映像線と絶縁されている。
はＳｉＮｘ膜、両端部以外は熱酸化膜で覆われ、断線し
ていない映像線と絶縁されている。
【００５９】三列目の映像線が断線している場合、三列
目の補修線８の熱酸化膜の除去された両端部にレーザ照
射が行われて、Ａｌ製の映像線との電気接続が成され
る。
目の補修線８の熱酸化膜の除去された両端部にレーザ照
射が行われて、Ａｌ製の映像線との電気接続が成され
る。
【００６０】マトリクス型多結晶ＳｉＴＦＴのゲートと
同時に形成される補修線の構造は、本実施例のように両
端部だけ、熱酸化膜を除去する構成では無く、映像線と
走査線の交差部は除外して、画素電極毎に一部熱酸化膜
を除いて（ｍ＋２）個の除去部を設ける構成にすれば、
熱酸化膜の優れた絶縁性を生かしたまま、より補修線の
配線抵抗の小さい断線修正ができ、例えば液晶表示装置
に表示される補修された部分の画素電極の前後の輝度が
変わることが無くなる。
同時に形成される補修線の構造は、本実施例のように両
端部だけ、熱酸化膜を除去する構成では無く、映像線と
走査線の交差部は除外して、画素電極毎に一部熱酸化膜
を除いて（ｍ＋２）個の除去部を設ける構成にすれば、
熱酸化膜の優れた絶縁性を生かしたまま、より補修線の
配線抵抗の小さい断線修正ができ、例えば液晶表示装置
に表示される補修された部分の画素電極の前後の輝度が
変わることが無くなる。
【００６１】ここまで、平面図を用いて説明してきた
が、以下二つの図では断面図で最初に切断、次に熱接続
について本発明の要点を解説することにする。
が、以下二つの図では断面図で最初に切断、次に熱接続
について本発明の要点を解説することにする。
【００６２】図４はレーザ照射により切断される制御線
の一部を映像線に平行な部分を有する金属膜で構成する
本発明のマトリクス型多結晶ＳｉＴＦＴの断面図であ
る。
の一部を映像線に平行な部分を有する金属膜で構成する
本発明のマトリクス型多結晶ＳｉＴＦＴの断面図であ
る。
【００６３】図４で、石英基板９上の中央部分にマトリ
クス型多結晶ＳｉＴＦＴが設けられている。
クス型多結晶ＳｉＴＦＴが設けられている。
【００６４】マトリクス型多結晶ＳｉＴＦＴの個々のＴ
ＦＴは多結晶Ｓｉ１０、白抜きで表されている熱酸化膜
１１、ゲート、ゲート電極で構成されている。
ＦＴは多結晶Ｓｉ１０、白抜きで表されている熱酸化膜
１１、ゲート、ゲート電極で構成されている。
【００６５】図の左端に位置する水平走査用シフトレジ
スタ７にクロック信号線１８からクロック信号が入力さ
れ、水平走査用シフトレジスタ７から３００℃で成長さ
せたＳｉＮｘ製の第一絶縁膜１９上を経てスイッチ５に
シフトパルスが入力される。
スタ７にクロック信号線１８からクロック信号が入力さ
れ、水平走査用シフトレジスタ７から３００℃で成長さ
せたＳｉＮｘ製の第一絶縁膜１９上を経てスイッチ５に
シフトパルスが入力される。
【００６６】シフトパルスによって映像信号線６からス
イッチ５を通して一本の映像線３に１Ｈ毎に映像信号が
供給される。
イッチ５を通して一本の映像線３に１Ｈ毎に映像信号が
供給される。
【００６７】映像線３の他端に補修スイッチ１４が接続
されており、本発明の特徴となる制御線１５の一部がプ
ラズマＣＶＤ製の第二絶縁膜２０上に映像線と平行に金
属膜で設けられている。
されており、本発明の特徴となる制御線１５の一部がプ
ラズマＣＶＤ製の第二絶縁膜２０上に映像線と平行に金
属膜で設けられている。
【００６８】補修線８はＳｉＮｘ製の第三絶縁膜２１に
同心円状に複数本設けられている。
同心円状に複数本設けられている。
【００６９】図４のように低温成長させた絶縁膜上に映
像線と平行にＡｌなどの金属膜で制御線を設けると容易
にレーザで切断できる。
像線と平行にＡｌなどの金属膜で制御線を設けると容易
にレーザで切断できる。
【００７０】また、複数の低温成長させた絶縁膜を用い
ると映像線、制御線、補修線を任意の位置で切断し易く
なる。
ると映像線、制御線、補修線を任意の位置で切断し易く
なる。
【００７１】図５に本発明のマトリクス型多結晶ＳｉＴ
ＦＴのレーザ照射によって接続される部分の補修線と映
像線との重畳部分の断面図を示す。
ＦＴのレーザ照射によって接続される部分の補修線と映
像線との重畳部分の断面図を示す。
【００７２】図５に示されるように石英基板９上の多結
晶Ｓｉ製の補修線８上の熱絶縁膜１１は除去されてお
り、多結晶Ｓｉ製の補修線８とＡｌ製の映像線３との間
に２５０℃のプラズマＣＶＤで形成された酸化シリコン
製の第一絶縁膜１９が挿入されている。
晶Ｓｉ製の補修線８上の熱絶縁膜１１は除去されてお
り、多結晶Ｓｉ製の補修線８とＡｌ製の映像線３との間
に２５０℃のプラズマＣＶＤで形成された酸化シリコン
製の第一絶縁膜１９が挿入されている。
【００７３】本構成によれば、熱酸化膜が補修線上に無
いので断線している映像線３と補修線８とをレーザ照射
により溶融させて電気接続することができる。
いので断線している映像線３と補修線８とをレーザ照射
により溶融させて電気接続することができる。
【００７４】
【発明の効果】本発明によれば、簡単な回路でマトリク
ス型多結晶ＳｉＴＦＴの断線を小面積で修正できる。
ス型多結晶ＳｉＴＦＴの断線を小面積で修正できる。
【図１】本発明の一本の制御線と補修スイッチとを設け
たＴＦＴの平面図である。
たＴＦＴの平面図である。
【図２】本発明の二本の制御線と補修スイッチとを設け
たＴＦＴの平面図である。
たＴＦＴの平面図である。
【図３】本発明の映像線下に補修線を設けたＴＦＴの平
面図である。
面図である。
【図４】本発明の制御線と補修線とを設けたＴＦＴの断
面図である。
面図である。
【図５】本発明の熱絶縁膜の無い補修線と映像線との重
畳部の断面図である。
畳部の断面図である。
【図６】両端に駆動回路を併設したＴＦＴの平面図であ
る。
る。
【図７】環状の補修線を配置したＴＦＴの平面図であ
る。
る。
【図８】レーザ照射時に熱絶縁膜が介在する場合の修正
部の断面図である。
部の断面図である。
１ マトリクス型多結晶ＳｉＴＦＴ ２ 走査線 ３ 映像線 ４ 垂直走査用シフトレジスタ ５ スイッチ ６ 映像信号線 ７ 水平走査用シフトレジスタ ８ 補修線 ９ 石英基板 １０ 多結晶Ｓｉ １１ 熱酸化膜 １２ ＳｉＮｘ膜 １３ 配向膜 １４ 補修スイッチ １５ 制御線 １６ 一方の制御線 １７ 他方の制御線 １８ クロック信号線 １９ 第一絶縁膜 ２０ 第二絶縁膜 ２１ 第三絶縁膜
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁基板上にマトリクス状に配置された
ゲート絶縁膜として熱酸化膜を有する多結晶ＳｉＴＦＴ
と、該多結晶ＳｉＴＦＴ上に間を接続する映像線及び走
査線と、該映像線と走査線との間を絶縁する層間絶縁膜
と、前記映像線に重畳している補修線とを備えるマトリ
クス型多結晶ＳｉＴＦＴにおいて、複数の映像線が一つ
の補修線にスイッチを介してあらかじめ両端で接続さ
れ、断線していない映像線と補修線との接続が遮断され
ていることを特徴とするマトリクス型多結晶ＳｉＴＦ
Ｔ。 - 【請求項２】 絶縁基板上にマトリクス状に配置された
ゲート絶縁膜として熱酸化膜を有する多結晶ＳｉＴＦＴ
と、該多結晶ＳｉＴＦＴ上に間を接続する映像線及び走
査線と、該映像線と走査線との間を絶縁する層間絶縁膜
と、前記映像線に重畳している補修線とを備えるマトリ
クス型多結晶ＳｉＴＦＴにおいて、複数の映像線が一つ
の補修線にスイッチを介してあらかじめ両端で接続さ
れ、スイッチにより断線している映像線と補修線との接
続がなされていることを特徴とするマトリクス型多結晶
ＳｉＴＦＴ。 - 【請求項３】 絶縁基板上にマトリクス状に配置された
ゲート絶縁膜として熱酸化膜を有する多結晶ＳｉＴＦＴ
と、該多結晶ＳｉＴＦＴ上に間を接続する映像線及び走
査線と、該映像線と走査線との間を絶縁する層間絶縁膜
と、前記映像線に重畳している補修線とを備えるマトリ
クス型多結晶ＳｉＴＦＴにおいて、一つの映像線が一つ
の補修線に少なくとも二ケ所以上で低温成長絶縁膜を介
して重畳し、それ以外の場所で熱絶縁膜と低温成長絶縁
膜とを介して重畳していることを特徴とするマトリクス
型多結晶ＳｉＴＦＴ。 - 【請求項４】 補修線またはスイッチの制御線が映像線
に平行な金属からなることを特徴とする請求項２のマト
リクス型多結晶ＳｉＴＦＴ。 - 【請求項５】 絶縁基板上にマトリクス状に配置された
ゲート絶縁膜として熱酸化膜を有する多結晶ＳｉＴＦＴ
と、該多結晶ＳｉＴＦＴ上に間を接続する映像線及び走
査線と、該映像線と走査線との間を絶縁する層間絶縁膜
と、前記映像線に重畳している補修線とを備えるマトリ
クス型多結晶ＳｉＴＦＴにおいて、映像線と補修線との
重畳部の熱絶縁膜が除去されていることを特徴とするマ
トリクス型多結晶ＳｉＴＦＴ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32217293A JP3118358B2 (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32217293A JP3118358B2 (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07175083A true JPH07175083A (ja) | 1995-07-14 |
| JP3118358B2 JP3118358B2 (ja) | 2000-12-18 |
Family
ID=18140745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32217293A Expired - Fee Related JP3118358B2 (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3118358B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008287297A (ja) * | 2008-09-05 | 2008-11-27 | Sharp Corp | 液晶表示装置とその製造方法 |
| JP2009003473A (ja) * | 2008-09-05 | 2009-01-08 | Sharp Corp | 液晶表示装置とその製造方法 |
| JP2010218673A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Au Optronics Corp | 両方向性電圧安定化を提供するディスプレイ装置 |
| WO2011155470A1 (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-15 | 株式会社アルバック | 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法、並びに液晶表示装置用電極基板 |
| WO2015096238A1 (zh) * | 2013-12-25 | 2015-07-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示阵列基板、源极驱动电路及断线修复方法 |
-
1993
- 1993-12-21 JP JP32217293A patent/JP3118358B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4658173B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2011-03-23 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置とその製造方法 |
| JP2010218673A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Au Optronics Corp | 両方向性電圧安定化を提供するディスプレイ装置 |
| US8223111B2 (en) | 2009-03-13 | 2012-07-17 | Au Optronics Corp. | Display device providing bi-directional voltage stabilization |
| TWI401663B (zh) * | 2009-03-13 | 2013-07-11 | Au Optronics Corp | 具雙向穩壓功能之液晶顯示裝置 |
| WO2011155470A1 (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-15 | 株式会社アルバック | 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法、並びに液晶表示装置用電極基板 |
| WO2015096238A1 (zh) * | 2013-12-25 | 2015-07-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示阵列基板、源极驱动电路及断线修复方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3118358B2 (ja) | 2000-12-18 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |