JPH07169794A - 半導体装置用フィルムキャリアパッケ−ジ - Google Patents
半導体装置用フィルムキャリアパッケ−ジInfo
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フィルムキャリアパッケ−ジをプリント板に
実装する場合、従来のパッケ−ジではリ−ド成形を施し
てから実装しているが、成形後のリ−ド先端部の平坦性
を確保するのが困難で実装歩留まりが低下してしまうと
いう問題があった。本発明は、リ−ドの平坦性を損うリ
−ド成形工程を行わずに、しかもプリント板への実装が
容易に行えるフィルムキャリアパッケ−ジを提供するこ
とを目的とする。 【構成】 図8に示すように、絶縁フィルム1上に導電
性材料による配線パタ−ン2を形成する構造を有するフ
ィルムキャリアパッケ−ジにおいて、絶縁フィルム1と
配線パタ−ン2とが平面的に重なる領域の一部分を含む
部位に対応する絶縁フィルム1に貫通孔(開口部)4を設
けた構造を有している。
実装する場合、従来のパッケ−ジではリ−ド成形を施し
てから実装しているが、成形後のリ−ド先端部の平坦性
を確保するのが困難で実装歩留まりが低下してしまうと
いう問題があった。本発明は、リ−ドの平坦性を損うリ
−ド成形工程を行わずに、しかもプリント板への実装が
容易に行えるフィルムキャリアパッケ−ジを提供するこ
とを目的とする。 【構成】 図8に示すように、絶縁フィルム1上に導電
性材料による配線パタ−ン2を形成する構造を有するフ
ィルムキャリアパッケ−ジにおいて、絶縁フィルム1と
配線パタ−ン2とが平面的に重なる領域の一部分を含む
部位に対応する絶縁フィルム1に貫通孔(開口部)4を設
けた構造を有している。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用フィルム
キャリアパッケ−ジの構造に関し、特にテ−プキャリア
型パッケ−ジの接続構造に係るキャリアパッケ−ジに関
する。
キャリアパッケ−ジの構造に関し、特にテ−プキャリア
型パッケ−ジの接続構造に係るキャリアパッケ−ジに関
する。
【0002】
【従来の技術】従来の技術について図13及び図14を
参照しながら説明する。図13は、従来技術によるフィ
ルムキャリアパッケ−ジの構造を示す斜視図であって、
(A)はLSI搭載側から見たパッケ−ジの構造を、ま
た、(B)は(A)の反対側(逆側:裏側)からみたパッケ−
ジの構造を示す。
参照しながら説明する。図13は、従来技術によるフィ
ルムキャリアパッケ−ジの構造を示す斜視図であって、
(A)はLSI搭載側から見たパッケ−ジの構造を、ま
た、(B)は(A)の反対側(逆側:裏側)からみたパッケ−
ジの構造を示す。
【0003】従来技術によるフィルムキャリアパッケ−
ジは、図13に示すように、ポリイミド等からなる絶縁
フィルム1上にCu等の導電性材料からなる配線パタ−ン
2が形成されており、更にパッケ−ジ中央部には、LSI
を搭載するダイアタッチ3が設けられている。このダイ
アタッチ3は、通常配線パタ−ン2と同一材質・厚みで
あり、この配線パタ−ン2のパタ−ニングの際、同時に
形成される。
ジは、図13に示すように、ポリイミド等からなる絶縁
フィルム1上にCu等の導電性材料からなる配線パタ−ン
2が形成されており、更にパッケ−ジ中央部には、LSI
を搭載するダイアタッチ3が設けられている。このダイ
アタッチ3は、通常配線パタ−ン2と同一材質・厚みで
あり、この配線パタ−ン2のパタ−ニングの際、同時に
形成される。
【0004】図14は、従来技術によるテ−プキャリア
パッケ−ジを用いたLSI組立工程及び実装状態を説明す
る図であって、(A)はダイボンド工程、(B)はボンディ
ング工程、(C)は封止工程を示す斜視図であり、また、
(D)は実装状態を示す断面図である。
パッケ−ジを用いたLSI組立工程及び実装状態を説明す
る図であって、(A)はダイボンド工程、(B)はボンディ
ング工程、(C)は封止工程を示す斜視図であり、また、
(D)は実装状態を示す断面図である。
【0005】従来技術では、まず(A)ダイボンド工程に
示すように、ダイアタッチ3にマウント剤7を介してLS
I6を搭載する。次に、(B)ボンディング工程に示すよ
うに、LSIの電極部(図示せず)と配線パタ−ン2の内部
接続領域(→“配線パタ−ン2の内側端部から外側に向
かって1〜5mm程度の領域”ILB領域ともいう)とを、Au線
もしくはAl線ワイヤ−8にて接続する。
示すように、ダイアタッチ3にマウント剤7を介してLS
I6を搭載する。次に、(B)ボンディング工程に示すよ
うに、LSIの電極部(図示せず)と配線パタ−ン2の内部
接続領域(→“配線パタ−ン2の内側端部から外側に向
かって1〜5mm程度の領域”ILB領域ともいう)とを、Au線
もしくはAl線ワイヤ−8にて接続する。
【0006】その後、(C)封止工程に示すように、LSI
保護のため、キャップ9にて封止を行う。なお、この
(C)封止工程ではキャップ9を用いているが、樹脂等に
よるポッティングあるいはトランスファモ−ルドによる
樹脂封止も従来より行われており、この樹脂封止によっ
てもキャップ9による封止と特に効果上差異はない。
保護のため、キャップ9にて封止を行う。なお、この
(C)封止工程ではキャップ9を用いているが、樹脂等に
よるポッティングあるいはトランスファモ−ルドによる
樹脂封止も従来より行われており、この樹脂封止によっ
てもキャップ9による封止と特に効果上差異はない。
【0007】図14の(D)は、LSIを搭載したフィルム
キャリアパッケ−ジのプリント板10への実装状態を示
す。このテ−プキャリアパッケ−ジの配線パタ−ン2
は、絶縁フィルム表面に1層のみ形成されているので、
プリント板10と電気的に接続する外部接続領域(OLB領域
ともいう)には、この配線パタ−ン2の外端部が利用さ
れる。
キャリアパッケ−ジのプリント板10への実装状態を示
す。このテ−プキャリアパッケ−ジの配線パタ−ン2
は、絶縁フィルム表面に1層のみ形成されているので、
プリント板10と電気的に接続する外部接続領域(OLB領域
ともいう)には、この配線パタ−ン2の外端部が利用さ
れる。
【0008】前記(C)封止工程のようにキャップ9にて
封止したままの状態では、このキャップ9の厚み分(概
ね0.5〜3mm程度)だけテ−プキャリアパッケ−ジとプリ
ント板10との間に隙間ができるため、そのままでは接続
ができない。そのため、(D)実装状態に図示するよう
に、リ−ド成形を行い(リ−ド成形部13参照)、キャップ
の厚さを吸収することが必要である。
封止したままの状態では、このキャップ9の厚み分(概
ね0.5〜3mm程度)だけテ−プキャリアパッケ−ジとプリ
ント板10との間に隙間ができるため、そのままでは接続
ができない。そのため、(D)実装状態に図示するよう
に、リ−ド成形を行い(リ−ド成形部13参照)、キャップ
の厚さを吸収することが必要である。
【0009】このリ−ド成形は、キャップ封止した状態
でフィルムキャリアパッケ−ジを成形金型にはめ込み、
圧力を印加(又は加熱)することにより行う。成形した形
状は、配線パタ−ン2であるCu等の導電性材料の曲げ変
形により保持される。
でフィルムキャリアパッケ−ジを成形金型にはめ込み、
圧力を印加(又は加熱)することにより行う。成形した形
状は、配線パタ−ン2であるCu等の導電性材料の曲げ変
形により保持される。
【0010】上記の方法で不十分の場合には、図示して
はいないが、テ−プキャリア形状に合わせた薄い金属板
を成形金型で曲げた後、この金属板とテ−プキャリアパ
ッケ−ジとを張り合わせるか、もしくは金属板とテ−プ
キャリアパッケ−ジとを張り合わせた後に成形金型で成
形する方法も知られている。
はいないが、テ−プキャリア形状に合わせた薄い金属板
を成形金型で曲げた後、この金属板とテ−プキャリアパ
ッケ−ジとを張り合わせるか、もしくは金属板とテ−プ
キャリアパッケ−ジとを張り合わせた後に成形金型で成
形する方法も知られている。
【0011】従来のプリント板10への実装は、図14
(D)実装状態に示すように、まずプリント板10の電極部
に半田11を印刷した後、テ−プキャリアパッケ−ジ(リ
−ド成形済)の外部接続領域とプリント板10の電極部と
を位置合わせし、パッケ−ジをプリント板10に載せ、し
かる後VPSリフロ−もしくはIRリフロ−にて接続され
る。なお、実装前にパッケ−ジ側の外部接続領域にも予
め予備半田を設ける場合もある。
(D)実装状態に示すように、まずプリント板10の電極部
に半田11を印刷した後、テ−プキャリアパッケ−ジ(リ
−ド成形済)の外部接続領域とプリント板10の電極部と
を位置合わせし、パッケ−ジをプリント板10に載せ、し
かる後VPSリフロ−もしくはIRリフロ−にて接続され
る。なお、実装前にパッケ−ジ側の外部接続領域にも予
め予備半田を設ける場合もある。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来技術によ
りフィルムキャリアパッケ−ジをプリント板10に接続す
る場合、封止したままの状態では、キャップ9の厚み分
(0.5〜3mm程度)だけプリント板10との間に隙間ができる
ので、プリント板10に実装するためには、リ−ド成形が
必要であった(図14(D)実装状態、リ−ド成形部13参
照)。しかしながら、リ−ド成形を行うと、リ−ドの外
部接続領域における高さにバラツキが生じ、最悪の場合
には接続不良が発生するという欠点があった。
りフィルムキャリアパッケ−ジをプリント板10に接続す
る場合、封止したままの状態では、キャップ9の厚み分
(0.5〜3mm程度)だけプリント板10との間に隙間ができる
ので、プリント板10に実装するためには、リ−ド成形が
必要であった(図14(D)実装状態、リ−ド成形部13参
照)。しかしながら、リ−ド成形を行うと、リ−ドの外
部接続領域における高さにバラツキが生じ、最悪の場合
には接続不良が発生するという欠点があった。
【0013】近年、LSIは高集積化・多ピン化が進行し
ているが、逆に装置のトレンドは小型化・軽量化の方向
に向かっている。従って、実装密度を向上させるため
に、リ−ドの外部接続ピツチはますます縮小される傾向
にある。
ているが、逆に装置のトレンドは小型化・軽量化の方向
に向かっている。従って、実装密度を向上させるため
に、リ−ドの外部接続ピツチはますます縮小される傾向
にある。
【0014】現在の接続ピッチの主流は、0.5mmから0.4
mmに移行しつつある段階であり、良好な接続を得るに
は、リ−ドの外部接続領域における高さバラツキの許容
値を0.1mmに抑える必要がある。ところが、フィルムキ
ャリアパッケ−ジを成形すると、フィルムにたわみ・歪
が生じてしまい、この値を満足することが困難になると
いう問題があった。
mmに移行しつつある段階であり、良好な接続を得るに
は、リ−ドの外部接続領域における高さバラツキの許容
値を0.1mmに抑える必要がある。ところが、フィルムキ
ャリアパッケ−ジを成形すると、フィルムにたわみ・歪
が生じてしまい、この値を満足することが困難になると
いう問題があった。
【0015】本発明は、上記欠点、問題点に鑑み成され
たものであって、その目的は、従来の前記したリ−ド成
形を不要とする半導体装置用フィルムキャリアパッケ−
ジを提供することにある。即ち、本発明の目的は、リ−
ドの平坦性を損なうリ−ド成形を行わずに、しかもプリ
ント板への実装が容易に行える半導体装置用フィルムキ
ャリアパッケ−ジを提供することにある。
たものであって、その目的は、従来の前記したリ−ド成
形を不要とする半導体装置用フィルムキャリアパッケ−
ジを提供することにある。即ち、本発明の目的は、リ−
ドの平坦性を損なうリ−ド成形を行わずに、しかもプリ
ント板への実装が容易に行える半導体装置用フィルムキ
ャリアパッケ−ジを提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】そして、本発明の半導体
装置用フィルムキャリアパッケ−ジでは、リ−ド成形に
よる不具合を解消する目的で、絶縁フィルムと配線パタ
−ンとが平面的に重なる領域の一部を含む部位に対応す
る絶縁フィルムに貫通孔(開口部)もしくは貫通窓(開口
窓)を設ける構造を有している。
装置用フィルムキャリアパッケ−ジでは、リ−ド成形に
よる不具合を解消する目的で、絶縁フィルムと配線パタ
−ンとが平面的に重なる領域の一部を含む部位に対応す
る絶縁フィルムに貫通孔(開口部)もしくは貫通窓(開口
窓)を設ける構造を有している。
【0017】本発明の上記構造によって、封止キャップ
を施した面とは逆の面からの実装(プリント板との接続)
が可能となる。従って、キャップの厚さを考慮する必要
がなくなるため、リ−ド成形が不要となる。更に、本発
明において、外部接続領域に設けた開口部を介して微小
な突起電極を形成する方式をとれば、非常に狭ピッチ
(例えば0.3mmピッチ以下の狭ピッチ)の接続も可能とな
る。
を施した面とは逆の面からの実装(プリント板との接続)
が可能となる。従って、キャップの厚さを考慮する必要
がなくなるため、リ−ド成形が不要となる。更に、本発
明において、外部接続領域に設けた開口部を介して微小
な突起電極を形成する方式をとれば、非常に狭ピッチ
(例えば0.3mmピッチ以下の狭ピッチ)の接続も可能とな
る。
【0018】
【実施例】次に、図1〜図12を用いて本発明の半導体
装置用フィルムキャリアパッケ−ジを詳細に説明する。
なお、図1〜図3は本発明の第1実施例を、図4及び図
5は同第2実施例を、図6及び図7は同第3実施例を、
図8及び図9は同第4実施例を、図10〜図12は同第
5実施例をそれぞれ説明するための図である。
装置用フィルムキャリアパッケ−ジを詳細に説明する。
なお、図1〜図3は本発明の第1実施例を、図4及び図
5は同第2実施例を、図6及び図7は同第3実施例を、
図8及び図9は同第4実施例を、図10〜図12は同第
5実施例をそれぞれ説明するための図である。
【0019】(第1実施例)図1は、本発明による第1
実施例のフィルムキャリアパッケ−ジを説明する図であ
って、(A)はLSI搭載側から見たパッケ−ジの構造を
示す斜視図、(B)は(A)の反対側(逆側:裏側)からみた
パッケ−ジの構造を示す斜視図である。また、(C)は突
起電極の形成工程を示す断面図である。
実施例のフィルムキャリアパッケ−ジを説明する図であ
って、(A)はLSI搭載側から見たパッケ−ジの構造を
示す斜視図、(B)は(A)の反対側(逆側:裏側)からみた
パッケ−ジの構造を示す斜視図である。また、(C)は突
起電極の形成工程を示す断面図である。
【0020】第1実施例は、図1(A)に示すように、絶
縁フィルム1(ここではポリイミドフィルムとする)上に
配線パタ−ン2、ダイアタッチ3(ここではいずれもCu
のパタ−ンにNiメッキ+Auメッキを施したものとする)
が形成されている構造のものである。また、(B)に示す
ように、パッケ−ジの外周部(外部接続領域)に突起電極
5(ここではCuの突起電極とし、表面にはNiメッキ+Au
メッキを施すものとする)を設けた構造からなるもので
ある。
縁フィルム1(ここではポリイミドフィルムとする)上に
配線パタ−ン2、ダイアタッチ3(ここではいずれもCu
のパタ−ンにNiメッキ+Auメッキを施したものとする)
が形成されている構造のものである。また、(B)に示す
ように、パッケ−ジの外周部(外部接続領域)に突起電極
5(ここではCuの突起電極とし、表面にはNiメッキ+Au
メッキを施すものとする)を設けた構造からなるもので
ある。
【0021】この突起電極は、図1の(C)突起電極形成
工程に示すように、絶縁フィルム1に貫通孔(開口部)4
を形成した後、この貫通孔(開口部)4の底部にNiメッキ
を施し(図示せず)、続いて、Cuメッキによって突起電極
5を形成する。次に、この突起電極5の表面にNiメッキ
+Auメッキを施す(図示せず)。なお、Cuメッキで突起電
極5を50μm形成した場合、その高さのバラツキは50±
10μm程度におさめることができる。
工程に示すように、絶縁フィルム1に貫通孔(開口部)4
を形成した後、この貫通孔(開口部)4の底部にNiメッキ
を施し(図示せず)、続いて、Cuメッキによって突起電極
5を形成する。次に、この突起電極5の表面にNiメッキ
+Auメッキを施す(図示せず)。なお、Cuメッキで突起電
極5を50μm形成した場合、その高さのバラツキは50±
10μm程度におさめることができる。
【0022】図2は、第1実施例によるフィルムキャリ
アパッケ−ジのLSI組立工程及び実装状態の概要を示す
図であって、(A)はダイボンド工程、(B)はワイヤ−ボ
ンド工程、(C)は封止工程を示す斜視図であり、また、
(D)は実装形態を示す断面図である。
アパッケ−ジのLSI組立工程及び実装状態の概要を示す
図であって、(A)はダイボンド工程、(B)はワイヤ−ボ
ンド工程、(C)は封止工程を示す斜視図であり、また、
(D)は実装形態を示す断面図である。
【0023】第1実施例によるフィルムキャリアパッケ
−ジのLSI組立は、(A)ダイボンド工程に示すように、
まずダイアタッチ3上にマウント剤7を塗布(もしくは
貼付)し、次にLSI6を搭載する。このLSI6の固定が完
了した後、(B)ワイヤ−ボンド工程に示すように、LSI
6と配線パタ−ン2とをワイヤ−8で接続し、その後、
(C)封止工程に示すように、キャップ9をかぶせて封止
する。(ここではキャップ9をかぶせる例を示したが、
樹脂等によるポッティングを用いることもできる。)
−ジのLSI組立は、(A)ダイボンド工程に示すように、
まずダイアタッチ3上にマウント剤7を塗布(もしくは
貼付)し、次にLSI6を搭載する。このLSI6の固定が完
了した後、(B)ワイヤ−ボンド工程に示すように、LSI
6と配線パタ−ン2とをワイヤ−8で接続し、その後、
(C)封止工程に示すように、キャップ9をかぶせて封止
する。(ここではキャップ9をかぶせる例を示したが、
樹脂等によるポッティングを用いることもできる。)
【0024】図2の(D)は、プリント板10への実装状態
を示す断面図である。この(D)実装状態に示すように、
プリント板10に半田11を印刷等で形成した後、パッケ−
ジの突起電極5と半田部とを位置合わせし、加熱リフロ
−する。図2の(D)実装状態は、リフロ−後の状態であ
り、前記したように突起電極5の高さバラツキは±10μ
m程度のため、0.3mmピッチ等の狭ピッチ接続において
も非常に良好な接続が可能である。
を示す断面図である。この(D)実装状態に示すように、
プリント板10に半田11を印刷等で形成した後、パッケ−
ジの突起電極5と半田部とを位置合わせし、加熱リフロ
−する。図2の(D)実装状態は、リフロ−後の状態であ
り、前記したように突起電極5の高さバラツキは±10μ
m程度のため、0.3mmピッチ等の狭ピッチ接続において
も非常に良好な接続が可能である。
【0025】図3は、大きさの異なるLSIの実装例を示
す斜視図であって、(A)は通常の大きさのLSI実装例で
あり、(B)は小LSI、(C)は大LSIの各実装例である。ダ
イアタッチ3よりも小さな寸法のLSI6を搭載する場合
は、(B)に示すように、マウント剤7には通常のAgペ
−スト等を用いることができるが、(C)に示すような大
きなLSI6を搭載する場合には、電気的絶縁性を有する
マウント絶縁シ−ト7aを用いることができる。
す斜視図であって、(A)は通常の大きさのLSI実装例で
あり、(B)は小LSI、(C)は大LSIの各実装例である。ダ
イアタッチ3よりも小さな寸法のLSI6を搭載する場合
は、(B)に示すように、マウント剤7には通常のAgペ
−スト等を用いることができるが、(C)に示すような大
きなLSI6を搭載する場合には、電気的絶縁性を有する
マウント絶縁シ−ト7aを用いることができる。
【0026】このマウント絶縁シ−ト7aは、絶縁性と
密着性を有するものであれば何でも良いが、通常ポリイ
ミド系の接着シ−トを用いるのが好ましい。第1実施例
では、このように同一パッケ−ジにチップサイズの異な
るLSIを搭載することが可能であるので、パッケ−ジ開
発費用が低減できるという利点も生じる。
密着性を有するものであれば何でも良いが、通常ポリイ
ミド系の接着シ−トを用いるのが好ましい。第1実施例
では、このように同一パッケ−ジにチップサイズの異な
るLSIを搭載することが可能であるので、パッケ−ジ開
発費用が低減できるという利点も生じる。
【0027】(第2実施例)図4は、本発明による第2
実施例のフィルムキャリアパッケ−ジの構造を示す斜視
図であって、(A)はLSI搭載側から見たパッケ−ジの
構造を、また、(B)は(A)の反対側(逆側:裏側)からみ
たパッケ−ジの構造を示す。
実施例のフィルムキャリアパッケ−ジの構造を示す斜視
図であって、(A)はLSI搭載側から見たパッケ−ジの
構造を、また、(B)は(A)の反対側(逆側:裏側)からみ
たパッケ−ジの構造を示す。
【0028】第2実施例では、絶縁フィルム1に設けた
開口部を、配線パタ−ン2を跨ぐ形で設け、その結果、
絶縁フィルム1は、中央部の絶縁フィルム1と4つの周
辺部の絶縁フィルムタイバ−1aとに完全に分離された
構造をとる。この両者の間の隙間が開口領域4aであ
り、配線パタ−ン2にそって2〜5mm程度の幅を有する。
絶縁フィルムタイバ−1aの幅は、1〜2mm程度である。
また、絶縁フィルム1の中央には、ダイアタッチ3が形
成されている。
開口部を、配線パタ−ン2を跨ぐ形で設け、その結果、
絶縁フィルム1は、中央部の絶縁フィルム1と4つの周
辺部の絶縁フィルムタイバ−1aとに完全に分離された
構造をとる。この両者の間の隙間が開口領域4aであ
り、配線パタ−ン2にそって2〜5mm程度の幅を有する。
絶縁フィルムタイバ−1aの幅は、1〜2mm程度である。
また、絶縁フィルム1の中央には、ダイアタッチ3が形
成されている。
【0029】図5は、第2実施例によるフィルムキャリ
アパッケ−ジのLSI組立工程及び実装状態の概要を示す
図であって、(A)はダイボンド工程、(B)はワイヤ−ボ
ンド工程、(C)は封止工程を示す斜視図であり、また、
(D)は実装状態を示す断面図である。なお、図5の(A)
ダイボンド工程、(B)ワイヤ−ボンド工程及び(C)封止
工程は、前記第1実施例と同一であるので、その説明を
省略する。
アパッケ−ジのLSI組立工程及び実装状態の概要を示す
図であって、(A)はダイボンド工程、(B)はワイヤ−ボ
ンド工程、(C)は封止工程を示す斜視図であり、また、
(D)は実装状態を示す断面図である。なお、図5の(A)
ダイボンド工程、(B)ワイヤ−ボンド工程及び(C)封止
工程は、前記第1実施例と同一であるので、その説明を
省略する。
【0030】図5の(D)は、プリント板10への実装状態
を示したものである。絶縁フィルム1の厚みを一般的な
20〜40μmとすれば、このままの状態では配線パタ−ン
2の外部接続領域からプリント板10迄の距離も20〜40μ
m程度となり、その分の隙間が生じてしまう。しかしな
がら、プリント板10に印刷した半田11は、接続時の加熱
によって高さが上昇するので(30μm印刷した場合、加
熱後は50μm程度になる)、位置合わせが適当であれ
ば、十分な接続が可能である。
を示したものである。絶縁フィルム1の厚みを一般的な
20〜40μmとすれば、このままの状態では配線パタ−ン
2の外部接続領域からプリント板10迄の距離も20〜40μ
m程度となり、その分の隙間が生じてしまう。しかしな
がら、プリント板10に印刷した半田11は、接続時の加熱
によって高さが上昇するので(30μm印刷した場合、加
熱後は50μm程度になる)、位置合わせが適当であれ
ば、十分な接続が可能である。
【0031】(第3実施例)図6は、本発明による第3
実施例のフィルムキャリアパッケ−ジの構造を示す斜視
図であって、(A)はLSI搭載側から見たパッケ−ジの
構造を、また、(B)は(A)の反対側(逆側:裏側)からみ
たパッケ−ジの構造を示す。
実施例のフィルムキャリアパッケ−ジの構造を示す斜視
図であって、(A)はLSI搭載側から見たパッケ−ジの
構造を、また、(B)は(A)の反対側(逆側:裏側)からみ
たパッケ−ジの構造を示す。
【0032】第3実施例によるパッケ−ジ構造は、前記
第2実施例におけるフィルムキャリアパッケ−ジからダ
イアタッチを削除した構造と同一であるが、LSIを搭載
する側が逆であるという特徴を有する。そして、図6
(A)、(B)に示すように、絶縁フィルム1に設けた開口
部を、配線パタ−ン2を跨ぐ形で設け、その結果、絶縁
フィルム1は、中央部の絶縁フィルム1と4つの周辺部
の絶縁フィルムタイバ−1aとに完全に分離された構造
を有し、この両者の間の隙間が開口領域4aである。
第2実施例におけるフィルムキャリアパッケ−ジからダ
イアタッチを削除した構造と同一であるが、LSIを搭載
する側が逆であるという特徴を有する。そして、図6
(A)、(B)に示すように、絶縁フィルム1に設けた開口
部を、配線パタ−ン2を跨ぐ形で設け、その結果、絶縁
フィルム1は、中央部の絶縁フィルム1と4つの周辺部
の絶縁フィルムタイバ−1aとに完全に分離された構造
を有し、この両者の間の隙間が開口領域4aである。
【0033】図7は、第3実施例によるフィルムキャリ
アパッケ−ジのLSI組立工程及び実装状態の概要を示す
図であって、(A)はダイボンド工程、(B)はワイヤ−ボ
ンド工程、(C)は封止工程を示す斜視図であり、また、
(D)は実装状態を示す断面図である。
アパッケ−ジのLSI組立工程及び実装状態の概要を示す
図であって、(A)はダイボンド工程、(B)はワイヤ−ボ
ンド工程、(C)は封止工程を示す斜視図であり、また、
(D)は実装状態を示す断面図である。
【0034】第3実施例では、まず図7(A)ダイボンド
工程に示すように、絶縁フィルム1上に直接マウント剤
7を塗布(もしくは貼付け)し、その後LSI6を搭載す
る。続いて、図7(B)ワイヤ−ボンド工程に示すよう
に、LSI6と配線パタ−ン2とをワイヤ−8で接続す
る。
工程に示すように、絶縁フィルム1上に直接マウント剤
7を塗布(もしくは貼付け)し、その後LSI6を搭載す
る。続いて、図7(B)ワイヤ−ボンド工程に示すよう
に、LSI6と配線パタ−ン2とをワイヤ−8で接続す
る。
【0035】次に、封止工程であるが、前記第1、第2
実施例では、キャップ(もしくは樹脂封止)で封止を行う
ことが可能であったが、この第3実施例では、図7(C)
に示すように、封止樹脂9aで封止する。この封止によ
って、配線パタ−ン2にボンディングしたワイヤ−8の
保護を行う際、配線パタ−ン2間の隙間をある程度埋め
る必要があるため、ポッティングもしくはトランスファ
モルドによる樹脂封止は必須となる。その際、配線パタ
−ン2下の樹脂の回り込み(厚さ)としては、40μm程度
にする必要がある。
実施例では、キャップ(もしくは樹脂封止)で封止を行う
ことが可能であったが、この第3実施例では、図7(C)
に示すように、封止樹脂9aで封止する。この封止によ
って、配線パタ−ン2にボンディングしたワイヤ−8の
保護を行う際、配線パタ−ン2間の隙間をある程度埋め
る必要があるため、ポッティングもしくはトランスファ
モルドによる樹脂封止は必須となる。その際、配線パタ
−ン2下の樹脂の回り込み(厚さ)としては、40μm程度
にする必要がある。
【0036】図7(D)は、実装状態を示したものであ
る。この第3実施例では、配線パタ−ン2下の樹脂厚が
40μm以下であれば、前記第2実施例の場合と同等の接
続が可能である。なお、図7(D)において、1は絶縁フ
ィルム、1aは絶縁フィルムタイバ−、9aは封止樹
脂、10はプリント板、11は半田である。
る。この第3実施例では、配線パタ−ン2下の樹脂厚が
40μm以下であれば、前記第2実施例の場合と同等の接
続が可能である。なお、図7(D)において、1は絶縁フ
ィルム、1aは絶縁フィルムタイバ−、9aは封止樹
脂、10はプリント板、11は半田である。
【0037】(第4実施例)図8は、本発明による第4
実施例のフィルムキャリアパッケ−ジの構造を示す図で
あって、(A)はLSI搭載側から見たパッケ−ジの構造を
示す斜視図、(B)は(A)の反対側(逆側:裏側)からみた
パッケ−ジの構造を示す斜視図である。また、図8の
(C)はパッケ−ジの断面図、(D)はLSI搭載時の断面図
である。
実施例のフィルムキャリアパッケ−ジの構造を示す図で
あって、(A)はLSI搭載側から見たパッケ−ジの構造を
示す斜視図、(B)は(A)の反対側(逆側:裏側)からみた
パッケ−ジの構造を示す斜視図である。また、図8の
(C)はパッケ−ジの断面図、(D)はLSI搭載時の断面図
である。
【0038】第4実施例では、貫通孔(開口部)4は、配
線パタ−ン2の内部接続領域(配線パタ−ンの内側端部
から1〜5mm程度外側に入った領域)と接している絶縁フ
ィルム1に、配線幅よりも小さな直径となるように形成
されている(図8(A)、(C)参照)。なお、この貫通孔
(開口部)4は、必ずしも円形でなくとも良く、楕円形や
矩形とすることもできる。そして、図8の(D)に示すよ
うに、ボンディングワイヤ−8は、この貫通孔(開口部)
4を経由して底部の配線パタ−ン2に接続される。
線パタ−ン2の内部接続領域(配線パタ−ンの内側端部
から1〜5mm程度外側に入った領域)と接している絶縁フ
ィルム1に、配線幅よりも小さな直径となるように形成
されている(図8(A)、(C)参照)。なお、この貫通孔
(開口部)4は、必ずしも円形でなくとも良く、楕円形や
矩形とすることもできる。そして、図8の(D)に示すよ
うに、ボンディングワイヤ−8は、この貫通孔(開口部)
4を経由して底部の配線パタ−ン2に接続される。
【0039】図9は、第4実施例によるフィルムキャリ
アパッケ−ジのLSI組立工程及び実装状態の概要を示す
図であって、(A)はダイボンド工程、(B)はワイヤ−ボ
ンド工程、(C)は封止工程を示す斜視図であり、また、
(D)は実装状態を示す断面図である。
アパッケ−ジのLSI組立工程及び実装状態の概要を示す
図であって、(A)はダイボンド工程、(B)はワイヤ−ボ
ンド工程、(C)は封止工程を示す斜視図であり、また、
(D)は実装状態を示す断面図である。
【0040】第4実施例では、まず図9(A)ダイボンド
工程に示すように、マウント剤7を絶縁フィルム1の中
央部に塗布(貼付)した後、LSI6と固着する。次に、図
9(B)ワイヤ−ボンド工程に示すように、LSI6と配線
パタ−ン2の内部接続領域(図9(A)の貫通孔(開口部)
4に対応する)とをワイヤ−8で接続し、その後、図9
(C)封止工程に示すように、キャップ9にて封止する。
工程に示すように、マウント剤7を絶縁フィルム1の中
央部に塗布(貼付)した後、LSI6と固着する。次に、図
9(B)ワイヤ−ボンド工程に示すように、LSI6と配線
パタ−ン2の内部接続領域(図9(A)の貫通孔(開口部)
4に対応する)とをワイヤ−8で接続し、その後、図9
(C)封止工程に示すように、キャップ9にて封止する。
【0041】この第4実施例において、プリント板10と
の接続は、図9(D)実装状態に示すように、20〜40μm
の厚のソルダ−レジスト12にてパッケ−ジを持ち上げて
半田11で接続する。また、図示していないが、ソルダ−
レジストを設けることなくそのままプリント板10上にパ
ッケ−ジを搭載し、半田11を介して接続することもでき
る。
の接続は、図9(D)実装状態に示すように、20〜40μm
の厚のソルダ−レジスト12にてパッケ−ジを持ち上げて
半田11で接続する。また、図示していないが、ソルダ−
レジストを設けることなくそのままプリント板10上にパ
ッケ−ジを搭載し、半田11を介して接続することもでき
る。
【0042】(第5実施例)図10は、本発明による第
5実施例のフィルムキャリアパッケ−ジの構造を示す斜
視図であって、(A)はLSI搭載側から見たパッケ−ジ
の構造を、(B)は(A)の反対側(逆側:裏側)からみたパ
ッケ−ジの構造を示す。
5実施例のフィルムキャリアパッケ−ジの構造を示す斜
視図であって、(A)はLSI搭載側から見たパッケ−ジ
の構造を、(B)は(A)の反対側(逆側:裏側)からみたパ
ッケ−ジの構造を示す。
【0043】この第5実施例におけるパッケ−ジの形状
は、前記第2実施例及び第3実施例と類似した構造であ
るが、大きな相違点は、貫通窓(開口窓)4bによって絶
縁フィルム1が完全には分離されていない点にあり、各
コ−ナ−部において中央部とタイバ−部とが接続されて
いる構造をとっていることである。
は、前記第2実施例及び第3実施例と類似した構造であ
るが、大きな相違点は、貫通窓(開口窓)4bによって絶
縁フィルム1が完全には分離されていない点にあり、各
コ−ナ−部において中央部とタイバ−部とが接続されて
いる構造をとっていることである。
【0044】図11は、第5実施例のパッケ−ジに大き
さの異なるLSIの実装例を示す斜視図であって、(A)は
通常の大きさのLSI実装例であり、(B)は小LSI、(C)は
大LSIの各実装例である。詳細は、前記第1実施例の場
合と同様であるので省略するが、第1実施例の場合と同
じく、一つのパッケ−ジで異なる寸法のLSIが搭載でき
るため、パッケ−ジ開発コストの低減が可能である。
さの異なるLSIの実装例を示す斜視図であって、(A)は
通常の大きさのLSI実装例であり、(B)は小LSI、(C)は
大LSIの各実装例である。詳細は、前記第1実施例の場
合と同様であるので省略するが、第1実施例の場合と同
じく、一つのパッケ−ジで異なる寸法のLSIが搭載でき
るため、パッケ−ジ開発コストの低減が可能である。
【0045】図12は、第5実施例によるパッケ−ジの
(A)封止工程並びに(B)実装状態を示す図である。この
第5実施例では、図12の(A)封止工程に示すように、
封止樹脂9aにより封止するものであり、前記第3実施
例と同様、樹脂ポッティングもしくはトランスファモ−
ルドにて行う必要がある。実装状態も、前記第3実施例
の場合と同様であるが、図12の(B)実装状態に示すよ
うに、パッケ−ジコ−ナ−部にて中央部の絶縁フィルム
1とタイバ−部とがつながっているため、リ−ドの平坦
性は、第3実施例の場合よりも良好となり、接続歩留ま
りの向上が図れるという効果がある。なお、図12(D)
において、1は絶縁フィルム、2は配線パタ−ン、9a
は封止樹脂、10はプリント板、11は半田である。
(A)封止工程並びに(B)実装状態を示す図である。この
第5実施例では、図12の(A)封止工程に示すように、
封止樹脂9aにより封止するものであり、前記第3実施
例と同様、樹脂ポッティングもしくはトランスファモ−
ルドにて行う必要がある。実装状態も、前記第3実施例
の場合と同様であるが、図12の(B)実装状態に示すよ
うに、パッケ−ジコ−ナ−部にて中央部の絶縁フィルム
1とタイバ−部とがつながっているため、リ−ドの平坦
性は、第3実施例の場合よりも良好となり、接続歩留ま
りの向上が図れるという効果がある。なお、図12(D)
において、1は絶縁フィルム、2は配線パタ−ン、9a
は封止樹脂、10はプリント板、11は半田である。
【0046】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のフィルム
キャリアパッケ−ジでは、絶縁フィルムと配線パタ−ン
とが平面的に重なる領域の一部分を含む部位に対応する
絶縁フィルムに貫通孔(開口部)もしくは貫通窓(開口窓)
を設ける構造を有しているため (1) リ−ド成形が不要となり、リ−ド成形に伴って発生
するリ−ド高さのバラツキが抑えられることによりプリ
ント板への実装歩留まりが向上する。 (2) 更に、外部接続領域に設けた開口部を介して微小な
突起電極を形成する構造をとれば、非常に狭ピッチ(例
えば0.3mmピッチ以下の狭ピッチ)の接続も可能となる。 (3) 同一のパッケ−ジに、チップサイズの異なるLSIを
搭載することが可能となるため、パッケ−ジ開発費用が
低減できる。 という効果が生じる。
キャリアパッケ−ジでは、絶縁フィルムと配線パタ−ン
とが平面的に重なる領域の一部分を含む部位に対応する
絶縁フィルムに貫通孔(開口部)もしくは貫通窓(開口窓)
を設ける構造を有しているため (1) リ−ド成形が不要となり、リ−ド成形に伴って発生
するリ−ド高さのバラツキが抑えられることによりプリ
ント板への実装歩留まりが向上する。 (2) 更に、外部接続領域に設けた開口部を介して微小な
突起電極を形成する構造をとれば、非常に狭ピッチ(例
えば0.3mmピッチ以下の狭ピッチ)の接続も可能となる。 (3) 同一のパッケ−ジに、チップサイズの異なるLSIを
搭載することが可能となるため、パッケ−ジ開発費用が
低減できる。 という効果が生じる。
【図1】本発明による第1実施例のフィルムキャリアパ
ッケ−ジの構造を示す図であって、(A)はLSI搭載側
から見たパッケ−ジの構造を示す斜視図、(B)は(A)の
反対側(逆側:裏側)からみたパッケ−ジの構造を示す斜
視図、(C)は突起電極の形成工程を示す断面図。
ッケ−ジの構造を示す図であって、(A)はLSI搭載側
から見たパッケ−ジの構造を示す斜視図、(B)は(A)の
反対側(逆側:裏側)からみたパッケ−ジの構造を示す斜
視図、(C)は突起電極の形成工程を示す断面図。
【図2】第1実施例のフィルムキャリアパッケ−ジを用
いたLSI組立工程及び実装状態を説明する図であって、
(A)はダイボンド工程、(B)はワイヤ−ボンド工程、
(C)は封止工程を示す斜視図であり、(D)は実装状態を
示す断面図。
いたLSI組立工程及び実装状態を説明する図であって、
(A)はダイボンド工程、(B)はワイヤ−ボンド工程、
(C)は封止工程を示す斜視図であり、(D)は実装状態を
示す断面図。
【図3】第1実施例のフィルムキャリアパッケ−ジを用
いた大きさの異なるLSIの搭載例を示す図であって、
(A)は通常の大きさのLSI実装例、(B)は小LSI実装例、
(C)は大LSI実装例の各斜視図。
いた大きさの異なるLSIの搭載例を示す図であって、
(A)は通常の大きさのLSI実装例、(B)は小LSI実装例、
(C)は大LSI実装例の各斜視図。
【図4】本発明による第2実施例のフィルムキャリアパ
ッケ−ジの構造を示す図であって、(A)はLSI搭載側
から見たパッケ−ジの構造を示す斜視図、(B)は(A)の
反対側(逆側:裏側)からみたパッケ−ジの構造を示す斜
視図。
ッケ−ジの構造を示す図であって、(A)はLSI搭載側
から見たパッケ−ジの構造を示す斜視図、(B)は(A)の
反対側(逆側:裏側)からみたパッケ−ジの構造を示す斜
視図。
【図5】第2実施例のフィルムキャリアパッケ−ジを用
いたLSI組立工程及び実装状態を説明する図であって、
(A)はダイボンド工程、(B)はワイヤ−ボンド工程、
(C)は封止工程を示す斜視図であり、(D)は実装状態を
示す断面図。
いたLSI組立工程及び実装状態を説明する図であって、
(A)はダイボンド工程、(B)はワイヤ−ボンド工程、
(C)は封止工程を示す斜視図であり、(D)は実装状態を
示す断面図。
【図6】本発明による第3実施例のフィルムキャリアパ
ッケ−ジの構造を示す図であって、(A)はLSI搭載側
から見たパッケ−ジの構造を示す斜視図、(B)は(A)の
反対側(逆側:裏側)からみたパッケ−ジの構造を示す斜
視図。
ッケ−ジの構造を示す図であって、(A)はLSI搭載側
から見たパッケ−ジの構造を示す斜視図、(B)は(A)の
反対側(逆側:裏側)からみたパッケ−ジの構造を示す斜
視図。
【図7】第3実施例のフィルムキャリアパッケ−ジを用
いたLSI組立工程及び実装状態を説明する図であって、
(A)はダイボンド工程、(B)はワイヤ−ボンド工程、
(C)は封止工程を示す斜視図であり、(D)は実装状態を
示す断面図。
いたLSI組立工程及び実装状態を説明する図であって、
(A)はダイボンド工程、(B)はワイヤ−ボンド工程、
(C)は封止工程を示す斜視図であり、(D)は実装状態を
示す断面図。
【図8】本発明による第4実施例のフィルムキャリアパ
ッケ−ジの構造を説明する図であって、(A)はLSI搭
載側から見たパッケ−ジの構造を示す斜視図、(B)は
(A)の反対側(逆側:裏側)からみたパッケ−ジの構造を
示す斜視図、(C)はパッケ−ジの断面図、(D)はLSI
搭載時の断面図。
ッケ−ジの構造を説明する図であって、(A)はLSI搭
載側から見たパッケ−ジの構造を示す斜視図、(B)は
(A)の反対側(逆側:裏側)からみたパッケ−ジの構造を
示す斜視図、(C)はパッケ−ジの断面図、(D)はLSI
搭載時の断面図。
【図9】第4実施例のフィルムキャリアパッケ−ジを用
いたLSI組立工程及び実装状態を説明する図であって、
(A)はダイボンド工程、(B)はワイヤ−ボンド工程、
(C)は封止工程を示す斜視図であり、(D)は実装状態を
示す断面図。
いたLSI組立工程及び実装状態を説明する図であって、
(A)はダイボンド工程、(B)はワイヤ−ボンド工程、
(C)は封止工程を示す斜視図であり、(D)は実装状態を
示す断面図。
【図10】本発明による第5実施例のフィルムキャリア
パッケ−ジの構造を説明する図であって、(A)はLSI
搭載側から見たパッケ−ジの構造を示す斜視図、(B)は
(A)の反対側(逆側:裏側)からみたパッケ−ジの構造を
示す斜視図。
パッケ−ジの構造を説明する図であって、(A)はLSI
搭載側から見たパッケ−ジの構造を示す斜視図、(B)は
(A)の反対側(逆側:裏側)からみたパッケ−ジの構造を
示す斜視図。
【図11】第5実施例のフィルムキャリアパッケ−ジを
用いた大きさの異なるLSIの搭載例を示す図であっ
て、(A)は通常の大きさのLSI実装例、(B)は小LSI実装
例、(C)は大LSI実装例の各斜視図。
用いた大きさの異なるLSIの搭載例を示す図であっ
て、(A)は通常の大きさのLSI実装例、(B)は小LSI実装
例、(C)は大LSI実装例の各斜視図。
【図12】第5実施例のフィルムキャリアパッケ−ジを
用いたLSI組立工程及び実装状態を説明する図であっ
て、(A)は封止工程を示す斜視図、(B)は実装状態を示
す断面図。
用いたLSI組立工程及び実装状態を説明する図であっ
て、(A)は封止工程を示す斜視図、(B)は実装状態を示
す断面図。
【図13】従来技術によるテ−プキャリアパッケ−ジの
構造を説明する図であって、(A)はLSI搭載側から見
たパッケ−ジの構造を、また、(B)は(A)の反対側(逆
側:裏側)からみたパッケ−ジの構造を示す斜視図。
構造を説明する図であって、(A)はLSI搭載側から見
たパッケ−ジの構造を、また、(B)は(A)の反対側(逆
側:裏側)からみたパッケ−ジの構造を示す斜視図。
【図14】従来技術によるテ−プキャリアパッケ−ジを
用いたLSI組立工程及び実装状態を説明する図であっ
て、(A)はダイボンド工程、(B)はボンディング工程、
(C)は封止工程を示す斜視図であり、(D)は実装状態を
示す断面図。
用いたLSI組立工程及び実装状態を説明する図であっ
て、(A)はダイボンド工程、(B)はボンディング工程、
(C)は封止工程を示す斜視図であり、(D)は実装状態を
示す断面図。
1 絶縁フィルム 1a 絶縁フィルムタイバ− 2 配線パタ−ン 3 ダイアタッチ 4 貫通孔(開口部) 4a 開口領域 4b 貫通窓(開口窓) 5 突起電極 6 LSI 7 マウント剤 7a マウント絶縁シ−ト 8 ワイヤ− 9 キャップ 9a 封止樹脂 10 プリント板 11 半田 12 ソルダ−レジスト 13 リ−ド成形部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 1/02 C 1/14 Z 8824−4E 1/18 N 7128−4E
Claims (8)
- 【請求項1】 絶縁フィルム上に導電性材料による配線
パタ−ンを形成する構造を有するフィルムキャリアパッ
ケ−ジにおいて、前記絶縁フィルムと配線パタ−ンとが
平面的に重なる領域の一部分を含む部位に対応する絶縁
フィルムに貫通孔もしくは貫通窓を設ける構造を有する
ことを特徴とする半導体装置用フィルムキャリアパッケ
−ジ。 - 【請求項2】 前記半導体装置用フィルムキャリアパッ
ケ−ジにおいて、絶縁フィルムをポリイミドもしくはポ
リイミド系材料やエポキシ等の熱硬化性樹脂で構成し、
配線パタ−ンをCuもしくはCu合金材料で構成し、且
つその表面にNiメッキ+Auメッキを施す構造とを有
することを特徴とする請求項1記載の半導体装置用フィ
ルムキャリアパッケ−ジ。 - 【請求項3】 請求項1又は請求項2記載の半導体装置
用フィルムキャリアパッケ−ジにおいて、配線パタ−ン
の外部接続領域(配線パタ−ンの外端から1〜5mm内側
に入った領域)と接している絶縁フィルムに、配線パタ
−ンの幅よりも小さな直径を有する円形貫通孔、もしく
は配線パタ−ン幅よりも小さな短径で、配線パタ−ンと
平行な方向に長径を有する貫通孔を形成することを特徴
とする半導体装置用フィルムキャリアパッケ−ジ。 - 【請求項4】 請求項3の半導体装置用フィルムキャリ
アパッケ−ジにおいて、貫通孔部に配線パタ−ンのCu
に対してバリア性を有する導電膜(Ni等)を薄く形成
した後にメッキで突起状電極を形成する構造と、該突起
状電極をAuメッキにて形成する構造、もしくはCuメ
ッキで形成した後Niメッキ+Auメッキを施す構造、
もしくはCuメッキで形成した後Niメッキ+半田メッ
キを施す構造、もしくは半田メッキのみで突起状電極を
形成する構造を有することを特徴とする半導体装置用フ
ィルムキャリアパッケ−ジ。 - 【請求項5】 請求項1又は請求項2記載の半導体装置
用フィルムキャリアパッケ−ジにおいて、貫通窓の奥行
きが配線パタ−ンの外部接続領域(配線パタ−ンの外端
から1〜5mm内側に入った領域)を含んで更に内側迄、
もしくは配線パタ−ンの内部接続領域(配線パタ−ンの
内側端部から1〜5mm外側に入った領域)を含んで更に
外側迄有し、貫通窓の幅方向が複数の配線パタ−ンを跨
ぐように開口する構造を有することを特徴とする半導体
装置用フィルムキャリアパッケ−ジ。 - 【請求項6】 請求項5記載の半導体装置用フィルムキ
ャリアパッケ−ジにおいて、貫通窓を配線パタ−ンを跨
ぐ方向に更に広げ、絶縁フィルムの領域が中央部と周辺
部とで完全に分離される構造を有することを特徴とする
請求項5記載の半導体装置用フィルムキャリアパッケ−
ジ。 - 【請求項7】 請求項1又は請求項2記載の半導体装置
用フィルムキャリアパッケ−ジにおいて、配線パタ−ン
の内部接続領域(配線パタ−ンの内側端部から1〜5mm
外側に入った領域)と接している絶縁フィルムに、配線
幅よりも小さな直径を有する円形貫通孔、もしくは配線
パタ−ン幅よりも小さな短径で、配線パタ−ンと平行な
方向に長径を有する貫通孔を形成することを特徴とする
半導体装置用フィルムキャリアパッケ−ジ。 - 【請求項8】 前記フィルムキャリアパッケ−ジにおい
て、絶縁フィルムの厚さが10〜200μm、配線パタ−ン
の厚みが9〜200μmである構造を有することを特徴とす
る請求項1、2、3、4、5、6又は7記載の半導体装
置用フィルムキャリアパッケ−ジ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5343143A JP2953939B2 (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 半導体装置用テープキャリア型パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5343143A JP2953939B2 (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 半導体装置用テープキャリア型パッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07169794A true JPH07169794A (ja) | 1995-07-04 |
JP2953939B2 JP2953939B2 (ja) | 1999-09-27 |
Family
ID=18359250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5343143A Expired - Lifetime JP2953939B2 (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 半導体装置用テープキャリア型パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2953939B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012109331A (ja) * | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Nec Network Products Ltd | インターポーザー |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5524477A (en) * | 1978-08-09 | 1980-02-21 | Nec Corp | Integrated circuit |
JPS5538051A (en) * | 1978-09-11 | 1980-03-17 | Fujitsu Ltd | Through-hole forming method of resin film |
JPH01120835A (ja) * | 1987-11-04 | 1989-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH04267535A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-24 | Nec Corp | フィルムキャリヤテープ |
JPH04365343A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-17 | Hitachi Cable Ltd | Tab用テープキャリア |
-
1993
- 1993-12-15 JP JP5343143A patent/JP2953939B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2953939B2 (ja) | 1999-09-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960423 |