JP2595830B2 - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
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- JP2595830B2 JP2595830B2 JP9270291A JP9270291A JP2595830B2 JP 2595830 B2 JP2595830 B2 JP 2595830B2 JP 9270291 A JP9270291 A JP 9270291A JP 9270291 A JP9270291 A JP 9270291A JP 2595830 B2 JP2595830 B2 JP 2595830B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は静磁波装置に関し、特
に、たとえばＹＩＧ（イットリウム，アイアン，ガーネ
ット）素子などのフェリ磁性素子と、そのフェリ磁性素
子に磁界を印加するための磁石と、そのフェリ磁性素子
に関連して設けられるトランスデューサとを有する、静
磁波装置に関する。
に、たとえばＹＩＧ（イットリウム，アイアン，ガーネ
ット）素子などのフェリ磁性素子と、そのフェリ磁性素
子に磁界を印加するための磁石と、そのフェリ磁性素子
に関連して設けられるトランスデューサとを有する、静
磁波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は実願平１−１４８３７０号に開示
され、かつ、この発明の背景となる従来の静磁波装置の
一例を示す断面図解図である。この静磁波装置１は、金
属からなる筐体２を含み、この筐体２内には、その高さ
方向の中間に、たとえばアルミナからなる誘電体基板３
が設けられる。この誘電体基板３の下面には、たとえば
短冊状のＹＩＧ素子４が設けられ、さらに、ＹＩＧ素子
４の下には、アース板５が設けられる。また、誘電体基
板３の上面には、２つのトランスデューサ（図示せず）
が間隔を隔てて設けられる。これらのトランスデューサ
は、筐体２の側壁を貫通する２つの同軸コネクタ（図示
せず）に、それぞれ接続される。さらに、筐体２内に
は、誘電体基板３などを挟むようにして、ＹＩＧ素子４
に直流磁界を印加するための磁石６ａおよび６ｂが、そ
れぞれ設けられる。この静磁波装置１では、たとえば、
一方の同軸コネクタに信号を入力して一方のトランスデ
ューサに信号を与えれば、その信号が体積前進静磁波
（ＭＳＦＶＷ）として励起される。そして、その体積前
進静磁波は、ＹＩＧ素子４上で他方のトランスデューサ
側に伝搬され、そのトランスデューサで受信され、他方
の同軸コネクタから信号として出力される。なお、この
静磁波装置１には、その筐体２の上壁に、２つの調整ね
じ７ａおよび７ｂが螺合されている。これらの調整ねじ
７ａおよび７ｂは、ＹＩＧ素子４に印加する磁界の分布
を調整するためのものである。さらに、その筐体２の下
壁には、別の調整ねじ８が螺合され、その調整ねじ８の
先端には、別の磁石９が固着されている。これらの調整
ねじ８および磁石９は、ＹＩＧ素子４に印加する磁界の
大きさを変えて、この静磁波装置１の周波数特性を変え
るためのものである。
され、かつ、この発明の背景となる従来の静磁波装置の
一例を示す断面図解図である。この静磁波装置１は、金
属からなる筐体２を含み、この筐体２内には、その高さ
方向の中間に、たとえばアルミナからなる誘電体基板３
が設けられる。この誘電体基板３の下面には、たとえば
短冊状のＹＩＧ素子４が設けられ、さらに、ＹＩＧ素子
４の下には、アース板５が設けられる。また、誘電体基
板３の上面には、２つのトランスデューサ（図示せず）
が間隔を隔てて設けられる。これらのトランスデューサ
は、筐体２の側壁を貫通する２つの同軸コネクタ（図示
せず）に、それぞれ接続される。さらに、筐体２内に
は、誘電体基板３などを挟むようにして、ＹＩＧ素子４
に直流磁界を印加するための磁石６ａおよび６ｂが、そ
れぞれ設けられる。この静磁波装置１では、たとえば、
一方の同軸コネクタに信号を入力して一方のトランスデ
ューサに信号を与えれば、その信号が体積前進静磁波
（ＭＳＦＶＷ）として励起される。そして、その体積前
進静磁波は、ＹＩＧ素子４上で他方のトランスデューサ
側に伝搬され、そのトランスデューサで受信され、他方
の同軸コネクタから信号として出力される。なお、この
静磁波装置１には、その筐体２の上壁に、２つの調整ね
じ７ａおよび７ｂが螺合されている。これらの調整ねじ
７ａおよび７ｂは、ＹＩＧ素子４に印加する磁界の分布
を調整するためのものである。さらに、その筐体２の下
壁には、別の調整ねじ８が螺合され、その調整ねじ８の
先端には、別の磁石９が固着されている。これらの調整
ねじ８および磁石９は、ＹＩＧ素子４に印加する磁界の
大きさを変えて、この静磁波装置１の周波数特性を変え
るためのものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この静磁波
装置１では、２つの磁石６ａおよび６ｂの間隔や筐体２
および磁石６ａの間隔をそれぞれ所定の間隔に維持しな
ければならなく、ＹＩＧ素子，磁石およびトランスデュ
ーサの位置決めが困難であって、組立を行う時に作業性
および生産性が悪い。
装置１では、２つの磁石６ａおよび６ｂの間隔や筐体２
および磁石６ａの間隔をそれぞれ所定の間隔に維持しな
ければならなく、ＹＩＧ素子，磁石およびトランスデュ
ーサの位置決めが困難であって、組立を行う時に作業性
および生産性が悪い。
【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、フ
ェリ磁性素子，磁石およびトランスデューサを容易にか
つ正確に位置決めすることができる、静磁波装置を提供
することである。
ェリ磁性素子，磁石およびトランスデューサを容易にか
つ正確に位置決めすることができる、静磁波装置を提供
することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる静磁波
装置は、フェリ磁性素子と、フェリ磁性素子に磁界を印
加するための磁石と、フェリ磁性素子に関連して設けら
れるトランスデューサとを有する静磁波装置であって、
フェリ磁性素子を収納するためのフェリ磁性素子収納部
と、磁石をフェリ磁性素子に対して所定の位置に収納す
るための磁石収納部と、トランスデューサをフェリ磁性
素子に対して所定の位置に収納するためのトランスデュ
ーサ収納部とを有するホルダを含む、静磁波装置であ
る。
装置は、フェリ磁性素子と、フェリ磁性素子に磁界を印
加するための磁石と、フェリ磁性素子に関連して設けら
れるトランスデューサとを有する静磁波装置であって、
フェリ磁性素子を収納するためのフェリ磁性素子収納部
と、磁石をフェリ磁性素子に対して所定の位置に収納す
るための磁石収納部と、トランスデューサをフェリ磁性
素子に対して所定の位置に収納するためのトランスデュ
ーサ収納部とを有するホルダを含む、静磁波装置であ
る。
【０００６】
【作用】ホルダのフェリ磁性素子収納部には、フェリ磁
性素子が収納される。また、ホルダの磁石収納部には、
磁石が収納される。この場合、磁石は、フェリ磁性素子
に対して所定の位置に収納される。さらに、ホルダのト
ランスデューサ収納部には、トランスデューサが収納さ
れる。この場合、トランスデューサは、フェリ磁性素子
に対して所定の位置に収納される。
性素子が収納される。また、ホルダの磁石収納部には、
磁石が収納される。この場合、磁石は、フェリ磁性素子
に対して所定の位置に収納される。さらに、ホルダのト
ランスデューサ収納部には、トランスデューサが収納さ
れる。この場合、トランスデューサは、フェリ磁性素子
に対して所定の位置に収納される。
【０００７】
【発明の効果】この発明によれば、フェリ磁性素子，磁
石およびトランスデューサを容易にかつ正確に位置決め
できる、静磁波装置が得られる。そのため、この発明に
かかる静磁波装置は、組立時に作業性および生産性がよ
い。
石およびトランスデューサを容易にかつ正確に位置決め
できる、静磁波装置が得られる。そのため、この発明に
かかる静磁波装置は、組立時に作業性および生産性がよ
い。
【０００８】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【０００９】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す底面図であ
り、図２は図１の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図である。
この静磁波装置１０は、たとえば、金属からなる矩形板
状のホルダ１２を含む。
り、図２は図１の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図である。
この静磁波装置１０は、たとえば、金属からなる矩形板
状のホルダ１２を含む。
【００１０】図３，図４および図５は、それぞれ、その
ホルダ１２の斜視図，平面図および底面図であり、図６
は図５の線ＶＩ−ＶＩにおける断面図である。このホル
ダ１２は、磁石収納部として、たとえば平面矩形の凹部
１４を有する。この凹部１４は、ホルダ１２の上面に開
口部を有する。さらに、ホルダ１２には、フェリ磁性素
子収納部として、たとえばその下面に開口部を有しかつ
凹部１４に連通する貫通孔１６が形成される。この貫通
孔１６は、ホルダ１２の一方の対角線上に延びるよう
に、長方形に形成される。また、ホルダ１２の下面に
は、トランスデューサ収納部として、たとえば２つの凹
部１８ａおよび１８ｂが形成される。この場合、一方の
凹部１８ａは、貫通孔１６の長手方向の一端側を横切り
かつホルダ１２の一端に抜けるように、たとえば略Ｊ字
形に形成される。同様に、他方の凹部１８ｂは、貫通孔
１６の長手方向の他方側を横切りかつホルダ１２の他端
に抜けるように、たとえば略Ｊ字形に形成される。さら
に、ホルダ１２には、一方の凹部１８ａの一端部におい
て、凹部１４に通じる２つのスルーホール２０ａが形成
され、同様に、他方の凹部１８ｂの一端部においても、
凹部１４に通じる２つのスルーホール２０ｂが形成され
る。
ホルダ１２の斜視図，平面図および底面図であり、図６
は図５の線ＶＩ−ＶＩにおける断面図である。このホル
ダ１２は、磁石収納部として、たとえば平面矩形の凹部
１４を有する。この凹部１４は、ホルダ１２の上面に開
口部を有する。さらに、ホルダ１２には、フェリ磁性素
子収納部として、たとえばその下面に開口部を有しかつ
凹部１４に連通する貫通孔１６が形成される。この貫通
孔１６は、ホルダ１２の一方の対角線上に延びるよう
に、長方形に形成される。また、ホルダ１２の下面に
は、トランスデューサ収納部として、たとえば２つの凹
部１８ａおよび１８ｂが形成される。この場合、一方の
凹部１８ａは、貫通孔１６の長手方向の一端側を横切り
かつホルダ１２の一端に抜けるように、たとえば略Ｊ字
形に形成される。同様に、他方の凹部１８ｂは、貫通孔
１６の長手方向の他方側を横切りかつホルダ１２の他端
に抜けるように、たとえば略Ｊ字形に形成される。さら
に、ホルダ１２には、一方の凹部１８ａの一端部におい
て、凹部１４に通じる２つのスルーホール２０ａが形成
され、同様に、他方の凹部１８ｂの一端部においても、
凹部１４に通じる２つのスルーホール２０ｂが形成され
る。
【００１１】このホルダ１２の凹部１４には、特に図２
に示すように、アース導体としての銅箔２２が収納さ
れ、さらに、磁石２４が収納され固着される。
に示すように、アース導体としての銅箔２２が収納さ
れ、さらに、磁石２４が収納され固着される。
【００１２】また、ホルダ１２の貫通孔１６には、図１
および図２に示すように、フェリ磁性素子としてのＹＩ
Ｇ素子２６が配置される。このＹＩＧ素子２６は、銅箔
２２に固着される。
および図２に示すように、フェリ磁性素子としてのＹＩ
Ｇ素子２６が配置される。このＹＩＧ素子２６は、銅箔
２２に固着される。
【００１３】さらに、ホルダ１２の凹部１８ａおよび１
８ｂには、トランスデューサ２８ａおよび２８ｂが、そ
れぞれ収納される。この場合、トランスデューサ２８ａ
および２８ｂは、たとえばアルミナなどの誘電体からな
る略Ｊ字状の誘電体基板３０ａおよび３０ｂの一方主面
にそれぞれ形成され、これらの誘電体基板３０ａおよび
３０ｂが、ホルダ１２の凹部１８ａおよび１８ｂにそれ
ぞれ嵌め込まれる。したがって、トランスデューサ２８
ａおよび２８ｂは、平面的に見て、ＹＩＧ素子２６の一
端および他端をそれぞれ横切る。
８ｂには、トランスデューサ２８ａおよび２８ｂが、そ
れぞれ収納される。この場合、トランスデューサ２８ａ
および２８ｂは、たとえばアルミナなどの誘電体からな
る略Ｊ字状の誘電体基板３０ａおよび３０ｂの一方主面
にそれぞれ形成され、これらの誘電体基板３０ａおよび
３０ｂが、ホルダ１２の凹部１８ａおよび１８ｂにそれ
ぞれ嵌め込まれる。したがって、トランスデューサ２８
ａおよび２８ｂは、平面的に見て、ＹＩＧ素子２６の一
端および他端をそれぞれ横切る。
【００１４】また、一方の誘電体基板３０ａの一端部に
は２つのスルーホール３２ａが形成され、他方の誘電体
基板３０ｂの一端部にも２つのスルーホール３２ｂが形
成されている。そして、一方のトランスデューサ２８ａ
の一端は、誘電体基板３０ａのスルーホール３２ａとホ
ルダ１２のスルーホール２０ａとを通して、銅箔２２に
接続される。同様に、他方のトランスデューサ２８ｂの
一端は、誘電体基板３０ｂおよびホルダ１２のスルーホ
ール３２ｂおよび２０ｂを通して、銅箔２２に接続され
る。
は２つのスルーホール３２ａが形成され、他方の誘電体
基板３０ｂの一端部にも２つのスルーホール３２ｂが形
成されている。そして、一方のトランスデューサ２８ａ
の一端は、誘電体基板３０ａのスルーホール３２ａとホ
ルダ１２のスルーホール２０ａとを通して、銅箔２２に
接続される。同様に、他方のトランスデューサ２８ｂの
一端は、誘電体基板３０ｂおよびホルダ１２のスルーホ
ール３２ｂおよび２０ｂを通して、銅箔２２に接続され
る。
【００１５】さらに、必要に応じて、ホルダ１２は、た
とえば金属からなる筐体（図示せず）に収納され、２つ
のトランスデューサ２８ａおよび２８ｂの他端は、筐体
を貫通する入出力端子としての２つの同軸コネクタ（図
示せず）の中心導体に、それぞれ接続される。なお、こ
れらの同軸コネクタの外導体は、筐体およびホルダ１２
を介して、アース導体としての銅箔２２に接続される。
とえば金属からなる筐体（図示せず）に収納され、２つ
のトランスデューサ２８ａおよび２８ｂの他端は、筐体
を貫通する入出力端子としての２つの同軸コネクタ（図
示せず）の中心導体に、それぞれ接続される。なお、こ
れらの同軸コネクタの外導体は、筐体およびホルダ１２
を介して、アース導体としての銅箔２２に接続される。
【００１６】この静磁波装置１０では、ホルダ１２によ
って、磁石２４とＹＩＧ素子２６とトランスデューサ２
８ａおよび２８ｂとを容易にかつ正確に位置決めするこ
とができる。そのため、この静磁波装置１０は、その組
立時の作業性および生産性がよい。
って、磁石２４とＹＩＧ素子２６とトランスデューサ２
８ａおよび２８ｂとを容易にかつ正確に位置決めするこ
とができる。そのため、この静磁波装置１０は、その組
立時の作業性および生産性がよい。
【００１７】なお、上述の実施例では、トランスデュー
サ２８ａおよび２８ｂが、磁石２４およびＹＩＧ素子２
６などより先にあるいは後で、ホルダ１２に取り付けら
れてもよい。
サ２８ａおよび２８ｂが、磁石２４およびＹＩＧ素子２
６などより先にあるいは後で、ホルダ１２に取り付けら
れてもよい。
【００１８】また、上述の実施例では、フェリ磁性素子
としてのＹＩＧ素子２６が磁石２４とトランスデューサ
２８ａおよび２８ｂとの間に配置されているが、この発
明では、トランスデューサがフェリ磁性素子と磁石との
間に配置されるようにホルダを構成してもよい。
としてのＹＩＧ素子２６が磁石２４とトランスデューサ
２８ａおよび２８ｂとの間に配置されているが、この発
明では、トランスデューサがフェリ磁性素子と磁石との
間に配置されるようにホルダを構成してもよい。
【００１９】また、上述の実施例では、フェリ磁性素子
の一方側のみに磁石が配置されているが、この発明で
は、フェリ磁性素子の両側にそれぞれ磁石が配置される
ようにホルダを構成してもよい。
の一方側のみに磁石が配置されているが、この発明で
は、フェリ磁性素子の両側にそれぞれ磁石が配置される
ようにホルダを構成してもよい。
【図１】この発明の一実施例を示す底面図である。
【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図である。
【図３】図１および図２に示す実施例に用いられるホル
ダを示す斜視図である。
ダを示す斜視図である。
【図４】図３に示すホルダを示す平面図である。
【図５】図３に示すホルダを示す底面図である。
【図６】図５の線ＶＩ−ＶＩにおける断面図である。
【図７】従来の静磁波装置の一例を示す断面図解図であ
る。
る。
１０ 静磁波装置 １２ ホルダ １４ 凹部 １６ 貫通孔 １８ａ，１８ｂ 凹部 ２４ 磁石 ２６ ＹＩＧ素子 ２８ａ，２８ｂ トランスデューサ
Claims (1)
- 【請求項１】 フェリ磁性素子と、前記フェリ磁性素子
に磁界を印加するための磁石と、前記フェリ磁性素子に
関連して設けられるトランスデューサとを有する静磁波
装置であって、前記フェリ磁性素子を収納するためのフ
ェリ磁性素子収納部と、前記磁石を前記フェリ磁性素子
に対して所定の位置に収納するための磁石収納部と、前
記トランスデューサを前記フェリ磁性素子に対して所定
の位置に収納するためのトランスデューサ収納部とを有
するホルダを含む、静磁波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9270291A JP2595830B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9270291A JP2595830B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 静磁波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04302505A JPH04302505A (ja) | 1992-10-26 |
| JP2595830B2 true JP2595830B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=14061822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9270291A Expired - Fee Related JP2595830B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 静磁波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2595830B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08181510A (ja) * | 1994-10-25 | 1996-07-12 | Honda Motor Co Ltd | Ｎｒｄガイド回路の組立方法およびｎｒｄガイド回路 |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP9270291A patent/JP2595830B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04302505A (ja) | 1992-10-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |