JPH07170112A

JPH07170112A - 静磁波装置

Info

Publication number: JPH07170112A
Application number: JP34312793A
Authority: JP
Inventors: Satoru Niimura; 村悟新; Fumio Kanetani; 谷文夫金; Shinichiro Ichiguchi; 口真一郎市
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1993-12-14
Filing date: 1993-12-14
Publication date: 1995-07-04

Abstract

(57)【要約】【目的】簡単に周波数調整ができ、しかも小型化が可
能な静磁波装置を得る。【構成】静磁波装置１０は、ケース１２を含む。ケー
ス１２内に、アース電極およびストリップライン電極１
８，２０を形成した誘電体基板１４を配置する。ストリ
ップライン電極１８，２０上に、ＧＧＧ基板とＹＩＧ薄
膜からなるフェリ磁性基体２２を配置する。ヨーク３２
に永久磁石３４ａ，３４ｂ，３６ａ，３６ｂおよびポー
ルピース３８，４０を取り付ける。ポールピース３８，
４０間に、ケース１２を配置する。ヨーク３２の外壁面
から永久磁石３４ａ，３４ｂの間および永久磁石３６
ａ，３６ｂの間に向かって、調整部材としての螺子４
２，４４を螺入する。螺子４２，４４の挿入量は可変と
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は静磁波装置に関し、特
にたとえば、フィルタなどとして用いられる静磁波装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】図７は従来の静磁波装置の一例を示す図
解図である。静磁波装置１は、ケース２を含む。ケース
２内には、誘電体基板３が形成される。誘電体基板３の
一方面上にはアース電極が形成され、誘電体基板３の他
方面上には２つのストリップライン電極４ａ，４ｂが形
成される。これらのストリップライン電極４ａ，４ｂの
一端はアース電極に接続され、トランスデューサとして
のマイクロストリップラインが形成される。そして、ス
トリップライン電極４ａ，４ｂの他端にコネクタ５ａ，
５ｂが取り付けられ、入力端および出力端として用いら
れる。ストリップライン電極４ａ，４ｂ上には、フェリ
磁性基体６が配置される。フェリ磁性基体６は、ＧＧＧ
（ガドリニウム−ガリウム−ガーネット）基板上にＹＩ
Ｇ（イットリウム−鉄−ガーネット）薄膜を形成したも
のである。

【０００３】ケース２は、ヨーク７の内部に配置され
る。ヨーク７は鉄を用いてコ字状に形成され、その内側
の対向する部分に永久磁石８ａ，８ｂが形成される。そ
して、ケース２は、永久磁石８ａ，８ｂの間に配置され
る。これらの永久磁石８ａ，８ｂにより、フェリ磁性基
体６の主面に平行に、直流磁界が印加される。この状態
で、入力側のストリップライン電極４ａに信号が与えら
れる。この入力信号によって静磁波が励起され、この静
磁波がＹＩＧ薄膜を伝播する。そして、伝達された静磁
波を受信することによって、出力側のストリップライン
電極４ｂから出力信号が得られる。このような静磁波装
置１は、たとえばフィルタ特性を有する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このような静磁波装置
では、フェリ磁性基体に印加される直流磁界の強さによ
って、その周波数特性を変えることができる。フェリ磁
性基体に印加される直流磁界は、永久磁石を着磁または
減磁することにより、その強さを変えることができる。
しかしながら、このような方法では、静磁波装置の周波
数特性を微調整するとき、着磁や減磁などの作業に手間
がかかり、生産性に問題がある。

【０００５】そこで、電磁石を用いて直流磁界をつく
り、フェリ磁性基体に印加することが考えられる。この
ような静磁波装置では、電磁石に流れる電流を調整する
ことにより、所望の強さの直流磁界を得ることができ、
静磁波装置の周波数特性を調整することができる。しか
しながら、このような静磁波装置では、電磁石の電流を
調整するための回路が必要であり、静磁波装置の小型化
には不向きであった。

【０００６】それゆえに、この発明の主たる目的は、簡
単に周波数調整ができ、しかも小型化が可能な静磁波装
置を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明は、フェリ磁性
基体と、フェリ磁性基体の主面上に形成されるのトラン
スデューサと、フェリ磁性基体に磁界を与えるための永
久磁石と、磁界内に存在して磁界内の磁力線の分布状態
を変化させる調整部材とを有する、静磁波装置である。

【０００８】

【作用】調整部材によって、永久磁石による磁界内の磁
力線の分布状態が変化する。それにより、フェリ磁性基
体に印加される直流磁界の強さが変化する。

【０００９】

【発明の効果】この発明によれば、調整部材により、フ
ェリ磁性基体に印加される直流磁界の強さを変えること
ができる。フェリ磁性基体に印加される直流磁界の強さ
が変わると、静磁波装置の周波数特性が変わる。したが
って、調整部材により、簡単に静磁波装置の周波数特性
を調整することができる。しかも、電磁石を用いた静磁
波装置のような周辺回路が不要であり、静磁波装置を小
型化することができる。

【００１０】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。

【００１１】

【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す図解図であ
る。静磁波装置１０は、ケース１２を含む。ケース１２
内には、誘電体基板１４が形成される。図２および図３
に示すように、誘電体基板１４の一方主面の全面には、
アース電極１６が形成される。また、誘電体基板１４の
他方主面上には、２つのストリップライン電極１８，２
０が形成される。ストリップライン電極１８，２０は、
誘電体基板１４の対向する端部から中央方向へ延び、そ
れぞれ同じ方向に折れ曲がって誘電体基板１４の同じ端
部に導かれる。そして、この端部から誘電体基板１４の
端面を通って、ストリップライン電極１８，２０がアー
ス電極１６に接続される。これらのストリップライン電
極１８，２０とアース電極１６とで、トランスデューサ
としてのマイクロストリップラインが形成される。

【００１２】ストリップライン電極１８，２０上には、
フェリ磁性基体２２が配置される。フェリ磁性基体２２
は、ＧＧＧ（ガドリニウム−ガリウム−ガーネット）基
板２４を含む。このＧＧＧ基板２４上に、ＹＩＧ（イッ
トリウム−鉄−ガーネット）薄膜２６が形成されてい
る。そして、ストリップライン電極１８，２０側には、
ＹＩＧ薄膜２６側が配置される。さらに、ケース１２に
は、ストリップライン電極１８，２０に接続されるコネ
クタ２８，３０が取り付けられる。これらのコネクタ２
８，３０が、入出力端子となる。

【００１３】ケース１２は、ヨーク３２の内部に配置さ
れる。ヨーク３２は、図４に示すように、鉄を用いてコ
字状に形成される。そして、ヨーク３２の内側の対向す
る部分に、永久磁石３４ａ，３４ｂおよび永久磁石３６
ａ，３６ｂが取り付けられる。永久磁石３４ａ，３４ｂ
は、たとえば直方体状に形成され、ヨーク３２の一方の
内壁部に間隔を隔てて取り付けられる。これらの永久磁
石３４ａ，３４ｂは、たとえばそのＮ極がヨーク３２の
中央方向となるように取り付けられる。同様に、永久磁
石３６ａ，３６ｂは直方体状に形成され、ヨーク３２の
他方の内壁部に間隔を隔てて取り付けられる。これらの
永久磁石３６ａ，３６ｂは、そのＳ極がヨーク３２の中
央方向となるように取り付けられる。永久磁石３４ａ，
３４ｂの内側および永久磁石３６ａ，３６ｂの内側に
は、板状のポールピース３８，４０が取り付けられる。
ポールピース３８，４０は磁性体材料で形成され、これ
らのポールピース３８，４０によって、ヨーク３２の中
央部にほぼ一様な磁界分布を得ることができる。そし
て、２つのポールピース３８，４０間に、ケース１２が
配置される。

【００１４】さらに、ヨーク３２の対向する壁面には、
調整部材として、たとえば金属で形成された螺子４２，
４４が取り付けられる。螺子４２は、ヨーク３２の外壁
面から永久磁石３４ａと３４ｂとの間に向かって螺入さ
れる。また、螺子４４は、ヨーク３２の外壁面から永久
磁石３６ａと３６ｂとの間に向かって螺入される。これ
らの螺子４２，４４の挿入量を調整することによって、
ヨーク３２内の磁界の強さを調整することができる。

【００１５】この静磁波装置１０では、コネクタ２８か
らストリップライン電極１８に高周波信号を入力するこ
とによって、静磁波が励起される。この静磁波がＹＩＧ
薄膜２６を伝播し、別のストリップライン電極２０に伝
達されると、コネクタ３０から出力信号が得られる。こ
のような静磁波装置１０では、たとえばフィルタ特性を
得ることができる。

【００１６】この静磁波装置１０の周波数特性を調整す
るには、フェリ磁性基体２２に印加される直流磁界の強
さを変える必要がある。そのために、螺子４２，４４の
挿入量が調整される。螺子４２，４４の挿入量が少ない
場合、図５に示すように、ヨーク３２の内側の磁束が多
く、フェリ磁性基体２２に印加される直流磁界の強さが
大きくなる。また、螺子４２，４４の挿入量が多い場
合、図６に示すように、永久磁石３４ａ，３４ｂ間およ
び永久磁石３６ａ，３６ｂ間に磁路が形成され、その磁
路に磁束が集まるため、ヨーク３２の内側の磁束が少な
くなる。そのため、フェリ磁性基体２２に印加される直
流磁界の強さが小さくなる。このように、螺子４２，４
４の挿入量を調整することによって、フェリ磁性基体２
２に印加される直流磁界の強さを変えることができる。
それによって、静磁波装置１０の周波数特性を調整する
ことができる。

【００１７】このように、この発明の静磁波装置１０で
は、螺子４２，４４の挿入量を調整することにより周波
数特性を調整することができる。したがって、静磁波装
置１０の周波数特性を測定しながら、簡単に微調整する
ことができる。しかも、電磁石を用いて微調整する場合
のような電流を調整するための周辺回路などは不要であ
り、静磁波装置を小型化することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を示す図解図である。

【図２】図１に示す静磁波装置の誘電体基板およびフェ
リ磁性基体の周辺を示す平面図である。

【図３】図２に示す誘電体基板およびフェリ磁性基体の
周辺を示す側面図である。

【図４】図１に示す静磁波装置のヨークとその周辺を示
す斜視図である。

【図５】螺子の挿入量が少ない場合の磁路を示す図解図
である。

【図６】螺子の挿入量が多い場合の磁路を示す図解図で
ある。

【図７】従来の静磁波装置の一例を示す図解図である。

【符号の説明】

１０静磁波装置１２ケース１４誘電体基板１６アース電極１８ストリップライン電極２０ストリップライン電極２２フェリ磁性基体２４ＧＧＧ基板２６ＹＩＧ薄膜３２ヨーク３４ａ，３４ｂ永久磁石３６ａ，３６ｂ永久磁石４２螺子４４螺子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】フェリ磁性基体、前記フェリ磁性基体の主面上に形成されるトランスデュ
ーサ、前記フェリ磁性基体に磁界を与えるための永久磁石、お
よび前記磁界内に存在して前記磁界内の磁力線の分布状
態を変化させる調整部材を有する、静磁波装置。