JPH07170050A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH07170050A JPH07170050A JP5343021A JP34302193A JPH07170050A JP H07170050 A JPH07170050 A JP H07170050A JP 5343021 A JP5343021 A JP 5343021A JP 34302193 A JP34302193 A JP 34302193A JP H07170050 A JPH07170050 A JP H07170050A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring board
- printed wiring
- semiconductor chip
- recess
- conductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低背実装を可能にすると共に、半導体チップ
の放熱特性を向上させる。 【構成】 半導体装置は、電極パッド１１を有するプリ
ント配線板１０に設けられた凹部１２と、凹部１２の内
底面１２ａに設けられた導電体層１４と、導電体層１４
に裏面５８ｂが接着されることにより凹部１２に収容さ
れると共に表面５８ａに電極５８ｃを有する半導体チッ
プ５８と、半導体チップ５８の電極５８ｃとプリント配
線板１０の電極パッド１１とを電気的に接続するアウタ
ーリード１６とを備えている。
の放熱特性を向上させる。 【構成】 半導体装置は、電極パッド１１を有するプリ
ント配線板１０に設けられた凹部１２と、凹部１２の内
底面１２ａに設けられた導電体層１４と、導電体層１４
に裏面５８ｂが接着されることにより凹部１２に収容さ
れると共に表面５８ａに電極５８ｃを有する半導体チッ
プ５８と、半導体チップ５８の電極５８ｃとプリント配
線板１０の電極パッド１１とを電気的に接続するアウタ
ーリード１６とを備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、詳
しくはプリント配線板上に実装された半導体装置に関す
る。
しくはプリント配線板上に実装された半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図３及び図４は従来のこの種の半導体装
置の一例を示し、図３は図４におけるIII-III 線縦断面
図、図４は平面図である。以下、これらの図に基づき説
明する。
置の一例を示し、図３は図４におけるIII-III 線縦断面
図、図４は平面図である。以下、これらの図に基づき説
明する。
【０００３】従来の半導体装置は、電極パッド５０を有
するプリント配線板５２の表面５２ａに設けられた導電
体箔５４と、導電体箔５４に裏面５８ｂが接着されると
共に表面５８ａに電極５８ｃを有する半導体チップ５８
と、半導体チップ５８の電極５８ｃとプリント配線板５
２の電極パッド５０とを電気的に接続するアウターリー
ド６０とを備えている。
するプリント配線板５２の表面５２ａに設けられた導電
体箔５４と、導電体箔５４に裏面５８ｂが接着されると
共に表面５８ａに電極５８ｃを有する半導体チップ５８
と、半導体チップ５８の電極５８ｃとプリント配線板５
２の電極パッド５０とを電気的に接続するアウターリー
ド６０とを備えている。
【０００４】また、この従来の半導体装置は、テープに
アウターリード６０を形成し、アウターリード６０と半
導体チップ５８の電極５８ｃとを熱圧着してテープキャ
リアを製造し、テープキャリアをいわゆるフェースアッ
プでプリント配線板５２に実装したものである。このと
き、放熱特性及び電気ノイズ耐力を向上させるために、
プリント配線板５２の表面５２ａの銅箔等の導電体箔５
４に、銀エポキシ樹脂等の導電性接着剤６２を介して、
半導体チップ５８の裏面５８ｂを接着させている。
アウターリード６０を形成し、アウターリード６０と半
導体チップ５８の電極５８ｃとを熱圧着してテープキャ
リアを製造し、テープキャリアをいわゆるフェースアッ
プでプリント配線板５２に実装したものである。このと
き、放熱特性及び電気ノイズ耐力を向上させるために、
プリント配線板５２の表面５２ａの銅箔等の導電体箔５
４に、銀エポキシ樹脂等の導電性接着剤６２を介して、
半導体チップ５８の裏面５８ｂを接着させている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体装置では、半導体チップ５８等をフェースア
ップでプリント配線板５２の表面５２ａに実装するの
で、半導体チップ５８の厚みとアウターリード６０の高
さが最低限必要となり、いわゆる低背実装が困難であっ
た。また、プリント配線板５２の表面５２ａの導電体箔
５４は、プリント配線板５２の回路パターンの設計上の
制限から、半導体チップ５８の裏面５８ｂの面積程度に
しか大きくできず、放熱特性を向上させるにも限度があ
った。
来の半導体装置では、半導体チップ５８等をフェースア
ップでプリント配線板５２の表面５２ａに実装するの
で、半導体チップ５８の厚みとアウターリード６０の高
さが最低限必要となり、いわゆる低背実装が困難であっ
た。また、プリント配線板５２の表面５２ａの導電体箔
５４は、プリント配線板５２の回路パターンの設計上の
制限から、半導体チップ５８の裏面５８ｂの面積程度に
しか大きくできず、放熱特性を向上させるにも限度があ
った。
【０００６】
【発明の目的】そこで、本発明の目的は、低背実装を可
能にすると共に、半導体チップの放熱特性を向上できる
半導体装置を提供することにある。
能にすると共に、半導体チップの放熱特性を向上できる
半導体装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、上記目的を達成するためになされたものであり、電
極パッドを有するプリント配線板に設けられた凹部と、
この凹部の内底面に設けられた導電体層と、この導電体
層に裏面が接着されることにより前記凹部に収容される
と共に表面に電極を有する半導体チップと、この半導体
チップの前記電極と前記プリント配線板の前記電極パッ
ドとを電気的に接続するアウターリードとを備えたもの
てある。
は、上記目的を達成するためになされたものであり、電
極パッドを有するプリント配線板に設けられた凹部と、
この凹部の内底面に設けられた導電体層と、この導電体
層に裏面が接着されることにより前記凹部に収容される
と共に表面に電極を有する半導体チップと、この半導体
チップの前記電極と前記プリント配線板の前記電極パッ
ドとを電気的に接続するアウターリードとを備えたもの
てある。
【０００８】また、前記導電体層は、前記凹部の内底面
を越えて前記プリント配線板の内部に広がって形成され
ているものとしてもよい。
を越えて前記プリント配線板の内部に広がって形成され
ているものとしてもよい。
【０００９】
【作用】プリント配線板には凹部が設けられ、凹部の内
底面には導電体層が設けられている。この導電体層に半
導体チップの裏面を接着させることにより、プリント配
線板に半導体チップが実装される。このとき、従来のプ
リント配線板表面に半導体チップを実装したものに比べ
て、おおよそ凹部の深さ相当する厚み分（最大でおおよ
そ半導体チップの厚み分）だけ、半導体チップを実装し
たプリント配線板が薄くなる。
底面には導電体層が設けられている。この導電体層に半
導体チップの裏面を接着させることにより、プリント配
線板に半導体チップが実装される。このとき、従来のプ
リント配線板表面に半導体チップを実装したものに比べ
て、おおよそ凹部の深さ相当する厚み分（最大でおおよ
そ半導体チップの厚み分）だけ、半導体チップを実装し
たプリント配線板が薄くなる。
【００１０】また、半導体チップが接着される導電体層
を、凹部の内底面を越えてプリント配線板の内部に広が
って形成することにより、従来のプリント配線板表面に
半導体チップを実装したものに比べて、半導体チップの
熱の伝わる面積が大きくなる。
を、凹部の内底面を越えてプリント配線板の内部に広が
って形成することにより、従来のプリント配線板表面に
半導体チップを実装したものに比べて、半導体チップの
熱の伝わる面積が大きくなる。
【００１１】
【実施例】図１及び図２は本発明に係る半導体装置の一
例を示し、図１は図２におけるI-I 線縦断面図、図２は
平面図である。以下、これらの図に基づき説明する。た
だし、図３及び図４と同一部分には同一符号を付し説明
を省略する。
例を示し、図１は図２におけるI-I 線縦断面図、図２は
平面図である。以下、これらの図に基づき説明する。た
だし、図３及び図４と同一部分には同一符号を付し説明
を省略する。
【００１２】本発明に係る半導体装置は、電極パッド１
１を有するプリント配線板１０に設けられた凹部１２
と、凹部１２の内底面１２ａに設けられた導電体層１４
と、導電体層１４に裏面５８ｂが接着されることにより
凹部１２に収容されると共に表面５８ａに電極５８ｃを
有する半導体チップ５８と、半導体チップ５８の電極５
８ｃとプリント配線板１０の電極パッド１１とを電気的
に接続するアウターリード１６とを備えている。
１を有するプリント配線板１０に設けられた凹部１２
と、凹部１２の内底面１２ａに設けられた導電体層１４
と、導電体層１４に裏面５８ｂが接着されることにより
凹部１２に収容されると共に表面５８ａに電極５８ｃを
有する半導体チップ５８と、半導体チップ５８の電極５
８ｃとプリント配線板１０の電極パッド１１とを電気的
に接続するアウターリード１６とを備えている。
【００１３】プリント配線板１０は、絶縁基材の表面に
接着剤層を介して金属箔を積層し、この金属箔の不要部
分をエッチングにより除去することにより任意の電極パ
ッド１１や回路パターンが形成されたものである。一般
に絶縁基材としては、ガラスエポキシ系、ポリミイド系
の基材が使用され、金属箔には銅箔が使用されている。
また、プリント配線板１０は、絶縁基材の表面及び内層
にも導電性の回路を形成している多層基板である。この
プリント配線板１０のテープキャリアを搭載する任意の
位置には、テープキャリアの半導体チップ５８を埋め込
むことが可能な半導体チップ５８より大きい四角い凹部
１２が形成されている。この四角い凹部１２の内底面１
２ａは、内層の導電体層１４が露出している。導電体層
１４は、ＧＮＤ層（接地層）として構成されており、最
大でプリント配線板１０の面積と同等の面積を有するも
のである。
接着剤層を介して金属箔を積層し、この金属箔の不要部
分をエッチングにより除去することにより任意の電極パ
ッド１１や回路パターンが形成されたものである。一般
に絶縁基材としては、ガラスエポキシ系、ポリミイド系
の基材が使用され、金属箔には銅箔が使用されている。
また、プリント配線板１０は、絶縁基材の表面及び内層
にも導電性の回路を形成している多層基板である。この
プリント配線板１０のテープキャリアを搭載する任意の
位置には、テープキャリアの半導体チップ５８を埋め込
むことが可能な半導体チップ５８より大きい四角い凹部
１２が形成されている。この四角い凹部１２の内底面１
２ａは、内層の導電体層１４が露出している。導電体層
１４は、ＧＮＤ層（接地層）として構成されており、最
大でプリント配線板１０の面積と同等の面積を有するも
のである。
【００１４】テープキャリア（図示せず）は、金属バン
プから成る電極５８ｃを有した半導体チップ５８と、電
極５８ｃに熱圧着されたアウターリード１６とから構成
されている。半導体チップ５８は、電気回路が形成され
た表面５８ａと、金属層が形成された裏面５８ｂとを有
する。
プから成る電極５８ｃを有した半導体チップ５８と、電
極５８ｃに熱圧着されたアウターリード１６とから構成
されている。半導体チップ５８は、電気回路が形成され
た表面５８ａと、金属層が形成された裏面５８ｂとを有
する。
【００１５】次に、テープキャリアをプリント配線板１
０にフェィスアップ方式で実装する工程を説明する。
０にフェィスアップ方式で実装する工程を説明する。
【００１６】テープキャリアのアウターリード１６を、
プリント配線板１０の電極パッド１１に接続するため
に、任意の形状に成形を行なう。
プリント配線板１０の電極パッド１１に接続するため
に、任意の形状に成形を行なう。
【００１７】プリント配線板１０の電極パッド１１に
は、クリームはんだによる印刷，はんだメッキ等により
予めはんだを供給しておく。プリント配線板１０の凹部
１２内の導電体層１４の表面すなわち内底面１２ａに
は、銀エポキシ樹脂等の導電性接着剤６２を塗布する。
は、クリームはんだによる印刷，はんだメッキ等により
予めはんだを供給しておく。プリント配線板１０の凹部
１２内の導電体層１４の表面すなわち内底面１２ａに
は、銀エポキシ樹脂等の導電性接着剤６２を塗布する。
【００１８】テープキャリアをプリント配線板１０にフ
ェースアップで実装する場合、プリント配線板１０の凹
部１２に半導体チップ５８を埋め込む形態で実装を行な
う。この際、半導体チップ５８の表面５８ａが上、裏面
５８ｂが下を向いた形となり、裏面５８ｂは、プリント
配線板１０の凹部１２の導電体層１４に導電性接着剤６
２を介して接着されることになる。
ェースアップで実装する場合、プリント配線板１０の凹
部１２に半導体チップ５８を埋め込む形態で実装を行な
う。この際、半導体チップ５８の表面５８ａが上、裏面
５８ｂが下を向いた形となり、裏面５８ｂは、プリント
配線板１０の凹部１２の導電体層１４に導電性接着剤６
２を介して接着されることになる。
【００１９】導電性接着剤６２を熱硬化等により硬化さ
せ、半導体チップ５８の裏面５８ｂとプリント配線板１
０の導電体層１４とは接続される。
せ、半導体チップ５８の裏面５８ｂとプリント配線板１
０の導電体層１４とは接続される。
【００２０】テープキャリアのアウターリード１６は、
プリント配線板１０の凹部１２の周辺に位置する電極パ
ッド１１に搭載され、アウターリード１６をヒートツー
ル等により加熱し、予め電極パッド１１に供給されてい
たはんだを溶解しボンディングを行なう。この一連の作
業によりテープキャリアのプリント配線板１０への実装
が終了する。
プリント配線板１０の凹部１２の周辺に位置する電極パ
ッド１１に搭載され、アウターリード１６をヒートツー
ル等により加熱し、予め電極パッド１１に供給されてい
たはんだを溶解しボンディングを行なう。この一連の作
業によりテープキャリアのプリント配線板１０への実装
が終了する。
【００２１】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置によれば、プリ
ント配線板に設けられた凹部に半導体チップを接着させ
るようにしたので、従来のプリント配線板表面に半導体
チップを実装したものに比べて、おおよそ凹部の深さ相
当する厚み分だけ薄くできる。したがって、低背実装が
可能となることにより、プリント配線板から構成される
電子装置の薄形化及び小型化に寄与できる。
ント配線板に設けられた凹部に半導体チップを接着させ
るようにしたので、従来のプリント配線板表面に半導体
チップを実装したものに比べて、おおよそ凹部の深さ相
当する厚み分だけ薄くできる。したがって、低背実装が
可能となることにより、プリント配線板から構成される
電子装置の薄形化及び小型化に寄与できる。
【００２２】また、半導体チップが接着される導電体層
を、凹部の内底面を越えてプリント配線板の内部に広が
って形成することにより、従来のプリント配線板表面に
半導体チップを実装したものに比べて、半導体チップか
らの熱が伝わる面積を大きくできるので、半導体チップ
の放熱特性を向上できる。
を、凹部の内底面を越えてプリント配線板の内部に広が
って形成することにより、従来のプリント配線板表面に
半導体チップを実装したものに比べて、半導体チップか
らの熱が伝わる面積を大きくできるので、半導体チップ
の放熱特性を向上できる。
【図１】図２におけるI-I 線縦断面図である。
【図２】本発明の一実施例を示す平面図である。
【図３】図４におけるIII-III 線縦断面図である。
【図４】従来例を示す平面図である。
１０ プリント配線板 １１ 電極パッド １２ 凹部 １２ａ 凹部の内底面 １４ 導電体層 １６ アウターリード ５８ 半導体チップ ５８ａ 半導体チップの表面 ５８ｂ 半導体チップの裏面 ５８ｃ 半導体チップの電極
Claims (2)
- 【請求項１】 電極パッドを有するプリント配線板に設
けられた凹部と、この凹部の内底面に設けられた導電体
層と、この導電体層に裏面が接着されることにより前記
凹部に収容されると共に表面に電極を有する半導体チッ
プと、この半導体チップの前記電極と前記プリント配線
板の前記電極パッドとを電気的に接続するアウターリー
ドとを備えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記導電体層は、前記凹部の内底面を越
えて前記プリント配線板の内部に広がって形成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5343021A JP2541494B2 (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5343021A JP2541494B2 (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07170050A true JPH07170050A (ja) | 1995-07-04 |
| JP2541494B2 JP2541494B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=18358332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5343021A Expired - Fee Related JP2541494B2 (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2541494B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007045112A1 (de) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Creative Led Gmbh | Leistungsgehäuse für halbleiterchips und deren anordnung zur wärmeabfuhr |
| JP2009511290A (ja) * | 2005-10-05 | 2009-03-19 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 被覆基板及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6245870U (ja) * | 1985-08-27 | 1987-03-19 | ||
| JPS62184775U (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-24 | ||
| JPH0197581U (ja) * | 1987-12-19 | 1989-06-29 |
-
1993
- 1993-12-15 JP JP5343021A patent/JP2541494B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6245870U (ja) * | 1985-08-27 | 1987-03-19 | ||
| JPS62184775U (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-24 | ||
| JPH0197581U (ja) * | 1987-12-19 | 1989-06-29 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009511290A (ja) * | 2005-10-05 | 2009-03-19 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 被覆基板及びその製造方法 |
| WO2007045112A1 (de) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Creative Led Gmbh | Leistungsgehäuse für halbleiterchips und deren anordnung zur wärmeabfuhr |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2541494B2 (ja) | 1996-10-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6215175B1 (en) | Semiconductor package having metal foil die mounting plate | |
| JP2003204015A (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及びインターポーザ基板の製造方法 | |
| WO1995008189A1 (fr) | Circuit multipuce | |
| JPH1012765A (ja) | 半導体パッケージ及び製造方法 | |
| JP2003017518A (ja) | 混成集積回路装置の製造方法 | |
| US6271057B1 (en) | Method of making semiconductor chip package | |
| JPH11312756A (ja) | 半導体装置 | |
| US5262674A (en) | Chip carrier for an integrated circuit assembly | |
| JP2001168233A (ja) | 多重回線グリッド・アレイ・パッケージ | |
| JPH0656873B2 (ja) | 集積回路モジュールの機能を変更する方法および装置 | |
| US6101098A (en) | Structure and method for mounting an electric part | |
| JP2000216550A (ja) | 積層プリント配線基板 | |
| JPH09186267A (ja) | Ｂｇａ半導体パッケージ | |
| JP2541494B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR20020055687A (ko) | 반도체 패키지 | |
| JPH05211256A (ja) | 半導体装置 | |
| US6734041B2 (en) | Semiconductor chip module and method for manufacturing the same | |
| JPH065769A (ja) | 積層構造のフィルム基材およびこれを用いた電子回路素子搭載用リードフレーム | |
| JPH0645763A (ja) | 印刷配線板 | |
| KR20020028473A (ko) | 적층 패키지 | |
| JP3177934B2 (ja) | マルチチップ半導体装置 | |
| JPH06140535A (ja) | テープキャリアパッケージ型半導体装置 | |
| JPS5923432Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2599290Y2 (ja) | ハイブリッドｉｃ | |
| JP2002237545A (ja) | 回路装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960604 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070725 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090725 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100725 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725 Year of fee payment: 15 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |