JPH07169869A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
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- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
- H01L2924/16153—Cap enclosing a plurality of side-by-side cavities [e.g. E-shaped cap]
Abstract
(57)【要約】
【目的】 キャビティ内から半導体装置の外部に伝播す
る電波を防止する。 【構成】 ベース基板１のペレット塔載面上に半導体ペ
レット４が塔載され、この半導体ペレット４が前記ベー
ス基板１及び封止用キャップ２で形成されるキャビティ
３内に気密封止される半導体装置において、封止用キャ
ップ２の内壁面の全領域若しくは外壁面の全領域を固定
電位が印加される金属層９で被覆する。
る電波を防止する。 【構成】 ベース基板１のペレット塔載面上に半導体ペ
レット４が塔載され、この半導体ペレット４が前記ベー
ス基板１及び封止用キャップ２で形成されるキャビティ
３内に気密封止される半導体装置において、封止用キャ
ップ２の内壁面の全領域若しくは外壁面の全領域を固定
電位が印加される金属層９で被覆する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に、ベース基板のペレット塔載面上に塔載された半導体
ペレットを封止用キャップで封止する半導体装置に適用
して有効な技術に関するものである。
に、ベース基板のペレット塔載面上に塔載された半導体
ペレットを封止用キャップで封止する半導体装置に適用
して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高周波用の半導体ペレット(高周波ＬＳ
Ｉ)を塔載する半導体装置として、例えばフェースダウ
ン方式を採用する半導体装置がある。この種の半導体装
置は、ベース基板のペレット塔載面上にフェースダウン
方式で半導体ペレットを塔載し、この半導体ペレットを
封止用キャップで封止する。半導体ペレットはベース基
板及び封止用キャップで形成されるキャビティ内に封止
される。フェースダウン方式は、半導体ペレットの外部
端子(ボンディングパッド)、ベース基板の電極の夫々を
バンプ電極(ＣＣＢ電極又は突起電極)で電気的及び機械
的に接続する方式である。フェースダウン方式は、半導
体ペレットの占有面積内においてベース基板に実装でき
るので、ボンディングワイヤ方式に比べて実装面積並び
に信号伝搬経路を縮小できる。
Ｉ)を塔載する半導体装置として、例えばフェースダウ
ン方式を採用する半導体装置がある。この種の半導体装
置は、ベース基板のペレット塔載面上にフェースダウン
方式で半導体ペレットを塔載し、この半導体ペレットを
封止用キャップで封止する。半導体ペレットはベース基
板及び封止用キャップで形成されるキャビティ内に封止
される。フェースダウン方式は、半導体ペレットの外部
端子(ボンディングパッド)、ベース基板の電極の夫々を
バンプ電極(ＣＣＢ電極又は突起電極)で電気的及び機械
的に接続する方式である。フェースダウン方式は、半導
体ペレットの占有面積内においてベース基板に実装でき
るので、ボンディングワイヤ方式に比べて実装面積並び
に信号伝搬経路を縮小できる。
【０００３】前記半導体ペレットは、その主面(回路形
成面)に高周波回路システムを塔載する。半導体ペレッ
トの主面と対向するその裏面は、高周波回路システムの
動作で発生する熱を封止用キャップに伝達する目的とし
て、例えば半田材で形成された熱伝導用充填層を介在し
て封止用キャップの内壁面に連結される。この半導体ペ
レットの裏面が連結される封止用キャップの内壁面には
熱伝導用充填層のぬれ性を確保する目的として下地金属
層(メタライズ層)が形成される。下地金属層は例えばＴ
ｉ膜、Ｎｉ膜、Ａｕ膜の夫々を順次蒸着した複合膜で形
成される。
成面)に高周波回路システムを塔載する。半導体ペレッ
トの主面と対向するその裏面は、高周波回路システムの
動作で発生する熱を封止用キャップに伝達する目的とし
て、例えば半田材で形成された熱伝導用充填層を介在し
て封止用キャップの内壁面に連結される。この半導体ペ
レットの裏面が連結される封止用キャップの内壁面には
熱伝導用充填層のぬれ性を確保する目的として下地金属
層(メタライズ層)が形成される。下地金属層は例えばＴ
ｉ膜、Ｎｉ膜、Ａｕ膜の夫々を順次蒸着した複合膜で形
成される。
【０００４】前記封止用キャップの封止部は例えば半田
材で形成された接着層を介在してベース基板のペレット
塔載面の封止部に固着される。封止用キャップの封止
部、ベース基板の封止部の夫々には、接着層のぬれ性を
確保する目的として下地金属層が形成される。この下地
金属層の夫々は例えばＴｉ膜、Ｎｉ膜、Ａｕ膜の夫々を
順次蒸着した複合膜で形成される。
材で形成された接着層を介在してベース基板のペレット
塔載面の封止部に固着される。封止用キャップの封止
部、ベース基板の封止部の夫々には、接着層のぬれ性を
確保する目的として下地金属層が形成される。この下地
金属層の夫々は例えばＴｉ膜、Ｎｉ膜、Ａｕ膜の夫々を
順次蒸着した複合膜で形成される。
【０００５】このように構成される半導体装置は、モジ
ュール基板、ＰＣＢ基板等の実装基板の実装面上に複数
個実装される。
ュール基板、ＰＣＢ基板等の実装基板の実装面上に複数
個実装される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記半導体装置におい
て、ベース基板及び封止用キャップで形成されるキャビ
ティ内には、半導体ペレットに塔載された高周波回路シ
ステムの動作で電波（電磁波）が発生する。このキャビ
ティ内に発生した電波は、封止用キャップ若しくはベー
ス基板を透過して半導体装置の外部に伝播する。この伝
播した電波は、例えば半導体装置を実装基板の実装面上
に複数個実装した電子装置において、隣接する他の半導
体装置に到達し、この半導体装置の動作に悪影響を及ぼ
す原因となる。
て、ベース基板及び封止用キャップで形成されるキャビ
ティ内には、半導体ペレットに塔載された高周波回路シ
ステムの動作で電波（電磁波）が発生する。このキャビ
ティ内に発生した電波は、封止用キャップ若しくはベー
ス基板を透過して半導体装置の外部に伝播する。この伝
播した電波は、例えば半導体装置を実装基板の実装面上
に複数個実装した電子装置において、隣接する他の半導
体装置に到達し、この半導体装置の動作に悪影響を及ぼ
す原因となる。
【０００７】本発明の目的は、ベース基板及び封止用キ
ャップで形成されるキャビティ内に半導体ペレットを気
密封止する半導体装置において、キャビティ内から半導
体装置の外部に伝播する電波を防止することが可能な技
術を提供することにある。
ャップで形成されるキャビティ内に半導体ペレットを気
密封止する半導体装置において、キャビティ内から半導
体装置の外部に伝播する電波を防止することが可能な技
術を提供することにある。
【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００１０】ベース基板のペレット塔載面上に半導体ペ
レットが塔載され、この半導体ペレットが前記ベース基
板及び封止用キャップで形成されるキャビティ内に気密
封止される半導体装置において、前記封止用キャップの
内壁面若しくは外壁面の全領域を固定電位が印加される
金属層で被覆する。
レットが塔載され、この半導体ペレットが前記ベース基
板及び封止用キャップで形成されるキャビティ内に気密
封止される半導体装置において、前記封止用キャップの
内壁面若しくは外壁面の全領域を固定電位が印加される
金属層で被覆する。
【００１１】
【作用】上述した手段によれは、半導体ペレットに塔載
された回路システムの動作でキャビティ内に発生した電
波を金属層の電荷で吸収することができるので、キャビ
ティ内から半導体装置の外部に伝播する電波を防止でき
る。
された回路システムの動作でキャビティ内に発生した電
波を金属層の電荷で吸収することができるので、キャビ
ティ内から半導体装置の外部に伝播する電波を防止でき
る。
【００１２】また、隣接する他の半導体装置から伝播し
た電波を金属層の電荷で吸収することができるので、キ
ャビティ内に侵入する電波を防止できる。
た電波を金属層の電荷で吸収することができるので、キ
ャビティ内に侵入する電波を防止できる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の構成について、フェースダウ
ン方式を採用する半導体装置に本発明を適用した実施例
とともに説明する。
ン方式を採用する半導体装置に本発明を適用した実施例
とともに説明する。
【００１４】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【００１５】（実施例１）本発明の実施例１であるフェ
ースダウン方式を採用する半導体装置の概略構成を図１
(断面図)に示す。
ースダウン方式を採用する半導体装置の概略構成を図１
(断面図)に示す。
【００１６】図１に示すように、フェースダウン方式を
採用する半導体装置は、ベース基板１のペレット塔載面
上に半導体ペレット４を塔載し、この半導体ペレット４
を封止用キャップ２で封止する。半導体ペレット４はベ
ース基板１及び封止用キャップ２で形成されるキャビテ
ィ３内に気密封止される。
採用する半導体装置は、ベース基板１のペレット塔載面
上に半導体ペレット４を塔載し、この半導体ペレット４
を封止用キャップ２で封止する。半導体ペレット４はベ
ース基板１及び封止用キャップ２で形成されるキャビテ
ィ３内に気密封止される。
【００１７】前記ベース基板１は、例えばムライトで形
成され、詳細に図示していないが多層配線構造で構成さ
れる。このベース基板１のペレット塔載面上には電極１
Ａが複数配列され、ペレット塔載面と対向するその裏面
には電極１Ｃが複数配列される。電極１Ａ、電極１Ｃの
夫々は、前記多層配線構造の配線１Ｂを介して電気的に
接続される。
成され、詳細に図示していないが多層配線構造で構成さ
れる。このベース基板１のペレット塔載面上には電極１
Ａが複数配列され、ペレット塔載面と対向するその裏面
には電極１Ｃが複数配列される。電極１Ａ、電極１Ｃの
夫々は、前記多層配線構造の配線１Ｂを介して電気的に
接続される。
【００１８】前記半導体ペレット３は例えば単結晶珪素
基板を主体にして構成される。この半導体ペレット４の
回路形成面(図中、下面)には例えば高周波回路システム
が塔載される。また、半導体ペレット４の回路形成面側
には外部端子（ボンディングパッド）が複数配列され
る。
基板を主体にして構成される。この半導体ペレット４の
回路形成面(図中、下面)には例えば高周波回路システム
が塔載される。また、半導体ペレット４の回路形成面側
には外部端子（ボンディングパッド）が複数配列され
る。
【００１９】前記半導体ペレット４の外部端子３Ａはバ
ンプ電極５を介在してベース基板１の電極１Ａに電気的
及び機械的に接続される。つまり、半導体ペレット４は
ベース基板１のペレット塔載面上にフェースダウン方式
で実装される。バンプ電極５は例えば半田材料(Ｐｂ−
Ｓｎ系合金)で形成される。
ンプ電極５を介在してベース基板１の電極１Ａに電気的
及び機械的に接続される。つまり、半導体ペレット４は
ベース基板１のペレット塔載面上にフェースダウン方式
で実装される。バンプ電極５は例えば半田材料(Ｐｂ−
Ｓｎ系合金)で形成される。
【００２０】前記封止用キャップ２は、断面形状がコの
字形状に形成され、ベース基板１と半導体ペレット４を
収納しかつ気密封止するキャビティを構成する。この封
止用キップ２は熱伝導性の良好な例えば窒化アルミニウ
ムで形成される。
字形状に形成され、ベース基板１と半導体ペレット４を
収納しかつ気密封止するキャビティを構成する。この封
止用キップ２は熱伝導性の良好な例えば窒化アルミニウ
ムで形成される。
【００２１】前記封止用キャップ２の封止部２Ａは導電
性の接着層６を介在してベース基板１のペレット塔載面
の封止部１Ｄに固着される。接着層６は例えば半田材料
（Ｐｂ−Ｓｎ系合金）で形成される。封止用キャップ２
の封止部２Ａ、ベース基板１の封止部１Ｄの夫々には、
接着層６のぬれ性を確保する目的として、下地金属層
７、下地金属層８の夫々が形成される。この下記金属層
７、下地金属層８の夫々は例えばＴｉ膜、Ｎｉ膜、Ａｕ
膜の夫々を順次蒸着した複合膜で形成される。
性の接着層６を介在してベース基板１のペレット塔載面
の封止部１Ｄに固着される。接着層６は例えば半田材料
（Ｐｂ−Ｓｎ系合金）で形成される。封止用キャップ２
の封止部２Ａ、ベース基板１の封止部１Ｄの夫々には、
接着層６のぬれ性を確保する目的として、下地金属層
７、下地金属層８の夫々が形成される。この下記金属層
７、下地金属層８の夫々は例えばＴｉ膜、Ｎｉ膜、Ａｕ
膜の夫々を順次蒸着した複合膜で形成される。
【００２２】前記ベース基板１の封止部１Ｄに形成され
た下地金属層８は、配線１Ｂを介して、ベース基板１の
裏面に配列された複数の電極１Ｃのうち、固定電位（例
えば０［Ｖ］）が印加される電極１Ｃ1 に電気的に接続
される。つまり、ベース基板１の下地金属層８には固定
電位が印加される。
た下地金属層８は、配線１Ｂを介して、ベース基板１の
裏面に配列された複数の電極１Ｃのうち、固定電位（例
えば０［Ｖ］）が印加される電極１Ｃ1 に電気的に接続
される。つまり、ベース基板１の下地金属層８には固定
電位が印加される。
【００２３】前記封止用キャップ２の内壁面(キャビテ
ィ側の面)の全領域は金属層９で被覆される。この金属
層９は例えばＴｉ膜、Ｎｉ膜、Ａｕ膜の夫々を順次蒸着
した複合膜で形成される。
ィ側の面)の全領域は金属層９で被覆される。この金属
層９は例えばＴｉ膜、Ｎｉ膜、Ａｕ膜の夫々を順次蒸着
した複合膜で形成される。
【００２４】前記金属層９は、封止用キャップ２の封止
部２Ａに形成された下地金属層７と一体に構成される。
この金属層９は下地金属層７、導電性の接着層６の夫々
を介して下地金属層８に電気的に接続される。つまり、
金属層９には固定電位が印加される。
部２Ａに形成された下地金属層７と一体に構成される。
この金属層９は下地金属層７、導電性の接着層６の夫々
を介して下地金属層８に電気的に接続される。つまり、
金属層９には固定電位が印加される。
【００２５】前記半導体ペレット４の回路形成面と対向
するその裏面(図中、上面)は、熱伝導用充填層１０を介
在して封止用キャップ２の内壁面に形成された金属層９
に連結される。この金属層９は、熱伝導用充填層１０の
ぬれ性を確保する下地金属層として使用される。伝導用
充填層１０は例えば半田材料(Ｐｂ−Ｓｎ系合金)で形成
される。
するその裏面(図中、上面)は、熱伝導用充填層１０を介
在して封止用キャップ２の内壁面に形成された金属層９
に連結される。この金属層９は、熱伝導用充填層１０の
ぬれ性を確保する下地金属層として使用される。伝導用
充填層１０は例えば半田材料(Ｐｂ−Ｓｎ系合金)で形成
される。
【００２６】このように、封止用キャップ２の内壁面を
固定電位が印加される金属層９で被覆することにより、
半導体ペレット４に塔載された高周波回路システムの動
作でキャビティ３内に発生した電波を金属層９の電荷で
吸収することができるので、キャビティ３内から半導体
装置の外部に伝播する電波を防止できる。
固定電位が印加される金属層９で被覆することにより、
半導体ペレット４に塔載された高周波回路システムの動
作でキャビティ３内に発生した電波を金属層９の電荷で
吸収することができるので、キャビティ３内から半導体
装置の外部に伝播する電波を防止できる。
【００２７】また、隣接する他の半導体装置から伝播し
た電波を金属層９の電荷で吸収することができるので、
キャビティ３内に侵入する電波を防止できる。
た電波を金属層９の電荷で吸収することができるので、
キャビティ３内に侵入する電波を防止できる。
【００２８】なお、前記封止用キャップ２の外壁面の全
領域を金属層９で被覆した構成にしてもよい。
領域を金属層９で被覆した構成にしてもよい。
【００２９】（実施例２）本発明の実施例２であるフェ
ースダウン方式を採用する半導体装置の概略構成を図２
(断面図)に示す。
ースダウン方式を採用する半導体装置の概略構成を図２
(断面図)に示す。
【００３０】図２に示すように、フェースダウン方式を
採用する半導体装置は、ベース基板１のペレット塔載面
上に２個の半導体ペレット４を塔載し、この２個の半導
体ペレット４の夫々を封止用キャップ２で封止する。２
個の半導体ペレット４の夫々は、ベース基板１及び封止
用キャップ２で形成される夫々のキャビティ３内に気密
封止される。
採用する半導体装置は、ベース基板１のペレット塔載面
上に２個の半導体ペレット４を塔載し、この２個の半導
体ペレット４の夫々を封止用キャップ２で封止する。２
個の半導体ペレット４の夫々は、ベース基板１及び封止
用キャップ２で形成される夫々のキャビティ３内に気密
封止される。
【００３１】前記一方のキャビティ３において、封止用
キャップ２の内壁面の全領域は、前述の実施例１と同様
に、固定電位が印加される金属層９で被覆される。ま
た、他方のキャビティ３において、封止用キャップ２の
内壁面の全領域は、同様に固定電位が印加される金属層
９で被覆される。
キャップ２の内壁面の全領域は、前述の実施例１と同様
に、固定電位が印加される金属層９で被覆される。ま
た、他方のキャビティ３において、封止用キャップ２の
内壁面の全領域は、同様に固定電位が印加される金属層
９で被覆される。
【００３２】このように、各キャビティ３毎に封止用キ
ャップ２の内壁面の全領域を固定電位が印加される金属
層９で被覆することにより、各半導体ペレット４に塔載
された高周波回路システムの動作で各キャビティ３内に
発生した電波を金属層９の電荷で吸収することができる
ので、各キャビティ３から半導体装置の外部に伝播する
電波を防止できる。
ャップ２の内壁面の全領域を固定電位が印加される金属
層９で被覆することにより、各半導体ペレット４に塔載
された高周波回路システムの動作で各キャビティ３内に
発生した電波を金属層９の電荷で吸収することができる
ので、各キャビティ３から半導体装置の外部に伝播する
電波を防止できる。
【００３３】また、一方の半導体ペレット４に塔載され
た高周波回路システムの動作で一方のキャビティ３内に
発生した電波を金属層９の電荷で吸収することができる
ので、一方のキャビティ３から他方のキャビティ３に侵
入する電波を防止できる。
た高周波回路システムの動作で一方のキャビティ３内に
発生した電波を金属層９の電荷で吸収することができる
ので、一方のキャビティ３から他方のキャビティ３に侵
入する電波を防止できる。
【００３４】（実施例３）本発明の実施例３であるフェ
ースダウン方式を採用する半導体装置の概略構成を図３
(断面図)に示す。
ースダウン方式を採用する半導体装置の概略構成を図３
(断面図)に示す。
【００３５】図３に示すように、フェースダウン方式を
採用する半導体装置は、ベース基板１のペレット塔載面
上に半導体ペレット４を塔載し、この半導体ペレット４
を封止用キャップ２で封止する。半導体ペレット４はベ
ース基板１及び封止用キャップ２で形成されるキャビテ
ィ３内に気密封止される。
採用する半導体装置は、ベース基板１のペレット塔載面
上に半導体ペレット４を塔載し、この半導体ペレット４
を封止用キャップ２で封止する。半導体ペレット４はベ
ース基板１及び封止用キャップ２で形成されるキャビテ
ィ３内に気密封止される。
【００３６】前記ベース基板１、封止用キャップ２の夫
々の外壁面の全領域は絶縁層１２を介在して金属層９で
被覆される。金属層９は、ベース基板の裏面に配列され
た複数の電極１Ｃのうち、固定電位が印加される電極１
Ｃ1 に電気的に接続される。
々の外壁面の全領域は絶縁層１２を介在して金属層９で
被覆される。金属層９は、ベース基板の裏面に配列され
た複数の電極１Ｃのうち、固定電位が印加される電極１
Ｃ1 に電気的に接続される。
【００３７】このように、ベース基板１、封止用キャッ
プ２の夫々の外壁面の全領域を固定電位が印加される金
属層９で被覆することにより、前述の実施例１と同様
に、半導体ペレット４に塔載された高周波回路システム
の動作でキャビティ３内に発生した電波を金属層９の電
荷で吸収することができるので、キャビティ３内から半
導体装置の外部に伝播する電波を防止できる。
プ２の夫々の外壁面の全領域を固定電位が印加される金
属層９で被覆することにより、前述の実施例１と同様
に、半導体ペレット４に塔載された高周波回路システム
の動作でキャビティ３内に発生した電波を金属層９の電
荷で吸収することができるので、キャビティ３内から半
導体装置の外部に伝播する電波を防止できる。
【００３８】なお、前記封止用キャップ２の内壁面に
は、熱伝導用充填１０のぬれ性を確保する目的として下
地金属層１１が形成される。この下地金属層１１は例え
ばＴｉ膜、Ｎｉ膜、Ａｕ膜の夫々を順次蒸着した複合膜
で形成される。
は、熱伝導用充填１０のぬれ性を確保する目的として下
地金属層１１が形成される。この下地金属層１１は例え
ばＴｉ膜、Ｎｉ膜、Ａｕ膜の夫々を順次蒸着した複合膜
で形成される。
【００３９】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【００４０】例えば、本発明は、ベース基板のペレット
塔載面上に配列された電極と半導体ペレットの外部端子
とをボンディングワイヤで電気的に接続するワイヤボン
ディング方式の半導体装置に適用できる。
塔載面上に配列された電極と半導体ペレットの外部端子
とをボンディングワイヤで電気的に接続するワイヤボン
ディング方式の半導体装置に適用できる。
【００４１】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００４２】ベース基板及び封止用キャップで形成され
るキャビティ内に半導体ペレットを気密封止する半導体
装置において、キャビティ内から半導体装置の外部に伝
播する電波を防止できる。
るキャビティ内に半導体ペレットを気密封止する半導体
装置において、キャビティ内から半導体装置の外部に伝
播する電波を防止できる。
【図１】 本発明の実施例１であるフェースダウン方式
を採用する半導体装置の概略構成を示す断面図。
を採用する半導体装置の概略構成を示す断面図。
【図２】 本発明の実施例２であるフェースダウン方式
を採用する半導体装置の概略構成を示す断面図。
を採用する半導体装置の概略構成を示す断面図。
【図３】 本発明の実施例３であるフェースダウン方式
を採用する半導体装置の概略構成を示す断面図。
を採用する半導体装置の概略構成を示す断面図。
１…ベース基板、２…封止用キャップ、３…キャビテ
ィ、４…半導体ペレット、５…バンプ電極、６…接着
層、７，８…下地金属層、９…金属層、１０…熱伝導用
充填層、１１…下地金属層。
ィ、４…半導体ペレット、５…バンプ電極、６…接着
層、７，８…下地金属層、９…金属層、１０…熱伝導用
充填層、１１…下地金属層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菊地 広 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内
Claims (1)
- 【請求項１】 ベース基板のペレット塔載面上に半導体
ペレットが塔載され、この半導体ペレットが前記ベース
基板及び封止用キャップで形成されるキャビティ内に気
密封止される半導体装置において、前記封止用キャップ
の内壁面の全領域若しくは外壁面の全領域を固定電位が
印加される金属層で被覆したことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5314796A JPH07169869A (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5314796A JPH07169869A (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07169869A true JPH07169869A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18057709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5314796A Pending JPH07169869A (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07169869A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6376907B1 (en) | 1997-12-01 | 2002-04-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ball grid array type package for semiconductor device |
| JP2019021763A (ja) * | 2017-07-18 | 2019-02-07 | 株式会社ダイレクト・アール・エフ | 半導体装置、及び基板 |
-
1993
- 1993-12-15 JP JP5314796A patent/JPH07169869A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6376907B1 (en) | 1997-12-01 | 2002-04-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ball grid array type package for semiconductor device |
| KR100360146B1 (ko) * | 1997-12-01 | 2003-01-15 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체장치 |
| JP2019021763A (ja) * | 2017-07-18 | 2019-02-07 | 株式会社ダイレクト・アール・エフ | 半導体装置、及び基板 |
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